KR101069932B1

KR101069932B1 - 동적 계측 샘플링 방법들

Info

Publication number: KR101069932B1
Application number: KR1020067002325A
Authority: KR
Inventors: 매튜 에이. 퍼디
Original assignee: 글로벌파운드리즈 인크.
Priority date: 2003-08-04
Filing date: 2004-06-04
Publication date: 2011-10-05
Also published as: US20050033467A1; WO2005017981A2; KR20060063929A; TWI352915B; JP2007501517A; WO2005017981A3; CN100373572C; EP1654756A2; CN1830075A; TW200516469A; US6988045B2

Abstract

본 발명은 일반적으로 다양한 제조 공정들을 모니터링하는 데에 이용될 수 있는 적응성 계측 샘플링 계획들을 위한 다양한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다. 일 예시적 실시예에서, 상기 방법은 복수의 계측 샘플링 룰들을 생성하는 단계와, 계측 샘플링 룰들 각각에 샘플링 가중치를 할당하는 단계와, 적어도 하나의 계측 샘플링 룰을 만족시키는 적어도 하나의 워크피스를 식별하는 단계와, 만족되는 계측 샘플링 룰들 각각에 대한 샘플링 가중치와 룰들을 만족시키는 식별된 워크피스들을 관련시키는 단계와, 그리고 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다. 추가 실시예들에서, 상기 방법은 계측 샘플링 룰들 중 하나에 대한 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계 또는 워크피스들 중 하나에 대한 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다.

반도체 공정, 워크피스, 계측 툴.

Description

동적 계측 샘플링 방법들{DYNAMIC METROLOGY SAMPLING METHODS}

본 발명은 일반적으로 적응성 계측 샘플링 기술들의 분야에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 다양한 제조 공정들을 모니터링하는 데에 이용될 수 있는 적응성 계측 샘플링 계획들을 위한 다양한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다.

실질적으로 모든 제조 환경들에서, 다양한 제조 공정들이 예상되는 대로 바람직하게 동작하고 있음을 보장하는 계측 데이터가 얻어진다. 이상적인 제어 상황에서, 모든 워크피스들(workpieces)(즉, 가공품들) 또는 처리 물질에 대한 계측이 이루어질 것이다. 하지만, 실제로, 이러한 소모적인 계측 샘플링 계획은 실용적이지 않다. 계측 데이터의 획득은 임의의 값을 워크피스들 또는 처리 물질에 부가하지 않는다. 게다가, 계측 데이터의 획득은 시간-소모적이며, 획득 과정은 값비싼 계측 툴들의 사용 및 부족한 계측 기술자들 또는 엔지니어들을 요구한다. 이와 같이, 다양한 제조 공정들을 모니터링하고 제어하는 유용한 정보를 제공할 수 있는 최소 레벨로 수행되는 샘플링 량을 제한하는 사업-기반의 요구가 있다.

반도체 제조 동작들의 환경에서, 계측 샘플링은 일반적으로 웨이퍼들의 어느 로트들이 샘플링되는지에 관한 고정된 독립적인 룰(rule)들의 세트로서 수행된다. 예를 들어, 대부분의 과거의 샘플링 시스템들은 고정된 퍼센트, 예를 들어 툴 또는 공정 동작을 통해 처리되는 워크피스들(또는 로트들)의 20%에 기초하거나, 기설정된 패턴, 예를 들어 매 다른 로트(X-X-X)에 기초한 샘플링을 포함하거나, 제 1 워크피스를 측정하고 후속 3개(X---X---)를 측정하지 않는 것이다. 부가적으로, 특정 툴 또는 툴들의 세트에서 샘플링 레벨을 증가시키기 위해, 임시의 샘플링 결정들이 또한 종종 기술부의 재량으로 이루어진다. 이러한 다수의 조정되지 않은 샘플링 입력들은 생산 라인의 과도-샘플링(over-sampling)을 발생시킬 수 있다.

과도-샘플링의 위험을 감소하기 위해, 일반적인 방식은 저속으로 단지 핵심 공정 툴들에 적용되는 샘플링 룰들을 감소시키는 것이다. 이러한 방식을 취함으로써, 임시의 결정들 또는 다른 소스들로부터의 추가 샘플링은 측정 툴들의 성능 및 직원들에게 과도한 부담을 주지 않는다. 하지만, 이러한 샘플링 방식은 비-핵심 공정 툴에서의 문제점이 비-핵심 공정 툴에 대한 특정 샘플링 룰의 부족으로 인해 검출되지 않게 되는 위험을 초래한다

단지 예로서, 반도체 제조 설비 환경에서, 잠재적인 식각 결함들을 조사하기 위해 계측 샘플링 계획을 셋업하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 결함들의 발생에 영향을 미칠 수 있는 공정 툴들은 4개의 식각 툴들 및 5개의 용매 싱크(solvent sink)의 집합체가 될 수 있다(여기서, 포토레지스트 마스크 물질은 식각 공정이 수행된 이후에 제거된다). 전형적인 샘플링 룰은 4개의 식각 툴들 각각을 통해 처리되는 로트들의 30%가 계측 테스트를 받게 됨을 시사한다. 하지만, 실제 계측 테스트는 검사 대상의 로트들이 식각 툴과 5개의 용매 싱크들 중 하나를 통해 처리될 때 까지 수행되지 않는다. 이러한 방식을 채택함에 있어서, 무작위성으로 인해, 용매 싱크 툴들 역시 적절히 샘플링될 수 있는 것으로 가정한다. 하지만, 실제로, 이러한 계측은 비-핵심 공정 툴들, 즉 용매 싱크들의 적절한 샘플링을 제공하지 않을 수 있다. 즉, 무작위의 선택으로 인해, 식각 툴들에서 처리되는 로트들은 용매 싱크들의 후공정에서 처리될 때에 공평하게 분배되지 않을 수 있다. 결과적으로, 용매 싱크 툴들의 일부는 과도하게 샘플링될 수 있는 반면, 다른 용매 싱크 툴들은 부족하게 샘플링될 수 있다.

