KR101056467B1 - 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법 - Google Patents
전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서에 관한 것으로서, 전계효과 트랜지스터 기판의 후면에서 바이오 물질의 흡착 또는 탈착에 의해 생기는 전기적 특성 변화 효과를 전계효과 트랜지스터 기판 채널의 상부 또는 하부에서 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
보다 더 구체적으로 본 발명은, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층상의 소정영역에 이격되어 형성되는 소스(source)와 드레인(drain); 상기 소스와 상기 드레인 사이의 영역에 형성되는 활성반도체층; 상기 활성반도체층 상에 형성되는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 게이트(gate);를 포함하되, 상기 절연층은, 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 소정 영역이 제거되어 검출대상물질을 포획할 수 있는 공간인 공극을 형성하되, 상기 공극은 수용체 바이오분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 타측면에 의하면, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 형성되는 게이트; 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 형성되는 유전체층; 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 형성되고, 그 상부면에 수용체 바이오분자를 구비하는 활성반도체층; 및 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하도록 형성되고, 또한 서로 이격되어 형성되는 소스와 드레인; 을 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 제공한다.
보다 더 구체적으로 본 발명은, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층상의 소정영역에 이격되어 형성되는 소스(source)와 드레인(drain); 상기 소스와 상기 드레인 사이의 영역에 형성되는 활성반도체층; 상기 활성반도체층 상에 형성되는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 게이트(gate);를 포함하되, 상기 절연층은, 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 소정 영역이 제거되어 검출대상물질을 포획할 수 있는 공간인 공극을 형성하되, 상기 공극은 수용체 바이오분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 타측면에 의하면, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 형성되는 게이트; 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 형성되는 유전체층; 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 형성되고, 그 상부면에 수용체 바이오분자를 구비하는 활성반도체층; 및 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하도록 형성되고, 또한 서로 이격되어 형성되는 소스와 드레인; 을 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 제공한다.
Description
본 발명은 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서에 관한 것으로서, 전계효과 트랜지스터 기판의 후면에서 바이오 물질의 흡착 또는 탈착에 의해 생기는 전기적 특성 변화 효과를 전계효과 트랜지스터 기판 채널의 상부 또는 하부에서 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
대표적인 반도체 소자인 전계효과 트랜지스터(Field Effective Transistor; FET)는 능동 소자로서 우수한 스위칭 특성과 긴 수명 등으로 인하여 전자 회로에 많이 이용되고 있으며, 바이오센서의 기본 구조로 이용되고 있다.
다만, 종래기술에 의한 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서는 일반적으로 바이오물질이 흡착되는 기판 면과 전류가 흐르는 면이 동일하기 때문에 반복재현성이 보장되지 못하는 문제점이 있었다.
따라서, i) 바이오물질이 흡착되는 기판면과 전류가 흐르는 면을 달리하는 구조를 가짐으로써 반복재현성이 보장되고, 또한 높은 집적도가 보장되며 ii) 전류와 전압의 관계로서 검출하고자 하는 물질의 유무를 쉽게 검출할 수 있는 민감도가 보장되고, iii) 저비용으로 보다 간편한 제조공정에 의해 제조될 수 있는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기위해 안출된 것으로써, 반복재현성이 높은 구조를 갖는 신규한 구조의 전계효과 트랜지스터의 후면 기판의 전기적 성질변화를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 집적도가 높고, 바이오 물질 검출의 민감도가 향상된 전계효과 트랜지스터의 기판 바이어스 효과를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법을 제공하는데 또다른 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 일측면에 의하면, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층상의 소정영역에 이격되어 형성되는 소스(source)와 드레인(drain); 상기 소스와 상기 드레인 사이의 영역에 형성되는 활성반도체층; 상기 활성반도체층 상에 형성되는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 게이트(gate);를 포함하되, 상기 절연층은, 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 소정 영역이 제거되어 검출대상물질을 포획할 수 있는 공간인 공극을 형성하되, 상기 공극은 수용체 바이오분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 제공한다.
