KR101073488B1 - 와이어형 박막 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 제조된 금속 와이어; 상기 금속 와이어 외부에 증착되어 발생된 전자를 전도하는 n-타입 층; 상기 n-타입 층 상부에 증착되어 태양광을 받아 여기된 전자를 방출시키는 p-타입 층; 및 상기 p-타입 층 상부에 증착되는 투명 전극층을 포함하는 와이어형 박막 태양전지를 제공한다. 본 발명은 종래의 평판형 박막 태양전지에 비해 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며 고밀도 태양전지 모듈의 제작이 용이한 와이어형 박막 태양전지 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
와이어형 박막 태양전지, 고밀도 태양전지 모듈, PECVD, 고효율
Description
본 발명은 종래의 평판형 박막 태양전지에 비해 높은 광전변환효율을 나타낼 수 있으며, 고밀도의 태양전지용 모듈을 제조할 수 있는 와이어형 박막 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 차세대 청정 에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환시키는 장치로서, 공해가 적고, 자원이 무한적이며 반영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다.
일반적으로 태양전지는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 반도체 소자로써 p형의 반도체와 n형의 반도체의 접합형태를 가지며 그 기본구조는 다이오드와 동일하다.
즉 태양전지는 pn접합된 반도체에서 태양광에 의해 여기된 소수캐리어의 확산에 의해 발생하는 기전력을 이용하는 광전변환소자이며, 사용되는 반도체 재료의 종류에는 단결정실리콘, 다결정실리콘, 비정질 실리콘, 화합물반도체 등이 있다.
단결정실리콘이나 다결정실리콘을 이용하면 발전효율은 높지만 재료비가 비싸고 공정이 복잡하기 때문에 최근에는 유리나 플라스틱 등의 값싼 기판에 비정질 실리콘이나 화합물반도체 등을 증착하는 박막 태양전지가 주목을 받고 있다.
특히 박막 태양전지는 대면적화에 매우 유리할 뿐만 아니라 기판의 소재에 따라 플렉서블한 태양전지를 생산할 수 있다는 장점을 가진다.
그러나 비정질 실리콘을 이용하는 박막 태양전지는 에너지 변환효율이 매우 낮을 뿐만 아니라 장시간 빛에 노출되면 특성 열화 현상(Staebler-Wronski Effect)이 나타나서 시간이 갈수록 효율이 저하되며 고밀도 태양전지 모듈을 제조하는데 용이하지 않은 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 금속 와이어 외부면에 순차적으로 n-타입 층, p-타입 층 및 투명 전극층을 증착하여 와이어형 박막 태양전지를 제조함으로써, 종래의 평판형 박막 태양전지에 비해 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며 고밀도의 태양전지 모듈의 제작이 용이한 와이어형 박막 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 제조된 금속 와이어; 상기 금속 와이어 외부에 증착되어 발생된 전자를 전도하는 n-타입 층; 상기 n-타입 층 상부에 증착되어 태양광을 받아 여기된 전자를 방출시키는 p-타입 층; 및 상기 p-타입 층 상부에 증착되는 투명 전극층을 포함하는 와이어형 박막 태양전지를 제공한다.
또한 본 발명은 금속 와이어 외부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 n-타입 층을 증착하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 증착된 n-타입 층 상부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 p-타입 층을 증착하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 증착된 p-타입 층 상부에 투명 전극층(TCO)을 증착하는 단계(단계 3)를 포함하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 금속 와이어는 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 등을 사용하여 제조될 수 있으며, 100∼150 ㎛ 직경을 가진 금속 와이어일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 n-타입 층은 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 20∼30 nm의 두께로 증착된 n형 반도체 성질을 갖는 비정질 실리콘 박막일 수 있으며, 상기 비정질 실리콘 박막은 n-타입 포스퍼러스(P) 억셉터 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 박막일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 n-타입 층이 n형 반도체 성질을 갖는 비정질 실리콘 박막일 경우, 상기 n-타입 층 상부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 300∼400 nm의 두께로 증착된 수소화된 진성 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 광흡수층으로 더 포함하여 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 p-타입 층은 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 80∼100 nm의 두께로 증착된 비정질 실리콘 박막일 수도 있고, CIGS 박막 또는 CdTe계 박막일 수도 있다. 상기 비정질 실리콘 박막은 p-타입 보론(B) 억셉터 불순물이 도핑된 수소화된 비정질 실리콘 박막 또는 산화질소 가스를 주입하여 형성된 수소화된 실리콘 산화막(a-SiOX:B)일 수 있다.
