KR101090251B1 - Thin film transistor array panel and display apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

게이트선, 데이터선, 화소 전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판,

상기 기판 위에 형성되어 있으며, 외부로부터 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호에 응답하여 게이트 신호를 상기 게이트선으로 출력하는 회로부를 구비한 게이트 구동부, 그리고 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 신호선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 신호선을 각각 포함하며, 상기 부 신호선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 연결선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 신호선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있다.

이러한 방식으로, 외부로부터 정전기 유입으로 신호선과 연결선이 단락된 경우에 신호선의 양쪽을 단선시킴으로써 용이하게 수리할 수 있는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치를 제공할 수 있다.

Figure R1020040077500

표시장치, 정전기, 단락, 게이트구동부, 집적, 신호선, 연결선

The present invention relates to a thin film transistor array panel and a display device including the same.

A substrate on which a gate line, a data line, a pixel electrode and a thin film transistor are formed,

A gate driver formed on the substrate, the gate driver including a first to third signal line receiving a signal from the outside, a circuit unit configured to output a gate signal to the gate line in response to a signal from the first to third signal line; Intersecting at least one of the first to third signal lines, and including first to third connection lines for transmitting a signal from the first to third signal lines to the gate driver, wherein the first to third signal lines A plurality of sub-signal lines connected to each other, at least one of the sub-signal lines is short-circuited with one of the first to third connecting lines, and the at least one sub-signal line is disconnected at both sides of the short-circuit point.

In this manner, a thin film transistor array panel and a display device which can be easily repaired by disconnecting both of the signal lines when the signal lines and the connection lines are shorted due to the inflow of static electricity from the outside can be provided.

Figure R1020040077500

Display, Static electricity, Short circuit, Gate driver, Integrated, Signal line, Connection line

Description

박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치{THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME}Thin film transistor array panel and display device including the same {THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 1에 도시한 게이트 구동부로 사용되는 시프트 레지스터의 블록도의 한 예이다.FIG. 3 is an example of a block diagram of a shift register used as the gate driver shown in FIG.

도 4는 도 3에 도시한 시프트 레지스터의 한 스테이지의 회로도의 한 예이다.4 is an example of a circuit diagram of one stage of the shift register shown in FIG.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부의 개략적인 배치도이다.5 is a schematic layout view of a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시한 게이트 구동부의 배선부의 배치도의 한 예이다.FIG. 6 is an example of the layout of the wiring portion of the gate driver shown in FIG. 5.

도 7은 도 6에 도시한 배치도에서 수리된 상태의 한 예를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a view showing an example of a repaired state in the layout shown in FIG. 6.

도 8은 도 6에 도시한 배선부를 VIII-VIII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of the wiring unit illustrated in FIG. 6 taken along the line VIII-VIII ′.

도 9는 도 5에 도시한 게이트 구동부의 회로부 일부의 배치도의 한 예이다.FIG. 9 is an example of a layout view of a part of a circuit portion of the gate driver shown in FIG. 5.

도 10은 도 9에 도시한 배선부를 X-X'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. 10 is a cross-sectional view of the wiring unit illustrated in FIG. 9 taken along the line X-X '.                 

도 11은 표시 영역(DA)의 화소의 배치도이다.11 is a layout view of pixels of the display area DA.

도 12는 도 11에 도시한 화소를 XII-XII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.12 is a cross-sectional view of the pixel illustrated in FIG. 11 taken along the line XII-XII ′.

본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor array panel and a display device including the same.

일반적으로, 표시장치는 게이트선, 데이터선, 화소전극 및 박막 트랜지스터가 구비된 박막 트랜지스터 표시판 및 공통 전극 표시판을 포함하는 표시판부, 게이트선에 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동부 및 데이터선에 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동부로 이루어진다.In general, a display device includes a display panel unit including a thin film transistor array panel including a gate line, a data line, a pixel electrode, and a thin film transistor and a common electrode display panel, a gate driver for outputting a gate signal to the gate line, and a data signal to the data line. It consists of a data driver for outputting.

게이트 구동부 및 데이터 구동부는 칩 형태로 이루어져 표시판부에 실장된다. 그러나, 최근에는 표시장치의 전체적인 사이즈를 감소시키면서 생산성을 증대시키기 위하여 게이트 구동부를 표시판부에 내장하는 구조가 개발되고 있다.The gate driver and the data driver have a chip shape and are mounted on the display panel. However, in recent years, in order to increase productivity while reducing the overall size of the display device, a structure in which the gate driver is incorporated in the display panel has been developed.

게이트 구동부를 표시판부에 내장하는 구조에서, 게이트 구동부의 동작에 필요한 신호들, 예를 들어 게이트 오프 전압, 클록 신호와 초기화 신호 등을 전달하기 위한 배선들이 게이트 구동부와 함께 한쪽 변에 걸쳐 형성되어 있다. 또한, 이들 신호를 게이트 구동부로 전달하기 위한 연결선이 이들 신호선과 교차되어 형성되어 있다.In a structure in which the gate driver is incorporated in the display panel, wirings for transmitting signals necessary for the operation of the gate driver, for example, a gate-off voltage, a clock signal, and an initialization signal, are formed on one side together with the gate driver. . In addition, a connection line for transmitting these signals to the gate driver is formed to cross these signal lines.

이때, 게이트 구동부와 신호선이 한쪽에 집적되어 있는 경우, 외부로부터 유입되는 정전기가 유입되어 신호선과 연결선이 단락되는 현상이 일어나면 게이트 구동부가 심각한 손상을 입게된다. 그런데, 게이트 구동부가 집적되는 구조에서는 이러한 손상을 회복하기 위한 수리가 불가능하여 제품 전체적으로 매우 치명적인 불량을 초래한다. In this case, when the gate driver and the signal line are integrated on one side, when the phenomenon that the signal line and the connection line are shorted due to the inflow of static electricity flowing from the outside occurs, the gate driver is seriously damaged. However, in the structure in which the gate driver is integrated, repair to recover such damage is impossible, resulting in a very fatal defect as a whole product.

따라서, 본 발명의 목적은 수리가 용이한 박막 트랜지스터 표시판을 제공하는 것이다. 또한 상기 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a thin film transistor array panel that is easy to repair. In addition, to provide a display device including the thin film transistor array panel.

본 발명의 한 특징에 따른 박막 트랜지스터 표시판은, 게이트선, 데이터선, 화소 전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 외부로부터 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호에 응답하여 게이트 신호를 상기 게이트선으로 출력하는 회로부를 구비한 게이트 구동부, 그리고 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 신호선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 신호선을 각각 포함하며, 상기 부 신호선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 연결선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 신호선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있다.A thin film transistor array panel according to an aspect of the present invention may include a substrate on which a gate line, a data line, a pixel electrode, and a thin film transistor are formed, and first to third signal lines formed on the substrate and receiving signals from the outside. A gate driver including a circuit unit configured to output a gate signal to the gate line in response to a signal from the first to third signal lines, and at least one of the first to third signal lines, the first to third signal lines A first to third connection lines for transmitting a signal from the gate driver to the gate driver, wherein the first to third signal lines each include a plurality of sub signal lines connected to each other, and at least one of the sub signal lines Short-circuit with one of the first to third connecting lines, and the at least one sub-signal line is disconnected at both sides of the short-circuit point. There.

이때, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 게이트선선과 동일한 층으로 이루어 지거나, 상기 제1 내지 제3 연결선은 상기 데이터선과 동일한 층으로 이루어질 수 있다.In this case, the first to third signal lines may be formed of the same layer as the gate line, or the first to third connection lines may be formed of the same layer as the data line.

한편, 상기 회로부는 종속 연결되며 차례로 출력 신호를 생성하는 복수의 스테이지로 이루어진 시프트 레지스터를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 시프트 레지스터에 전원 전압과 서로 다른 위상의 제1 및 제2 클록 신호를 전달할 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제3 신호선은 모두 개구부를 가지는 것이 바람직하다.On the other hand, the circuit portion includes a shift register consisting of a plurality of stages are cascaded and in turn generates an output signal, wherein the first to third signal lines are first and second clocks of a phase different from a power supply voltage to the shift register; Can carry a signal. Here, it is preferable that all of the first to third signal lines have openings.

또한, 상기 시프트 레지스터에 초기화 신호를 전달하는 제4 신호선을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 내지 제4 신호선은 상기 시프트 레지스터에서 먼 곳에서 가까운 곳으로 차례로 배치되어 있을 수 있다.The electronic device may further include a fourth signal line that transmits an initialization signal to the shift register, and the first to fourth signal lines may be sequentially disposed far from and close to the shift register.

상기 제1 내지 제3 연결선과 상기 제1 내지 제3 신호선은 연결 보조 부재를 통하여 연결되어 있을 수 있으며, 상기 연결 보조 부재는 투명하며 상기 제1 내지 제3 연결선 및 상기 제1 내지 제3 신호선과 복수의 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있을 수 있다.The first to third connection lines and the first to third signal lines may be connected through a connection auxiliary member, and the connection auxiliary member may be transparent and may be connected to the first to third connection lines and the first to third signal lines. It may be connected through a plurality of contact holes.

상기 회로부는 복수의 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터 중 적어도 하나는 서로 간격을 두고 있는 복수의 부 트랜지스터로 이루어는 것이 바람직하다.The circuit unit may include a plurality of transistors, and at least one of the transistors may include a plurality of sub transistors spaced apart from each other.

한편, 본 발명의 다른 특징에 따른 박막 트랜지스터 표시판은, 게이트선, 데이터선, 화소 전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 외부로부터 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호에 응답하여 게이트 신호를 상기 게이트선으로 출력하는 회로부를 구비한 게이트 구동부, 그리고 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 연결선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 연결선을 각각 포함하며, 상기 부 연결선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 신호선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 연결선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있다.On the other hand, the thin film transistor array panel according to another aspect of the present invention, the gate line, the data line, the pixel electrode and the substrate on which the thin film transistor is formed, the first to third signal lines formed on the substrate, and receives a signal from the outside And a gate driver including a circuit unit configured to output a gate signal to the gate line in response to a signal from the first to third signal lines, and to cross at least one of the first to third signal lines. First to third connection lines for transmitting signals from three signal lines to the gate driver, wherein the first to third connection lines respectively include a plurality of sub connection lines connected to each other, and at least one of the sub connection lines Shorted to one of the first to third signal lines, and the at least one sub connection line It is disconnected.

이때, 상기 제1 내지 제3 연결선은 상기 데이터선과 동일한 층으로 이루어지거나, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 게이트선과 동일한 층으로 이루어질 수 있다.In this case, the first to third connection lines may be formed of the same layer as the data line, or the first to third signal lines may be formed of the same layer as the gate line.

한편, 상기 회로부는 종속 연결되며 차례로 출력 신호를 생성하는 복수의 스테이지로 이루어진 시프트 레지스터를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 시프트 레지스터에 전원 전압과 서로 다른 위상의 제1 및 제2 클록 신호를 전달KF 수 있다.On the other hand, the circuit portion includes a shift register consisting of a plurality of stages are cascaded and in turn generates an output signal, wherein the first to third signal lines are first and second clocks of a phase different from a power supply voltage to the shift register; Can carry signal KF.

또한, 상기 제1 내지 제3 연결선은 모두 개구부를 가지는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that all of the first to third connection lines have openings.

상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 시프트 레지스터에 초기화 신호를 전달하는 제4 신호선을 더 포함할 수 있는데, 상기 제1 내지 제4 신호선은 상기 시프트 레지스터에서 먼 곳에서 가까운 곳으로 차례로 배치되어 있을 수 있다.The thin film transistor array panel may further include a fourth signal line that transmits an initialization signal to the shift register, and the first to fourth signal lines may be sequentially disposed from a far position to a close position to the shift register.

상기 제1 내지 제3 연결선과 상기 제1 내지 제3 신호선은 연결 보조 부재를 통하여 연결되어 있을 수 있으며, 상기 연결 보조 부재는 투명하며 상기 제1 내지 제3 연결선 및 상기 제1 내지 제3 신호선과 복수의 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있을 수 있다.The first to third connection lines and the first to third signal lines may be connected through a connection auxiliary member, and the connection auxiliary member may be transparent and may be connected to the first to third connection lines and the first to third signal lines. It may be connected through a plurality of contact holes.

한편, 상기 회로부는 복수의 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터 중 적어도 하나는 서로 간격을 두고 있는 복수의 부 트랜지스터로 이루어지는 것이 바람직하다.The circuit unit may include a plurality of transistors, and at least one of the transistors may include a plurality of sub transistors spaced apart from each other.

본 발명의 한 특징에 따른 표시 장치는, 복수의 게이트선과 복수의 데이터선이 형성된 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판으로 이루어지고, 데이터 신호 및 게이트 신호에 응답하여 영상을 표시하는 표시판부, 상기 복수의 데이터선에 상기 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동부, 상기 제1 기판 상에 구비되고, 외부로부터 복수의 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선 및 상기 외부 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 상기 복수의 게이트선으로 출력하는 회로부로 이루어진 게이트 구동부, 그리고 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 연결선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 연결선을 각각 포함하며, 상기 부 연결선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 신호선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 연결선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있다.A display device according to an aspect of the present invention comprises a first substrate having a plurality of gate lines and a plurality of data lines, a second substrate facing the first substrate, and displaying an image in response to a data signal and a gate signal. A display panel unit; a data driver for outputting the data signal to the plurality of data lines; first to third signal lines provided on the first substrate and receiving a plurality of signals from the outside; A gate driver configured to include a circuit unit configured to output a gate signal to the plurality of gate lines, and an intersecting at least one of the first to third signal lines, and transmitting a signal from the first to third signal lines to the gate driver. Including a first to third connecting line, each of the first to third connecting line includes a plurality of secondary connecting line connected to each other , And at least one of said connecting line section is short-circuited with one of the first to third signal line, it said at least one connector portion is disconnected from both of the short-circuit point.