여기서 상기 공극의 일측면에 형성되며, 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 (a) 서브스트레이트 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 활성반도체층을 형성하는 단계; (c) 상기 활성반도체층의 소정영역상에 유전체층 및 게이트 층을 순차적으로 형성하는 단계; (d) 상기 유전체층 및 게이트 층이 형성되지 아니한 활성반도체층 상부의 소정영역상에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계; (e) 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 절연층의 소정영역을 제거하여 공극을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 공극에 수용체 바이오분자를 주입하는 단계;를 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법을 제공한다.
여기서 상기 (e) 단계 후에, 상기 공극의 일측면에 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 (b)단계는, 상기 절연층 상부면에 활성반도체층을 형성하는 단계 및 상기 활성반도체층의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하는 단계로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른측면에 의하면, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 형성되는 게이트; 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 형성되는 유전체층; 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 형성되고, 그 상부면에 수용체 바이오분자를 구비하는 활성반도체층; 및 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하도록 형성되고, 또한 서로 이격되어 형성되는 소스와 드레인;을 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 제공한다.
여기서 상기 활성반도체층의 상부면에 형성되며, 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 (a) 서브스트레이트 기판 위에 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 게이트를 형성하는 단계; (c) 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 유전층을 형성하는 단계; (d) 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 활성반도체층을 형성하는 단계; (e) 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하는 소스와 드레인을 서로 이격시켜 형성하는 단계; 및 (f) 상기 활성반도체층에 수용체 바이오분자를 주입하는 단계;를 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 (e) 단계 후에, 상기 활성반도체층 상에 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 (b)단계는, 상기 절연층 상부면에 게이트를 형성하는 단계 및 상기 게이트의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하는 단계로 이루어질수 있다.
또한, 상기 (d)단계는, 상기 유전체층 상부면에 활성반도체층을 형성하는 단계 및 상기 활성반도체층의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하는 단계로 이루어질 수 있다.
본 발명에서 상기 수용체 바이오 분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유기화합물, 무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 또는 효소 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법을 포함한다.
본 발명에서 상기 서브스트레이트 기판은 SOI 기판, 실리콘 벌크 기판, 인장실리콘 기판, 폴리실리콘 또는 SiGe 기판 중에서 선택되는 어느 하나의 기판을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 포함한다.
또한, 상기 게이트는 금속 또는 폴리실리콘을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 포함할 수 있다.
상기 절연층은 실리콘 옥사이드, Al2O3 및 HfO2와 같은 메탈 옥사이드, Cr, Ti 또는 Al 으로 형성되는 금속층, SAM(Self-Assembled Monolayer)과 같은 유기층 또는 포토레지스트 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 포함한다.
본 발명에서 상기 수용체 바이오분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유기화합물, 무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 또는 효소 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 포함한다.
본 발명에 의하여, 전계 효과 트랜지스터의 기판 바이어스 변화를 이용하여 바이오센서를 구성함으로써, 종래기술에 의한 바이오 센서에 비해 반복재현성 및 집적도가 높고, 공정과정이 간편하며 저비용으로 제작이 가능한 바이오 센서를 제공하는 효과가 있다. 특히 검출대상인 바이오 물질이 흡착되는 기판면과 전류가 흐르는 면이 다르므로 높은 반복재현성을 보장할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 바이오 물질의 변화에 따른 소자의 전기적 특성 변화가 안정적이어서 전기적 특성 변화가 소자마다 다르게 나타나는 종래의 바이오 센서에 비해 민감도가 향상되는 효과가 있다.
도 1a은 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 구성도.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 구성도.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 평면도.
도 2b 내지 도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 단면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조단계를 나타낸 예시도.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 평면도.
도 4b 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조단계를 나타낸 예시도.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법의 순서도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법의 순서도.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 구성도.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 평면도.
도 2b 내지 도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 단면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조단계를 나타낸 예시도.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 평면도.
도 4b 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조단계를 나타낸 예시도.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법의 순서도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법의 순서도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1a은 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 구성도이다.
