KR101072465B1 - Operational Trans-conductance Amplifier Circuit - Google Patents

Operational Trans-conductance Amplifier Circuit Download PDF

Info

Publication number
KR101072465B1
KR101072465B1 KR1020090057653A KR20090057653A KR101072465B1 KR 101072465 B1 KR101072465 B1 KR 101072465B1 KR 1020090057653 A KR1020090057653 A KR 1020090057653A KR 20090057653 A KR20090057653 A KR 20090057653A KR 101072465 B1 KR101072465 B1 KR 101072465B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
current
node
common mode
drain
Prior art date
Application number
KR1020090057653A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110000244A (en
Inventor
김영석
최문호
Original Assignee
충북대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 충북대학교 산학협력단 filed Critical 충북대학교 산학협력단
Priority to KR1020090057653A priority Critical patent/KR101072465B1/en
Publication of KR20110000244A publication Critical patent/KR20110000244A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101072465B1 publication Critical patent/KR101072465B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • H03F3/45188Non-folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

개시된 연산 상호컨덕턴스 증폭 회로는 전원전압 단자와 접지단자간에 접속되어, 제 1 입력전압 및 제 2 입력전압을 전류로 변환 및 증폭하여 출력 전압을 생성하는 주증폭부 및 주증폭부로 입력되는 공통모드 전압을 검출하고, 검출된 공통모드 전압으로부터 공통모드 전류를 생성하여, 주증폭부로 제공하는 공통모드 피드포워드부를 포함한다.The disclosed operational cross-conductance amplifying circuit is connected between a power supply terminal and a ground terminal to convert a first input voltage and a second input voltage into a current to amplify and amplify a main amplifier and a common mode voltage input to the main amplifier. And a common mode feedforward unit for generating a common mode current from the detected common mode voltage and providing it to the main amplifier.

OTA, 선형성 OTA, linearity

Description

연산 상호컨덕턴스 증폭 회로{Operational Trans-conductance Amplifier Circuit}Operational Transconductance Amplifier Circuit

본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 연산 상호 컨덕턴스 증폭(Operational Trans-conductance Amplifier; 이하, 'OTA'라 함) 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and more particularly to an operational transconductance amplifier (OTA) circuit.

OTA 회로는 입력 전압을 비례적인 출력 전류로 변환하고 증폭하여 출력하는 회로로서 능동 필터, 아날로그/디지털 변환기, 적분기 등 다양한 분야에 적용되고 있다.OTA circuit converts input voltage into proportional output current, amplifies and outputs it, and is applied to various fields such as an active filter, an analog / digital converter, an integrator, and the like.

OTA는 전압 제어 전류원(Voltage Controlled Current Source; VCCS)이므로, 전압 변화에 대한 전류 변화량의 선형성이 OTA를 구성하는 모스 트랜지스터(MOSFET)의 특성상 많이 제한된다.Since the OTA is a voltage controlled current source (VCCS), the linearity of the amount of change of the current with respect to the voltage change is greatly limited due to the characteristics of the MOSFET constituting the OTA.

도 1은 일반적인 OTA 회로의 구성도이고, 도 2는 차동 입력의 선형 구간을 나타내는 그래프이다.1 is a configuration diagram of a general OTA circuit, and FIG. 2 is a graph showing a linear section of a differential input.

보다 구체적으로, 도 1에 도시한 OTA 회로는 차동 입력 OTA 회로로서, 차동 입력 전압(Vid, 수학식 1 참조)을 입력받아 출력 전류(Io, 수학식 2 참조))를 출력한다. 본 OTA 회로의 선형 구간(D)은 도 2에 도시한 것과 같이 제한적임을 알 수 있다.More specifically, the OTA circuit shown in FIG. 1 is a differential input OTA circuit, and receives a differential input voltage V id (see Equation 1) and outputs an output current I o (see Equation 2). It can be seen that the linear section D of the present OTA circuit is limited as shown in FIG. 2.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112009038998134-pat00001
Figure 112009038998134-pat00001

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112009038998134-pat00002
Figure 112009038998134-pat00002

여기에서, ΔV=VGS-VTH 이다. [수학식 2]에서 Io와 Vid의 관계가 선형적이려면 [수학식 3]의 조건을 만족해야 한다. 예를 들어, ΔV가 200mV라면 Vid(max)는 340mV정도이다.Here, ΔV = V GS -V TH . In Equation 2, if the relationship between I o and V id is linear, the condition of Equation 3 must be satisfied. For example, if ΔV is 200 mV, V id (max) is about 340 mV.

[수학식 3]&Quot; (3) "

Figure 112009038998134-pat00003
Figure 112009038998134-pat00003

아울러, OTA를 구성하는 모스트랜지스터에는 [수학식 4]와 같은 고정된 바이어스 전류 I D (=0.5I B )가 흐르므로 Vid를 크게 하기 위해 모스트랜지스터의 채널 폭 및 길이의 비율(W/L)을 작게 할 수 있다. 하지만 W/L을 작게 하는 경우 트랜스컨덕턴스(Gm)가 작아지는 문제가 있다.In addition, since the fixed bias current I D (= 0.5 I B ) flows in the morph transistor constituting the OTA, as shown in [Equation 4], the ratio of the channel width and the length of the MOS transistor to increase V id (W / L ) Can be made small. However, when the W / L is reduced, there is a problem that the transconductance (Gm) is reduced.

[수학식 4]&Quot; (4) "

Figure 112009038998134-pat00004
Figure 112009038998134-pat00004

이러한 OTA의 선형성을 개선하기 위하여 도 3과 같은 방안이 제안되었다.In order to improve the linearity of the OTA, a scheme like FIG. 3 has been proposed.

도 3a은 내지 3c는 선형성이 개선된 일반적인 OTA 회로의 예시도이다.3A to 3C are exemplary views of a general OTA circuit with improved linearity.

