KR102171434B1 - 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 기반 피드백 트랜지스터 구조를 사용하여 바이오 분자를 검출하는 센서를 개발하는 것으로, 본 발명에 따른 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서는, 기판, 기판 상에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상부의 일부분에 형성되어, 채널 영역의 에너지 밴드를 전기적으로 제어하는 게이트, 및 게이트와 중첩되지 않는 게이트 절연막 상부의 다른 일부분에 형성되고, 채널 영역의 에너지 밴드에 영향을 미치는 바이오 분자를 포함한다.

Description

피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 및 그 제조 방법{FEEDBACK FIELD EFFECT TRANSISTOR BIOSENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 피드백 전계 효과 트랜지스터를 이용하는 바이오센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 나노 크기를 가지는 반도체 소자에 대한 공정 기술이 발전함에 따라 이를 이용한 의공학 소자, 특히 바이오센서에 많은 연구가 이루어지고 있다. 이는 DNA, 단백질, 그리고 바이러스와 같은 생물학적인 개체들의 크기가 나노미터 단위로 반도체 소자의 크기와 비슷하기 때문이다.
바이오센서 중에서 형광 물질의 레벨링(labeling)과 빛을 이용한 탐지 및 화학적인 방법을 이용한 센서가 널리 사용되고 있다. 하지만 이 기술은 결과 분석과 샘플 준비에 많은 시간이 걸리며 가격이 비싸다는 문제점이 있다. 이런 이유로 레벨링이 필요 없고 실시간 측정이 가능한 나노 크기의 전계 효과 트랜지스터(FET)가 바이오센서로써 각광을 받고 있다.
그러나 모스펫(MOSFET)과 같은 일반적인 전계 효과 트랜지스터(FET)는, 전류량의 변화를 크게 얻을 수 없고 신호대 잡음비를 크게 얻을 수 없는 한계점을 갖는다. 또한, MOSFET의 동작원리에 의해 꺼진 상태에서 전류가 켜진 상태가 되기 위해서 상당량의 전압이 필요하기 때문에 바이오 분자의 전하량이 작은 경우 이와 같은 문제를 해결하기 어렵다는 문제가 있다.
구체적으로, 도 1을 참조하면, 기존의 MOSFET은 바이오 분자(16)를 기판(10)의 게이트(11) 상에 배치된 절연막들(12, 13) 상에 부착하여 바이오 분자(16)가 갖는 전하를 이용하여 전류를 변경하는 것으로 바이오 분자(16)를 센싱하게 된다. 이와 같이 게이트(11)의 영역에 바이오 분자(16)를 부착하는 경우 전류의 절대량을 변경하는 것이 어렵고, 가능하더라도 바이오 분자(16)의 전하량에 의한 전류 변화를 크게 기대하기 어렵다는 문제가 있다.
본 발명은 실리콘 기반 피드백 트랜지스터 구조를 사용하여 바이오 분자를 검출하는 센서를 개발하는 것으로, 채널의 일부 부분을 게이트가 제어하는 구조를 통해 미세 전류 레벨 문제를 해결하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서는, 기판, 기판 상에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상부의 일부분에 형성되어, 채널 영역의 에너지 밴드를 전기적으로 제어하는 게이트, 및 게이트와 중첩되지 않는 게이트 절연막 상부의 다른 일부분에 형성되고, 채널 영역의 에너지 밴드에 영향을 미치는 바이오 분자를 포함한다.
일 실시예에서, 바이오센서는, 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 형성되어, 게이트 및 바이오 분자를 전기적으로 절연하는 측벽을 더 포함한다.
일 실시예에서, 게이트는 소스-드레인 방향에서 소스측에 배치되고, 바이오 분자는 소스-드레인 방향에서 드레인 측에 배치된다.
일 실시예에서, 게이트는 소스-드레인 방향에서 드레인측에 배치되고, 바이오 분자는 소스-드레인 방향에서 소스 측에 배치된다.
일 실시예에서, 게이트는 게이트 절연막의 양측 단부에 배치되고, 바이오 분자는 게이트 절연막의 중앙부에 배치된다.
