KR102247883B1 - 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서 - Google Patents

검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서 Download PDF

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Abstract

본 발명은 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서에 관한 것으로서, 코일(Ls)과 커패시터(Cs)로 이루어진 LC 공진 회로부(110)와; 상기 LC 공진 회로부(110)에서 출력되는 신호를 레벨 시프트하고 저항(Rd)이 연결된 LC 공진 발진부(120)와; 상기 LC 공진 발진부(120)에서 출력되는 신호와 제1 기준전압을 비교하여 구형파 로우(LOW) 레벨 신호를 출력하는 복조부(130)와; 상기 복조부(130)에서 출력되는 신호와 제2 기준전압을 비교하여 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)를 출력하는 히스테리시스 비교부(140)와; 상기 히스테리시스 비교부(140)에서 출력되는 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)와 카운터(160)에서 출력되는 카운터 신호(Cn)를 기반으로 퓨징 신호(Fn)를 출력하는 퓨징 회로부(150)와; 상기 퓨징 회로부(150)에 클럭에 따라 카운터 신호(Cn)를 출력하는 카운터(160)와; 상기 퓨징 회로부(150)에서 출력되는 퓨징 신호(Fn)를 기반으로 스위치 신호(Sn)를 출력하는 스위치 선택 로직부(170)와; 상기 스위치 선택 로직부(170)에서 출력되는 스위치 신호(Sn)를 기반으로 저항(RA)값을 출력하여 상기 저항(Rd)값과 저항(RA)값의 합에 의해 물체의 검출 거리를 세팅하도록 하는 레지스터 및 스위치 어레이(180)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 근접센서 생산 시 검출 거리 자동 세팅을 통해 생산성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서{PROXIMITY SENSOR USING RADIO FREQUENCY OSCILLATOR}
본 발명은 고주파 발진형 근접센서에 관한 것으로서, 특히 근접센서에서 생산성을 향상시킬 수 있도록 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서에 관한 것이다.
근접센서는 물체가 접근할 때 비접촉 방식으로 물체를 검출하는 센서로서, 크게 전자유도를 이용하는 고주파 발진형, 자석을 이용하는 자기형 및 물체와 근접센서 간의 정전용량 변화를 이용하는 정전용량형 등의 3종류로 구분된다. 이 중에서 고주파 발진형 근접센서는 LC 발진회로를 구비하여 금속체(도전체)나 자성체 등의 물체가 접근하게 되면 LC 발진회로를 구성하는 검출코일에 전자유도 작용에 의해 와전류손이 발생되고 검출코일의 실효 저항치(임피던스)가 변화되어 이 변화를 검출 신호로서 출력함으로써 물체를 검출하는 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 고주파 발진형 근접센서(이하, "근접센서"라 함)는 검출체인 메탈 타겟이 검출 거리 이내로 접근하면 센싱 온이 되고 검출 거리 보다 멀어지면 센싱 오프 되는 기능을 한다. 도 2를 참조하여 근접 센서의 동작을 간략히 설명하면 다음과 같다. 반 차폐된 코일 Ls와 Cs에 의해서 LC 공진 회로가 구성된다. IC 내부에는 LC 공진회로의 Oscillation을 일으키는 LC Resonant Oscillator가 있으며, LC 단에 정현파(Sine Wave)가 발생된다. 이 Sine Wave의 진폭의 크기에 따라서, 센싱 온/오프가 이루어진다. 즉 메탈 타겟이 근접 센서에 가까워지면 LC 공진회로의 자기장에 영향을 주어서 LC 공진에 의해서 발생된 Sine Wave의 진폭이 작아지게 된다. 진폭이 정해진 Threshold Voltage 보다 작아지면 Sensing On이 된다. 반대로 메탈 타겟이 멀어지게 되면 진폭이 커져서 Threshold Voltage보다 커지면 Sensing Off가 된다. 도 3은 이에 대한 동작을 보여준다.