먼저, 도 3a는 소오스 디제너레이션(Source Degeneration) 저항(Rs)을 사용한 경우를 나타낸다. 이러한 OTA 회로는 소오스 디제너레이션 저항(Rs)의 도입에 따라 면적이 증가하고, 저항의 공정 변화율로 인해 정확한 트랜스컨덕턴스를 얻기 힘들다.First, FIG. 3A illustrates a case where a source degeneration resistor Rs is used. These OTA circuits increase in area with the introduction of source degeneration resistors (Rs), and due to the process change rate of the resistors, it is difficult to obtain accurate transconductance.

다음, 도 3b는 트라이오드(triode) 영역에서 동작하는 모스트랜지스터를 이용한 OTA 회로를 나타낸다. 도 3b의 OTA 회로는 선형성은 우수하나 저전압에서 사용하기에 부적당하며 주파수 특성이 좋지 않은 단점이 있다.Next, FIG. 3B shows an OTA circuit using a MOS transistor operating in a triode region. Although the OTA circuit of FIG. 3B has excellent linearity, it is inadequate for use at low voltage and has a disadvantage of poor frequency characteristics.

한편, 도 3c는 인버터에 기초한 OTA 회로를 나타낸다. 인버터에 기초한 OTA 회로는 다른 OTA 회로에 비해 비교적 큰 트랜스컨덕턴스값을 얻을 수 있고, 낮은 전압, 높은 주파수에서 사용하기에 적합하다. 또한, 외부 공급전압(VDD)을 이용하여 트랜스컨덕턴스를 용이하게 조정할 수 있는 장점이 있다.3C shows an OTA circuit based on an inverter. Inverter-based OTA circuits can achieve relatively large transconductance values compared to other OTA circuits and are suitable for use at low voltages and high frequencies. In addition, there is an advantage that the transconductance can be easily adjusted by using the external supply voltage V DD .

도 3c에서, 입력 전압(Vin+, Vin-)은 다음과 같다.In FIG. 3C, the input voltages V in + , V in− are as follows.

[수학식 5][Equation 5]

Figure 112009038998134-pat00005
Figure 112009038998134-pat00005

Figure 112009038998134-pat00006
Figure 112009038998134-pat00006

제 1 입력전압(Vin+)이 제 1 PMOS 트랜지스터(P11)와 제 1 NMOS 트랜지스터(N11)에 입력되면 각각 [수학식 6] 및 [수학식 7]과 같은 전류를 생성한다.When the first input voltage V in + is input to the first PMOS transistor P11 and the first NMOS transistor N11, currents shown in Equations 6 and 7 are generated, respectively.

[수학식 6]&Quot; (6) "

Figure 112009038998134-pat00007
Figure 112009038998134-pat00007

[수학식 7][Equation 7]

Figure 112009038998134-pat00008
Figure 112009038998134-pat00008

[수학식 6] 및 [수학식 7]에서 VDD=-VSS, VTH=VTHn=│VTHp│, K=Kn=Kp, 그리고 VCM=0 이라 가정하고, 노드 Vout+에서 키르히호프의 전류법칙(Kirchhoffs current law; KCL)을 적용하면 OTA의 출력전류 I를 [수학식 8]과 같이 계산할 수 있다. 여기에서, Kn 및 Kp는 각각 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터의 공정 변수(캐리어 이동도, 게이트 캐패시턴스 등), 채널 길이 및 폭으로부터 결정되는 상수를 의미한다.Equations 6 and 7 assume that V DD = -V SS , V TH = V THn = │V THp │, K = K n = K p , and V CM = 0, and at node Vout + By applying Kirchhoffs current law (KCL), the output current I of the OTA can be calculated as shown in [Equation 8]. Here, K n and K p mean constants determined from process variables (carrier mobility, gate capacitance, etc.), channel length, and width of the NMOS transistor and the PMOS transistor, respectively.

[수학식 8][Equation 8]

Figure 112009038998134-pat00009
Figure 112009038998134-pat00009

출력 전류(I)는 입력전압에 Gm 만큼의 기울기를 갖는 매우 선형적인 특성을 보인다.The output current I shows a very linear characteristic with a slope of G m on the input voltage.

그런데, [수학식 8]의 결과는 VCM=0일 때로 가정한 경우를 나타낸다. VCM은 입력 공통 전압으로 입력 바이어스 전압과 같다. 따라서 값이 고정되지 않을 수 있다. 따라서, VDD=-VSS, VTH=VTHn=│VTHp│, K=Kn=Kp 이고 VCM≠0 라면 출력전류 I는 [수학식 9]와 같이 계산된다.By the way, the result of [Equation 8] shows a case when it is assumed that V CM = 0. V CM is an input common voltage equal to the input bias voltage. Therefore, the value may not be fixed. Therefore, if V DD = -V SS , V TH = V THn = V Vp , K = K n = K p and V CM ≠ 0, the output current I is calculated as shown in [Equation 9].

[수학식 9][Equation 9]

Figure 112009038998134-pat00010
Figure 112009038998134-pat00010

이와 같이, VCM≠0인 경우 출력전류는 VCM의 변화에 따라 4K(VDD-VTH)VCM 만큼의 비선형 전류를 생성하는 것을 알 수 있다.In this manner, if the CM V ≠ 0, the output current can be seen that the non-linear current produced by the 4K (V DD -V TH) V CM according to the change of V CM.

즉, 인버터에 기초한 OTA 회로는 공통모드 전압(VCM)에 의해 선형성이 결정되므로 VDD/2 이외의 공통모드 전압에서는 선형성이 저하되는 문제가 있다.That is, since the linearity is determined by the common mode voltage V CM in the inverter-based OTA circuit, the linearity is degraded at the common mode voltage other than V DD / 2.

