KR101055383B1 - 광소자 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에서는 광소자의 방열을 용이하게 수행하고, 다수개로 구비되어 백라이트 유닛을 형성하는 경우 그 중 일부의 교체가 용이한 광소자 디바이스가 개시된다.
일 예로, 일면으로부터 내부를 향해 체결홈이 형성된 기판; 상기 홈이 형성된 면을 제외한 상기 기판의 표면 중에서 적어도 일면에 형성된 절연층; 상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 전극층; 상기 기판의 상부에 형성되고, 상기 전극층과 전기적으로 연결된 광소자; 및 상기 광소자와 도전성 와이어를 감싸도록 상기 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함하는 광소자 디바이스가 개시된다.
일 예로, 일면으로부터 내부를 향해 체결홈이 형성된 기판; 상기 홈이 형성된 면을 제외한 상기 기판의 표면 중에서 적어도 일면에 형성된 절연층; 상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 전극층; 상기 기판의 상부에 형성되고, 상기 전극층과 전기적으로 연결된 광소자; 및 상기 광소자와 도전성 와이어를 감싸도록 상기 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함하는 광소자 디바이스가 개시된다.
Description
본 발명은 광소자 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
광소자는 전기적인 신호를 인가받아 빛을 생성하는 소자들을 의미한다. 이러한 광소자들은 다양한 분야에서 이용되고 있으며, 그 중에서도 디스플레이 분야가 점진적으로 성장함에 따라 광소자의 연구가 활발해지고 있다.
그리고 광소자 중에서도 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 기존의 광소자들에 비해 효율이 높고 높은 휘도의 빛을 생성할 수 있기 때문에 사용이 급증하고 있다.
이러한 발광 다이오드는 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는데, 결합시 필연적으로 빛 이외에 열도 함께 생성된다. 그리고 발광 다이오드의 열을 방열하지 않으면, 소자 파손의 위험이 있으며, 동작 효율이 떨어지게 된다. 따라서, 발광 다이오드의 방열을 용이하게 수행할 수 있는 디바이스의 구조가 요구된다.
한편, 발광 다이오드는 LCD의 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)으로 많이 사용되고 있다. 그리고 하나의 백라이트 유닛을 형성하기 위해 패키징된 다수개의 발광 다이오드 디바이스가 사용된다. 그런데 발광 다이오드 중 일부가 수명이 짧거나 불량, 손상 등의 이유로 동작하지 않는 경우, 문제가 있는 해당 발광 다이오드 디바이스만을 교체하기가 어려워 작업 효율이 떨어지는 문제가 있다. 이에 따라, 백라이트 유닛 전체를 교체하는 경우도 있는데, 이 경우 불필요한 소모가 발생하게 된다.
본 발명은 광소자의 방열을 용이하게 수행하고, 다수개로 구비되어 백라이트 유닛을 형성하는 경우 그 중 일부의 교체가 용이한 광소자 디바이스를 제공한다.
본 발명에 따른 광소자 디바이스는 일면으로부터 내부를 향해 체결홈이 형성된 기판; 상기 홈이 형성된 면을 제외한 상기 기판의 표면 중에서 적어도 일면에 형성된 절연층; 상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 전극층; 상기 기판의 상부에 형성되고, 상기 전극층과 전기적으로 연결된 광소자; 및 상기 광소자와 도전성 와이어를 감싸도록 상기 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기판의 체결홈은 백라이트 유닛의 바(bar)의 외주연 형상에 맞물리도록 대응되어 형성될 수 있다.
그리고 상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈이 형성된 반대측의 표면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈을 형성하는 측부의 표면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 체결홈을 형성하는 측부의 내면으로부터 돌출된 적어도 하나의 돌기가 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 광소자가 형성되는 하부에 형성된 면에 상기 광소자에 대응되는 수용홈이 더 형성될 수 있다.
또한, 상기 홈을 이루는 상기 기판의 측면이 상기 기판이 백라이트 유닛에 결합되는 방향과 이루는 각도는 15°이하일 수 있다.
또한, 상기 광소자는 상기 기판의 일면에 광소자 패키지의 형태로 결합될 수 있다.