근접센서에서 RD단에 있는 저항(RD1 ~ RD4)은 LC Resonant Oscillator의 진폭의 세기(크기)를 정하는 저항이다. 즉 RD단의 등가 저항 값이 커지면 진폭이 작아지고 반대로 저항 값이 작아지면 진폭이 커진다. 그러므로 RD단의 저항 값에 따라서 검출 거리를 설정 할 수 있다.
즉, RD단의 등가 저항 값을 작게 하면 LC단에 발생하는 Sine Wave의 초기 진폭이 크다. 그러므로 검출체가 초기 진폭이 커진 만큼 좀 더 가까이 근접센서에 접근해서 LC단의 Sine Wave의 자기장을 방해해야만 Sine Wave 진폭이 Vth 보다 작아져서 센싱하게 된다. 그러면 RD단의 등가저항에 의해서 세팅된 검출거리는 작게 설정된 것이다. 마찬가지로 검출 거리를 크게 하려면, RD단의 등가 저항 값을 크게 하면 Sine Wave의 초기 진폭이 작아지게 된다. 작아진 만큼 검출체 좀 더 먼 거리에서 LC 단의 Sine Wave의 자기장을 방해 할 수 있다. 그 만큼 검출 거리가 증가 하게 되는 것이다.
검출 거리는 근접센서 IC 편차와 반 차폐 코일, 캐패시터, 저항 등의 소자 편차에 의해서 거리 편차가 발생하게 된다. 그러므로 이러한 편차를 보상하기 위해서 RD단의 저항 값 조정이 필요하다. 그래서 보통 RD단에 병렬로 여러 개의 저항(여기서는 4개 병렬을 예로 들음)을 시방 할 수 있게 하여, 각각의 저항(RD1 ~ RD4)값을 약간씩 변경함으로서 검출 거리 편차를 없앤다. 이러한 방법은 수작업으로 저항을 변경하든 혹은 자동화기기를 이용하여 변경하든 시간이 소요되고, 또한 변경할 때 마다 센싱 거리를 체크하여야 함으로서 생산시간이 늘어나게 된다. 그러므로 생산 효율을 떨어뜨리는 결과를 초래하게 된다.
종래 관련 분야 특허 기술로서, 근접 센서에서, 표면에 대해 반사된 신호의 피크 강도를 검출하는 단계; 상기 신호의 피크 강도를 식별하는 단계; 및 제 1 레퍼런스 커브로의 식별된 상기 피크 강도의 적용에 적어도 부분적으로 기초하여, 상기 센서로부터 상기 표면까지의 거리에 대한 강도의 제 1 함수를 근사하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 레퍼런스 커브는 거리에 대한 강도의 제 2 함수에 대응하고, 상기 제 1 함수는 상기 표면을 위한 새로운 레퍼런스 커브에 대응하는, 근접 센서 교정 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).
