KR101069839B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 생산성이 향상될 수 있도록 구조가 개선된 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치는 복수의 기판이 탑재되는 카세트가 로딩 및 언로딩 되는 카세트 모듈과, 기판이 지지되는 슬롯을 가지며, 상호 독립적으로 진공 상태와 대기압 상태에서 전환가능하며, 상측 및 하측에 각각 2개씩 배치되는 4개의 로드락 챔버와, 카세트 모듈과 로드락 챔버 사이에서 기판을 이송하는 대기이송 모듈과, 기판을 처리하는 복수의 프로세스 모듈과, 카세트 모듈과 프로세스 모듈 사이에서 기판을 이송하는 진공이송 모듈을 포함한다.
기판, 로드락 챔버, 프로세스 챔버, 슬롯, 진공

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판에 대하여 박막증착공정 또는 포토리소그라피 공정 등의 소정의 공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자 또는 액정표시소자를 제조하기 위해서는 실리콘웨이퍼 또는 글래스(이하, '기판'이라 함)에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 프로세스 모듈의 내부에서 진행된다.
최근에는 생산성을 높이기 위하여 다수의 프로세스 모듈과, 기판이송을 담당하는 이송 모듈 등을 서로 긴밀하게 결합시킨 클러스터형 기판처리장치가 많이 사용되고 있으며, 이러한 기판처리장치는 카세트 모듈과, 대기이송 모듈과, 로드락 챔버와, 진공이송 모듈과, 프로세스 모듈을 가진다.
카세트 모듈에는 복수의 카세트가 로딩 및 언로딩 되며, 이 카세트에는 공정처리 전의 기판 및 공정처리 후의 기판이 수납된다.
대기이송 모듈은 카세트 모듈과 로드락 챔버 사이에서 기판을 이송하기 위한 것으로, 그 내부는 대기압 상태로 유지된다.
로드락 챔버는 내부가 진공상태인 프로세스 모듈의 내부로 기판을 반입하거나 외부로 기판을 반출할 때 기판이 일시 머무는 완충공간으로, 이러한 로드락 챔버는 외부에서 기판을 반입할 때는 진공상태로 전환되고, 외부로 반출할 때는 대기압상태로 전환된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(3,4)는 2개 구비되어 상하 방향으로 적층되게 배치되며, 각 로드락 챔버에는 한 쌍의 슬롯(3a, 4a)이 수평 방향으로 이격되게 배치되어 있다.
진공이송 모듈은 기판의 이송을 담당하는 이송로봇을 내부에 구비하며, 기판은 이송로봇에 의해 프로세스 모듈과 로드락 모듈 사이를 이동한다. 그리고, 진공 이송 모듈의 내부는 세팅이나 유지보수에 필요한 경우를 제외하고는 항상 진공상태를 유지한다.
프로세스 모듈은 기판에 대하여 박막증착, 식각 등의 실제 공정을 진행하는 영역으로서, 진공이송 모듈 주위에 복수 배치되며, 역시 특별한 경우를 제외하고는 진공상태를 유지한다.
상술한 바와 같이 구성된 기판처리장치(9)에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이 기판은 대기이송 모듈(2)을 통해 카세트 모듈(1)에서부터 하측의 로드락 챔버(3)로 이송되며(2개의 기판이 한번에 이송), 이 로드락 챔버(3)가 진공 상태로 전환된 후 진공이송 모듈(5)을 통해 프로세스 모듈(6)로 이송된다. 공정처리가 완료되면 기판은 진공이송 모듈(5)을 통해 상측의 로드락 챔버(4)로 이송되며, 이 로드락 챔버(4)가 대기압 상태로 전환된 후 대기이송 모듈(2)을 통해 카세트 모듈(1) 로 반출된다.
하지만, 상술한 바와 같이 종래의 기판처리장치의 경우 하측 로드락 챔버(3)와 상측 로드락 챔버(4)는 하나의 기능만을 수행한다. 즉, 하측 로드락 챔버(3)는 새 기판을 카세트 모듈(1)로부터 프로세스 모듈(6)로 이송하기 위한 통로로서의 기능만을 수행하며, 상측 로드락 챔버(4)는 공정처리 완료된 기판을 프로세스 모듈(6)로부터 카세트 모듈(1)로 반출하기 위한 통로로서의 기능만을 수행한다. 따라서, 두 개의 로드락 챔버 중 하나의 로드락 챔버 만이라도 이상이 생기는 경우, 기판처리공정 전체가 중단되어야 하는 문제점이 있다.
