KR101078833B1 - 발광 다이오드 유닛 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 332
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 284
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 78
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 27
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 238000004512 die casting Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- 중앙부분에 오목부가 형성되고 열전도성이 우수한 재질로 이루어진 방열 기판과;상기 방열 기판의 오목부 상에 실장되며 N형 패드 및 P형 패드를 구비하는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 포함하여 구성되고,상기 방열기판 상에서 상기 오목부의 양측부에는 상기 발광 다이오드 칩의 개수에 대응하여 각각 양의 배선 패턴과 음의 배선패턴이 형성되며,상기 발광 다이오드 칩의 N형 패드와 P형 패드는 각각 대응하는 상기 양의 배선패턴과 음의 배선패턴에 전기적으로 연결되어 있고,상기 방열 기판의 오목부와 이 오목부의 외측에 형성된 배선패턴의 내측 부분의 일부가 노출되는 크기의 개공을 구비하고 그 개공 주변에 빛 확산부가 형성된 도파로 시트가 상기 방열 기판 상에 더 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수하며 빛 반사율이 우수한 금속재질로 이루어진 금속 기판을 그 중앙부에 오목부가 형성되도록 프레스 가공에 의하여 절곡한 다음에, 상기 오목부의 양측부에 배선 패턴을 각각 절연 접착제로 접착함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수하며 빛 반사율이 우수한 금속재질로 이 루어진 금속 기판의 중앙부분에 형성될 오목부에 대응하는 부분의 양측부에 각각 배선 패턴을 절연 접착제로 접착하여 적층한 다음에, 그 중앙부에 오목부가 형성되도록 프레스 가공에 의하여 절곡함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수한 금속재질로 이루어진 금속 기판의 중앙부분에 형성될 오목부에 대응하는 부분에 빛 반사율이 우수한 재질을 도금하고나서 그 오목부가 형성될 부분의 양측부에 각각 배선 패턴을 절연 접착제로 접착한 다음에, 그 중앙부에 오목부가 형성되도록 프레스 가공에 의하여 절곡함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수한 금속재질로 이루어진 금속 기판을 그 중앙부에 오목부가 형성되도록 프레스 가공에 의하여 절곡한 다음에, 상기 오목부에 빛 반사율이 우수한 재질을 도금하고 상기 오목부의 양측부에 각각 배선 패턴을 절연 접착제로 접착하여 적층함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수하며 빛 반사율이 우수한 재질로 이루어지고 그 중앙부에 오목부이 형성되도록 다이-캐스팅(Die-Casting) 가공 또는 NC(Numerical Control) 가공에 의하여 제조된 기판에서 상기 오목부의 양측부에 각각 배선 패턴을 절연 접착제로 접착하여 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 오목부의 외주연과 상기 배선패턴 사이에는 경사면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방열 기판의 오목부와 와이어 본딩된 배선 패턴 부분을 포함하여 형성된 에폭시 몰딩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제8항에 있어서,상기 방열 기판의 오목부 내에서 적어도 상기 발광 다이오드 칩을 포함하는 부분에 YAG계의 형광물질로 형성된 옐로우 퍼스터(Yellow Phosphor) 몰딩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
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- 제1항에 있어서,상기 도파로 시트는 상기 방열기판에 형성된 배선패턴의 외측 부분의 일부가 노출되는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
- 제1항에 있어서,상기 도파로 시트 상에는 빛을 확산시키는 확산 필름이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 유닛.