요구되는 모든 툴들이 적절히 샘플링되고 있다고 가정하는 이러한 계측 샘플링 계획은 많은 제조 공정들에 대해 허용가능하지 않다. 이러한 가정들에 의존하게 되면, 허용가능한 결과들을 가져오지 않는 특정 공정 툴이 시간 주기 동안 검출되지 않을 수 있는 상황들을 초래할 수 있다. 결과적으로, 제조 비용이 증가하고, 제조 효율 및 수율이 감소할 수 있다. 일반적으로, 샘플링될 것이 요구되는 동작들 및 공정 툴들을 여전히 적절하게 샘플링하면서, 샘플링되는 워크피스들(예를 들어, 로트들, 웨이퍼들)의 수를 최소화하는 계측 샘플링 방법이 필요하다.

본 발명은 상술된 문제점들의 일부 또는 모두를 해결하거나 적어도 감소시키는 다양한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다.

본 발명은 일반적으로 다양한 제조 공정들을 모니터링하는 데에 이용될 수 있는 적응성 계측 샘플링 계획들을 위한 다양한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다. 일 예시적 실시예에서, 상기 방법은 복수의 계측 샘플링 룰들을 생성하는 단계와, 계측 샘플링 룰들 각각에 샘플링 가중치를 할당(즉, 대입)하는 단계와, 적어도 하나의 계측 샘플링 룰을 만족시키는 적어도 하나의 워크피스를 식별하는 단계와, 만족되는 계측 샘플링 룰들 각각에 대한 샘플링 가중치와 룰들을 만족시키는 식별된 워크피스들을 관련시키는 단계와, 그리고 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다.

다른 예시적 실시예에서, 상기 방법은 복수의 계측 샘플링 룰들을 생성하는 단계와, 계측 샘플링 룰들 각각에 샘플링 가중치를 할당하는 단계와, 적어도 하나의 계측 샘플링 룰을 만족시키는 적어도 하나의 워크피스를 식별하는 단계와, 만족되는 계측 샘플링 룰들 각각에 대한 샘플링 가중치와 룰들을 만족시키는 식별되는 워크피스들을 관련시키는 단계와, 그리고 계측 샘플링 룰들 중 하나에 대한 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다.

추가의 예시적 실시예에서, 상기 방법은 복수의 계측 샘플링 룰들을 생성하는 단계와, 계측 샘플링 룰들 각각에 샘플링 가중치를 할당하는 단계와, 적어도 하나의 계측 샘플링 룰을 만족시키는 적어도 하나의 워크피스를 식별하는 단계와, 만족되는 계측 샘플링 룰들 각각에 대한 샘플링 가중치와 룰들을 만족시키는 식별되는 워크피스들을 관련시키는 단계와, 그리고 워크피스들 중 하나에 대한 샘플링 가중치들의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다.

본 발명은 첨부 도면들과 관련하여 설명되는 하기의 상세한 설명을 참조하여 이해될 수 있는데, 도면들에서 동일 참조 번호들은 동일한 요소들을 나타낸다.

표 1 내지 6은 본 발명의 일 예시적 실시예를 도시한다.

도 1은 본 발명에서 이용될 수 있는 시스템의 예시적인 일 실시예의 개략도이다.

본 발명의 다양한 변형들 및 대안적인 형태들이 가능함에도 불구하고, 본원의 특정 실시예들이 도면들에 예시적으로 도시되고, 이들에 대해 상세히 설명한다. 하지만, 특정 실시예들의 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태들로 제한하려는 것이 아니라, 첨부된 청구항들에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범주 내에 있는 모든 변형물들, 등가물들 및 대안들을 포함하도록 의도된다.

본 발명의 예시적 실시예들은 하기에서 설명된다. 간략화를 위해, 실제 구현의 모든 특징들이 본 명세서에서 설명되지는 않는다. 당연히, 이러한 모든 실제 구현의 개발시, 구현마다 변할 수 있는 시스템-관련 및 비지니스-관련 제약들의 순응과 같은 개발자의 특정 목적들을 달성하기 위해, 수많은 구현-특정 결정들이 이루어져야 한다. 또한, 이러한 개발 노력은 복잡하고 시간-소모적일 수 있지만, 그럼에도 불구하고 본 개시의 이익을 갖는 기술분야의 당업자에게는 일상적인 일이 될 것이다.

본원에서 사용되는 단어들 및 구들은 관련 기술분야의 당업자이 이러한 단어들 및 구들을 이해하는 것과 같은 의미를 갖는 것으로 이해 및 해석되어야 한다. 어떠한 용어 또는 구의 특수한 정의, 즉 기술분야의 당업자에 의해 이해되는 통상의 의미와 다른 정의도 본원에서의 용어 및 구와 일관적인 사용을 의미하지는 않는다. 용어 또는 구가 특수한 의미, 즉 당업자에 의해 이해되는 것과 다른 의미를 갖는 것으로 의도되는 한도에서, 이러한 특수한 정의는 용어 또는 구에 대한 특수한 정의를 직접적으로, 분명하게 제공하는 설명적인 방법으로 명세서에서 표현적으로 제시된다.