본 발명의 다른 특징에 따른 표시 장치는, 복수의 게이트선과 복수의 데이터선이 형성된 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판으로 이루어지고, 데이터 신호 및 게이트 신호에 응답하여 영상을 표시하는 표시판부, 상기 복수의 데이터선에 상기 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동부, 상기 제1 기판 상에 구비되 고, 외부로부터 복수의 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선 및 상기 외부 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 상기 복수의 게이트선으로 출력하는 회로부로 이루어진 게이트 구동부, 그리고 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 신호선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 신호선을 각각 포함하며, 상기 부 신호선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 연결선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 신호선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있다.According to another aspect of the present invention, a display device includes a first substrate having a plurality of gate lines and a plurality of data lines, a second substrate facing the first substrate, and displays an image in response to a data signal and a gate signal. A display panel unit; a data driver for outputting the data signals to the plurality of data lines; and first to third signal lines provided on the first substrate and receiving a plurality of signals from outside; A gate driver including a circuit unit configured to output the gate signal to the plurality of gate lines, and at least one of the first to third signal lines, and transferring a signal from the first to third signal lines to the gate driver. First to third connection lines, and each of the first to third signal lines includes a plurality of sub signal lines connected to each other. It said, and at least one of the sub-signal line is short-circuited with one of the first to third connection line, wherein the at least one sub signal line is disconnected from both of the short-circuit point.

또한, 본 발명의 한 특징에 따른 표시 장치의 수리 방법은, 제1 기판 위에 복수의 신호선을 포함하는 배선부와 상기 배선부로부터의 신호를 전달하는 복수의 연결부와 상기 연결부로부터 전달된 신호에 따라 게이트 신호를 생성하는 회로부를 포함하는 게이트 구동 회로를 형성하는 단계, 그리고 상기 배선부 중 어느 하나와 상기 연결부 중 어느 하나의 배선이 단락된 경우에 상기 단락점을 중심으로 상기 배선부의 양쪽을 단선시키는 단계를 포함한다.In addition, a repairing method of a display device according to an aspect of the present invention may include a wiring part including a plurality of signal lines on a first substrate, a plurality of connection parts for transmitting a signal from the wiring part, and a signal transmitted from the connection part. Forming a gate driving circuit including a circuit portion for generating a gate signal, and disconnecting both of the wiring portions about the short circuit point when one of the wiring portions and any one of the connection portions is shorted; Steps.

본 발명의 다른 특징에 따른 표시 장치의 수리 방법은, 제1 기판 위에 복수의 신호선을 포함하는 배선부와 상기 배선부로부터의 신호를 전달하는 복수의 연결부와 상기 연결부로부터 전달된 신호에 따라 게이트 신호를 생성하는 회로부를 포함하는 게이트 구동 회로를 형성하는 단계, 그리고 상기 배선부 중 어느 하나와 상기 연결부 중 어느 하나의 배선이 단락된 경우에 상기 단락점을 중심으로 상기 연결부의 양쪽을 단선시키는 단계를 포함한다.
According to another aspect of the present invention, a repairing method of a display device includes a wiring part including a plurality of signal lines on a first substrate, a plurality of connection parts for transmitting a signal from the wiring part, and a gate signal according to a signal transmitted from the connection part. Forming a gate driving circuit including a circuit unit for generating a circuit, and disconnecting both ends of the connection unit based on the shorting point when one of the wiring units and any one of the connection units is short-circuited. Include.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.A display device according to an embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.1 is a block diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 표시판부(300) 및 이에 연결된 게이트 구동부(400)와 데이터 구동부(500), 데이터 구동부(500)에 연결된 계조 전압 생성부(800), 그리고 이들을 제어하는 신호 제어부(600)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 300, a gate driver 400 connected thereto, a data driver 500, and a gray voltage generator connected to the data driver 500. 800, and a signal controller 600 for controlling them.

표시판부(300)는 등가 회로로 볼 때 복수의 표시 신호선(G1-Gn, D1-Dm )과 이 에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소를 포함한다.The display panel unit 300 includes a plurality of display signal lines G 1 -G n , D 1 -D m , and a plurality of pixels arranged in a substantially matrix form when viewed in an equivalent circuit.

표시 신호선(G1-Gn, D1-Dm)은 게이트 신호("주사 신호"라고도 함)를 전달하는 복수의 게이트선(G1-Gn)과 데이터 신호를 전달하는 데이터선(D1-Dm )을 포함한다. 게이트선(G1-Gn)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(D 1-Dm)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The display signal lines G 1 -G n and D 1 -D m are a plurality of gate lines G 1 -G n for transmitting a gate signal (also called a “scan signal”) and a data line D for transmitting a data signal. 1 -D m ). The gate lines G 1 -G n extend substantially in the row direction and are substantially parallel to each other, and the data lines D 1 -D m extend substantially in the column direction and are substantially parallel to each other.

각 화소는 표시 신호선(G1-Gn, D1-Dm)에 연결된 스위칭 소자(Q)와 이에 연결된 화소 회로(pixel circuit)(PX)를 포함한다.Each pixel includes a switching element Q connected to the display signal lines G 1 -G n , D 1 -D m , and a pixel circuit PX connected thereto.

스위칭 소자(Q)는 삼단자 소자로서 그 제어 단자 및 입력 단자는 각각 게이트선(G1-Gn) 및 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 화소 회로(PX)에 연결되어 있다. 또한, 스위칭 소자(Q)는 박막 트랜지스터인 것이 바람직하며, 특히 비정질 규소를 포함하는 것이 좋다.The switching element Q is a three-terminal element whose control terminal and input terminal are connected to the gate line G 1 -G n and the data line D 1 -D m, respectively, and the output terminal is the pixel circuit PX. Is connected to. In addition, the switching element Q is preferably a thin film transistor, and particularly preferably comprises amorphous silicon.

평판 표시 장치의 대표격인 액정 표시 장치의 경우, 도 2에 도시한 바와 같이, 표시판부(300)가 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 그 사이의 액정층(3)을 포함하며, 표시 신호선(G1-Gn, D1-Dm)과 스위칭 소자(Q)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있다. 액정 표시 장치의 화소 회로(PX)는 스위칭 소자(Q)에 병렬로 연결된 액정 축전기(liquid crystal capacitor)(CLC) 및 유지 축전기(storage capacitor)(CST)를 포함한다. 유지 축전기(CST)는 필요에 따라 생략할 수 있다. In the case of a liquid crystal display device which is a representative example of a flat panel display device, as shown in FIG. 2, the display panel unit 300 includes a lower panel 100, an upper panel 200, and a liquid crystal layer 3 therebetween, The signal lines G 1 -G n , D 1 -D m and the switching element Q are provided on the lower panel 100. The pixel circuit PX of the liquid crystal display includes a liquid crystal capacitor C LC and a storage capacitor C ST connected in parallel to the switching element Q. The holding capacitor C ST can be omitted as necessary.

액정 축전기(CLC)는 하부 표시판(100)의 화소 전극(190)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)을 두 단자로 하며 두 전극(190, 270) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 화소 전극(190)은 스위칭 소자(Q)에 연결되며 공통 전극(270)은 상부 표시판(200)의 전면에 형성되어 있고 공통 전압(Vcom)을 인가받는다. 도 2에서와는 달리 공통 전극(270)이 하부 표시판(100)에 구비되는 경우도 있으며 이때에는 두 전극(190, 270)이 모두 선형 또는 막대형으로 만들어진다.The liquid crystal capacitor C LC has two terminals, the pixel electrode 190 of the lower panel 100 and the common electrode 270 of the upper panel 200, and the liquid crystal layer 3 between the two electrodes 190 and 270. It functions as a dielectric. The pixel electrode 190 is connected to the switching element Q, and the common electrode 270 is formed on the front surface of the upper panel 200 and receives a common voltage V com . Unlike in FIG. 2, the common electrode 270 may be provided in the lower panel 100. In this case, both electrodes 190 and 270 may be linear or rod-shaped.

유지 축전기(CST)는 하부 표시판(100)에 구비된 별개의 신호선(도시하지 않음)과 화소 전극(190)이 중첩되어 이루어지며 이 별개의 신호선에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다. 그러나 유지 축전기(CST)는 화소 전극(190)이 절연체를 매개로 바로 위의 전단 게이트선과 중첩되어 이루어질 수 있다.The storage capacitor C ST is formed by overlapping a separate signal line (not shown) and the pixel electrode 190 provided on the lower panel 100, and a predetermined voltage such as a common voltage V com is applied to the separate signal line. Is approved. However, the storage capacitor C ST may be formed such that the pixel electrode 190 overlaps the front end gate line directly above the insulator.

한편, 색 표시를 구현하기 위해서는 각 화소가 색상을 표시할 수 있도록 하여야 하는데, 이는 화소 전극(190)에 대응하는 영역에 삼원색, 예를 들면 적색, 녹색, 또는 청색의 색 필터(230)를 구비함으로써 가능하다. 도 2에서 색 필터(230)는 상부 표시판(200)에 형성되어 있지만 이와는 달리 하부 표시판(100)의 화소 전극(190) 위 또는 아래에 형성할 수도 있다.On the other hand, in order to implement color display, each pixel should be able to display color, which is provided with a color filter 230 of three primary colors, for example, red, green, or blue, in a region corresponding to the pixel electrode 190. It is possible by doing. In FIG. 2, the color filter 230 is formed on the upper panel 200. Alternatively, the color filter 230 may be formed above or below the pixel electrode 190 of the lower panel 100.

액정 표시 장치의 표시판부(300)의 두 표시판(100, 200) 중 적어도 하나의 바깥 면에는 빛을 편광시키는 편광자(도시하지 않음)가 부착되어 있다.Polarizers (not shown) for polarizing light are attached to outer surfaces of at least one of the two display panels 100 and 200 of the display panel unit 300 of the liquid crystal display device.

다시 도 1을 참조하면, 계조 전압 생성부(800)는 화소의 휘도와 관련된 한 벌 또는 두 벌의 복수 계조 전압을 생성한다. 두 벌이 있는 경우 두 벌 중 한 벌 은 공통 전압(Vcom)에 대하여 양의 값을 가지고 다른 한 벌은 음의 값을 가진다.Referring back to FIG. 1, the gray voltage generator 800 generates one or two gray voltages related to the luminance of the pixel. If there are two sets, one of the sets has a positive value for the common voltage (V com ) and the other set has a negative value.

게이트 구동부(400)는 표시판부(300)의 게이트선(G1-Gn)에 연결되어 스위칭 소자(Q)를 턴온시킬 수 있는 게이트 온 전압(Von)과 스위칭 소자(Q)를 턴오프시킬 수 있는 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 게이트 신호를 게이트선(G1-Gn)에 인가한다. 게이트 구동부(400)는 화소의 스위칭 소자(Q)와 동일한 공정으로 형성되어 표시판부(300)에 집적되어 있다.The gate driver 400 is connected to the gate lines G 1 -G n of the display panel 300 to turn off the gate-on voltage V on and the switching element Q, which can turn on the switching element Q. A gate signal composed of a combination of gate off voltages V off may be applied to the gate lines G 1 -G n . The gate driver 400 is formed in the same process as the switching element Q of the pixel and is integrated in the display panel 300.

데이터 구동부(500)는 표시판부(300)의 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 계조 전압 생성부(800)로부터의 계조 전압을 선택하여 데이터 신호로서 화소에 인가한다.The data driver 500 is connected to the data lines D 1 -D m of the display panel 300 to select the gray voltage from the gray voltage generator 800 and apply the gray voltage to the pixel as a data signal.

신호 제어부(600)는 게이트 구동부(400) 및 데이터 구동부(500) 등의 동작을 제어한다.The signal controller 600 controls operations of the gate driver 400 and the data driver 500.

그러면 이러한 표시 장치의 표시 동작에 대하여 좀더 상세하게 설명한다.The display operation of such a display device will now be described in more detail.

신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호, 예를 들면 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 제공받는다. 신호 제어부(600)는 입력 제어 신호 및 입력 영상 신호(R, G, B)를 기초로 게이트 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성하고 영상 신호(R, G, B)를 표시판부(300)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리한 후, 게이트 제어 신호(CONT1)를 게이트 구동부(400)로 내보내고 데이터 제어 신호(CONT2)와 처 리한 영상 신호(DAT)는 데이터 구동부(500)로 내보낸다. The signal controller 600 may control the input image signals R, G, and B and their display from an external graphic controller (not shown), for example, a vertical sync signal V sync and a horizontal sync signal. (H sync ), a main clock (MCLK), a data enable signal (DE) is provided. The signal controller 600 generates a gate control signal CONT1 and a data control signal CONT2 based on the input control signal and the input image signals R, G, and B, and generates the image signals R, G, and B. After proper processing according to the operating conditions of the display panel 300, the gate control signal CONT1 is sent to the gate driver 400, and the image signal DAT processed with the data control signal CONT2 is transferred to the data driver 500. Export.