본 발명은 상술한 단점 및 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 공통모드 전압 이외의 전압에서도 선형성을 보장할 수 있는 OTA 회로를 제공하는 데 그 기술적 과제가 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages and problems, there is a technical problem to provide an OTA circuit that can ensure linearity even at voltages other than the common mode voltage.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 OTA 회로는 전원전압 단자와 접지단자간에 접속되어, 제 1 입력전압 및 제 2 입력전압을 전류로 변환 및 증폭하여 출력 전압을 생성하는 주증폭부; 및 상기 주증폭부로 입력되는 공통모드 전압을 검출하고, 상기 검출된 공통모드 전압으로부터 공통모드 전류를 생성하여, 상기 주증폭부로 제공하는 공통모드 피드포워드부;를 포함한다.The OTA circuit according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem is connected between the power supply voltage terminal and the ground terminal, and converts and amplifies the first input voltage and the second input voltage into a current to generate an output voltage Main amplifier; And a common mode feedforward unit configured to detect the common mode voltage input to the main amplifier, generate a common mode current from the detected common mode voltage, and provide the common mode current to the main amplifier.

본 발명에 의하면, OTA 회로에서 발생하는 비선형 전류를 효과적으로 제거할 수 있고, 이에 따라 OTA 회로의 선형성을 개선할 수 있다.According to the present invention, it is possible to effectively remove the nonlinear current generated in the OTA circuit, thereby improving the linearity of the OTA circuit.

본 발명에 의한 연산 상호컨덕턴스 증폭(Operational Trans-conductance Amplifier; OTA) 회로는 CMOS 인버터 타입으로 입력 공통모드(Common-Mode;CM) 전압을 검출한다. 그리고, 검출된 공통모드 전압을 이용하여 로드 전류를 조정하기 위해 출력 노드에 피드포워드하는 공통모드 피드포워드(Common-Mode Feed-Forward;CMFF) 방식을 사용하여 입력 공통모드 전압에 의한 비선형성을 개선한다. 이에 따라, 본 발명에서 제안하는 OTA 회로는 입력 공통모드 전압의 변화에도 선형성을 유지한다.The Operational Transconductance Amplifier (OTA) circuit of the present invention detects an input common-mode (CM) voltage in a CMOS inverter type. In addition, by using the common mode feed-forward (CMFF) method which feeds forward to the output node to adjust the load current using the detected common mode voltage, the nonlinearity caused by the input common mode voltage is improved. do. Accordingly, the OTA circuit proposed in the present invention maintains linearity even with a change in the input common mode voltage.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 OTA 회로의 블록도이다.4 is a block diagram of an OTA circuit according to an embodiment of the present invention.

도시한 것과 같이, 본 발명에 의한 OTA 회로(100)는 주증폭부(110) 및 CMFF(Common Mode Feed Forward, 공통모드 피드포워드)부(120)을 포함한다.As illustrated, the OTA circuit 100 according to the present invention includes a main amplifier 110 and a common mode feed forward (CMFF) unit 120.

먼저, 주증폭부(110)는 전원전압 단자(VDD)와 접지단자(VSS)간에 접속되어, 제 1 및 제 2 입력전압(Vin+, Vin-)을 전류로 변환 및 증폭하여 출력 전압(I)을 생성한다.First, the main amplifier 110 is connected between the power supply voltage terminal (V DD ) and the ground terminal (V SS ), and converts and amplifies the first and second input voltages (V in + , V in− ) into current and outputs them. Generate the voltage (I).

본 발명의 바람직한 실시예에서, 주증폭부(110)는 인버터를 기초로 하여 구성할 수 있으며, 그 구체적인 구성에 대해서는 후술할 것이다.In a preferred embodiment of the present invention, the main amplifier 110 may be configured based on an inverter, and a detailed configuration thereof will be described later.

한편, CMFF부(120)는 입력 공통모드 전압(VCM)을 검출한 공통모드 전류(Ix, Iy)를 생성하여 주증폭부(110)에서 발생되는 비선형 전류를 제거한다.Meanwhile, the CMFF unit 120 generates the common mode currents I x and I y which detect the input common mode voltage V CM to remove the non-linear current generated by the main amplifier 110.

이와 같이 함으로써, 주증폭부(110)에서 출력되는 전류(I)는 공통모드 전압의 레벨에 무관하게 선형 특성을 갖게 된다.In this way, the current I output from the main amplifier 110 has a linear characteristic regardless of the level of the common mode voltage.

도 5는 도 4에 도시한 CMFF부의 상세 구성도이다.FIG. 5 is a detailed configuration diagram of the CMFF unit shown in FIG. 4.

도시한 것과 같이, CMFF부(120)는 전원전압 단자(VDD)와 접지단자(VSS) 간에 접속되어, 제 1 및 제 2 입력 전압(Vin+, Vin-)으로부터 제 1 드레인 전류를 생성하는 제 1 전류 생성 수단(122), 제 1 전류 생성 수단(122)에서 생성된 제 1 드레인 전류로부터 제 1 공통모드 전류(Ix)를 검출하는 제 1 전류 검출 수단(124), 전원전압 단자(VDD)와 접지단자(VSS) 간에 접속되어, 제 1 및 제 2 입력 전압(Vin+, Vin-)으로부터 제 2 드레인 전류를 생성하는 제 2 전류 생성 수단(126) 및, 제 2 전류 생성 수단(126)에서 생성된 제 2 드레인 전류로부터 제 2 공통모드 전류(Iy)를 검출하는 제 2 전류 검출 수단(128)을 포함한다.As illustrated, the CMFF unit 120 is connected between the power supply voltage terminal V DD and the ground terminal V SS to receive the first drain current from the first and second input voltages V in + and V in− . First current generating means 122 for generating, First current detecting means 124 for detecting the first common mode current I x from the first drain current generated in the first current generating means 122, Power supply voltage Second current generating means 126 connected between the terminal V DD and the ground terminal V SS to generate a second drain current from the first and second input voltages V in + and V in− , and And second current detecting means 128 for detecting the second common mode current I y from the second drain current generated by the second current generating means 126.