단지 예시에 의해, 본 발명은 집적 회로 디바이스의 소위 "1 금속(metal one)" 레벨에서 피쳐(feature)들의 형성과 관련하여 적응성 샘플링 구성을 생성하는 환경에서 논의될 것이다. 전형적으로, 복수의 도전성 접촉들이 실제 반도체 디바이스, 예를 들어 트렌치에 전기적 연결을 제공하도록 형성될 것이다. 집적 회로 디바이스의 도전성 배선들의 1 금속 레벨은 일반적으로 이전에 형성된 도전성 접촉들에 결합하는 제 1 레벨의 도전성 라인들을 의미한다. 1 금속 레벨에서 이러한 피쳐들의 형성은 일부 응용들에서 금속층을 형성하는 단계와, 스테퍼 툴을 사용하여 금속층 위에 포토레지스트(포토마스크) 패턴화된 층을 형성하는 단계와, 식각 툴을 사용하여 금속층 상에 식각 공정을 수행하는 단계와, 그리고 용매-제거 툴을 사용하여 식각 공정이 수행된 이후에 잔여 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계를 포함한다. 일반적으로, 계측 동작들은 이러한 공정 동작들과 관련된 피쳐의 임계 치수와 입자 결함들의 개수 중 적어도 하나와 관련하여, 이용되는 공정의 효율성 및 결과적인 피쳐들의 수락가능성(즉, 용인성)을 결정한다. 하지만, 본 명세서를 완전히 읽게 되면, 본 기술분야의 당업자는 본 발명이 특정적으로 논의된 예에 국한되지 않음을 이해할 것이다. 오히려, 본 발명은 매우 다양한 제조 동작들, 툴들 및 디바이스들과 관련하여 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항들에서 이러한 제한들이 명백하게 기재되어 있지 않는 한, 임의의 특정 공정 동작 또는 반도체 제조 동작들에 국한되는 것으로서 고려되서는 안된다.

표 1 내지 6은 본 발명의 방법들이 어떻게 이용될 수 있는 지에 대한 하나의 예를 설명하기 위한 것이다. 계측 샘플링은 두 개의 구성요소들, 즉 언제 샘플링 룰이 적용되는지 그리고 샘플링 룰이 사용되어야 할 때 무엇을 해야 하는 지를 기술하는 논리문(logical statement)들의 세트를 갖는 것으로 여겨질 수 있다. 편의상, 룰 번호 및 룰 명칭은 다른 샘플링 룰들의 참조를 용이하게 하기 위해 각 룰과 연관될 수 있다. 표 1은 7개 번호의 룰들 및 관련 룰 명칭들을 도시한다. 언제 샘플링 룰이 적용되는 지를 진술하는 논리문들은 매칭(matching) 룰 세트로서 언급될 수 있다. 각 룰에 대한 매칭 룰 세트는 표 1에서 제시된다.

룰 번호	룰 명칭	계측 동작	매칭 룰 세트
1	E40M1CD	5305	동작=5230에서 엔티티=ET40
2	E40M1F1	5315	동작=5230에서 엔티티=ET40
3	E39M1CD	5305	동작=5230에서 엔티티=ET39
4	E39M1F1	5315	동작=5230에서 엔티티=ET39
5	STP64M1CD	5305	동작=5170에서 엔티티=STP64
6	R02DM1CD	5305	제품=98R02D
7	개인 룰	5305	(제품=98M16B) AND (동작=5170에서 엔티티=STP64)AND (동작=5230에서 엔티티=ET38)

로트가 샘플링을 위해 마크(mark) 또는 태그(tag)되어야 하는 지를 결정할 때, 통상적으로 로트 환경 정보로서 여겨지는 로트 관련 정보(예를 들어, 경로(route), 동작(즉, 공정), 제품 등)가 있다. 또한, 로트는 처리 이력, 예를 들어 어느 엔티티(즉, 공정 툴)가 특정 처리 동작(예를 들어, 식각 동작, 마스킹 동작, 포토레지스트 제거 동작 등)에서 그 로트를 처리하는 데에 사용되었는 지와 같은 처리 이력을 가질 것이다. 일부 경우들에서, 매칭 룰 세트에서 논리문들은 이러한 소스들로부터의 정보를 조합할 수 있다. 만일 매칭 룰 세트의 모든 논리문들이 만족되면, 즉 참(true)이면, 이 룰이 로트에 대해 적용된다.

매칭 룰 세트들은 룰의 요건들 및 분석되는 제조 공정들 또는 제품들에 따라 매우 단순하거나 복잡할 수 있다. 상술한 바와 같이, 표 1은 예시적 매칭 룰 세트들의 일부 샘플 예들을 도시한다. 먼저 5개의 룰들은 이력 정보, 즉 어느 엔티티가 어느 이전 동작에서 사용되었는 지에 기초하여 룰 세트를 정의하는 예들이다. 여섯 번째 룰은 로트 환경, 즉 무슨 제품이 로트에서 제조되는지에 기초한다. 일곱 번째 룰은 로트 환경 정보와 로트 이력 정보의 조합에 기초한다.

표 1에 제시된 특정 코드들 및 룰 명칭들은 단지 예시적인 예들이다. 실제로, 이러한 코드들 및 명칭들은 특정 응용을 위해 맞추어지거나 변형될 수 있다. 예를 들어, 제 1 룰에 대한 룰 명칭(E40M1CD)은 제 1 금속층(1 금속) 임계 치수(M1CD) 계측 공정(동작 5305) 및 식각 툴 번호(40)(E40)와 관련된다. 만일 엔티티가 1 금속 식각 공정(동작 5230)에서 식각 툴 번호(40)(ET40)인 경우, 매칭 룰 세트가 만족하게 된다. 유사한 설명적인 지정들이 다른 룰들에 대해 적용된다. 예를 들어, 룰 번호(2)(E40M1F1)는 최종 검사(FI) 계측 공정을 나타낸다. 최종 검사 계측은 식각 공정이 완료되고 포토마스크가 제거된 이후에 수행된다. 동작(5315)은 최종 검사 계측 동작을 나타낸다. 표 1에서, 프레픽스(prefix) "E39"를 갖는 룰 명칭은 식각 툴 번호(39)와 관련된다. 룰 번호(5)의 프레픽스 "STP64"는 스테퍼 툴 번호(64)와 관련되며, (관련 룰 세트에서) 동작(5170)은 1 금속 마스킹 동작을 나타낸다. 따라서, 룰 번호(5)에 대한 룰 세트는 스테퍼 툴 번호(64)가 1 금속 마스킹 층 공정(5170)에서 사용될 때에 만족하게 된다. 제 6 룰(R02DM1CD)은 특정 제품(98R2D)에 관한 것이며, 룰 세트는 식별되는 제품이 처리되는 로트에 있을 때에 만족하게 된다.