게이트 제어 신호(CONT1)는 게이트 온 전압(Von)의 출력 시작을 지시하는 주사 시작 신호(STV), 게이트 온 전압(Von)의 출력 시기를 제어하는 게이트 클록 신호(CPV) 및 게이트 온 전압(Von)의 지속 시간을 한정하는 출력 인에이블 신호(OE) 등을 포함한다.The gate control signal (CONT1) is the gate-on scanning start instructing the start of output of a voltage (V on) signal (STV), a gate-on voltage (V on) on-voltage gate clock signal (CPV), and a gate for controlling the output timing of the An output enable signal OE or the like that defines the duration of V on .

데이터 제어 신호(CONT2)는 영상 데이터(DAT)의 입력 시작을 알리는 수평 동기 시작 신호(STH)와 데이터선(D1-Dm)에 해당 데이터 전압을 인가하라는 로드 신호(LOAD) 및 데이터 클록 신호(HCLK)를 포함한다. 도 2에 도시한 액정 표시 장치 등의 경우, 공통 전압(Vcom)에 대한 데이터 전압의 극성(이하 "공통 전압에 대한 데이터 전압의 극성"을 줄여 "데이터 전압의 극성"이라 함)을 반전시키는 반전 신호(RVS)도 포함될 수 있다.The data control signal CONT2 is a load signal LOAD and a data clock signal for applying a corresponding data voltage to the horizontal synchronization start signal STH indicating the start of input of the image data DAT and the data lines D 1 -D m . (HCLK). In the case of the liquid crystal display or the like shown in FIG. 2, the polarity of the data voltage with respect to the common voltage V com (hereinafter referred to as "polarization of the data voltage" by reducing the "polarity of the data voltage with respect to the common voltage") is inverted. The inversion signal RVS may also be included.

데이터 구동부(500)는 신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라 한 행의 화소에 대응하는 영상 데이터(DAT)를 차례로 입력받고, 계조 전압 생성부(800)로부터의 계조 전압 중 각 영상 데이터(DAT)에 대응하는 계조 전압을 선택함으로써, 영상 데이터(DAT)를 해당 데이터 전압으로 변환하고 이를 데이터선(D1-Dm)에 인가한다.The data driver 500 sequentially receives the image data DAT corresponding to one row of pixels according to the data control signal CONT2 from the signal controller 600, and among the gray voltages from the gray voltage generator 800. By selecting the gray scale voltage corresponding to each image data DAT, the image data DAT is converted into a corresponding data voltage and applied to the data lines D 1 -D m .

게이트 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 게이트 제어 신호(CONT1)에 따라 게이트 온 전압(Von)을 게이트선(G1-Gn)에 인가하여 이 게이트선(G 1-Gn)에 연결 된 스위칭 소자(Q)를 턴온시킨다. 데이터선(D1-Dm)에 공급된 데이터 전압은 턴온된 스위칭 소자(Q)를 통해 해당 화소에 인가된다. The gate driver 400 applies the gate-on voltage V on to the gate lines G 1 -G n in response to the gate control signal CONT1 from the signal controller 600, thereby applying the gate lines G 1 -G n. Turn on the switching element (Q) connected to. The data voltage supplied to the data lines D 1 -D m is applied to the corresponding pixel through the turned-on switching element Q.

도 2에 도시한 액정 표시 장치의 경우, 화소에 인가된 데이터 전압과 공통 전압(Vcom)의 차이는 액정 축전기(CLC)의 충전 전압, 즉 화소 전압으로서 나타난다. 액정 분자들은 화소 전압의 크기에 따라 그 배열을 달리한다. 이에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 변화한다. 이러한 편광의 변화는 표시판(100, 200)에 부착된 편광자에 의하여 빛의 투과율 변화로 나타난다.In the case of the liquid crystal display shown in FIG. 2, the difference between the data voltage applied to the pixel and the common voltage V com is represented as the charging voltage of the liquid crystal capacitor C LC , that is, the pixel voltage. The liquid crystal molecules vary in arrangement depending on the magnitude of the pixel voltage. As a result, the polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 changes. This change in polarization is represented by a change in transmittance of light by polarizers attached to the display panels 100 and 200.

1 수평 주기(또는 "1H")[수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 게이트 클록(CPV)의 한 주기]가 지나면 데이터 구동부(500)와 게이트 구동부(400)는 다음 행의 화소에 대하여 동일한 동작을 반복한다. 이러한 방식으로, 한 프레임(frame) 동안 모든 게이트선(G1-Gn)에 대하여 차례로 게이트 온 전압(Von)을 인가하여 모든 화소에 데이터 전압을 인가한다. 도 2에 도시한 액정 표시 장치 등의 경우, 특히 한 프레임이 끝나면 다음 프레임이 시작되고 각 화소에 인가되는 데이터 전압의 극성이 이전 프레임에서의 극성과 반대가 되도록 데이터 구동부(500)에 인가되는 반전 신호(RVS)의 상태가 제어된다("프레임 반전"). 이때, 한 프레임 내에서도 반전 신호(RVS)의 특성에 따라 한 데이터선을 통하여 흐르는 데이터 전압의 극성이 바뀌거나("컬럼 반전"), 한 화소행에 인가되는 데이터 전압의 극성도 서로 다를 수 있다("도트 반전")After one horizontal period (or “1H”) (one period of the horizontal sync signal H sync , the data enable signal DE, and the gate clock CPV), the data driver 500 and the gate driver 400 are next. The same operation is repeated for the pixels in the row. In this manner, the gate-on voltages V on are sequentially applied to all the gate lines G 1 -G n during one frame to apply data voltages to all the pixels. In the case of the liquid crystal display shown in FIG. 2, inverting is applied to the data driver 500 such that the next frame starts after one frame ends, and the polarity of the data voltage applied to each pixel is opposite to that of the previous frame. The state of the signal RVS is controlled ("frame inversion"). In this case, the polarity of the data voltage flowing through one data line may be changed (“column inversion”) or the polarity of the data voltage applied to one pixel row may be different according to the characteristics of the inversion signal RVS within one frame ( "Dot reversal")

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치에 대하여 도 3 내지 도 12를 참고로 하여 좀더 상세히 설명한다.Next, the thin film transistor array panel and the display device according to the exemplary embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 3 to 12.

도 3은 도 1에 도시한 게이트 구동부를 나타낸 블록도의 한 예이고, 도 4는 도 3에 도시한 게이트 구동부의 한 스테이지의 회로도의 한 예이다.FIG. 3 is an example of a block diagram showing the gate driver shown in FIG. 1, and FIG. 4 is an example of a circuit diagram of one stage of the gate driver shown in FIG.

도 3 및 도 4를 참조하면, 게이트 구동부(400)는 서로 종속적으로 연결되어 있으며 차례로 게이트 신호를 출력하는 복수의 스테이지(ST1 ~ STn+1)를 포함하며, 게이트 오프 전압(Voff), 제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB), 그리고 초기화 신호(INT)가 입력된다. 마지막 스테이지(STn+1)를 제외한 모든 스테이지(ST1 ~ STn+1 )는 게이트선(GL1 ~ GLn)과 일대일로 연결되어 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, the gate driver 400 is connected to each other and includes a plurality of stages ST 1 to ST n + 1 that sequentially output gate signals, and includes a gate off voltage V off . The first and second clock signals CKV and CKVB and the initialization signal INT are input. All stages ST 1 to ST n + 1 except for the last stage ST n + 1 are connected to the gate lines GL1 to GLn one-to-one.

각 스테이지(ST1 ~ STn+1)는 제1 클록 단자(CK1), 제2 클록 단자(CK2), 세트 단자(S), 리세트 단자(R), 전원 전압 단자(GV), 프레임 리세트 단자(FR), 그리고 게이트 출력 단자(OUT1) 및 캐리 출력 단자(OUT2)를 가지고 있다.Each stage ST 1 to ST n + 1 includes a first clock terminal CK1, a second clock terminal CK2, a set terminal S, a reset terminal R, a power supply voltage terminal GV, and a frame rear. It has a set terminal FR, and a gate output terminal OUT1 and a carry output terminal OUT2.

각 스테이지, 예를 들면 j 번째 스테이지(STj)의 세트 단자(S)에는 전단 스테이지(STj-1)의 캐리 출력, 즉 전단 캐리 출력[Cout(j-1)]이, 리세트 단자(R)에는 후단 스테이지(STj+1)의 게이트 출력, 즉 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 입력되고, 제1 및 제2 클록 단자(CK1, CK2)에는 클록 신호(CKV, CKVB)가 입력되고, 게이트 전압 단자(GV)에는 게이트 오프 전압(Voff)이 입력되며, 프레임 리세트 단자(FR)에는 초기화 신호(INT)가 입력된다. 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 출력[Gout(j)]을 내보내고 캐리 출력 단자(OUT2)는 캐리 출력[Cout(j)]을 내보낸다. 마지막 스테이 지(STn+1)의 캐리 출력[Cout(n+1)]은 초기화 신호(INT)로서 각 스테이지(ST1 ~ STn)에 제공된다.Each stage, for example, the j-th stage (ST j) the set terminal (S), the carry output of the front end stage (ST j-1), i.e. shear carry output [Cout (j-1)] is a reset terminal ( The gate output of the rear stage ST j + 1 , that is, the rear gate output Gout (j + 1), is input to R, and the clock signals CKV and CKVB are provided to the first and second clock terminals CK1 and CK2. ) Is input, the gate off voltage V off is input to the gate voltage terminal GV, and the initialization signal INT is input to the frame reset terminal FR. The gate output terminal OUT1 outputs the gate output Gout (j) and the carry output terminal OUT2 outputs the carry output Cout (j). Finally stay not carry output [Cout (n + 1)] of the (n + 1 ST) is provided at the respective stages (ST1 ~ ST n) as a reset signal (INT).

단, 시프트 레지스터(400)의 첫 번째 스테이지(ST1)에는 전단 캐리 출력 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력되며, 마지막 스테이지(STn+1)에는 후단 게이트 출력 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력된다. 또한, j 번째 스테이지(STj)의 제1 클록 단자(CK1)에 제1 클록 신호(CKV)가, 제2 클록 단자(CK2)에 제2 클록 신호(CKVB)가 입력되는 경우, 이에 인접한 (j-1)번째 및 (j+1)번째 스테이지(STj-1, STj+1)의 제1 클록 단자(CK1)에는 제2 클록 신호(CKVB)가, 제2 클록 단자(CK2)에는 제1 클록 신호(CKV)가 입력된다.However, the scan start signal STV is input to the first stage ST 1 of the shift register 400 instead of the front carry output, and the scan start signal STV is output to the last stage ST n + 1 instead of the rear gate output. Is entered. In addition, when the first clock signal CKV is input to the first clock terminal CK1 of the j th stage ST j and the second clock signal CKVB is input to the second clock terminal CK2, The second clock signal CKVB is provided to the first clock terminal CK1 of the j-1) th and (j + 1) th stages ST j-1 and ST j + 1 , and is provided to the second clock terminal CK2. The first clock signal CKV is input.

제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB)는 화소의 트랜지스터(Tr)를 구동할 수 있도록 전압 레벨이 하이인 경우는 게이트 온 전압(Von)과 같고 로우인 경우는 게이트 오프 전압(Voff)과 같은 것이 바람직하다. 제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB)는 듀티비가 50%이고 그 위상차는 180°일 수 있다.The first and second clock signals CKV and CKVB are equal to the gate-on voltage V on when the voltage level is high so as to drive the transistor Tr of the pixel, and gate-off voltage V off when the voltage is low. Is preferred. The first and second clock signals CKV and CKVB may have a duty ratio of 50% and a phase difference of 180 °.

도 4를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부(400)의 각 스테이지, 예를 들면 j 번째 스테이지는 입력부(420), 풀업 구동부(430), 풀다운 구동부(440) 및 출력부(450)를 포함한다. 이들은 적어도 하나의 NMOS 트랜지스터(T1-T14)를 포함하며, 풀업 구동부(430)와 출력부(450)는 축전기(C1-C3)를 더 포함한다. 그러나 NMOS 트랜지스터 대신 PMOS 트랜지스터를 사용할 수도 있다. 또한, 축전기(C1-C3)는 실제로, 공정시에 형성되는 게이트와 드레인/소스간 기생 용량(parasitic capacitance)일 수 있다. Referring to FIG. 4, each stage of the gate driver 400 according to an embodiment of the present invention, for example, the j th stage, includes an input unit 420, a pull-up driver 430, a pull-down driver 440, and an output unit ( 450). These include at least one NMOS transistor T1-T14, and the pull-up driver 430 and the output unit 450 further include capacitors C1-C3. However, PMOS transistors may be used instead of NMOS transistors. In addition, the capacitors C1-C3 may actually be parasitic capacitances between the gate and the drain / source formed during the process.