아울러, 검출된 제 1 및 제 2 공통모드 전류(Ix, Iy)는 주증폭부(110)의 출력 노드로 제공되어, 주증폭부(110)에서 발생하는 비선형 전류를 상쇄시킨다.In addition, the detected first and second common mode currents I x and I y are provided to the output node of the main amplifier 110 to cancel the nonlinear current generated in the main amplifier 110.

도 6은 도 4에 도시한 OTA 회로의 상세 회로도이다.FIG. 6 is a detailed circuit diagram of the OTA circuit shown in FIG. 4.

먼저, 주증폭부(110)는 전원전압 단자(VDD)와 접지단자(VSS) 간에 접속되어 제 1 입력전압(Vin+)에 의해 구동되는 제 1 인버터(P21, N21), 전원전압 단자(VDD)와 접지단자(VSS) 간에 접속되어 제 2 입력전압(Vin-)에 의해 구동되는 제 2 인버터(P22, N22) 및, 제 1 인버터의 출력단인 제 1 노드(K11)과 제 2 인버터의 출력단인 제 2 노드(K12) 간에 접속되는 로드 저항(R)을 포함한다.First, the main amplifier 110 is connected between the power supply voltage terminal V DD and the ground terminal V SS and driven by the first input voltage V in + , the first inverters P21 and N21 and the power supply voltage terminal. Second inverters P22 and N22 connected between a V DD and a ground terminal V SS and driven by a second input voltage V in- , and a first node K11 that is an output terminal of the first inverter. It includes a load resistor (R) connected between the second node (K12) which is the output terminal of the second inverter.

여기에서, 제 1 인버터는 제 1 PMOS 트랜지스터(P21)와 제 1 NMOS 트랜지스터(N21)를 직렬 연결하여 구성할 수 있고, 제 2 인버터는 제 2 PMOS 트랜지스터(P22)와 제 2 NMOS 트랜지스터(N22)를 직렬 연결하여 구성할 수 있다.Here, the first inverter may be configured by connecting the first PMOS transistor P21 and the first NMOS transistor N21 in series, and the second inverter may include the second PMOS transistor P22 and the second NMOS transistor N22. Can be configured by serial connection.

한편, CMFF부(120)는 제 1 전류 생성 수단(122), 제 1 전류 검출 수단(124), 제 2 전류 생성 수단(126) 및 제 2 전류 검출 수단(128)으로 이루어지며, 각각의 구성에 대하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the CMFF unit 120 is composed of the first current generating means 122, the first current detecting means 124, the second current generating means 126 and the second current detecting means 128, each of the configuration The detailed description is as follows.

먼저, 제 1 전류 생성 수단(122)은 드레인단이 제 3 노드(K13)에 접속되고 소스단이 접지단자(VSS)에 접속되며 게이트단으로 제 1 입력전압(Vin+)이 공급되는 제 3 NMOS 트랜지스터(N23) 및 드레인단이 제 3 노드(K13)에 접속되고 소스단이 접지단자(VSS)에 접속되며 게이트단으로 제 2 입력전압(Vin-)이 공급되는 제 4 NMOS 트랜지스터(N24)를 포함한다.First, the first current generating unit 122 includes a first terminal having a drain terminal connected to the third node K13, a source terminal connected to the ground terminal V SS , and a first input voltage V in + supplied to the gate terminal. third NMOS transistor (N23) and the drain stage is connected to the third node (K13) and the source end is connected to the ground terminal (V SS) first NMOS transistor 4 which is a second input voltage (V in-) is supplied to the gate terminal (N24).

제 1 전류 검출 수단(124)은 소스단이 전원전압 단자(VDD)에 접속되고 드레인단이 제 1 노드(K11)에 접속되는 제 3 PMOS 트랜지스터(P23), 소스 단이 전원전압 단자(VDD)에 접속되고 드레인단이 제 2 노드(K12)에 접속되는 제 4 PMOS 트랜지스터(P24) 및 소스단이 전원전압 단자(VDD)에 접속되고 드레인단이 제 3 노드(K13)에 접속되는 제 5 PMOS 트랜지스터(P25)를 포함한다. 여기에서, 제 3 내지 제 5 PMOS 트랜지스터(P23, P24, P25)의 게이트단은 제 5 PMOS 트랜지스터(P25)의 드레인단에 공통 접속된다.The first current detecting means 124 includes a third PMOS transistor P23 having a source terminal connected to a power supply voltage terminal V DD and a drain terminal connected to a first node K11, and a source terminal having a power supply voltage terminal V. FIG. DD ) and the fourth PMOS transistor P24 and the drain terminal connected to the second node K12 and the source terminal connected to the power supply voltage terminal V DD , and the drain terminal connected to the third node K13. A fifth PMOS transistor P25 is included. Here, the gate terminals of the third to fifth PMOS transistors P23, P24, and P25 are commonly connected to the drain terminals of the fifth PMOS transistor P25.

한편, 제 2 전류 생성 수단(126)은 소스단이 전원전압 단자(VDD)에 접속되고 드레인단이 제 4 노드(K14)에 접속되며 게이트단으로 제 1 입력전압(Vin+)이 공급되는 제 6 PMOS 트랜지스터(P26) 및 소스단이 전원전압 단자(VDD)에 접속되고 드레인 단이 제 4 노드(K14)에 접속되며 게이트단으로 제 2 입력전압(Vin-)이 공급되는 제 7 PMOS 트랜지스터(P27)를 포함한다.On the other hand, the second current generating means 126 has a source terminal connected to the power supply voltage terminal V DD , a drain terminal connected to the fourth node K14, and the first input voltage V in + supplied to the gate terminal. a sixth PMOS transistor which is the seventh (P26) and the source end connected to a power supply voltage terminal (V DD) and the drain stage is connected to the fourth node (K14) and the second input voltage (V in-) is supplied to the gate terminal PMOS transistor P27 is included.