본 발명에서 상기 투명 전극층(TCO)은 대표적으로 인듐틴옥사이드로 이루어진다.
본 발명에 의하면 대량생산이 가능한 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 와이어형 박막 태양전지를 제조함으로써 고밀도의 태양전지 모듈을 제조할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 와이어형 박막 태양전지를 이용하여 제조한 고밀도의 태양전지 모듈은 종래의 평판형 박막 태양전지에 비해 pn 결합면이 와이어형 박막 태양전지의 밀도와 종횡비(aspect ratio)의 형상을 통해 극대화될 수 있어 광전변환효율이 향상될 수 있다.
본 발명은,
금속 와이어 외부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 n-타입 층을 증착하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 증착된 n-타입 층 상부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 p-타입 층을 증착하는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 증착된 p-타입 층 상부에 투명 전극층(TCO)을 증착하는 단계(단계 3)를 포함하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다.
하기에서 본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지의 제조방법을 도면을 참조하여 단계별로 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지의 측단면도이며 도 2는 본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지의 사시도이다.
우선, 금속 와이어(110) 외주면에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 n-타입 층(120)을 증착한다(단계 1).
상기 금속 와이어(110)는 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 등의 금속을 사용하여 제조된 것일 수 있으며, n-타입 층(120)을 증착시키기 이전에 세척하는 과정을 수행하여 준비한다.
상기 금속 와이어(110)는 100∼150 ㎛ 직경을 가진 금속 와이어를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 금속 와이어(110)의 직경이 100 ㎛ 미만이 경우 금속 와이어(110)가 제조과정에서 휘어질 수 있으며, 상기 금속 와이어(110)의 직경이 150 ㎛을 초과하는 경우 와이어형 박막 태양전지의 제조단가가 상승할 수 있으므로, 금속 와이어(110)의 직경은 100∼150 ㎛인 것이 바람직하다.
상기 금속 와이어(110)의 외주면에 증착되는 n-타입 층(120)은 n형 반도체의 성질을 가진 비정질 실리콘 박막으로 형성될 수 있으며, n-타입 포스퍼러스(P) 억셉터 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 박막으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 n-타입 층(120)은 20∼30 nm의 두께로 증착되는 것이 바람직하며, 30 nm의 두께로 증착되는 것이 보다 바람직하다.
ASA 시뮬레이션의 결과에 의하면 본 발명의 와이어형 박막 태양전지(100)의 제조시 n-타입 층(120)을 20~30 nm 두께로 제작할 경우 단락전류 및 개방전압의 상승으로 광전변환효율이 가장 높게 나타난다(도 8 참조).
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 n-타입 층(120)이 n형 반도체의 성질을 가진 비정질 실리콘 박막일 경우 n-타입 층(120) 상부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 광흡수층(130)을 증착시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편 CdTe 전지를 와이어형으로 형성할 경우에는 CdS 층이 n-타입층으로서 형성된다.
상기 n-타입 층(120) 상부에 증착되는 광흡수층(130)은 비정질 실리콘 박막, 보다 구체적으로 수소화된 진성 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막으로 형성될 수 있다.
본 발명에서 상기 광흡수층(130)은 300∼400 nm의 두께로 증착되는 것이 바람직하며, 단락전류의 상승폭이 커지면서 효율에 영향을 주기 때문에 400 nm의 두께로 증착되는 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 상기 단계 1에서 증착된 n-타입 층(120) 상부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 p-타입 층(140)을 증착시킨다(단계 2).
상기 n-타입 층(120) 상부에 증착되는 p-타입 층(140)은 p형 반도체의 성질 가진 비정질 실리콘 박막으로 형성될 수 있으며, 상기 비정질 실리콘 박막은 p-타입 보론(B) 억셉터 불순물이 도핑된 수소화된 비정질 실리콘 박막 또는 산화질소 가스를 주입하여 형성된 수소화된 실리콘 산화막(a-SiOX:B)일 수 있다.
본 발명에서 상기 p-타입 층(140)은 p-타입 층의 두께가 얇을수록 충진계수(FF)가 향상되어 효율상승에 기여하기 때문에 10 nm 미만으로 얇게 증착하는 경우가 바람직하지만, 상기 p-타입 층(140)을 10 nm 미만으로 얇게 증착하는 경우 본 발명의 와이어형 박막 태양전지(100)의 광전변환효율이 증가될 수 있으나 두께의 재현성이 떨어질 수 있으므로 10∼15 nm의 두께로 증착되는 것이 바람직하다.