또한, 상기 광소자 패키지는 두께를 관통하여 형성된 절연층 및 상기 절연층에 의해 이격되어 상호간에 전기적으로 독립한 복수의 영역을 갖고, 각 영역이 상기 전극층에 전기적으로 연결된 상부 기판; 상기 기판의 상부에 형성된 광소자; 상기 광소자와 기판의 적어도 일 영역을 전기적으로 연결하는 도전성 와이어; 및 상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 상기 패키지 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 광소자는 솔더를 통해 상기 기판에 결합될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 광소자가 형성된 면을 제외한 표면 중 적어도 하나에 다수개의 돌기로 이루어진 히트 싱크가 형성될 수 있다.
더불어, 본 발명에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법은 길이 방향을 갖는 기판 소재를 인발하는 기판 소재 인발 단계; 상기 기판 소재를 절단하여 일면으로부터 내부를 향해 형성된 체결홈을 갖는 복수개의 기판을 형성하는 기판 소재 가공 단계; 상기 기판의 적어도 일면에 애노다이징을 수행하여 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계; 상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 상기 기판의 적어도 일면에 광소자를 부착하는 광소자 부착 단계; 상기 전극층과 상기 광소자를 도전성 와이어를 통해 연결하는 전기적 연결 단계; 및 상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 길이 방향을 따라서 상기 홈이 연속적으로 형성된 형태로 인발되는 것일 수 있다.
그리고 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 홀을 갖는 형태로 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 가공 단계는 상기 기판 소재의 중심에서 상기 길이 방향을 따라 적어도 한번 절단하여 상기 기판을 형성하는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 다수의 홀을 갖는 형태로 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 다수의 홀의 사이마다 절단홀을 구비하도록 상기 기판 소재가 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 절단홀의 직경이 컷팅 휠의 직경보다 작도록 상기 기판 소재가 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 가공 단계는 상기 절단홀을 포함한 경로를 따라 상기 기판 소재를 절단하여 상기 기판을 형성하는 것일 수 있다.
본 발명에 의한 광소자 디바이스는 기판을 열전도성이 좋은 금속으로 구비하여, 광소자의 열이 외부로 용이하게 방열되도록 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 광소자 디바이스는 기판의 하부에 홈과 체결부를 구비하여, 백라이트 유닛의 바(bar)에 다수의 광소자 디바이스가 기판을 통해 결합될 수 있도록 함으로써, 교체가 필요한 광소자 디바이스만을 용이하게 교체할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 사시도이다.
도 1b는 도 1a의 A-A'선 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 12a 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1b는 도 1a의 A-A'선 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 12a 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 사시도이다. 도 1b는 도 1a의 A-A'선 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 기판(110), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(110)은 전체적으로 일 방향으로 형성된 판상을 기본으로 형성되며, 하부로 돌출된 체결부(111)를 포함하여 형성된다. 상기 기판(110)은 상기 광소자(150)를 지지하며, 외부의 프레임이나 구조물 등과 연결된다. 또한, 상기 기판(110)은 상기 광소자(150)의 열을 외부로 용이하게 전달하기 위해, 열전도도가 우수한 구리, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 질화 알루미늄 및 탄화 규소 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 단일한 하나의 기판(110)의 상부에는 적어도 하나 이상의 상기 절연층(120), 전극층(130), 격벽(140), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)이 각각 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 하부로부터 내부로 형성된 체결홈(110a), 상기 체결홈(110a)의 하부를 이루는 바닥면(110b)을 포함한다. 또한, 상기 광소자(150)등의 구성은 상기 바닥면(110b)의 대응되는 상부에 형성된다.
상기 기판(110)의 체결부(111)는 상기 기판(110)의 양 가장자리로부터 하부를 향해 돌출되어 상기 기판(110)을 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)의 바(bar)와 결합시킨다. 상기 기판(110)의 평면 형상은 대략 'ㄷ'자의 형상 즉, 한쪽 변이 개방된 사각형의 형상으로 이루어진다. 상기 체결부(111)는 상기 기판(110)의 바닥면(110b)으로부터 형성된 체결홈(110a)을 따라 형성된다. 따라서, 백라이트 유닛은 상기 체결부(111)의 사이에 형성된 체결홈(110a)에 삽입되고, 상기 체결부(111)에 의해 고정되어, 직하형 으로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)가 백라이트 유닛의 바에 결합되는 경우, 광소자 디바이스(100)가 백라이트 유닛의 바에 결합되도록 할 수 있다.
또한, 상기 체결부(111)는 상기 기판(110)의 표면적을 증가시켜서, 상기 기판(110)에 전달된 상기 광소자(150)의 열을 외부로 용이하게 방열할 수 있다.