국내등록특허 10-1558114
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 편차 보상을 위한 반복적인 검출 거리 세팅에 따른 생산 효율 저하를 극복하기 위해서 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서는, 코일(Ls)과 커패시터(Cs)로 이루어진 LC 공진 회로부와; 상기 LC 공진 회로부에서 출력되는 신호를 레벨 시프트하고 저항(Rd)이 연결된 LC 공진 발진부와; 상기 LC 공진 발진부에서 출력되는 신호와 제1 기준전압을 비교하여 구형파 로우(LOW) 레벨 신호를 출력하는 복조부와; 상기 복조부에서 출력되는 신호와 제2 기준전압을 비교하여 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)를 출력하는 히스테리시스 비교부와; 상기 히스테리시스 비교부에서 출력되는 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)와 카운터에서 출력되는 카운터 신호(Cn)를 기반으로 퓨징 신호(Fn)를 출력하는 퓨징 회로부와; 상기 퓨징 회로부에 클럭에 따라 카운터 신호(Cn)를 출력하는 카운터와; 상기 퓨징 회로부에서 출력되는 퓨징 신호(Fn)를 기반으로 스위치 신호(Sn)를 출력하는 스위치 선택 로직부와; 상기 스위치 선택 로직부에서 출력되는 스위치 신호(Sn)를 기반으로 저항(RA)값을 출력하여 상기 저항(Rd)값과 저항(RA)값의 합에 의해 물체의 검출 거리를 세팅하도록 하는 레지스터 및 스위치 어레이를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 퓨징 회로부는 상기 히스테리시스 비교부에서 출력되는 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)와 상기 카운터에서 출력되는 카운터 신호(Cn)가 입력되는 논리곱 게이트(and), 상기 카운터에서 출력되는 카운터 신호(Cn)가 입력되는 로직 인터버(inverter), 상기 카운터를 구성하는 래치 단자(rsb)에 소스 단자가 연결되고, 상기 논리곱 게이트(and)에서 출력되는 신호에 따라 온 또는 오프되는 트랜지스터(M1), 상기 트랜지스터(M1)의 드레인 단자에 드레인 단자가 연결되고, 상기 로직 인터버(inverter)에서 출력되는 신호에 따라 온 또는 오프되는 트랜지스터(M2), 상기 트랜지스터(M2)의 소스 단자에 연결되어 퓨징 신호(Fn)를 출력하는 로직 버퍼(buffer) 및 상기 트랜지스터(M2)의 드레인 단자에 연결되는 퓨즈(Fuse Material)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 스위치 선택 로직부는 바이너리 디코더 일 수 있다.
본 발명에 따르면, 근접센서 생산 시에 검출 거리 자동 세팅을 통해 생산성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 고주파 발진형 근접센서의 검출원리를 설명하기 위한 도면.
도 2는 종래 고주파 발진형 근접센서의 블록 다이아그램.
도 3은 종래 고주파 발진형 근접센서의 타이밍도.
도 4는 본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서의 블록 다이아그램.
도 5는 본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 타이밍도.
도 6은 본 발명에 따른 퓨징 회로부의 구성예.
도 7은 본 발명에 따른 스위치 선택 로직부의 구성예.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서의 블록 다이아그램, 도 5는 본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 타이밍도, 도 6은 본 발명에 따른 퓨징 회로부의 구성예, 도 7은 본 발명에 따른 스위치 선택 로직부의 구성예이다.
본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서는 생산 시 검출 거리 자동 세팅을 통해 생산성을 향상시킬 수 있도록 구성된 것을 중요한 기술적 특징으로 한다. 즉, 근접센서 생산 시, 검출 거리는 RD 저항 값을 조정하여 세팅하는데, 수동 혹은 자동화를 통하여 RD 값을 조정함에 따라 번거롭고 시간이 많이 소요되는 문제가 있으므로, IC 내에서 자동으로 검출 거리에 맞는 RD 값을 조정해 주는 회로를 적용하여 생산성을 향상시킬 수 있도록 구성된 것을 중요한 기술적 특징으로 하는 것이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서는, 크게 LC 공진 회로부(110), LC 공진 발진부(120), 복조부(130), 히스테리시스 비교부(140), 퓨징 회로부(150), 카운터(160), 스위치 선택 로직부(170) 및 레지스터 및 스위치 어레이(180)를 포함하여 구성된다.
이와 같이, 본 발명에서는 근접센서의 기본 구성 이외에 검출 거리를 자동으로 세팅하기 위해 퓨징 회로부(150), 카운터(160), 스위치 선택 로직부(170) 및 레지스터 및 스위치 어레이(180)를 추가적으로 구성한 것이다.
상기 LC 공진 회로부(110)는 공진 블록단으로서 코일(Ls)과 커패시터(Cs)로 이루어진다.
상기 LC 공진 발진부(120)는 발진 블록단으로서 상기 LC 공진 회로부(110)에서 출력되는 신호를 레벨 시프트하고 저항(Rd)이 연결된다.