일 실시예에서, 게이트는 게이트 절연막의 중앙부가 노출되도록 뚫려 있고, 게이트 절연막의 노출된 중앙부에 바이오 분자가 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 제조 방법은, 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상에 게이트를 형성하는 단계, 게이트 절연막의 상부 표면의 일부가 노출되도록 게이트의 일부를 식각하는 단계, 및 게이트 절연막의 노출된 상부 표면에 바이오 분자를 결합시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 바이오센서 제조 방법은, 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 게이트 및 바이오 분자를 전기적으로 절연하는 측벽을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따르면, 채널의 일부 부분을 게이트가 제어하는 구조이므로 기존의 MOSFET과 달리 게이트 없이 바이오 분자의 전하량에 의해서만 전류가 제어되면서 발생하는 미세한 전류 레벨 문제를 해결할 수 있다.
또한, 게이트 영역의 전압을 조절하여 다양한 전류 범위에서 바이오 분자를 검출하는 것이 가능하고, 바이오 분자가 결합될 수 있는 영역의 물리적 크기에 대한 제한이 없어 다양한 크기의 바이오 분자를 결합시켜 센싱하는 것이 가능하다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 MOSFET 바이오센서의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 구조를 완성하기 전의 FET를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 구조를 완성하기 전의 FET를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서를 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 동작 원리에 따른 에너지 밴드 분포도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 하나의 실시 예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용은 제한되지 않는다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 구조를 완성하기 전의 FET를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 구조를 완성하기 전의 FET를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 전계 효과 트랜지스터(FET)는 기판(7), 게이트(1), 소스(3), 및 드레인(4)을 포함한다.
기판(7)은 임의의 적절한 반도체 물질, 예를 들어 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘 게르마늄(SiGe), 인듐 비화물(InAs), 실리콘 게르마늄(Sin), 게르마늄 주석(GeSn), 실리콘 게르마늄 주석(SiGeSn), 또는 임의의 다른 III-V족 또는 II-VI족 반도체들을 포함할 수 있다.
기판(7)은 도핑되거나 도핑되지 않은 영역을 포함할 수 있다. 기판(7)은 하나 이상의 도핑된 영역들을 포함할 수 있으며, 다수의 도핑된 영역들을 포함하는 경우, 이러한 영역들은 동일할 수 있거나 상이한 도전율 및 도핑 농도를 가질 수 있다. 이러한 도핑 영역은 우물(well)로 알려져 있고, 다양한 디바이스 영역을 정의하는 데 사용될 수 있다.
기판(7) 상에 층간 절연막(6)이 형성된다. 층간 절연막(6)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 이루어질 수 있으며, 산화막 또는 질화막의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수도 있다.
기판(7)의 층간 절연막(6) 상에는 채널 영역(5)을 사이에 두고 소스(3)와 드레인(4)이 서로 이격되어 형성되어 있다. 소스 영역(3)은 n형 도펀트 종으로 도핑된 반도체 물질을 포함할 수 있고, 드레인 영역(4)은 p형 도펀트 종으로 도핑된 반도체 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(7)의 소스(3)와 드레인(4) 사이의 영역, 즉 채널 영역(5) 상에 게이트 절연막(2)이 형성되고, 게이트 절연막(2) 상에 게이트(1)가 형성된다. 게이트 절연막(2)은 기판(7)에서 소스(3)와 드레인(4)이 형성된 영역의 사이에 위치하는 영역의 상부에 형성된다. 게이트 절연막(2)은 게이트(1)와 기판(7) 사이의 산화실리콘 및 고절연 물질(High-K), 그리고 전계 효과 트랜지스터에 사용될 수 있는 절연물질을 포함하는 영역을 의미한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서를 나타낸 단면도이다. 이하 전술한 내용과 중복되는 구조에 대한 중복 설명은 생략하도록 한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 피드백 FET 바이오센서는 게이트(1), 바이오 분자(8) 및 측벽(9)을 포함한다.
게이트(1)는 게이트 절연막(2) 상부의 일부분에 형성되어, 채널 영역(5) 일부분의 에너지 밴드를 전기적으로 제어할 수 있다.