한편, 별도로 도시하지는 않았지만, 상기 기판(110)의 표면적을 더 증가시키기 위해, 상기 체결부(111)의 외측으로 히트싱크(heat sink)가 더 형성될 수도 있다. 상기 히트 싱크의 구조는 상기 체결부(111)의 외측으로 돌출된 다수의 돌기 형태로 이루어져서, 상기 체결부(111)의 표면적을 보다 넓힐 수 있고, 이에 따라 상기 광소자(150)의 열을 보다 용이하게 방열할 수 있다.
상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 절연층(120)은 쌍을 이루어 형성되며, 상기 기판(110)의 상부에서 서로 이격되어 형성된다. 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상면을 애노다이징(anodizing)하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)이 산화되도록 하여 형성될 수 있다. 이 때, 상기 기판(110)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 경우, 상기 절연층(120)은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상부에 산화 알루미늄(Al2O3)이나 산화 이트륨(Y2O3)의 세라믹을 플라즈마 아크 스프레이법 등으로 용사하여 형성될 수도 있다. 또한, 상기 절연층(120)은 상기 애노다이징과 스프레이법을 혼합하여, 상기 기판(110)의 상면에 애노다이징을 수행한 이후, 그 상부에 다시 용사를 수행함으로써 형성되는 것도 가능하다. 또한, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상부에만 형성된 것으로 도시되어 있으나, 상기 기판(110)의 외주연을 감싸도록 형성될 수 있다. 물론, 상기 기판(110)의 체결부(111)에 전극이 연결된 경우, 상기 절연층(120)은 상기 체결부(111)의 내측을 제외한 나머지 부분에만 형성되는 것도 가능하다. 다만, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)이 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 경우, 아노다이징 처리를 하는 대신 IMS(Insulated Metal Substrate) 시트와 같은 절연성 시트를 상기 기판(110)의 상부에 부착함으로써 형성될 수 있다.
상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상부에 대응하여, 쌍을 이루어 형성된다. 상기 전극층(130)은 상기 광소자(150)의 신호를 입출력하며, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 형성될 수 있고, 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여, 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 또한, 상기 기판(110)이 구리 또는 구리 합금으로 구성되고 상기 절연층(120)이 절연성 시트로 구성된 경우, 상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상부에 구리 호일을 부착함으로써 형성될 수 있다.한, 상기 전극층(130)의 상부에는 선택적으로 추가 절연층(135)이 더 형성될 수도 있다. 상기 추가 절연층(135)은 상기 전극층(130)의 외곽을 일부 감싸면서 형성된다. 상기 추가 절연층(135)은 상기 전극층(130)이 외부로 노출되는 것을 방지하여 보호할 수 있다. 상기 추가 절연층(135)은 감광성 격벽 페이스트(PhotoSensitive barrib Rib paste, PSR) 또는 솔더 레지스트(Solder Resistor, SR)로 이루어질 수 있다.
상기 격벽(140)은 상기 절연층(120)의 상부에 형성될 수 있다. 상기 격벽(140)은 상기 절연층(120)의 상면으로부터 수직 방향으로 돌출되어 형성된다. 또한, 상기 격벽(140)은 쌍을 이루어 구비되어, 상기 전극층(130)의 가장자리에 각각 형성된다. 상기 격벽(140)은 상기 보호층(170)을 수용하기 위한 영역을 구획한다. 상기 격벽(140)은 빛 반사율이 좋은 에폭시 수지, 감광성 격벽 페이스트(PSR) 또는 그 혼합물로 형성될 수 있고, 경우에 따라서 실리콘으로 형성될 수도 있다.
상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 상부에 형성되며, 상기 절연층(120)의 사이에 대응하여 형성된다. 상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 상면에 페이스트(151)를 통해 부착될 수 있다. 또한, 상기 광소자(150)는 상기 페이스트(151) 대신 선택적으로 금, 은, 니켈 구리의 조합 중에서 선택된 어느 하나로 도금을 수행하고, 그 상부에 유택틱 본딩(eutactic bonding)을 수행함으로써, 상기 기판(110)의 상부에 부착되는 것도 가능하다. 그리고 상기 유택틱 본딩은 금이나 주석 등을 이용하여 이루어지기 때문에, 상기 광소자(150)의 열이 상기 기판(110)에 보다 용이하게 전달되도록 할 수 있다.
