KR101087869B1 - Self diagnosis method for preventing mal-operation in ied - Google Patents

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Abstract

본 발명은 보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법에 관한 것으로, 메모리의 적어도 하나 이상의 임시어드레스에 미리 지정된 설정값을 각각 라이팅하여 초기화하는 초기화단계와, 상기 어느 하나의 임시어드레스에 저장된 데이터를 리드하고, 리드된 데이터와 미리 지정된 설정값을 서로 비교하는 비교단계, 및 상기에서 리드한 데이터와 미리 지정된 설정값이 동일하지 않을 경우에는 데이터 오류로 판정하여 처리하는 판정단계를 포함한다.The present invention relates to a self-diagnosis method for preventing a malfunction of a protection relay. The present invention relates to an initialization step of writing and initializing predetermined values in at least one temporary address of a memory, and reading data stored in one of the temporary addresses. And a comparison step of comparing the read data with a predetermined setting value, and a determination step of determining and processing as a data error when the read data and the predetermined setting value are not the same.

보호계전기, 메모리, 마이크로프로세서, 오류, 리드/라이트 Protection Relay, Memory, Microprocessor, Error, Lead / Write

Description

보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법{SELF DIAGNOSIS METHOD FOR PREVENTING MAL-OPERATION IN IED}Self-diagnosis method to prevent malfunction of protection relay {SELF DIAGNOSIS METHOD FOR PREVENTING MAL-OPERATION IN IED}

본 발명은 보호계전기(IED; Intelligent Electronic Devices)에 관한 것으로, 특히 보호계전기에서 메모리와 데이터 버스 간의 오동작을 방지하기 위한 보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protective relay (IED), and more particularly to a self-diagnosis method for preventing a malfunction of a protection relay for preventing a malfunction between a memory and a data bus in the protection relay.

자기진단은 접점이 필요한 디지털 보호계전기, PMU, 계측기 등의 기기의 안전성을 강화하는 데 필요한 기술이다. Self-diagnosis is a technology necessary to enhance the safety of devices such as digital protective relays, PMUs, and measuring instruments that require contacts.

자기진단은 기기의 오동작을 막기 위해 적용되는 데, 주로 전원, AD 컨버터, 메모리(RAM), 설정치 등에서 이루어지며, 메모리의 경우 상시 감시를 수행하기 어렵고 시간이 많이 소요되어 빠른 동작을 필요로 할 경우 비록 자기진단 기능이 있더라도 오동작을 방지하기가 어렵다.Self-diagnosis is applied to prevent the malfunction of equipment. It is mainly done in power supply, AD converter, memory (RAM), set value, etc. In case of memory, it is difficult to always monitor and requires fast operation because it takes a lot of time. Even with the self-diagnosis function, it is difficult to prevent malfunction.

본 발명은 외부 메모리의 오류와 노이즈의 침입에 의한 데이터 버스의 순간적인 오류, 데이터 통신을 관장하는 마이크로프로세서 등의 오류를 간단하게 상시 감시하여 기기의 오동작을 방지할 수 있는 보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention can prevent the malfunction of the protection relay by preventing the malfunction of the device by simply and constantly monitoring the error of the data bus due to the external memory and the intrusion of noise, the error of the microprocessor, etc., which controls the data communication. It is to provide a self-diagnosis method.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법은, 메모리의 적어도 하나 이상의 임시어드레스에 미리 지정된 설정값을 각각 라이팅하여 초기화하는 초기화단계; 상기 어느 하나의 임시어드레스에 저장된 데이터를 리드하고, 리드된 데이터와 미리 지정된 설정값을 서로 비교하는 비교단계; 및 상기에서 리드한 데이터와 미리 지정된 설정값이 동일하지 않을 경우에는 데이터 오류로 판정하여 처리하는 판정단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Self-diagnosis method for preventing the malfunction of the protection relay of the present invention for achieving the above object, the initialization step of writing to each of the predetermined predetermined value to at least one temporary address of the memory; A comparison step of reading data stored in the one temporary address and comparing the read data with a predetermined set value; And a determination step of determining and processing as a data error if the data read above and the predetermined value are not the same.