입력부(420)는 세트 단자(S)와 게이트 전압 단자(GV)에 차례로 직렬로 연결되어 있는 세 개의 트랜지스터(T11, T10, T5)를 포함한다. 트랜지스터(T11, T5)의 게이트는 제2 클록 단자(CK2)에 연결되어 있으며 트랜지스터(T5)의 게이트는 제1 클록 단자(CK1)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T11)와 트랜지스터(T10) 사이의 접점은 접점(J1)에 연결되어 있고, 트랜지스터(T10)와 트랜지스터(T11) 사이의 접점은 접점(J2)에 연결되어 있다.The input unit 420 includes three transistors T11, T10, and T5 connected in series to the set terminal S and the gate voltage terminal GV. Gates of the transistors T11 and T5 are connected to the second clock terminal CK2, and gates of the transistor T5 are connected to the first clock terminal CK1. The contact between the transistor T11 and the transistor T10 is connected to the contact J1, and the contact between the transistor T10 and the transistor T11 is connected to the contact J2.

풀업 구동부(430)는 세트 단자(S)와 접점(J1) 사이에 연결되어 있는 트랜지스터(T4)와 제1 클록 단자(CK1)와 접점(J3) 사이에 연결되어 있는 트랜지스터(T12), 그리고 제1 클록 단자(CK1)와 접점(J4) 사이에 연결되어 있는 트랜지스터(T7)를 포함한다. 트랜지스터(T4)의 게이트와 드레인은 세트 단자(S)에 공통으로 연결되어 있으며 소스는 접점(J1)에 연결되어 있고, 트랜지스터(T12)의 게이트와 드레인은 제1 클록 단자(CK1)에 공통으로 연결되어 있고 소스는 접점(J3)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T7)의 게이트는 접점(J3)에 연결됨과 동시에 축전기(C1)를 통하여 제1 클록 단자(CK1)에 연결되어 있고, 드레인은 제1 클록 단자(CK1)에, 소스는 접점(J4)에 연결되어 있으며, 접점(J3)과 접점(J4) 사이에 축전기(C2)가 연결되어 있다.The pull-up driving unit 430 includes a transistor T4 connected between the set terminal S and the contact J1, a transistor T12 connected between the first clock terminal CK1 and the contact J3, and a first transistor T12. And a transistor T7 connected between the one clock terminal CK1 and the contact J4. The gate and the drain of the transistor T4 are commonly connected to the set terminal S, the source is connected to the contact J1, and the gate and the drain of the transistor T12 are commonly connected to the first clock terminal CK1. Connected and the source is connected to contact J3. The gate of the transistor T7 is connected to the contact J3 and is connected to the first clock terminal CK1 through the capacitor C1, the drain is connected to the first clock terminal CK1, and the source is the contact J4. The capacitor C2 is connected between the contact J3 and the contact J4.

풀다운 구동부(440)는 소스를 통하여 게이트 오프 전압(Voff)을 입력받아 드 레인을 통하여 접점(J1, J2, J3, J4)으로 출력하는 복수의 트랜지스터(T9, T13, T8, T3, T2, T6)를 포함한다. 트랜지스터(T9)의 게이트는 리세트 단자(R)에, 드레인은 접점(J1)에 연결되어 있고, 트랜지스터(T13, T8)의 게이트는 접점(J2)에 공통으로 연결되어 있고, 드레인은 각각 접점(J3, J4)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T3)의 게이트는 접점(J4)에, 트랜지스터(T2)의 게이트는 리세트 단자(R)에 연결되어 있으며, 두 트랜지스터(T3, T2)의 드레인은 접점(J2)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T6)의 게이트는 프레임 리세트 단자(FR)에 연결되어 있고, 드레인은 접점(J1)에, 소스는 게이트 오프 전압 단자(GV)에 연결되어 있다. The pull-down driver 440 receives the gate-off voltage V off through a source and outputs the transistors T9, T13, T8, T3, T2, and the like through the drain to the contacts J1, J2, J3, and J4. T6). The gate of the transistor T9 is connected to the reset terminal R, the drain is connected to the contact J1, the gates of the transistors T13 and T8 are commonly connected to the contact J2, and the drain is respectively a contact. It is connected to (J3, J4). The gate of the transistor T3 is connected to the contact J4, the gate of the transistor T2 is connected to the reset terminal R, and the drains of the two transistors T3 and T2 are connected to the contact J2. The gate of the transistor T6 is connected to the frame reset terminal FR, the drain is connected to the contact J1, and the source is connected to the gate off voltage terminal GV.

출력부(450)는 드레인과 소스가 각각 제1 클록 단자(CK1)와 출력 단자(OUT1, OUT2) 사이에 연결되어 있고 게이트가 접점(J1)에 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T1, T15)와 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인 사이, 즉 접점(J1)과 접점(J2) 사이에 연결되어 있는 축전기(C3)를 포함한다. 트랜지스터(T1)의 소스는 또한 접점(J2)에 연결되어 있다. The output unit 450 includes a pair of transistors T1 and T15 having a drain and a source connected between the first clock terminal CK1 and the output terminals OUT1 and OUT2 and a gate connected to the contact J1, respectively. And a capacitor C3 connected between the gate and the drain of the transistor T1, that is, between the contact J1 and the contact J2. The source of transistor T1 is also connected to contact J2.

그러면 이러한 스테이지의 동작에 대하여 설명한다.The operation of such a stage will now be described.

설명의 편의를 위하여 제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB)의 하이 레벨에 해당하는 전압을 고전압이라 하고, 제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB)의 로우 레벨에 해당하는 전압의 크기는 게이트 오프 전압(Voff)과 동일하고 이를 저전압이라 한다.For convenience of description, a voltage corresponding to a high level of the first and second clock signals CKV and CKVB is called a high voltage, and a magnitude of a voltage corresponding to a low level of the first and second clock signals CKV and CKVB. Is equal to the gate off voltage (V off ) and is referred to as low voltage.

먼저, 제2 클록 신호(CKVB) 및 전단 캐리 출력[Cout(j-1)]이 하이가 되면, 트랜지스터(T11, T5)와 트랜지스터(T4)가 턴온된다. 그러면 두 트랜지스터(T11, T4)는 고전압을 접점(J1)으로 전달하고, 트랜지스터(T5)는 저전압을 접점(J2)으로 전달한다. 이로 인해, 트랜지스터(T1, T15)가 턴온되어 제1 클록 신호(CKV)가 출력단(OUT1, OUT2)으로 출력되는데, 이 때 접점(J2)의 전압과 제1 클록 신호(CKV)가 모두 저전압이므로, 출력 전압[Gout(j), Cout(j)]은 저전압이 된다. 이와 동시에, 축전기(C3)는 고전압과 저전압의 차에 해당하는 크기의 전압을 충전한다. First, when the second clock signal CKVB and the front carry output Cout (j-1) become high, the transistors T11 and T5 and the transistor T4 are turned on. Then, the two transistors T11 and T4 transfer a high voltage to the contact J1, and the transistor T5 transfers a low voltage to the contact J2. As a result, the transistors T1 and T15 are turned on so that the first clock signal CKV is output to the output terminals OUT1 and OUT2. At this time, the voltage of the contact J2 and the first clock signal CKV are low voltage. , The output voltages Gout (j) and Cout (j) become low voltages. At the same time, the capacitor C3 charges a voltage having a magnitude corresponding to the difference between the high voltage and the low voltage.

이 때, 제1 클록 신호(CKV) 및 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]은 로우이고 접점(J2) 또한 로우이므로, 이에 게이트가 연결되어 있는 트랜지스터(T10, T9, T12, T13, T8, T2)는 모두 오프 상태이다. At this time, since the first clock signal CKV and the rear gate output Gout (j + 1) are low and the contact J2 is also low, the transistors T10, T9, T12, T13, and T8 connected to the gate are connected. , T2) are all off.

이어, 제2 클록 신호(CKVB)가 로우가 되면 트랜지스터(T11, T5)가 턴오프되고, 이와 동시에 제1 클록 신호(CKV)가 하이가 되면 트랜지스터(T1)의 출력 전압 및 접점(J2)의 전압이 고전압이 된다. 이 때, 트랜지스터(T10)의 게이트에는 고전압이 인가되지만 접점(J2)에 연결되어 있는 소스의 전위가 또한 동일한 고전압이므로, 게이트 소스간 전위차가 0이 되어 트랜지스터(T10)는 턴 오프 상태를 유지한다. 따라서, 접점(J1)은 부유 상태가 되고 이에 따라 축전기(C3)에 의하여 고전압만큼 전위가 더 상승한다. Subsequently, when the second clock signal CKVB becomes low, the transistors T11 and T5 are turned off. At the same time, when the first clock signal CKV becomes high, the output voltage of the transistor T1 and the contact point J2 of the transistor T1 are turned off. The voltage becomes a high voltage. At this time, a high voltage is applied to the gate of the transistor T10, but since the potential of the source connected to the contact J2 is also the same high voltage, the potential difference between the gate sources becomes zero, so that the transistor T10 remains turned off. . Accordingly, the contact J1 is in a floating state, whereby the potential is further increased by the high voltage by the capacitor C3.

한편, 제1 클록 신호(CKV) 및 접점(J2)의 전위가 고전압이므로 트랜지스터(T12, T13, T8)가 턴온된다. 이 상태에서 트랜지스터(T12)와 트랜지스터(T13)가 고전압과 저전압 사이에서 직렬로 연결되며, 이에 따라 접점(J3)의 전위는 두 트랜지스터(T12, T13)의 턴온시 저항 상태의 저항값에 의하여 분압된 전압값을 가진다. 그런데, 두 트랜지스터(T13)의 턴온시 저항 상태의 저항값이 트랜지스터(T12)의 턴 온시 저항 상태의 저항값에 비하여 매우 크게, 이를테면 약 10,000배 정도로 설정되어 있다고 하면 접점(J3)의 전압은 고전압과 거의 동일하다. 따라서, 트랜지스터(T7)가 턴온되어 트랜지스터(T8)와 직렬로 연결되고, 이에 따라 접점(J4)의 전위는 두 트랜지스터(T7, T8)의 턴온시 저항 상태의 저항값에 의하여 분압된 전압값을 갖는다. 이 때, 두 트랜지스터(T7, T8)의 저항 상태의 저항값이 거의 동일하게 설정되어 있으면, 접점(J4)의 전위는 고전압과 저전압의 중간 값을 가지고 이에 따라 트랜지스터(T3)는 턴오프 상태를 유지한다. 이 때, 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 여전히 로우이므로 트랜지스터(T9, T2) 또한 턴오프 상태를 유지한다. 따라서, 출력단(OUT1, OUT2)은 제1 클록 신호(CKV)에만 연결되고 저전압과는 차단되어 고전압을 내보낸다.On the other hand, since the potentials of the first clock signal CKV and the contact J2 are high voltage, the transistors T12, T13, and T8 are turned on. In this state, the transistor T12 and the transistor T13 are connected in series between the high voltage and the low voltage, so that the potential of the contact J3 is divided by the resistance value of the resistance state at the turn-on of the two transistors T12 and T13. Voltage value. However, assuming that the resistance value of the two transistors T13 in the resistance state at the turn-on is set very large compared to the resistance value of the resistance state in the turn-on state of the transistor T12, for example, about 10,000 times, the voltage of the contact J3 is a high voltage. Is almost the same as Accordingly, the transistor T7 is turned on and connected in series with the transistor T8, so that the potential of the contact J4 is divided by the resistance value of the resistance state at the turn-on of the two transistors T7 and T8. Have At this time, if the resistance values of the resistance states of the two transistors T7 and T8 are set to be substantially the same, the potential of the contact J4 has an intermediate value between the high voltage and the low voltage, and thus the transistor T3 turns off. Keep it. At this time, since the rear gate output Gout (j + 1) is still low, the transistors T9 and T2 also remain turned off. Accordingly, the output terminals OUT1 and OUT2 are connected only to the first clock signal CKV and cut off from the low voltage to emit a high voltage.

한편, 축전기(C1)와 축전기(C2)는 양단의 전위차에 해당하는 전압을 각각 충전하는데, 접점(J3)의 전압이 접점(J5)의 전압보다 낮다.On the other hand, the capacitor C1 and the capacitor C2 charge voltages corresponding to the potential difference between both ends, respectively, and the voltage of the contact J3 is lower than the voltage of the contact J5.

이어, 후단 게이트 출력[Gout(j+1)] 및 제2 클록 신호(CKVB)가 하이가 되고 제1 클록 신호(CKV)가 로우가 되면, 트랜지스터(T9, T2)가 턴온되어 접점(J1, J2)으로 저전압을 전달한다. 이 때, 접점(J1)의 전압은 축전기(C3)가 방전하면서 저전압으로 떨어지는데, 축전기(C3)의 방전 시간으로 인하여 저전압으로 완전히 내려가는 데는 어느 정도 시간을 필요로 한다. 따라서, 두 트랜지스터(T1, T15)는 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 하이가 되고도 잠시동안 턴온 상태를 유지하게 되고 이에 따라 출력단(OUT1, OUT2)이 제1 클록 신호(CKV)와 연결되어 저전압을 내보낸다. 이어, 축전기(C3)가 완전히 방전되어 접점(J1)의 전위가 저전압에 이르면 트 랜지스터(T15)가 턴오프되어 출력단(OUT2)이 제1 클록 신호(CKV)와 차단되므로, 캐리 출력[Cout(j)]은 부유 상태가 되어 저전압을 유지한다. 이와 동시에, 출력단(OUT1)은 트랜지스터(T1)가 턴오프되더라도 트랜지스터(T2)를 통하여 저전압과 연결되므로 계속해서 저전압을 내보낸다. Subsequently, when the rear gate output Gout (j + 1) and the second clock signal CKVB go high and the first clock signal CKV goes low, the transistors T9 and T2 are turned on so that the contact J1, It transmits low voltage to J2). At this time, the voltage of the contact J1 falls to the low voltage while the capacitor C3 discharges, but it takes some time to completely lower to the low voltage due to the discharge time of the capacitor C3. Accordingly, the two transistors T1 and T15 remain turned on for a while even after the rear gate output Gout (j + 1) becomes high, whereby the output terminals OUT1 and OUT2 become the first clock signal CKV. It is connected to and emits low voltage. Subsequently, when the capacitor C3 is completely discharged and the potential of the contact J1 reaches a low voltage, the transistor T15 is turned off and the output terminal OUT2 is cut off from the first clock signal CKV. (j)] becomes floating and maintains low voltage. At the same time, the output terminal OUT1 is continuously connected to the low voltage through the transistor T2 even when the transistor T1 is turned off, thereby continuously outputting the low voltage.

