KR101055659B1 - 용융 실리카 제조방법 - Google Patents

용융 실리카 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 용융 실리카 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 봉지재(EMC)용 충전제, 폴리실리콘 제조용 벨저, 실리콘 단결정, 다결정 제조에 있어서 도가니, 귀금속 가공용 도가니, 로심관, 웨이퍼 열처리부재, 세정부재, 광학부재, 드라이에칭 장치의 마이크로파 투과부재, 정보통신용 광섬유, 열기구 재료, 내화재료, 이화학 기구재료, 조명용 튜브, 적외선 Heater의 열선 보호관 등 기타 반도체 프로세스 및 파인세라믹 상에서 사용되는 용융 실리카 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 용융 실리카 제조방법은 천연 조립 실리카를 800~1000℃로 프리히팅(preheating)하는 단계와; 상기 프리히팅된 상기 실리카를 2단 호퍼에 주입하는 단계와; 상기 2단 호퍼에 의해 진공이 유지되는 단계와; 상기 2단 호퍼에 주입된 상기 실리카가 정량공급기에 공급되는 단계와; 상기 정량공급기에 의해 정량의 상기 실리카가 도가니에 수용되는 단계와; 상기 도가니에 수용된 상기 실리카를 3단 히터로 가열하는 단계와; 상기 3단 히터에 의해 용융된 용융 실리카를 유입부가 유입하는 단계와; 상기 유입부에 의해 유입된 용융 실리카를 토출부 및 토출부재에 의해 도가니 외부로 토출하는 단계 및; 상기 토출부 및 토출부재에 의해 토출된 용융 실리카를 분쇄기에 의해 분쇄하는 단계로 구성되며; 상기 3단 히터는 상단 히터와, 중단 히터 및, 하단 히터로 구성되며, 상기 상단 히터는 1500℃ 이하로 가열되게 제어되며, 상기 중단 히터는 1500~2000℃로 가열되게 제어되며, 상기 하단 히터는 2000~2500℃로 가열되게 제어되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 용융 실리카 제조방법에 의해 생산된 용융 실리카 로드 또는 튜브는 공기 거품이 없으며, 고순도이고 균일한 두께 및 형태를 가지며, 종래의 용융 실리카 제조방법에 비해, 자동으로 연속적으로 생산되어 기존의 방법보다 생산량을 향상시킬 수 있고, 수작업에 의한 오염이 발생하지 않아 제품 수율과 순도를 향상시킬 수 있다.
용융 실리카, 호퍼, 도가니, 토출부, 히터, 유입부

Description

용융 실리카 제조방법{MANUFACTURING METHOD FOR FUSED SILICA}
본 발명은 용융 실리카 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 봉지재(EMC)용 충전제, 폴리실리콘 제조용 벨저, 실리콘 단결정, 다결정 제조에 있어서 도가니, 귀금속 가공용 도가니, 로심관, 웨이퍼 열처리부재, 세정부재, 광학부재, 드라이에칭 장치의 마이크로파 투과부재, 정보통신용 광섬유, 열기구 재료, 내화재료, 이화학 기구재료, 조명용 튜브, 적외선 Heater의 열선 보호관 등 기타 반도체 프로세스 및 파인세라믹 상에서 사용되는 용융 실리카 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광학 섬유의 생산 또는 반도체 산업에 사용되는 용융 실리카는 아주 엄격한 순도를 요구하며, 이를 위해서는 열처리 공정을 거쳐야 한다.
종래에는 도 1에 도시된 바와 같이, 탄소봉(11)이 장착된 도가니(10) 내에 천연 조립 이산화 규소(12, 이하 "천연 조립 실리카"라 칭함)를 수용시키고 탄소봉(11)에 0Ｖ∼50Ｖ의 전압과 0A ∼4,200A의 전류를 인가하며, 도가니(10)에 수용된 상기 조립 실리카(12)를 대략 1800℃로 가열하여 한 번 구워내고(batch 방식), 구워낸 덩어리 형태의 실리카(12')를 수작업으로 보다 작은 형태로 부수어 사용해 왔다
이러한 방식은 인력이 많이 소모되고, 생산성도 저하되며, 수작업에 의한 분쇄 중에 용융된 용융실리카의 오염이 발생하는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 고순도의 용융 실리카의 로드 또는 튜브의 연속 생산방법을 제공함에 있다.
