KR101081748B1

KR101081748B1 - Sputtering system

Info

Publication number: KR101081748B1
Application number: KR1020090085066A
Authority: KR
Inventors: 신원호
Original assignee: 주식회사 티엔텍
Priority date: 2009-09-09
Filing date: 2009-09-09
Publication date: 2011-11-09
Also published as: KR20110027116A

Abstract

A sputtering system capable of improving throughput in response to a large area flat substrate is disclosed. The sputtering system according to the present invention is connected to a load lock chamber and a load lock chamber capable of performing a switch between atmospheric pressure and a vacuum for loading and unloading a flat substrate, and a sputtering target for depositing a thin film on the flat substrate at regular intervals. A process chamber in which a plurality of columns are arranged and mounted in a row, a transfer roller unit for moving the plate substrate between the load lock chamber and the process chamber, and attached to the process chamber, wherein the plate substrate is mounted on the plate substrate Oscillation device that shakes in the horizontal direction, a protective cover covering the edge of the flat plate moved into the process chamber, and a protective cover lifting device attached to the process chamber to raise and lower the protective cover in a direction perpendicular to the flat plate. Include.

Sputtering System, Large Area, Flat Board, Throughput

Description

Sputtering system

본 발명은 스퍼터링 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적의 평판 기판에 대응하여 쓰루풋을 향상시킬 수 있도록 복수의 스퍼터링 타겟이 사용되는 스퍼터링 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a sputtering system, and more particularly, to a sputtering system in which a plurality of sputtering targets are used to improve throughput in response to a large area flat substrate.

플라즈마(plasma)를 이용하는 스퍼터링 기술은 반도체, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), 솔라셀(Solar Cell) 등의 제조 분야에서 박막의 증착에 보편적으로 이용되고 있다. Sputtering technology using plasma is commonly used for the deposition of thin films in the manufacturing fields of semiconductors, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), solar cells, and the like.

특히, LCD, PDP, 솔라셀 등의 제조에 적합한 대면적의 평판 기판에 박막을 증착하기 위한 스퍼터링 시스템은 통상 평판 기판의 로딩을 위하여 대기압과 진공 상태를 전환시키는 진입측 로드락 챔버(Load-lock Chamber), 평판 기판의 표면에 박막을 증착시키는 공정 챔버(Process Chamber), 평판 기판의 언로딩을 위하여 대기압과 진공 상태를 전환시키는 배출측 로드락 챔버가 일렬로 배열되는 구조를 취한다. 그러나 작업 공간의 효율성을 위하여 진입측 로드락 챔버와 배출측 로드락 챔버는 하나의 로드락 챔버로 그 역할을 함께 할 수 있다. 또한 로드락 챔버와 공정 챔버 사이에는 평판 기판을 가열시키거나 냉각시키는 히팅용/쿨링용 버퍼 챔 버(Buffer Chamber)가 추가로 사용될 수 있다. In particular, sputtering systems for depositing thin films on large-area flat substrates suitable for the manufacture of LCDs, PDPs, solar cells, etc., typically have an entry-side load lock chamber that switches between atmospheric pressure and vacuum for loading flat substrates. Chamber), a process chamber for depositing a thin film on the surface of the flat substrate, and a discharge side load lock chamber for switching between atmospheric pressure and vacuum for unloading the flat substrate. However, for the efficiency of the working space, the entry side load lock chamber and the discharge side load lock chamber can serve as one load lock chamber. In addition, a heating / cooling buffer chamber may be additionally used between the load lock chamber and the process chamber to heat or cool the flat substrate.

그러나 대면적의 평판 기판에 박막을 증착시키기 위해서는 이에 대응하는 대면적의 스퍼터링 타겟을 사용하거나, 평판 기판의 일부분씩을 순차적으로 증착하여만 한다. 대면적의 스퍼터링 타겟을 사용하는 경우, 스퍼터링 타겟 제조 및 스퍼터링 장치 제조에 소요되는 비용이 급격하게 증가할 수 밖에 없는 문제점이 있다. 또한 평판 기판의 일부분씩을 순차적으로 증착하는 경우에는 균일도(uniformity) 및 쓰루풋(throughput)이 떨어지는 문제점이 있다. However, in order to deposit a thin film on a large-area flat substrate, a corresponding sputtering target having a large area or a portion of the flat substrate must be sequentially deposited. In the case of using a large area sputtering target, there is a problem that the cost required for the production of the sputtering target and the sputtering apparatus is inevitably increased. In addition, in the case of sequentially depositing a portion of the flat substrate, there is a problem in that uniformity and throughput decrease.

본 발명의 기술적 과제는 대면적의 평판 기판에 대응하여 쓰루풋을 향상시키고 증착된 박막의 균일도를 개선할 수 있는 복수의 스퍼터링 타겟을 장착한 스퍼터링 시스템을 제공함에 있다. An object of the present invention is to provide a sputtering system equipped with a plurality of sputtering targets capable of improving throughput and improving uniformity of a deposited thin film corresponding to a large area flat substrate.

상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 스퍼터링 시스템을 제공한다. In order to solve the above technical problem, the present invention provides a sputtering system as follows.

본 발명에 따른 스퍼터링 시스템은 평판 기판의 로딩과 언로딩을 위하여 대기압과 진공간의 전환을 실행할 수 있는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버와 연결되며, 상기 평판 기판 상에 박막을 증착하기 위한 스퍼터링 타겟이 일정 간격으로 복수 개가 열을 지어 배치되어 장착되는 공정 챔버, 상기 평판 기판을 상기 로드락 챔버와 상기 공정 챔버 사이에서 이동시키는 이송 롤러부, 상기 공정 챔버에 부착되며, 상기 평판 기판 상에 상기 박막이 증착되는 동안 상기 평판 기판을 상기 평판 기판과 수평한 방향으로 흔들어주는 진동 장치, 상기 공정 챔버 내로 이동된 상기 평판 기판의 테두리부를 가리도록 덮는 보호 덮개 및 상기 공정 챔버에 부착되어 상기 보호 덮개를 상기 평판 기판과 수직한 방향으로 승하강해주는 보호 덮개 승하강 장치를 포함한다. The sputtering system according to the present invention is a load lock chamber capable of performing a switch between atmospheric pressure and vacuum for loading and unloading a flat plate substrate, and connected to the load lock chamber, and a sputtering target for depositing a thin film on the flat plate substrate A process chamber in which a plurality of rows are arranged and mounted at regular intervals, a transfer roller unit for moving the plate substrate between the load lock chamber and the process chamber, and attached to the process chamber, wherein the thin film is formed on the plate substrate. A vibrating device which shakes the plate substrate in a direction parallel to the plate substrate during deposition, a protective cover covering the edge of the plate substrate moved into the process chamber, and a protective cover attached to the process chamber to attach the protective cover to the plate And a protective cover elevating device for elevating in a direction perpendicular to the substrate.

본 발명에 따른 스퍼터링 시스템은 상기 보호 덮개 승하강 장치에 보호 덮개 승강 신호 및 하강 신호를 인가하고, 상기 진동 장치에 진동 제어 신호를 인가하는 제어부를 더 포함할 수 있다. The sputtering system according to the present invention may further include a controller for applying a protective cover lifting signal and a falling signal to the protective cover lifting device, and applying a vibration control signal to the vibration device.

상기 보호 덮개는 상기 평판 기판이 노출되도록 하는 관통창을 가지며, 상기 관통창은 상기 평판 기판의 면적보다 적은 관통 면적을 가질 수 있다. The protective cover may have a through window through which the flat substrate is exposed, and the through window may have a through area smaller than that of the flat substrate.

상기 제어부는 상기 평판 기판의 측면부가 모두 상기 보호 덮개의 하부에 위치할 때, 상기 보호 덮개가 상기 평판 기판에 인접하여 상기 평판 기판 상면의 테두리부를 덮도록 상기 보호 덮개 승하강 장치에 상기 보호 덮개 하강 신호를 인가할 수 있다. The control unit lowers the protective cover to the protective cover elevating device so that when the side portions of the flat substrate are all located below the protective cover, the protective cover covers the edge portion of the upper surface of the flat substrate adjacent to the flat substrate. Signal can be applied.

상기 제어부는, 상기 보호 덮개가 상기 평판 기판 상면 상에 미리 정해진 인접 간격만큼 인접했을 때, 상기 평판 기판을 흔들어주도록 상기 진동 장치에 진동 제어 신호를 인가할 수 있다. The control unit may apply a vibration control signal to the vibration device to shake the flat plate when the protective cover is adjacent to the top surface of the flat plate by a predetermined adjacent interval.

상기 진동 장치는, 상기 평판 기판과 상기 보호 덮개를 함께 흔들어줄 수 있다. The vibration device may shake the flat plate and the protective cover together.

