KR101052528B1 - Manufacturing method of PD filter and PD filter manufactured by it - Google Patents

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Abstract

PDP 필터의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 PDP 필터를 제공한다. PDP 필터의 제조 방법은 고굴절 투명 박막 및 금속 박막을 n회 반복 적층한 적층체를 제공하고, 상기 적층체를 열처리 하여 전자파 차폐층을 형성하는 것을 포함한다.A method for producing a PDP filter and a PDP filter produced thereby are provided. The manufacturing method of the PDP filter includes providing a laminate obtained by repeatedly laminating a high refractive transparent thin film and a metal thin film n times, and heat treating the laminate to form an electromagnetic shielding layer.

PDP, 필터, 열처리, 적층체, 보호막 PDP, filter, heat treatment, laminate, protective film

Description

PDP 필터의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 PDP 필터{Method for fabricating PDP filter and PDP filter fabricated by the same}Method for fabricating PDP filter and PDP filter manufactured by the same

도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 PDP 필터의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a PDP filter according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 포함되는 전자파 차폐층의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the electromagnetic shielding layer included in an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a PDP filter according to another embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 PDP 필터의 단면도들이다4 and 5 are cross-sectional views of another PDP filter according to another embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터의 제조 공정 중 중간 구조물의 단면도들이다.6 and 7 are cross-sectional views of the intermediate structure during the manufacturing process of the PDP filter according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110: 지지체 120, 140: 고굴절 투명 박막110: support 120, 140: high refractive transparent thin film

130, 150: 금속 박막 170: 보호막130, 150 metal thin film 170: protective film

180: 전자파 차폐 필터 210: 필터 베이스180: electromagnetic shielding filter 210: filter base

본 발명은 디스플레이 장치용 필터의 제조 방법 및 그에 의헤 제조된 디스플레이 장치용 필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 PDP 필터의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 PDP 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a filter for a display device and a filter for a display device manufactured thereby, and more particularly, to a method for producing a PDP filter and a PDP filter produced thereby.

현대의 고도 정보화 시대에 있어서 광일렉트로닉스(photoelectronics) 관련 부품 및 기기가 현저하게 진보하고 보급되고 있다. 그 중에서, 화상을 표시하는 디스플레이 장치는 텔레비전 장치용, 퍼스널 컴퓨터의 모니터 장치용 등으로서 널리 보급되고 있으며, 또한 이러한 디스플레이의 대형화와 동시에 박형화가 진행되고 있다.In today's high information age, photoelectronics-related components and devices are remarkably advanced and popularized. Among them, display apparatuses for displaying images are widely used for television apparatuses, monitor apparatuses of personal computers, and the like, and thinning is progressing at the same time as these displays are enlarged.

기존의 디스플레이 장치를 대표하는 음극선관(Cathode-Ray Tube; CRT) 장치에 비해 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; 이하, PDP라 함) 장치는 대형화 및 박형화를 동시에 만족할 수 있어 차세대 디스플레이 장치로서 각광받고 있다. Compared to the Cathode-Ray Tube (CRT) device that represents the conventional display device, the Plasma Display Panel (PDP) device can satisfy both the size and the thickness of the display device. have.

그러나, PDP 장치는 그 구동 특성상 전자파 및 근적외선의 방출량이 많고 형광체의 표면 반사가 높을 뿐 아니라, 봉입 가스인 헬륨(He)이나 제논(Xe)에서 방출되는 오렌지광으로 인해 색순도가 음극선관에 미치지 못한다.However, due to its driving characteristics, the PDP device has a high emission amount of electromagnetic waves and near infrared rays, high surface reflection of the phosphor, and color purity does not reach the cathode ray tube due to the orange light emitted from the enclosed gas, helium (He) or xenon (Xe). .

따라서, PDP 장치로부터 방출되는 전자파와 근적외선의 방출을 소정치 이하로 방지하는 것이 요구된다. 이를 위해, 전자파 및 근적외선을 차폐하는 동시에 반사광을 감소시키고 색순도를 향상시키기 위해 전자파 차폐, 근적외선 차폐, 광 표면 반사 방지 및/또는 색순도 개선 등의 기능을 갖는 PDP 필터를 채용하고 있다.Therefore, it is required to prevent the emission of electromagnetic waves and near infrared rays emitted from the PDP apparatus below a predetermined value. To this end, in order to shield electromagnetic waves and near infrared rays, while reducing reflected light and improving color purity, a PDP filter having a function such as electromagnetic shielding, near infrared shielding, light surface reflection prevention and / or color purity improvement is employed.