구체적으로, 상기 임시어드레스는 적어도 2개 이상이고, 상기 복수의 임시어드레스에 각각 저장된 데이터와 미리 지정된 설정값의 비교가 모두 완료될 때까지 비교단계와 판정단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 한다.Specifically, the temporary address is at least two, characterized in that the comparison step and the determination step is repeatedly performed until the comparison between the data stored in each of the plurality of temporary addresses and a predetermined set value is completed.

상기 임시어드레스는 주요 변수가 저장된 어드레스들의 전단과 후단에 각각 위치되는 것을 특징으로 한다.The temporary address may be located at the front and rear ends of the addresses in which the main variables are stored.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 주요 데이터의 시작과 끝에 위치한 메모리 진단용 체크 변수를 읽어 해당 변수가 미리 지정된 변수가 아닐 경우 오류로 처리함에 따라 매우 단순하게 메모리와 데이터 버스의 건전성을 확인할 수 있다.As described above, the present invention reads the memory diagnostic check variables located at the beginning and the end of the main data, and if the variable is not a predetermined variable, treats it as an error, thereby making it very simple to check the health of the memory and the data bus.

또한, 추가한 새로운 체크 변수는 읽기만 하고 쓰지 않기 때문에 데이터의 안정성이 보장되며, 또한 중요 판별 직전에 자기진단 과정을 1회 더 수행하여 보다 안정적인 동작을 확보할 수 있다.In addition, since the added new check variable is only read and not written, the stability of the data is ensured, and the self-diagnosis process is performed just before the important determination, thereby ensuring more stable operation.

이와 같이 본 발명에서는 복수의 고정 체크 변수로 메모리와 데이터 버스의 건전성을 확인할 수 있으므로 고속으로 데이터 처리가 가능하고 주요 데이터의 수에 상관없이 일정한 속도를 가질 수 있다.As described above, since the health of the memory and the data bus can be confirmed with a plurality of fixed check variables, data can be processed at high speed and have a constant speed regardless of the number of main data.

그리고, 도 6과 같이 주요 데이터가 많을 경우 또는 더 높은 신뢰성을 필요로 할 경우에는 체크 변수를 2개 이상을 사용하여 메모리와 데이터 버스의 건전성을 진단할 수 있다.6, when there is a large amount of main data or when higher reliability is required, two or more check variables may be used to diagnose the health of the memory and the data bus.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 어느 곳에서든지 동일한 부호로 표시 한다. 또한 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. Like elements in the figures are denoted by the same reference numerals wherever possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention will be omitted.

도 1은 일반적인 디지털 보호계전기의 주요 부위를 나타낸 개략적인 구성도로서, 메모리(10; RAM), AD 컨버터(20), 마이크로프로세서(30), 백플레인 컨트롤러(40; Backplane Controller), DPRAM(50; Dual Port Random Access Memory), 및 외부 PLC(90; Programmable Logic Controller) 등을 포함하여 이루어져 있다.FIG. 1 is a schematic block diagram showing a main portion of a general digital protection relay, and includes a memory 10 (RAM), an AD converter 20, a microprocessor 30, a backplane controller 40, and a DPRAM 50; Dual Port Random Access Memory, and an external PLC (Programmable Logic Controller) 90 are included.

상기 각 장치들(10~50)은 데이터 버스(1)를 통해 상호 연결되어 데이터를 송수신한다. 이와 같이 구성된 시스템의 오류 발생을 보면, FG의 미결선 또는 오결선 등으로 데이터 버스가 흔들리는 오류가 있을 수 있고, 메모리(10; RAM), 백플레인 컨트롤러(40), DPRAM(50) 등 주요 변수가 저장 교환되는 주변기기의 불량이나 운전 중 파손되는 경우가 있다. 즉, 상기 장치들 중 어느 한곳에서라도 문제가 발생하면 보호계전기는 비정상적인 동작을 수행하게 되고 오동작을 할 가능성이 매우 높다.Each of the devices 10 to 50 is connected to each other through a data bus 1 to transmit and receive data. When the error occurs in the system configured as described above, there may be an error that the data bus is shaken due to the FG's unconnected or incorrect wiring, and the main variables such as the memory 10 (RAM), the backplane controller 40, and the DPRAM 50 are changed. Peripheral devices that are stored and replaced may be defective or damaged during operation. In other words, if a problem occurs in any one of the devices, the protection relay performs an abnormal operation and is very likely to malfunction.

