KR101056092B1 - Light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 별도의 방열판을 부착할 필요없이 방열이 가능한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.The present invention relates to a light emitting diode package, and a technical problem to be solved is to provide a light emitting diode package capable of heat dissipation without the need to attach a separate heat sink.

이를 위해 제 1 전극과 제 2 전극을 구비하며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극에 전력을 공급하는 경우에 발광하는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩의 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 리드부; 상기 제 1 리드부와 이격되어 형성되며, 상기 발광 다이오드 칩의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 제 2 리드부; 및 상기 제 1 리드부와 상기 제 2 리드부 사이의 간극을 채워 상기 제 1 리드부와 상기 제 2 리드부를 일체형으로 결합시키는 몰딩부; 를 포함하며, 상기 제 2 리드부의 하부에는 복수 개의 방열홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 개시한다.To this end, a light emitting diode chip having a first electrode and a second electrode, and emits light when power is supplied to the first electrode and the second electrode; A first lead part electrically connected to a first electrode of the light emitting diode chip; A second lead part spaced apart from the first lead part, electrically connected to a second electrode of the light emitting diode chip, and mounted on the light emitting diode chip; And a molding part which integrally couples the first lead part and the second lead part by filling a gap between the first lead part and the second lead part. It includes, and discloses a light emitting diode package, characterized in that a plurality of heat dissipation groove is formed in the lower portion of the second lead portion.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT-EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LIGHT-EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 다이오드 칩과 리드 및 몰딩부가 일체형으로 형성되는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package in which the light emitting diode chip, the lead and the molding part are integrally formed.

최근에 제조되는 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩과 리드 및 몰딩부에 의해 일체형으로 제조되는 발광 다이오드 패키지 형태로 제조되고 있다.Recently manufactured light emitting diodes have been manufactured in the form of light emitting diode packages that are integrally manufactured by light emitting diode chips, leads and moldings.

이러한 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩과 리드 및 몰딩부가 일체형으로 형성되어 내구성 및 수명이 매우 증가되어 매우 각광받고 있다.Such a light emitting diode package is in the spotlight because the light emitting diode chip, the lead and the molding part are integrally formed to increase durability and lifespan.

그런데, 상기한 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩과 리드 및 몰딩부에 의해 일체형으로 형성되므로, 발광 다이오드 칩에서 발생되는 열을 방열시키는 문제가 크게 대두되고 있다.However, since the LED package is integrally formed by the LED chip, the lead, and the molding part, a problem of dissipating heat generated from the LED chip is increasing.

이러한 방열 문제를 해결하기 위하여 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩과 리드 및, 몰딩부를 일체형으로 형성한 후에 리드에 별도의 방열판을 부착하여 방열을 시키고 있는 실정이다.In order to solve the heat dissipation problem, a light emitting diode package is heat dissipated by attaching a separate heat sink to the lead after forming the LED chip, the lead, and the molding unit integrally.

특히, 조명이나 가로등과 같은 경우에 적용되는 발광 다이오드 패키지는 발 광 다이오드 칩의 소비 전력이 1W이상 사용하게 되는데, 발광 다이오드 칩의 소비 전력이 1W이상인 고출력의 발광 다이오드 패키지는 방열판 없이 사용하는 경우에 내부 회로가 배선이 녹는 현상이 발생하게 되므로, 필수적으로 방열판을 사용하게 된다.In particular, a light emitting diode package applied to a lighting or a street lamp uses 1 W or more of power consumption of a light emitting diode chip, and a high power light emitting diode package having a power consumption of 1 W or more of a light emitting diode chip is used without a heat sink. Since the internal circuit melts the wiring, it is necessary to use a heat sink.

하지만, 발광 다이오드 패키지에 방열판을 부착하는 설계는 방열판을 추가함으로써 별도의 제조 비용을 증가시키게 되므로, 고출력 발광 다이오드 패키지를 이용하는 응용 제품도 제조 비용이 증가되어 가격 경쟁력을 악화시키는 문제를 발생하고 있다.However, a design for attaching a heat sink to a light emitting diode package increases a separate manufacturing cost by adding a heat sink, and thus, an application using a high output light emitting diode package also increases manufacturing cost, thereby deteriorating a price competitiveness.