본 발명은 상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 용융 실리카 제조방법은 천연 조립 실리카를 800~1000℃로 프리히팅(preheating)하는 단계와; 상기 프리히팅된 상기 실리카를 2단 호퍼에 주입하는 단계와; 상기 2단 호퍼에 의해 진공이 유지되는 단계와; 상기 2단 호퍼에 주입된 상기 실리카가 정량공급기에 공급되는 단계와; 상기 정량공급기에 의해 정량의 상기 실리카가 도가니에 수용되는 단계와; 상기 도가니에 수용된 상기 실리카를 3단 히터로 가열하는 단계와; 상기 3단 히터에 의해 용융된 용융 실리카를 유입부가 유입하는 단계와; 상기 유입부에 의해 유입된 용융 실리카를 토출부 및 토출부재에 의해 도가니 외부로 토출하는 단계 및; 상기 토출부 및 토출부재에 의해 토출된 용융 실리카를 분쇄기에 의해 분쇄하는 단계로 구성되며; 상기 3단 히터는 상단 히터와, 중단 히터 및, 하단 히터로 구성되며, 상기 상단 히터는 1500℃ 이하로 가열되게 제어되며, 상기 중단 히터는 1500~2000℃로 가열되게 제어되며, 상기 하단 히터는 2000~2500℃로 가열되게 제어되는 것을 특징으로 한다.
상기 천연 조립 실리카는 입도 0.1~10㎜이며, 순도 99.8% 이상의 SiO2로 구성되는 것을 특징으로 한다.
삭제
상기 3단 히터의 온도조절에 의해 토출량이 제어되는 것을 특징으로 한다.
상기 유입부는 용융된 용융 실리카를 유입하기 위한 유입구가 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 토출부는 상기 유입부에 유입된 용융 실리카를 토출하기 위해 상기 유입부와 맞물리도록 착탈가능하게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 토출부에는 도가니 외부로 상기 용융 실리카를 토출하기 위한 봉 또는 관 형태의 토출부재가 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 분쇄기는 탈부착이 가능한 롤 크러셔(roll crusher)인 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 용융 실리카 제조방법에 의해 생산된 용융 실리카 로드 또는 튜브는 공기 거품이 없으며, 고순도이고 균일한 두께 및 형태를 가 지며, 종래의 용융 실리카 제조방법에 비해, 자동으로 연속적으로 생산되어 기존의 방법보다 생산량을 향상시킬 수 있고, 수작업에 의한 오염이 발생하지 않아 제품 수율과 순도를 향상시킬 수 있고, 미분쇄를 용이하게 할 수 있다는 이점이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 용융 실리카 제조방법을 보다 상세히 기술하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략될 것이다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 클라이언트나 운용자, 사용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도면 전체에 걸쳐 같은 참조번호는 같은 구성 요소를 가리킨다.
도 2는 본 발명에 따른 용융 실리카 제조장치의 구조도이다.
도 2를 참조하면, 대량의 천연 조립 실리카를 주입하기 위한 1차 및 2차 호퍼로 구성된 2단 호퍼(21)와; 상기 2단 호퍼(21)에 연결되어 상기 2단 호퍼(21)에 주입된 상기 실리카중 적정량을 공급받는 정량 공급기(22)와; 상기 정량 공급기(22)에 의해 주입된 정량의 상기 실리카를 수용하기 위한 도가니(20)와; 상기 도가니(20)에 수용된 실리카를 가열하기 위해 도가니(20) 외부에 장착된 3단 히터(23)와; 상기 3단 히터(23)에 의해 용융된 용융 실리카를 유입하기 위한 유입 부(24)와; 상기 유입부(24)에 의해 유입된 용융 실리카를 토출하기 위한 토출부(25)와 토출부재(26) 및; 상기 토출부재(26)의 하부에 설치된 분쇄기(도시되지 않음)가 도시되었다.