상기 광소자(150)는 발광하여, 상기 기판(110)의 상부로 빛을 내보낼 수 있다. 상기 광소자(150)는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)로 형성될 수 있다. 또한, 상기 광소자(150)는 상기 도전성 와이어(160)를 통해 상기 기판(110)의 전극층(130)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 기판(110)을 통해 입력된 전원의 신호는 상기 전극층(130)을 통해 상기 광소자(150)로 전달된다.
상기 도전성 와이어(160)는 전극층(130)을 상기 광소자(150)와 연결시킨다. 상기 도전성 와이어(160)는 상기 광소자(150)의 각 전극에 연결되도록 두 개로 형성될 수 있다. 상기 도전성 와이어(160)는 통상적으로 높은 전기 전도도를 갖는 금, 구리 또는 알루미늄으로 형성된다. 상기 도전성 와이어(160)는 일단으로 상기 광소자(150)에 볼 본딩 영역을 형성하고, 타단으로 상기 전극층(130)에 스티치 본딩 영역을 형성하는 방법으로 형성될 수 있다. 물론, 상기 도전성 와이어(160)는 일단으로 상기 전극층(130)에 볼 본딩 영역을 형성하고, 타단으로 상기 광소자(150)에 스티치 본딩 영역을 형성하는 방법으로 형성될 수도 있다.
상기 보호층(170)은 상기 기판(110)의 상부에 형성되고, 상기 격벽(140)에 의해 구획된 영역의 내부에 형성된다. 상기 보호층(170)은 내부에 상기 광소자(150) 및 도전성 와이어(160)를 감싸도록 형성된다. 상기 보호층(170)은 외부의 압력으로부터 상기 광소자(150) 및 도전성 와이어(160)를 보호한다.
또한, 상기 보호층(170)은 에폭시 수지에 통상적인 형광 물질을 혼합하여 형성될 수 있다. 상기 형광 물질은 상기 광소자(150)로부터 발생한 가시광선 또는 자외선을 인가받으면 여기되고, 이후 안정화됨에 따라 가시광선을 발생시킨다. 따라서, 형광 물질로 형성된 상기 보호층(170)은 상기 광소자(150)로부터 발생한 빛을 적녹청(RGB) 광으로 변환하거나, 백색광으로 변환시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)가 액정 표시 패널(Liqiud Crystal Display Panel)의 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU) 등으로 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이 하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 기판(110)을 열전도성이 좋은 금속으로 구비하여, 광소자(150)의 열이 외부로 용이하게 방열되도록 할 수 있다. 또한, 기판(110)의 하부에 홈과 체결부(111)를 구비하여, 백라이트 유닛의 바(bar)에 다수의 광소자(150)가 기판(110)을 통해 용이하게 결합되도록 할 수 있다.
또한, 별도로 도시하지는 않았지만, 단일한 하나의 기판(110) 상부에 광소자(150)가 하나가 대응되어 형성되도록 절연층(120), 전극층(130), 격벽(140), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)이 개별적으로 형성될 수도 있다. 그리고 이 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 개별적으로 구비되어, 백라이트 유닛의 바에 각각 결합될 수 있다. 따라서, 이 중에서 수명이 짧거나 불량 등으로 문제가 있는 광소자 디바이스(100)만을 용이하게 교체할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다. 앞선 실시예와 동일한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(200)는 기판(210), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(200)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(210)은 상기 광소자(150)가 안착되는 면으로부터 내부를 향해 형성된 수용홈(210a)을 구비한다. 상기 수용홈(210a)은 상기 광소자(150)에 대응하는 크기로 형성된다. 또한, 별도로 도시하지는 않았지만, 상기 수용홈(210a)의 경사면에 은(Ag)으로 이루어진 반사층이 더 형성될 수도 있다. 상기 반사층이 형성된 경우, 상기 광소자(150)의 광이 상기 기판(210)의 반대 방향으로 반사되므로, 상기 광소자(150)의 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 수용홈(210a)은 상기 기판(210)의 표면적을 증가시켜서 상기 기판(210)이 상기 광소자(150)의 열을 보다 용이하게 흡수할 수 있도록 하고, 그 결과 상기 광소자(150)의 열이 상기 기판(210)을 통해 외부로 용이하게 방열되도록 할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(300)는 기판(310), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(300)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(310)은 하부로부터 내부로 형성된 홈(310a)을 구비한다. 또한, 상기 홈(310a)은 바닥면(310b)을 갖는다.
