KR101088389B1 - 히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서 - Google Patents

히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서 Download PDF

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Abstract

본 발명은 히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서에 관한 것으로서, LC 공진회로, LC 공진회로에서 출력되는 신호를 레벨 시프트하는 레벨 시프터 및 LC 공진회로에 발진을 위한 전류를 공급하는 OSC 드라이버를 구비하는 LC 발진부와; 제 1기준전압 발생기, LC 발진부의 레벨 시프터에서 레벨 시프트되어 입력되는 신호와 제 1기준전압 발생기에서 입력되는 기준전압을 비교하여 구형파 또는 로우 신호를 출력하는 제 1비교기, 제 1비교기에서 출력되는 신호에 따라 턴 온/오프되는 트랜지스터(MN1) 및 트랜지스터(MN1)의 턴 오프시 전류원의 전류가 흘러 전하를 충전할 수 있도록 연결되는 커패시터를 구비하는 복조부와; 제 2기준전압 발생기 및 복조부에 위치하는 노드에서 출력되는 신호와 제 2기준전압 발생기에서 입력되는 기준전압을 비교하여 센서 신호를 출력하는 제 2비교기를 구비하는 히스테리시스 비교부를 포함하되, LC 발진부의 OSC 드라이버에는 전류 설정을 위한 저항(Rd) 및 저항(Rh)이 직렬 접속되고, 저항(Rd)과 저항(Rh) 사이에 위치하는 노드에는 히스테리시스 비교부의 제 2비교기에서 출력되는 센서 신호에 따라 턴 온/오프되는 트랜지스터(MN2)의 드레인 단자가 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
Figure R1020090096834
히스테리시스, 고주파, 발진, 근접센서

Description

히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서{PROXIMITY SENSOR USING RADIO FREQUENCY OSCILLATOR WITH HYSTERESIS COMPENSATION FUNCTION}
본 발명은 고주파 발진형 근접센서에 관한 것으로서, 특히 근접센서의 반차폐형 원통형 코일이 갖고 있는 디폴트 검출거리 히스테리시스를 조정할 수 있도록 된 히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서에 관한 것이다.
근접센서는 물체가 접근할 때 비접촉 방식으로 물체를 검출하는 센서로서, 크게 전자유도를 이용하는 고주파 발진형, 자석을 이용하는 자기형 및 물체와 근접센서 간의 정전용량 변화를 이용하는 정전용량형 등의 3종류로 구분된다. 이 중에서 고주파 발진형 근접센서는 LC 발진회로를 구비하여 금속체(도전체)나 자성체 등의 물체가 접근하게 되면 LC 발진회로를 구성하는 검출코일에 전자유도 작용에 의해 와전류손이 발생되고 검출코일의 실효 저항치(임피던스)가 변화되어 이 변화를 검출 신호로서 출력함으로써 물체를 검출하는 것이다.
도 1은 고주파 발진형 근접센서의 블록도이다. 이러한 고주파 발진형 근접센서의 동작을 살펴보면, LC Oscillator는 반차폐형 코일과 커패시터에 의해 생기는 공진을 드라이빙 해주는 블록으로서 RD 단자에 연결되는 저항값에 따라 공진 파형 의 진폭 및 “L”에 유기되는 자기장의 세기가 달라진다. 센서 역할을 하는 반차폐형 코일에 금속체 등의 물체가 접근하게 되면 코일에 생기는 Flux에 영향을 주게 됨으로써, 발진이 멈추게 된다. 이렇게 되면, Demodulator에서 외부의 커패시터(CI)에 일정한 전류를 흘려서 커패시터(CI)의 단자가 GND(0V) 에서 VREG 전압 쪽으로 상승하게 된다. 이때, 커패시터(CI)의 전압이 Hysteresis Comparator의 Threshold 전압을 넘어서게 되면, Hysteresis Comparator의 출력이 로우 레벨(LOW LEVEL)에서 하이 레벨(HIGH LEVEL)로 바뀌면서 물체가 접근되었음을 알리는 신호를 발생한다. 이 신호는 Q1이라는 신호를 발생함으로써 Output Transitor1에 의해서 외부에서 큰 전류를 드라이빙하는 BJT와 LED를 구동하게 된다.