상기 2단 호퍼(21)는 외부 공기 유입을 방지하기 위해 2단으로 제작되었으며, 1차 호퍼는 천연 조립 실리카를 공급받고 도어를 닫아 진공처리한 후 이를 2차 호퍼로 공급하고, 2차 호퍼는 1차 호퍼로부터 진공처리된 상기 실리카를 공급받아 이를 정량 공급기(22)에 지속적으로 공급한다. 상기 2단 호퍼(21)에는 입도 0.1~10㎜이며, 순도 99.8% 이상의 SiO2로 구성된 상기 실리카가 주입되어 도가니(20) 내에 수용된다. 상기 실리카는 2단 호퍼(21)에 주입되기 되기 전이나 또는 상기 2단 호퍼에 주입된 후에 상기 실리카 내에 함유된 수분을 제거하기 위해 800~1000℃로 프리히팅된다.
이 후, 도가니(20) 외부에 장착된 3단 히터(23)에 의해 상기 프리히팅된 실리카가 가열되는데, 상기 3단 히터(23)는 상단 히터(23-1)와, 중단 히터(23-2) 및, 하단 히터(23-3)로 구성되며, 제어기(도시되지 않음)에 의해 상단 히터(23-1)는 1500℃ 이하로 유지되며, 중단 히터(23-2)는 1500~2000℃로 유지되고, 하단 히터(23-3)는 2000~2500℃로 유지된다. 여기서, 상기 3단 히터(23)는 도가니(20)를 감싸는 단열재(27)에 설치된다. 상기 3단 히터(23)에 의해 상기 도가니(20)는 3개의 구역으로 나누어 가열된다. 따라서, 상기 3단 히터(23)에 의해 도가니(20) 내에 주입되어진 상기 실리카도 이에 상응하는 온도로 가열되며, 그 결과 상기 실리카는 고상 및 일부분 소결 상태(상단 히터 가열 부분)와, 겔 및 젤 상태(중간 히터 가열 부분) 및, 용융 상태(하단 히터 가열 부분)로 변환된다. 이 때, 용융 상태로 변환된 부분이 유입부(24)에 형성된 다수의 유입공에 의해 유입된다
그 후, 상기 유입부(24)에 유입된 용융 실리카가 토출구(도시되지 않음) 및 토출부(25)에 의해 도가니(20) 외부로 토출된다.
이 후, 상기 토출부(25)에 연결되며, 냉각기(도시되지 않음)가 장착된 관 또는 봉 형상의 토출부재(26)를 통해 토출되는데, 상기 토출부재(26)에 따라 로드 또는 튜브 형상의 용융 실리카가 토출된다.
상기 토출된 용융 실리카는 상기 토출부재(26) 아래쪽에 장착된 분쇄기(롤 크러셔; 도시되지 않음)에 의해 분쇄된다. 이 분쇄된 고순도의 용융 실리카가는 반도체 봉지재(EMC)용 충전제, 폴리실리콘 제조용 벨저, 실리콘 단결정, 다결정 제조에 있어서 도가니, 귀금속 가공용 도가니, 로심관, 웨이퍼 열처리부재, 세정부재, 광학부재, 드라이에칭 장치의 마이크로파 투과부재, 정보통신용 광섬유, 열기구 재료, 내화재료, 이화학 기구재료, 조명용 튜브, 적외선 Heater의 열선 보호관등 기타 반도체 프로세스 및 파인세라믹 상에서 사용된다.
여기서, 도가니(20)는 내열성이 강한 텅스텐, 그라파이트(Graphite) 또는 몰리브덴으로 형성되며, 상기 유입부(24)도 내열성이 강한 텅스텐, 그라파이트 또는 몰리브덴으로 형성되는데, 상기 도가니(20) 내부는 진공상태를 유지시킨 후, 질소를 주입하여 치환한다.