또한, 종래의 경우 기판의 처리속도를 향상시키기 위하여 기판을 한 쌍식 이송할 수 있도록, 각 로드락 챔버에 수평 방향으로 이격된 한 쌍의 슬롯을 형성하였다. 하지만, 이 경우 로드락 챔버 내의 공간이 넓어져서 로드락 챔버를 진공 상태 및 대기압 상태로 전환하는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 생산성이 향상될 수 있도록 구조가 개선된 기판처리장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는 복수의 기판이 탑재되는 카세트가 로딩 및 언로딩 되는 카세트 모듈과, 상기 기판이 지지되는 슬롯을 가지며, 상호 독립적으로 진공 상태와 대기압 상태에서 전환가능하며, 상측 및 하측에 각각 2개씩 배치되는 4개의 로드락 챔버와, 상기 카세트 모듈과 상기 로드락 챔버 사이에서 상기 기판을 이송하는 대기이송 모듈과, 상기 기판을 처리하는 복수의 프로세스 모듈과, 상기 카세트 모듈과 상기 프로세스 모듈 사이에서 기판을 이송하는 진공이송 모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 진공이송 모듈에는, 제1회전축을 중심으로 회전 가능하며 상하 방향으로 이격된 두 개의 제1로봇암과, 상기 제1회전축과 이격된 제2회전축을 중심으로 회전 가능하며 상하 방향으로 이격된 두 개의 제2로봇암을 가지는 기판이송로봇이 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기한 구성의 본 발명에 따르면, 기판처리장치의 생산성이 향상될 뿐 아니라, 로드락 챔버 중 일부에 문제가 발생하더라도 나머지 하나의 로드락 챔버를 이용하여 기판의 처리공정을 진행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 평면도이며, 도 4는 도 3에 도시된 로드락 모듈의 단면도이며, 도 5는 도 3에 도시된 기판이송로봇의 사시도이며, 도 6은 본 실시예에 따른 기판처리장치에서 기판의 이송과정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 카세트 모듈(10)과, 대기이송 모듈(20)과, 로드락 모듈(50)과, 진공이송 모듈(60)과, 프로세스 모듈(70)을 포함한다.
카세트 모듈(10)은 웨이퍼와 같은 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 것으로, 본 실시예의 경우 4개의 카세트 모듈(10)이 구비되어 일렬로 배치된다. 각 카세트 모듈(10)에는 복수의 기판이 수납된 카세트(미도시)가 로딩 및 언로딩 된다. 카세트는 반도체 제조 공정에서 기판을 운반하거나 보관할 때에 기판이 오염되는 것을 방지하기 위한 장치로, 카세트에는 기판을 수평으로 장착하기 위한 다수의 슬롯이 구비되어 있다.
대기이송 모듈(20)은 카세트 모듈(50)과 로드락 모듈(50) 사이에서 기판의 이송경로를 제공하기 위한 것이다. 대기이송 모듈(20)은 카세트 모듈(10)의 배치방향으로 긴 직사각형 형상으로 형성되며, 카세트 모듈(10)과의 기판 반입/반출을 위한 게이트(g1)가 마련되어 있다. 그리고, 대기이송 모듈(20)의 내부는 대기압 상태로 유지되며, 기판을 이송하기 위한 한 쌍의 이송로봇(21) 설치되어 있다.
로드락 모듈(50)은 진공 상태인 프로세스 모듈의 내부로 기판을 반입하거나 외부로 기판을 반출할 때 기판이 일시 머무는 완충공간으로, 후술할 진공이송 모듈(60)과 함께 진공 상태에서 기판을 프로세스 모듈(70)로 이송하기 위한 것이다. 본 실시예의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 로드락 모듈에는 4개의 로드락 챔버(31,32,41,42)가 설치되어 있으며, 각 로드락 챔버에는 대기이송 모듈(20)과의 기판 반입/반출을 위한 게이트(g2)가 마련되어 있다. 4개의 로드락 챔버(31,32,41,42)는 각 층(상층 및 하측)에 두 개씩 이층 구조로 적층된다. 즉, 4개의 로드락 챔버는 두 개씩 상하 방향으로 적층되어 로드락 챔버쌍을 이루며, 이와 같이 이루어진 로드락 챔버쌍은 수평 방향으로 서로 이격된다.