본 발명의 기술적 과제는 별도의 방열판을 부착할 필요없이 방열이 가능한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a light emitting diode package capable of heat dissipation without attaching a separate heat sink.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비하며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극에 전력을 공급하는 경우에 발광하는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩의 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 리드부; 상기 제 1 리드부와 이격되어 형성되며, 상기 발광 다이오드 칩의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 제 2 리드부; 및 상기 제 1 리드부와 상기 제 2 리드부 사이의 간극을 채워 상기 제 1 리드부와 상기 제 2 리드부를 일체형으로 결합시키는 몰딩부; 를 포함하며, 상기 제 2 리드부의 하부에는 복수 개의 방열홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including a light emitting diode chip including a first electrode and a second electrode and emitting light when power is supplied to the first electrode and the second electrode; A first lead part electrically connected to a first electrode of the light emitting diode chip; A second lead part spaced apart from the first lead part, electrically connected to a second electrode of the light emitting diode chip, and mounted on the light emitting diode chip; And a molding part which integrally couples the first lead part and the second lead part by filling a gap between the first lead part and the second lead part. It includes, characterized in that a plurality of heat dissipation groove is formed in the lower portion of the second lead portion.

이 경우, 상기 제 1 리드부는 평판 형상의 제 1 리드 연결부 및, 상기 제 1 리드 연결부의 두께보다 얇은 두께로 상기 제 1 리드 연결부의 측부에서 연장되어 이어지며, 상기 발광 다이오드 칩의 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 리드 확장부를 포함하여 형성되고, 상기 제 2 리드부는 상기 제 1 리드 연결부와 대향하는 위치에 형성되는 제 2 리드 연결부와, 상기 제 2 리드 연결부의 두께보다 얇은 두께로 상기 제 2 리드 연결부의 측부에서 연장되어 이어지며 상기 발광 다이오드 칩의 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 리드 확장부 및, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되며 상기 제 1 리드 연결부를 수용하는 제 1 리드 수용 공간을 형성하고 상기 제 2 리드 연결부 및 상기 제 2 리드 확장부가 형성되는 제 2 리드 수용 공간을 형성하며 하부면에 상기 복수 개의 방열홈이 형성되는 제 2 리드 평판부를 포함하여 형성될 수 있다.In this case, the first lead portion extends from the side of the first lead connection portion to a thickness smaller than the thickness of the first lead connecting portion and the first lead connecting portion, and the first electrode of the LED chip. And a second lead connecting portion formed at a position opposite to the first lead connecting portion, and having a thickness thinner than a thickness of the second lead connecting portion. A second lead extension part extending from a side of a second lead connection part and electrically connected to a second electrode of the light emitting diode chip, and a first lead accommodation space in which the light emitting diode chip is mounted and accommodates the first lead connection part; A second lead receiving space in which the second lead connecting portion and the second lead extension portion are formed; The two heat releasing grooves may be formed to include a second lead plate that is formed.

또한, 상기 발광 다이오드 칩의 전력은 1W 내지 3W 사이로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the power of the LED chip is preferably formed between 1W to 3W.

이 경우, 상기 복수 개의 방열홈은 하부면 면적의 합들이 상기 제 2 리드부의 하부 면적에 40% 내지 70% 사이로 형성되고, 상기 방열홈의 깊이는 상기 제 2 리드부의 두께의 40% 내지 60%로 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the plurality of heat dissipation grooves may have a sum of the bottom surface areas of 40% to 70% of the lower area of the second lead portion, and the depth of the heat dissipation grooves may be 40% to 60% of the thickness of the second lead portion. It is preferable to form.

