KR101087947B1 - Micro contact vertical probe - Google Patents
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Abstract
본 발명은 프로브 카드 및 검사 대상체의 전극패드의 접촉손상을 방지하면서 전체적으로 안정적인 접촉을 구현할 수 있는 수직형 미세 접촉 프로브를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 상측단에 배치되어 프로브 카드용 기판에 고정된 연결부와, 하측단에 배치되어 검사 대상체의 접촉단자에 수직으로 접촉되는 팁과, 상기 연결부와 상기 팁을 연결하고, 수직방향의 탄성력을 갖는 완충부를 구비하고, 상기 완충부는, 상기 연결부와 상기 팁을 연결하는 몸체와, 상기 몸체를 중심으로 'H'자 형상의 단면을 갖는 복수 개의 단위 구조체를 구비한 프로브를 제공한다.The present invention is to provide a vertical micro-contact probe that can implement a stable contact as a whole while preventing contact damage of the electrode pad of the probe card and the test object, the present invention is disposed on the upper end substrate for the probe card And a connection part fixed to the lower end, a tip disposed at a lower end thereof and vertically contacting the contact terminal of the test object, connecting the connection part and the tip to each other, and a shock absorbing part having a vertical elastic force. It provides a probe having a body connecting the tip and a plurality of unit structures having a cross-section of the 'H' shape around the body.
수직형, 프로브, 카드, 팁, 마이크로, 반도체, 완충부 Vertical, probe, card, tip, micro, semiconductor, buffer
Description
본 발명은 전자소자를 테스트하기 위하여 프로브 카드(probe card)에 사용되는 프로브에 관한 것으로, 특히, 프로브 카드 및 반도체 칩 패드의 접촉손상을 방지하면서 전체적으로 안정적인 접촉을 구현할 수 있는 수직형 미세 접촉 프로브에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe used in a probe card for testing an electronic device. In particular, the present invention relates to a vertical micro contact probe capable of realizing a stable contact while preventing contact damage between a probe card and a semiconductor chip pad. It is about.
전자소자, 예컨대 반도체 소자를 테스트하기 위한 프로브 카드는 웨이퍼 레벨에 반도체 소자를 완성한 후, 절단 전, 반도체 소자의 기능과 성능을 검사하기 위하여 사용되는 반도체 검사장비의 핵심부품이다. 반도체 공정 후 웨이퍼 레벨에서 검사를 수행하는 프로브 카드의 종류는 마이크로 프로세서, 메모리, FPD(Flat Panel Display) 등에 사용되는 다양한 종류와 크기를 가지고 있으며, 최근 칩 디자인이 점점 소형화되면서 공정기술에 있어서 상당한 진전이 있지만, 이를 뒷받침하는 검사장비의 기술이 상대적으로 열세에 있다. 현재 인텔사의 차세대 칩과 플립 칩 패키징이 개발되고 있지만 이를 검사할 장비 기술이 따라가지 못하는 문제점에 놓여있다.Probe cards for testing electronic devices, such as semiconductor devices, are the core components of semiconductor inspection equipment used to test the functionality and performance of semiconductor devices after cutting them, at the wafer level, and before cutting. The types of probe cards that perform inspection at the wafer level after semiconductor processing have various types and sizes used for microprocessors, memory, and flat panel displays (FPDs) .As the chip design has become smaller in recent years, considerable progress has been made in process technology. There is, however, a relatively poor technique for testing equipment to support this. Intel's next-generation chips and flip-chip packaging are currently being developed, but the equipment technology to test them is in trouble.
알려진 바와 같이 반도체 소자는 외부 전자소자와 상호 신호전달을 위해 그 상면에 형성된 복수 개의 패드를 구비한다. 즉, 반도체 소자는 외부 전자소자로부터 패드들을 통해 전기적 신호를 입력받아 소정의 동작을 수행한 후, 처리한 결과를 다시 패드들을 통해 외부 전자소자로 전달한다. 이때, 프로브 카드에 사용되는 프로브들은 프로브 카드의 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB) 상에 배열되어 패드와 물리적으로 접촉되어 외부 전자소자와의 신호전달을 위한 전기적 경로를 형성한다. As is known, a semiconductor device includes a plurality of pads formed on an upper surface thereof for mutual signal communication with an external electronic device. That is, the semiconductor device receives an electrical signal from the external electronic device through the pads, performs a predetermined operation, and then transfers the processed result back to the external electronic device through the pads. In this case, the probes used in the probe card are arranged on a printed circuit board (PCB) of the probe card to be in physical contact with the pad to form an electrical path for signal transmission with an external electronic device.
