KR101058353B1 - 도전 콜로이드 구조의 개량방법 및 그 완성품 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도전 콜로이드 구조의 개량방법 및 그 완성품을 제공하는 것으로, 그것이 복수의 도전 금속선을 서로 평행하도록 배열하는 한편 고정된 피치를 갖는 평면층을 포함하게 되어, 해당 평면층 위에 절연재료막을 정량적으로 피복하고, 더욱이 해당 도전 금속선의 박막의 양면에 각각 다른 절연재료(실리콘 고무)를 피복하는데, 그 특징은 해당 도전 금속선의 적어도 일 단에 에칭액을 이용해 실리콘 분자를 분해하는 방법으로, 해당 다른 절연재료의 표면의 예정길이를 노출하도록 하고, 해당 도전 금속선의 돌출된 예정길이 획득이 신속하며 안정적이고 강도 저하가 없고 비용이 적게 드는 이점을 갖추는 것에 있다.

도전 콜로이드, 금속배열선

Description

도전 콜로이드 구조의 개량방법 및 그 완성품{Improved method and finished good of conductive adhesive structure}

본 발명은, 도전 콜로이드 구조의 개량방법 및 그 완성품을 제공하는 것으로, 특히 에칭방법에 의해 제조되는 완성품(도전 콜로이드)에 관한 것이다. 해당 도전 콜로이드의 도전 금속선이, 그 실리콘고무체의 표면(실리콘고무체의 부분이 해당 도전금속선 보다도 0.05~0.1㎜의 차이로 낮다)에 적절한 만큼 돌출되는 것으로, 응용되는 경우, 안정적인 연결에 의해 전기가 통하는 효과를 획득하고, 동시에 해당 방법은 종래의 기술에 의하여 초래된 많은 결점을 해결할 수 있다.

종래에 본 발명자는, 이미 일련의 도전용 연성 금속의 콜로이드(이하, 도전 콜로이드로 약칭한다)를 연구하여 개발한 적이 있고, 질김성이 좋고 도전성이 좋으며 내진동성(耐振動性)이 좋았고, 큰 완성품의 가변성, 조립의 간편성이나 신속성 등 다수의 이점을 구비하였기 때문에 시장에 응용되고 나서는 더욱더 사용자들의 호평을 받은 편이었다.

해당 도전 콜로이드는, 복수의 연성금속배열선을 서로 평행하게 하는 동시에, 고정된 피치(pitch)의 평면층을 구비하고 그 평면층의 위에 절연재료막을 정량적으로 피복하는 것에 따라, 해당 절연재료막과 이것 등의 금속배열선이 일체화하도록 결합하고, 해당 도전 금속선의 박막의 양면에 각각 적당한 두께까지의 구조가 형성되도록 절연재료(예를 들면 실리콘고무)를 피복한다.

다만, 주지되어 사용된 금속배열선의 매트릭스타입의 도전 콜로이드("금속선식 도전 콜로이드"로 약칭한다)의 구조는, 하나의 집적회로(Integrated Circuit, IC)와 하나의 인쇄회로기판과의 연결 통로에 응용되는 경우에 줄곧 어느 쪽에서도 접촉불량 또는 불안정한 현상을 발생시키는데, 그 원인을 연구한바 이하의 2종류가 있었다.

첫번째는, 해당 인쇄회로기판의 접점부분에 일 층의 보호용 솔더레지스트(Solder Resist)가 있기 때문에, 해당 접점의 요홈이 동일 평면상에 위치하는 것은 아니다.

둘째는, 도 1을 참조하여 볼 때, 해당 도전 콜로이드(10)는, 하나의 기계에 의해 재단된 후에, 그 도전 금속선(11)과 실리콘고무체(12)의 표면이 가지런히 되게 되고, 즉 해당 도전 금속선(11)이 해당 실리콘고무체(12)의 표면에 돌출되지 않은 것을 의미한다.

이상의 2종류의 원인을 종합하여 보면, 사용자가 해당 금속선식 도전 콜로이드를 사용하는 경우, 접촉불량, 쇼트, 및 사용상 민감도가 상대적으로 뒤떨어지는 것 등의 단점이 있어, 간혹 더 큰 가압력과 과도한 하향 방향의 압축행정(壓縮行程)을 필요로 하므로, 겨우 해당 집적회로가 해당 인쇄회로기판과 연결해서 전기가 통하게 할 수 있고, 이와 같이 해당 금속선의 도전 콜로이드의 사용수명이 상대적으로 짧아진다.