그리고, 제 2 전류 검출수단(128)은 드레인단이 제 1 노드(K11)에 접속되고 소스단이 접지단자(VSS)에 접속되는 제 5 NMOS 트랜지스터(N25), 드레인단이 제 2 노드(K12)에 접속되고 소스단이 접지단자(VSS)에 접속되는 제 6 NMOS 트랜지스터(N26), 드레인단이 제 4 노드(K14)에 접속되고 소스단이 접지단자(VSS)에 접속되는 제 7 NMOS 트랜지스터(N27)를 포함한다. 여기에서, 제 5 내지 제 7 NMOS 트랜지스터(N25, N26, N27)의 게이트단은 제 7 NMOS 트랜지스터(N27)의 드레인단에 공통 접속된다.The second current detecting unit 128 includes a fifth NMOS transistor N25 having a drain terminal connected to the first node K11 and a source terminal connected to the ground terminal V SS , and the drain terminal having a second node ( A sixth NMOS transistor N26 connected to K12, a source terminal connected to a ground terminal V SS , a drain terminal connected to a fourth node K14, and a source terminal connected to a ground terminal V SS ; 7 NMOS transistor N27. Here, the gate terminal of the fifth to seventh NMOS transistors N25, N26, and N27 is commonly connected to the drain terminal of the seventh NMOS transistor N27.

이와 같이 구성되는 CMFF부(120)는 인버터를 기초로 하는 주증폭부(110)에서 발생한 비선형 전류를 제거하기 위해 공통모드 전압(VCM)을 검출하여 생성되는 공통모드 전류(Ix, Iy)에 의해 비선형 전류를 제거한다.The CMFF unit 120 configured as described above has a common mode current I x , I y generated by detecting the common mode voltage V CM to remove the nonlinear current generated from the main amplifier 110 based on the inverter. To remove the nonlinear current.

도 6을 참조하면, 제 1 전류 검출 수단(124)에서 검출되는 제 1 공통모드 전류(Ix)는 제 1 전류 생성 유닛(122)의 제 3 NMOS 트랜지스터(N23) 및 제 4 NMOS 트랜지스터(N24)에 흐르는 전류합의 절반 값이다. 즉, 3 NMOS 트랜지스터(N23) 및 제 4 NMOS 트랜지스터(N24)의 드레인 전류(Id1 *, Id2 *)의 합의 절반을 Ix로 표현할 수 있다.Referring to FIG. 6, the first common mode current I x detected by the first current detecting means 124 is the third NMOS transistor N23 and the fourth NMOS transistor N24 of the first current generating unit 122. It is half the sum of the current flowing through That is, half of the sum of the drain currents I d1 * and I d2 * of the 3 NMOS transistors N23 and the fourth NMOS transistors N24 may be expressed as I x .

마찬가지로, 제 2 전류 검출 수단(128)에서 검출되는 제 2 공통모드 전류(Iy)는 제 2 전류 생성 유닛(126)의 제 6 및 제 7 PMOS 트랜지스터(P26, P27)의 드레인 전류(Id3 *, Id4 *)의 절반값으로부터 구할 수 있다.Similarly, the second common mode current I y detected by the second current detection means 128 is the drain current I d3 of the sixth and seventh PMOS transistors P26 and P27 of the second current generating unit 126. * , I d4 * ).

VDD=-VSS, VTH=VTHn=│VTHp│, K=Kn=Kp 라 가정하고 [수학식 6] 및 [수학식 7]과 유사한 방법으로 Ix, Iy를 계산하면 다음과 같다.Assuming that V DD = -V SS , V TH = V THn = │V THp │, K = K n = K p , calculate I x , I y in a similar manner as in Equations 6 and 7 Is as follows.

[수학식 10][Equation 10]

Figure 112009038998134-pat00011
Figure 112009038998134-pat00011

Figure 112009038998134-pat00012
Figure 112009038998134-pat00012

도 6의 제 2 노드(K12)에서 KCL을 적용하고, 공통모드 전압(VCM)이 0이 아닌 경우의 출력 전류(I)를 나타내는 [수학식 9]를 다른 표현으로 나타내면 다음을 얻을 수 있다. If KCL is applied at the second node K12 of FIG. 6 and Equation 9, which represents the output current I when the common mode voltage V CM is not 0, is represented by another expression, the following may be obtained. .

[수학식 11][Equation 11]

Figure 112009038998134-pat00013
Figure 112009038998134-pat00013

Figure 112009038998134-pat00014
Figure 112009038998134-pat00014

Figure 112009038998134-pat00015
Figure 112009038998134-pat00015

이로부터 다음의 [수학식 12]를 얻을 수 있다.From this, the following Equation 12 can be obtained.

[수학식 12][Equation 12]

Figure 112009038998134-pat00016
Figure 112009038998134-pat00016

이와 같이, CMFF부(120)를 이용하는 경우 출력 전류(I)는 공통모드 전압(VCM)이 무관하게 출력되는 것을 알 수 있다. 즉, VCM≠0 일 때도 입력 전압에 대해 선형적인 출력이 나오도록 OTA 회로를 설계할 수 있다.As such, when the CMFF unit 120 is used, the output current I may be output regardless of the common mode voltage V CM . That is, even when V CM ≠ 0, the OTA circuit can be designed such that a linear output is generated with respect to the input voltage.

아울러, 본 발명에 의한 OTA 회로의 트랜스컨덕턴스(Gm)는 [수학식 12]에서와 같이 VDD를 이용하여 조정(tuning) 가능하다.In addition, the transconductance Gm of the OTA circuit according to the present invention can be tuned using V DD as shown in Equation 12.

도 7 및 도 8은 일반적인 인버터 기반 OTA 회로와 본 발명에 의한 OTA 회로에서, 공통모드 전압 변동에 따른 출력 전류의 선형성을 비교하기 위한 그래프이다.7 and 8 are graphs for comparing the linearity of the output current according to the common mode voltage variation in a typical inverter-based OTA circuit and the OTA circuit according to the present invention.