본 발명의 제 1실시예에 의한 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서에 의하면, 서브스트레이트 기판(110); 상기 서브스트레이트 기판(110)상에 형성되는 절연층(120); 상기 절연층상의 소정영역에 이격되어 형성되는 소스(source)(170)와 드레인(drain)(180); 상기 소스(170)와 상기 드레인(180) 사이의 영역에 형성되는 활성반도체층(130); 상기 활성반도체층(130) 상에 형성되는 유전체층(140); 및 상기 유전체층(140) 상에 형성되는 게이트(gate)(150)을 포함하되, 상기 절연층(120)은, 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 소정 영역이 제거되어 검출대상물질을 포획할 수 있는 공간인 공극을 형성하되, 상기 공극은 수용체 바이오분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 형성하는 것을 특징으로 한다. 즉, 소스(170)와 드레인(180) 사이에 형성되는 활성반도체층(130)은 소스전극과 드레인전극의 전류가 관통하는 전류채널이라고 할 수 있으며, 제 1실시예에 의한 바이오센서는 채널 하부에 바이오 분자 등 검출대상물질(191)을 포집할 수 있는 구조를 형성한 것이라고 할 수 있다. 이는 종래기술이 바이오 분자 등 검출대상물질이 흡착되는 기판의 면과 전류가 흐르는 면이 동일하기 때문에 반복 재현성이 적어 상업적 이용 가능성이 적은 문제점을 해결한 구조라고 할 수 있다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 구성도이다.
본 발명의 제 2실시예에 의한 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서에 의하면, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 형성되는 게이트; 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 형성되는 유전체층; 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 형성되고, 그 상부면에 수용체 바이오분자를 구비하는 활성반도체층; 및 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하도록 형성되고, 또한 서로 이격되어 형성되는 소스와 드레인; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
즉 제 2실시예는 제1실시예에 비하여, 소스전극 및 드레인전극 사이의 전류과 관통되는 채널영역의 상부인 활성반도체층의 상부에 검출대상물질을 포집할 수 있는 구조를 갖춘 것이라고 할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 평면도이다.
도 2b 내지 도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 단면도이다.
즉, 도 2a를 참조하면, 도 2b는 A-A'에 따른 단면도이고, 도 2c는 B-B'에 따른 단면도라고 할 수 있다. 이하 자세한 구조 및 제조순서는 후술하기로 한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조단계를 나타낸 예시도이다.
본 발명의 제 1실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법에 의하면, (a) 서브스트레이트 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 활성반도체층을 형성하는 단계; (c) 상기 활성반도체층의 소정영역상에 유전체층 및 게이트 층을 순차적으로 형성하는 단계; (d) 상기 유전체층 및 게이트 층이 형성되지 아니한 활성반도체층 상부의 소정영역상에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계; (e) 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 절연층의 소정영역을 제거하여 공극을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 공극에 수용체 바이오분자를 주입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (e) 단계후에, 상기 공극의 일측면에 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 3a를 참조하면, 서브스트레이트 기판(350)위에 절연층(310)을 형성하고, 상기 절연층(310)상에 활성반도체층(360)을 형성하는 모습을 도시하고 있다.
상기 서브스트레이트 기판(350)은 SOI 기판, 실리콘 벌크 기판, 인장실리콘 기판, 폴리실리콘 또는 SiGe 기판 중에서 선택되는 어느 하나의 기판을 이용할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 절연층(310)은 실리콘 옥사이드, Al2O3 및 HfO2와 같은 메탈 옥사이드, Cr, Ti 또는 Al 으로 형성되는 금속층, SAM(Self-Assembled Monolayer)과 같은 유기층 또는 포토레지스트 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
이렇게 서브스트레이트 기판(350)상에 절연층(310)을 형성하고 난 후, 활성반도체층(360)을 형성하게 되는데, 활성반도체층(360)은 소스(330)와 드레인(340) 사이의 전류가 관통되는 전류채널이라고 할 수 있다. 활성반도체층(360)는 실리콘(Si) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성반도체층(360)은 절연층(310)의 양측단이 노출되도록 소정영역만 형성하는 것도 가능하나, 절연층(310)이 노출되지 않도록 활성층(360)을 형성한 후(미도시), 이렇게 형성된 활성층의 양측단을 패터닝 후 식각하여 제거하여 도 3a와 같은 모습으로 형성하는 것도 가능하다. 즉, 상기 절연층(310) 상부면이 노출되지 않도록 활성반도체층을 형성하고, 활성반도체층(360)을 패터닝한 후, 활성 영역을 정의하는 마스크를 활성반도체층(360)상에 적층하고, 마스크 패턴을 마스크로 하여 활성반도체층(360)을 부분 식각한 후, 마스크 패턴을 제거하면 된다.