PDP 필터의 전자파 차폐 기능과 관련하여, PDP 필터는 도전성 메쉬 또는 도전성 다층 박막 형태의 전자파 차폐층을 포함할 수 있다.In relation to the electromagnetic shielding function of the PDP filter, the PDP filter may include an electromagnetic shielding layer in the form of a conductive mesh or a conductive multilayer thin film.

도전성 다층 박막 형태의 전자파 차폐층은 고굴절율을 갖는 투명 박막과 금 속 박막을 교대로 적층한 구조를 갖는다. 이러한 도전성 다층 박막 형태의 전자파 차폐층의 경우, 금속 박막의 적층수가 많아질수록 우수한 전자파 차폐능을 갖는 반면, 가시광의 투과율이 현저히 저하된다. 뿐만 아니라, 금속 박막의 적층수가 많아질수록 공정 비용이 높아지고, 공정 시간도 길어지게 되어 공정 효율이 떨어지게 된다. 따라서, 전자파 차폐능과 광 투과율이 우수하면서도, 공정 효율이 좋은 PDP 필터의 제조 방법의 개발이 요구되고 있는 실정이다.The electromagnetic shielding layer in the form of a conductive multilayer thin film has a structure in which a transparent thin film having a high refractive index and a metal thin film are alternately stacked. In the case of the electromagnetic shielding layer in the form of the conductive multilayer thin film, as the number of metal thin films is laminated, the electromagnetic wave shielding ability is excellent, while the transmittance of visible light is significantly reduced. In addition, as the number of metal thin films is laminated, the process cost increases and the process time becomes long, thereby decreasing process efficiency. Therefore, there is a demand for development of a method for producing a PDP filter having excellent electromagnetic wave shielding ability and light transmittance and excellent process efficiency.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전자파 차폐 효율과 가시광 투과율이 우수할 뿐만 아니라 공정 효율이 좋은 PDP 필터의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for manufacturing a PDP filter having excellent electromagnetic shielding efficiency and visible light transmittance as well as good process efficiency.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 이러한 PDP 제조 방법에 의해 제조되는 PDP 필터를 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a PDP filter manufactured by the PDP manufacturing method.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터의 제조 방법은 고굴절 투명 박막 및 금속 박막을 n회 반복 적층한 적층체를 제공하고, 상기 적층체를 열처리하여 전자파 차폐층을 형성하는 것을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a PDP filter according to an embodiment of the present invention. Forming.

상기의 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터는 고굴절 투명 박막, 금속 박막이 n회 반복되어 적층되어 있되, 상기 금속 박막을 구성하는 금속이 고굴절 투명 박막 측으로 확산되어 있는 적층체를 포함하는 전자파 차폐층을 포함한다.PDP filter according to an embodiment of the present invention for solving the above other technical problem is a high refractive transparent thin film, a metal thin film is stacked n times repeated, the metal constituting the metal thin film is diffused to the high refractive transparent thin film side An electromagnetic wave shielding layer containing a laminated body is included.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는한 복수형도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 층 또는 막의 "위", "상", "상부" 또는 "아래", "하부"로 지칭되는 것은 중간에 다른 층 또는 막을 개재한 경우를 포함한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. Also referred to herein as "above", "top", "top" or "bottom", "bottom" of a layer or film includes intervening another layer or film.

또한, 본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 다른 정의가 없다면, 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. In addition, unless there is another definition for the terminology used herein, all terms (including technical and scientific terms) used herein have a meaning that can be commonly understood by those skilled in the art. Could be used. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터를 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 PDP 필터의 단면도이다. Hereinafter, a PDP filter according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1. 1 is a cross-sectional view of a PDP filter according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터는 필터 베이스(210) 및 전자파 차폐층(180)을 포함한다.As shown in FIG. 1, a PDP filter according to an embodiment of the present invention includes a filter base 210 and an electromagnetic shielding layer 180.

우선, 전자파 차폐층을 도 2를 참조하여 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 포함되는 전자파 차폐층의 단면도이다.First, the electromagnetic shielding layer will be described in detail with reference to FIG. 2. 2 is a cross-sectional view of the electromagnetic shielding layer included in an embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 전자파 차폐층(180)은 지지체(110), 전자파 차폐능을 갖는 적층체(160) 및 보호막(170)을 포함한다. As shown in FIG. 2, the electromagnetic shielding layer 180 includes a support 110, a laminate 160 having electromagnetic shielding ability, and a protective film 170.