본 발명은 리드부에 방열홈을 형성하여 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 방출시킴으로써 별도의 방열판을 부착하지 않고도 방열을 할 수 있으므로, 방열판을 사용하지 않아 발광 다이오드 패키지를 이용하는 응용 제품의 생산 단가를 절감시키는 효과가 있다.According to the present invention, since the heat dissipation groove is formed in the lead portion to emit heat generated from the light emitting diode chip, the heat dissipation can be performed without attaching a separate heat sink, thereby reducing the production cost of the application product using the light emitting diode package. There is a saving effect.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 평면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 A-A 선을 절개하여 본 단면도이다. 도 4는 도 2에 도시된 발광 다이오드 패키지의 배면도이다. 도 5는 도 4에 도시된 발광 다이오드 패키지의 사선에서 바라본 사시도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the light emitting diode package shown in FIG. 1. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A shown in FIG. 4 is a rear view of the light emitting diode package shown in FIG. 2. FIG. 5 is a perspective view as viewed from an oblique line of the light emitting diode package shown in FIG. 4.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩(10), 제 1 리드부(20), 제 2 리드부(30) 및, 몰딩부(40)를 포함하여 형성된다.1 to 5, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting diode chip 10, a first lead portion 20, a second lead portion 30, and a molding portion 40. It is formed to include.

상기 발광 다이오드 칩(10)은 제 1 전극(11) 및 제 2 전극(12)을 구비하게 된다. 이 경우, 제 1 전극(11)은 발광 다이오드의 애노드로 형성되며, 제 2 전극(12)은 캐소드로 형성된다. 이러한 발광 다이오드 칩(10)은 제 1 전극(11) 및 제 2 전극(12)에 전력이 공급되는 경우에 발광하게 된다.The LED chip 10 includes a first electrode 11 and a second electrode 12. In this case, the first electrode 11 is formed of an anode of the light emitting diode, and the second electrode 12 is formed of a cathode. The light emitting diode chip 10 emits light when electric power is supplied to the first electrode 11 and the second electrode 12.

상기 제 1 리드부(20)는 제 1 리드 연결부(21) 및, 제 1 리드 확장부(22)를 포함하여 형성된다. 이러한 제 1 리드부(20)는 발광 다이오드 칩(10)의 제 1 전극(11)과 전기적으로 연결된다.The first lead part 20 is formed to include a first lead connection part 21 and a first lead extension part 22. The first lead part 20 is electrically connected to the first electrode 11 of the LED chip 10.

상기 제 1 리드 연결부(21)는 평판 형상으로 형성되며, 제 2 리드부(30)와는 이격되어 형성된다. 여기서, 제 1 리드 연결부(21)는 발광 다이오드 패키지가 일체형으로 형성되는 경우에 인쇄 회로 기판(미도시) 또는 전력 공급선(미도시)과 같은 장치에 실장되는 경우 솔더링 될 수 있는 공간을 제공하게 된다. 이 경우, 제 1 리드 연결부(21)는 인쇄 회로 기판 또는 전력 공급선과 같은 장치로부터 전력을 공급받아 발광 다이오드 칩(10)의 제 1 전극(11)으로 전력을 공급하는 역할을 한다.The first lead connecting portion 21 is formed in a flat plate shape and is spaced apart from the second lead portion 30. Here, the first lead connection portion 21 provides a space that can be soldered when mounted on a device such as a printed circuit board (not shown) or a power supply line (not shown) when the LED package is integrally formed. . In this case, the first lead connector 21 receives power from a device such as a printed circuit board or a power supply line to supply power to the first electrode 11 of the LED chip 10.

상기 제 1 리드 확장부(22)는 제 1 리드 연결부(21)의 두께보다 얇은 두께로 상기 제 1 리드 연결부(21)의 측부에서 연장되어 이어진다. 이 경우, 제 1 리드 확장부(22)는 제 2 리드부(30)와 이격되어 형성된다. 이러한 제 1 리드 확장부(22)는 발광 다이오드 칩(10)과 전기적으로 연결될 수 있는 공간을 마련하며, 발광 다이오드 칩(10)의 제 1 전극(11)과 본딩 와이어(1a)에 의해 전기적으로 연결된다.The first lead extension part 22 extends from the side of the first lead connection part 21 to a thickness thinner than the thickness of the first lead connection part 21. In this case, the first lead extension part 22 is formed to be spaced apart from the second lead part 30. The first lead extension part 22 provides a space that can be electrically connected to the LED chip 10, and is electrically connected to the first electrode 11 and the bonding wire 1a of the LED chip 10. Connected.