한편, 상기 기판(310)은 상기 홈(310a)의 중간에 돌기(310c)를 구비한다. 상기 돌기(310c)는 상기 홈(310a)의 내부로 돌출되며, 상기 기판(310)이 상기 백라이트 유닛의 바와 단단히 체결될 수 있도록 한다.
그리고 상기 홈(310a)이 상기 기판(310)의 수직 방향과 이루는 각도(θ)는 15°이하일 수 있다. 상기 각도(θ)의 하한을 정하지 않은 이유는 상기 각도(θ)가 존재하기만 하면 즉, 홈(310a)이 상기 기판(310)의 수직 방향과 경사를 이루기만 하면 되기 때문이다. 한편, 상기 각도(θ)가 15°를 초과하는 경우, 상기 기판(310)과 백라이트 유닛의 바 사이의 체결력이 줄어들게 된다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(400)는 기판(410), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(300)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(410)은 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖는다. 상기 기판(410)은 내부에 홈(410a)이 형성된다. 상기 기판(410)은 상기 홈(410a)이 상기 기판(410)의 측면으로부터 내부로 형성된다. 상기 홈(410a)의 내부에는 바닥면(410b)이 형성된다. 따라서, 백라이트 유닛의 바는 상기 기판(410)의 측부로부터 상기 홈(410a)의 내부로 삽입되어 체결부(411)에 의해 고정될 수 있다. 또한, 이 경우 상기 광소자(150)는 상기 홈(410a)을 형성하는 상기 체결부(411) 중 하나의 상부에 형성된다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(400)가 바에 결합되어 형성된 상기 백라이트 유닛은 측면 광원의 형태로 형성될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(500)의 구성을 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(500)는 기판(410), 절연층(120), 전극층(530), 광소자(550), 도전성 와이어(560), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(500)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 전극층(530)은 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 특히, 상기 전극층(530)은 상기 절연층(120)의 쌍 중에서 어느 하나의 상부에 형성된다. 상기 전극층(530)은 상기 광소자(550)의 전극 중에서 어느 하나와 연결된다. 또한, 이 경우 상기 광소자(550)의 나머지 전극은 상기 기판(410)에 직접 연결된다. 이 경우, 상기 전극층(530)은 상기 절연층(120)을 통해 상기 기판(410)과 절연되기 때문에, 전기적인 단락은 발생되지 않는다. 또한, 이 경우 백라이트 유닛의 바에 상기 기판(410)과 전기적으로 연결되기 위한 전극 처리가 이루어질 수 있음을 물론이다.
상기 광소자(550)는 상기 기판(410)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(550)는 상기 절연층(120)의 사이에 형성된다. 이 때, 상기 광소자(550)는 하면에 일 전극이 형성되고, 상기 전극은 도전성 페이스트(551)를 통해 상기 기판(410)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 전극은 상기 도전성 페이스트(551) 이외에도 솔더를 통해서 상기 기판(410)에 연결되는 것도 가능하다.
상기 도전성 와이어(560)는 상기 전극층(530)과 상기 광소자(550)를 연결한다. 상기 도전성 와이어(560)는 상기 광소자(550)의 전극 중에서 하나와 상기 전극층(530)의 사이를 연결한다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 기판(610), 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 광소자(150, 150'), 도전성 와이어(160, 160'), 보호층(170, 170')을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 격벽(140, 140')을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(610)은 체결홈(110a)을 이루는 한 쌍의 체결부(111)에 각각 수용홈(610a)을 구비할 수 있다. 또한, 상기 기판(610) 체결부(111)에 상기 광소자(150, 150')와 같은 구성들이 각각 쌍을 이루어 형성된다.
보다 상세히 설명하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 기판(610)의 쌍을 이룬 체결부(111)의 각각에 역시 쌍을 이룬 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 격벽(140, 140'), 광소자(150, 150'), 도전성 와이어(160, 160') 및 보호층(170, 170')이 형성된다. 따라서, 상기 기판(610)을 갖는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 양방향의 백라이트 유닛을 형성할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(700)는 기판(110), 절연층(120), 전극층(130), 패키지 형태의 광소자(750)를 포함한다.