지지체(110)는 전자파 차폐능을 갖는 적층체(160)를 지지하게 위한 투명 기판으로서, PDP 필터의 사양에 따라 적층체(160)가 필터 베이스(210) 위에 직접 형성되는 경우에는 생략도 가능한다. 지지체(110)는 예를 들어 유리, 석영 등의 무기 화합물 성형물과 투명한 유기 고분자 성형물로 형성될 수 있다. 고분자 성형물은 가시광 영역에서 투명하면 되고, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰, 폴리스티렌, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 트리아세틸셀룰로스 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한 투명한 고분자 성형물은 판상 또는 필름 형상일 수 있다.The support 110 is a transparent substrate for supporting the laminate 160 having electromagnetic shielding ability, and may be omitted when the laminate 160 is directly formed on the filter base 210 according to the specification of the PDP filter. . The support 110 may be formed of, for example, an inorganic compound molding such as glass or quartz and a transparent organic polymer molding. The polymer molding may be transparent in the visible region, and examples thereof include polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone, polystyrene, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polypropylene, polyimide, triacetyl cellulose, and the like. It is not limited. In addition, the transparent polymer molding may be plate or film.

지지체(110) 위에는 전자파 차폐능을 갖는 적층체(160)가 위치하는데, 적층체(160)는 고굴절 투명 박막(120, 140)과 금속 박막(130, 150)의 순서로 교대로 적층된 구조를 갖는다. The stack 160 having electromagnetic shielding capability is positioned on the support 110, and the stack 160 has a structure in which the high refractive transparent thin films 120 and 140 and the metal thin films 130 and 150 are alternately stacked. Have

고굴절 투명 박막(120, 140)은 가시광을 투과시키고, 금속 박막(130, 150)과 의 굴절률 차에 의해서, 금속 박막(130, 150)의 가시광 영역의 광 반사를 방지하는 효과를 가진 것이면 특별히 한정되지 않는다, 예를 들어 가시광에 대한 굴절률이 1.6 이상, 바람직하게는 1.7 이상의 굴절률이 높은 재료가 고굴절 투명 박막(120, 140)에 사용될 수 있다. 또한, 고굴절 투명 박막(120, 140)은 투명성 및 굴절률 특성에 더하여, 성막 속도가 빠르고 금속 박막(130, 150)과의 밀착성 등이 양호한 재료가 사용될 수 있다. The high refractive transparent thin films 120 and 140 transmit visible light, and are particularly limited as long as they have an effect of preventing light reflection in the visible light region of the metal thin films 130 and 150 by the difference in refractive index between the metal thin films 130 and 150. For example, a material having a high refractive index of 1.6 or more, preferably 1.7 or more, for visible light may be used for the high refractive transparent thin films 120 and 140. In addition, in addition to transparency and refractive index characteristics, the high refractive index thin films 120 and 140 may be formed of a material having a high deposition rate and good adhesion to the metal thin films 130 and 150.

이러한 고굴절 투명 박막(120, 140)은 예를 들어 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Al doped Zinc Oxide), Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 이루어질 수 있다. 고굴절 투명 박막(120, 140)은 동일한 구성을 갖는 단일막 또는 다중막을 포함할 수도 있고, 도 2에 도시한 바와 같이 고굴절 투명 박막(120, 140)은 서로 다른 구성을 갖는 단일막 또는 다중막을 포함할 수도 있다. 예를 들어 고굴절 투명 박막(120)은 각각 Nb2O5/AZO의 구성으로 이루어진 다층막(121, 122)일 수 있으며, 고굴절 투명 박막(140)은 각각 AZO/Nb2O5/AZO를 포함하는 구성으로 이루어진 다층막(141, 142, 143)일 수 있다. 이러한 고굴절 투명 박막(120, 140)의 두께는 지지체(110)의 광학 특성, 금속 박막(130, 150)의 두께와 광학 특성 및 고굴절 투명 박막(120, 140)의 굴절률 등으로부터 광학 설계적으로 또는 실험적으로 구해진다. 예를 들면 5㎛ 이상, 200㎛ 이하일 수 있고, 또한 10㎛ 이상, 100 ㎛ 이하일 수 있다. The high refractive index thin films 120 and 140 may be, for example, Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), or Al doped Zinc Oxide), Al 2 O 3 , CeO 2 It may be made of a single film or a multilayer film containing at least one selected from SiO 2 . The high refractive transparent thin films 120 and 140 may include a single film or multiple films having the same configuration, and as shown in FIG. 2, the high refractive transparent thin films 120 and 140 may include a single film or multiple films having different configurations. You may. For example, the high refractive transparent thin film 120 may be a multilayer film 121 and 122 each composed of Nb 2 O 5 / AZO, and the high refractive transparent thin film 140 may each include AZO / Nb 2 O 5 / AZO. It may be a multilayer film 141, 142, 143 composed of a configuration. The thickness of the high refractive transparent thin film (120, 140) is optically designed from the optical properties of the support 110, the thickness and optical properties of the metal thin film (130, 150) and the refractive index of the high refractive transparent thin film (120, 140) or the like Obtained experimentally. For example, it may be 5 µm or more and 200 µm or less, and may be 10 µm or more and 100 µm or less.