또한, 제 1 리드 확장부(22)는 제 1 리드 연결부(21)의 측부에서 제 1 리드 연결부(21)보다 얇은 두께로 연장되어 형성되어 몰딩부(40)의 일부가 채워질 수 있는 있는 공간을 마련함으로써, 몰딩부(40)와의 결합력을 향상시키는 역할을 하게 된다.In addition, the first lead extension part 22 is formed to extend to a thickness thinner than the first lead connection part 21 at the side of the first lead connection part 21 to provide a space in which a part of the molding part 40 can be filled. By providing, it serves to improve the bonding force with the molding portion (40).

상기 제 2 리드부(30)는 제 2 리드 연결부(31), 제 2 리드 확장부(32) 및, 제 2 리드 평판부(33)를 포함하여 형성된다. 이러한 제 2 리드부(30)는 제 1 리드부(20)와 이격되어 형성되며, 발광 다이오드 칩(10)의 제 2 전극(12)과 전기적으로 연결되고, 발광 다이오드 칩(10)이 실장된다.The second lead part 30 is formed to include a second lead connection part 31, a second lead extension part 32, and a second lead flat part 33. The second lead part 30 is formed to be spaced apart from the first lead part 20, is electrically connected to the second electrode 12 of the light emitting diode chip 10, and the light emitting diode chip 10 is mounted. .

상기 제 2 리드 연결부(31)는 대략 평판 형상으로 형성되며, 제 1 리드 연결부(21)와 대향하는 위치에 형성된다. 여기서, 제 2 리드 연결부(31)는 발광 다이오드 패키지가 일체형으로 형성되는 경우에 인쇄 회로 기판(미도시) 또는 전력 공급선(미도시)과 같은 장치에 실장되는 경우 솔더링 될 수 있는 공간을 제공하게 된다. 이 경우, 제 2 리드 연결부(31)는 인쇄 회로 기판 또는 전력 공급선과 같은 장치로 부터 전력을 공급받아 발광 다이오드 칩(10)의 제 2 전극(12)으로 전력을 공급하는 역할을 한다.The second lead connecting portion 31 is formed in a substantially flat plate shape and is formed at a position opposite to the first lead connecting portion 21. Here, when the LED package is integrally formed, the second lead connection part 31 provides a space that can be soldered when mounted in a device such as a printed circuit board (not shown) or a power supply line (not shown). . In this case, the second lead connector 31 receives power from a device such as a printed circuit board or a power supply line to supply power to the second electrode 12 of the LED chip 10.

상기 제 2 리드 확장부(32)는 제 2 리드 연결부(31)의 두께보다 얇은 두께로 제 2 리드 연결부(31)의 측부에서 연장되어 이어진다. 이러한 제 2 리드 확장부(32)는 제 2 리드 연결부(31)의 두께보다 얇은 두께로 제 2 리드 연결부(31)에서 연장되어 형성되어 몰딩부(40)의 일부가 채워질 수 있는 있는 공간을 마련함으로써, 몰딩부(40)와의 결합력을 향상시키는 역할을 하게 된다.The second lead extension part 32 extends from the side of the second lead connection part 31 to a thickness thinner than the thickness of the second lead connection part 31. The second lead extension part 32 is formed to extend from the second lead connection part 31 to a thickness thinner than the thickness of the second lead connection part 31 to provide a space in which a part of the molding part 40 may be filled. As a result, the bonding force with the molding part 40 is improved.