제 7 룰(개인 룰)은 로트 환경 및 로트 이력 정보의 조합을 포함하는 룰이다. 제 7 룰에 대한 예시적인 룰 세트는 98M16B 제품이 제조되고, 스테퍼 툴(64)이 1 금속 마스킹 공정(동작 5170)에서 사용되며, 그리고 식각 툴(38)이 1 금속 식각 공정(동작 5230)에서 사용될 때에 만족한다. 논리문들의 다양성은 특정 룰 세트에 도달하기 위해 조합될 수 있다. 예를 들어, 다른 비교들, 예를 들어 작거나 같은(≤), 크거나 같은(≥), 추가의 논리 연산자들(예를 들어, OR, XOR, NOT 등), 또는 와일드 카드들(예를 들어, 98R02*)을 포함하는 더욱 복잡한 논리문들이 룰 세트 정의에 포함될 수 있다. 또한, 룰 세트는 하나 이상의 계측 동작, 예를 들어 1 금속 임계 치수 계측(동작 5305) 및 금속 레벨의 두개의 임계 치수 계측(동작 6585)에 적용될 수 있다.

룰 세트들이 정의된 이후, 샘플링 가중치는 표 2에 표시된 바와 같이 각 룰에 할당된다. 이 샘플링 가중치는 샘플링 퍼센트 또는 샘플링 패턴이 아니다. 거의 모든 룰은 이와 관련된 가중치를 가질 수 있지만, 이와 다른 경우의 상황이 있을 수도 있다. 샘플링 가중치는 양수이다. 샘플링 가중치가 클수록, 이 룰 때문에 로트가 샘플링을 위해 마크되는 확률은 높아진다.

룰 번호	룰 명칭	계측 동작	샘플링 가중치
1	E40M1CD	5305	10
2	E40M1F1	5315	5
3	E39M1CD	5305	15
4	E39M1F1	5315	5
5	STP64M1CD	5305	10
6	R02DM1CD	5305	10
7	개인 룰	5305	15

본 발명의 추가 양상은 샘플링 룰의 "상태"와 관련된다. 상태는 로트가 샘플링되어야 하는 누적 확률을 의미한다. 로트가 샘플링 룰에 대한 매칭 룰 세트를 만족할 때 마다, 이 룰에 대한 가중치가 룰 상태에 부가된다. 표 3 및 4는 본 발명의 이러한 양상의 단순한 예를 제공한다. 표 3은 다양한 로트들의 처리 이력을 나타내는 표이다. 예를 들어, 로트(J10)는 제품(98R02D)을 포함하며, 1 금속 마스킹 동작(5170)은 스테퍼 번호(65)(STP65)에 의해 수행되었으며, 1 금속 식각 공정(5230)은 식각 툴(39)(ET39)에 의해 수행되었다. 표 4는 표 3에서 식별되는 로트들이 순서대로 처리될 때 다양한 룰들에 대한 상태들을 도시한다. 간략화 및 설명의 편의를 위해, 1 금속 임계 치수 계측 공정(동작 5305)에 대한 룰 만이 도시될 것이다. 표 4(룰 상태들의 표)에서 대쉬("-")는 이 룰에 대한 매칭 룰 세트가 당면의 로트에 적용되지 않았음을 의미한다. 기본적으로, 표 4는 계측 샘플링 공정들이 소정의 룰에 대한 매칭 룰 세트를 만족하는 로트 상에서 수행된 이래로 얼마나 지났는지를 설명하는 누적 가중치 카운터이다.

로트	제품	5170 엔티티	5230 엔티티
J10	98R02D	STP65	ET39
J20	98R02D	STP65	ET40
J30	98R02D	STP65	ET39
J40	98M16D	STP64	ET40
J50	98R02D	STP64	ET39
J60	98R02D	STP65	ET40
J70	98M16D	STP65	ET39
J80	98R02D	STP65	ET40

로트	E40M1CD	E39M1CD	STP64M1CD	R02M1CD	개인 룰
J10	―	15	―	10	―
J20	10	―	―	20	―
J30	―	30	―	30	―
J40	20	―	10	―	―
J50	―	45	20	40	―
J60	30	―	―	50	―
J70	―	60	―	―	―
J80	40	―	―	60	―

표 4에 도시된 룰 상태들은 이후에 로트가 계측 샘플링에 대해 마크 또는 태그 되어야하는 지의 여부를 결정하기 위해 계측 트리거 값과 비교된다. 각 계측 동작에는 룰 상태와 비교되는 수치적인 트리거 값이 제공된다. 만일 룰 상태가 계측 트리거 값과 같거나 큰 경우, 로트는 계측 샘플링을 위해 마크된다. 표 5는 다양한 계측 동작들에 대한 트리거 값들을 도시하며, 계측 샘플링이 (표 4로부터의) 다양한 룰 상태들에 기초하여 수행되어야 함을 지시한다. 도시된 바와 같이, 계측 샘플링은 로트들(J60, J70 및 J80)에 대해 표시되는데, 이는 룰 상태들이 1 금속 임계 치수 계측 공정(동작 5305)에 대해 특정된 트리거 값을 초과하기 때문이다. 예를 들어, 로트(J60)는 룰(6)(R02M1CD)의 상태(50)가 트리거 값(50)과 같기 때문에 샘플링되어야 하며, 로트(J70)는 룰(3)(E39M1CD)의 상태(60)가 트리거 값(50)을 초과하기 때문에 샘플링되어야 하며, 로트(J80)는 룰(6)(R02M1CD)의 상태(60)가 트리거 값(50)을 초과하기 때문에 샘플링되어야 한다.