금속 박막(130, 150)은 각각 고굴절 투명 박막(120, 140) 위에 위치한다. 금속 박막(130, 150)은 예를 들어 은 또는 은을 함유한 합금으로 이루어진 금속층(131, 151)과 금속층(131, 151)을 구성하는 금속이 인접한 박막으로 확산되어 형성된 확산층(132, 133, 152, 153)을 포함한다.The metal thin films 130 and 150 are positioned on the high refractive index transparent films 120 and 140, respectively. The metal thin films 130 and 150 may be formed by, for example, diffusion layers 132 and 133 formed by diffusing metal layers 131 and 151 made of silver or an alloy containing silver and metals constituting the metal layers 131 and 151 into adjacent thin films. 152, 153).

금속층(131, 151)을 구성하는 은은 전기 전도성, 적외선 반사성 및 가시광 투과성이 우수하다. 그러나, 은은 화학적, 물리적 안정성이 결여되고, 환경 중의 오염 물질, 수증기, 열, 광 등에 의해서 열악화하기 때문에, 은에 금, 백금, 팔라듐, 구리, 인듐, 주석 등의 환경에 안정적인 금속을 적어도 하나 함유한 합금을 금속층(131, 151)에 사용할 수 있다. 여기서 은을 함유한 합금의 은의 함유율은 특별히 한정되는 것은 아니지만 은을 포함하는 금속 박막(130, 150)의 전기 전도성, 광학 특성과 크게 다르지 않은 것이 좋고, 예를 들면 50중량% 이상 100중량% 미만 정도로 함유할 수 있다. 확산층(132, 133, 151, 153)에 대한 상세한 설명은 PDP 필터의 제조 방법에서 후술하도록 한다.Silver constituting the metal layers 131 and 151 is excellent in electrical conductivity, infrared reflectivity and visible light transmission. However, since silver lacks chemical and physical stability and degrades due to pollutants, water vapor, heat, light, and the like in the environment, silver contains at least one metal that is stable to the environment such as gold, platinum, palladium, copper, indium, tin, and the like. One alloy can be used for the metal layers 131, 151. The content of silver in the alloy containing silver is not particularly limited, but it is preferably not significantly different from the electrical conductivity and optical properties of the metal thin films 130 and 150 containing silver, for example, 50% by weight or more and less than 100% by weight. It may be contained to an extent. Detailed descriptions of the diffusion layers 132, 133, 151, and 153 will be described later in the manufacturing method of the PDP filter.

상기한 바와 같은 적층체(160)에서 고굴절 투명 박막(120, 140)과 금속 박막(130, 150)의 적층 회수는 우수한 전자파 차폐능과 광 투과율을 만족시키는 경우라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 1 내지 5회 일 수 있다. 예를 들어 전자파 차폐능, 광 투과율 및 공정 효율 모두를 고려하여 볼 때, 적층체(160)에서의 고굴절 투명 박막(120, 140)과 금속 박막(130, 150)의 적층 회수는 2회일 수 있다.The number of laminations of the high refractive transparent thin films 120 and 140 and the metal thin films 130 and 150 in the laminate 160 as described above is not particularly limited as long as the electromagnetic wave shielding ability and the light transmittance are satisfied. For example, it may be 1 to 5 times. For example, considering the electromagnetic wave shielding ability, the light transmittance, and the process efficiency, the number of laminations of the high refractive transparent thin films 120 and 140 and the metal thin films 130 and 150 in the laminate 160 may be twice. .