도 2는 종래의 고주파 발진형 근접센서의 주요 부분 회로도, 도 3은 도 2의 회로도에 따른 타이밍도, 도 4는 도 2의 회로도에 따라 검출체 이동방향에 따른 히스테리시스를 보여주는 타이밍도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 고주파 발진형 근접센서는 LC 발진부(10), 복조부(20) 및 히스테리시스 비교부(30)를 구비한다.
LC 발진부(10)는 발진단으로서 반차폐형 원통형 코일(L1)과 커패시터(C1)로 이루어진 LC 공진회로(11), LC 공진회로(11)에서 출력되는 신호를 DC 레벨 시프트하는 레벨 시프터(12) 및 LC 공진회로(11)의 세기(검출 감도)를 조절하기 위한 저항(Rd)이 연결되며 LC 공진회로(11)에 전류를 공급하는 OSC 드라이버(13)를 구비한다.
그리고, 복조부(20)는 설정된 기준전압을 발생하는 제 1기준전압 발생기(21), 상기 LC 발진부(10)의 레벨 시프터(12)에서 레벨 시프트되어 입력되는 신호(Vosc)와 제 1기준전압 발생기(21)에서 입력되는 기준전압(Vth_osc)을 비교하여 구형파 또는 로우(LOW) 신호를 출력하는 제 1비교기(Com1), 제 1비교기(Com1)에서 출력되는 신호(Vck)에 따라 턴 온/오프(ON/OFF)되는 트랜지스터(MN1) 및 트랜지스터(MN1)의 턴 오프시 전류원(I3)의 전류가 흘러 전하를 충전할 수 있도록 연결되는 커패시터(Ci)를 구비한다.
그리고, 히스테리시스 비교부(30)는 설정된 기준전압을 발생하는 제 2기준전압 발생기(31), 상기 복조부(20)의 노드(N1)에서 출력되는 신호와 제 2기준전압 발생기(31)에서 입력되는 기준전압(Vth_hys)을 비교하여 하이/로우(HIGH/LOW) 신호를 출력하는 제 2비교기(Com2), 제 2기준전압 발생기(31)에서 제 2비교기(Com2)로 Vth3 또는 Vth4 즉, 상이한 기준전압이 선택적으로 입력될 수 있도록 제 2기준전압 발생기(31)와 제 2비교기(Com2)의 사이에 설치되는 스위치(SW1, SW2) 및 제 2비교기(Com2)의 출력단에 연결되는 NOT 게이트(NOT)를 구비한다. 제 2기준전압 발생기(31)로 상이한 기준전압(Vth3, Vth4)이 입력되도록 하는 것은 히스테리시스를 조절하기 위함이다.
작용을 살펴보면, 복조부(20)의 제 1비교기(Comp1)는 정현파를 구형파로 바꾸어 주는 역할을 한다. 즉, 접근 물체가 없는 경우에 LC 발진부(10)의 레벨 시프터(12)에서 입력되는 정현파의 신호(Vosc)와 제 1기준전압 발생기(21)에서 입력되는 기준전압(Vth_osc)을 비교하여 Vck라는 구형파를 발생시키며, 이 구형파가 트랜 지스터(MN1)를 턴 온/오프(TURN ON/OFF)시켜서, I3의 전류를 바이패스시킴에 따라 커패시터(Ci)에 충전되는 전하가 방전되어 노드(N1)가 거의 그라운드 레벨에 머물게 된다. 한편, 접근 물체가 있는 경우에는, LC 발진부(10)는 발진 회로인 LC 공진회로(11)의 Flux에 영향을 주게 되어서 발진을 정지한다. 그렇게 되면, 제 1비교기(Comp1)가 로우 신호를 출력하여 트랜지스터(MN1)가 턴 오프 상태가 된다. 그러면 전류원(I3)의 전류가 커패시터(Ci)로 흘러 전하를 충전함으로써 노드(N1) 전압이 상승하여, 기준전압(Vth_osc)을 넘어서게 되면, 제 2비교부(Comp2)에서는 하이 레벨을 출력하게 된다. 즉, 물체가 접근되었음을 알리게 되는 것이다.