각 로드락 챔버는 진공 라인(313,323,413,423) 및 벤트 라인(미도시)에 연결되어, 상호 독립적으로 진공 상태 및 대기압 상태 사이에서 전환된다. 여기서, 벤트 라인은 로드락 챔버의 내부가 진공 상태에서 대기압 상태로 전환되도록 질소 가스 등을 공급하는 공급 라인을 의미한다. 그리고, 각 로드락 챔버에는 기판이 삽입되어 지지되는 슬롯(311,321,411,421)이 복수로 마련되어 있는데, 특히 본 실시예의 경우 3개의 슬롯이 상하 방향으로 이격되게 마련되어 있다. 한편, 4개의 로드락 챔버 중 하측에 배치된 로드락 챔버(32,42)에는 히터(322,422)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 히터(322,422)는 기판(W)의 예열을 위한 것으로, 본 실시예의 경우 기판을 약 600℃까지 가열할 수 있는 히터가 설치된다. 그리고, 상측 로드락 챔버(31,41)와 하측 로드락 챔버(32,42) 사이에는 내열부재(미도시)가 마련되어 있으며, 이 내열부재에 의해 하측 로드락 챔버의 히터(322,422)에 의해 발생된 열이 상측 로드락 챔버(31,41)로 전달되는 것이 차단된다.
진공이송 모듈(60)은 진공 상태에서 기판을 프로세스 모듈(70)로 이송하기 위한 것이다. 진공이송 모듈(60)은 직사각형 형상으로 형성되며, 진공이송 모듈에는 로드락 챔버와의 기판 반입/반출을 위한 게이트(g3) 및 프로세스 모듈과의 기판 반입/반출을 위한 게이트(g4)가 마련되어 있다. 진공이송 모듈(60)은 진공 라인(미도시)에 연결되어 그 내부가 진공 상태로 유지되며, 진공이송 모듈의 내부에는 기판이송로봇(61)이 설치되어 있다.
기판이송로봇(61)은 두 개의 회전축과, 제1로봇암과, 제2로봇암을 가진다. 두 개의 회전축, 즉 제1회전축(X1)과 제2회전축(X2)은 회전 가능하며, 수평 방향으로 서로 이격되게 배치된다. 제1로봇암(611)은 한 쌍 구비되어, 제1회전축(X1)에 상하 방향으로 이격되게 결합된다. 각 제1로봇암(611)은 상대 회전 가능한 복수의 링크부로 이루어진다. 제2로봇암(612)은 한 쌍 구비되어, 제2회전축(X2)에 상하 방향으로 이격되게 결합된다. 각 제2로봇암은 상대 회전 가능한 복수의 링크부로 이루어진다. 상기 제1로봇암(611)과 제2로봇암(612)은 상호 독립적으로 구동하며, 제1로봇암은 좌측의 로드락 챔버쌍(31,32)과 프로세스 모듈 사이에서 기판을 이송하며, 제2로봇암은 우측의 로드락 챔버쌍(41,42)과 프로세스 모듈 사이에서 기판을 이송한다.
프로세스모듈(70)은 기판에 대하여 박막증착, 식각 등의 실제 공정을 진행하는 영역으로, 본 실시예의 경우 6개의 프로세스 모듈(70)이 구비된다. 프로세스 모듈(70)은 진공이송 모듈(60)의 3개의 면에 각각 한 쌍씩 결합되며, 각 프로세스 모듈(70)은 진공 라인에 연결되어 그 내부가 진공상태로 유지된다.
이하, 상술한 바와 같이 구성된 기판처리장치에서 기판의 이송과정에 관하여 설명하기로 한다.
먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 카세트 모듈(10)에 로딩되어 있던 새 기판을 대기이송 모듈(20)을 통해 하측 로드락 챔버(32,42)로 이송한다. 그런 다음, 로드락 챔버(32,42)의 내부를 진공상태로 전환하고, 이후 진공이송 모듈(60)을 통해 기판을 프로세스 모듈(70)로 이송하여 공정처리한다. 그리고, 이와 같이 프로세스 모듈(70)에서 공정처리가 이루어지는 동안, 하측 로드락 챔버(32,42)로 새 기판을 이송하여 로딩한다. 공정처리가 완료되면, 진공이송 모듈(60)을 통해 처리완료된 기판을 각 상측 로드락 모듈(31,41)로 이송하고, 하측 로드락 모듈(32,42)에 있던 새 기판을 프로세스 모듈로 이송되어 공정처리하다. 프로세스 모듈에서 공정처리가 이루어지는 동안, 상측 로드락 챔버(31,41)에 있는 처리완료된 기판을 카세트 모듈로 반출하고, 다시 새 기판 한 쌍을 하측 로드락 챔버(32,42)로 이송한다. 그리고, 이와 같은 과정은 연속적으로 실시한다.