상기 진동 장치는, 상기 평판 기판을 흔들어주는 방향에 수직한 방향으로 연장되는 구동 축, 상기 구동 축을 양 방향으로 회전하는 회전 모터, 상기 구동 축에 연결되며 상기 평판 기판과 맞닿는 제1 롤러 및 상기 구동 축에 연결되며 상기 보호 덮개와 맞닿는 제2 롤러를 포함할 수 있다. The vibration device includes a drive shaft extending in a direction perpendicular to the direction of shaking the flat plate substrate, a rotary motor rotating the drive shaft in both directions, a first roller connected to the drive shaft and in contact with the flat plate substrate, and the drive. It may include a second roller connected to the shaft and in contact with the protective cover.

상기 인접 간격은 0.5㎜ 내지 3㎜일 수 있다. The adjacent spacing may be 0.5 mm to 3 mm.

상기 제어부가 상기 보호 덮개 하강 신호를 인가할 때, 상기 관통창의 테두리는 상기 평판 기판과 수평 방향으로 상기 평판 기판의 측면부로부터 상기 평판 기판의 중심부로 1㎜ 내지 5㎜의 폭를 가지고 위치하도록 형성될 수 있다. When the controller applies the protective cover falling signal, the edge of the through-window may be formed to have a width of 1 mm to 5 mm from a side portion of the flat substrate to a central portion of the flat substrate in a horizontal direction with the flat substrate. have.

상기 제어부는, 상기 평판 기판 상면 상에 박막의 증착이 완료된 후, 진동 제어 신호를 중지하고, 상기 보호 덮개가 상기 평판 기판으로부터 멀어지도록 상기 보호 덮개 승하강 장치에 상기 보호 덮개 상승 신호를 인가할 수 있다. The control unit may stop the vibration control signal after the deposition of the thin film on the upper surface of the flat substrate and apply the protective cover rising signal to the protective cover elevating device to move the protective cover away from the flat substrate. have.

상기 보호 덮개 승하강 장치는, 상기 보호 덮개와 접촉하여 상기 보호 덮개를 승하강할 수 있는 보호 덮개 지지부, 상기 보호 덮개 지지부와 연결되며 상기 평판 기판과 수직 방향으로 연장되는 보호 덮개 지지축 및 상기 보호 덮개 지지축을 승하강하는 승하강 구동부를 포함하며, 상기 보호 덮개는, 하면에 상기 보호 덮개 지지부와 대응하는 지지홀을 더 포함할 수 있다. The protective cover elevating device may include a protective cover support part capable of raising and lowering the protective cover in contact with the protective cover, a protective cover support shaft connected to the protective cover support part and extending in a direction perpendicular to the flat substrate and the protective cover. And a lift driver configured to lift and lower the support shaft, and the protective cover may further include a support hole corresponding to the protective cover support part on a lower surface thereof.

본 발명에 따른 스퍼터링 시스템은 대면적의 평판 기판에 박막을 증착할 때, 쓰루풋을 향상하고 증착된 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다. The sputtering system according to the present invention can improve throughput and improve uniformity of the deposited thin film when depositing a thin film on a large-area flat substrate.

또한 평판 기판의 측면 또는 하면에 박막이 증착되는 현상을 방지할 수 있어, 후속 공정에서 불량을 야기할 수 있는 파티클의 발생을 근본적으로 차단할 수 있다. In addition, it is possible to prevent the deposition of a thin film on the side or the bottom of the flat substrate, it is possible to fundamentally block the generation of particles that can cause defects in the subsequent process.

이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 스퍼터링 시스템을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시 예들에 한정되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 즉, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 본문에 설명된 실시 예들에 의해 한정되는 것이 아니므로 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, a sputtering system according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments, and those skilled in the art will appreciate the technical features of the present invention. The present invention may be embodied in various other forms without departing from the spirit thereof. That is, specific structural to functional descriptions are merely illustrated for the purpose of describing embodiments of the present invention, and embodiments of the present invention may be embodied in various forms and should be construed as being limited to the embodiments described herein. No. It is not to be limited by the embodiments described in the text, it should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "부착되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 부착되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해될 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 부착되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석될 것이다.When a component is said to be "connected" or "attached" to another component, it may be directly connected to or attached to that other component, but it may be understood that other components may be present in the middle. Will be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly attached" to another component, it will be understood that there is no other component in between. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly neighboring", will likewise be interpreted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해될 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "include" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, or combination thereof described, and one or more other features or numbers, It will be understood that it does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of steps, actions, components, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries are to be interpreted as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and are not construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. .

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 시스템을 도시한 개략도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a sputtering system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 스퍼터링 시스템(1)은 열을 지어 배치되는 제1 로드락 챔버(210), 공정 챔버(100), 제2 로드락 챔버(220)를 포함할 수 있다. 도시한 것과 같이 제1 로드락 챔버(210)와 제2 로드락 챔버(220)를 별도로 포함하는 경우, 제1 로드락 챔버(210)와 제2 로드락 챔버(220)는 각각 평판 기판(10)의 로딩을 위하여 대기압과 진공 상태를 전환시키는 진입측 로드락 챔버와 평판 기판(10)의 언로딩을 위하여 대기압과 진공 상태를 전환시키는 배출측 로드락 챔버의 역할을 할 수 있다. 그러나, 제1 로드락 챔버(210) 또는 제2 로드락 챔버(220) 중 하나의 로드락 챔버만을 장착한 후, 평판 기판(10)의 로딩 및 언로딩 모두를 위하여 대기압과 진공 상태 사이를 전환시키도록 하는 것도 가능하다. Referring to FIG. 1, the sputtering system 1 may include a first load lock chamber 210, a process chamber 100, and a second load lock chamber 220 arranged in rows. As shown in the drawing, when the first load lock chamber 210 and the second load lock chamber 220 are separately included, the first load lock chamber 210 and the second load lock chamber 220 are each a flat substrate 10. It may serve as the entry-side load lock chamber for switching the atmospheric pressure and vacuum state for the loading of) and the discharge side load lock chamber for switching the atmospheric pressure and vacuum state for the unloading of the plate substrate 10. However, after mounting only one load lock chamber of either the first load lock chamber 210 or the second load lock chamber 220, it switches between atmospheric pressure and vacuum state for both loading and unloading of the flat plate substrate 10. It is also possible to make it.

또한 도시하지는 않았으나, 제1 로드락 챔버(210)와 공정 챔버(100) 사이 또는 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이에 평판 기판(10)을 가열시키거나 냉각시킬 수 있는 가열 버퍼 챔버 또는 냉각 버퍼 챔버, 또는 가열/냉각 겸용 버퍼 챔버 등의 버퍼 챔버를 추가로 장착할 수 있다. In addition, although not shown, the plate substrate 10 may be heated or cooled between the first load lock chamber 210 and the process chamber 100 or between the second load lock chamber 220 and the process chamber 100. A buffer chamber such as a heating buffer chamber or a cooling buffer chamber, or a heating / cooling combined buffer chamber may be further mounted.

공정 챔버(100)에서 제1 로드락 챔버(210) 또는 제2 로드락 챔버(220)를 향 하는 방향으로의 일측에는 진공을 차단하기 위한 게이트 밸브(230)가 부착될 수 있다. 또한 전술한 바와 같이 상기 버퍼 챔버를 추가로 사용하는 경우에는 공정 챔버(100)와 상기 버퍼 챔버 사이, 또는 상기 버퍼 챔버와 제1 로드락 챔버(210) 또는 제2 로드락 챔버(220) 사이에도 게이트 밸브(230)가 부착될 수 있다. A gate valve 230 may be attached to one side of the process chamber 100 in the direction toward the first load lock chamber 210 or the second load lock chamber 220. In addition, as described above, when the buffer chamber is additionally used, between the process chamber 100 and the buffer chamber, or between the buffer chamber and the first load lock chamber 210 or the second load lock chamber 220. Gate valve 230 may be attached.

또한 제1 로드락 챔버(210)와 제2 로드락 챔버(220)는 공정 챔버(100)를 향하는 반대 방향으로의 일측에 진공을 차단하기 위한 챔버 도어(212, 222)를 각각 포함할 수 있다. 챔버 도어(212, 222)는 제1 로드락 챔버(210)에 평판 기판(10)이 로딩된 후 또는 제2 로드락 챔버(220)에서 평판 기판(10)이 언로딩되기 전에 제1 로드락 챔버(210) 또는 제2 로드락 챔버(220) 내의 진공을 유지시켜주기 위하여 사용될 수 있다. In addition, the first load lock chamber 210 and the second load lock chamber 220 may include chamber doors 212 and 222 for blocking the vacuum on one side in the opposite direction toward the process chamber 100, respectively. . The chamber doors 212 and 222 may include a first load lock after the plate substrate 10 is loaded into the first load lock chamber 210 or before the plate substrate 10 is unloaded from the second load lock chamber 220. It may be used to maintain a vacuum in the chamber 210 or the second load lock chamber 220.