도 3b를 참조하면, 상기 활성반도체층(360) 상에 유전체층(370) 및 게이트(320)를 순차적으로 형성한 모습을 도시하고 있다.
상기 유전체층(370)은 활성반도체층(360)과 게이트(320) 사이를 절연하는 역할을 수행하며, 게이트 옥사이드 또는 실리콘 옥사이드 등의 물질로 형성할 수 있다.
상기 게이트(320)는 바람직하게는 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다. 금속으로는 금(Au)인 것이 바람직하지만 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 게이트(320)는 통상의 MOSFET에서 게이트를 형성하는데 이용될 수 있는 임의의 물질로 형성될 수도 있다.
또한, 상기 유전체층(370) 및 게이트(320)는 활성반도체층(360)의 상부가 노출되지 않도록 적층하고(미도시), 마스크를 이용하여 패터닝하고 부분식각하여 측면부의 소정영역을 제거하여 도 3b와 같이 형성하는 것도 가능하다.
도 3c를 참조하면, 상기 활성반도체층(360)상에 소스(330)와 드레인(340)이 형성된 모습을 도시하고 있다.
상기 소스(330) 및 드레인(340)은 활성반도체층(360)에 n형 불순물 또는 p형 불순물을 도핑하여 형성될 수 있는데, 특정 엔드 디바이스(End device)의 필요조건에 따라 특정 주입 도즈(dose) 및 에너지들이 선택될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 채널 하부의 절연층(310)의 소정영역을 제거하여 공극(380)을 형성한 모습을 도시하고 있다.
소스(330)와 드레인(340) 사이의 채널 영역 하부만 선택적으로 식각 되면 소스(330)와 드레인(340) 하부의 절연층(310)은 남아 활성반도체층(360)을 지지해준다.
상기 공극(380)은 식각 시간에 따라 그 두께가 결정될 수 있고, 최대로 절연층(310)의 두께만큼 식각하여 서브스트레이트 기판(350)의 상면이 노출되도록 공극을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 상기 제 1실시예에 의한 바이오센서는, 상기 공극(160)과 접하는 활성반도체층(190)의 하부면에 형성되며, 검출대상물질(191)을 포획할 수 있는 링커를 더 포함할 수 있다. 상기 링커는 공극의 하부면인 서브스트레이트 기판(110)상에 형성될 수도 있으며, 공극의 측면인 절연층(120)에 형성되는 것도 가능하다.
본 발명에서 상기 공극(380)은 활성반도체층(360)과 절연층(310), 또는 활성반도체층(360)과 서브스트레이트 기판(350) 사이의 에어갭(Air-Gap), 검출대상 물질인 바이오 분자 또는 바이오 물질을 활성반도체층(360), 서브스트레이트 기판(350) 또는 절연층(310)에 고정시키기 위한 링커 등을 포함하는 영역을 의미한다.
도 3e를 참조하면, 공극(380)의 일측면에 형성된 링커(390)에 검출대상물질(391)이 포획된 구조를 도시하고 있다.
본 발명에서는 상기 공극(380)에 수용체 바이오분자(미도시)를 주입하여 검출대상물질을 포집할 수 있거나 또는 공극(380)의 일측면에 형성되며, 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커(390)를 더 포함할 수 있는데, 상기 링커(390)는 검출대상물질인 바이오 분자 또는 바이오 물질을 좀 더 용이하게 포집하기 위함이다.
즉, 본 발명에서는 공극(280)에 주입되는 바이오 분자는 수용체(acceptor) 바이오 분자이고, 상기 수용체 바이오 분자와 결합하는 바이오 분자, 바이오 물질 등의 외부 물질을 검출대상물질이라고 할 수 있다.
상기 수용체 바이오분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유기화합물, 무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 또는 효소 중에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으며, 검출대상물질에 따라 적절히 선택할 수 있다.
수용체 바이오 분자는 링커를 이용하여 공극(380)의 일측면인 활성반도체층(360)의 하부면 또는 절연층(310)의 매몰된 부분에 고정될 수 있다. 여기서, 링커(390)의 일예로서 SAM(Self Assembled Monolayer)을 들 수 있다.