마지막으로, 상기 단계 2에서 증착된 p-타입 층(140) 상부에 투명 전극층(TCO)(150)을 증착시킨다(단계 3).
상기 투명 전극층(150)은 투명 전도성 산화물을 이용하여 형성될 수 있으며, 상기 투명 전도성 산화물로는 징크옥사이드(ZnO), 갈륨 도핑된 징크옥사이드(GZO), 인듐틴옥사이드(ITO) 등을 사용할 수 있다. 상기 p-타입 층(140)을 CIGS층으로 하는 경우 투명 전극층은 알루미늄 도핑된 산화아연(ZnO;Al)을 사용할 수 있다. 이 경우 ZnO:Al은 n형 반도체의 역할도 동시에 수행한다.
본 발명에서 상기 투명 전극층(150)은 80∼100 nm의 두께로 증착되는 것이 바람직하며, 상기 투명 전극층(150)을 80 nm의 두께로 증착하는 것이 보다 바람직하다.
상술한 본 발명의 따른 와이어형 박막 태양전지의 제조방법은 금속 와이어에 n-타입 층, p-타입 층을 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 사용하여 순차적으로 증착시킴으로써 대량생산에 용이하며, 와이어형으로 제조됨으로써 고밀도로 전극에 결합시킬 수 있어 고밀도 태양전지 모듈의 제조가 가능하다.
또한 본 발명은 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 제조된 금속 와이어(110); 상기 금속 와이어(110) 외주면에 증착되어 발생된 전자를 전도하는 n-타입 층(120); 상기 n-타입 층 상부에 증착되어 태양광을 받아 여기된 전자를 방출시키는 p-타입 층(140); 및 상기 p-타입 층 상부에 증착되는 투명 전극층(150)을 포함하는 와이어형 박막 태양전지(100)를 제공한다.
본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지(100)는 상술한 와이어형 박막 태양 전지의 제조방법과 동일하게 수행되어 제조된다.
또한 본 발명은 금속 와이어 외주면에 증착되어 발생된 전자를 전도하는 n-타입 층; 상기 n-타입 층 상부에 증착되어 태양광을 받아 여기된 전자를 방출시키는 p-타입 층; 및 상기 p-타입 층 상부에 증착되는 투명 전극층을 포함하는 와이어형 박막 태양전지(100)를 태양전지 모듈용 전극(200)에 집속시켜 제조된 것을 특징으로 하는 고밀도 태양전지 모듈을 제공한다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지(100)를 태양전지 모듈용 전극(200)에 집속시켜 제조할 수 있는 서로 다른 실시형태의 고밀도 태양전지 모듈(300)을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 5에 나타난 바와 같이 본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지(100)는 와이어형으로 제조됨으로서 태양전지 모듈용 전극(200)에 고밀도로 집속시켜 태양전지 모듈(300)을 제조할 수 있다. 이와 같이 제조된 고밀도 태양전지 모듈(300)은 평판형 박막 태양전지에 비해 pn 결합면이 와이어형 박막 태양전지의 밀도와 종횡비(aspect ratio)의 형상을 통해 극대화될 수 있어 광전변환효율이 향상될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수 정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
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실시예
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직경과 길이가 각각 100~150 μm, 5 cm인 텅스텐 와이어를 PECVD의 홈이 파여진 증착판(Graphite 판)에 안착시키고 증착온도는 200 ℃를 유지하며 SiH4, H2, PH3를 가스 주입하여 n-타입 층을 20 nm 두께로 증착하였고 그 다음 SiH4, H2를 주입하여 광흡수층을 350 nm 두께로 증착한 다음 SiH4, H2, B2H6를 주입하여 p-타입 층을 15 nm 두께로 증착한 후 PECVD에서 시편을 꺼내었다. 이후 p-타입 층의 상부에 알루미늄 도핑된 산화아연을 사용하여 스퍼터링 방식으로 투명 전극층을 80 nm 두께로 증착하여 본 발명의 와이어형 박막 태양전지를 제조하였다.
<
시험예
1>
n-타입 층의 두께를 5, 10, 15, 20, 25, 30 nm의 두께로 증착시킨 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 제조된 각각의 본 발명의 와이어형 박막 태양전지에 대해 ASA simulation을 통해 셀 파라미터를 축출하였고 단락전류, 개방전압, 충진률, 효율 등의 결과를 도 6에 나타내었다.