먼저, 도 7은 일반적인 OTA 회로에서 차동 입력 전압(Vd)에 따른 로드 전류 및 트랜스컨덕턴스(gm) 변화를 나타낸다.First, Figure 7 shows the load current and transconductance (gm) change according to the differential input voltage (Vd) in a typical OTA circuit.

공통모드 전압(Vcm)이 (VDD-VSS)/2, 예를 들어 0.9V인 경우, 로드 전류(A1)는 차동 입력 전압(Vd)의 전 구간에서 선형성을 갖는 것을 알 수 있다. 그러나, 공통모드 전압(Vcm)이 (VDD-VSS)/2가 아닐 경우, 예를 들어 1.1V로 변화된 경우 로드 전류(B1) 선형성이 저하되어 일부 구간에서만 선형성을 갖는다.When the common mode voltage Vcm is (V DD -V SS ) / 2, for example, 0.9V, it can be seen that the load current A1 has linearity over the entire interval of the differential input voltage Vd. However, when the common mode voltage Vcm is not (V DD -V SS ) / 2, for example, when the common mode voltage Vcm is changed to 1.1 V, the linearity of the load current B1 is lowered and thus linearity is obtained only in some sections.

이를 트랜스컨덕턴스값으로 비교해 보면, 공통모드 전압(Vcm)이 0.9V인 경우의 트랜스컨덕턴스(C1)는 차동 입력 전압(Vd)의 전 구간에서 거의 동일한 값을 갖 는 반면, 공통모드 전압(Vcm)이 1.1V로 변화된 경우의 트랜스컨덕턴스(D1)는 변동이 매우 심한 것을 알 수 있다.Comparing this to the transconductance value, when the common mode voltage (Vcm) is 0.9 V, the transconductance (C1) has almost the same value over the entire interval of the differential input voltage (Vd), while the common mode voltage (Vcm) It can be seen that the transconductance (D1) in the case of changing to this 1.1V is very fluctuating.

이와 같이, 일반적인 OTA 회로는 공통모드 전압(Vcm)의 변화에 민감하여 로드 전류의 선형성을 보장할 수 없다.As such, the general OTA circuit is sensitive to the change of the common mode voltage (Vcm) and cannot guarantee the linearity of the load current.

한편, 도 8은 본 발명에 의한 OTA 회로에서 차동 입력 전압(Vd)에 따른 로드 전류 및 트랜스컨덕턴스(gm) 변화를 나타낸다.8 illustrates a change in load current and transconductance (gm) according to the differential input voltage Vd in the OTA circuit according to the present invention.

공통모드 전압(Vcm)이 (VDD-VSS)/2, 예를 들어 0.9V인 경우의 로드 전류(A2) 및 공통모드 전압(Vcm)이 (VDD-VSS)/2가 아닐 경우, 예를 들어 1.1V로 변동된 경우의 로드 전류(B2)가 동일하게 나타난다. 즉, 공통모드 전압(Vcm)이 변동되어도 차동 입력 전압(Vd)의 전 구간에서 OTA 회로의 선형성 보장된다. 도8의 그래프에서는 공통모드 전압(Vcm)이 0.9V인 경우와 1.1V인 경우의 그래프(A2, B2)가 서로 중첩된 상태를 나타낸다.When the common mode voltage (Vcm) is (V DD -V SS ) / 2, for example 0.9V, and the load current (A2) and the common mode voltage (Vcm) are not (V DD -V SS ) / 2 For example, the load current B2 when it is changed to 1.1V is the same. That is, even if the common mode voltage Vcm is varied, the linearity of the OTA circuit is guaranteed in the entire period of the differential input voltage Vd. In the graph of Fig. 8, the graphs A2 and B2 in the case where the common mode voltage Vcm is 0.9V and 1.1V are overlapped with each other.

한편, 공통모드 전압(Vcm) 변동에 따른 트랜스컨덕턴스를 비교해 보면, 공통모드 전압(Vcm)이 0.9V인 경우(C2), 그리고 공통모드 전압(Vcm)이 1.1V로 변동된 경우에 차동 입력 전압(Vd)의 전 구간에서 거의 동일한 값으로 나타남을 알 수 있다.On the other hand, when comparing the transconductance according to the variation of the common mode voltage (Vcm), the differential input voltage when the common mode voltage (Vcm) is 0.9V (C2) and when the common mode voltage (Vcm) is changed to 1.1V It can be seen that the values are almost the same in all sections of (Vd).

이와 같이, 본 발명에 의한 OTA 회로의 출력 전류는 VCM의 값에 무관하게 비교적 넓은 선형 구간을 갖는 것을 알 수 있다.As described above, it can be seen that the output current of the OTA circuit according to the present invention has a relatively wide linear section regardless of the value of V CM .

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사 상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As such, those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical concept or essential characteristics. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative in all respects and not as restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

본 발명에 의한 OTA 회로는 선형특성이 매우 우수하다. 따라서, Gm-C 필터와 같은 다중 표준 수신기에 적용하는 경우 차단 주파수를 용이하게 조절할 수 있고 저지대역 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다. 아울러, 낮은 전력 소모량을 갖는 다중 표준 수신기를 구성할 수 있다.The OTA circuit according to the present invention is very excellent in linear characteristics. Therefore, when applied to a multi standard receiver such as a Gm-C filter, the cutoff frequency can be easily adjusted and the stopband attenuation characteristics can be improved. In addition, multiple standard receivers with low power consumption can be configured.

도 1은 일반적인 OTA 회로의 구성도,1 is a configuration diagram of a general OTA circuit,

도 2는 도 1 에 도시한 OTA 회로에서 차동 입력의 선형 구간을 나타내는 그래프,2 is a graph showing a linear section of a differential input in the OTA circuit shown in FIG.