게이트(320)를 금(Au)으로 형성하는 경우 사이올(thiol) SAM을 이용하여 링커를 형성하는 것이 바람직하며, 게이트(320)를 폴리 실리콘으로 형성하는 경우 실란(silane) SAM을 이용하여 링커를 형성하는 것이 바람직할 것이다.
또한, 수용체 바이오분자 자체가 활성반도체층(130), 절연층(120), 또는 서브스트레이트 기판(110)에 용이하게 고정될 수 있는 물질인 경우에는 링커를 포함하지 않아도 무방하다. 이 경우는 수용체 바이오 분자, 그 자체에 링커(390)가 포함된 것으로 볼 수 있다.
본 발명에서는 수용체 바이오 분자가 검출대상물질과 결합하는지 여부, 결합된 검출 대상 물질 등에 의해 전계효과 트랜지스터 후면 기판의 전기적 성질이 변하게 되며, 채널 하부 또는 채널 상부에 검출대상물질을 검출할 수 있는 구조를 갖춤으로서, 검출 대상 물질에 따른 소자의 전기적 특성이 더욱 직접적으로 변하게 되므로, 바이오 물질의 변화에 따른 소자의 전기적 특성 변화의 민감도가 증가하여 더욱 향상된 바이오 물질 검출이 가능하다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 평면도이다.
도 4b 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 단면도이다.
즉, 도 4a를 참조하면, 도 4b는 A-A'에 따른 단면도이고, 도 4c는 B-B'에 따른 단면도라고 할 수 있다. 이하 자세한 구조 및 제조순서는 후술하기로 한다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조단계를 나타낸 예시도이다.
본 발명의 제 2실시예에 의한 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법에 의하면, (a) 서브스트레이트 기판 위에 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 게이트를 형성하는 단계; (c) 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 유전층을 형성하는 단계; (d) 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 활성반도체층을 형성하는 단계; (e) 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하는 소스와 드레인을 서로 이격시켜 형성하는 단계; 및 (f) 상기 활성반도체층에 수용체 바이오분자를 주입하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 (e) 단계 후에, 상기 활성반도체층 상에 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 5a를 참조하면, 서브스트레이트 기판(550) 상에 절연층(510)을 형성한 모습을 도시하고 있다.
상술한 바대로 서브스트레이트 기판(550)은 SOI 기판, 실리콘 벌크 기판, 인장실리콘 기판, 폴리실리콘 또는 SiGe 기판 중에서 선택되는 어느 하나의 기판을 이용할 수 있고, 상기 절연층(510)은 실리콘 옥사이드, Al2O3 및 HfO2와 같은 메탈 옥사이드, Cr, Ti 또는 Al 으로 형성되는 금속층, SAM(Self-Assembled Monolayer)과 같은 유기층 또는 포토레지스트 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5b를 참조하면, 상기 절연층(510) 상에 게이트(520)를 형성하고, 상기 게이트(520)의 상부면 및 양측면에 유전체층(570)을 형성한 모습을 도시하고 있다.
상기 게이트(520)는 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어질 수 있으며, 금속으로는 금(Au)인 것이 바람직하지만 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 게이트(520)는 통상의 MOSFET에서 게이트를 형성하는데 이용될 수 있는 임의의 물질로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 유전체층(570)은 활성반도체층(560)과 게이트(520) 사이를 절연하는 역할을 수행하며, 게이트 옥사이드 또는 실리콘 옥사이드 등의 물질로 형성할 수 있다.
여기서, 상기 게이트(520)의 형성과정은, 상기 절연층 상부면에 절연층이 노출되지 않도록 게이트를 형성하고, 이러한 게이트의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하여 형성할 수도 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 유전체층(570)의 상부면 및 양측면이 노출되지 않도록 활성반도체층(560)을 형성하는 모습을 도시하고 있다.