스퍼터링 시스템(1)은 또한 평판 기판(10)을 이동시키는 이송 롤러부(300)를 포함할 수 있다. 이송 롤러부(300)에 포함된 롤러(310)들의 상부에 올려진 평판 기판(10)은 롤러(310)들의 회전에 의하여 제1 로드락 챔버(210)와 공정 챔버(100) 사이, 또는 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이를 이동할 수 있으며, 제1 로드락 챔버(210), 제2 로드락 챔버(220) 또는 공정 챔버(100) 내에서의 부분적인 이동도 할 수 있다. 이송 롤러부(300)에 의하여 평판 기판(10)은 한 방향(x 방향) 또는 상기 한 방향(x 방향)의 반대 방향(-x 방향)으로 이동할 수 있다. The sputtering system 1 may also include a transfer roller portion 300 for moving the flat substrate 10. The flat plate substrate 10 mounted on the rollers 310 included in the transfer roller unit 300 may be formed between the first load lock chamber 210 and the process chamber 100 or by the rotation of the rollers 310. 2 may move between the load lock chamber 220 and the process chamber 100, and may also partially move within the first load lock chamber 210, the second load lock chamber 220, or the process chamber 100. Can be. The flat plate substrate 10 may move in one direction (x direction) or in the opposite direction (-x direction) by the feed roller unit 300.

공정 챔버(100)는 복수의 스퍼터링 타겟(110)들을 포함할 수 있다. 복수의 스퍼터링 타겟(110)들은 이송 롤러부(300)에 의한 평판 기판(10)의 이동 방향(x 방향 또는 -x 방향)을 따라서 일정 간격으로 열을 지어 배치될 수 있다. 복수의 스퍼 터링 타겟(110)들은 동일한 크기를 가지며, 동일한 물질로 이루어진 동일 규격의 스퍼터링 타겟일 수 있다. 공정 챔버(100)에 대한 자세한 구성에 대해서는 뒤에서 자세히 설명하도록 한다. The process chamber 100 may include a plurality of sputtering targets 110. The plurality of sputtering targets 110 may be arranged in rows at regular intervals along the moving direction (x direction or −x direction) of the flat substrate 10 by the transfer roller unit 300. The plurality of sputtering targets 110 may have the same size and may be sputtering targets having the same specification made of the same material. Detailed configuration of the process chamber 100 will be described later.

또한 스퍼터링 시스템(1)에는 스퍼터링 시스템(1)의 전체 운용을 관리하고 제어하는 제어부(900)가 연결될 수 있다. 제어부(900)는 스퍼터링 시스템(1) 내부에서 평판 기판(10)의 이동 및 박막 증착 공정 등을 제어할 수 있다. In addition, the sputtering system 1 may be connected to a control unit 900 for managing and controlling the overall operation of the sputtering system (1). The controller 900 may control the movement of the flat substrate 10 and the thin film deposition process in the sputtering system 1.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 시스템을 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating a sputtering system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 공정 챔버(100)는 복수의 스퍼터링 타겟(110)들을 포함할 수 있다. 이때, 공정 챔버(100)의 외부에 복수의 스퍼터링 타겟(110)이 직접 노출되지는 않으나, 발명의 이해를 위하여 공정 챔버(100) 내의 복수의 스퍼터링 타겟(110)을 투시하여 나타내도록 한다. 복수의 스퍼터링 타겟(110) 각각은 평판 기판의 이동 방향(x 방향 또는 -x 방향)에 수직 방향(y 방향)으로 연장된 형태를 가지는 바(bar) 형상을 가질 수 있다. 즉, 복수의 스퍼터링 타겟(110) 각각은 평판 기판의 이동 방향(x 방향 또는 -x 방향)으로 단축을 가지고, 평판 기판의 이동 방향(x 방향 또는 -x 방향)에 수직 방향(y 방향)으로 장축을 가지는 직사각형의 바 형상을 가질 수 있다. Referring to FIG. 2, the process chamber 100 may include a plurality of sputtering targets 110. In this case, although the plurality of sputtering targets 110 are not directly exposed to the outside of the process chamber 100, the plurality of sputtering targets 110 in the process chamber 100 are shown through perspective for understanding of the present invention. Each of the plurality of sputtering targets 110 may have a bar shape having a shape extending in a vertical direction (y direction) to a moving direction (x direction or −x direction) of the flat substrate. That is, each of the plurality of sputtering targets 110 has a short axis in the moving direction (x direction or -x direction) of the flat plate substrate, and is perpendicular to the moving direction (x direction or -x direction) of the flat plate substrate (y direction). It may have a rectangular bar shape having a long axis.

또한 복수의 스퍼터링 타겟(110)들은 평판 기판의 이동 방향(x 방향 또는 -x 방향)을 따라서 일정 간격으로 가지도록 열을 지어 배치될 수 있다. In addition, the plurality of sputtering targets 110 may be arranged in rows so as to have a predetermined interval along the moving direction (x direction or -x direction) of the flat substrate.

스퍼터링 시스템(1)에서 박막을 증착하기 위한 평판 기판은 제1 로드락 챔버(210)에 부착된 게이트 밸브(230)가 닫힌 상태에서 챔버 도어(212)가 열린 후에 제1 로드락 챔버(210) 내로 로딩될 수 있다. 평판 기판이 제1 로드락 챔버(210) 내로 모두 로딩되면 챔버 도어(212)가 닫히고, 제1 로드락 챔버(210) 내부가 대기압에서 진공 상태로 전환될 수 있다. 이 과정은 제1 로드락 챔버(210)에 부착된 진공 펌프(미도시)에 의하여 수행될 수 있다. 제1 로드락 챔버(210)가 진공 상태로 전환된 후 제1 로드락 챔버(210)에 부착된 게이트 밸브(230)가 열리게 되며, 이송 롤러부(300)에 의하여 평판 기판은 공정 챔버(100)로 이동하게 된다. 이 과정에서 평판 기판은 버퍼 챔버(미도스)를 추가로 거치면서 증착 공정이 원활히 이루어질 수 있도록 가열될 수 있다. A flat substrate for depositing a thin film in the sputtering system 1 may include a first load lock chamber 210 after the chamber door 212 is opened with the gate valve 230 attached to the first load lock chamber 210 closed. Can be loaded into. When all of the flat substrates are loaded into the first load lock chamber 210, the chamber door 212 may be closed, and the interior of the first load lock chamber 210 may be switched from atmospheric pressure to a vacuum state. This process may be performed by a vacuum pump (not shown) attached to the first load lock chamber 210. After the first load lock chamber 210 is converted into a vacuum state, the gate valve 230 attached to the first load lock chamber 210 is opened, and the flat substrate is transferred to the process chamber 100 by the transfer roller unit 300. Will be moved to). In this process, the flat substrate may be heated to allow the deposition process to be performed smoothly while additionally passing through the buffer chamber (midos).

그 후, 평판 기판은 공정 챔버(100)에서 박막의 증착이 완료된 후에는 제2 로드락 챔버(220)를 통하여 언로딩되게 된다. 평판 기판이 언로딩되는 과정은 전술한 평판 기판의 로딩 과정과 반대로 이루어질 수 있다. 또한 제1 로드락 챔버(210)만 장착된 경우에는 다시 제1 로드락 챔버(210)를 통하여 평판 기판의 로딩 과정과 반대의 과정을 통하여 평판 기판이 언로딩될 수 있다. Thereafter, the flat substrate is unloaded through the second load lock chamber 220 after the deposition of the thin film in the process chamber 100 is completed. The unloading of the flat substrate may be performed in a reverse manner to the loading process of the flat substrate described above. In addition, when only the first load lock chamber 210 is mounted, the plate substrate may be unloaded again through a process opposite to that of loading the plate substrate through the first load lock chamber 210.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 시스템의 공정 챔버 내로 평면 기판이 이동하는 모습을 나타내는 개략도이다. 도 3 이후의 도면에서는 제1 로드락 챔버(210)와 제2 로드락 챔버(220)는 생략될 수 있다. 따라서 게이트 밸브(230) 사이의 공정 챔버(100)를 위주로 도시될 수 있다. 3 is a schematic diagram illustrating a planar substrate moving into a process chamber of a sputtering system according to an exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 3 and subsequent drawings, the first load lock chamber 210 and the second load lock chamber 220 may be omitted. Therefore, the process chamber 100 between the gate valve 230 may be mainly shown.