상기 제 2 리드 평판부(33)는 발광 다이오드 칩(10)이 실장된다. 또한, 제 2 리드 평판부(33)는 발광 다이오드 칩(10)의 제 2 전극(12)과 본딩 와이어(1b)에 의해 연결된다. 또한, 제 2 리드 평판부(33)는 제 1 리드 연결부(21)를 수용하는 제 1 리드 수용 공간(33a)을 형성한다. 또한, 제 2 리드 평판부(33)는 제 2 리드 연결부(31) 및 제 2 리드 확장부(32)가 형성되는 제 2 리드 수용 공간(33b)을 형성한다. 이 경우, 제 1 리드 수용 공간(33a) 및 제 2 리드 수용 공간(33b)은 발광 다이오드 패키지의 넓적한 각형 형상 내에 제 1 리드부(20) 및 제 2 리드부(30)가 모두 형성되어 집적도를 향상시키는 역할을 하게 되는데, 이러한 집적도의 향상은 발광 다이오드 칩에서 발생되는 열을 제 2 리드부(30)로 원할히 배출시킴과 동시에 몰딩부(40)를 용이하게 형성하기 위함이다. 여기서, 제 2 리드 확장부(32)는 제 2 리드 평판부(33)의 두께보다 얇은 두께로 제 2 리드 평판부(33)의 제 2 리드 수용 공간으로 돌출되어 형성되고, 제 2 리드 연결부(31)는 이러한 제 2 리드 평판부(33)와 연결된다.The light emitting diode chip 10 is mounted on the second lead plate 33. In addition, the second lead plate 33 is connected to the second electrode 12 of the LED chip 10 by the bonding wire 1b. In addition, the second lead flat plate 33 forms a first lead accommodating space 33a for accommodating the first lead connecting portion 21. In addition, the second lead flat part 33 forms a second lead accommodating space 33b in which the second lead connecting part 31 and the second lead expanding part 32 are formed. In this case, both the first lead portion 20 and the second lead portion 30 are formed in the wide rectangular shape of the LED package in the first lead accommodating space 33a and the second lead accommodating space 33b. The improvement of the degree of integration is to easily discharge the heat generated from the light emitting diode chip to the second lead part 30 and to easily form the molding part 40. Here, the second lead extension part 32 is formed to protrude into the second lead receiving space of the second lead plate part 33 to a thickness thinner than the thickness of the second lead plate part 33, and the second lead connection part ( 31 is connected to the second lead flat plate 33.

이 경우, 상기 제 2 리드부(30)의 제 2 리드 평판부(33)의 하부에는 복수 개의 방열홈(34)이 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 방열홈(34)은 제 2 리드 평판부(33)를 하프 에칭하여 형성하게 된다. 이러한 복수 개의 방열홈(34)은 제 2 리드 평판부(33)의 방열 면적을 넓게 형성하는 역할을 하게 되는데, 제 2 리드 평판부(33)에서는 발광 다이오드 칩(10)에서 발생하는 열을 전도 받아 방열 면적이 넓게 형성된 방열홈(34)과 제 2 리드 평판부(33)의 하부면으로 열을 배출하는 역할을 하게 된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제 2 리드 평판부(33)에 별도의 방열판을 부착하지 않고도 발광 다이오드 칩(10)에서 발생되는 열을 외부로 배출시킬 수 있게 된다.In this case, it is preferable that a plurality of heat dissipation grooves 34 are formed in the lower portion of the second lead plate portion 33 of the second lead portion 30. Here, the heat dissipation groove 34 is formed by half etching the second lead flat plate portion 33. The plurality of heat dissipation grooves 34 serve to form a wide heat dissipation area of the second lead flat plate 33. The second lead flat plate 33 conducts heat generated from the LED chip 10. In response, the heat dissipation groove 34 and the second lead flat plate portion 33 having a wide heat dissipation area serve to discharge heat. Accordingly, the LED package according to the embodiment of the present invention can discharge heat generated from the LED chip 10 to the outside without attaching a separate heat sink to the second lead flat plate 33.

여기서, 발광 다이오드 칩(10)은 소비 전력이 1W 내지 3W 사이로 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 발광 다이오드 칩(10)은 소비 전력이 1W보다 작게 형성되는 경우에 방열홈(34)을 형성할 수 있는 면적이 너무 작아짐으로써, 방열 효과가 미비할 수 있게 되며, 발광 다이오드 칩(10)은 소비 전력이 3W보다 크게 형성되는 경우에 별도의 방열판(미도시)을 사용하지 않고 제 2 리드 평판부(33)의 방열 면적만으로는 방열이 어려울 수 있게 된다.Here, the light emitting diode chip 10 preferably has a power consumption of 1W to 3W. In this case, when the power consumption of the light emitting diode chip 10 is smaller than 1W, the area for forming the heat dissipation groove 34 is too small, so that the heat dissipation effect may be insignificant, and the light emitting diode chip 10 In the case where the power consumption is greater than 3W, heat dissipation may be difficult using only the heat dissipation area of the second lead flat plate 33 without using a separate heat sink (not shown).