개별적인 룰 상태들을 트리거 값들과 비교하는 대안적인 방법은 모든 룰 상태들의 합산을 계측 트리거 값들과 비교하는 것이다. 예를 들어, 이러한 방식하에서, 로트(J30)는 계측 샘플링에 대해 태그되는데, 이는 두개의 응용가능한 룰 상태들(룰(3)(E39M1CD)에 대한 30 및 룰(6)(R02M1CD)에 대한 30)의 합계가 트리거 값(50) 보다 크기 때문이다. 이러한 방법은 계측 샘플링을 위해 선택된 로트들이 전형적으로 다수의 샘플링 룰들을 만족시키는 것들이라는 이점을 가질 것이다. 하지만, 이러한 방식은 적절한 트리거 값들을 결정함에 있어서의 문제점들 때문에 구현하기 어려울 수 있다. 모든 룰 상태들이 함께 부가되고, 트리거 값과 비교되는 방법에 있어서, 임의의 추가 룰들을 부가하게 되면, 이전에 설명된 트리거 값들을 효과적으로 감소시킨다. 예를 들어, 부가적인 엔티티의 타입에 기초하여 추가 룰을 정의하는 것은 그 상태를 이미 정의된 식각기들과 스테퍼들에 대한 상태들에 부가할 것이다. 새로운 룰이 부가될 때에는 언제라도, 영향받았을 가능성이 있는 모든 계측 트리거 값들을 재평가할 필요가 있다. 따라서, 본 발명의 예시적 실시예에서는, 각 룰 상태가 계측 트리거 값들과 개별적으로 비교되어, 계측 샘플링이 보증되는 지를 결정한다.

동작	트리거 값
5305	50
5315	60

로트	룰 1 E40M1CD	룰 3 E39M1CD	룰 5 STP64M1CD	룰 6 R02M1CD	룰 7 개인 룰	샘플 ?
J10	―	15	―	10	―	아니오
J20	10	―	―	20	―	아니오
J30	―	30	―	30	―	아니오
J40	20	―	10	―	―	아니오
J50	―	45	20	40	―	아니오
J60	30	―	―	50	―	예
J70	―	60	―	―	―	예
J80	40	-	―	60	―	예

본 발명의 다른 양상은 룰 상태들의 리셋에 관한 것이다. 로트가 계측 샘플링에 대해 마크되는 경우, 매칭 룰 세트가 만족되는 모든 툴 상태는 리셋된다. 리셋 과정 동안, 룰들의 상태는 최소값(0)의 트리거 값과 같은 양으로 감소된다. 이러한 리셋 과정은 실질적으로 하나의 룰로부터 모든 룰들까지 샘플링 결정을 공유한다. 표 6은 계측 샘플링 결정이 이루어진 이후의 룰 상태들을 도시한다. 로트가 계측 샘플링에 대해 지정되는 경우, 두 개의 룰 상태들이 (볼드체로) 제공된다. 제 1 값은 샘플링 결정 이전의 룰 상태인 반면, 제 2 값은 리셋 과정 이후의 룰 상태이다.

로트	룰 1 E40M1CD	룰 3 E39M1CD	룰 5 STP64M1CD	룰 6 R02M1CD	룰 7 개인 룰	샘플 ?
J10	―	15	―	10	―	아니오
J20	10	―	―	20	―	아니오
J30	―	30	―	30	―	아니오
J40	20	―	10	―	―	아니오
J50	―	45	20	40	―	아니오
J60	30/0	―	―	50/0	―	예
J70	―	60/10	―	―	―	예
J80	10	―	―	10	―	아니오

또한, 룰들에서, 룰들(1 및 6)에 대한 로트(J80) 값들이 이미 값(10)으로 감소되었음을 주목한다. 이는 특정 룰, 예를 들어 룰(6)이 리셋 과정 동안 (로트 J60)에 대해 0으로 리셋되었음을 나타낸다. 따라서, 룰(6)이 만족할 때의 로트(J80)에 대한 후속 엔트리에 샘플링 가중치(10)가 제공된다. 유사한 상황이 로트(J80) 및 룰(1)에 대해 발생한다.

트리거 값들을 리셋하는 다른 가능한 방법들이 있다. 예를 들어, 상태 값들이 계측 샘플링 트리거 값들을 초과하는 룰들 만이 리셋될 수 있다. 하지만, 이러한 방법하에서, 다른 룰들이 개별적으로 적용될 것이며, 모든 툴 타입들로부터의 샘플링을 보장하기 위해 정의된 룰들의 부적당한 세트 또는 과도-샘플링을 발생시킬 수 있다. 다른 방식은 트리거 값들을 감산하는 대신에 모든 적용가능한 룰 상태들을 0으로 리셋하는 것일 수 있다. 이러한 방법은 "1/n" 샘플링 레이트들, 예를 들어 1/2, 1/3, 1/4 등 이외의 모든 샘플링 레이트들을 효과적으로 제거한다. 게다가, 룰 상태가 트리거 값을 초과하는 양은 샘플링이 "지체된(overdue)" 양을 나타낸다. 이러한 정보는 상술한 방법에 보존된다. 다른 가능한 대안은 0의 하한을 사용하지 않으면서 룰 상태로부터 트리거 값을 감산하는 것이다. 하지만, 이러한 방법은 잠재적으로 바람직한 것 보다 많은 물질이 샘플링없이 처리되는 상황을 야기할 수 있다.