최근들어, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 패드들의 간격 및 크기 역시 감소하고 있다. 프로브들은 패드들에 물리적으로 접촉하는 구조라는 점에서, 이러한 패드 구조의 변화는 프로브들의 구조 및 배치와 관련된 기술적 어려움들을 유발한다. 이러한 기술적 어려움들 중 하나가 인접하는 프로브들 사이의 전기적 간섭(interference) 및 단락(short)을 방지할 수 있도록 프로브들을 최소한의 이격 거리를 확보하면서 배열해야 한다. 또한, 패드와 프로브 사이의 접촉 저항의 감소를 위해 프로브들은 패드에 소정의 압력을 가하면서 접촉하는 오버드라이브 방식의 접촉이 필요하다. In recent years, as semiconductor devices have been highly integrated, the spacing and size of pads have also decreased. Since the probes are in physical contact with the pads, this change in pad structure introduces technical difficulties associated with the structure and placement of the probes. One of these technical difficulties is to arrange the probes with a minimum separation distance so as to prevent electrical interference and short between adjacent probes. In addition, in order to reduce the contact resistance between the pad and the probes, the probes need to be overdriven in contact with a predetermined pressure.
그러나, 상기한 오버드라이브 방식에서의 접촉 압력은 프로브의 변형 및 그에 따른 복원력에서 얻어진다. 이 때문에 반복적인 오버드라이브 접촉은 프로브들의 형태적 변형을 초래할 수 있다. 이러한 프로브의 변형은 프로브의 복원력 감소 및 프로브들의 배열 위치의 변형을 초래하여 테스트 신뢰성을 저하시킬 수 있으며, 이러한 문제를 줄이기 위해서는 프로브들은 충분히 큰 복원력을 구비할 필요가 있다.However, the contact pressure in the above-described overdrive scheme is obtained in the deformation of the probe and thus the restoring force. Because of this, repeated overdrive contacts can result in morphological deformation of the probes. Such deformation of the probe may result in a decrease in the restoring force of the probe and a deformation of the arrangement position of the probes, thereby lowering the test reliability, and in order to reduce this problem, the probes need to have a sufficiently large restoring force.
프로브의 복원력을 향상시키기 위해, 일례로 도 1에 도시된 바와 같이 종래에는 캔틸레버형 프로브 카드(cantilever-type probe card)가 제안된 바 있다. 이러한 캔틸레버형 프로브 카드(10)는 기판(11)상에 배열 형성된 범프(12)들에 지지빔(13)의 일측을 부착시킨다. 또한, 지지빔(13)의 타측단부에는 패드에 접촉되는 팁(14)이 부착된다. 팁(14)은 패드에 가압접속하게 되는데, 가압접속시 지지빔(13)은 탄성에 의하여 복원력을 가져야만 하고, 지지빔(13)이 복원력을 가지기 위해서는 충분한 길이를 확보하여야 한다. 만약 지지빔(13)의 길이가 너무 짧을 경우에는 충분한 탄성을 가질 수 없게 되고, 이로 인하여 충분한 복원력을 가지지 못하는 문제가 발생된다. In order to improve the restoring force of the probe, a cantilever-type probe card has been conventionally proposed as shown in FIG. 1. The
따라서, 캔틸레버형 프로브 카드는 지지빔의 충분한 길이를 확보하여야 하고, 이를 위해 필연적으로 지지빔이 부착되는 범프들 사이에는 충분한 이격거리가 필요하다. 그러나, 지지빔의 복원력을 유지하기 위하여 지지빔의 길이를 확보하여야 하는 캔틸레버형 프로브 카드는 프로브 사이의 간격을 최소화하는데 어려움이 있다. 더욱이, 최근에는 반도체 소자의 고집적화가 더욱 가속화되어 감에 따라 고집적화된 반도체 소자를 검사하기 위한 프로브 카드의 프로브 사이의 간격 또한 더욱 최소화되어야 함에 따라 캔틸레버형 프로브 카드의 사용은 더욱 제한적일 수밖에 없다. Therefore, the cantilever-type probe card must secure a sufficient length of the support beam, and for this purpose, a sufficient separation distance is necessary between bumps to which the support beam is attached. However, in order to maintain the restoring force of the support beam, a cantilever probe card having a length of the support beam has difficulty in minimizing the distance between the probes. Moreover, as the integration of semiconductor devices has been accelerated in recent years, the gap between probes of probe cards for inspecting highly integrated semiconductor devices has to be further minimized, so the use of cantilever probe cards is more limited.