도 6을 참조하면 본 발명의 와이어형 박막 태양전지의 제조시 n-타입 층의 두께를 20 내지 30 nm로 증착시키는 것이 와이어형 박막 태양전지의 광전변환효율이 높게 나타남을 알 수 있다.
<
시험예
2>
광흡수층의 두께를 200, 250, 300, 350, 400 nm의 두께로 증착시킨 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 제조된 각각의 본 발명의 와이어형 박막 태양전지에 대해 ASA simulation을 통해 셀 파라미터를 축출하였고 단락전류, 개방전압, 충진률, 효율 등의 결과를 도 7에 나타내었다.
도 7을 참조하면 본 발명의 와이어형 박막 태양전지의 제조시 광흡수층의 두께를 300 내지 400 nm로 증착시키는 것이 와이어형 박막 태양전지의 광전변환효율이 높게 나타남을 알 수 있다.
<
시험예
3>
p-타입 층의 두께를 5, 10, 15, 20, 25 nm의 두께로 증착시킨 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 제조된 각각의 본 발명의 와이어형 박막 태양전지에 대해 ASA simulation을 통해 셀 파라미터를 축출하였고 단락전류, 개방전압, 충진률, 효율 등의 결과를 도 8에 나타내었다.
도 8을 참조하면 본 발명의 와이어형 박막 태양전지의 제조시 p-타입 층의 두께를 10 내지 15 nm로 증착시키는 것이 와이어형 박막 태양전지의 광전변환효율이 높게 나타남을 알 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지의 측단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 와이어형 박막 태양전지의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따라 본 발명의 와이어형 박막 태양전지를 태양전지 모듈용 전극에 고밀도로 집속시켜 제조된 태양전지 모듈을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따라 본 발명의 와이어형 박막 태양전지를 태양전지 모듈용 전극에 고밀도로 집속시켜 제조된 태양전지 모듈을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따라 본 발명의 와이어형 박막 태양전지를 태양전지 모듈용 전극에 고밀도로 집속시켜 제조된 태양전지 모듈을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 시험예 1에서 n-타입 층의 두께를 5, 10, 15, 20, 25, 30 nm의 두께로 증착시켜 제조된 각각의 와이어형 박막 태양전지에 대해 광전기화학적 특성을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 시험예 2에서 광흡수층의 두께를 200, 250, 300, 350, 400 nm의 두께로 증착시켜 제조된 각각의 와이어형 박막 태양전지에 대해 광전기화학적 특성을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 시험예 8에서 P-타입 층의 두께를 5, 10, 15, 20, 25 nm의 두께로 증착시켜 제조된 각각의 와이어형 박막 태양전지에 대해 광전기화학적 특성 을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 와이어형 박막 태양전지 110: 금속 와이어
120 : N-타입 층 130 : 광흡수층
140 : P-타입 층 150 : 투명 전극층
200 : 태양전지 모듈용 전극 300 : 태양전지 모듈
Claims (19)
- 금속 와이어 외주면에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 n-타입 층을 증착하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 증착된 n-타입 층 상부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 p-타입 층을 증착하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 증착된 p-타입 층 상부에 투명 전극층(TCO)을 증착하는 단계(단계 3)를 포함하며,상기 금속 와이어는 100∼150 ㎛ 직경을 가진 금속 와이어로서, 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 제조된 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,상기 n-타입 층은 20∼30 nm의 두께로 증착되며, n형 반도체 성질을 가지는 비정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 n-타입 층은 n-타입 포스퍼러스(P) 억셉터 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 n-타입 층이 n형 반도체 성질을 가지는 비정질 실리콘 박막인 경우 상기 n-타입 층 상부에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 광흡수층을 더 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법.
- 청구항 5에 있어서,상기 광흡수층은 300∼400 nm의 두께로 증착된 수소화된 진성 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 p-타입 층은 80∼100 nm의 두께로 증착되며, p형 반도체 성질을 가지는 비정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 p-타입 층은 p-타입 보론(B) 억셉터 불순물이 도핑된 수소화된 비정질 실리콘 박막 또는 산화질소 가스를 주입하여 형성된 수소화된 실리콘 산화막(a-SiOX:B)인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지의 제조방법.