본원에서 설명된 방법 및 시스템들은 매우 유연성이 있으며, 다양한 다른 타입의 룰들에 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 표준 룰들, 절대(absolute) 룰들 및/또는 임시 룰들과 함께 이용될 수 있다. 표준 룰들은 계측 샘플링 결정들이 로트 환경 및/또는 로트 처리 이력에 기초하는 룰이 될 수 있다. 예를 들어, 이러한 룰들은 일정 퍼센트의 처리 툴 및 제품들을 샘플링하고자 하는 요구에 기초할 수 있다. 이러한 표준 룰은 툴 타입들에 제한되지 않으며, 이는 시스템-장비 식별, 제품 명칭들, 루트들, 로트 속성값들, 또는 이러한 정보 항목의 조합에 이용가능한 모든 정보를 포함할 수 있다. 이러한 표준 룰은 매칭 룰 세트와 샘플링 가중치를 포함한다. 또한, 예를 들어 특정 제품의 모든 로트가 측정되어야 하고, 특정 동작을 통과하는 모든 로트들이 측정되어야 하며, 일정 우선권이 있는 모든 로트는 어느 것도 측정되서는 안되는 등과 같은, 계측 샘플링에 대한 절대 룰들도 필요하다. 이러한 절대 룰들이 자신의 샘플링 가중치들을 갖지는 않지만, 이들은 로트에 적용되는 다른 룰들의 상태들이 적절하게 갱신되도록 시스템에 포함되어야 한다. 절대 룰들은, 절대 룰에 기인한 로트의 측정이 표준 룰도 만족시킬 수 있기 때문에 시스템에 포함될 수 있다. 예로서, 절대 룰은 마스킹 동작(5170)의 스테퍼(STP67) 상에서 실행된 모든 로트가 동작(5305)에서 계측을 위해 마크되어야 함을 진술한다. 이 로트들은 1 금속 식각 공정(5230)에서 일부 식각 툴(예를 들어, ET40)을 통해 처리될 것이다. 만일 절대 룰에 기인하여 마크된 모든 로트들이 무시되는 경우, 식각 툴(ET40)(룰 #1) 상에서 처리된 일부 로트들은 무시될 것이다. 이는 룰(#1) 하에서 식각 툴(ET40)에 대해 예상된 것 보다 더 높은 샘플링 레이트를 발생시킬 것이다. 하지만, 절대 룰이 갱신에 포함되는 경우, 룰(#1)이 적절하게 될 것이다.

일부 경우들에서는, 본질적으로 임시의 룰들을 적용하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 계측을 위해 24 시간에 처리되는 모든 로트들을 마크하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 임시 룰들은 룰과 관련된 샘플링 가중치를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 상기로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 이용될 수 있는 다양한 룰들의 예시적인 식별은 포괄적인 것이 아니다. 따라서, 본 발명은 어떤 특정 타입의 룰에 국한되는 것으로 고려되지 않아야 하며, 본 발명은 첨부된 청구항들에서 명시적으로 개시되어 있지 않는 한, 임의의 특정 타입의 룰로 제한되는 것으로 의도되지 않는다.

본 발명의 다른 양상은 샘플링 결정의 타이밍에 관련된다. 예시적인 일 실시예에서, 계측 샘플링을 수행하는 결정은 전형적으로 가능한 지연될 수 있는데, 이는 샘플링 룰들이 이력 정보에 의존하기 때문이다. 실질적인 면에서, 이는 로트가 샘플링되어야 하는지 여부에 관한 결정이 로트가 대상으로 되어 있는 계측 동작으로 이동되기 직전까지 지연되어야 함을 의미한다. 임의의 다른 시간에서, 적용될 수 있는 모든 룰들을 결정하는 데에 충분한 정보가 없을 수도 있다.

이렇게 긴 샘플링 결정 지연은 다른 문제들을 발생할 수 있다. 현재 샘플링 시스템들에서, 로트들은 공정 툴, 예를 들어 식각 툴 또는 스테퍼 상에서 처리될 때에 계측을 위해 마크된다. 이 방법은 샘플링 결정이 로트들이 처리되는 것과 동일한 순서로 이루어짐을 보증한다. 예를 들어, 특정 식각기를 통해 처리되는 매 십 로트들 중 하나의 로트는 계측 샘플링을 위해 마크될 것이다. 본 발명에서, 로트들은 계측 동작을 통과할 때 공정 동작 중에서의 순서와 비교하여 다른 순서가 될 가능성이 있다. 특정 공정 툴을 통해 처리되는 매 10개의 로트들 중 하나가 계측 샘플링을 위해 마크되도록 보증하기 위해 유사한 룰이 정의될 수 있지만, 공정 툴을 떠날 때의 매 10개의 로트들 중 하나인 것이 아니라, 계측 동작에 들어가는 때의 매 10개의 로트들 중 하나라는 것이 다르다. 로트들이 처리되는 순서로 각 툴 상에서 처리되는 로트들의 리스트를 유지하는 것이 가능할 수 있다. 이러한 정보는 샘플링 결정에서 사용되는 처리 순서를 재구성하는 데에 사용될 수 있다.

유연성 및 액세스의 용이성을 유지하기 위해, 시스템에 대한 대부분의 정보, 예를 들어 룰 정의들, 트리거 값들 등이 데이터베이스 내에 유지될 수 있다. 데이터베이스는 시스템에서 임의의 구성요소들 또는 값들의 수동 또는 자동 갱신들을 허용하기 위해 인터페이스들을 가져야 한다. 예를 들어, 특정 계측 동작을 위해 트리거 값을 갱신하는 것이 바람직할 수 있다. 대안적으로, 자동화 제어 응용이 샘플링을 더욱 많이 또는 덜 가능하게 하도록 소정의 룰에 대한 샘플링 가중치를 갱신하는 데에 이용될 수 있다. 데이터베이스(들) 및 관련 인터페이스들의 정확한 구조는 달라질 수 있다.

본 시스템의 하나의 장점은, 퍼센트들 또는 패턴들로부터 가중치들과 트리거들로 이동함으로써, 샘플링 레이트들의 수정이 트리거 값들을 갱신함으로써 꽤 쉽게 수행될 수 있다는 것이다. 대부분의 기존 시스템들은 패턴에 의해 또는 퍼센트(예를 들어, 70%)에 의해 트리거 값을 효율적으로 정의한다. 이 트리거 값들은 쉽게 변경되지 않는다. 동작시의 샘플링 레이트를 변경하기 위해, 각각의 개별적인 룰이 갱신되어야 한다. 제안된 시스템 하에서, 단일 트리거 값이 샘플링 레이트를 조정하도록 변경될 수 있다. 예로서, 만일 현재 샘플링 트리거가 100 으로 설정되는 경우, 200 으로의 변경은 샘플링 레이트를 절반으로 효과적으로 감소시킬 것이다. 공장의 이용가능한 계측 성능에 기초하여 트리거 값들을 자동으로 조정하기 위해 미래의 작업이 수행될 수 있다. 예를 들어, 만일 CD-SEM 계측 툴들 중 하나가 생산 휴지로 된 경우, 잔여 툴들이 워크피스들로 오버로드되지 않았음을 보장하기 위해, 트리거 값들은 CD-SEM 계측 동작들에 대해 자동으로 조정될 수 있다.