이 경우, 상기 복수 개의 방열홈(34)은 하부면 면적의 합들이 제 2 리드부(30)의 하부 면적에 40% 내지 70% 사이로 형성되고, 방열홈(34)의 깊이는 제 2 리드부(30)의 두께의 40% 내지 60%로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 복수 개의 방열홈(34)은 하부면 면적의 합들이 제 2 리드부(30)의 하부 면적에 40%보다 작게 형성되는 경우 방열 효과가 줄어들 수 있으며, 하부면 면적의 합들이 제 2 리드부(30)의 하부 면적에 70%보다 크게 형성되는 경우 제 2 리드부(30)의 구조가 취약해질 수 있다. 또한, 상기 복수 개의 방열홈(34)의 깊이는 제 2 리드부(30)의 두께보다 40% 보다 작게 형성되는 경우, 발광 다이오드 칩(10)으로 부터 열은 충분히 전도받지 못해 방열 효과가 미비해 질 수 있으며, 복수 개의 방열홈(34)의 깊이는 제 2 리드부(30)의 두께보다 60%보다 깊게 형성되는 경우에 제 2 리드 평판부(33)의 구조가 취약해 질 수 있게 된다.In this case, the plurality of heat dissipation grooves 34 have a sum of the bottom surface areas of 40% to 70% in the lower area of the second lead portion 30, and the depth of the heat dissipation grooves 34 is the second lead portion. It is preferable to form from 40% to 60% of the thickness of (30). Here, the plurality of heat dissipation grooves 34 may reduce the heat dissipation effect when the sum of the bottom surface areas is less than 40% in the bottom area of the second lead part 30, and the sum of the bottom surface areas is the second lead. If the lower area of the portion 30 is greater than 70%, the structure of the second lead portion 30 may become weak. In addition, when the depth of the plurality of heat dissipation grooves 34 is smaller than 40% of the thickness of the second lead portion 30, heat is not sufficiently conducted from the light emitting diode chip 10, and the heat dissipation effect is insufficient. When the depth of the plurality of heat dissipation grooves 34 is formed to be 60% deeper than the thickness of the second lead portion 30, the structure of the second lead flat portion 33 may become weak.

상기 몰딩부(40)는 간극부(41) 및, 돌출부(42)를 포함하여 형성된다.The molding part 40 is formed including the gap part 41 and the protrusion part 42.

상기 간극부(41)는 제 1 리드부(20)와 제 2 리드부(30) 사이의 간극을 채워 제 1 리드부(20)와 제 2 리드부(30)를 일체형으로 결합시키는 역할을 한다.The gap 41 serves to integrally couple the first lead part 20 and the second lead part 30 by filling a gap between the first lead part 20 and the second lead part 30. .

상기 돌출부(42)는 간극부(41)와 일체형으로 형성되며, 제 1 리드부(20)와 제 2 리드부(30)의 상부면까지 돌출되어 형성된다. 이 경우, 돌출부(42)에는 제 1 리드 확장부(22) 및 제 2 리드 평판부(33)의 상부면 일부가 노출될 수 있도록 중앙을 관통하는 원추 공간(42a)이 형성되며, 발광 다이오드 칩(10)은 원추 공간(42a)을 통해 제 2 리드 평판부(33)에 수용된다.The protrusion 42 is integrally formed with the gap 41 and protrudes to the upper surfaces of the first lead part 20 and the second lead part 30. In this case, a conical space 42a penetrating the center is formed in the protrusion 42 so that a part of the upper surface of the first lead extension 22 and the second lead flat plate 33 can be exposed, and the LED chip 10 is accommodated in the second lead flat portion 33 through the conical space 42a.

상기한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩(10)에서 발생되는 열이 방열 면적이 증대된 제 2 리드부(30)의 방열홈(34)을 통해 배출되므로, 별도의 방열판이 구비될 필요가 없게 된다.As described above, in the LED package according to the embodiment of the present invention, the heat generated from the LED chip 10 is discharged through the heat dissipation groove 34 of the second lead part 30 having the increased heat dissipation area. There is no need to provide a separate heat sink.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도. 1 is a perspective view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 평면도. 2 is a plan view of the LED package shown in FIG.