또한, 캔틸레버형 프로브 카드는 지지빔에 팁을 부착하는 방식으로 제조되기 때문에, 전체적인 수평도를 요구되는 수준으로 유지하기 어려울 뿐만 아니라 프로브 각각의 길이를 균일하게 유지하기 어렵다. 이에 더하여, 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라, 패드들의 배열 방식은 기존의 일차원적 배열 방식(예를 들면, 라인 형태)에서 이차원적 배열 방식(예를 들면, 매트릭스 형태)으로 바뀌고 있다. 하지만, 캔틸레버형 프로브 카드는 각 지지빔의 큰 점유 면적 및 큰 이격 거리 등과 같은 기술적 어려움으로 인해, 이차원적 패드 배열 방식에서는 사용되기 어렵다. 또한, 캔틸레버형 프로브 카드는 가압접속시 지지빔이 충분한 복원력을 갖지 못하여 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 칩 상의 패드에 긁힘 현상이 발생될 수 있다. In addition, since the cantilever probe card is manufactured by attaching a tip to the support beam, it is difficult not only to maintain the overall level at the required level but also to maintain the length of each probe uniformly. In addition, as the degree of integration of semiconductor devices increases, the arrangement of pads is changing from a conventional one-dimensional arrangement (eg, a line) to a two-dimensional arrangement (eg, a matrix). However, the cantilever-type probe card is difficult to be used in the two-dimensional pad arrangement due to technical difficulties such as a large occupation area and a large separation distance of each support beam. In addition, in the cantilever probe card, the support beam may not have sufficient restoring force during the pressure connection, and scratches may occur on the pad on the semiconductor chip as shown in FIG. 2.
따라서, 본 발명은 상기한 종래기술에 따른 문제점을 해결하기 위하여 제안된다.Accordingly, the present invention is proposed to solve the above problems according to the prior art.
먼저, 본 발명은 반도체 소자의 집적도 증가에 대응할 수 있도록 점유면적이 작은 프로브를 제공하는데 그 목적이 있다. Firstly, an object of the present invention is to provide a probe having a small occupied area to cope with an increase in the degree of integration of a semiconductor device.
또한, 본 발명은 충분히 큰 복원력을 갖는 프로브를 제공하는데 다른 목적이 있다. It is another object of the present invention to provide a probe with sufficiently large restoring force.
또한, 본 발명은 반도체 칩 패드 또는 인쇄회로기판 볼의 접촉 손상을 방지할 수 있는 프로브를 제공하는데 또 다른 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide a probe capable of preventing contact damage of a semiconductor chip pad or a ball of a printed circuit board.
또한, 본 발명은 프로브의 응력집중 현상을 방지할 수 있는 프로브를 제공하는데 또 다른 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide a probe capable of preventing a stress concentration phenomenon of the probe.