가중치들 및 트리거 값들의 시스템은 또한 디스패치 큐(dispatch queue)에서의 로트들의 우선순위를 매기는 구성요소로서 사용될 수 있다. 로트에 대한 최고 룰 상태의 계측 단계에 있어서 트리거 값에 대한 비율이 우선순위 지표로서 사용될 수 있다. 비율이 높을수록, 샘플링 룰을 만족시키기 위해서는 더욱 많은 샘플링이 "필요하다". 이에 대한 예는 두개의 로트들이 계측을 위해 마크되었는 지의 여부일 것이다. 제 1 로트는 트리거 값(100)을 갖는 동작에 대해 누적 가중치(150)를 갖는다. 제 2 로트는 트리거 값(200)을 갖는 동작에 대해 누적 가중치(210)를 갖는다. 제 1 로트에 대한 비율은 1.5이며, 제 2 로트에 대한 비율은 1.05이다. 다른 모든 것들이 동일한 경우, 제 1 로트에는 디스패치 큐에서 더 높은 우선순위가 제공되어야 한다.

도 1은 복수의 공정 툴들(12)이 이용되는 예시적 제조 동작(10)의 개략도이다. 하나 이상의 제어기들(14)(이중 하나가 도 1에서 개략적으로 도시되어 있다)이 공정 툴(12)에서 수행되는 다양한 처리들의 하나 이상의 양상들을 제어하고, 본원에서 설명되는 적응성 샘플링 계획 및 방법들을 구현하는 데에 사용될 수 있다. 도 1에서 도시되는 공정 툴들(12)은 임의 타입의 제조 공정을 수행할 수 있는 임의 타입의 툴을 나타낼 수 있기 때문에, 본질적으로 예시적이다. 당연히, 공정 툴들(12)은 다른 타입들의 제조 동작들을 각각 수행할 수 있다. 또한, 워크피스들은 임의의 순서의 툴들(12)을 통해 처리될 수 있으며, 일부 툴들(12)은 다른 툴들(12)에서 수행되는 공정 동작들 이전에 수행되어야 하는 공정 동작들을 수행할 수 있다. 반도체 제조 동작들 환경에서, 일반적인 공정 툴(12)은 스테퍼 툴들, 식각 툴들, 증착 툴들, 이온 주입 툴들, 로(furnace)들 등의 조합이 될 수 있다.

또한, 복수의 예시적 계측 툴들(16)이 도 1에 도시되어 있다. 계측 툴들(16)은 임의 타입의 계측 공정을 수행할 수 있는 임의 타입의 계측 툴을 나타낸다는 점에서 본질적으로 대표적인 것이다. 계측 툴들(16)은 하나 이상의 공정 툴들(12)에 의해 수행되는 다양한 공정 동작들의 임의의 양상에 관한 계측 데이터를 획득하거나, 툴틀(12)에 의해 생산되는 피쳐 또는 제품에 관한 계측 데이터를 획득하는 데에 사용될 수 있다. 반도체 제조 동작들의 환경에서, 계측 툴들(16)은 임계 치수 데이터, 두께 데이터, 입자 결함 데이터, 전기적 성능 데이터, 포토리소그래피 오버레이 측정들, 증착된 막 특성들(예를 들어, 저항성, 응력, 광 특성들), 표면 프로파일 데이터, 노광 공정, 식각 공정, 증착 공정, 화학적 기계적 연마 공정, 이온 주입 공정 또는 어닐링 공정의 효율성에 관한 데이터를 획득하는 데에 사용될 수 있다. 반도체 제조 동작들에서 사용하기 위한 이러한 계측 툴들(16)의 예시적인 예들은 스캐닝 전자 현미경들, 타원계, 외형 분석기들, 4점 탐침기들, 오버레이 툴들 등을 포함하지만, 오직 이것들로만 제한되지 않는다.

제어기(18)는 이온 주입 툴(10)에 동작가능하게 결합할 수 있으며, 명령들을 실행할 수 있는 임의의 타입의 디바이스가 될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제어기(18)는 마이크로프로세서 또는 컴퓨터가 될 수 있다. 제어기(18)는 이온 주입 툴(10) 상에 상주하며, 독립형 디바이스이거나, 집적 회로 제조 설비에서 수행되는 동작들의 하나 이상의 양상들을 제어하도록 적응되는 전체 컴퓨터 시스템의 일부가 될 수 있다. 제어기(18)는 본원에서 상술한 다양한 기능들을 수행하는 데에 이용될 수 있다. 제어기(18)에 의해 수행되는 기능들은 다중 연산 자원들에 의해 수행될 수 있다.

본 발명의 일부들 및 대응하는 상세한 설명들은 소프트웨어, 또는 알고리즘들 및 컴퓨터 메모리 내의 데이터 비트들 상의 동작들의 상징적 표현들에 의해 제시된다. 이러한 상세한 설명들 및 표현들은 기술분야의 당업자들이 자신들의 작업의 내용을 기술분야의 다른 당업자에게 전달할 수 있는 것이다. 본원에서 사용되는 알고리즘은, 일반적으로 사용될 때에 바람직한 결과를 이끄는 일관된 시퀀스 단계들로서 여겨진다. 이러한 단계들은 물리량들의 물리적 조작을 요구하는 것들이다. 통상적으로(필수적이지는 않다), 이러한 양들은 저장, 전송, 조합, 비교, 및 다르게 조작될 수 있는 광, 전기, 또는 자기 신호들의 형태를 취한다. 기본적으로 일반적인 사용을 위해, 이 신호들을 비트들, 값들, 요소들, 심볼들, 문자들, 용어들, 숫자들 등으로 언급하는 것이 종종 편리한 것으로 증명되었다.