상기 복조부(130)는 상기 LC 공진 발진부(120)에서 출력되는 신호와 제1 기준전압을 비교하여 구형파 로우(LOW) 레벨 신호를 출력한다.
상기 히스테리시스 비교부(140)는 상기 복조부(130)에서 출력되는 신호와 제2 기준전압을 비교하여 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)를 출력한다.
상기 퓨징 회로부(150)는 상기 히스테리시스 비교부(140)에서 출력되는 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)와 후술하는 카운터(160)에서 출력되는 카운터 신호(Cn)를 기반으로 퓨징 신호(Fn)를 출력한다.
구체적으로, 상기 퓨징 회로부(150)는 상기 히스테리시스 비교부(140)에서 출력되는 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)와 상기 카운터(160)에서 출력되는 카운터 신호(Cn)가 입력되는 논리곱 게이트(and), 상기 카운터(160)에서 출력되는 카운터 신호(Cn)가 입력되는 로직 인터버(inverter)를 포함한다. 또한, 상기 카운터(160)를 구성하는 래치 단자(rsb)에 소스 단자가 연결되고, 상기 논리곱 게이트(and)에서 출력되는 신호에 따라 온 또는 오프되는 트랜지스터(M1), 상기 트랜지스터(M1)의 드레인 단자에 드레인 단자가 연결되고, 상기 로직 인터버(inverter)에서 출력되는 신호에 따라 온 또는 오프되는 트랜지스터(M2), 상기 트랜지스터(M2)의 소스 단자에 연결되어 퓨징 신호(Fn)를 출력하는 로직 버퍼(buffer) 및 상기 트랜지스터(M2)의 드레인 단자에 연결되는 퓨즈(Fuse Material)를 포함한다.
상기 카운터(160)는 래치(Latch)를 구비하여 상기 퓨징 회로부(150)에 클럭에 따라 카운터 신호(Cn)를 출력한다.
상기 스위치 선택 로직부(170)는 상기 퓨징 회로부(150)에서 출력되는 퓨징 신호(Fn)를 기반으로 스위치 신호(Sn)를 출력한다. 이때, 상기 스위치 선택 로직부(170)는 바이너리 디코더 일 수 있다.
상기 레지스터 및 스위치 어레이(180)는 상기 스위치 선택 로직부(170)에서 출력되는 스위치 신호(Sn)를 기반으로 저항(RA)값을 출력하여 상기 저항(Rd)값과 저항(RA)값의 합에 의해 물체의 검출 거리를 세팅하도록 한다. 부연하자면, 검출 거리를 자동으로 세팅하기 위해서, 검출 거리에 맞는 Dominant 저항은 Rd로 세팅되고, 검출 거리 편차를 보상하기 위한 미세 저항은 Unit 저항으로 조정되는 RA(Resistor Array)에 의해서 세팅된다. 즉, 검출 거리는 Rd와 선택된 RA 값의 합에 의해서 결정된다.
이제, 구체적으로 본 발명에 따른 근접센서를 이용하여 검출 거리 자동 세팅 방법에 대해서 설명하도록 한다. 먼저, 근접센서에서 검출체를 목표로 하는 검출 거리에 위치시키고, STA단을 Low에서 High로 신호를 가하게 되면, 카운터(160)의 rsb(Resetb) 신호가 풀리면서 카운터(160)가 clock에 따라 0에서부터 31(여기서는 5bits 를 예로 들어 설명하기로 함) 까지 증가하게 된다.
퓨징 회로부(150)는 logic inverter와 Fusing inverter(R1과 M2와 Fusing Material로 구성)와 Logic Buffer로 구성되어서, 출력은 Cn 값을 그대로 출력하게 된다. 여기서 센싱 출력 Sy가 아직 On이 되지 않았기 때문에 AND gate의 출력은 Logic“0”이고 CMOS Transistor M1은 off 상태이다.