한편, 트랜지스터(T12, T13)가 턴오프되므로, 접점(J3)이 부유 상태가 된다. 또한 접점(J5)의 전압이 접점(J4)의 전압보다 낮아지는데 축전기(C1)에 의하여 접점(J3)의 전압이 접점(J5)의 전압보다 낮은 상태를 유지하므로 트랜지스터(T7)는 턴오프된다. 이와 동시에 트랜지스터(T8)도 턴오프 상태가 되므로 접점(J4)의 전압도 그만큼 낮아져 트랜지스터(T3) 또한 턴오프 상태를 유지한다. 또한, 트랜지스터(T10)는 게이트가 제1 클록 신호(CKV)의 저전압에 연결되고 접점(J2)의 전압도 로우이므로 턴오프 상태를 유지한다.On the other hand, since the transistors T12 and T13 are turned off, the contact J3 is in a floating state. In addition, the voltage of the contact J5 is lower than the voltage of the contact J4. The transistor T7 is turned off because the voltage of the contact J3 is kept lower than the voltage of the contact J5 by the capacitor C1. . At the same time, since the transistor T8 is also turned off, the voltage at the contact J4 is lowered by that amount, so that the transistor T3 also remains turned off. In addition, the transistor T10 maintains the turn-off state because the gate is connected to the low voltage of the first clock signal CKV and the voltage of the contact J2 is low.

다음, 제1 클록 신호(CKV)가 하이가 되면, 트랜지스터(T12, T7)가 턴온되고, 접점(J4)의 전압이 상승하여 트랜지스터(T3)를 턴온시켜 저전압을 접점(J2)으로 전달하므로 출력단(OUT1)은 계속해서 저전압을 내보낸다. 즉, 비록 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 출력이 로우라 하더라도 접점(J2)의 전압이 저전압이 될 수 있도록 한다. Next, when the first clock signal CKV becomes high, the transistors T12 and T7 are turned on, the voltage of the contact J4 is increased, the transistor T3 is turned on, and a low voltage is transmitted to the contact J2. OUT1 continues to emit a low voltage. That is, even if the rear gate output Gout (j + 1) has a low output, the voltage of the contact J2 can be made low.

한편, 트랜지스터(T10)의 게이트가 제1 클록 신호(CKV)의 고전압에 연결되고 접점(J2)의 전압이 저전압이므로 턴온되어 접점(J2)의 저전압을 접점(J1)으로 전달한다. 한편, 두 트랜지스터(T1, T15)의 드레인에는 제1 클록 단자(CK1)가 연결되어 있어 제1 클록 신호(CKV)가 계속해서 인가된다. 특히, 트랜지스터(T1)는 나머 지 트랜지스터들에 비하여 상대적으로 크게 만드는데, 이로 인해 게이트 드레인간 기생 용량이 커서 드레인의 전압 변화가 게이트 전압에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 제1 클록 신호(CKV)가 하이가 될 때 게이트 드레인간 기생 용량 때문에 게이트 전압이 올라가 트랜지스터(T1)가 턴온될 수도 있다. 따라서, 접점(J2)의 저전압을 접점(J1)으로 전달함으로써 트랜지스터(T1)의 게이트 전압을 저전압으로 유지하여 트랜지스터(T1)가 턴온되는 것을 방지한다.Meanwhile, since the gate of the transistor T10 is connected to the high voltage of the first clock signal CKV and the voltage of the contact J2 is a low voltage, the gate of the transistor T10 is turned on to transfer the low voltage of the contact J2 to the contact J1. On the other hand, the first clock terminal CK1 is connected to the drains of the two transistors T1 and T15 so that the first clock signal CKV is continuously applied. In particular, the transistor T1 is made relatively larger than the rest of the transistors. As a result, the parasitic capacitance between gate drains is large, so that the voltage change of the drain may affect the gate voltage. Therefore, when the first clock signal CKV becomes high, the gate voltage may increase due to the parasitic capacitance between the gate and drain regions, thereby turning on the transistor T1. Therefore, the low voltage of the contact J2 is transferred to the contact J1 to maintain the gate voltage of the transistor T1 at a low voltage, thereby preventing the transistor T1 from turning on.

이후에는 전단 캐리 출력[Cout(j-1)]이 하이가 될 때까지 접점(J1)의 전압은 저전압을 유지하며, 접점(J2)의 전압은 제1 클록 신호(CKV)가 하이이고 제2 클록 신호(CKVB)가 로우일 때는 트랜지스터(T3)를 통하여 저전압이 되고, 그 반대의 경우에는 트랜지스터(T5)를 통하여 저전압을 유지한다.Thereafter, the voltage at the contact J1 maintains a low voltage until the front carry output Cout (j-1) becomes high, and the voltage at the contact J2 is the first clock signal CKV and the second voltage is high. When the clock signal CKVB is low, the low voltage is maintained through the transistor T3, and vice versa, the low voltage is maintained through the transistor T5.

한편, 트랜지스터(T6)는 마지막 더미 스테이지(STn+1)의 캐리 출력[Cout(n+1)]인 초기화 신호(INT)를 입력받아 게이트 오프 전압(Voff)을 접점(J1)으로 전달하여 접점(J1)의 전압을 한번 더 저전압으로 설정한다.Meanwhile, the transistor T6 receives the initialization signal INT, which is the carry output Cout (n + 1) of the last dummy stage ST n + 1 , and transfers the gate off voltage V off to the contact J1. To set the voltage at the contact J1 again to a lower voltage.

이러한 방식으로, 스테이지(STj)는 전단 캐리 신호[Cout(j-1)] 및 후단 게이트 신호[Gout(j+1)]에 기초하고 제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB)에 동기하여 캐리 신호[Cout(j)] 및 게이트 신호[Gout(j)]를 생성한다.In this manner, the stage ST j is based on the front carry signal Cout (j-1) and the rear gate signal Gout (j + 1) and synchronized with the first and second clock signals CKV and CKVB. To generate a carry signal Cout (j) and a gate signal Gout (j).

그러면 도 4에 도시한 게이트 구동부(400)의 박막 트랜지스터 표시판(100) 상의 배치에 대하여 도 5 내지 도 7 및 도 9를 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, an arrangement on the thin film transistor array panel 100 of the gate driver 400 illustrated in FIG. 4 will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7 and 9.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부의 개략적인 배치도이고, 도 6은 도 5에 도시한 게이트 구동부의 배선부의 배치도이며, 도 7은 도 6에 도시한 배치도에서 신호선이 단락된 경우 수리한 일예를 나타내는 도면이고, 도 9는 도 5에 도시한 게이트 구동부의 회로부 일부의 배치도이다.FIG. 5 is a schematic layout view of a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 6 is a layout view of a wiring part of the gate driver shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a case in which a signal line is shorted in the layout view shown in FIG. 6. It is a figure which shows the repaired example, and FIG. 9 is a layout view of a part of circuit part of the gate drive part shown in FIG.

도 5를 참고하면 본 실시예에 따른 게이트 구동부(400)는 앞서 설명한 스테이지(ST1 ~ STn+1)로 이루어진 회로부(CS)와 이들 스테이지(ST1 ~ STn+1 )에 입력되는 각종 신호(Voff, CKV, CKVB, INT)를 전달하는 배선부(SL)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the gate driver 400 according to this embodiment described earlier stage various input to the (ST 1 ~ ST n + 1 ) circuit (CS), and these stages (ST 1 ~ ST n + 1 ) consisting of The wiring unit SL may be configured to transmit the signals V off , CKV, CKVB, and INT.

배선부(SL)는 게이트 오프 전압(Voff)을 전달하는 게이트 오프 전압선(SL1), 제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB)를 각각 전달하는 제1 및 제2 클록 신호선(SL2, SL3) 및 초기화 신호(INT)를 전달하는 초기화 신호선(SL4)을 포함한다. 각 신호선(SL1 ~ SL4)은 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 오프 전압선(SL1), 클록 신호선(SL2, SL3) 및 초기화 신호선(SL4)의 순서로 왼쪽부터 차례대로 배치되어 시프트 레지스터(400)에 가까워진다. 또한, 이들 신호선(SL1 ~ SL4)은 스테이지(ST1 ~ STn+1)를 향하여 가로로 뻗은 연결선을 가지고 있는데, 게이트 오프 전압선(SL1)과 초기화 신호선(SL4)은 한 스테이지(ST1 ~ STn+1)에 하나씩 연결선을 내고 있으나, 제1 및 제2 클록 신호선(SL2, SL3)은 스테이지(ST1 ~ STn+1)의 경계 부근에 위치하여 번갈아 가며 하나씩 연결선을 내고 있다.The wiring part SL may include the gate-off voltage line SL1 for transmitting the gate-off voltage V off , and the first and second clock signal lines SL2 and SL3 for transmitting the first and second clock signals CKV and CKVB, respectively. ) And an initialization signal line SL4 for transmitting the initialization signal INT. Each signal line SL1 to SL4 extends mainly in the vertical direction, and is arranged in order from the left in the order of the gate-off voltage line SL1, the clock signal lines SL2 and SL3, and the initialization signal line SL4 to the shift register 400. Getting closer. In addition, these signal lines SL1 to SL4 have connecting lines extending horizontally toward the stages ST 1 to ST n + 1 , and the gate-off voltage line SL1 and the initialization signal line SL4 are connected to one stage ST 1 to ST. Although n + 1 is connected one by one, the first and second clock signal lines SL2 and SL3 are positioned near the boundary of the stages ST 1 to ST n + 1 and alternately are connected one by one.

회로부(CS)에서 각 스테이지(ST1 ~ STn+1), 예를 들면 (j-1) 번째 스테이지 내의 트랜지스터(T1 ~ T13, T15)의 배치를 보면, 전단 스테이지와 가까운 왼쪽 위 에는 전단 캐리 신호[Cout(j-1)]가 입력되는 트랜지스터(T4)가 배치되어 있고, 위쪽에 가로 방향으로 뻗은 제1 클록 신호선(SL2)의 연결선을 따라 제1 클록 신호(CKV)를 입력받는 트랜지스터(T1, T15)가 배치되어 있고, 트랜지스터(T15)의 아래쪽에 역시 제1 클록 신호(CKV)를 입력받는 트랜지스터(T7, T10, T12)가 배치되어 있다. 또한, 아래에서 올라오는 제2 클록 신호선(SL3)의 연결선에 연결되어 제2 클록 신호(CKVB)를 입력받는 트랜지스터(T11, T5)가 왼쪽 아래에 배치되어 있으며, 왼쪽에서 들어오는 초기화 신호선(SL4)의 연결선에 연결되어 초기화 신호(INT)를 입력받는 트랜지스터(T6)는 가장 왼쪽에 배치되어 있다. 이와 함께, 아래쪽에 가로 방향으로 뻗은 게이트 오프 전압선(SL1)의 연결선을 따라 게이트 오프 전압(Voff)을 입력받는 트랜지스터(T2, T3, T8, T9, T13)가 배치되어 있다.In the circuit section CS, the arrangement of the transistors T1 to T13 and T15 in each of the stages ST 1 to ST n + 1 , for example, the (j-1) th stage, shows that the front carry is located in the upper left side near the front stage. A transistor T4 to which the signal Cout (j-1) is input is disposed, and a transistor which receives the first clock signal CKV along a connection line of the first clock signal line SL2 extending in the horizontal direction at the top ( T1 and T15 are disposed, and transistors T7, T10, and T12 that receive the first clock signal CKV are also disposed below the transistor T15. In addition, the transistors T11 and T5 connected to the connection line of the second clock signal line SL3 rising from the bottom to receive the second clock signal CKVB are disposed on the lower left side, and the initialization signal line SL4 coming from the left side. The transistor T6 connected to the connection line of the signal receiving the initialization signal INT is disposed on the leftmost side. In addition, the transistors T2, T3, T8, T9, and T13 that receive the gate-off voltage V off are disposed along the connection line of the gate-off voltage line SL1 extending in the horizontal direction.