즉, 처음부터 도 5d처럼 유전체층(570)의 상부면의 소정영역상에만 활성반도체층(560)을 형성할 수도 있으나, 상기 유전체층(570) 상부면, 양측면과 더불어 절연층(510)의 소정영역상에 활성반도체층(560)을 형성하는 단계를 거쳐서, 이렇게 형성되는 활성반도체층의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하는 단계를 거쳐서, 활성반도체층이 유전체층(570)의 상부영역에만 존재하도록 형성하는 것도 가능하다.활성 반도체층(560)는 실리콘(Si) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5d를 참조하면, 절연층(510)의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층(570)의 측면 및 상기 활성반도체층(560)의 측면과 접하는 소스(530)와 드레인(540)을 형성시킨 모습을 도시하고 있다.
만일, 활성반도체층(560)이 도 5c에서 도시한 것처럼 형성된 경우라면, 활성반도체층(560)이 유전체층(570) 상부에만 남아있도록, 부분식각한 후에 상기 부분식각된 영역에 소스(530)와 드레인(540)을 형성하게 된다. 상기 소스(530) 및 드레인(540)은 활성반도체층(560)에 n-형 또는 p-형 불순물을 도핑하여 형성될 수 있는데, 특정 엔드 디바이스(End device)의 필요조건에 따라 특정 주입 도즈(dose) 및 에너지들이 선택될 수 있다.
이렇게 소스(530)와 드레인(540)이 형성되게 되면, 활성반도체층(560)은 전류가 흐를수 있는 채널역할을 수행할 수 있게 된다.
도 5e를 참조하면, 상기 활성반도체층(560)의 상부면에 링커(590)를 형성하고 검출대상물질(591)를 고정한 모습을 도시하고 있다.
본 발명에서는 활성반도체층(560)에 수용체 바이오분자(미도시)를 주입하여 검출대상물질을 포집할 수 있거나 또는 활성반도체층(560)의 상부면에 형성되며, 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커(590)를 더 포함할 수 있는데, 상기 링커(590)는 검출대상물질인 바이오 분자 또는 바이오 물질을 좀 더 용이하게 포집하기 위함이다.
즉, 본 발명에서는 활성반도체층(560)에 주입되는 바이오 분자는 수용체(acceptor) 바이오 분자이고, 상기 수용체 바이오 분자와 결합하는 바이오 분자, 바이오 물질 등의 외부 물질을 검출대상물질이라고 할 수 있다.
상기 수용체 바이오분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유기화합물, 무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 또는 효소 중에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으며, 검출대상물질에 따라 적절히 선택할 수 있다.
수용체 바이오 분자는 링커를 이용하여 활성반도체층(560)의 상부면에 고정될 수 있다. 여기서, 링커(590)의 일예로서 SAM(Self Assembled Monolayer)을 들 수 있다.
여기서, 수용체 바이오분자 자체가 활성반도체층(560)에 용이하게 고정될 수 있는 물질인 경우에는 링커를 포함하지 않아도 무방하다. 이 경우는 수용체 바이오 분자, 그 자체에 링커가 포함된 것으로 볼 수 있다.
본 발명에서는 수용체 바이오 분자가 검출대상물질과 결합하는지 여부, 결합된 검출 대상 물질 등에 의해 전계효과 트랜지스터 후면 기판의 전기적 성질이 변하게 되며, 채널 하부 또는 채널 상부에 검출대상물질을 검출할 수 있는 구조를 갖춤으로서, 검출 대상 물질에 따른 소자의 전기적 특성이 더욱 직접적으로 변하게 되므로, 바이오 물질의 변화에 따른 소자의 전기적 특성 변화의 민감도가 증가하여 더욱 향상된 바이오 물질 검출이 가능하다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법의 순서도이다.
먼저, 서브스트레이트 기판상에 절연층을 형성하고(s601), 상기 절연층상에 활성반도체층을 형성하게 된다.(s602)
본 발명에서는 그 필요에 따라, 절연층의 상면이 노출되지 않도록 활성반도체층을 형성하고 그 측면의 소정영역을 마스크를 이용하여 패터닝 한 후 식각하여 제거할 수 있다.
이후, 상기 활성반도체층 상에 유전체층 및 게이트를 순차적으로 형성하게 되는데, (s603) 상기 유전체층은 활성반도체층과 게이트사이의 절연역할을 수행하게 된다.
이후, 상기 유전체층 및 게이트 층이 형성되지 아니한 활성반도체층 상부의 소정영역상에 n형 불순물 또는 p형 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계(s604)를 거치게 된다.