적층체(160)위에는 보호막(170)이 위치하여, 적층체(160)의 내찰상성과 내환경성을 보충한다. 보호막(170)으로서는 가시광을 투과시키고, 적층체(160)을 보호하는 기능을 가진 것이라면 특별히 한정되지는 않는다. 보호막(170)은 예를 들어 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, AZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 보호막(170)은 AZO/Nb2O5의 구성으로 이루어진 다층막(171, 172) 일 수 있다. 이러한 보호막(170)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 지지체(110)의 광학 특성, 금속 박막(130, 150)의 두께와 광학 특성 및 고굴절 투명 박막(120, 140)의 굴절률 등으로부터 광학 설계적으로 또는 실험적으로 구해진다. 예를 들면 5㎛ 이상, 200㎛ 이하일 수 있고, 또한 10㎛ 이상, 100㎛ 이하일 수 있다.A protective film 170 is positioned on the laminate 160 to supplement scratch resistance and environmental resistance of the laminate 160. The protective film 170 is not particularly limited as long as it has a function of transmitting visible light and protecting the laminate 160. The protective film 170 includes, for example, at least one selected from Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, AZO, Al 2 O 3 , CeO 2, and SiO 2 . It may consist of a single film or a multilayer film. For example, the passivation layer 170 may be the multilayer layers 171 and 172 formed of AZO / Nb 2 O 5 . The thickness of the protective film 170 is not particularly limited, and may be optically designed from the optical properties of the support 110, the thickness and optical properties of the metal thin films 130 and 150, and the refractive indices of the high refractive transparent thin films 120 and 140. Or obtained experimentally. For example, it may be 5 µm or more and 200 µm or less, and 10 µm or more and 100 µm or less.

다시 도 1을 참조하면, 상기한 바와 같은 전자파 차폐층(180)은 필터 베이스(210) 위에 위치한다. 필터 베이스(210)는 예를 들어 절연성의 투명 기판만으로 이루어질 수도 있고, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들어 투명 기판(211)에 반사 방지층(212)을 더 포함하여 이루어질 수도 있다. Referring back to FIG. 1, the electromagnetic shielding layer 180 as described above is positioned on the filter base 210. For example, the filter base 210 may be formed of only an insulating transparent substrate, or may further include, for example, an anti-reflection layer 212 on the transparent substrate 211 as illustrated in FIG. 1.

투명 기판(211)은 예를 들어 유리, 석영 등의 무기 화합물 성형물과 투명한 유기 고분자 성형물로 형성될 수 있다. 고분자 성형물은 가시광 영역에서 투명하면 되고, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰, 폴리스티렌, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 트리아세틸셀룰로스 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한 투명한 고분자 성 형물은 판상 또는 필름 형상일 수 있다.The transparent substrate 211 may be formed of, for example, an inorganic compound molding such as glass or quartz and a transparent organic polymer molding. The polymer molding may be transparent in the visible region, and examples thereof include polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone, polystyrene, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polypropylene, polyimide, triacetyl cellulose, and the like. It is not limited. In addition, the transparent polymeric molding may be plate or film.

반사 방지층(212)은 외부 환경광의 반사를 줄여 PDP 장치의 시인성을 향상시키기 위한 것이다. 반사 방지층(212)은 투명 기판(211)의 양면 중 어느 하나의 면 위에 형성될 수 있고, 예를 들어 PDP 필터가 PDP 장치에 장착되었을 때에 시청자 측이 되는 면의 투명 기판(211) 위에 형성되는 것이 시인성 향상과 관련하여 더 효율적이다. The anti-reflection layer 212 is intended to improve the visibility of the PDP device by reducing reflection of external ambient light. The anti-reflection layer 212 may be formed on either side of the both sides of the transparent substrate 211, for example, formed on the transparent substrate 211 on the side that becomes the viewer side when the PDP filter is mounted to the PDP apparatus. It is more efficient with respect to visibility.