이와 인접한 j 번째 스테이지(STj)의 경우, 제1 클록 신호선(SL2) 및 제1 클록 신호(CKV)가 제2 클록 신호선(SL3) 및 제2 클록 신호(CKVB)로, 그리고 반대로 제2 클록 신호선(SL3) 및 제2 클록 신호(CKVB)가 제1 클록 신호선(SL2) 및 제1 클록 신호(CKV)로 바뀐다는 점을 제외하면 각 트랜지스터의 배치가 (j-1) 번째 스테이지(STj-1)와 동일하다.In the j-th stage ST j adjacent thereto, the first clock signal line SL2 and the first clock signal CKV are converted into the second clock signal line SL3 and the second clock signal CKVB, and vice versa. Except that the signal line SL3 and the second clock signal CKVB are replaced with the first clock signal line SL2 and the first clock signal CKV, the arrangement of each transistor is the (j-1) th stage (ST j). -1 )

이때, 배선부(SL)는 실라인 영역(SA)에 위치하고 회로부(CS)의 일부도 실라인 영역(SA)에 위치하며 회로부(CS)의 다른 일부는 실라인 영역(SA)의 공정 마진 영역(SA')에 위치한다. 공정 마진 영역(SA')의 폭은 0.3mm 정도인데 이는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 상부 기판(200)을 결합시킬 때 사용되는 실런트를 실라인 영역(SA)에 바를 때 생길 수 있는 최대 오차 범위를 뜻한다.In this case, the wiring part SL is located in the seal line area SA, a part of the circuit part CS is also located in the seal line area SA, and another part of the circuit part CS is a process margin area of the seal line area SA. It is located at (SA '). The width of the process margin area SA ′ is about 0.3 mm, which is the maximum error range that can occur when applying the sealant used to bond the thin film transistor array panel 100 and the upper substrate 200 to the seal line area SA. It means.

이렇게 하면 실런트를 경화시킬 때 박막 트랜지스터 표시판(100)의 후면으로부터 빛을 조사하는 경우, 실라인 영역(SA)과 실라인 공정 마진 영역(SA')에 위치하는 신호선과 트랜지스터들은 빛을 잘 통과시킬 수 있다.In this case, when light is irradiated from the rear surface of the thin film transistor array panel 100 when curing the sealant, signal lines and transistors positioned in the seal line area SA and the seal line process margin area SA ′ may pass the light well. Can be.

도 6을 참고하면, 각 신호선(SL1 ~ SL4)은 사다리 또는 그물 형태로 되어 있는 신호선(122a ~ 122d)을 포함하는데, 각 신호선(122a ~ 122b) 각각은 세로로 길게 뻗은 한 쌍 또는 그 이상의 세로부와 이들을 연결하는 복수의 가로부로 이루어지며 이들로 둘러싸인 개구부를 가진다. 회로적으로 보면 각 신호선(122a ~ 122d)은 병렬로 연결되어 있다. 이렇게 하면 외부로부터 정전기가 유입되어 신호선과 연결선 중 하나가 단락되었을 때 도 7에 도시한 것처럼 용이하게 수리할 수 있는데, 이에 대하여 설명한다. Referring to FIG. 6, each of the signal lines SL1 to SL4 includes signal lines 122a to 122d in the form of a ladder or a net, and each of the signal lines 122a to 122b each has a pair of one or more lengths extending vertically. It consists of a part and a plurality of horizontal parts connecting them and has an opening surrounded by them. In terms of circuits, the signal lines 122a to 122d are connected in parallel. In this case, when static electricity flows from the outside and one of the signal lines and the connection line is shorted, it can be easily repaired as shown in FIG. 7.

도 7을 보면, 예를 들어 제1 클록선(122b)의 세로선 중 하나와 게이트 오프 전압선(122a)의 가로선이 단락된 경우, 삼각형으로 나타낸 단락 지점의 위쪽과 아래쪽의 X 표로 나타낸 지점을 각각 절단한다. 그러면 게이트 오프 전압선(122a)의 가로선은 스테이지(STj)에만 연결되어 게이트 오프 전압(Voff)을 전달할 수 있게 된다. Referring to FIG. 7, for example, when one of the vertical lines of the first clock line 122b and the horizontal line of the gate-off voltage line 122a are short-circuited, the points indicated by the X marks on the top and the bottom of the short-circuit point represented by triangles are cut off, respectively. do. Then, the horizontal line of the gate-off voltage line 122a is connected only to the stage STj to transfer the gate-off voltage V off .

한편, 이러한 구조는 정전기로 인한 단락이 생겼을 때 수리를 용이하게 할 수 있는 구조일 뿐만 아니라, 후면 노광으로 실런트를 경화시키기에도 적합한 구조를 갖는다. On the other hand, such a structure is not only a structure that can facilitate repair when a short circuit due to static electricity, but also has a structure suitable for curing the sealant by the back exposure.                     

도 9를 참고하면, 실라인 영역(SA)과 실라인 공정 마진 영역(SA')에 위치하는 크기가 큰 박막 트랜지스터, 예를 들면, 도 5에서 트랜지스터(T4, T15) 따위는 여러 개의 작은 트랜지스터(T41 ~ T45)로 나뉘어 있고 이들 사이에 충분한 간격이 있어 작은 트랜지스터(T41 ~ T45) 사이로 빛이 통과할 수 있다. 작은 박막 트랜지스터(T41 ~ T45)의 폭과 간격 역시 빛이 회절하여 투과할 수 있는 정도로 정하며 약 100 μm 이하인 것이 바람직하다.Referring to FIG. 9, a large thin film transistor positioned in the seal line area SA and the seal line process margin area SA ′, for example, the transistors T4 and T15 in FIG. It is divided into (T41 ~ T45) and there is a sufficient gap between them to allow light to pass between the small transistors (T41 ~ T45). The width and spacing of the small thin film transistors T41 to T45 are also determined to allow light to diffract and transmit, and are preferably about 100 μm or less.

그러면 이러한 게이트 구동부(400)를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 구조에 대하여 도 8 및 도 10 내지 도 12와 앞서의 도 6 및 도 9를 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, the structure of the thin film transistor array panel including the gate driver 400 will be described in detail with reference to FIGS. 8 and 10 to 12, and FIGS. 6 and 9.

도 8은 도 6에 도시한 배선부를 VIII-VIII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 10은 도 9에 도시한 배선부를 X-X'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 11은 표시 영역(DA)의 화소의 배치도이며, 도 12는 도 11에 도시한 화소를 XII-XII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of the wiring unit illustrated in FIG. 6 taken along the line VIII-VIII ', FIG. 10 is a cross-sectional view of the wiring unit illustrated in FIG. 9 taken along the line X-X ′, and FIG. It is a layout view of the pixel of area | region DA, and FIG. 12 is sectional drawing which cut | disconnected and showed the pixel shown in FIG. 11 along line XII-XII '.

절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121)과 복수의 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of driving signal lines 122, 122a through 122d are formed on the insulating substrate 110.

도 11을 참고하면, 게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하고 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 연장되어 게이트 구동부(400)와 연결된다. 각 게이트선(121)의 일부는 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이루고, 다른 일부는 아래 방향으로 돌출하여 복수의 돌출부(projection)(127)를 이룬다.Referring to FIG. 11, the gate line 121 transmits a gate signal, mainly extends in a horizontal direction, and extends to be connected to the gate driver 400. A portion of each gate line 121 forms a plurality of gate electrodes 124, and the other portion protrudes downward to form a plurality of projections 127.

도 6을 참고하면, 구동 신호선(122a ~ 122d)은 각각 게이트 오프 전압 (Voff), 제1 및 제2 클록 신호(CKV, CKVB) 및 초기화 신호(INT)를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 있다. 구동 신호선(122a ~ 122d)은 사다리 형태를 갖추고 있어 세로로 길게 뻗은 한 쌍 또는 그 이상의 세로부와 이들을 연결하는 복수의 가로부로 이루어지며 이들로 둘러싸인 개구부를 가진다. 세로부의 폭과 간격은 빛이 회절하여 투과할 수 있는 정도로 정하며 약 20 내지 30 μm, 바람직하게는 25 μm 정도인 것이 바람직하다. 각 신호선(122a ~ 122d)의 전체 선폭은 개구부를 구비함으로 인하여 생기는 저항의 증가를 감안하여 적절하게 정한다. 개구부를 형성하지 않을 경우의 선폭이 약 100 μm 이상이어서 빛을 회절시키지 못할 경우에는 이와 같은 구조를 갖추는 것이 바람직하다. 한편, 초기화 신호선(122d)은 각 스테이지를 향하여 가로 방향으로 뻗은 복수의 가지를 가지고 있다.Referring to FIG. 6, the driving signal lines 122a to 122d transmit the gate-off voltage V off , the first and second clock signals CKV and CKVB, and the initialization signal INT, respectively, and mainly extend in the vertical direction. . The driving signal lines 122a to 122d have a ladder shape, and include a pair of one or more vertical portions extending vertically, and a plurality of horizontal portions connecting them, and openings surrounded by them. The width and spacing of the longitudinal sections are determined to the extent that light can be diffracted and transmitted and preferably about 20 to 30 μm, preferably about 25 μm. The total line width of each signal line 122a to 122d is appropriately determined in consideration of the increase in resistance caused by the opening. It is preferable to have such a structure in the case where the light is not diffracted because the line width when no opening is formed is about 100 µm or more. On the other hand, the initialization signal line 122d has a plurality of branches extending in the horizontal direction toward each stage.

도 9를 참고하면, 구동 신호선(122)은 게이트 구동부 내에서 신호를 전달하며, 확장되어 게이트 구동부의 박막 트랜지스터의 제어 전극의 역할을 한다.Referring to FIG. 9, the driving signal line 122 transmits a signal in the gate driver and is expanded to serve as a control electrode of the thin film transistor of the gate driver.

게이트선(121) 및 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 이루어진다. 그러나 게이트선(121)은 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막(도시하지 않음)과 그 위의 상부막(도시하지 않음)을 포함할 수도 있다. 상부막은 게이트선(121)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예 를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열의 금속으로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 크롬, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 탄탈륨(Ta), 또는 티타늄(Ti) 등으로 이루어질 수 있다. 크롬 하부막과 알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금 상부막, 몰리브덴 상부막과 알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금 하부막은 그 좋은 예이다.The gate line 121 and the driving signal lines 122 and 122a to 122d may be formed of aluminum-based metals such as aluminum (Al) or aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) or silver alloys, copper (Cu), copper alloys, and the like. It consists of copper-based metals, molybdenum-based metals such as molybdenum (Mo) and molybdenum alloys, chromium (Cr), tantalum (Ta) and titanium (Ti). However, the gate line 121 may include two layers having different physical properties, that is, a lower layer (not shown) and an upper layer (not shown) thereon. The upper layer may have a low resistivity metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, such as aluminum (Ag) or silver alloy, so as to reduce signal delay or voltage drop of the gate line 121. It may be made of a copper-based metal such as a metal of the series, copper (Cu) or a copper alloy. In contrast, the underlayer is a material having excellent contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as chromium, molybdenum (Mo), molybdenum alloys, tantalum (Ta), or titanium (Ti) Or the like. The chromium lower film, the aluminum-neodymium (Nd) alloy upper film, the molybdenum upper film and the aluminum-neodymium (Nd) alloy lower film are good examples.

게이트선(121) 및 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며, 경사각은 약 30-80°범위이다.Side surfaces of the gate line 121 and the driving signal lines 122, 122a through 122d are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is in the range of about 30 to 80 degrees.

게이트선(121) 및 구동 신호선(122, 122a ~ 122d) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiN x ) is formed on the gate line 121 and the driving signal lines 122 and 122a to 122d.

게이트 절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151) 및 섬형 반도체(152)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 이로부터 복수의 돌출부(extension)(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있으며, 게이트선(121)과 만나는 지점 부근에서 폭이 커져서 게이트선(121)의 넓은 면적을 덮고 있다. 섬형 반도체(152)는 도 9에 도시한 바와 같이 게이트 구동부의 제어 전극 위에 위치하거나 도 6 및 도 9에 도시한 바와 같이 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)의 일부 위에 위치하며, 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)의 바깥으로 돌출된 부분을 가지고 있다.A plurality of linear semiconductors 151 and island semiconductors 152 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) and the like are formed on the gate insulating layer 140. The linear semiconductor 151 extends mainly in the longitudinal direction, from which a plurality of protrusions 154 extend toward the gate electrode 124, and the width of the linear semiconductor 151 is increased near the point where the linear semiconductor 151 meets the gate line 121. The large area of 121 is covered. The island type semiconductor 152 is positioned on the control electrode of the gate driver as shown in FIG. 9, or is positioned on a part of the driving signal lines 122, 122a to 122d as shown in FIGS. 6 and 9, and the driving signal line 122. , 122a through 122d).

반도체(151, 152)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 162, 165)가 형성되어 있다. 선형 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 위치한다. 섬형 저항성 접촉 부재(162)는 섬형 반도체(152) 위에 위치한다.On top of the semiconductors 151, 152 a plurality of linear and island ohmic contacts 161, 162, 165 made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of silicide or n-type impurities. ) Is formed. The linear contact member 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusions 163 and the island contact members 165 are paired and positioned on the protrusions 154 of the semiconductor 151. The island resistive contact member 162 is positioned over the island semiconductor 152.

반도체(151, 152)와 저항성 접촉 부재(161, 162, 165)의 측면 역시 경사져 있으며 경사각은 30-80°이다.Side surfaces of the semiconductors 151 and 152 and the ohmic contacts 161, 162 and 165 are also inclined and have an inclination angle of 30 to 80 degrees.