여기서, 메모리(10; RAM)의 경우 도 2와 같이 어드레스와 데이터(변수)로 이루어져 있으며, 특정 어드레스에 프로그램 및 판단에 사용하는 변수(Variables)가 저장된다. 하지만, 데이터 버스(1)에 하드웨어에서 버틸 수 있는 범주를 넘어선 노이즈가 유입되거나 메모리(10)가 파손되었을 경우 오동작 할 가능성이 높다.Here, the memory 10 (RAM) is composed of an address and data (variables) as shown in FIG. 2, and variables (Variables) used for program and determination are stored at a specific address. However, there is a high possibility that a malfunction may occur when noise beyond the range that hardware can withstand on the data bus 1 or when the memory 10 is damaged.

도 3의 경우 기존의 메모리(10) 및 데이터 버스(1)의 자기진단 처리과정을 나타낸 순서도로서, 상기와 같은 문제(오류)를 감시하기 위해 사용하는 자기진단 처리이다.3 is a flowchart illustrating a self-diagnosis process of the conventional memory 10 and the data bus 1, and is a self-diagnosis process used to monitor such a problem (error).

주요 변수가 저장된 n(n은 주요변수가 저장된 주소임)번째 어드레스의 값을 임시변수로 옮겨두고, 해당 어드레스에 미리 지정된 값(PreDef1)을 라이팅(writing)하였다가 다시 임시변수로 리드하여 저장한다(S1).Move the value of the nth address where the main variable is stored (n is the address where the main variable is stored) to a temporary variable, write the value (PreDef1) pre-specified at the corresponding address, and read it back into the temporary variable and save it. (S1).

상기에서 임시변수로부터 리드한 값과 미리 지정된 값을 상호 비교하여 일치하는지를 비교한다(S2). 여기서, 리드한 값이 미리 지정된 값과 동일할 경우 해당 어드레스에 미리 지정된 다른 값(PreDef2)을 한번 더 라이팅하였다가 읽고 이 값까지 동일할 경우 해당 어드레스에 원래의 데이터를 복원한다(S3~S5).The value read from the temporary variable is compared with a predetermined value by comparing with each other (S2). Here, when the read value is the same as the predetermined value, another value (PreDef2) previously written to the corresponding address is written and read again, and if the read value is the same, the original data is restored to the corresponding address (S3 to S5). .

물론, 상기에서 리드한 값과 미리 지정된 값이 다를 경우에는 오류로 처리한다(S8).Of course, if the value read above and the predetermined value is different, it is treated as an error (S8).

이와 같은 절차를 주요 변수의 개수만큼 수행한다(S6~S7).This procedure is performed as many as the number of main variables (S6 ~ S7).

즉, 기존에는 주요 변수가 저장된 어드레스의 데이터를 임시변수에 저장하고, 해당 어드레스에 미리 정해둔 값을 저장한 후 해당 어드레스의 데이터를 임시변수로 읽어서, 임시변수에 읽힌 값이 미리 정해둔 값이 아니면 오류로 처리하게 된다.That is, in the past, the data of the address where the main variable is stored is stored in the temporary variable, and the predetermined value is stored in the address, and then the data of the address is read as the temporary variable, and the value read in the temporary variable is determined in advance. Otherwise it will be treated as an error.