상기 광소자(750)는 패키지 형태로 구비되어, 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(750)의 전극들은 상기 솔더(751)를 통해 상기 전극층(130)에 연결된다. 상기 광소자(750)는 통상의 광소자 디바이스, 즉, 기존의 광소자 디바이스의 형태일 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(700)는 기존의 광소자 디바이스 형태로 이루어진 광소자(750)를 기판(110)의 상부에 결합함으로써, 생산성이 높아질 수 있다. 또한, 상기 솔더(751)는 상기 광소자(750)의 전극은 물론 중앙 영역의 하부에도 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 광소자(750)의 열을 용이하게 상기 기판(110)에 전달할 수 있다.
그리고, 상기 기판(110)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 경우, 상기 기판(110)의 중앙 상부에 바로 상기 솔더(751)가 형성되기 어려울 수 있다. 따라서, 별도로 도시하지는 않았지만, 이 경우 상기 기판(110)의 상부에 먼저 금, 은, 니켈 구리의 조합 중에서 선택된 어느 하나로 도금을 수행하고, 그 상부에 상기 솔더(751)를 형성하는 것이 가능하다. 또한, 별도의 도금없이도 상기 솔더(751)의 재질로서 납과 주석의 합금에 아연(Zn), 안티몬(Sb), 티타늄(Ti), 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 등을 미량 첨가하여 이루어진 알루미늄 전용 솔더를 이용함으로써, 상기 기판(110)의 표면에 형성된 산화막을 제거하면서 솔더링이 이루질 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(800)는 기판(410), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(750)를 포함한다.
여기서, 상기 광소자(750)는 솔더(851)를 통해 상기 기판(410)의 상부에 결합될 수 있다. 상기 광소자(750)의 전극 중 하나는 앞서 설명하였듯이, 솔더(751)를 통해 전극층(130)에 결합되고, 나머지 전극은 솔더(851)를 통해 상기 기판(410)에 직접적으로 결합될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(900)는 기판(410), 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 광소자(750, 750')를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(900)는 기판(410)의 양측에 체결부(411)를 따라 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 광소자(750, 750')가 형성된다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(900)는 백라이트 유닛의 바와 결합되어, 양방향의 백라이트 유닛을 형성할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(1000)의 구성을 설명하도록 한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(1000)의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자디바이스(1000)는 기판(110), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(1050)를 포함한다.
상기 광소자(1050)는 광소자 패키지의 형태로 구비되어, 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(1050)의 전극들은 솔더(751)를 통해 상기 전극층(130)에 연결된다. 상기 광소자(1050)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제 1 기판(1051) 및 제 2 기판(1052)의 사이에 절연층(1053)을 구비한다. 또한, 상기 절연층(1053)은 상기 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 아노다이징(anodizing) 처리하여 이루어진다.
또한, 광소자(1054)가 제 1 기판(1051) 또는 제 2 기판(1052)의 상부에 형성되고, 도전성 와이어(1055)를 통해 나머지 기판의 상부와 연결되어, 상기 패키지 형태의 광소자(1050)를 형성할 수 있다. 또한, 상기 광소자(1054)의 열은 상기 제 1 기판(1051) 및 제 2 기판(1052)을 통해 하부로 용이하게 전달될 수 있다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(1000)는 패키지 형태로 이루어진 광소자(1050)를 기판(110)의 상부에 결합함으로써, 생산성을 높일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명도록 한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다. 도 12a 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법은 기판 소재 인발 단계(S1), 기판 소재 가공 단계(S2), 절연층 형성 단계(S3), 전극층 형성 단계(S4), 격벽 형성 단계(S5), 광소자 부착 단계(S6), 전기적 연결 단계(S7), 보호층 형성 단계(S8)를 포함한다. 이하에서는 도 11의 각 단계들을 도 12a 내지 도 19을 함께 참조하여 설명하도록 한다.
도 11 및 도 12a 내지 도 12c를 참조하면, 상기 기판 소재 인발 단계(S1)는 구리, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 질화 알루미늄 및 탄화 규소 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 기판 소재(10, 10', 10'')를 인발하여 구비하는 단계이다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 상기 기판 소재(10)는 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖고, 일 방향을 따라 길이를 갖도록 인발될 수 있다. 따라서, 상기 기판 소재(10)에는 길이 방향을 따라 연속적으로 홈(10a)과 바닥면(10b)이 형성된다.