저항성 접촉 부재(161, 162, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171), 복수의 출력 전극(175), 복수의 유지 축전기용 도전체(storage capacitor conductor)(177) 및 복수의 연결 신호선(172, 172a ~ 172c)이 형성되어 있다. A plurality of data lines 171, a plurality of output electrodes 175, and a plurality of storage capacitor conductors are formed on the ohmic contacts 161, 162, and 165 and the gate insulating layer 140. 177 and a plurality of connection signal lines 172, 172a to 172c.

도 11을 참고하면, 데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 출력 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 입력 전극(173)을 이룬다. 한 쌍의 입력 전극(173)과 출력 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 제어 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다.Referring to FIG. 11, the data line 171 mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121 and transmit a data voltage. A plurality of branches extending from the data line 171 toward the output electrode 175 form the input electrode 173. The pair of input electrode 173 and the output electrode 175 are separated from each other and positioned opposite to the control electrode 124.

유지 축전기용 도전체(177)는 게이트선(121)의 확장부(127)와 중첩되어 있다. The storage capacitor conductor 177 overlaps the extension portion 127 of the gate line 121.                     

도 6을 참고하면, 연결 신호선(172a)은 게이트 오프 전압선(122a)과 제1 클록 신호선(122b)의 사이에 위치하고 주로 세로 방향으로 뻗은 줄기와 줄기로부터 각 스테이지를 향하여 가로 방향으로 뻗은 복수의 가지를 가지고 있다. 연결 신호선(172b, 172c) 각각은 제1 클록 신호선(122b)과 제2 클록 신호선(122c)의 사이에 위치하고 주로 세로 방향으로 뻗은 세로부와 그 끝에 연결되어 있으며 각 스테이지를 향하여 가로 방향으로 뻗은 복수의 가로부를 포함한다.Referring to FIG. 6, the connection signal line 172a is positioned between the gate-off voltage line 122a and the first clock signal line 122b and mainly extends in a horizontal direction toward each stage from a stem and a stem extending in a vertical direction. Have Each of the connection signal lines 172b and 172c is disposed between the first clock signal line 122b and the second clock signal line 122c and is connected to a vertical portion extending mainly in the vertical direction and at its ends and extending in the horizontal direction toward each stage. It includes the horizontal portion of.

도 9를 참고하면, 연결 신호선(172)은 게이트 구동부 내에서 신호를 전달하며 섬형 반도체(152) 및 섬형 저항성 접촉 부재(162) 위에 위치한 부분들은 박막 트랜지스터의 입력 및 출력 전극의 역할을 한다. 박막 트랜지스터 위에 위치한 부분들은 트랜지스터의 구동 전류를 높이기 위하여 깍지 모양을 가진다.Referring to FIG. 9, the connection signal line 172 transmits a signal in the gate driver, and portions disposed on the island semiconductor 152 and the island resistive contact member 162 serve as input and output electrodes of the thin film transistor. Portions on the thin film transistor have a pod shape to increase the driving current of the transistor.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)는 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 따위의 내화성 금속(refractory metal)으로 이루어지는 것이 바람직하며, 저항이 낮은 상부막과 접촉 특성이 좋은 하부막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 각 데이터선(171)의 끝 부분(179)은 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위하여 폭이 확장되어 있다.The data line 171, the drain electrode 175, and the conductor 177 for the storage capacitor are made of a refractory metal such as molybdenum-based metal, chromium, tantalum, or titanium. It may have a multilayer film structure including a lower film having good contact characteristics. The end portion 179 of each data line 171 is extended in width for connection with another layer or an external device.

데이터선(171), 출력 전극(175), 연결 신호선(172, 172a ~ 172c), 그리고 유지 축전기용 도전체(177)의 측면 또한 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며, 그 경사각은 약 30-80° 범위이다.The side of the data line 171, the output electrode 175, the connection signal lines 172, 172a to 172c, and the conductor 177 for the storage capacitor are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle thereof is about 30 degrees. -80 ° range.

저항성 접촉 부재(161, 162, 165)는 그 하부의 반도체(151, 152)와 그 상부의 데이터선(171), 연결 신호선(172) 및 출력 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 선형 반도체(151)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있으며, 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 폭이 데이터선(171)의 폭보다 작지만 앞서 설명했듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 폭이 커져서 데이터선(171)의 단선을 방지한다. 섬형 반도체(152)도 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)과 연결 신호선(172, 172a ~ 172c)과 교차하는 부분에 위치하여 연결 신호선(172, 172a ~ 172c)의 단선을 방지한다.The ohmic contacts 161, 162, and 165 exist only between the semiconductors 151 and 152 below and the data line 171, the connection signal line 172, and the output electrode 175 thereon, and lower the contact resistance. Play a role. The linear semiconductor 151 has an exposed portion between the source electrode 173 and the drain electrode 175 and is not covered by the data line 171 and the drain electrode 175, and in most places, the linear semiconductor 151 is provided. Although the width of is smaller than the width of the data line 171, as described above, the width becomes larger at the portion where the gate line 121 meets, thereby preventing disconnection of the data line 171. The island type semiconductor 152 is also positioned at a portion that intersects the driving signal lines 122, 122a through 122d and the connection signal lines 172, 172a through 172c to prevent disconnection of the connection signal lines 172, 172a through 172c.

데이터선(171)과 출력 전극(175), 연결 신호선(172, 172a ~ 172c), 그리고 유지 축전기용 도전체(177)와 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질, 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등 유전율 4.0 이하의 저유전율 절연 물질, 또는 무기 물질인 질화규소 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 이와는 달리 보호막(180)은 유기물과 질화규소의 이중층으로 이루어질 수 있다.The planarization characteristics are excellent and photosensitivity is formed on the data line 171, the output electrode 175, the connection signal lines 172, 172a to 172c, and the conductive capacitor 177 for the storage capacitor and the exposed semiconductor 151. Organic material having a low dielectric constant insulating material having a dielectric constant of 4.0 or less, such as a-Si: C: O, a-Si: O: F, which is formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or an inorganic material. A passivation layer 180 made of silicon nitride is formed. Alternatively, the passivation layer 180 may be formed of a double layer of organic material and silicon nitride.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 출력 전극(175), 유지 축전기용 도전체(177) 및 연결 신호선(172, 172a ~ 172c)의 끝 부분을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185, 187, 188)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140)과 함께 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(189)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 has a plurality of contacts exposing the end portion 179 of the data line 171, the output electrode 175, the conductor 177 for the storage capacitor, and the end portions of the connection signal lines 172, 172a ˜ 172c, respectively. Contact holes 182, 185, 187, and 188 are formed, and a plurality of contact holes 189 are formed to expose the driving signal lines 122, 122a through 122d together with the gate insulating layer 140.

보호막(180) 위에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190)과 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(82) 및 연결 보조 부재(connection assistant)(88)가 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 190, a plurality of contact assistants 82, and a connection assistant 88 formed of ITO or IZO are formed on the passivation layer 180.

화소 전극(190)은 접촉 구멍(185, 187)을 통하여 출력 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)와 각각 물리적·전기적으로 연결되어 출력 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받고 도전체(177)에 데이터 전압을 전달한다.The pixel electrode 190 is physically and electrically connected to the output electrode 175 and the storage capacitor conductor 177 through the contact holes 185 and 187, respectively, to receive a data voltage from the output electrode 175 and to receive the conductor. Transfer data voltage to 177.

데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(190, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자들을 재배열시킨다.The pixel electrode 190 to which the data voltage is applied generates an electric field together with the common electrode 270 of the other display panel 200 to which the common voltage is applied, thereby creating a liquid crystal layer 3 between the two electrodes 190 and 270. Rearrange the liquid crystal molecules.

또한 앞서 설명한 것처럼, 화소 전극(190)과 공통 전극(270)은 액정축전기를 이루어 박막 트랜지스터가 턴오프된 후에도 인가된 전압을 유지하는데, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기와 병렬로 연결된 다른 축전기를 두며 이를 “유지 축전기(storage electrode)”라 한다. 유지 축전기는 화소 전극(190) 및 이와 이웃하는 게이트선(121)[이를 “전단 게이트선(previous gate line)”이라 함]의 중첩 등으로 만들어지며, 유지 축전기의 정전 용량, 즉 유지 용량을 늘이기 위하여 게이트선(121)을 확장한 확장부(127)를 두어 중첩 면적을 크게 하는 한편, 화소 전극(190)과 연결되고 확장부(127)와 중첩되는 유지 축전기용 도전체(177)를 보호막(180) 아래에 두어 둘 사이의 거리를 가깝게 한다. 이와는 달리 유지 축전기는 별도로 구비된 유지 전극과 화소 전극(190)의 중첩으로 만들어질 수 있다.In addition, as described above, the pixel electrode 190 and the common electrode 270 form a liquid crystal capacitor to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off, and another capacitor connected in parallel with the liquid crystal capacitor to enhance the voltage holding capability. This is called the "storage electrode". The storage capacitor is formed by the superposition of the pixel electrode 190 and the neighboring gate line 121 (which is called a “previous gate line”), and the like. In order to increase the overlapped area by providing an extension part 127 extending the gate line 121, a protective film conductor 177 connected to the pixel electrode 190 and overlapping the extension part 127 is provided as a protective film. 180) Place it underneath to bring the distance between the two closer. Alternatively, the storage capacitor can be made by overlapping the storage electrode and the pixel electrode 190 provided separately.

화소 전극(190)은 또한 이웃하는 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 중첩되어 개구율(aperture ratio)을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다. The pixel electrode 190 also overlaps the neighboring gate line 121 and the data line 171 to increase the aperture ratio, but may not overlap.                     

접촉 보조 부재(82)는 접촉 구멍(182)을 통하여 데이터선의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(82)는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.The contact auxiliary member 82 is connected to the end portion 179 of the data line through the contact hole 182. The contact assisting member 82 is not essential to serve to protect adhesiveness between the end portion 179 of the data line 171 and an external device and to protect them, and application thereof is optional.

연결 보조 부재(88)는 접촉 구멍(188, 189)을 통하여 구동 신호선(122a ~ 122c) 및 연결 신호선(172a ~ 172c)과 연결되어 구동 신호선(122a ~ 122c)으로부터 각종 신호를 인가 받아 연결 신호선(172a ~ 172c)에 전달한다. 연결 보조 부재(88)는 면적이 크고 여러 개의 접촉 구멍을 통하여 하나의 신호선과 연결된다. 연결 보조 부재(88)를 나누지 않고 크게 놔두는 이유는 연결 보조 부재(88)가 투명하여 빛을 통과시키기 때문에 굳이 작게 만들 이유가 없고 크게 만들수록 저항이 작아지기 때문이다. 또한 접촉 구멍을 여러 개 만들어 연결시키면 연결 보조 부재(88)의 단선 가능성이 그만큼 적어지기 때문이다.The connection auxiliary member 88 is connected to the driving signal lines 122a to 122c and the connection signal lines 172a to 172c through the contact holes 188 and 189 to receive various signals from the driving signal lines 122a to 122c to receive the connection signal lines ( 172a through 172c). The connection auxiliary member 88 has a large area and is connected to one signal line through several contact holes. The reason why the connecting auxiliary member 88 is left large without dividing is because the connecting auxiliary member 88 is transparent and allows light to pass. This is because, if a plurality of contact holes are made and connected, the possibility of disconnection of the connection auxiliary member 88 is reduced by that much.

본 발명의 다른 실시예에 따르면 화소 전극(190)의 재료로 투명한 도전성 폴리머(polymer) 등을 사용하며, 반사형(reflective) 액정 표시 장치의 경우 불투명한 반사성 금속을 사용하여도 무방하다. 이때, 접촉 보조 부재(82)는 화소 전극(190)과 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO로 만들어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a transparent conductive polymer may be used as the material of the pixel electrode 190, and in the case of a reflective liquid crystal display, an opaque reflective metal may be used. In this case, the contact assistant 82 may be made of a material different from the pixel electrode 190, in particular, ITO or IZO.

앞서 설명한 예에서와는 달리 구동 신호선(122, 122a ~ 122d)을 데이터선(171)과 동일한 층으로, 연결 신호선(172, 172a ~172c)을 게이트선(121)과 동일한 층으로 만들 수도 있으며, 이외에도 여러 가지 방법으로 이들을 만들 수 있다.Unlike the above-described example, the driving signal lines 122 and 122a to 122d may be the same layer as the data line 171, and the connection signal lines 172 and 172a to 172c may be the same layer as the gate line 121. You can make them in several ways.

또한, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서는 구동 신호선(SL1 ~ SL4) 을 복수 개로 형성하고 스테이지에 연결되는 연결선을 한 개로 형성하였지만, 이와는 달리, 구동 신호선(SL1 ~ SL4)을 한 개 형성하고 연결선을 복수 개로 할 수 있다. 나아가, 구동 신호선(SL1 ~ SL4)을 이루는 각 신호선의 서로 다르게 하여 단락시 레이저 조사 작업을 용이하게 할 수 있다.

In addition, in the display device according to the exemplary embodiment, a plurality of driving signal lines SL1 to SL4 are formed and one connecting line connected to the stage is formed. However, one driving signal line SL1 to SL4 is formed. It is possible to have a plurality of connecting lines. Furthermore, the laser irradiation operation at the time of short circuiting may be facilitated by making the signal lines constituting the driving signal lines SL1 to SL4 different from each other.