한편, 도 4를 참조하여 반차폐형 원통형 코일(L1)과 검출체의 거리에 따라 LC 공진회로(11)에서 발생되는 정현파를 자세히 살펴보면, 검출체가 코일(L1)로부터 점점 멀어지게 되면 정현파가 발생되면서 거리가 멀어질수록 최대 진폭까지 진폭이 점점 커진다. 이와는 반대로 검출체가 코일(L1)에 점점 가까워지게 되면 정현파의 진폭이 점점 작아지게 되고 궁극적으로는 발진이 정지하게 된다.
그런데, 반차폐형 원통형 코일(L1)의 경우는 기본적으로 히스테리시스를 가지고 있다. 이에 따라, LC 공진회로(11)의 검출 감도를 조절하는 저항(Rd) 하나만을 사용하여 OSC 드라이버(13)에서 LC 공진회로(11)로 항상 동일한 전류를 공급하게 되면, 검출체가 근접센서에 점점 가까워지는 경우 검출체가 근접센서로부터 점점 멀어질 때의 센싱 Off(Sy=low)된 거리를 기준으로, 디폴트 검출거리 히스테리시스만큼 더 가까워져야 발진이 정지하여 센싱 On (Sy=high) 상태가 된다.
즉, 센싱 On 혹은 Off 시의 LC 공진회로(11)의 검출 감도를 조절하는 저 항(Rd)이 고정되어 있기 때문에 LC 공진회로(11)가 항상 동일한 세기로 구동되어 코일(L1)의 히스테리시스가 그대로 나타나게 되는 것이다. 이와 같이, 종래의 근접센서의 경우 디폴트 검출거리 히스테리시스를 조정할 수 없는 문제점이 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, LC 발진회로의 코일이 갖는 디폴트 검출거리 히스테리시스를 조정할 수 있도록 된 히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서는, LC 공진회로, LC 공진회로에서 출력되는 신호를 레벨 시프트하는 레벨 시프터 및 LC 공진회로에 발진을 위한 전류를 공급하는 OSC 드라이버를 구비하는 LC 발진부와; 제 1기준전압 발생기, 상기 LC 발진부의 레벨 시프터에서 레벨 시프트되어 입력되는 신호(Vosc)와 제 1기준전압 발생기에서 입력되는 기준전압(Vth_osc)을 비교하여 구형파 또는 로우(LOW) 신호를 출력하는 제 1비교기(Com1), 제 1비교기(Com1)에서 출력되는 신호(Vck)에 따라 턴 온/오프(ON/OFF)되는 트랜지스터(MN1) 및 트랜지스터(MN1)의 턴 오프시 전류원(I3)의 전류가 흘러 전하를 충전할 수 있도록 연결되는 커패시터(Ci)를 구비하는 복조부와; 제 2기준전압 발생기 및 상기 복조부에 위치하는 노드(N1)에서 출력되는 신호와 제 2기준전압 발생기에서 입력되는 기준전압(Vth_hys)을 비교하여 하이/로우(HIGH/LOW)의 센서 신호(Sy)를 출력하는 제 2비교기(Com2)를 구비하는 히스테리시스 비교부를 포함하되, 상기 LC 발진부의 OSC 드라이버에는 전류 설정을 위한 저항(Rd) 및 저항(Rh)이 직렬 접속되고, 저항(Rd)과 저항(Rh) 사이에 위치하는 노드(N2)에는 상기 히스테리시스 비교부의 제 2비교기(Com2)에서 출력되는 센서 신호(Sy)에 따라 턴 온/오프(ON/OFF)되는 트랜지스터(MN2)의 드레인 단자가 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 근접센서의 LC 발진회로의 코일이 갖는 디폴트 검출거리 히스테리시스를 적절히 조정할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명에 따른 고주파 발진형 근접센서의 주요 부분 회로도, 도 6은 도 5의 회로도에 따라 검출체 이동방향에 따른 히스테리시스 보상을 보여주는 타이밍도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 발진형 근접센서는 LC 발진부(110), 복조부(120) 및 히스테리시스 비교부(130)를 구비한다.
LC 발진부(110)는 발진단으로서 반차폐형 원통형 코일(L1)과 콘덴서(C1)로 이루어진 LC 공진회로(111), LC 공진회로(111)에서 출력되는 신호를 DC 레벨 시프트하는 레벨 시프터(112) 및 LC 공진회로(111)에 발진을 위한 전류를 공급하는 OSC 드라이버(113)를 구비한다.