상기한 목적들을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명은 상측단에 위치되어 프로브 카드용 기판에 고정된 연결부와, 하측단에 위치되어 검사 대상체의 접촉단자에 수직으로 접촉되는 팁과, 상기 연결부와 상기 팁을 연결하고, 수직방향의 탄성력을 갖는 완충부를 구비하고, 상기 완충부는, 상기 연결부와 상기 팁을 연결하는 몸체와, 상기 몸체를 중심으로 'H'자 형상의 단면을 갖는 복수 개의 단위 구조체를 구비한 프로브를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a connecting portion fixed to a substrate for a probe card positioned at an upper end, a tip positioned at a lower end and vertically contacting a contact terminal of an object to be tested, and the connecting portion A plurality of unit structures that connect the tip and have a cushioning portion having a vertical elastic force, wherein the buffering portion has a body connecting the connecting portion and the tip and a 'H' shaped cross section around the body. It provides a probe having.
또한, 상기 복수 개의 단위 구조체는 상기 몸체의 길이방향을 따라 직렬로 일정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. In addition, the plurality of unit structures may be spaced apart at regular intervals in series along the longitudinal direction of the body.
또한, 상기 몸체와 상기 구조체는 일체형으로 단일 구조체를 형성할 수 있다. In addition, the body and the structure may be integrally forming a single structure.
또한, 상기 연결부와 접속되는 상기 몸체의 상측단은 'M'자 형상을 갖도록 형성될 수 있다. In addition, the upper end of the body connected to the connection portion may be formed to have a 'M' shape.
또한, 상기 완충부는 압축시 수직 거동을 할 수 있다. In addition, the buffer portion may perform vertical behavior during compression.
또한, 상기 팁은 상기 단위 구조체의 중앙부로부터 상기 검사 대상체의 접촉단자 방향으로 돌출될 수 있다. In addition, the tip may protrude in a direction of a contact terminal of the test object from the central portion of the unit structure.
또한, 상기 검사 대상체의 접촉단자는 반도체 칩의 전극 패드 또는 인쇄회로기판 볼일 수 있다. In addition, the contact terminal of the test object may be an electrode pad or a printed circuit board ball of a semiconductor chip.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 프로브의 하측단에 배치되어 검사 대상체, 예컨대 반도체 칩의 패드 또는 인쇄회로기판 볼과 접촉된 마이크로 팁과, 수직 방향의 탄성력을 갖는 복수 개의 대칭 형상, 즉 몸체를 중심으로 'H'자 형상을 갖는 단위 구조체를 직렬로 연결한 형태의 스프링 구조를 갖는 완충부를 구비한 프로브를 제공함으로써, 수직방향으로 검사 대상체의 접촉단자와 접촉하도록 제공하여 종래기술에 따른 캔틸레버형 프로브보다 상호 간의 접촉 손상을 감소시킬 수 있으며, 또한 고집적화 되어가는 반도체 칩 패드의 검사에 효과적으로 대응할 수 있 다. As described above, according to the present invention, a micro tip disposed at a lower end of the probe and in contact with a test object, for example, a pad of a semiconductor chip or a ball of a printed circuit board, and a plurality of symmetrical shapes having a vertical elastic force, that is, a body By providing a probe having a buffer having a spring structure in the form of connecting the unit structure having the 'H' shape in series with the center, by providing a contact with the contact terminal of the test object in the vertical direction cantilever according to the prior art It is possible to reduce contact damage to each other than the type probe, and also to effectively cope with the inspection of semiconductor chip pads that are becoming highly integrated.
또한, 본 발명에 의하면, 프로브를 수직구조로 형성함으로써 종래기술에 따른 캔틸레버형 프로브보다 점유면적을 감소시켜 반도체 소자의 고집적화에 대응할 수 있다. In addition, according to the present invention, by forming the probe in a vertical structure, it is possible to reduce the occupied area compared to the cantilever type probe according to the prior art and cope with high integration of the semiconductor device.
또한, 본 발명에 의하면, 팁을 프로브의 하측단부로 돌출시킴으로써 테스트 검사시 검사 대상체, 예컨대 반도체 칩 패드 상부에 형성된 자연 산화막을 제거할 수 있으며, 이를 통해 프로브와 반도체 칩 패드 간의 전기적인 접속 신뢰성을 개선시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, by protruding the tip to the lower end of the probe, it is possible to remove the natural oxide film formed on the inspection object, for example, the upper portion of the semiconductor chip pad during the test inspection, thereby improving the electrical connection reliability between the probe and the semiconductor chip pad. Can be improved.