한편, 각 구동 신호선(SL1 ~ SL4)에 개구부가 구비되어 있어서, 박막 트랜지스터 표시판(100)의 후면에서 제공된 빛이 개구부를 투과하여 광경화성 실런트에 용이하게 다달음으로써 실런트가 안정적으로 경화될 수 있게 한다. On the other hand, an opening is provided in each of the driving signal lines SL1 to SL4 so that the light provided from the rear surface of the thin film transistor array panel 100 penetrates the opening to easily reach the photocurable sealant so that the sealant can be stably cured. do.

이와 같은 표시장치에 따르면, 각 구동 신호선 또는 연결선을 복수 개로 형성함으로써, 정전기의 유입으로 인해 단락되었을 때, 용이하게 수리할 수 있다. 따라서, 수율을 향상시킬 수 있다.According to such a display device, by forming a plurality of driving signal lines or connecting lines, it can be easily repaired when shorted due to the inflow of static electricity. Therefore, the yield can be improved.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

Claims (26)

게이트선, 데이터선, 화소 전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판, A substrate on which a gate line, a data line, a pixel electrode and a thin film transistor are formed, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 외부로부터 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선,First to third signal lines formed on the substrate and receiving signals from the outside; 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호에 응답하여 게이트 신호를 상기 게이트선으로 출력하는 회로부를 구비한 게이트 구동부, 그리고A gate driver including a circuit unit configured to output a gate signal to the gate line in response to a signal from the first to third signal lines; 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선First to third connection lines that cross at least one of the first to third signal lines, and transfer signals from the first to third signal lines to the gate driver; 을 포함하고,Including, 상기 제1 내지 제3 신호선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 신호선을 각각 포함하며, The first to third signal lines each include a plurality of sub signal lines connected to each other. 상기 부 신호선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 연결선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 신호선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있는At least one of the sub-signal lines is short-circuited with one of the first to third connecting lines, and the at least one sub-signal line is disconnected at both sides of the short-circuit point. 박막 트랜지스터 표시판.Thin film transistor display panel. 제1항에서, In claim 1, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 게이트선과 동일한 층으로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.The first to third signal lines may be formed on the same layer as the gate line. 제2항에서, 3. The method of claim 2, 상기 제1 내지 제3 연결선은 상기 데이터선과 동일한 층으로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.The thin film transistor array panel of which the first to third connection lines are formed of the same layer as the data line. 제1항에서,In claim 1, 상기 회로부는 종속 연결되며 차례로 출력 신호를 생성하는 복수의 스테이지로 이루어진 시프트 레지스터를 포함하고, The circuit portion includes a shift register consisting of a plurality of stages cascaded and in turn generating an output signal, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 시프트 레지스터에 전원 전압과 서로 다른 위상의 제1 및 제2 클록 신호를 전달하는 The first to third signal lines transmit first and second clock signals having a phase different from a power supply voltage to the shift register. 박막 트랜지스터 표시판.Thin film transistor display panel. 제4항에서,In claim 4, 상기 제1 내지 제3 신호선은 모두 개구부를 가지는 박막 트랜지스터 표시판.The first to third signal lines all have openings. 제5항에서,The method of claim 5, 상기 시프트 레지스터에 초기화 신호를 전달하는 제4 신호선을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.And a fourth signal line configured to transfer an initialization signal to the shift register. 제6항에서,In claim 6, 상기 제1 내지 제4 신호선은 상기 시프트 레지스터에서 먼 곳에서 가까운 곳으로 차례로 배치되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.And the first to fourth signal lines are arranged in sequence from a position far to a position close to the shift register. 제7항에서,8. The method of claim 7, 상기 제1 내지 제3 연결선과 상기 제1 내지 제3 신호선은 연결 보조 부재를 통하여 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The first to third connection lines and the first to third signal lines are connected through a connection auxiliary member. 제8항에서,In claim 8, 상기 연결 보조 부재는 투명하며 상기 제1 내지 제3 연결선 및 상기 제1 내지 제3 신호선과 복수의 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The connection auxiliary member is transparent and is connected to the first to third connection lines and the first to third signal lines through a plurality of contact holes. 제1항에서,In claim 1, 상기 회로부는 복수의 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터 중 적어도 하나는 서로 간격을 두고 있는 복수의 부 트랜지스터로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.The circuit portion includes a plurality of transistors, wherein at least one of the transistors comprises a plurality of sub-transistors spaced apart from each other. 제1항에서,In claim 1, 상기 부 신호선의 선폭이 서로 다른 박막 트랜지스터 표시판.The thin film transistor array panel of which the line widths of the sub signal lines are different from each other. 게이트선, 데이터선, 화소 전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판, A substrate on which a gate line, a data line, a pixel electrode and a thin film transistor are formed, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 외부로부터 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선,First to third signal lines formed on the substrate and receiving signals from the outside; 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호에 응답하여 게이트 신호를 상기 게이트선으로 출력하는 회로부를 구비한 게이트 구동부, 그리고A gate driver including a circuit unit configured to output a gate signal to the gate line in response to a signal from the first to third signal lines; 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선First to third connection lines that cross at least one of the first to third signal lines, and transfer signals from the first to third signal lines to the gate driver; 을 포함하고,Including, 상기 제1 내지 제3 연결선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 연결선을 각각 포함하며, The first to third connection lines each include a plurality of secondary connection lines connected to each other, 상기 부 연결선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 신호선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 연결선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있는At least one of the secondary connection lines is shorted to one of the first to third signal lines, and the at least one secondary connection line is disconnected at both sides of the shorting point. 박막 트랜지스터 표시판.Thin film transistor display panel. 제12항에서, The method of claim 12, 상기 제1 내지 제3 연결선은 상기 데이터선과 동일한 층으로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.The thin film transistor array panel of which the first to third connection lines are formed of the same layer as the data line. 제13항에서, The method of claim 13, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 게이트선과 동일한 층으로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.The first to third signal lines may be formed on the same layer as the gate line. 제12항에서,The method of claim 12, 상기 회로부는 종속 연결되며 차례로 출력 신호를 생성하는 복수의 스테이지로 이루어진 시프트 레지스터를 포함하고, The circuit portion includes a shift register consisting of a plurality of stages cascaded and in turn generating an output signal, 상기 제1 내지 제3 신호선은 상기 시프트 레지스터에 전원 전압과 서로 다른 위상의 제1 및 제2 클록 신호를 전달하는 The first to third signal lines transmit first and second clock signals having a phase different from a power supply voltage to the shift register. 박막 트랜지스터 표시판.Thin film transistor display panel. 제12항에서,The method of claim 12, 상기 제1 내지 제3 연결선은 모두 개구부를 가지는 박막 트랜지스터 표시판.The first to third connection lines all have openings. 제16항에서,The method of claim 16, 상기 회로부는 종속 연결되며 차례로 출력 신호를 생성하는 복수의 스테이지로 이루어진 시프트 레지스터를 포함하고,The circuit portion includes a shift register consisting of a plurality of stages cascaded and in turn generating an output signal, 상기 시프트 레지스터에 초기화 신호를 전달하는 제4 신호선을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.And a fourth signal line configured to transfer an initialization signal to the shift register. 제17항에서,The method of claim 17, 상기 제1 내지 제4 신호선은 상기 시프트 레지스터에서 먼 곳에서 가까운 곳으로 차례로 배치되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.And the first to fourth signal lines are arranged in sequence from a position far to a position close to the shift register. 제18항에서,The method of claim 18, 상기 제1 내지 제3 연결선과 상기 제1 내지 제3 신호선은 연결 보조 부재를 통하여 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The first to third connection lines and the first to third signal lines are connected through a connection auxiliary member. 제19항에서,The method of claim 19, 상기 연결 보조 부재는 투명하며 상기 제1 내지 제3 연결선 및 상기 제1 내지 제3 신호선과 복수의 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The connection auxiliary member is transparent and is connected to the first to third connection lines and the first to third signal lines through a plurality of contact holes. 제12항에서,The method of claim 12, 상기 회로부는 복수의 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터 중 적어도 하나는 서로 간격을 두고 있는 복수의 부 트랜지스터로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.The circuit portion includes a plurality of transistors, wherein at least one of the transistors comprises a plurality of sub-transistors spaced apart from each other. 제12항에서,The method of claim 12, 상기 복수의 부 연결선의 선폭이 서로 다른 박막 트랜지스터 표시판.The thin film transistor array panel of which the line widths of the plurality of sub connection lines are different from each other. 복수의 게이트선과 복수의 데이터선이 형성된 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판으로 이루어지고, 데이터 신호 및 게이트 신호에 응답하여 영상을 표시하는 표시판부,A display panel unit including a first substrate having a plurality of gate lines and a plurality of data lines, a second substrate facing the first substrate, and displaying an image in response to a data signal and a gate signal; 상기 복수의 데이터선에 상기 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동부, A data driver which outputs the data signal to the plurality of data lines; 상기 제1 기판 상에 구비되고, 외부로부터 복수의 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선 및 상기 외부 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 상기 복수의 게이트선으로 출력하는 회로부로 이루어진 게이트 구동부, 그리고A gate driver provided on the first substrate, the gate driver including first to third signal lines receiving a plurality of signals from outside and a circuit unit configured to output the gate signals to the plurality of gate lines in response to the external signals; 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선First to third connection lines that cross at least one of the first to third signal lines, and transfer signals from the first to third signal lines to the gate driver; 을 포함하고,Including, 상기 제1 내지 제3 연결선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 연결선을 각각 포함하며, The first to third connection lines each include a plurality of secondary connection lines connected to each other, 상기 부 연결선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 신호선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 연결선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있는At least one of the secondary connection lines is shorted to one of the first to third signal lines, and the at least one secondary connection line is disconnected at both sides of the shorting point. 표시 장치.Display device. 복수의 게이트선과 복수의 데이터선이 형성된 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판으로 이루어지고, 데이터 신호 및 게이트 신호에 응답하여 영상을 표시하는 표시판부,A display panel unit including a first substrate having a plurality of gate lines and a plurality of data lines, a second substrate facing the first substrate, and configured to display an image in response to a data signal and a gate signal; 상기 복수의 데이터선에 상기 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동부, A data driver which outputs the data signal to the plurality of data lines; 상기 제1 기판 상에 구비되고, 외부로부터 복수의 신호를 입력받는 제1 내지 제3 신호선 및 상기 외부 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 상기 복수의 게이트선으로 출력하는 회로부로 이루어진 게이트 구동부, 그리고A gate driver provided on the first substrate, the gate driver including first to third signal lines receiving a plurality of signals from outside and a circuit unit configured to output the gate signals to the plurality of gate lines in response to the external signals; 상기 제1 내지 제3 신호선 중 적어도 하나와 교차하며, 상기 제1 내지 제3 신호선으로부터의 신호를 상기 게이트 구동부에 전달하는 제1 내지 제3 연결선First to third connection lines that cross at least one of the first to third signal lines, and transfer signals from the first to third signal lines to the gate driver; 을 포함하고,Including, 상기 제1 내지 제3 신호선은 서로 연결되어 있는 복수의 부 신호선을 각각 포함하며, The first to third signal lines each include a plurality of sub signal lines connected to each other. 상기 부 신호선 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 연결선 중 하나와 단락되어 있고, 상기 적어도 하나의 부 신호선은 상기 단락점의 양쪽에서 단선되어 있는At least one of the sub-signal lines is short-circuited with one of the first to third connecting lines, and the at least one sub-signal line is disconnected at both sides of the short-circuit point. 표시 장치.Display device. 제1 기판 위에 복수의 신호선을 포함하는 배선부와 상기 배선부로부터의 신호를 전달하는 복수의 연결부와 상기 연결부로부터 전달된 신호에 따라 게이트 신호를 생성하는 회로부를 포함하는 게이트 구동 회로를 형성하는 단계, 그리고Forming a gate driving circuit including a wiring part including a plurality of signal lines on the first substrate, a plurality of connection parts for transmitting a signal from the wiring part, and a circuit part for generating a gate signal according to a signal transmitted from the connection part; , And 상기 배선부 중 어느 하나와 상기 연결부 중 어느 하나의 배선이 단락된 경우에 상기 단락점을 중심으로 상기 배선부의 양쪽을 단선시키는 단계Disconnecting both of the wiring units with respect to the shorting point when one of the wiring units and one of the connection units are short-circuited; 를 포함하는 표시 장치의 수리 방법.Repair method of the display device comprising a. 제1 기판 위에 복수의 신호선을 포함하는 배선부와 상기 배선부로부터의 신호를 전달하는 복수의 연결부와 상기 연결부로부터 전달된 신호에 따라 게이트 신호를 생성하는 회로부를 포함하는 게이트 구동 회로를 형성하는 단계, 그리고Forming a gate driving circuit including a wiring part including a plurality of signal lines on the first substrate, a plurality of connection parts for transmitting a signal from the wiring part, and a circuit part for generating a gate signal according to a signal transmitted from the connection part; , And 상기 배선부 중 어느 하나와 상기 연결부 중 어느 하나의 배선이 단락된 경우에 상기 단락점을 중심으로 상기 연결부의 양쪽을 단선시키는 단계Disconnecting both ends of the connection part with respect to the short-circuit point when one of the wiring parts and one of the connection parts are short-circuited; 를 포함하는 표시 장치의 수리 방법.Repair method of the display device comprising a.
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