도 3을 참조하면, 평판 기판(10)은 이송 롤러부(300)에 의하여 공정 챔버(100) 내부로 이동하게 된다. 이하에서는 이러한 평판 기판(10)이 이동하는 방향(x축 방향, 또는 경우에 따라서 -x축 방향)을 이송 방향이라 지칭할 수 있다. 이 때, 보호 덮개(120)는 보호 덮개 승하강 장치(130)에 의하여 평판 기판(10)보다 높게 위치할 수 있다. 즉, 보호 덮개(120)의 최하면이 평판 기판(10)의 상면보다 위쪽(z축 방향)에 위치하도록 할 수 있다. 이후 평판 기판(10)은 공정 챔버(100)의 증착 영역인 복수의 스퍼터링 타겟(110)들의 하부에 도착할 때까지 이동할 수 있다. Referring to FIG. 3, the flat substrate 10 is moved into the process chamber 100 by the transfer roller part 300. Hereinafter, the direction in which the flat substrate 10 moves (the x-axis direction or, in some cases, the -x-axis direction) may be referred to as a transfer direction. In this case, the protective cover 120 may be positioned higher than the flat substrate 10 by the protective cover elevating device 130. That is, the lowermost surface of the protective cover 120 may be positioned above the upper surface of the flat substrate 10 (z-axis direction). Thereafter, the flat substrate 10 may move until it arrives below the plurality of sputtering targets 110, which are deposition regions of the process chamber 100.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 평판 기판을 덮기 위하여 보호 덮개를 하강하는 모습을 나타내는 개략도이다.4 is a schematic view showing a state in which the protective cover is lowered to cover the flat substrate according to the embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 평판 기판(10)이 공정 챔버(100)의 증착 영역인 복수의 스퍼터링 타겟(110)들의 하부에 도착하면, 이송 롤러부(300)가 가동을 멈추어 평판 기판(10)은 정지할 수 있다. 이 과정에서 모니터링 장치, 예를 들면 비전 시스템에 의하여 평판 기판(10)의 위치를 정확하게 판독할 수 있다. 이는 후술할 보호 덮개(120)와 평판 기판(10) 사이의 위치 관계에 따른 평판 기판(10)의 올바른 위치를 정확히 조정하기 위함이다. Referring to FIG. 4, when the flat substrate 10 arrives at a lower portion of the plurality of sputtering targets 110, which are deposition regions of the process chamber 100, the transfer roller unit 300 stops operation and the flat substrate 10 You can stop. In this process, the position of the flat substrate 10 can be accurately read by a monitoring device, for example, a vision system. This is to accurately adjust the correct position of the flat substrate 10 according to the positional relationship between the protective cover 120 and the flat substrate 10 to be described later.

평판 기판(10)이 공정 챔버(100) 내의 올바른 위치에 도달하여 정지하면, 제어부(900)는 보호 덮개 승하강 장치(130)에 보호 덮개 하강 신호(900s-d)를 인가하여 보호 덮개(120)를 평판 기판(10)에 인접하도록 하강시킬 수 있다. 평판 기판(10)이 공정 챔버(100) 내의 올바른 위치에 도달하여 보호 덮개(120)가 평판 기판(10)에 인접하도록 하강할 때의 평면도는 도 10에서 구체적으로 설명하도록 한다. When the flat substrate 10 reaches the correct position in the process chamber 100 and stops, the controller 900 applies the protective cover lowering signal 900s-d to the protective cover elevating device 130 to protect the protective cover 120. ) May be lowered to be adjacent to the flat substrate 10. A plan view when the flat substrate 10 reaches the correct position in the process chamber 100 and the protective cover 120 descends to be adjacent to the flat substrate 10 will be described in detail with reference to FIG. 10.

보호 덮개 승하강 장치(130)는 보호 덮개 지지부(132), 보호 덮개 지지 축(134) 및 승하강 구동부(136)를 포함할 수 있다. 즉 제어부(900)에서 보호 덮개 승하강 장치(130)에 보호 덮개 하강 신호(900s-d)를 인가하면, 승하강 구동부(136)가 가동하여, 보호 덮개 지지축(134)을 통하여 연결된 보호 덮개 지지부(132)를 하강시킬 수 있다. 예를 들면, 승하강 구동부(136)는 모터일 수 있다. 보호 덮개 지지축(134)은 평판 기판(10)에 대하여 수직 방향으로 연장될 수 있다. The protective cover elevating device 130 may include a protective cover support 132, a protective cover support shaft 134, and an elevating driving unit 136. That is, when the control unit 900 applies the protective cover lowering signal 900s-d to the protective cover elevating device 130, the elevating drive unit 136 is activated, and the protective cover connected through the protective cover support shaft 134. The support 132 may be lowered. For example, the lift driver 136 may be a motor. The protective cover support shaft 134 may extend in a vertical direction with respect to the flat substrate 10.

보호 덮개(120)의 하면에는 보호 덮개 지지부(132)에 대응하는 지지홀(122)이 형성될 수 있다. 보호 덮개 지지부(132)이 지지홀(122)에 안착되어 있기 때문에, 보호 덮개(120)는 평판 기판(10)에 대하여 수평 방향으로 위치 이동없이 하강될 수 있다. 또는 보호 덮개 지지부(132)는 지지홀(122)에 결합되어 있을 수 있다. A support hole 122 corresponding to the protective cover support part 132 may be formed on the lower surface of the protective cover 120. Since the protective cover support part 132 is seated in the support hole 122, the protective cover 120 may be lowered without moving in the horizontal direction with respect to the flat substrate 10. Alternatively, the protective cover supporter 132 may be coupled to the support hole 122.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 평판 기판에 박막을 증착하는 모습을 나타내는 개략도이다.5 is a schematic view showing a state of depositing a thin film on a flat substrate according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 보호 덮개(120)가 평판 기판(10)의 상면에 인접하여 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)를 덮게되면, 평판 기판(10)과 보호 덮개(120)는 이송 롤러부(300)에 의하여 이송 방향 및 역방향(x 방향, -x 방향)을 반복적으로 이동하도록 흔들리면서 스퍼터링 과정이 수행된다. 즉, 평판 기판(10)이 이송 롤러부(300)에 의한 이송 방향 및 역방향을 반복적으로 이동하도록 흔들리면서 평판 기판(10) 상에 스퍼터링에 의한 박면이 형성될 수 있다. 구체적으로는 이송 롤러부(300)의 각 롤더들이 반복적으로 양방향으로 회전을 반복하여, 이송 롤러부(300)의 각 롤러들 상에 접촉하는 평판 기판(10)을 양방향으로 흔들어줄 수 있다. 이때, 보호 덮개 승하강 장치(130)는 보호 덮개 지지부(132)가 보호 덮개(120)로부터 완 전히 분리되어 이러한 평판 기판(10)과 보호 덮개(120)의 흔들림에 영향을 주지 않도록 할 수 있다. 즉, 보호 덮개 지지부(132)의 최상단은 보호 덮개(120)의 최하면보다 낮게 위치하도록 할 수 있다. 이는 보호 덮개(120) 또한 이송 롤러부(300)의 각 롤러들 상에 접촉하기 때문에 가능할 수 있다.Referring to FIG. 5, when the protective cover 120 covers the edge portion 10-o of the flat substrate 10 adjacent to the upper surface of the flat substrate 10, the flat substrate 10 and the protective cover 120 are provided. The sputtering process is performed by shaking the feed roller unit 300 to repeatedly move the feed direction and the reverse direction (x direction, -x direction). That is, a thin surface by sputtering may be formed on the flat substrate 10 while the flat substrate 10 is shaken to repeatedly move the direction and the reverse direction of the transport roller 300. Specifically, each of the rollers of the transfer roller unit 300 repeatedly rotates in both directions, thereby shaking the plate substrate 10 contacting the rollers of the transfer roller unit 300 in both directions. In this case, the protective cover elevating device 130 may prevent the protective cover support 132 from being completely separated from the protective cover 120 so as not to affect the shaking of the flat substrate 10 and the protective cover 120. . That is, the uppermost end of the protective cover support 132 may be positioned lower than the lowermost surface of the protective cover 120. This may be possible because the protective cover 120 also contacts each of the rollers of the conveying roller part 300.

여기서 보호 덮개(120)가 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)를 덮는다는 의미는 직접 접촉한다는 의미가 아니라 매우 가깝게 인접하여 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)를 실질적으로 가린다는 의미이다. 이는 보호 덮개(120)가 평판 기판(10)과 직접 접촉하면, 보호 덮개(120)와 평판 기판(10)을 함께 흔들어줄 때, 평판 기판(10)에 손상이 생길 수 있기 때문이다. In this case, the protective cover 120 covering the edge 10-o of the flat substrate 10 is not meant to be in direct contact, but rather close to each other to substantially close the edge 10-o of the flat substrate 10. It means to hide. This is because when the protective cover 120 is in direct contact with the flat substrate 10, when the protective cover 120 and the flat substrate 10 are shaken together, the flat substrate 10 may be damaged.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 기판의 테두리부가 보호 덮개에 의하여 덮힌 모습을 나타내는 확대도이다. 도 6은 구체적으로 도 5의 VI 부분을 확대한 개략도이다.6 is an enlarged view illustrating a state in which an edge portion of a flat substrate is covered by a protective cover according to an exemplary embodiment of the present invention. 6 is a schematic enlarged view of part VI of FIG. 5.