또한, 본 발명에 의하면, 수직 압축시 완충부의 변형을 통해 수직하중이 집중되는 것을 방지하도록 제작함으로써, 수직하중이 프로브 전체에 균일하게 가해지도록 하여 수직하중에 대해 응력 집중없이 고른 변형을 일으키며, 팁에 하중이 집중되는 것을 방지하여 접촉 손상을 방지하며, 검사 대상체의 단차에 유연하게 대처할 수 있다. In addition, according to the present invention, by manufacturing to prevent the vertical load is concentrated through the deformation of the buffer portion during the vertical compression, the vertical load is uniformly applied to the entire probe, causing even deformation without stress concentration on the vertical load, tip Prevents contact damage by preventing the load from concentrating and can flexibly cope with the step of the inspection object.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호(또는, 참조부호)로 표기된 부분은 동일 요소를 나타낸다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. In addition, the parts denoted by the same reference numerals (or reference numerals) throughout the specification represent the same elements.
실시예Example
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로브를 설명하기 위하여 도시한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 프로브가 하중에 대해 변형된 상태를 보여주는 도면이다. 3 is a view illustrating a probe according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a view showing a state in which the probe shown in Figure 3 is deformed with respect to the load.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 프로브(100)는 상측단에 배치되어 프로브 카드용 기판(도시되지 않음)에 고정된 연결부(101)와, 하측단에 배치되어 검사 대상체의 접촉단자(도시되지 않음)에 수직으로 접촉되는 팁(103)과, 연결부(101)와 팁(103)을 연결하고, 수직방향의 탄성력을 갖는 완충부(102)를 구비한다. 3 and 4, the
완충부(102)는 연결부(101)와 팁(103)을 연결하는 몸체(102a)와, 상기 몸체(102a)를 중심으로 'H'자 형상의 단면을 갖는 복수 개의 단위 구조체(102b)를 구비한다. The
몸체(102a)와 단위 구조체(102b)는 일체형으로 단일 구조체를 형성한다. 몸체(102a)는 상측단이 'M'자 형상을 갖고 연결부(101)와 접속된다. 또한, 몸체(102a)는 연결부(101)를 통해 프로브 카드용 기판과 수직으로 연결된 기둥형상을 갖는다.
단위 구조체(102b)는 전체적으로 'H'자 형상을 가지며, 복수 개가 형성되어 일정 간격으로 이격되어 몸체(102a)를 둘러싸도록 형성된다. 단위 구조체(102b)는 몸체(102a)를 경계로 좌우 대칭 구조로 몸체(102a)의 길이방향을 따라 직렬로 형성된다. The
팁(103)은 프로브(100)의 하측단에 배치되고, 검사 대상체의 접촉단자, 즉 반도체 칩 패드 상에 형성된 자연 산화막을 제거하도록 단위 구조체(102b)의 중심부로부터 돌출된다. 즉, 프로브(100)의 전체 형상에서 팁(103)은 몸체(102a)의 최하단부(검사 대상체 방향으로)에 형성된 단위 구조체(102b)의 중심부로부터 돌출된다. The
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 기술적 사상은 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이런 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.As described above, the technical idea of the present invention is merely illustrative, and various changes and modifications can be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
도 1은 종래기술에 따른 캔틸레버형 프로브 카드를 도시한 도면.1 shows a cantilevered probe card according to the prior art.
도 2는 종래기술에서 검사 대상체의 전극패드에 긁힘 현상이 발생된 것을 보여주는 도면.2 is a view showing that a scratch phenomenon occurs in the electrode pad of the test object in the prior art.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로브를 도시한 도면.3 illustrates a probe according to an embodiment of the invention.
도 4는 도 3에 도시된 프로브가 하중에 대해 변형된 상태를 보여주는 도면.4 is a view showing a state in which the probe shown in FIG. 3 is deformed with respect to a load;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 프로브100: probe
101 : 연결부101: connection
102 : 완충부102: buffer unit
102a : 몸체102a: body
102b : 단위 구조체102b: unit structure
103 : 팁103: Tips
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- 2009-08-27 KR KR1020090079641A patent/KR101087947B1/en active IP Right Grant
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