한편, 공정처리 전에 기판의 예열이 필요한 경우에는, 하측 로드락 챔버에 기판을 이송한 다음 하측 로드락 챔버(30)를 진공 상태로 전환하면서 히터(32)를 통해 기판을 예열하며, 예열이 완료되면 기판을 프로세스 모듈로 이송하면 된다.
상술한 과정에 있어서, 각 로드락 챔버는 상호 독립적으로 진공 상태 및 대기압 상태에서 전환되며, 제1로봇암 및 제2로봇암은 상호 독립적으로 구동하면서 기판을 이송한다. 따라서, 좌측 로드락 챔버쌍 또는 우측 로드락 챔버쌍 중 어느 하나에 이상이 발생하더라도, 나머지 로드락 챔버쌍을 이용하여 기판의 처리공정을 수행할 수 있다.
또한, 종래의 경우에는 도 1에 도시된 바와 같이 각 로드락 챔버(즉, 상측 및 하측 로드락 챔버)에 한 쌍의 슬롯이 수평방향으로 서로 이격되게 배치되어 있음으로 인해 로드락 챔버 내의 공간이 넓어져 진공 상태로 전환하는데 많은 시간이 소요되었으나, 본 실시예의 경우에는 도 4에 도시된 바와 같이 각 로드락 챔버 내의 공간이 종래보다 약 1/2로 감소 되었는바, 로드락 챔버 내를 진공상태로 전환하는데 소요되는 시간을 단축할 수 있으며, 그 결과 기판처리속도가 향상된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 로드락 챔버의 단면도이다.
도 2는 종래의 기판처리장치에서의 기판이 이송되는 과정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 로드락 모듈의 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 기판이송로봇의 사시도이다.
도 6은 본 실시예에 따른 기판처리장치에서 기판의 이송과정을 설명하기 위한 흐름도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100...기판처리장치 10...카세트 모듈
20...대기이송 모듈 31,32,41,42...로드락 챔버
50...로드락 모듈 60...진공이송 모듈
61...기판이송로봇 70...프로세스 모듈

Claims (4)

  1. 복수의 기판이 탑재되는 카세트가 로딩 및 언로딩 되는 카세트 모듈;
    상기 기판이 지지되는 슬롯을 가지며, 상호 독립적으로 진공 상태와 대기압 상태에서 전환가능하며, 각 층에 2개씩 이층구조로 적층되는 4개의 로드락 챔버;
    상기 카세트 모듈과 상기 로드락 챔버 사이에서 상기 기판을 이송하는 대기이송 모듈;
    상기 기판을 처리하는 복수의 프로세스 모듈; 및
    상기 카세트 모듈과 상기 프로세스 모듈 사이에서 기판을 이송하는 진공이송 모듈;을 포함하며,
    상기 각 로드락 챔버에는 상기 기판이 삽입되는 복수의 슬롯이 상하 방향으로 서로 이격되게 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 로드락 챔버 중 적어도 하나에는 상기 기판을 가열하기 위한 히터가 승강 가능하게 설치되어 있으며,
    상기 이층구조로 적층된 로드락 챔버 사이에는 단열부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 진공이송 모듈에는, 제1회전축을 중심으로 회전 가능하며 상하 방향으로 이격된 한 쌍의 제1로봇암과, 상기 제1회전축과 이격된 제2회전축을 중심으로 회전 가능하며 상하 방향으로 이격된 한 쌍의 제2로봇암을 가지는 기판이송로봇이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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KR102139934B1 (ko) * 2018-02-21 2020-08-03 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치, 및 이를 이용하는 기판 처리 방법
CN110625832A (zh) * 2019-09-16 2019-12-31 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆切割装置及晶圆切割方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858890B1 (ko) * 2007-03-28 2008-09-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치와 기판 처리 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858890B1 (ko) * 2007-03-28 2008-09-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치와 기판 처리 방법

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