전술한 단점을 개선하기 위하여 가장 적당한 방식은, 구조상으로는 해당 금속선의 도전 콜로이드를 개량하는 것에 따라 해당 도전 금속선을 해당 실리콘고무체의 표면에 적량적(適量的)으로 돌출시키고, 해당 실리콘고무체가 해당 도전 금속선보다도 약 0.05~0.1㎜의 차이로 낮아지는 것으로(인쇄회로기판의 보호용 솔더 레지스트(Solder Resist)의 두께가 약 0.05㎜ 정도이기 때문), 이 구조의 개선방식에 기초해서 앞서 종래의 기술은 이하의 2종류의 방식을 구비한다.

첫째, 전기도금법: 전기도금을 이용하는 것에 따라 해당 도전 금속선의 상하의 양면이 각각 필요한 길이만큼 늘어나나, 단, 해당 전기도금법의 단점은

a. 전기도금층이 0.05~0.1㎜ 까지 도금되기 어렵고, 비용이 높으며, 더욱이 높이를 제어하기 어렵고,

b. 앞서 해당 집적회로와 해당 인쇄회로기판과의 사이에 사용되는 작동은, 매우 큰 압력과 고주파수의 다이나믹 가압·해제를 견뎌야 할 필요가 있어, 예를들어 전기도금에 의한 증착층을 채택하면, 박리되기 쉬워지는 것에 있다.

둘째, 레이저·디스미어법: 레이저·에너지를 이용해서 표면의 실리콘고무를 소각하는, 즉 표층을 절단하는 것을 의미하고, 단, 해당 레이저·디스미어법의 단점은

a. 레이저 공정이 길어 비용이 높아지고,

b. 레이저에 의해 깊이를 제어하기 어렵고, 종종 에너지가 크게 과도하여 지나치게 소각되는 것이 쉽기 때문에, 꽤 깊은 심층의 실리콘고무의 노화를 초래하고 실리콘고무의 물성이 열화되어, 해당 도전금속선과 해당 실리콘고무와의 결합도를 파괴해 박리하는 것에 있다.

따라서 새로운 기술을 연구해서 전술한 단점을 피하는 것이 본 발명의 성과이고, 더 나아가서는 산업의 발전과 진보를 촉진시킬 수 있다.

전술한 기재를 토대로 하여 볼때 종래의 금속선 도전 콜로이드는, 구조상에서는 기술방식을 개량해도, 어느 쪽도 개량된 금속선 도전 콜로이드가 구조상으로는 매우 안정된 효과를 획득하지 못하고, 더 나아가서는 여러 단점과 문제점 등을 초래하는바, 따라서 본 발명자는 수년 동안 이 과제에 몸담은 경험에 기초하여 오랜동안 노력해 연구와 실험을 했고, 게다가 관련한 원리에 대응해 드디어 본 발명의 일종의 도전 콜로이드 구조의 개량방법 및 그 완성품을 개발하여 설계하였다.

본 발명의 목적은 새로운 도전 콜로이드 구조의 개량방법 및 그 완성품을 제공하는 것에 있어, 해당 방법을 이용하여 획득된 도전 콜로이드는 그 도전 금속선의 적어도 일 단이, 그 다른 단부의 절연재료(실리콘고무)의 표면으로부터 예정길이 (예를 들면 실리콘고무체의 부분이 해당 금속배열선 보다도 약 0.05~0.1㎜의 차이로 낮다)만큼 돌출되도록 할 수 있고, 단 해당 도전 금속선의 돌출된 예정 길이 획득이 신속하고 안정되며, 강도가 저하되지 않고 길이의 정확한 평균제어가 용이하며 비용이 저렴한 이점을 구비하므로, 본 발명은 관련한 산업에 대응하여 더 없는 응용가치성을 구비한다.