상기 소스와 드레인의 형성단계(s604) 후, 절연층의 소정영역을 제거하여 공극을 형성하게 되는데(s605), 공극은 활성반도체층의 하부면과 절연층으로 둘러쌓인 구조로 형성할 수 있다. 물론 공기(air)와 검출대상물질이 공극을 통과할 수 있도록 공극의 상부면이 모두 활성반도체층에 의해 덮히는 것은 아니고, 그 일부는 공기와 맞닿도록 형성되게 된다.(도 1a 참조)
이후, 상기 공극의 일측면에 링커를 형성하는 단계(s606)를 거칠 수 있는데, 검출대상물질 또는 수용체 바이오분자의 종류 등에 따라 링커를 형성하지 않을 수 있다.
마지막으로, 공극에 수용체 바이오분자를 주입하는 단계(s607)를 거치면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서가 완성되게 된다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법의 순서도이다.
먼저, 서브스트레이트 기판상에 절연층을 형성하고(s701), 상기 절연층상에 게이트를 형성하게 된다.(s702)
상기 게이트는 절연층이 노출되지 않도록 형성하고, 양측단의 소정영역을 패터닝 후 식각하여 제거하는 방식으로 형성하여도 무방하다.
이후 상기 게이트의 상부 및 양측면에 유전체층을 형성하게 되고,(s703) 절연층상에 상기 유전체층이 노출되지 않도록 활성반도체층을 형성하게 된다.(s704)
여기서 상기 활성반도체층은 유전체층의 상부면의 소정영역에만 형성하는 것도 가능하고, 절연층상과 유전체층의 상부에 걸쳐서 형성하는 것도 가능한데, 이때에는 유전체층의 상부에 형성되는 활성반도체층을 제외한 부분을 마스크를 이용하여 패터닝 후 식각하여 제거하는 과정을 거쳐야 한다.
이후, 상기 절연층의 소정영역, 유전체층의 측면 및 활성반도체층의 측면상에 소스와 드레인을 형성하게 된다.(s705)
상기와 같이 소스 및 드레인을 이격하여 형성하고 양자의 사이에 활성반도체층이 위치하게 되면, 전류가 흐르는 채널이 형성되게 된다.
이후, 상기 활성반도체층의 상부면에 링커를 형성할 수 있는데(s706), 이러한 링커는 필수구성요소는 아니며, 검출대상물질 또는 수용체 바이오분자의 종류 등에 따라 링커를 형성하지 않을 수 있다.
이후, 상기 활성반도체층에 수용체 바이오분자를 주입하면(s707), 본 발명의 제 2실시예에 의한 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서가 완성되게 된다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
110, 250, 350, 450, 550: 서브스트레이트 기판
120, 210, 310, 410, 510: 절연층
130, 260, 360, 460, 560: 활성반도체층
140, 270, 370, 470, 570: 유전체층
150, 220, 320, 420, 520: 게이트
160, 280, 380: 공극
170, 230, 330, 430, 540 : 소스
180, 240, 340, 440, 540 : 드레인
190, 290, 390: 링커
191, 291, 391; 검출대상물질
120, 210, 310, 410, 510: 절연층
130, 260, 360, 460, 560: 활성반도체층
140, 270, 370, 470, 570: 유전체층
150, 220, 320, 420, 520: 게이트
160, 280, 380: 공극
170, 230, 330, 430, 540 : 소스
180, 240, 340, 440, 540 : 드레인
190, 290, 390: 링커
191, 291, 391; 검출대상물질
Claims (16)
- 서브스트레이트 기판;
상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층;
상기 절연층상의 소정영역에 이격되어 형성되는 소스(source)와 드레인(drain);
상기 소스와 상기 드레인 사이의 영역에 형성되는 활성반도체층;
상기 활성반도체층 상에 형성되는 유전체층; 및
상기 유전체층 상에 형성되는 게이트(gate);를 포함하되,
상기 절연층은, 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 소정 영역이 제거되어 검출대상물질을 포획할 수 있는 공간인 공극을 형성하되, 상기 공극은 수용체 바이오분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서. - (a) 서브스트레이트 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;
(b) 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 활성반도체층을 형성하는 단계;
(c) 상기 활성반도체층의 소정영역상에 유전체층 및 게이트 층을 순차적으로 형성하는 단계;
(d) 상기 유전체층 및 게이트 층이 형성되지 아니한 활성반도체층 상부의 소정영역상에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계;
(e) 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 절연층의 소정영역을 제거하여 공극을 형성하는 단계; 및
(f) 상기 공극에 수용체 바이오분자를 주입하는 단계;
를 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 제 2항에 있어서, 상기 (e) 단계후에,
상기 공극의 일측면에 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 제 2항에 있어서, 상기 (b)단계는,
상기 절연층 상부면에 활성반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 활성반도체층의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 서브스트레이트 기판;
상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층;
상기 절연층 상부면의 소정영역상에 형성되는 게이트;
상기 게이트의 상부면 및 양측면에 형성되는 유전체층;
상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 형성되고, 그 상부면에 수용체 바이오분자를 구비하는 활성반도체층; 및
상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하도록 형성되고, 또한 서로 이격되어 형성되는 소스와 드레인; 을 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서. - (a) 서브스트레이트 기판 위에 절연층을 형성하는 단계;
(b) 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 게이트를 형성하는 단계;