카운터(160)의 카운터 신호(Cn)값이 증가할 수록 퓨징 회로부(150)의 퓨징 신호(Fn)값도 동일하게 증가하고, 스위치 선택 로직부(170)인 Binary decoder에 의해서 Fn code에 해당하는 Switch(sw0 ~ sw31)가 순차적으로 켜지게 된다. 그러면 RA 저항 값이 순차적으로 커진다. 이에 따라 LC 공진단의 Sine Wave가 줄어들게 되고 Sensing Threshold 이하가 되게 되면 Sensing On(Sy가 Logic “1”)이 된다. 그러면 퓨징 회로부(150)의 AND gate가 enable이 되고, 카운터 신호(Cn)값이 “1”인 경우 M1 switch가 켜져서, STA에 인가된 High Voltage가 Fusing Material에 전달 되어 Fusing Material이 끊어지게 된다.
즉, Sy가 Logic “1”이 되었을 때, Logic “1”에 해당하는 퓨징 회로부(150)는 “1”로 고정되는 것이다. 그리고 STA를 Low에 위치시키게 되면, 카운터(160)는 Reset 되어서 카운터 신호(Cn)값이 전부 “0”이다. 그러면 Sy가 Logic “1”일 때, Logic “0”에 해당하는 퓨징 회로부(150)는 Fusing이 일어나지 않았기 때문에 카운터 신호(Cn)값을 그대로 Buffer 하여, 퓨징 회로부(150)의 퓨징 신호(Fn)값은 Logic “0” 이 된다.
이러한 방법으로 Sy가 On 되었을 때의 Fn code를 Fusing을 통하여 STA가 “0”인 상태에서 영구적으로 고정하게 된다. 그러면 Fn Code에 해당하는 RA 값이 고정된 것이고, 검출 거리는 이 값에 의해서 자동으로 세팅된다.
일반적으로 Code를 고정하기 위해서는 비휘발성 메모리(OTP, EEPROM, FLASH 등)를 사용하지만, 이 경우 반도체 MASK 증가 및 별도의 IC Pin 증가와 회로의 사이즈 증가 등 제조원가가 상승하게 된다. 그래서 일반적인 공정에 적용되며, 최소한의 Pin 증가를 위해서 본 발명에서는 Fusing 회로를 적용한 것이다.
RA의 Unit 저항 값과 Bit Resolution (Unit 저항의 개수)에 의해서, 검출 거리 미세 조정 및 검출 거리 편차 조정 범위가 결정된다. 즉 Unit 저항 값이 작을수록 미세한 조정이 가능하고, Bit가 늘어날수록 검출 거리 편차 조정 범위가 커지게 된다.
도 6은 퓨징 회로부(150)에 대하여 5bit 일때를 예를 보여주고 있다. 즉 입력은 Cn[4:0] 이고 출력은 Fn[4:0] 이다. 그러므로 하나의 퓨징 회로가 5개 병렬로 구성되어서 5bit 퓨징 회로의 예를 보여주고 있다.
퓨징 회로는 logic inverter와 Fusing inverter(R1과 M2와 Fusing Material로 구성)와 Logic Buffer로 구성되어서, 출력 Fn은 Cn 값을 그대로 출력하게 된다. 여기서 센싱 출력 Sy가 아직 On이 되지 않았기 때문에 AND gate의 출력은 Logic “0”이고 CMOS Transistor M1은 off 상태이다. 이 경우 Counter 출력(Cn)이 그대로 Fusing 회로 출력(Fn)에 반영된다.
만약 Sensing On(Sy가 Logic “1”)이 되면, AND gate가 enable이 되고, Cn 값이 “1”인 경우 M1 Transistor가 켜져서, STA 신호(보통 High Voltage 전압신호)가 M1을 통해서 Fusing Material에 전달되며 Fusing Material이 끊어 지게 된다. 이렇게 Fusing이 되면 입력 Cn 값과 무관하게 Fn 값은 항상 Logic “1”의 값으로 고정되게 된다.