또한, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 기판 소재(10')는 상기 내부에 홀이 형성된 사각형의 평면 형상을 갖고, 일 방향을 따라 길이를 갖도록 인발될 수도 있다. 따라서, 상기 기판 소재(10')에는 이후 반으로 나뉘어 홈을 형성하는 측면(10a'), 상기 측면(10a')에 수직한 바닥면(10b')이 형성된다.
또한, 도 12c에 도시된 바와 같이, 상기 기판 소재(10'')는 내부에 다수개의 홀이 형성된 사각형의 평면 형상을 갖고, 일 방향을 따라 길이를 갖도록 인발될 수도 있다. 따라서, 상기 기판 소재(10'')는 이후 반으로 나뉘에 홈을 형성하는 측면(10a''), 상기 측면(10a'')에 수직한 바닥면(10b'')이 형성된다. 또한, 상기 홀 사이에는 절단홀(10c'')이 구비되어, 이후 상기 기판 소재(10'')를 절단 가공할 때 절단이 용이하게 할 수 있다.
도 11 및 도 13을 참조하면, 상기 기판 소재 가공 단계(S2)는 상기 기판 소재(10, 10', 10'')를 절단 가공하여, 복수개의 기판(110)을 각각 형성하는 단계이다.
도 12a의 기판 소재(10)의 경우, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10)의 길이 방향에 수직하게 이루어질 수 있다.
또한, 도 12b의 기판 소재(10')의 경우, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수평한 방향으로 한번 이루어진다. 더불어, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수직한 방향으로 이루어질 수 있다.
또한, 도 12c의 기판 소재(10'')의 경우, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수평한 방향으로 적어도 한번 이루어진다. 더불어, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수직한 방향으로 이루어질 수 있다. 이 때, 상기 절단 가공 중 일부는 상기 절단홀(10c'')을 따라서 이루어진다. 그리고 절단 가공을 수행하는 컷팅 휠(cutting wheel)의 두께는 상기 절단홀(10c'')의 직경과 동일하거나, 상기 절단홀(10c'')의 직경보다 크다. 따라서, 상기 컷팅 휠의 스트레스는 줄이면서, 절단 가공 이후, 상기 절단홀(10c'')에 의한 버(burr)가 발생하지 않을 수 있다.
도 11 및 도 14를 참조하면, 상기 절연층 형성 단계(S3)는 상기 기판(110)의 상부에 애노다이징을 통하여 절연층(120)을 형성하는 단계이다. 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 체결홈(110a)의 바닥면(110b)에 반대되는 면에 쌍을 이루어 형성되며, 상호간에 이격되어 형성된다.
도 11 및 도 15를 참조하면, 상기 전극층 형성 단계(S4)는 상기 절연층(120)의 상부에 전극층(130)을 형성하는 단계이다. 상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상면에서도 내측으로 위치한다. 상기 전극층(130)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 형성될 수 있으며, 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여, 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 또한, 상기 전극층(130)의 가장자리 상부에 감광성 격벽 페이스트(PhotoSensitive barrib Rib paste, PSR) 또는 실리콘을 이용하여 추가 절연층(135)이 더 형성될 수도 있다.
도 11 및 도 16을 참조하면, 상기 격벽 형성 단계(S5)는 상기 절연층(120)의 상부에 격벽(140)을 형성하는 단계이다. 상기 격벽(140)은 상기 전극층(130)의 외측에 형성되며, 상기 절연층(120)에 수직하게 형성된다. 상기 격벽(140)은 빛 반사율이 좋은 에폭시 수지, 감광성 격벽 페이스트(PhotoSensitive barrib Rib paste, PSR) 또는 그 혼합물로 형성될 수 있고, 경우에 따라서 실리콘으로 형성될 수도 있다.
도 11 및 도 17을 참조하면, 상기 광소자 부착 단계(S6)는 상기 기판(110)의 상부에 광소자(150)를 부착하는 단계이다. 상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 체결홈(110a)의 바닥면(110b)에 반대되는 면에 형성되며, 페이스트(151) 또는 솔더를 통해서 부착될 수 있다.
도 11 및 도 18을 참조하면, 상기 전기적 연결 단계(S7)는 상기 광소자(150)와 전극층(120)을 도전성 와이어(160)를 통해 연결하는 단계이다. 상기 도전성 와이어(160)는 통상적으로, 금, 은, 구리 또는 알루미늄으로 형성된다.