도 6을 참조하면, 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)와 측면부(10-s)를 실질적으로 가릴 수 있도록 보호 덮개(120)가 평판 기판(10)에 인접한다. 보호 덮개(120)는 평판 기판(10)의 테두리부(10-o) 부분을 제1 폭(D2)만큼 가릴 수 있다. 보호 덮개(120)는 예를 들면, 평판 기판(10)의 테두리부(10-o) 부분을 약 1㎜ 내지 5㎜의 폭만큼 가릴 수 있다. 즉 보호 덮개(120)는 평판 기판(10)의 테두리인 측면부(10-o)로부터 평판 기판(10)의 중심부로 약 1㎜ 내지 5㎜의 거리에 해당하는 테두리부(10-o)를 가리게 된다. Referring to FIG. 6, the protective cover 120 is adjacent to the flat substrate 10 so as to substantially cover the edge portion 10-o and the side portion 10-s of the flat substrate 10. The protective cover 120 may cover the edge portion 10-o of the flat substrate 10 by the first width D2. The protective cover 120 may cover, for example, the edge portion 10-o of the flat substrate 10 by a width of about 1 mm to 5 mm. That is, the protective cover 120 covers the edge portion 10-o corresponding to a distance of about 1 mm to 5 mm from the side portion 10-o which is the edge of the flat substrate 10 to the center of the flat substrate 10. do.

또한 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)와 보호 덮개(120)은 인접 간격(D1)을 가지도록 이격될 수 있다. 인접 간격(D1)은 전술한 바와 같이 보호 덮개(120)가 평판 기판(10)과 직접 접촉하면, 보호 덮개(120)와 평판 기판(10)을 함께 흔들어줄 때, 평판 기판(10)에 손상이 생길 수 있기 때문이다. 마찬가지로 평판 기판(10)의 측면부(10-s)와 보호 덮개(120) 사이에도 일정한 간격을 가지도록 이격될 수 있다. 즉, 보호 덮개(120)는 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)와 인접 간격(D1)을 가질 때에 이송 롤러부(300)의 각 롤러들 상에 접촉하도록 그 두께를 결정할 수 있다. In addition, the edge portion 10-o of the flat substrate 10 and the protective cover 120 may be spaced apart from each other to have an adjacent gap D1. As described above, when the protective cover 120 is in direct contact with the flat substrate 10, the adjacent gap D1 may damage the flat substrate 10 when the protective cover 120 and the flat substrate 10 are shaken together. This can happen. Likewise, the side surface portion 10-s of the flat substrate 10 and the protective cover 120 may be spaced apart from each other to have a predetermined interval. That is, the protective cover 120 may determine the thickness of the protective cover 120 so as to contact the rollers of the transfer roller unit 300 when the protective cover 120 has an adjacent gap D1 with the edge portion 10-o of the flat substrate 10. .

도 5 및 도 6을 참조하면, 복수의 스퍼터링 타겟(110)들은 평판 기판(10)의 이송 방향(x 방향 또는 -x 방향)을 따라서 일정 간격을 가지도록 열을 지어 배치될 수 있다. 따라서 스퍼터링 타겟(110)으로부터 평판 기판(10)을 향하는 증착될 박막을 이루는 물질들(원자, 분자 또는 이온)은 평판 기판(10) 상에 균일하게 도달하지 못할 수가 있다. 따라서 전술한 바와 같이, 평판 기판(10)을 이송 방향 및 역방향(x 방향 또는 -x 방향)으로 반복적으로 이동하도록 흔들어주면, 증착될 박막을 이루는 물질들이 평판 기판(10) 상의 모든 상면 상에 스퍼터링 타겟(110)으로부터 균일하게 도달할 수 있다. 따라서 평판 기판(10) 상의 전면에 박막이 향상된 균일도를 가지도록 증착될 수 있다. 5 and 6, the plurality of sputtering targets 110 may be arranged in rows so as to have a predetermined interval along the transport direction (x direction or −x direction) of the flat substrate 10. Therefore, the materials (atoms, molecules, or ions) forming the thin film to be deposited from the sputtering target 110 toward the flat substrate 10 may not reach uniformly on the flat substrate 10. Therefore, as described above, if the flat substrate 10 is repeatedly shaken to move in the transport direction and the reverse direction (x direction or -x direction), the materials constituting the thin film to be deposited are sputtered on all the top surfaces on the flat substrate 10. It can reach uniformly from the target 110. Therefore, the thin film may be deposited on the entire surface of the flat substrate 10 to have improved uniformity.

또한 선택적으로, 타겟 진동 장치(112)를 이용하여, 복수의 스퍼터링 타겟(110)들 또한 열(x 방향 또는 -x 방향)을 따라서 흔들어줄 수 있다. 이 경우 팽판 기판(10)이 흔들리는 것과 서로 역방향이 되도록 복수의 스퍼터링 타겟(110)을 흔들어 줄 수 있다. 예를 들면, 평판 기판(10)이 x 방향으로 이동할 때, 복수의 스퍼터링 타겟(110)은 -x 방향으로 이동하도록 하고, 평판 기판(10)이 -x 방향으로 이동할 때, 복수의 스퍼터링 타겟(110)은 x 방향으로 이동하도록 하여, 서로 반대 방향으로 흔들리도록 하면, 평판 기판(10)이 더 큰 면적을 가지거나, 복수의 스퍼터링 타겟(110)이 상대적으로 넓은 간격을 가지도록 배열된 경우에도, 평판 기판(10) 상의 전면에 박막이 향상된 균일도를 가지도록 증착할 수 있다. Also optionally, using the target vibration device 112, the plurality of sputtering targets 110 may also be shaken along a column (x direction or −x direction). In this case, the plurality of sputtering targets 110 may be shaken so as to be opposite to the shaken substrate 10. For example, when the flat substrate 10 moves in the x direction, the plurality of sputtering targets 110 move in the -x direction, and when the flat substrate 10 moves in the -x direction, the plurality of sputtering targets ( The 110 moves in the x direction, and shakes in the opposite direction, even when the flat substrate 10 has a larger area or the plurality of sputtering targets 110 are arranged to have a relatively wide interval. The thin film may be deposited on the entire surface of the flat substrate 10 to have improved uniformity.

평판 기판(10) 또는 복수의 스퍼터링 타겟(110)이 흔들리면서 박막의 증착이 진행되는 동안, 증착될 박막을 이루는 물질들이 평판 기판(10)의 측면부(10-s) 또는 하면에 부착될 수 있다. 이와 같이 평판 기판(10)의 하면에 증착될 박막을 이루는 물질들이 부착되어, 즉 박막이 증착되는 경우 평판 기판(10)의 수평도를 정밀하게 제어하는 것이 어려워질 수 있다. 또한 평판 기판(10)의 측면부(10-s) 또는 하면에 박막이 증착되는 경우, 후속 공정에 파티클(particle)을 야기할 수 있어 디펙트(defect)의 원인이 된다. During deposition of the thin film while the flat substrate 10 or the plurality of sputtering targets 110 is shaken, materials forming the thin film to be deposited may be attached to the side portion 10-s or the bottom surface of the flat substrate 10. As such, materials forming the thin film to be deposited are attached to the bottom surface of the flat substrate 10, that is, when the thin film is deposited, it may be difficult to precisely control the horizontality of the flat substrate 10. In addition, when the thin film is deposited on the side portion 10-s or the lower surface of the flat substrate 10, particles may be caused in a subsequent process, causing defects.

그러나, 보호 덮개(120)에 의하여 평판 기판(10) 상면의 테두리부(10-o)가 가려지게 되면 증착될 박막을 이루는 물질들은 스크리닝(screening) 현상에 의하여 평판 기판(10)의 측면부(10-s) 또는 하면에 도달하지 못하게 된다. 이를 통하여 평판 기판(10)의 하면에 박막이 증착되지 못하여 평판 기판(10)의 수평도를 정밀하게 제어할 수 있고 불량을 최소화할 수 있다. However, when the edge portion 10-o of the upper surface of the flat substrate 10 is covered by the protective cover 120, the materials forming the thin film to be deposited are formed by the screening phenomenon. -s) or the bottom is never reached. As a result, since the thin film is not deposited on the bottom surface of the flat substrate 10, the horizontality of the flat substrate 10 may be precisely controlled and defects may be minimized.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 기판에 박막을 증착하는 모습을 나타내는 또 다른 개략도이다. 구체적으로 도 7은 도 5와 직교하는 방향에서 바라보는 개략도이다. 7 is another schematic view showing a state of depositing a thin film on a flat substrate according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 7 is a schematic view as viewed in a direction orthogonal to FIG. 5.