또한, 도시하지 않았지만 PDP 장치의 패널 어셈블리로부터 발생하여 나오는 근적외선을 흡수하는 근적외선 차폐층과 PDP 장치의 패널 어셈블리로부터 방출되는 가시광의 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 양을 감소시키거나 조절하여 색균형을 변화시키거나 교정하는 색보정층을 더 포함할 수도 있다. 필터 베이스(210)를 구성하는 투명 기판(251), 반사 방지층(212), 근적외선 차폐층 또는 색보정층은 순서에 상관없이 적층되어 형성될 수도 있다. 또한, 필터 베이스(250)는 각각의 기능을 갖는 별개의 층들로 구성되는 외에도, 하나의 층에 상기한 바와 같은 기능을 모두 포함할 수도 있다. Also, although not shown, the amount of red (R), green (G), and blue (B) of visible light emitted from the panel assembly of the PDP device and the near infrared shielding layer absorbing near infrared rays generated from the panel assembly of the PDP device are reduced. It may further include a color correction layer for changing or correcting the color balance by adjusting or adjusting. The transparent substrate 251, the anti-reflection layer 212, the near-infrared shielding layer, or the color correction layer constituting the filter base 210 may be stacked in any order. In addition, the filter base 250 may include all of the functions described above in one layer, in addition to the separate layers having the respective functions.

계속해서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터를 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.Subsequently, a PDP filter according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3. 3 is a cross-sectional view of a PDP filter according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터와 동일한 전자파 차폐층(180)과 시청자 측의 투명 기판(211) 위에 위치하는 안티 뉴톤링층(213)을 포함하는 필터 베이스(210')을 포함한다. 안티 뉴톤링층(213)은 PDP 필터와 이에 결합되는 패널 어셈블리의 전면 기판 간의 이격 거리가 불균일할 경우 발생하는 뉴톤링(Newton's ring) 현상을 방지할 수 있다.The PDP filter according to another embodiment of the present invention includes the same electromagnetic wave shielding layer 180 as the PDP filter according to the embodiment of the present invention and an anti-Newton ring layer 213 positioned on the transparent substrate 211 on the viewer's side. Filter base 210 '. The anti-Newton ring layer 213 may prevent a Newton's ring phenomenon that occurs when the separation distance between the PDP filter and the front substrate of the panel assembly coupled thereto is uneven.

계속해서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PDP 필터를 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 PDP 필터의 단면도이다Subsequently, a PDP filter according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 is a cross-sectional view of another PDP filter according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PDP 필터는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터와 동일한 전자파 차폐층(180), 시청자 측의 투명 기판(211) 위에 위치하는 반사 방지층(212)을 포함하는 필터 베이스(210)와 시청자 측의 반대쪽에 위치하는 전자파 차폐층(180) 위에 위치하는 안티 뉴톤링층(220)을 포함한다.The PDP filter according to another embodiment of the present invention includes the same electromagnetic wave shielding layer 180 as the PDP filter according to the embodiment of the present invention, and an anti-reflection layer 212 positioned on the transparent substrate 211 on the viewer's side. The anti-Newton ring layer 220 is disposed on the filter base 210 and the electromagnetic shielding layer 180 located opposite to the viewer side.

계속해서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PDP 필터를 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시에에 따른 PDP 필터의 단면도이다.Subsequently, a PDP filter according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5 is a cross-sectional view of a PDP filter according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PDP 필터는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터와 동일한 전자파 차폐층(180), 시청자 측의 투명 기판(211) 위에 위치하는 안티 글레어층(214)을 포함하는 필터 베이스(210")을 포함한다. 안티 글레어층(214)은 외부 환경광의 반사에 의한 시청자의 눈부심(glossiness) 현상을 방지할 수 있다.The PDP filter according to another embodiment of the present invention includes the same electromagnetic shielding layer 180 as the PDP filter according to an embodiment of the present invention, and the antiglare layer 214 positioned on the transparent substrate 211 on the viewer side. And a filter base 210 ″. The anti-glare layer 214 may prevent a glare of a viewer due to reflection of external ambient light.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터의 제조 방법을 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터의 제조 공정 중 중간 구조물의 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing a PDP filter according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7. 6 and 7 are cross-sectional views of the intermediate structure during the manufacturing process of the PDP filter according to an embodiment of the present invention.

도 6에 도시한 바와 같이, 지지체(110) 위에 적층체(160) 및 보호막(170)을 형성한다. As illustrated in FIG. 6, a laminate 160 and a protective film 170 are formed on the support 110.