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- 일정 간격을 두고서 복수의 오목부가 일렬로 형성되고 열전도성이 우수한 재질로 이루어진 방열 기판과;상기 방열 기판의 각 오목부 상에 실장되며 N형 패드 및 P형 패드를 구비하는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 포함하여 구성되고,상기 방열 기판 상에서 상기 오목부를 건너 뛰고 길이 방향으로 일렬로 형성된 적어도 하나의 배선 패턴이 형성되어 있으며,상기 발광 다이오드 칩의 N형 패드와 P형 패드는 자신이 실장된 오목부의 양측면에 형성된 각각 대응하는 상기 양의 배선패턴과 음의 배선패턴에 전기적으로 연결되어 있고,상기 방열 기판의 오목부와 이 오목부의 외측에 형성된 배선패턴의 내측 부분의 일부가 노출되는 크기의 개공이 상기 오목부의 개수에 대응하여 구비하고 그 개공 주변에 빛 확산부가 형성된 도파로 시트가 상기 방열 기판 상에 더 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수하며 빛 반사율이 우수한 금속재질로 이루어진 금속 기판을, 일정 간격을 두고서 복수의 오목부가 일렬로 형성되도록 프레스 가공에 의하여 절곡한 다음에, 상기 오목부를 건너 뛰고 길이 방향으로 일렬로 배선 패턴을 각각 절연 접착제로 접착함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수하며 빛 반사율이 우수한 금속재질로 이루어진 금속 기판을, 상기 오목부가 형성될 영역을 건너 뛰고 길이 방향으로 일렬 로 배선 패턴을 각각 절연 접착제로 접착하여 적층한 다음에, 상기 오목부가 형성될 영역을 프레스 가공에 의하여 절곡하여 상기 오목부를 형성함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수한 금속재질로 이루어진 금속 기판을, 상기 오목부가 형성될 영역에 빛 반사율이 우수한 재질을 도금하고나서 상기 오목부가 형성될 영역을 건너 뛰고 길이 방향으로 일렬로 배선 패턴을 각각 절연 접착제로 접착하여 적층한 다음에, 상기 오목부가 형성될 영역을 프레스 가공에 의하여 절곡하여 상기 오목부를 형성함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수한 금속재질로 이루어진 금속 기판을, 일정 간격을 두고서 복수의 오목부가 일렬로 형성되도록 프레스 가공에 의하여 절곡한 다음에, 상기 오목부에 빛 반사율이 우수한 재질을 도금하고 상기 오목부를 건너 뛰고 길이 방향으로 일렬로 배선 패턴을 각각 절연 접착제로 접착함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항에 있어서,상기 방열 기판은, 방열성능이 우수하며 빛 반사율이 우수한 재질로 이루어지고, 일정 간격을 두고서 복수의 오목부가 일렬로 형성되도록 다이-캐스팅(Die-Casting) 가공 또는 NC(Numerical Control) 가공에 의하여 제조된 기판에서 상기 오목부를 건너 뛰고 길이 방향으로 일렬로 배선 패턴을 각각 절연 접착제로 접착함으로써 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 오목부의 외주연과 상기 배선패턴 사이에는 경사면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방열 기판의 오목부와 와이어 본딩된 배선 패턴 부분을 포함하여 형성된 에폭시 몰딩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제26항에 있어서,상기 방열 기판의 오목부 내에서 적어도 상기 발광 다이오드 칩을 포함하는 부분에 YAG계의 형광물질로 형성된 옐로우 퍼스터(Yellow Phosphor) 몰딩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
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- 제19항에 있어서,상기 도파로 시트는 상기 방열기판에 형성된 배선패턴의 외측 부분의 일부가 노출되는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
- 제19항에 있어서,상기 도파로 시트 상에는 빛을 확산시키는 확산 필름이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이 유닛.
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Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090052812A KR101078833B1 (ko) | 2009-06-15 | 2009-06-15 | 발광 다이오드 유닛 |
PCT/KR2010/002324 WO2010147299A1 (ko) | 2009-06-15 | 2010-04-15 | 발광 다이오드 유닛 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090052812A KR101078833B1 (ko) | 2009-06-15 | 2009-06-15 | 발광 다이오드 유닛 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100134278A KR20100134278A (ko) | 2010-12-23 |
KR101078833B1 true KR101078833B1 (ko) | 2011-11-02 |
Family
ID=43356572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090052812A KR101078833B1 (ko) | 2009-06-15 | 2009-06-15 | 발광 다이오드 유닛 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101078833B1 (ko) |
WO (1) | WO2010147299A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101846356B1 (ko) | 2011-07-29 | 2018-04-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1601768A (zh) * | 2003-09-22 | 2005-03-30 | 福建省苍乐电子企业有限公司 | 一种发光二极管结构 |
JP2007158209A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとその製造方法 |
JP2008016744A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置用パッケージおよびその製造方法 |
JP5130815B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2013-01-30 | 三菱化学株式会社 | Ledチップ固定用基板およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-06-15 KR KR1020090052812A patent/KR101078833B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-04-15 WO PCT/KR2010/002324 patent/WO2010147299A1/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010147299A1 (ko) | 2010-12-23 |
KR20100134278A (ko) | 2010-12-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141020 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160427 Year of fee payment: 5 |
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