이와 같은 자기진단 처리 방법은 주요 변수를 임시로 저장하는 어드레스를 미리 정의해 두어야 하고, 그렇지 않을 경우 프로그램이 저장되어 있는 공간을 침범하여 기기에 심각한 오류를 일으킬 수 있어 자기진단 자체가 불가능할 수 있다.This method of self-diagnosis must pre-define an address that temporarily stores major variables, or else it can invade the space where the program is stored and cause a serious error in the device.

또한, 주요 변수가 많아질 경우 프로그램을 처리하는 시간도 증가하는 현상이 발생하고, 고속 동작을 필요로 하는 순시요소 등의 동작시간 지연을 야기하여 기기 자체의 성능에 악영향을 끼칠 수 있다.In addition, when the number of major variables increases, the processing time of the program also increases, and may cause an operation time delay such as instantaneous elements requiring high speed operation, which may adversely affect the performance of the device itself.

이와 같은 진단방법으로는 시간이 많이 필요하기 때문에 고속의 마이크로프 로세서(30)를 사용하여 부가적인 가격 상승의 문제가 있어 저가의 제품에 적용하기에는 적당하지 않을 수 있다.Since such a diagnostic method requires a lot of time, there is a problem of additional price increase by using the high speed microprocessor 30, which may not be suitable for low cost products.

도 4는 본 발명의 실시예에 의한 보호계전기의 메모리와 데이터 버스의 자기진단 처리 과정을 나타낸 순서도로서, 도 1, 도 5 및 도 6을 참조하여 살펴본다.4 is a flowchart illustrating a self-diagnosis process of a memory and a data bus of a protection relay according to an embodiment of the present invention, which will be described with reference to FIGS. 1, 5, and 6.

먼저, 도 5는 본 발명에 의한 주요 변수의 전단과 후단에 새로운 변수를 추가했을 때 메모리(10)의 구조를 나타낸 것이다.First, Figure 5 shows the structure of the memory 10 when a new variable is added to the front and rear of the main variable according to the present invention.

본 발명은 메모리(10)와 데이터 버스(1)의 자기진단을 위해 도 5와 같이 체크 변수(MemCheck Var1, MemCheck Var2)를 소정의 어드레스(0020c570, 0020cxxc)에 추가하였다.In the present invention, for the self-diagnosis of the memory 10 and the data bus 1, check variables MemCheck Var1 and MemCheck Var2 are added to predetermined addresses (0020c570 and 0020cxxc) as shown in FIG.

주요 변수(Important Variables1~Important Variablesxx)의 전단과 후단에 메모리(10)와 데이터 버스(1)의 건전성을 확인하기 위한 임시어드레스(0020c570, 0020cxxc) 및 체크 변수(MemCheck Var1, MemCheck Var2)가 추가되었고, 주요 변수들(Important Variables1~Important Variablesxx)이 추가한 체크 변수 사이에 위치하게 된다.Temporary addresses (0020c570, 0020cxxc) and check variables (MemCheck Var1, MemCheck Var2) have been added at the front and rear of the main variables (Important Variables1 ~ Important Variablesxx) to check the health of memory 10 and data bus (1). , The main variables (Important Variables1 ~ Important Variablesxx) are placed between the added check variables.

이와 같이 구성된 메모리(10)의 적어도 하나 이상의 임시어드레스의 체크 변수(MemCheck Var1, MemCheck Var2)에, 마이크로프로세서(30)는 데이터 버스(1)를 통해 미리 지정된 설정값(PreDef1, PreDef2)을 각각 라이팅(writing)하여 초기화한다(S11).In the check variables MemCheck Var1 and MemCheck Var2 of the at least one temporary address of the memory 10 configured as described above, the microprocessor 30 writes predetermined values PreDef1 and PreDef2, respectively, via the data bus 1. Initialize by writing (S11).

이어, 마이크로프로세서(30)는 상기 제1 임시어드레스(0020c570)에 저장된 데이터(PreDef1)를 제1 임시변수로 리드하여 제1 임시변수가 미리 지정된 제1 설정 값(PreDef1)과 동일한지를 비교하게 된다(S12, S13).Subsequently, the microprocessor 30 reads the data PreDef1 stored in the first temporary address 0020c570 as the first temporary variable to compare whether the first temporary variable is equal to the first predetermined value PreDef1. (S12, S13).