바이오 분자(8)는 게이트(1)의 측면에 위치한다. 즉, 바이오 분자(8)는 게이트(1)와 중첩되지 않도록, 게이트 절연막(2) 상부의 다른 일부분에 형성된다. 바이오 분자(8)는 게이트(1)에 의해 제어되지 않는 다른 채널 영역(5)의 에너지 밴드에 전기적으로 영향을 미칠 수 있다. 바이오 분자(8)는 하드마스크에 의해 게이트(1)의 일부분이 식각된 후, 게이트(1)가 식각되어 노출된 게이트 절연막(2) 표면에 바이오 분자(8)를 결합시켜 형성할 수 있다.
바이오 분자(8)는 검출 대상 물질의 종류에 따라 적절히 선택 가능하다. 예를 들어, 바이오 분자(8)는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원 물질, 당구조물, 유/무기 화합물, 비타민, 드러그(drug) 및 효소 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 피드백 FET 바이오센서는 바이오 분자(8)가 결합되는 바이오 영역에 검출 대상 물질이 결합했는지 여부에 따라 바이오센서의 소자 특성이 달라지는 현상을 이용하여 센서로 기능한다. 구체적으로, 게이트 절연막(2) 아래 배치된 채널 영역(5)은 바이오 분자(8)에 의해 발생하는 전하량의 영향으로 에너지 밴드가 제어되는 부분과 게이트(1)에 의해 에너지 밴드가 제어되는 부분으로 나뉘게 되는데, 게이트(1)에 의한 게이트 전압에 의해 측정시 발생하는 전류의 양을 자유롭게 조절할 수 있다.
여기서, 채널 영역(5)의 일 부분을 게이트(1)가 전기적으로 제어하고, 나머지 부분을 바이오 분자(8) 전하량의 영향으로 인해 전기적으로 제어하면 피드백 현상이 발생하게 되고, 바이오 분자(8) 전하량에 따라 채널 영역(5)에 흐르는 전류가 급격하게 변하게 된다. 따라서, 기존의 MOSFET과 달리 바이오 분자(8) 전하량의 영향으로만 전류가 제어되면서 발생하는 미세한 전류레벨 문제를 해결할 수 있고, 게이트(1)의 전압을 조절하여 다양한 전류 범위에서 바이오 분자(8)를 검출하는 것이 가능하다.
이때, 바이오 분자(8)의 결합 부위를 증가시키더라도 전체 전류 크기 및 스위칭 특성의 열화가 크게 발생하지 않고, 게이트 절연막(2) 상에 바이오 분자(8) 결합될 수 있는 영역의 물리적 크기에 대한 제한이 없으므로, 다양한 크기를 갖는 바이오 분자(8)의 우수한 센싱 특성을 얻을 수 있다.
측벽(9)은 게이트(1)와 바이오 분자(8)를 전기적으로 절연시키기 위하여 위하여 게이트(1)와 바이오 분자(8) 사이에 형성된다. 측벽(9)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 이루어질 수 있으며, 산화막 또는 질화막의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수도 있다. 측벽(9)은 게이트(1)와 바이오 분자(8)의 전기적 분리를 위해 형성되고, 측벽(9)에 의해 채널 영역(5)의 각기 다른 부분을 게이트(1) 및 바이오 분자(8)에 의한 영향으로 전기적으로 제어하기에 용이하므로 피드백 현상에 의한 전류 제어 효과가 증가한다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서를 나타낸 단면도이다.
도 4는, 도3과 달리 하드마스크의 형성 위치를 다르게 하고, 게이트(1)가 부분 식각되는 위치를 다르게 하여, 게이트 절연막(2)의 서로 다른 표면 상에 바이오 분자를 결합시킨 것이다. 이는 유체 상태의 바이오 분자(8)가 용이하게 유입되어 고정될 수 있는 다양한 구조를 가지는 것으로 볼 수 있다.
구체적으로 도 3에서, 게이트(1)는 소스(3)-드레인(4) 방향에서 소스(3)측에 배치된다. 즉, 게이트(1)는 게이트 절연막(2) 상에서 소스(3)에 인접한 부근에 배치된다. 반면에 바이오 분자(8)는 소스(3)-드레인(4) 방향에서 드레인(4)측에 배치된다. 즉, 바이오 분자(8)는 게이트 절연막(2) 상에서 드레인(4)에 인접한 부근에 배치된다.