하지만, 이들 및 유사한 용어들 모두가 적절한 물리량들과 관련되며, 이들이 이러한 양들에 적용되는 단지 편리한 라벨들임을 명심해야 한다. 이와 달리 특정적으로 진술하지 않은 경우, 또는 상기 논의로부터 자명한 것으로서, "처리" 또는 "연산" 또는 "계산" 또는 "결정" 또는 "디스플레이" 등과 같은 용어들은 컴퓨터 시스템, 또는 유사 전자 연산 디바이스의 동작 및 과정을 말하는데, 여기서 상기 컴퓨터 시스템 등은 컴퓨터 시스템의 레지스터들 및 메모리들 내에서 물리적, 전자적인 양들로서 나타낸 데이터를 조작하여 컴퓨터 시스템 메모리들 또는 다른 이러한 정보 저장소, 전송 또는 디스플레이 디바이스들 내의 물리량들로서 유사하게 나타나는 다른 데이터로 변환한다.

제조 시스템(10)에서 사용하기에 적합한 예시적 정보 교환 및 공정 제어 프레임워크는 개선된 공정 제어(APC) 체제인데, 이는 KLA-Tencor, Inc.에 의해 제공되는 카탈리스트 시스템(Catalyst system)을 사용하여 구현될 수 있다. 카탈리스트 시스템은 국제 반도체 장비 및 물질들 (SEMI) 컴퓨터 통합 제조 (CIM) 체제 순응 시스템 기술들을 사용하며, 개선된 공정 제어 (APC) 체제에 기초한다. CIM (SEMI E81-0699 - CIM 체제 도메인 아키텍쳐를 위한 임시적 사양) 및 APC (SEMI E93-0999 - CIM 체제 개선된 공정 제어 구성요소를 위한 임시적 사양) 사양들은 캘리포니아주, 마운틴 뷰(Mountain view)에 본사를 둔 SEMI로부터 공개적으로 입수가능하다.

본 발명은 일반적으로 다양한 제조 공정들을 모니터링하는 데에 이용될 수 있는 적응성 계측 샘플링 계획들을 위한 다양한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다. 일 예시적 실시예에서, 상기 방법은 복수의 계측 샘플링 룰들을 생성하는 단계와, 계측 샘플링 룰들 각각에 샘플링 가중치를 할당하는 단계와, 적어도 하나의 계측 샘플링 룰을 만족시키는 적어도 하나의 워크피스를 식별하는 단계와, 만족되는 계측 샘플링 룰들 각각에 대한 샘플링 가중치와 룰들을 만족시키는 식별된 워크피스들을 관련시키는 단계와, 그리고 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다. 다른 예시적 실시예에서, 상기 방법은 계측 샘플링 룰들 중 하나에 대한 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다. 추가의 예시적 실시예에서, 상기 방법은 워크피스들 중 하나에 대한 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함한다. 반도체 공정 동작들의 환경에서, 워크피스들은 반도체 웨이퍼들의 로트이다.

상술된 특정 실시예들은 단지 예시적인 것이며, 본 발명은 본원의 개시의 이익을 갖는 기술분야의 당업자에게 자명한, 본 발명과 다르지만 등가의 방식들로 변형 실시될 수 있다. 예를 들어, 상기 제시된 공정 단계들은 다른 순서로 수행될 수 있다. 또한, 본원에서 도시된 설계 및 구성의 세부사항들에 하기의 청구항들에서 설명된 것 이외의 어떠한 제한들도 가해지지 않는다. 따라서, 상기 개시된 특정 실시예들이 변형 또는 수정될 수 있으며, 이러한 모든 변화들이 본 발명의 사상 및 범주 내에 있음이 고려된다. 따라서, 본원에서 청구하고자 하는 바는 하기의 청구항들에서 제시된 것과 같다.

Claims

제어기에 의해 수행되는 동적 계측 샘플링 방법으로서,

복수의 계측 샘플링 룰들을 생성하는 단계와;

상기 복수의 계측 샘플링 룰들 각각에 샘플링 가중치를 할당하는 단계와;

상기 복수의 계측 샘플링 룰들 중 적어도 하나의 계측 샘플링 룰을 만족시키는 적어도 하나의 워크피스를 식별하는 단계와;

상기 만족되는 계측 샘플링 룰들 각각에 대한 상기 샘플링 가중치와 상기 룰들을 만족시키는 식별된 워크피스들을 관련시키는 단계와; 그리고

상기 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때, 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 복수의 계측 샘플링 룰들은 서로 다른 샘플링 가중치들을 갖는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 복수의 계측 샘플링 룰들 중 적어도 일부는 동일한 샘플링 가중치를 갖는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 워크피스는 반도체 웨이퍼들의 로트인 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 계측 동작은 임계 치수 측정 동작과 결함 검사 계측 동작 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 워크피스는 반도체 제조 설비에서 처리되는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계는, 상기 복수의 계측 샘플링 룰들 중 하나에 대한 상기 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때 계측 동작이 수행되어야 하는 함을 지시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계는, 상기 워크피스들 중 하나에 대한 상기 샘플링 가중치의 누적 합계가 사전-설정된 트리거 값 이상일 때 계측 동작이 수행되어야 함을 지시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 4 항에 있어서,

상기 복수의 계측 샘플링 룰들은 로트 환경 정보와 로트 이력 정보 중 적어도 하나에 기초하는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 계측 동작이 수행되어야 한다는 지시가 있을 때, 상기 샘플링 가중치의 누적 합계를 상기 트리거 값에 의해 감소시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 계측 동작이 수행되어야 한다는 지시가 있을 때, 상기 샘플링 가중치의 누적 합계를 상기 트리거 값에 의해 최소값 제로(0)로 감소시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 지시된 계측 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 계측 샘플링 방법.