또한, 상기 도가니(20), 3단 히터(23), 유입부(24), 토출부(25), 토출부재(26)의 일부 및 단열재(27)는 하우징(28)에 의해 감싸여 진다,
또한, 상기 제어기(도시되지 않음)에 의해 상기 하단 히터(23-1)의 온도(2000~2500℃)를 조절하여 상기 토출부(25) 및 토출부재(26)에서 토출되는 토출량을 조절한다.
또한, 상기 도가니(20)와 상기 토출부(25) 및 토출부재(26)는 상호 분리 및조립 가능하다.
또한, 상기 단열재(27)와 하우징(28) 간의 공간에는 물 흐름 스위치(도시되지 않음), 밸브(도시되지 않음), 피팅(도시되지 않음) 및 호스(도시되지 않음) 등으로 구성된 냉각수 순환라인이 형성되어, 상기 단열재(27)를 통과해 하우징(28) 외부로 전달되는 열을 차단하여, 작업자의 안전에 악영향을 미치지 않게 한다.
도 3은 도 2의 요부 확대도로, 도 2의 A부분 즉, 유입부(24)와, 토출부(25) 및 토출부재(26)가 확대 도시되었다.
도 3을 참조하면, 3단 히터에 의해 도가니(20) 내에 주입된 상기 조립 실리카의 상태 변화가 도시되었다. 즉, 상단 히터(23-1)에 의해 1500℃ 이하로 가열된 부분은 고상 및 일부분 소결 상태를 유지하며, 중단 히터(23-2)에 의해 1500~2000℃로 가열된 부분은 겔 및 젤 상태를 유지하며, 하단 히터(23-3)에 의해 2000~2500℃로 가열된 부분은 용융 상태를 유지한다. 따라서 용융 상태의 실리카가 유입구(24)에 형성된 다수의 유입공을 통해 유입되어, 토출구(도시되지 않음)를 통해 삽입된 토출부(25)와 상기 토출부에 삽입된 토출부재(26)에 의해 로드 또는 튜브 형태로 토출된다.
도 4는 도 3의 결합 단면도로, 유입부(24)와, 토출부(25) 및 토출부재(26)의 결합관계가 도시되었다.
도 4를 참조하면, 상기 토출구 위에 놓여지며, 암나사부가 형성된 유입부(24)에 수나사부가 형성된 토출부(25)가 토출구를 통해 삽입되어 체결되며, 이 토출부(25)에 토출부재(26)가 삽입되어 진다.
따라서, 유입부(24)는 토출구에 삽입되어진 형태가 아니라 단지 토출구 위에 놓여진 것이기에, 상기 유입부(24)는 상기 토출부(25)와의 분리에 의해 자유자재로 분리될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 용융 실리카 제조방법의 각 단계를 나타낸 도시도이다.
도 5를 참조하면, 고순도의 용융 실리카를 얻기 위해, 입도 0.1~10㎜이며, 순도 99.8% 이상의 SiO2로 구성된 천연 조립 실리카에 함유된 수분을 제거하기 위해 800~1000℃로 프리히팅하는 단계(S510)와; 상기 프리히팅되어 수분이 제거된 상기 실리카를 2단 호퍼에 주입하는 단계(S520)와; 상기 2단 호퍼에 의해 진공이 유지되는 단계(S530)와; 상기 2단 호퍼에 주입된 상기 실리카가 정량공급기에 공급되는 단계(S540)와; 상기 정량공급기에 의해 정량의 상기 실리카가 도가니에 수용되는 단계(S550)와; 상기 도가니에 수용된 상기 실리카를 3단 히터로 가열하는 단계(S560)와; 상기 3단 히터에 의해 용융된 용융 실리카를 유입부가 유입하는 단계(S570)와; 상기 유입부에 의해 유입된 용융 실리카를 토출부 및 토출부재에 의해 도가니 외부로 토출하는 단계(S580) 및; 상기 토출부 및 토출부재에 의해 토출된 용융 실리카를 분쇄기에 의해 분쇄하는 단계(S590)가 도시되었다.