도 7을 참조하면, 제어부(900)는 진동 장치(400)에 진동 제어 신호(900s-s) 를 인가하여 평판 기판(10)과 보호 덮개(120)를 함께 흔들어준다. 구체적으로 살펴보면, 진동 장치(400)는 제1 롤러(410), 제2 롤러(420), 구동 축(430) 및 회전 모터(440)를 포함한다. 진동 제어 신호(900s-s)를 받은 진동 장치(400)의 회전 모터(440)는 양방향으로 회전을 반복하여 구동 축(430)을 양방향으로 반복적으로 회전시킬 수 있다. 이에 따라 구동 축(430)에 연결된 제1 롤러(410) 및 제2 롤러(420)는 함께 양방향으로 반복적으로 회전할 수 있다. 이에 따라 제1 롤러(410) 위에 맞닿도록 안착된 평판 기판(10)과 제2 롤러(420) 위에 맞닿도록 안착된 보호 덮개(120)을 함께 양방향으로 흔들어줄 수 있다. 따라서 구동 축(430)이 연장되는 방향(y축 방향)과 평판 기판(10)을 흔들어주는 방향(x축 방향 또는 -x축 방향)은 서로 수직한 방향일 수 있다. Referring to FIG. 7, the controller 900 shakes the flat substrate 10 and the protective cover 120 together by applying a vibration control signal 900s-s to the vibration device 400. Specifically, the vibration device 400 includes a first roller 410, a second roller 420, a drive shaft 430, and a rotation motor 440. The rotation motor 440 of the vibration device 400 receiving the vibration control signal 900s-s may repeatedly rotate the driving shaft 430 in both directions by repeating rotation in both directions. Accordingly, the first roller 410 and the second roller 420 connected to the driving shaft 430 may be repeatedly rotated in both directions together. Accordingly, the flat plate 10 seated on the first roller 410 and the protective cover 120 seated on the second roller 420 may be shaken in both directions. Accordingly, the direction in which the driving shaft 430 extends (y-axis direction) and the direction in which the flat plate 10 is shaken (x-axis direction or -x-axis direction) may be perpendicular to each other.

진동 장치(400)는 이동 롤러부(300)의 일부일 수 있다. 즉, 진동 장치(400)는 이동 롤러부(300) 중 평판 기판(10)을 흔들어주는데 사용하는 부분을 지칭하는 표현일 수 있다. 그러나 이동 롤러부(300) 중 진동 장치(400)에 해당하지 않는 부분에는 제1 롤러(410)만이 포함되고, 제2 롤러(420)는 포함되지 않을 수 있다. The vibration device 400 may be part of the moving roller part 300. That is, the vibration device 400 may be an expression for referring to a portion used to shake the flat substrate 10 of the moving roller part 300. However, only the first roller 410 may be included in the portion of the moving roller part 300 that does not correspond to the vibration device 400, and the second roller 420 may not be included.

또한 진동 장치(400)는 보호 덮개 승하강 장치(130)와는 별도로 동작해야하므로, 진동 장치(400)와 보호 덮개 승하강 장치(130)는 이격되도록 장착될 수 있다. In addition, since the vibration device 400 must operate separately from the protective cover elevating device 130, the vibration device 400 and the protective cover elevating device 130 may be mounted to be spaced apart.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 기판을 덮은 보호 덮개를 승강하는 모습을 나타내는 개략도이다.8 is a schematic view showing the lifting and lowering of the protective cover covering the flat substrate according to the embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 평판 기판(10) 상에 박막의 증착이 완료되면 제어부(900) 는 진동 제어 신호(900-s)를 중지하고, 보호 덮개 승하강 장치(130)에 보호 덮개 승강 신호(900s-u)를 인가하여 보호 덮개(120)를 평판 기판(10)으로부터 멀어지도록 승강 시킬 수 있다. 즉, 제어부(900)에서 보호 덮개 승하강 장치(130)에 보호 덮개 승강 신호(900s-u)를 인가하면, 승하강 구동부(136)가 가동하여, 보호 덮개 지지축(134)을 통하여 연결된 보호 덮개 지지부(132)를 승강시킬 수 있다. 따라서 보호 덮개 지지부(132)가 보호 덮개(120)의 지지홀(122)에 안착되고, 계속해서 승강이 이루어지면 보호 덮개(120)의 최하면이 평판 기판(10)의 상면보다 높아지도록 할 수 있다. Referring to FIG. 8, when the deposition of the thin film on the flat substrate 10 is completed, the controller 900 stops the vibration control signal 900-s, and the protective cover elevating device 130 sends a protective cover elevating signal ( 900s-u) may be applied to lift and lower the protective cover 120 away from the flat substrate 10. That is, when the control unit 900 applies the protective cover elevating signal (900s-u) to the protective cover elevating device 130, the elevating drive unit 136 is activated, the protection connected via the protective cover support shaft 134 The lid supporter 132 may be elevated. Therefore, when the protective cover support part 132 is seated in the support hole 122 of the protective cover 120, and ascending and descending continuously, the bottom surface of the protective cover 120 may be higher than the upper surface of the flat substrate 10. .

도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 시스템의 공정 챔버로부터 평판 기판이 이동하는 모습을 나타내는 개략도이다.9 is a schematic diagram illustrating a state in which a flat substrate is moved from a process chamber of a sputtering system according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 평판 기판(10)은 이송 롤러부(300)에 의하여 공정 챔버(100)의 내부로부터 게이트 밸브(230)쪽으로 이동하게 된다. 이때, 보호 덮개(120)의 촤하면이 평판 기판(10)의 상면보다 위쪽(z축 방향)에 위치하도록 할 수 있다. 이후 평판 기판(10)은 게이트 밸브(230)가 열린 후 도 1에서 도시한 제2 로드락 챔버(220)로 이동할 수 있다. Referring to FIG. 9, the flat substrate 10 is moved from the inside of the process chamber 100 toward the gate valve 230 by the transfer roller part 300. In this case, the lower surface of the protective cover 120 may be positioned above the upper surface of the flat substrate 10 (z-axis direction). Thereafter, the flat substrate 10 may move to the second load lock chamber 220 illustrated in FIG. 1 after the gate valve 230 is opened.

도 7 및 도 9를 함께 참조하면, 보호 덮개 승하강 장치(130)는 평판 기판(10)으로부터 수평 방향(y축 방향 및 -y축 방향)으로 떨어져있음을 알 수 있다. 따라서 도 9에서 보호 덮개 승하강 장치(130)의 보호 덮개 지지축(134)과 평판 기판(10)이 교차하는 것처럼 보이나, 도 7에서 알 수 있듯이 평판 기판(10)은 보호 덮개 지지축(134)의 영향을 받지 않고서 이동할 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 9, it can be seen that the protective cover elevating device 130 is separated from the flat substrate 10 in the horizontal direction (y-axis direction and -y-axis direction). Therefore, in FIG. 9, the protective cover support shaft 134 of the protective cover elevating device 130 and the flat substrate 10 appear to intersect, but as shown in FIG. You can move without being affected by).

도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 보호 덮개를 보여주면 평면도이다. 도 10은 평판 기판이 전술한 증착 영역에 도달했을 때, 즉 스퍼터링에 의한 증착이 이루어질 때의 평면도를 간략하게 나타낸 것이다.10 is a plan view showing a protective cover according to an embodiment of the present invention. FIG. 10 is a simplified plan view of the flat substrate when it reaches the above-described deposition region, that is, when deposition by sputtering is performed.

도 10을 참조하면, 보호 덮개(120)는 평판 기판(10)보다 외곽선에 의한 면적을 크도록 형성할 수 있다. 보호 덮개(120)의 중심에는 관통창(T)이 형성되어 보호 덮개(120) 아래에 위치하는 평판 기판(10)이 노출되도록 할 수 있다. 관통창(T)에 의한 관통 면적은 평판 기판(10)의 면적보다 적도록 할 수 있다. 따라서 관통창(T)따라서 관통창(T)과 인접한 보호 덮개(120)의 부분들에 의한 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)가 가려지도록 덮혀지고, 관통창(T)을 통하여 평판 기판(10)의 중심부, 즉 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)를 제외한 부분만이 노출될 수 있다. 즉, 평판 기판(10)의 측면부(10-s)는 모두 보호 덮개(120)의 하부에 위치할 수 있다. 이때 보호 덮개(120)의 관통창(T)의 테두리는 평판 기판(10)의 측면부(10-s)로부터 평판 기판(10)의 중심부로 1㎜ 내지 5㎜의 폭를 가지고 위치하게 된다. Referring to FIG. 10, the protective cover 120 may be formed to have a larger area by an outline than the flat substrate 10. A through-window T is formed at the center of the protective cover 120 to expose the flat substrate 10 positioned under the protective cover 120. The through area by the through window T may be smaller than the area of the flat substrate 10. Accordingly, the edge portion 10-o of the flat plate substrate 10 is covered so as to be covered by the through-window T and thus the portions of the protective cover 120 adjacent to the through-window T and through the through-window T. Only the center portion of the flat substrate 10, that is, the portion except the edge portion 10-o of the flat substrate 10 may be exposed. That is, all of the side portions 10-s of the flat substrate 10 may be located under the protective cover 120. In this case, the edge of the through-window T of the protective cover 120 is positioned with a width of 1 mm to 5 mm from the side portion 10-s of the flat substrate 10 to the central portion of the flat substrate 10.