도 3a 내지 3c는 선형성이 개선된 일반적인 OTA 회로의 예시도,3a to 3c are exemplary views of a general OTA circuit with improved linearity,

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 OTA 회로의 블록도,4 is a block diagram of an OTA circuit according to an embodiment of the present invention;

도 5는 도 4에 도시한 CMFF부의 상세 구성도,5 is a detailed configuration diagram of the CMFF unit shown in FIG. 4;

도 6은 도 4에 도시한 OTA 회로의 상세 회로도,6 is a detailed circuit diagram of the OTA circuit shown in FIG. 4;

도 7 및 도 8은 일반적인 인버터 기반 OTA 회로와 본 발명에 의한 OTA 회로에서, 공통모드 전압 변동에 따른 출력 전류의 선형성을 비교하기 위한 그래프이다.7 and 8 are graphs for comparing the linearity of the output current according to the common mode voltage variation in a typical inverter-based OTA circuit and the OTA circuit according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

100 : OTA 회로 110 : 주증폭부100: OTA circuit 110: main amplifier

120 : CMFF부 122 : 제 1 전류 생성 수단120: CMFF section 122: first current generating means

124 : 제 1 전류 검출 수단 126 : 제 2 전류 생성 수단124: first current detecting means 126: second current generating means

128 : 제 2 전류 검출 수단128: second current detection means

Claims (8)

전원전압 단자와 접지단자간에 접속되어, 제 1 입력전압 및 제 2 입력전압을 전류로 변환 및 증폭하여 출력 전압을 생성하며, 인버터 기반 연산 트랜스컨덕터 증폭기로 구성되는 주증폭부; 및A main amplifier connected between a power supply voltage terminal and a ground terminal, converting and amplifying a first input voltage and a second input voltage into a current to generate an output voltage, the main amplifier comprising an inverter-based operational transconductor amplifier; And 상기 주증폭부로 입력되는 공통모드 전압을 검출하고, 상기 검출된 공통모드 전압으로부터 공통모드 전류를 생성하여, 상기 주증폭부로 제공하는 공통모드 피드포워드(Common-mode feed-forward)부;A common-mode feed-forward unit configured to detect a common mode voltage input to the main amplifier, generate a common mode current from the detected common mode voltage, and provide the common mode current to the main amplifier; 를 포함하는 연산 상호컨던턴스 증폭 회로.Operational interconductance amplification circuit comprising a. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주증폭부는, 상기 전원전압 단자와 상기 접지단자 간에 접속되어 상기 제 1 입력전압을 반전 출력하는 제 1 인버터;The main amplifier may include: a first inverter connected between the power supply voltage terminal and the ground terminal to invert and output the first input voltage; 상기 전원전압 단자와 상기 접지단자 간에 접속되어 상기 제 2 입력전압을 반전 출력하는 제 2 인버터; 및A second inverter connected between the power supply voltage terminal and the ground terminal to invert and output the second input voltage; And 상기 제 1 인버터의 출력단인 제 1 노드와, 상기 제 2 인버터의 출력단인 제 2 노드 간에 접속되는 로드 저항;A load resistor connected between the first node, which is an output terminal of the first inverter, and the second node, which is an output terminal of the second inverter; 을 포함하는 연산 상호컨던턴스 증폭 회로.Operational interconductance amplification circuit comprising a. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 공통모드 피드포워드부는, 상기 전원전압 단자와 상기 접지단자 간에 병렬 접속되어 상기 공통모드 전압에 의한 제 1 드레인 전류를 생성하는 제 1 전류 생성 수단;The common mode feedforward section may include: first current generation means connected in parallel between the power supply voltage terminal and the ground terminal to generate a first drain current according to the common mode voltage; 상기 제 1 드레인 전류로부터 제 1 공통모드 전류를 생성하여, 상기 제 1 노드로 제공하는 제 1 전류 검출 수단;First current detecting means for generating a first common mode current from the first drain current and providing the first common mode current to the first node; 상기 전원전압 단자와 상기 접지단자 간에 병렬 접속되어 상기 공통모드 전압에 의한 제 2 드레인 전류를 생성하는 제 2 전류 생성 수단; 및Second current generating means connected in parallel between the power supply voltage terminal and the ground terminal to generate a second drain current by the common mode voltage; And 상기 제 2 드레인 전류로부터 제 2 공통모드 전류를 생성하여 상기 제 2 노드로 제공하는 제 2 전류 검출 수단;Second current detection means for generating a second common mode current from the second drain current and providing it to the second node; 을 포함하는 연산 상호컨던턴스 증폭 회로.Operational interconductance amplification circuit comprising a. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 전류 생성 수단은, 드레인단이 제 3 노드에 접속되고 소스단이 상기 접지단자에 접속되며 게이트단으로 상기 제 1 입력전압이 공급되는 제 1 트랜지스터; 및 드레인단이 상기 제 3 노드에 접속되고 소스단이 상기 접지단자에 접속되며 게이트단으로 상기 제 2 입력전압이 공급되는 제 2 트랜지스터;를 포함하고,The first current generating means includes: a first transistor having a drain terminal connected to a third node, a source terminal connected to the ground terminal, and the first input voltage supplied to a gate terminal; And a second transistor having a drain terminal connected to the third node, a source terminal connected to the ground terminal, and the second input voltage supplied to a gate terminal. 상기 제 1 전류 검출 수단은, 소스단이 상기 전원전압 단자에 접속되고 드레 인단이 상기 제 1 노드에 접속되는 제 3 트랜지스터; 소스 단이 상기 전원전압 단자에 접속되고 드레인단이 상기 제 2 노드에 접속되는 제 4 트랜지스터; 및 소스단이 상기 전원전압 단자에 접속되고 드레인단이 상기 제 3 노드에 접속되는 제 5 트랜지스터;를 포함하고, 상기 제 3 내지 제 5 트랜지스터의 게이트단은 상기 제 5 트랜지스터의 드레인단에 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 연산 상호컨던턴스 증폭 회로.The first current detecting means includes: a third transistor having a source terminal connected to the power supply voltage terminal and a drain terminal connected to the first node; A fourth transistor having a source terminal connected to the power supply voltage terminal and a drain terminal connected to the second node; And a fifth transistor having a source terminal connected to the power supply voltage terminal and a drain terminal connected to the third node, wherein the gate terminal of the third to fifth transistors is commonly connected to the drain terminal of the fifth transistor. Operational interconductance amplification circuit, characterized in that. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고, 상기 제 3 내지 제 5 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 연산 상호컨던턴스 증폭 회로.Wherein said first and second transistors are NMOS transistors, and said third to fifth transistors are PMOS transistors. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 2 전류 생성 수단은, 소스단이 상기 전원전압 단자에 접속되고 드레인단이 제 4 노드에 접속되며 게이트단으로 상기 제 1 입력전압이 공급되는 제 6 트랜지스터; 및 소스단이 상기 전원전압 단자에 접속되고 드레인단이 상기 제 4 노드에 접속되며 게이트단으로 상기 제 2 입력전압이 공급되는 제 7 PMOS 트랜지스터를 포함하고,The second current generating means includes: a sixth transistor having a source terminal connected to the power supply voltage terminal, a drain terminal connected to a fourth node, and the first input voltage supplied to a gate terminal; And a seventh PMOS transistor having a source terminal connected to the power supply voltage terminal, a drain terminal connected to the fourth node, and the second input voltage supplied to a gate terminal. 상기 제 2 전류 검출 수단은, 드레인단이 상기 제 1 노드에 접속되고 소스단이 상기 접지단자에 접속되는 제 8 트랜지스터; 드레인단이 상기 제 2 노드에 접속 되고 소스단이 상기 접지단자에 접속되는 제 9 트랜지스터; 및 드레인단이 상기 제 4 노드에 접속되고 소스단이 상기 접지단자에 접속되는 제 10 트랜지스터;를 포함하고, 상기 제 8 내지 제 10 트랜지스터의 게이트단은 상기 제 10 트랜지스터의 드레인단에 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 연산 상호컨던턴스 증폭 회로.The second current detecting means includes: an eighth transistor having a drain terminal connected to the first node and a source terminal connected to the ground terminal; A ninth transistor having a drain terminal connected to the second node and a source terminal connected to the ground terminal; And a tenth transistor having a drain terminal connected to the fourth node and a source terminal connected to the ground terminal, wherein the gate terminal of the eighth to tenth transistors is commonly connected to the drain terminal of the tenth transistor. Operational interconductance amplification circuit, characterized in that. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 6 및 제 7 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이고, 상기 제 8 내지 제 10 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 연산 상호컨던턴스 증폭 회로.And the sixth and seventh transistors are PMOS transistors, and the eighth to tenth transistors are NMOS transistors.
KR1020090057653A 2009-06-26 2009-06-26 Operational Trans-conductance Amplifier Circuit KR101072465B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090057653A KR101072465B1 (en) 2009-06-26 2009-06-26 Operational Trans-conductance Amplifier Circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090057653A KR101072465B1 (en) 2009-06-26 2009-06-26 Operational Trans-conductance Amplifier Circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110000244A KR20110000244A (en) 2011-01-03
KR101072465B1 true KR101072465B1 (en) 2011-10-11