도 7은 스위치 선택 로직부(170)에 대하여 5bits의 예를 보여주고 있다. 5bits 입력 Fn[4:0]에 대해서 Binary weighted decoder 로서 Fn[4:0]=“0000”,“0001”“0010”~“1111”까지 해당하는 즉 0, 1, 2, 3 ~ 31 까지 순차적으로 스위치를 On 하기 위해서 AND gate로 구성한다.
한편, 본 발명에 따른 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서를 한정된 실시예에 따라 설명하였지만, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명과 관련하여 통상의 지식을 가진자에게 자명한 범위내에서 여러 가지의 대안, 수정 및 변경하여 실시할 수 있다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110 : LC 공진 회로부
120 : LC 공진 발진부
130 : 복조부
140 : 히스테리시스 비교부
150 : 퓨징 회로부
160 : 카운터
170 : 스위치 선택 로직부
180 : 레지스터 및 스위치 어레이

Claims (3)

  1. 전자유도를 이용하여 물체의 접근을 검출하는 고주파 발진형 근접센서에 있어서,
    코일(Ls)과 커패시터(Cs)로 이루어진 LC 공진 회로부(110)와;
    상기 LC 공진 회로부(110)에서 출력되는 신호를 레벨 시프트하고 저항(Rd)이 연결된 LC 공진 발진부(120)와;
    상기 LC 공진 발진부(120)에서 출력되는 신호와 제1 기준전압을 비교하여 구형파 로우(LOW) 레벨 신호를 출력하는 복조부(130)와;
    상기 복조부(130)에서 출력되는 신호와 제2 기준전압을 비교하여 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)를 출력하는 히스테리시스 비교부(140)와;
    상기 히스테리시스 비교부(140)에서 출력되는 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)와 카운터(160)에서 출력되는 카운터 신호(Cn)를 기반으로 퓨징 신호(Fn)를 출력하는 퓨징 회로부(150)와;
    상기 퓨징 회로부(150)에 클럭에 따라 카운터 신호(Cn)를 출력하는 카운터(160)와;
    상기 퓨징 회로부(150)에서 출력되는 퓨징 신호(Fn)를 기반으로 스위치 신호(Sn)를 출력하는 스위치 선택 로직부(170)와;
    상기 스위치 선택 로직부(170)에서 출력되는 스위치 신호(Sn)를 기반으로 저항(RA)값을 출력하여 상기 저항(Rd)값과 저항(RA)값의 합에 의해 물체의 검출 거리를 세팅하도록 하는 레지스터 및 스위치 어레이(180)를 포함하는 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 퓨징 회로부(150)는 상기 히스테리시스 비교부(140)에서 출력되는 하이(HIGH) 또는 로우(LOW) 레벨 신호(Sy)와 상기 카운터(160)에서 출력되는 카운터 신호(Cn)가 입력되는 논리곱 게이트(and), 상기 카운터(160)에서 출력되는 카운터 신호(Cn)가 입력되는 로직 인터버(inverter), 상기 카운터(160)를 구성하는 래치 단자(rsb)에 소스 단자가 연결되고, 상기 논리곱 게이트(and)에서 출력되는 신호에 따라 온 또는 오프되는 트랜지스터(M1), 상기 트랜지스터(M1)의 드레인 단자에 드레인 단자가 연결되고, 상기 로직 인터버(inverter)에서 출력되는 신호에 따라 온 또는 오프되는 트랜지스터(M2), 상기 트랜지스터(M2)의 소스 단자에 연결되어 퓨징 신호(Fn)를 출력하는 로직 버퍼(buffer) 및 상기 트랜지스터(M2)의 드레인 단자에 연결되는 퓨즈(Fuse Material)를 포함하는 검출 거리 자동 세팅 가능한 고주파 발진형 근접센서.
  3. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2531650B2 (ja) * 1985-12-28 1996-09-04 バルタ− リンク 非接触形近接スイツチ
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KR101558114B1 (ko) 2011-08-26 2015-10-06 퀄컴 인코포레이티드 근접 센서 교정

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