상기에서 마이크로프로세서(30)는 리드한 제1 임시변수가 미리 지정된 제1 설정값과 동일하지 않을 경우에는 데이터 오류로 처리하게 된다(S16). 여기서, 메모리(10)의 임시어드레스에 설정값을 초기화 및 리드하는 과정에 이상이 없다면 제1 임시어드레스에 저장된 데이터와 미리 지정된 제1 설정값(PreDef1)은 동일하다.If the read first temporary variable is not the same as the first predetermined value, the microprocessor 30 processes the data error (S16). Here, if there is no abnormality in the process of initializing and reading the set value in the temporary address of the memory 10, the data stored in the first temporary address and the first predetermined value PreDef1 are identical.

한편, 상기(S13)에서 마이크로프로세서(30)는 리드한 제1 임시변수가 미리 지정된 제1 설정값과 동일할 경우에는, 상기 제2 임시어드레스(0020cxxc)에 저장된 데이터(PreDef2)를 제2 임시변수로 리드하여 제2 임시변수가 미리 지정된 제2 설정값(PreDef2)과 동일한지를 비교하게 된다(S14, S15).Meanwhile, in S13, when the read first temporary variable is the same as a first predetermined value, the microprocessor 30 stores the data PreDef2 stored in the second temporary address 0020cxxc as a second temporary. A variable is read to compare whether or not the second temporary variable is equal to a second predetermined value PreDef2.

상기(S15)에서 마이크로프로세서(30)는 리드한 제2 임시변수가 미리 지정된 제2 설정값과 동일하지 않을 경우에는 데이터 오류로 처리하게 된다(S16).In step S15, when the read-out second temporary variable is not the same as the second predetermined value, the microprocessor 30 processes the data error (S16).

즉, 본 발명에서는 미리 지정된 변수를 읽어서 저장해 둔 값과 동일한지를 비교하여 동일하지 않을 경우에는 오류로 처리하게 된다.In other words, the present invention compares whether a predetermined variable is equal to a stored value and compares it with an error if it is not the same.

주요 변수가 매우 많을 경우에는 도 6과 같이 주요 변수의 전단과 후단, 그리고 중간에 체크 변수를 추가(MemCheck Var1, MemCheck Var2, MemCheck Var3)하는 것이 바람직하고, 이 경우 복수의 체크 변수 중 어느 하나라도 미리 지정된 값과 다를 경우에는 오류로 처리된다.If there are a large number of key variables, it is preferable to add check variables (MemCheck Var1, MemCheck Var2, and MemCheck Var3) in the front, rear, and middle of the main variables as shown in FIG. 6, in which case any one of the plurality of check variables If it is different from the predefined value, it is treated as an error.

따라서, 본 발명에서는 주요 데이터의 시작과 끝에 위치한 메모리 진단용 체크 변수를 읽어 해당 변수가 미리 지정된 변수가 아닐 경우 오류로 처리함에 따라 매우 단순하게 메모리(10)와 데이터 버스(1)의 건전성을 확인할 수 있다.Therefore, in the present invention, it is very simple to check the health of the memory 10 and the data bus 1 by reading the memory diagnostic check variables located at the beginning and the end of the main data and treating them as errors when the variables are not predetermined. have.

또한, 추가한 새로운 체크 변수는 읽기만 하고 쓰지 않기 때문에 데이터의 안정성이 보장되며, 또한 중요 판별 직전에 자기진단 과정을 1회 더 수행하여 보다 안정적인 동작을 확보할 수 있다.In addition, since the added new check variable is only read and not written, the stability of the data is ensured, and the self-diagnosis process is performed just before the important determination, thereby ensuring more stable operation.