그리고, 복조부(120)는 설정된 기준전압을 발생하는 제 1기준전압 발생기(121), 상기 LC 발진부(110)의 레벨 시프터(112)에서 레벨 시프트되어 입력되는 정현파 신호(Vosc)와 제 1기준전압 발생기(121)에서 입력되는 기준전압(Vth_osc)을 비교하여 구형파 또는 로우(LOW) 신호를 출력하는 제 1비교기(Com1), 제 1비교기(Com1)에서 출력되는 신호(Vck)에 따라 턴 온/오프(ON/OFF)되는 트랜지스터(MN1) 및 트랜지스터(MN1)의 턴 오프시 전류원(I3)의 전류가 흘러 전하를 충전할 수 있도록 연결되는 커패시터(Ci)를 구비한다.
그리고, 히스테리시스 비교부(130)는 설정된 기준전압을 발생하는 제 2기준전압 발생기(131), 상기 복조부(120)의 노드(N1)에서 출력되는 신호와 제 2기준전압 발생기(131)에서 입력되는 기준전압(Vth_hys)을 비교하여 하이/로우(HIGH/LOW) 신호를 출력하는 제 2비교기(Com2), 제 2기준전압 발생기(131)에서 제 2비교기(Com2)로 Vth3 또는 Vth4 즉, 상이한 기준전압을 선택적으로 입력할 수 있도록 제 2기준전압 발생기(131)와 제 2비교기(Com2)의 사이에 설치되는 스위치(SW1, SW2) 및 제 2비교기(Com2)의 출력단에 연결되는 NOT 게이트(NOT)를 구비한다.
이때, 본 발명에 따른 고주파 발진형 근접센서는 LC 발진부(110)의 코일(L1)이 갖고 있는 히스테리시스를 보상하기 위하여, 상기 LC 발진부(110)의 OSC 드라이버(113)에는 전류 설정, 즉 LC 공진회로(111)의 세기(검출 감도)를 조절하기 위한 저항(Rd) 및 저항(Rh)이 직렬로 접속되고, 또한 저항(Rd)과 저항(Rh) 사이에 위치하는 노드(N2)에는 상기 히스테리시스 비교부(130)의 제 2비교기(Com2)에서 출력되는 센서 신호(Sy)에 따라 턴 온/오프(ON/OFF)되는 트랜지스터(MN2)의 드레인 단자가 접속되어 있다.
이하, 본 발명의 작용에 대하여 설명하기로 한다.
물체가 코일(L1)에 가까이 있을 경우, 센싱 On 상태로서 Sy=High 이므로 트랜지스터(MN2)가 턴 온 상태가 되어 저항(Rd)의 저항값만이 LC 공진회로(111)의 세기를 결정하게 된다. 이때 검출체가 코일(L1)로부터 멀어지게 되면 센싱 Off 상태가 되고, 이때가 저항(Rd)에 의한 검출거리가 된다. 그리고, 다시 검출체가 코일(L1)쪽으로 가까워 질 경우, 센싱 Off 상태가 되고 이때는 Sy=Low 이므로 트랜지스터(MN2)가 턴 오프 상태가 된다.
이 경우, 저항(Rd)과 저항(Rh)의 값을 더한 저항값이 LC 공진회로(111)의 세기를 결정, 즉 저항(Rh)의 저항값만큼 LC 공진회로(111)의 세기가 감소하게 된다. 그러므로 검출체가 저항(Rh)의 저항값만큼 적어진 LC 공진회로(111)의 세기에 해당하는 검출거리(저항(Rh)에 의한 보상거리)만큼 덜 접근하더라도 LC 공진회로(111)에서 발생하는 정현파를 정지시킬 수가 있다. 결국, 저항(Rh)의 저항값에 따라 코일(L1)이 기본적으로 갖고 있는 디폴트 히스테리시스를 줄여 나갈 수 있게 되고 뿐만 아니라 저항(Rh)을 이용하여 검출거리 히스테리시스를 적절히 조정할 수가 있게 되는 것이다.