전술한 방식으로 토출된 용융 실리카는 고순도이고 균일한 두께 및 형태를 가지며, 종래의 용융 실리카 제조방법에 비해, 자동으로 연속적으로 생산되어 기존의 방법보다 생산량을 향상시킬 수 있고, 수작업에 의한 오염이 발생하지 않아 제품 수율과 순도를 향상시킬 수 있고, 미분쇄를 용이하게 할 수 있다
이상과 같이 본 발명은 양호한 실시 예에 근거하여 설명하였지만, 이러한 실시 예는 본 발명을 제한하려는 것이 아니라 예시하려는 것이므로, 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자라면 본 발명의 기술사상을 벗어남이 없이 위 실시 예에 대한 다양한 변화나 변경 또는 조절이 가능할 것이다. 그러므로, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 한정될 것이며, 변화 예나 변경 예 또는 조절 예를 모두 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 종래의 용융 실리카 제조장치 및 제조방법에 대한 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 용융 실리카 제조장치 도시도.
도 3은 도 2의 요부 확대도.
도 4는 도 3의 결합 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 용융 실리카 제조방법의 각 단계를 나타낸 도시도.
* 도면 주요부분에 대한 부호의 설명 *
20: 도가니 21: 2단 호퍼
22: 정량 공급기 23: 3단 히터
24: 유입부 25: 토출부
26: 토출부재 27: 단열재
28: 하우징

Claims (8)

  1. 천연 조립 실리카를 800~1000℃로 프리히팅(preheating)하는 단계와;
    상기 프리히팅된 상기 실리카를 2단 호퍼에 주입하는 단계와;
    상기 2단 호퍼에 의해 진공이 유지되는 단계와;
    상기 2단 호퍼에 주입된 상기 실리카가 정량공급기에 공급되는 단계와;
    상기 정량공급기에 의해 정량의 상기 실리카가 도가니에 수용되는 단계와;
    상기 도가니에 수용된 상기 실리카를 3단 히터로 가열하는 단계와;
    상기 3단 히터에 의해 용융된 용융 실리카를 유입부가 유입하는 단계와;
    상기 유입부에 의해 유입된 용융 실리카를 토출부 및 토출부재에 의해 도가니 외부로 토출하는 단계 및;
    상기 토출부 및 토출부재에 의해 토출된 용융 실리카를 분쇄기에 의해 분쇄하는 단계로 구성되며;
    상기 3단 히터는 상단 히터와, 중단 히터 및, 하단 히터로 구성되며, 상기 상단 히터는 1500℃ 이하로 가열되게 제어되며, 상기 중단 히터는 1500~2000℃로 가열되게 제어되며, 상기 하단 히터는 2000~2500℃로 가열되게 제어되는 것을 특징으로 하는 용융 실리카 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 천연 조립 실리카는 입도 0.1~10㎜이며, 순도 99.8% 이상의 SiO2로 구성되는 것을 특징으로 하는 용융 실리카 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 3단 히터의 온도조절에 의해 토출량이 제어되는 것을 특징으로 하는 용융 실리카 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유입부는 용융된 용융 실리카를 유입하기 위한 유입구가 형성된 것을 특징으로 하는 용융 실리카 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 토출부는 상기 유입부에 유입된 용융 실리카를 토출하기 위해 상기 유입부와 맞물리도록 착탈가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 용융 실리카 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 토출부에는 도가니 외부로 용융 실리카를 토출하기 위한 봉 또는 관이 연결되는 것을 특징으로 하는 용융 실리카 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 분쇄기는 탈부착이 가능한 롤 크러셔(roll crusher)인 것을 특징으로 하는 용융 실리카 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR960015909B1 (ko) * 1988-05-10 1996-11-23 헤라오이스 콰르쯔쉬멜쩨 게젤샤후트 밋트 베슈렝크테르 하후트웅 유리 용융 실리카와 튜브 또는 로드의 연속 생산 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960015909B1 (ko) * 1988-05-10 1996-11-23 헤라오이스 콰르쯔쉬멜쩨 게젤샤후트 밋트 베슈렝크테르 하후트웅 유리 용융 실리카와 튜브 또는 로드의 연속 생산 방법

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