(c) 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 유전층을 형성하는 단계;
(d) 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 활성반도체층을 형성하는 단계;
(e) 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하는 소스와 드레인을 서로 이격시켜 형성하는 단계; 및
(f) 상기 활성반도체층에 수용체 바이오분자를 주입하는 단계;
를 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 제 6항에 있어서, 상기 (e) 단계 후에,
상기 활성반도체층 상에 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 제 6항에 있어서, 상기 (b)단계는,
상기 절연층 상부면에 게이트를 형성하는 단계; 및
상기 게이트의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 제 6항에 있어서, 상기 (d)단계는,
상기 유전체층 상부면에 활성반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 활성반도체층의 측면부의 소정영역을 패터닝하고 제거하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 2항 또는 제 6항에 있어서,
상기 수용체 바이오 분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유기화합물, 무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 또는 효소 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서의 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 공극의 일측면에 형성되며, 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서. - 제 5항에 있어서,
상기 활성반도체층의 상부면에 형성되며, 검출대상물질을 포획할 수 있는 링커를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서. - 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1항 또는 제 5항에 있어서,
상기 서브스트레이트 기판은 SOI 기판, 실리콘 벌크 기판, 인장실리콘 기판, 폴리실리콘 또는 SiGe 기판 중에서 선택되는 어느 하나의 기판을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서. - 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1항 또는 제 5항에 있어서,
상기 게이트는 금속 또는 폴리실리콘을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서. - 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1항 또는 제 5항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘 옥사이드, Al2O3 및 HfO2와 같은 메탈 옥사이드, Cr, Ti 또는 Al 으로 형성되는 금속층, SAM(Self-Assembled Monolayer)과 같은 유기층 또는 포토레지스트 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서. - 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1항 또는 제 5항에 있어서,
상기 수용체 바이오분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유기화합물, 무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 또는 효소 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100019832A KR101056467B1 (ko) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100019832A KR101056467B1 (ko) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101056467B1 true KR101056467B1 (ko) | 2011-08-12 |
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ID=44933223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100019832A KR101056467B1 (ko) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101056467B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015088055A1 (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-18 | 나노칩스(주) | 상온동작 단전자 트랜지스터를 이용한 바이오센서, 그 바이오센서의 제조방법, 그 바이오센서를 갖는 분석시스템 및 분석방법 |
| KR20150111246A (ko) * | 2014-03-25 | 2015-10-05 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 바이오 센서 |
| CN110672699A (zh) * | 2019-09-18 | 2020-01-10 | 天津师范大学 | 全固态场效应晶体管及应用其的生物传感器和检测方法 |
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| JP2009156827A (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Univ Waseda | 半導体センシング用電界効果型トランジスタ及びこれを用いた半導体センシングデバイス |
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| KR20090131918A (ko) * | 2008-06-19 | 2009-12-30 | 성균관대학교산학협력단 | 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 및 그제조방법 |
-
2010
- 2010-03-05 KR KR1020100019832A patent/KR101056467B1/ko not_active IP Right Cessation
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