도 11 및 도 19를 참조하면, 상기 보호층 형성 단계(S8)는 상기 격벽(140)에 의해 구획된 영역의 내부에 형광 물질을 포함하는 페이스트를 도포하여 보호층(160)을 형성하는 단계이다. 상기 보호층(160)은 상기 기판(110)의 상부에 형성되며, 상기 광소자(150) 및 도전성 와이어(160)를 감싸도록 형성된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 광소자 디바이스 및 그 제조 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000; 광소자 디바이스
110, 219, 310, 410. 610; 기판 120; 절연층
130, 530; 전극층 140; 격벽
150, 550, 750, 1050; 광소자 160; 도전성 와이어
170; 보호층
110, 219, 310, 410. 610; 기판 120; 절연층
130, 530; 전극층 140; 격벽
150, 550, 750, 1050; 광소자 160; 도전성 와이어
170; 보호층
Claims (20)
- 일면으로부터 내부를 향해 체결홈이 형성된 기판;
상기 홈이 형성된 면을 제외한 상기 기판의 표면 중에서 적어도 일면에 형성된 절연층;
상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 전극층;
상기 기판의 상부에 형성되고, 상기 전극층과 전기적으로 연결된 광소자; 및
상기 광소자를 감싸도록 상기 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함하는 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 체결홈은 백라이트 유닛의 바(bar)의 외주연 형상에 맞물리도록 대응되어 형성된 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈이 형성된 반대측의 표면에 형성된 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈을 형성하는 측부의 표면에 형성된 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖도록 형성된 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 체결홈을 형성하는 측부의 내면으로부터 돌출된 적어도 하나의 돌기가 형성된 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 광소자가 형성되는 하부에 형성된 면에 상기 광소자에 대응되는 수용홈이 더 형성된 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 홈을 이루는 상기 기판의 측면이 상기 기판이 백라이트 유닛에 결합되는 방향과 이루는 각도는 15°이하인 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 광소자는 상기 기판의 일면에 광소자 패키지의 형태로 결합된 광소자 디바이스. - 제 9 항에 있어서,
상기 광소자는 솔더를 통해 상기 기판에 결합된 광소자 디바이스. - 제 9 항에 있어서,
상기 광소자 패키지는
두께를 관통하여 형성된 절연층 및 상기 절연층에 의해 이격되어 상호간에 전기적으로 독립한 복수의 영역을 갖고, 각 영역이 상기 전극층에 전기적으로 연결된 상부 기판;
상기 기판의 상부에 형성된 광소자;
상기 광소자와 기판의 적어도 일 영역을 전기적으로 연결하는 도전성 와이어; 및
상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 상기 패키지 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함하는 광소자 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 광소자가 형성된 면을 제외한 표면 중 적어도 하나에 다수개의 돌기로 이루어진 히트 싱크가 형성된 광소자 디바이스. - 길이 방향을 갖는 기판 소재를 인발하는 기판 소재 인발 단계;
상기 기판 소재를 절단하여 일면으로부터 내부를 향해 형성된 체결홈을 갖는 복수개의 기판을 형성하는 기판 소재 가공 단계;
상기 기판의 적어도 일면에 애노다이징을 수행하여 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계;
상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;
상기 기판의 적어도 일면에 광소자를 부착하는 광소자 부착 단계;
상기 전극층과 상기 광소자를 도전성 와이어를 통해 연결하는 전기적 연결 단계; 및
상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 포함하는 광소자 디바이스의 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 길이 방향을 따라서 상기 홈이 연속적으로 형성된 형태로 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 홀을 갖는 형태로 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 기판 소재 가공 단계는 상기 기판 소재의 중심에서 상기 길이 방향을 따라 적어도 한번 절단하여 상기 기판을 형성하는 광소자 디바이스의 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 다수의 홀을 갖는 형태로 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 기판 소재 인발 단계는 상기 다수의 홀의 사이마다 절단홀을 구비하도록 상기 기판 소재가 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 기판 소재 인발 단계는 상기 절단홀의 직경이 컷팅 휠의 직경보다 작도록 상기 기판 소재가 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 기판 소재 가공 단계는 상기 절단홀을 포함한 경로를 따라 상기 기판 소재를 절단하여 상기 기판을 형성하는 광소자 디바이스의 제조 방법.
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JP5538989B2 (ja) | 発光ダイオード構造 |
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