이와 달리 도 4에서, 게이트(1)는 소스(3)-드레인(4) 방향에서 드레인(4)측에 배치된다. 즉, 게이트(1)는 게이트 절연막(2) 상에서 드레인(4)에 인접한 부근에 배치된다. 반면에 바이오 분자(8)는 소스(3)-드레인(4) 방향에서 소스(3)측에 배치된다. 즉, 바이오 분자(8)는 게이트 절연막(2) 상에서 소스(3)에 인접한 부근에 배치된다.
이와 같이, 도 3 및 도 4에 따른 피드백 FET 트랜지스터 바이오 센서는 각각 다른 구조를 가지므로, 그에 따른 에너지 밴드 분포도가 달라질 수 있다. 따라서, 후술하는 바와 같이, 에너지 밴드 분포도가 변화함에 따른 전류 차이를 다양하게 생성할 수 있다는 장점이 있다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 동작 원리에 따른 에너지 밴드 분포도이다. 이는 도 3에 도시된 제 1 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 동작 원리를 나타내는 것이고, 도 4 및 도 5에 도시된 제 2 실시예 및 제 3 실시예에 따른 피드백 FET 바이오센서의 동작 원리는 당업자에게 자명하게 이해될 수 있을 것이다.
도 5a를 참조하면, 바이오 영역에 양전하를 갖는 바이오 분자가 붙는 경우 바이오 영역의 에너지 밴드가 하강하는 것을 볼 수 있다. 이는 바이오 분자에 의해 포텐셜 차지가 야기되고, 포텐셜 차지에 의해 에너지 밴드에 변화가 일어나기 때문이다.
도 5b를 참조하면, 드레인 영역에 양의 전압이 인가된 경우 소스 영역에 존재하는 전자가 쉽게 넘어갈 수 있다. 도 5a에서 양전하를 갖는 바이오 분자에 의해 에너지 밴드가 하강하게 되었으므로, 소스 영역에 존재하는 전자는 쉽게 드레인 영역으로 이동할 수 있고, 따라서 더 많은 양의 전자가 이동하게 된다.
도 5c를 참조하면, 소스 영역에서 넘어온 전자에 의해 게이트 영역의 에너지 밴드가 상승하는 것을 볼 수 있다.
도 5d를 참조하면, 드레인에 위치한 홀 기준에서 게이트 영역의 에너지 밴드가 낮아지게 되므로, 드레인에서 바이오 영역으로 홀이 쉽게 이동할 수 있게 된다. 즉, 소스 영역에서 넘어온 전자에 의해 게이트 영역의 에너지 밴드가 상승하게 되었으므로, 드레인 영역에 존재하는 홀은 쉽게 바이오 영역으로 이동할 수 있고, 따라서 더 많은 양의 홀이 이동하게 된다.
도 5e를 참조하면, 드레인 영역에서 넘어온 홀들이 다시 바이오 영역의 에너지 밴드를 더욱 낮추게 되어 다시 도 5a의 현상이 발생하게 되고, 도 5a 내지 도 5e의 동작이 피드백에 의해 지속적으로 반복되게 된다. 이와 같이, 피드백에 의해 지속적으로 에너지 밴드가 감소하게 되면 소스 영역에서 드레인 영역으로 흐르는 전류가 급격하게 증가하게 되므로, 작은 전하량을 갖는 바이오 분자를 이용하여 큰 전류 차이를 생성해 낼 수 있다는 장점이 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 피드백 FET 바이오센서는, MOSFET과 같은 기존의 트랜지스터에서 바이오 분자의 전하량이 작은 경우 발생하던 문제를 해결할 수 있다. 즉, 피드백 FET 바이오센서는 피드백에 의해 작은 전하량을 갖는 바이오 분자를 이용하여 큰 전류 차이를 생성해 낼 수 있으므로, 트랜지스터로 검출할 수 있는 바이오 분자의 크기에 마이크로 미터 범위까지 제한이 없고, 높은 전류 기울기를 가질 수 있다. 또한 게이트 전압을 조절하여 다양한 전류 범위에서 바이오 분자를 검출할 수 있다는 장점을 갖는다. 이를 통해 피드백 FET 바이오센서는 높은 센싱 특성을 얻을 수 있고, 큰 부피를 갖는 바이오 분자에 대해서도 제안된 피드백 FET 바이오센서를 적용할 수 있다.