이와 같이 본 발명에서는 복수의 고정 체크 변수로 메모리와 데이터 버스의 건전성을 확인할 수 있으므로 고속으로 데이터 처리가 가능하고 주요 데이터의 수에 상관없이 일정한 속도를 가질 수 있다.As described above, since the health of the memory and the data bus can be confirmed with a plurality of fixed check variables, data can be processed at high speed and have a constant speed regardless of the number of main data.

그리고, 도 6과 같이 주요 데이터가 많을 경우 또는 더 높은 신뢰성을 필요로 할 경우에는 체크 변수를 2개 이상을 사용하여 메모리와 데이터 버스의 건전성을 진단할 수 있다.6, when there is a large amount of main data or when higher reliability is required, two or more check variables may be used to diagnose the health of the memory and the data bus.

상기의 본 발명은 바람직한 실시예를 중심으로 살펴보았으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적 기술 범위 내에서 상기 본 발명의 상세한 설명과 다른 형태의 실시예들을 구현할 수 있을 것이다. 여기서 본 발명의 본질적 기술범위는 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the preferred embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains to the detailed description of the present invention and other forms of embodiments within the essential technical scope of the present invention. Could be. Here, the essential technical scope of the present invention is shown in the claims, and all differences within the equivalent range will be construed as being included in the present invention.

도 1은 일반적인 디지털 보호계전기의 주요 부위를 나타낸 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating main parts of a general digital protective relay.

도 2는 일반적인 메모리 구조를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a general memory structure.

도 3은 종래기술에 의한 메모리 자기진단 과정을 나타낸 플로우챠트이다.3 is a flowchart illustrating a memory self-diagnosis process according to the related art.

도 4는 본 발명에 의한 메모리 자기진단 과정을 나타낸 플로우챠트이다.4 is a flowchart illustrating a memory self-diagnosis process according to the present invention.

도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 의한 메모리 구조를 각각 나타낸 도면이다.5 and 6 are diagrams each illustrating a memory structure according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1: 데이터 버스 10: 메모리1: data bus 10: memory

30: 마이크로프로세서30: microprocessor

Claims (4)

메모리에 고정된 위치의 적어도 둘 이상의 임시어드레스를 구성하는 단계;Configuring at least two temporary addresses at fixed locations in memory; 메모리의 적어도 둘 이상의 임시어드레스에 미리 지정된 설정값을 각각 라이팅하여 초기화하는 초기화단계;An initialization step of writing and initializing predetermined values respectively set in at least two temporary addresses of the memory; 상기 어느 하나의 임시어드레스에 저장된 데이터를 리드하고, 리드된 데이터와 미리 지정된 설정값을 서로 비교하는 비교단계; 및A comparison step of reading data stored in the one temporary address and comparing the read data with a predetermined set value; And 상기에서 리드한 데이터와 미리 지정된 설정값이 동일하지 않을 경우에는 데이터 오류로 판정하여 처리하는 판정단계를 포함하고,A determination step of determining and processing as a data error when the data read above and the predetermined set value are not the same; 상기 적어도 둘 이상의 임시어드레스 중 2개의 임시어드레스 각각은 주요 변수가 저장된 어드레스들의 전단과 후단에 위치되고, 상기 적어도 둘 이상의 임시어드레스에 저장된 데이터는 읽기-전용인, 보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법.Each of the two temporary addresses of the at least two temporary addresses is located at the front and the rear of the addresses in which the main variables are stored, and the data stored in the at least two temporary addresses are read-only, for the self-diagnosis of the protection relay. Way. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 적어도 둘 이상의 임시어드레스에 각각 저장된 데이터와 미리 지정된 설정값의 비교가 모두 완료될 때까지 비교단계와 판정단계를 반복 수행하는, 보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법.And repeating the comparison step and the determination step until all comparisons of the data stored in each of the at least two temporary addresses with a predetermined set value are completed. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 임시어드레스는 주요 변수가 저장된 어드레스들의 중간에 추가적으로 위치되는, 보호계전기의 오동작 방지를 위한 자기진단 방법.And the temporary address is additionally located in the middle of addresses at which main variables are stored.
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