도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 시스템을 사용하여 박막을 증착하는 방법을 설명하는 흐름도이다. 11 is a flowchart illustrating a method of depositing a thin film using a sputtering system according to an embodiment of the present invention.

도 11과 함께 도 1 내지 도 10을 함께 참조하면, 평판 기판(10)은 제1 로드락 챔버(210) 챔버를 통하여 스퍼터링 시스템(1) 내부로 로딩될 수 있다(S100). 제1 로드락 챔버(210)에 평판 기판(10)이 로딩되기 위해서는 제1 로드락 챔버(210)에 부착된 챔버 도어(212)가 먼저 열리게 된 후에 평판 기판(10)이 로딩된다. 이후, 평판 기판(10)의 로딩이 완료되면 챔버 도어(212)가 닫히게 되고, 제1 로드락 챔 버(210) 내를 진공 상태로 전환할 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 10 together with FIG. 11, the flat substrate 10 may be loaded into the sputtering system 1 through the first load lock chamber 210 (S100). In order to load the flat substrate 10 into the first load lock chamber 210, the chamber door 212 attached to the first load lock chamber 210 is first opened, and then the flat substrate 10 is loaded. Thereafter, when the loading of the flat substrate 10 is completed, the chamber door 212 is closed, and the inside of the first load lock chamber 210 may be converted into a vacuum state.

평판 기판(10)이 로딩된 제1 로드락 챔버(210)의 내부가 진공 상태로 전환되면, 제1 로드락 챔버(210)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)가 열리고 평판 기판(10)이 이송 롤러부(300)에 의하여 공정 챔버(100)로 이동하게 된다(S200). When the inside of the first load lock chamber 210 loaded with the flat substrate 10 is converted to a vacuum state, the gate valve 230 between the first load lock chamber 210 and the process chamber 100 is opened and the flat substrate 10 is moved to the process chamber 100 by the transfer roller 300 (S200).

평판 기판(10)이 공정 챔버(100) 내부로 완전히 이동하면, 다시 제1 로드락 챔버(210)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)는 닫히게 된다. 그 후 평판 기판(10)의 테두리부(10-s)가 모두 보호 덮개(120)의 하부에 위치하게 되면, 보호 덮개 승하강 장치(130)에 의하여 보호 덮개(120)는 평판 기판(10)에 인접하도록 하강할 수 있다(S300).When the flat substrate 10 is completely moved into the process chamber 100, the gate valve 230 between the first load lock chamber 210 and the process chamber 100 is closed again. After that, when the edge portions 10-s of the flat plate substrate 10 are all positioned under the protective cover 120, the protective cover 120 is moved by the protective cover lifting device 130. It may descend to be adjacent to (S300).

보호 덮개(120)가 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)에 인접 간격(D1)만큼 인접한 후, 보호 덮개 지지부(132)의 최상단이 보호 덮개(120)의 최하단보다 낮게 위치하도록 더 하강시킨다. 그 후, 진동 장치(400)에 의하여 평판 기판(10)과 보호 덮개(120)를 함께 흔들면서 박막 증착을 시작한다(S400). After the protective cover 120 is adjacent to the edge portion 10-o of the flat plate substrate 10 by an adjacent distance D1, the top of the protective cover support 132 is further positioned lower than the bottom of the protective cover 120. Lower Thereafter, the thin film deposition is started by shaking the flat substrate 10 and the protective cover 120 together by the vibration device 400 (S400).

평판 기판(10) 상에 박막 증착이 완료된 후 보호 덮개(120)의 최하면이 평판 기판(10)의 상면보다 높아질 때까지, 보호 덮개(120)는 보호 덮개 승하강 장치(130)에 의하여 승강한다(S500). After thin film deposition on the flat substrate 10 is completed, the protective cover 120 is elevated by the protective cover elevating device 130 until the bottom surface of the protective cover 120 is higher than the top surface of the flat substrate 10. (S500).

이후 이동 롤러부(300)에 의하여 평판 기판(10)은 제2 로드락 챔버(220) 방향으로 이동하게 되며, 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)가 열린 후, 평판 기판(10)은 제2 로드락 챔버(220)로 이동한다(S600).Thereafter, the flat substrate 10 moves in the direction of the second load lock chamber 220 by the moving roller unit 300, and the gate valve 230 between the second load lock chamber 220 and the process chamber 100 is provided. After the opening, the plate substrate 10 moves to the second load lock chamber 220 (S600).

제2 로드락 챔버(220) 내로 평판 기판(10)이 완전히 이동하면, 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)가 닫히고, 그 후 제2 로드락 챔버(220)에 부착된 챔버 도어(222)가 열린 후에 평판 기판(10)은 언로딩될 수 있다(S700). When the flat substrate 10 is completely moved into the second load lock chamber 220, the gate valve 230 between the second load lock chamber 220 and the process chamber 100 is closed, and then the second load lock chamber is closed. After the chamber door 222 attached to the 220 is opened, the flat substrate 10 may be unloaded (S700).

이 경우, 제1 로드락 챔버(210)와 제2 로드락 챔버(220)는 전술한 바와 같이 동일한 하나의 로드락 챔버이거나, 도 1 및 도 2에 도시한 것과 열을 지어 배치된 별도의 로드락 챔버일 수도 있다. 또한 제1 로드락 챔버(210) 또는 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이에는 버퍼 챔버가 추가로 장착될 수 있다. In this case, the first load lock chamber 210 and the second load lock chamber 220 are the same one load lock chamber as described above, or separate rods arranged in rows as shown in FIGS. 1 and 2. It may be a lock chamber. In addition, a buffer chamber may be additionally installed between the first load lock chamber 210 or the second load lock chamber 220 and the process chamber 100.

도 12는 본 발명의 실시 예의 변형에 따른 스퍼터링 시스템을 사용하여 박막을 증착하는 방법을 설명하는 흐름도이다. 12 is a flowchart illustrating a method of depositing a thin film using a sputtering system according to an embodiment of the present disclosure.

도 12와 함께 도 1 내지 도 10을 함께 참조하면, 평판 기판(10)은 제1 로드락 챔버(210) 챔버를 통하여 스퍼터링 시스템(1) 내부로 로딩될 수 있다(S102). 제1 로드락 챔버(210)에 평판 기판(10)이 로딩되기 위해서는 제1 로드락 챔버(210)에 부착된 챔버 도어(212)가 먼저 열리게 된 후에 평판 기판(10)이 로딩된다. 이후, 평판 기판(10)의 로딩이 완료되면 챔버 도어(212)가 닫히게 되고, 제1 로드락 챔버(210) 내를 진공 상태로 전환할 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 10 together with FIG. 12, the flat substrate 10 may be loaded into the sputtering system 1 through the first load lock chamber 210 (S102). In order to load the flat substrate 10 into the first load lock chamber 210, the chamber door 212 attached to the first load lock chamber 210 is first opened, and then the flat substrate 10 is loaded. Thereafter, when the loading of the flat substrate 10 is completed, the chamber door 212 is closed, and the inside of the first load lock chamber 210 may be converted into a vacuum state.

평판 기판(10)이 로딩된 제1 로드락 챔버(210)의 내부가 진공 상태로 전환되면, 제1 로드락 챔버(210)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)가 열리고 평판 기판(10)이 이송 롤러부(300)에 의하여 공정 챔버(100)로 이동하게 된다(S202). When the inside of the first load lock chamber 210 loaded with the flat substrate 10 is converted to a vacuum state, the gate valve 230 between the first load lock chamber 210 and the process chamber 100 is opened and the flat substrate 10 is moved to the process chamber 100 by the transfer roller 300 (S202).

평판 기판(10)이 공정 챔버(100) 내부로 완전히 이동하면, 다시 제1 로드락 챔버(210)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)는 닫히게 된다. 그 후 평판 기판(10)의 테두리부(10-s)가 모두 보호 덮개(120)의 하부에 위치하게 되면, 보호 덮개 승하강 장치(130)에 의하여 보호 덮개(120)는 평판 기판(10)에 인접하도록 하강할 수 있다(S302).When the flat substrate 10 is completely moved into the process chamber 100, the gate valve 230 between the first load lock chamber 210 and the process chamber 100 is closed again. After that, when the edge portions 10-s of the flat plate substrate 10 are all positioned under the protective cover 120, the protective cover 120 is moved by the protective cover lifting device 130. It may descend to be adjacent to (S302).