Family

ID=43609116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090057653A KR101072465B1 (en) 2009-06-26 2009-06-26 Operational Trans-conductance Amplifier Circuit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101072465B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806744B1 (en) 2003-10-03 2004-10-19 National Semiconductor Corporation High speed low voltage differential to rail-to-rail single ended converter
US20060012355A1 (en) 2004-05-28 2006-01-19 Franz Prexl Control circuit for a polarity inverting buck-boost DC-DC converter
US20070024325A1 (en) 2005-08-01 2007-02-01 Chung-Kuang Chen Sense amplifier with input offset compensation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806744B1 (en) 2003-10-03 2004-10-19 National Semiconductor Corporation High speed low voltage differential to rail-to-rail single ended converter
US20060012355A1 (en) 2004-05-28 2006-01-19 Franz Prexl Control circuit for a polarity inverting buck-boost DC-DC converter
US20070024325A1 (en) 2005-08-01 2007-02-01 Chung-Kuang Chen Sense amplifier with input offset compensation

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110000244A (en) 2011-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7589587B2 (en) Feedback amplifier circuit operable at low voltage by utilizing switched operational amplifier and chopper modulator
US8514011B2 (en) Impedance transformation with transistor circuits
US8067958B2 (en) Mitigating side effects of impedance transformation circuits
JP4991785B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US9685914B2 (en) Amplifier circuit
Carrillo et al. A family of low-voltage bulk-driven CMOS continuous-time CMFB circuits
CN110224677B (en) Low noise differential amplifier circuit and amplification method
US7948314B2 (en) Tunable linear operational transconductance amplifier
KR100405221B1 (en) Variable gain amplifier
Tang et al. A sub-1-V bulk-driven opamp with an effective transconductance-stabilizing technique
US7492226B2 (en) Linearization apparatus of triode region type operational transconductance amplifier
US7408410B2 (en) Apparatus for biasing a complementary metal-oxide semiconductor differential amplifier
JP2006314059A (en) Semiconductor device
EP1435693B1 (en) Amplification circuit
US20170241807A1 (en) Readout circuit
KR20090032921A (en) Highly linear transconductance amplifier
KR101072465B1 (en) Operational Trans-conductance Amplifier Circuit
CN115498970A (en) Amplifying circuit, differential amplifying circuit and amplifier
JP2009060376A (en) Amplifier circuit, sample holding circuit using the same, and analog-digital converter using the circuit
JP4180411B2 (en) Transconductance amplifier
Centurelli et al. A very low-voltage differential amplifier for opamp design
Nagulapalli et al. A Linearity Enhancement Technique for Cascode Opamp in 65nm CMOS Technology
JPH10276053A (en) Variable gain amplifier
Wu et al. A 21-bit read-out IC employing dynamic element matching with 0.037% gain error
JP2012169820A (en) Preamplifier circuit and microphone

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151006

Year of fee payment: 5