한편, 본 발명에 따른 히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서를 한정된 실시예에 따라 설명하였지만, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명과 관련하여 통상의 지식을 가진자에게 자명한 범위내에서 여러 가지의 대안, 수정 및 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 고주파 발진형 근접센서의 블록도.
도 2는 종래의 고주파 발진형 근접센서의 주요 부분 회로도.
도 3은 도 2의 회로도에 따른 타이밍도.
도 4는 도 2의 회로도에 따라 검출체 이동방향에 따른 히스테리시스를 보여주는 타이밍도.
도 5는 본 발명에 따른 고주파 발진형 근접센서의 주요 부분 회로도.
도 6은 도 5의 회로도에 따라 검출체 이동방향에 따른 히스테리시스 보상을보여주는 타이밍도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
110 : LC 발진부 111 : LC 공진회로
112 : 레벨 시프터 113 : OSC 드라이버
120 : 복조부 121,131 : 기준전압 발생기
130 : 히스테리시스 비교부
C1,Ci : 콘덴서 Comp1,Comp2 : 비교기
I3 : 전류 L1 : 코일
MN1,MN2 : 트랜지스터 N1,N2 : 노드
NOT : NOT 게이트 Rd,Rh : 저항
SW1,SW2 : 스위치

Claims (1)

  1. 전자유도를 이용하여 물체의 접근을 검출하는 고주파 발진형 근접센서에 있어서,
    LC 공진회로(111), LC 공진회로(111)에서 출력되는 신호를 레벨 시프트하는 레벨 시프터(112) 및 LC 공진회로(111)에 발진을 위한 전류를 공급하는 OSC 드라이버(113)를 구비하는 LC 발진부(110)와;
    제 1기준전압 발생기(121), 상기 LC 발진부(110)의 레벨 시프터(112)에서 레벨 시프트되어 입력되는 신호(Vosc)와 제 1기준전압 발생기(121)에서 입력되는 기준전압(Vth_osc)을 비교하여 구형파 또는 로우(LOW) 신호를 출력하는 제 1비교기(Com1), 제 1비교기(Com1)에서 출력되는 신호(Vck)에 따라 턴 온/오프(ON/OFF)되는 트랜지스터(MN1) 및 트랜지스터(MN1)의 턴 오프시 전류원(I3)의 전류가 흘러 전하를 충전할 수 있도록 연결되는 커패시터(Ci)를 구비하는 복조부(120)와;
    제 2기준전압 발생기(131) 및 상기 복조부(120)에 위치하는 노드(N1)에서 출력되는 신호와 제 2기준전압 발생기(131)에서 입력되는 기준전압(Vth_hys)을 비교하여 하이/로우(HIGH/LOW)의 센서 신호(Sy)를 출력하는 제 2비교기(Com2)를 구비하는 히스테리시스 비교부(130)를 포함하되,
    상기 LC 발진부(110)의 OSC 드라이버(113)에는 전류 설정을 위한 저항(Rd) 및 저항(Rh)이 직렬 접속되고, 저항(Rd)과 저항(Rh) 사이에 위치하는 노드(N2)에는 상기 히스테리시스 비교부(130)의 제 2비교기(Com2)에서 출력되는 센서 신호(Sy)에 따라 턴 온/오프(ON/OFF)되는 트랜지스터(MN2)의 드레인 단자가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 히스테리시스 보상 기능을 갖는 고주파 발진형 근접센서.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102247883B1 (ko) * 2020-02-03 2021-05-06 주식회사 한영넉스 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002519903A (ja) 1997-08-22 2002-07-02 デトラ・ソシエテ・アノニム 誘導反応を有する発振回路から成る誘導性の近接センサ
KR100846721B1 (ko) 2000-07-20 2008-07-16 허니웰 콘트롤 시스템즈 리미티드 유도 근접 센서 및 유도 근접 센서의 기능을 프로그램하거나 선택하는 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002519903A (ja) 1997-08-22 2002-07-02 デトラ・ソシエテ・アノニム 誘導反応を有する発振回路から成る誘導性の近接センサ
KR100846721B1 (ko) 2000-07-20 2008-07-16 허니웰 콘트롤 시스템즈 리미티드 유도 근접 센서 및 유도 근접 센서의 기능을 프로그램하거나 선택하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100368634B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-24 (주)명설차 매화를 주재로 하는 녹매향차 제조방법

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