해당 도전 금속선의 적어도 일 단에 에칭액을 이용해 실리콘 분자를 분해하는 방법으로, 해당 다른 절연재료의 표면으로부터 예정길이를 돌출하도록 하고, 해 당 도전 금속선의 돌출된 예정길이 획득이 신속하며 안정적이고 강도 저하가 없고 비용이 적게 드는 이점을 갖추는 것에 있다.

더 나아가 심사관이 본 발명의 기술수단 및 작동과정에 대응해 보다 잘 이해할 수 있도록 기여하기 위해, 실시예를 들어 도면에 대응하여 하기와 같이 상세히 설명한다.

본 발명은 도전 콜로이드 구조의 개량방법 및 그 완성품으로, 특히 도전 콜로이드가 복수의 연성 금속배열선(예를 들면 동도금 니켈선 또는 동도금 금선)을 서로 평행하게 하는 한편, 고정된 피치의 평면층을 구비하여 그 평면층의 위에 절연재료막(예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트막 (PET막))을 적량적으로 피복하는 것에 따라 해당 절연재료막과 이것 등의 금속배열선이 일체화하도록 결합하고, 더욱이 해당 도전금속선의 박막의 양면에 각각 적당한 두께까지의 구조가 형성되도록 절연재료(예들 들어 실리콘고무)를 피복한다.

전술한 해당 도전 콜로이드의 기본 구조에 의해, 요컨대 하기와 같은 본 발명의 기술특징을 실시할 수 있고, 도 2를 참조하여 보면 해당 방법이 이하의 단계를 포함한다.

단계 1. 먼저 가지런히 재단된 금속배열선의 도전 콜로이드를 에칭조의 안에 넣고,

단계 2. 에칭액을 이용하여 해당 금속배열선의 도전 콜로이드의 실리콘고무체를 분해하는 한편, 분해시간을 제어한 후에 추출하고,

단계 3. 추출한 후에 그것을 세정조에 침지해 분해한 실리콘분자를 제거하는 것에 따라 에칭의 필요한 깊이를 달성하여 해당 금속배열선을 해당 실리콘고무체의 적어도 일 표면에 자연스럽게 돌출시켜, 이와 같은 일회의 처리단계를 종료한다.

전술한 금속배열선의 도전 콜로이드의 에칭의 필요한 깊이는 그 실리콘고무체의 부분이 해당 금속배열선 보다도 0.05~0.1㎜의 높이차로 낮아질 수 있다.(인쇄회로기판의 보호용 솔더레지스트(Solder Resist)의 두께가 약 0.05㎜ 정도이기 때문)

도 3을 참조하여 보면, 이것이 본 발명의 전술한 개량방법에 의해 획득되는 완성품으로, 도면으로부터 확실히 이해할 수 있도록 해당 완성품은, 즉 도전 콜로이드(2)로, 그것이 복수의 도전금속선(21)(예를 들면 동도금 니켈선 또는 동도금 금선)을 서로 평행하도록 배열하는 한편, 고정된 피치(pitch)를 가지는 평면층을 포함하게 되어, 해당 평면층의 위에 절연재료막(예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트막 (PET막))을 정량적으로 피복하고, 더욱이 해당 도전금속선(21)의 박막의 양면에 각각 다른 절연재료(22)(예를 들면 실리콘고무)를 피복하는데, 그 특징은 해당 도전금속선(21)의 적어도 일 단(상하의 양단이어도 괜찮다)에 해당 다른 절연재료(22)의 표면으로부터 예정길이 A를 노출하고, 그 가운데에도 해당 다른 절연재료(22)는 그 예정길이 A가 해당 도전 금속선(21)보다도 약 0.05~0.1㎜의 차이로 낮아지는 것에 있다.(인쇄회로기판의 보호용 솔더레지스트(Solder Resist)의 두께가 약 0.05㎜ 정도이기 때문)

전술한 설명으로부터 이해할 수 있는 것처럼, 본 발명의 도전 콜로이드(2)의 개량방법 및 그 완성품은, 종래의 기술과 다른데 그것은 하기와 같다.

첫째, 본 발명의 도전 금속선(21)은 모두 상하의 양단을 자연스럽게 돌출시키는데, 그 강도가 저하되지 않고, 종래의 기술의 강도의 저하와는 다르다.