보호 덮개(120)가 평판 기판(10)의 테두리부(10-o)에 인접 간격(D1)만큼 인접한 후, 보호 덮개 지지부(132)의 최상단이 보호 덮개(120)의 최하단보다 낮게 위치하도록 더 하강시킨다. 그 후, 진동 장치(400)에 의하여 평판 기판(10)과 보호 덮개(120)를 함께 흔들면서 박막 증착을 시작한다. 이때 복수의 스퍼터링 타겟(110)들도 타겟 진동 장치(112)에 의하여 평판 기판(10)이 흔들리는 방향과 서로 역방향이 되도록 흔들면서 박막 증착을 할 수 있다(S402). 예를 들면, 평판 기판(10)이 x 방향으로 이동할 때, 복수의 스퍼터링 타겟(110)은 -x 방향으로 이동하도록 하고, 평판 기판(10)이 -x 방향으로 이동할 때, 복수의 스퍼터링 타겟(110)은 x 방향으로 이동하도록 하여, 서로 반대 방향으로 흔들리도록 할 수 있다.After the protective cover 120 is adjacent to the edge portion 10-o of the flat plate substrate 10 by an adjacent distance D1, the top of the protective cover support 132 is further positioned lower than the bottom of the protective cover 120. Lower Thereafter, the thin film deposition is started by shaking the plate 10 and the protective cover 120 together by the vibration device 400. In this case, the plurality of sputtering targets 110 may also perform thin film deposition by shaking the target substrate 10 by the target vibration device 112 so as to be opposite to each other in a direction in which the flat substrate 10 is shaken (S402). For example, when the flat substrate 10 moves in the x direction, the plurality of sputtering targets 110 move in the -x direction, and when the flat substrate 10 moves in the -x direction, the plurality of sputtering targets ( 110 may be moved in the x direction, so as to shake in opposite directions.

평판 기판(10) 상에 박막 증착이 완료된 후 보호 덮개(120)의 최하면이 평판 기판(10)의 상면보다 높아질 때까지, 보호 덮개(120)는 보호 덮개 승하강 장치(130)에 의하여 승강한다(S502). After thin film deposition on the flat substrate 10 is completed, the protective cover 120 is elevated by the protective cover elevating device 130 until the bottom surface of the protective cover 120 is higher than the top surface of the flat substrate 10. (S502).

이후 이동 롤러부(300)에 의하여 평판 기판(10)은 제2 로드락 챔버(220) 방향으로 이동하게 되며, 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)가 열린 후, 평판 기판(10)은 제2 로드락 챔버(220)로 이동한다(S602).Thereafter, the flat substrate 10 moves in the direction of the second load lock chamber 220 by the moving roller unit 300, and the gate valve 230 between the second load lock chamber 220 and the process chamber 100 is provided. After the opening, the plate substrate 10 moves to the second load lock chamber 220 (S602).

제2 로드락 챔버(220) 내로 평판 기판(10)이 완전히 이동하면, 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이의 게이트 밸브(230)가 닫히고, 그 후 제2 로드락 챔버(220)에 부착된 챔버 도어(222)가 열린 후에 평판 기판(10)은 언로딩될 수 있다(S702). When the flat substrate 10 is completely moved into the second load lock chamber 220, the gate valve 230 between the second load lock chamber 220 and the process chamber 100 is closed, and then the second load lock chamber is closed. After the chamber door 222 attached to the 220 is opened, the flat substrate 10 may be unloaded (S702).

이 경우에도, 제1 로드락 챔버(210)와 제2 로드락 챔버(220)는 전술한 바와 같이 동일한 하나의 로드락 챔버이거나, 도 1 및 도 2에 도시한 것과 열을 지어 배치된 별도의 로드락 챔버일 수도 있다. 또한 제1 로드락 챔버(210) 또는 제2 로드락 챔버(220)와 공정 챔버(100) 사이에는 버퍼 챔버가 추가로 장착될 수 있다. Even in this case, the first load lock chamber 210 and the second load lock chamber 220 may be the same one load lock chamber as described above, or may be separate from each other and arranged in rows as shown in FIGS. 1 and 2. It may be a load lock chamber. In addition, a buffer chamber may be additionally installed between the first load lock chamber 210 or the second load lock chamber 220 and the process chamber 100.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 시스템의 공정 챔버 내로 평면 기판이 이동하는 모습을 나타내는 개략도이다. 3 is a schematic diagram illustrating a planar substrate moving into a process chamber of a sputtering system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 기판의 테두리부가 보호 덮개에 의하여 덮힌 모습을 나타내는 확대도이다. 6 is an enlarged view illustrating a state in which an edge portion of a flat substrate is covered by a protective cover according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 기판에 박막을 증착하는 모습을 나타내는 또 다른 개략도이다. 7 is another schematic view showing a state of depositing a thin film on a flat substrate according to an embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 보호 덮개를 보여주면 평면도이다. 10 is a plan view showing a protective cover according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 설명><Description of main parts of drawing>

1 : 스퍼터링 시스템, 10 : 평판 기판, 100 : 공정 챔버, 110 : 스퍼터링 타겟, 120 : 보호 덮개, 122 : 지지홀, 130 : 보호 덮개 승하강 장치, 210 : 제1 로드락 챔버, 220 : 제2 로드락 챔버, 212, 222 : 챔버 도어, 230 : 게이트 밸브, 300 : 이동 롤러부, 400 : 진동 장치, 900 : 제어부DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sputtering system, 10 flat board | substrate, 100: process chamber, 110: sputtering target, 120: protective cover, 122: support hole, 130: protective cover elevating apparatus, 210: 1st load lock chamber, 220: 2nd Load lock chamber, 212, 222: chamber door, 230: gate valve, 300: moving roller portion, 400: vibration device, 900: control part

Claims

A load lock chamber capable of performing a switch between atmospheric pressure and vacuum for loading and unloading a flat substrate;

A process chamber connected to the load lock chamber, wherein a plurality of sputtering targets for depositing a thin film on the flat substrate are arranged in a row at a predetermined interval;

A transfer roller unit for moving the plate substrate between the load lock chamber and the process chamber;

A vibration device attached to the process chamber and shaking the flat substrate in a direction parallel to the flat substrate while the thin film is deposited on the flat substrate;

A protective cover covering the edge of the flat substrate moved into the process chamber; And

And a protective cover elevating device attached to the process chamber to raise and lower the protective cover in a direction perpendicular to the flat substrate.

The method according to claim 1,

And a control unit for applying a protective cover elevating signal and a falling signal to the protective cover elevating device and applying a vibration control signal to the vibrating device.

The method of claim 2,

The protective cover has a through window for exposing the flat substrate,

And wherein said through window has a through area less than that of said flat substrate.

The method of claim 3,

The control unit,

When both side portions of the flat substrate are located below the protective cover, the protective cover lowering signal is applied to the protective cover elevating device so that the protective cover covers the edge portion of the upper surface of the flat substrate adjacent to the flat substrate. Sputtering system, characterized in that.

5. The method of claim 4,

And the control unit applies a vibration control signal to the vibrating device to shake the flat plate substrate when the protective cover is adjacent to the flat plate substrate by a predetermined adjacent interval.

6. The method of claim 5,

The vibration device is a sputtering system, characterized in that for shaking the flat plate and the protective cover together.

The method according to claim 6,

The vibration device,

A drive shaft extending in a direction perpendicular to a direction in which the flat substrate is shaken;

A rotary motor rotating the drive shaft in both directions;

A first roller connected to the drive shaft and in contact with the flat substrate; And

And a second roller connected to the drive shaft and in contact with the protective cover.

6. The method of claim 5,

And wherein said adjacent spacing is between 0.5 mm and 3 mm.

5. The method of claim 4,

When the control unit applies the protective cover falling signal,

The edge of the through-window is formed so as to have a width of 1mm to 5mm from the side portion of the flat substrate to the center of the flat substrate in a horizontal direction with the flat substrate.

The method of claim 2,

The control unit,

After the deposition of the thin film on the upper surface of the flat substrate,

Stop the vibration control signal,

And applying the protective cover rising signal to the protective cover elevating device such that the protective cover is away from the flat substrate.

The method according to claim 1,

The protective cover lifting device,

A protective cover support part which is capable of raising and lowering the protective cover in contact with the protective cover;

A protective cover support shaft connected to the protective cover support and extending in a direction perpendicular to the flat substrate; And

And a lift driver configured to lift and lower the protective cover support shaft.

The protective cover further comprises a support hole corresponding to the protective cover support on the lower surface.