도 3은 도 2에 도시된 A-A선을 절개하여 본 단면도. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A shown in FIG.

도 4는 도 2에 도시된 발광 다이오드 패키지의 배면도. 4 is a rear view of the light emitting diode package shown in FIG. 2.

도 5는 도 4에 도시된 발광 다이오드 패키지의 사선에서 바라본 사시도.5 is a perspective view as viewed from an oblique line of the light emitting diode package shown in FIG. 4.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 ; 발광 다이오드 칩 20 ; 제 1 리드부10; Light emitting diode chip 20; 1st lead part

30 ; 제 2 리드부 34 ; 방열홈30; Second lead portion 34; Heat dissipation groove

40 ; 몰딩부40; Molding part

Claims (4)

제 1 전극과 제 2 전극을 구비하며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극에 전력을 공급하는 경우에 발광하는 발광 다이오드 칩;A light emitting diode chip having a first electrode and a second electrode and emitting light when electric power is supplied to the first electrode and the second electrode; 상기 발광 다이오드 칩의 제 1 전극과 전기적으로 연결되고, 평판 형상의 제 1 리드 연결부 및, 상기 제 1 리드 연결부의 두께보다 얇은 두께로 상기 제 1 리드 연결부의 측부에서 연장되어 이어지며, 상기 발광 다이오드 칩의 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 리드 확장부를 포함하여 형성되는 제 1 리드부;The light emitting diode is electrically connected to the first electrode of the light emitting diode chip, extends from the side of the first lead connecting portion to a thickness thinner than a thickness of the first lead connecting portion and the first lead connecting portion, and the light emitting diode A first lead part including a first lead extension part electrically connected to the first electrode of the chip; 상기 제 1 리드부와 이격되어 형성되며, 상기 발광 다이오드 칩의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되고, 상기 제 1 리드 연결부와 대향하는 위치에 형성되는 제 2 리드 연결부와, 상기 제 2 리드 연결부의 두께보다 얇은 두께로 상기 제 2 리드 연결부의 측부에서 연장되어 이어지며 상기 발광 다이오드 칩의 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 리드 확장부 및, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되며 상기 제 1 리드 연결부를 수용하는 제 1 리드 수용 공간을 형성하고 상기 제 2 리드 연결부 및 상기 제 2 리드 확장부가 형성되는 제 2 리드 수용 공간을 형성하며 하부면에 복수 개의 방열홈이 형성되는 제 2 리드부; 및A second lead connection part spaced apart from the first lead part, electrically connected to a second electrode of the light emitting diode chip, mounted on the light emitting diode chip, and formed at a position opposite to the first lead connection part; A second lead extension part extending from a side of the second lead connection part to a thickness thinner than the thickness of the second lead connection part and electrically connected to a second electrode of the light emitting diode chip; and the light emitting diode chip is mounted. And a first lead accommodating space accommodating the first lead connecting part, a second lead accommodating space in which the second lead connecting part and the second lead extension part are formed, and a plurality of heat dissipation grooves are formed on a lower surface thereof. 2 lead parts; And 상기 제 1 리드부와 상기 제 2 리드부 사이의 간극을 채워 상기 제 1 리드부와 상기 제 2 리드부를 일체형으로 결합시키는 몰딩부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.A molding part which integrally couples the first lead part and the second lead part by filling a gap between the first lead part and the second lead part; Light emitting diode package comprising a. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광 다이오드 칩의 전력은 1W 내지 3W 사이로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The power of the light emitting diode chip is a light emitting diode package, characterized in that formed between 1W to 3W. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수 개의 방열홈은 하부면 면적의 합들이 상기 제 2 리드부의 하부 면적에 40% 내지 70% 사이로 형성되고,The plurality of heat dissipation grooves are formed in the sum of the lower surface area is between 40% to 70% in the lower area of the second lead portion, 상기 방열홈의 깊이는 상기 제 2 리드부의 두께의 40% 내지 60%로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The depth of the heat dissipation groove is a light emitting diode package, characterized in that formed in 40% to 60% of the thickness of the second lead portion.
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