둘째, 본 발명은 에칭액을 이용하여 실리콘 분자를 분해하는 방법이 바람직한데, 단지 해당 다른 절연재료(22)(예를 들면 실리콘고무)의 표면접촉부분에 도달하는 것 만으로 수행되는 것으로, 따라서 그 내층에 너무 깊게 비집고 들어가지 않고, 콜로이드의 물성 및 구조가 변화되지 않아, 종래 기술의 실리콘고무체(12)의 물성의 열화, 금속배열선(11)의 결합도의 저하와는 다르다.

셋째, 본 발명의 도전 금속선(21)은 해당 다른 절연재료(22)의 표층에 상하의 양단을 모두 자연스럽게 노출하여 그 길이가 제어하기 쉬운 한편 정확하게 평균적이 되므로, 종래의 기술의 길이제어가 어려운 것 및 그로부터 유발되는 결점과는 다르다.

넷째, 본 발명의 방법은 신속한 한편 저렴하여, 종래기술의 방법이 어렵고 시간소모가 많으며 비용이 높은 점과는 다르다.

따라서, 본 발명의 개량방법 및 그 완성품은 실로 신규성, 진보성과 실용성을 갖춘다.

전술한 상세한 설명은, 단지 본 발명에 대한 보다 바람직한 실행 가능한 실시예의 설명만인 것으로, 단 해당 실시예가 본 발명의 특허청구범위를 한정하는 것으로 이용되는 것이 아니고, 예를 들면 그 밖에 본 발명에 의해 게시된 기술정신을 이탈하지 않는 범위에서 완성된 동등한 변화 및 변경은 어느 쪽도 본 발명에 포함 된 특허청구범위 중에 포함되어야 하는 것이다.

도 1은 종래의 완성품의 부분 단면을 도시한 모식도이다.

도 2는 본 발명의 개량방법 플로우의 모식도이다.

도 3은 도 2의 플로우의 완성 후 완성품의 사시 및 부분 단면을 도시한 모식도이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

A 예정길이

2 도전 콜로이드

10 도전 콜로이드

11 금속배열선

12 실리콘고무체

21 도전금속선

22 다른 절연재료

Claims (5)

1. 도전 콜로이드 구조의 개량방법은, 해당 방법이 이하의 단계를 포함하는 것으로,

   정렬하여 재단된 금속배열선의 도전 콜로이드를 에칭조 안에 넣는 단계,

   에칭액을 이용하여 상기 금속배열선의 도전 콜로이드의 실리콘고무체를 분해하는 한편 분해시간을 제어한 후에 추출하는 단계 및,

   추출한 후에 세정조에 침지해 분해한 실리콘분자를 제거하는 것에 따라 에칭의 필요한 깊이를 달성하여, 상기 금속배열선을 상기 실리콘고무체의 적어도 일 표면으로부터 돌출시키는 단계를 특징으로 하는 도전 콜로이드 구조의 개량방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 금속배열선의 도전 콜로이드의 에칭의 필요한 깊이는, 상기 실리콘고무체의 부분이 상기 금속배열선 보다도 0.05~0.1㎜의 차이로 작게 되는 깊이인 것을 특징으로 하는 도전 콜로이드 구조의 개량방법.
3. 도전 콜로이드 구조의 개량완성품으로서, 복수의 도전 금속선을 서로 평행하게 되도록 배열하는 동시에 고정된 피치를 구비하는 평면층을 함유하고, 상기 평면층의 위에 절연재료막을 정량적으로 피복하고, 상기 도전 금속선의 박막의 양면에 각각 다른 절연재료를 피복하는 도전 콜로이드 구조의 개량완성품에 있어서,

   상기 도전 금속선의 적어도 일 단이 상기 다른 절연재료의 표면으로부터 예정 길이만큼 돌출되는 것을 특징으로 하는 도전 콜로이드 구조의 개량완성품.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 다른 절연재료는, 그 예정 길이가 해당 도전 금속선 보다도 0.05~0.1㎜의 차이로 작게 되는 것을 특징으로 하는 도전 콜로이드 구조의 개량완성품.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 다른 절연재료는, 실리콘고무인 것을 특징으로 하는 도전 콜로이드 구조의 개량완성품.

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