- 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 제조된 금속 와이어;상기 금속 와이어 외부에 증착되어 발생된 전자를 전도하는 n-타입 층;상기 n-타입 층 상부에 증착되어 태양광을 받아 여기된 전자를 방출시키는 p-타입 층; 및상기 p-타입 층 상부에 증착되는 투명 전극층을 포함하며,상기 금속 와이어는 100∼150 ㎛ 직경을 가진 금속 와이어인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 삭제
- 청구항 9에 있어서,상기 n-타입 층은 20∼30 nm의 두께로 증착되며, n형 반도체 성질을 갖는 비정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 청구항 11에 있어서,상기 n-타입 층은 n-타입 포스퍼러스(P) 억셉터 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 청구항 12에 있어서,상기 n-타입 층이 n형 반도체 성질을 갖는 비정질 실리콘 박막인 경우 n-타입 층 상부에 증착된 광흡수층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 청구항 13에 있어서,상기 광흡수층은 300∼400 nm의 두께로 증착된 수소화된 진성 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 청구항 9에 있어서,상기 p-타입 층은 80∼100 nm의 두께로 증착되며, p형 반도체 성질을 갖는 비정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 청구항 15에 있어서,상기 p-타입 층은 p-타입 보론(B) 억셉터 불순물이 도핑된 수소화된 비정질 실리콘 박막 또는 산화질소 가스를 주입하여 형성된 수소화된 실리콘 산화막(a-SiOX:B)인 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 청구항 9에 있어서,상기 투명 전극층(TCO)이 인듐틴옥사이드(ITO)로 형성된 것을 특징으로 하는 와이어형 박막 태양전지.
- 알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 제조된 100∼150 ㎛ 직경을 가진 금속 와이어 외주면에 증착되어 발생된 전자를 전도하는 n-타입 층; 상기 n-타입 층 상부에 증착되어 태양광을 받아 여기된 전자를 방출시키는 p-타입 층; 및 상기 p-타입 층 상부에 증착되는 투명 전극층을 포함하는 와이어형 박막 태양전지를 태양전지 모듈용 전극에 집속시켜 제조된 것을 특징으로 하는 고밀도 태양전지 모듈.
- 청구항 18에 있어서,다수의 상기 와이어형 박막 태양전지가 상기 모듈용 전극으로부터 방사상으로 연장되도록 결합되는 것을 특징으로 하는 고밀도 태양전지 모듈.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090134034A KR101073488B1 (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 와이어형 박막 태양전지 및 이의 제조방법 |
| US12/700,135 US20110155204A1 (en) | 2009-12-30 | 2010-02-04 | Wire type thin film solar cell and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090134034A KR101073488B1 (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 와이어형 박막 태양전지 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110077446A KR20110077446A (ko) | 2011-07-07 |
| KR101073488B1 true KR101073488B1 (ko) | 2011-10-17 |
Family
ID=44185966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090134034A KR101073488B1 (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 와이어형 박막 태양전지 및 이의 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110155204A1 (ko) |
| KR (1) | KR101073488B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101349194B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2014-01-24 | (주) 엔피홀딩스 | 유연한 실리콘 와이어 제조 장치 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130112236A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-09 | C/O Q1 Nanosystems (Dba Bloo Solar) | Photovoltaic microstructure and photovoltaic device implementing same |
| US20130112243A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-09 | C/O Q1 Nanosystems (Dba Bloo Solar) | Photovoltaic microstructure and photovoltaic device implementing same |
| KR101314677B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2013-10-04 | 최대규 | 소재의 가공장치 |
| KR101325141B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2013-11-06 | 최대규 | 소재의 가공 방법 및 장치 |
| CN102723377A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-10 | 苏州嘉言能源设备有限公司 | 槽式太阳能集热管用减反射膜 |
| KR101435428B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2014-09-01 | 최대규 | 태양전지구조체 및 상기 태양전지구조체를 포함하는 태양전지 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE8700578U1 (ko) * | 1987-01-13 | 1988-11-10 | Hoegl, Helmut, Dr., 8023 Pullach, De | |
| WO2006138671A2 (en) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Illuminex Corporation | Photovoltaic wire |
-
2009
- 2009-12-30 KR KR1020090134034A patent/KR101073488B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-02-04 US US12/700,135 patent/US20110155204A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101349194B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2014-01-24 | (주) 엔피홀딩스 | 유연한 실리콘 와이어 제조 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110155204A1 (en) | 2011-06-30 |
| KR20110077446A (ko) | 2011-07-07 |
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|
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