또 다른 예에서, 피드백 EFT 바이오 센서를 형성하는 방법이 제공되는데, 이는 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상에 게이트를 형성하는 단계, 게이트 절연막의 상부 표면의 일부가 노출되도록 게이트의 일부를 식각하는 단계, 및 게이트 절연막의 노출된 상부 표면에 바이오 분자를 결합시키는 단계를 포함한다. 여기서 기판 상에 게이트 절연막을 형성하기 전에, 층간 절연막, 소스, 드레인을 순차적으로 형성한다. 게이트의 일부를 식각하는 단계에서는 마스크가 이용될 수 있고, 마스크를 형성한 후 리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 방법이 이용될 수 있다. 바이오 분자가 결합되는 단계에서 링커가 포함될 수 있다. 링커는 게이트 표면과 결합이 가능한 Self-Aligned-Monolayer(SAM)으로 구성되어 바이오 분자가 식각된 게이트 부분인 동시에 게이트 절연막 상부에 잘 결합하도록 연결시켜주는 역할을 한다.
또 다른 실시예에서, 게이트와 바이오 분자 사이에 게이트 및 바이오 분자를 전기적으로 절연하는 측벽을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 측벽은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 이루어질 수 있으며, 산화막 또는 질화막의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수도 있다. 측벽은 게이트와 바이오 분자를 전기적으로 절연할 수 있도록 다양한 구조로 형성될 수 있다.
이상에서 살펴본 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러나, 이와 같은 변형은 본 발명의 기술적 보호범위 내에 있다고 보아야 한다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.
1: 게이트 2: 게이트 절연막
3: 소스 4: 드레인
5: 채널 영역 6: 층간 절연막
7: 기판 8: 바이오 분자
9: 측벽

Claims (6)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인;
    상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상부의 일부분에 형성되어, 상기 채널 영역의 에너지 밴드를 전기적으로 제어하는 게이트;
    상기 게이트와 중첩되지 않는, 상기 게이트 절연막 상부의 다른 일부분에 형성되고, 상기 채널 영역의 에너지 밴드에 영향을 미치는 바이오 분자; 및
    상기 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 형성되어, 상기 게이트 및 바이오 분자를 전기적으로 절연하는 측벽을 포함하되,
    상기 채널 영역은 상기 바이오 분자에 영향을 받는 바이오 영역과 상기 게이트에 전기적으로 제어되는 게이트 영역으로 구분되며,
    상기 바이오 영역의 에너지 밴드와 상기 게이트 영역의 에너지 밴드는 서로 역전된 상태이며,
    양전하를 갖는 바이오 분자에 의해 상기 바이오 영역의 에너지 밴드는 하강되고, 소스 영역에서 게이트 영역으로 전자의 이동이 용이해지는 것을 특징으로 하는 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 게이트는 소스-드레인 방향에서 상기 소스측에 배치되고, 상기 바이오 분자는 소스-드레인 방향에서 상기 드레인 측에 배치되는, 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 게이트는 소스-드레인 방향에서 상기 드레인측에 배치되고, 상기 바이오 분자는 소스-드레인 방향에서 상기 소스 측에 배치되는, 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서.
  5. 채널 영역과 상기 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 채널 영역 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상에 게이트를 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막의 상부 표면의 일부가 노출되도록 상기 게이트의 일부를 식각하는 단계;
    상기 게이트 절연막의 노출된 상부 표면에 바이오 분자를 결합시키는 단계; 및
    상기 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 상기 게이트 및 바이오 분자를 전기적으로 절연하는 측벽을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 채널 영역은 상기 바이오 분자에 영향을 받는 바이오 영역과 상기 게이트에 전기적으로 제어되는 게이트 영역으로 구분되며,
    상기 바이오 영역의 에너지 밴드와 상기 게이트 영역의 에너지 밴드는 서로 역전된 상태이며,
    양전하를 갖는 바이오 분자에 의해 상기 바이오 영역의 에너지 밴드는 하강되고, 소스 영역에서 게이트 영역으로 전자의 이동이 용이해지는 것을 특징으로 하는, 피드백 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 제조 방법.
  6. 삭제
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