지지체(110) 위에 적층체(160)를 형성하기 위하여, 우선 고굴절 투명 박막 (120)을 형성한다. 고굴절 투명 박막(120)은 예를 들어 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, AZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 형성될 수 있다. 고굴절 투명 박막(120)의 형성 방법으로서, 예를 들어 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법, 반응성 스퍼터링 방법, 이온 플레이팅 방법, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법을 사용할 수 있다. 이들 중에서, 대면적에 빠른 속도로 균일한 형성을 수행할 수 있는 직류 스퍼터링 방법이 바람직하다. In order to form the laminate 160 on the support 110, first, a high refractive transparent thin film 120 is formed. The high refractive transparent thin film 120 may include at least one selected from, for example, Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, AZO, Al 2 O 3 , CeO 2, and SiO 2 . It may be formed of a single film or a multilayer film containing. As a method of forming the high refractive transparent thin film 120, for example, a method formed by a direct current sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, or a chemical vapor deposition (CVD) method can be used. Among them, a direct current sputtering method capable of performing uniform formation at a high speed in a large area is preferable.

예를 들어 고굴절 투명 박막(120)을 Nb2O5/AZO의 구성으로 이루어진 다층막(121, 122)으로 형성하고하 할 경우, Nb2O5층(121)은 전기 전도성이 우수한 산화 니오브 타겟을 사용하여 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성할 수 있다. 산화 니오브 타겟은 산화 니오브의 화학양론적인 조성에 대해 산소를 부족하게 하거나 다른 물질을 첨가하여 직류 스퍼터링에 충분히 사용할 수 있을 정도의 전기 전도성을 갖도록 만든 타겟이다. 산화 니오브 타겟을 사용하는 경우, 스퍼터링 기체로서 0.1 내지 10 부피%의 산화성 기체를 함유한 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 기체로서 이러한 범위 내의 농도로 산화성 기체를 함유한 불활성 기체를 사용하면 높은 전기 전도성을 갖는 적층체(160)를 제조하는 데 효과적이다. 특히, 0.1 내지 5 부피%의 산화성 기체를 함유하는 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다. 산화성 기체로서, 산소 기체가 일반적으로 사용될 수도 있고, 일산화질소, 이산화질소, 일산화탄소, 이산화탄소 또는 오존이 사용될 수도 있다.For example, when the high refractive transparent thin film 120 is formed of multilayer films 121 and 122 composed of Nb 2 O 5 / AZO, the Nb 2 O 5 layer 121 may form a niobium oxide target having excellent electrical conductivity. Can be formed by a direct current sputtering method. The niobium oxide target is a target made to have an electrical conductivity enough to be used for direct current sputtering by depleting oxygen or adding other materials to the stoichiometric composition of niobium oxide. When using a niobium oxide target, it is preferable to use an inert gas containing 0.1 to 10% by volume of an oxidizing gas as the sputtering gas. Use of an inert gas containing an oxidizing gas at a concentration within this range as the sputtering gas is effective for producing the laminate 160 having high electrical conductivity. In particular, it is preferable to use an inert gas containing 0.1 to 5% by volume of oxidizing gas. As the oxidizing gas, oxygen gas may generally be used, and nitrogen monoxide, nitrogen dioxide, carbon monoxide, carbon dioxide or ozone may be used.

AZO층(122)의 형성은 산화 아연(ZnO)에 알루미늄(Al)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 산화성 기체의 공급 없이 불활성 기체의 공급 만에 의해 스퍼터링 방법에 의해 형성하게 된다. AZO의 경우 산화성 기체가 공급되지 않아도 투명성이 저하되지 않으므로, O2와 같은 산화성 기체의 공급이 불필요하다. The AZO layer 122 is formed by a sputtering method by supplying only an inert gas without supplying an oxidizing gas using a target in which a small amount of aluminum (Al) is mixed in zinc oxide (ZnO). In the case of AZO, even if the oxidizing gas is not supplied, transparency is not lowered, and thus, supply of an oxidizing gas such as O 2 is unnecessary.

다음, 고굴절 투명 박막(120) 위에 금속 박막(130')을 형성한다. Next, the metal thin film 130 ′ is formed on the high refractive transparent thin film 120.

금속 박막(130')은 은 또는 은을 함유하는 합금 성분으로 형성될 수 있고, 금속 박막(130')의 형성 방법은 예를 들면 스퍼터링 방법, 화학 기상 증착 방법 등에 의해 수행될 수 있다. 막형성 속도가 빠르고 대면적에 균일한 특성을 갖는 층을 형성하기 위해, 직류 스퍼터링 방법에 의해 금속 박막(130')을 형성할 수 있다.The metal thin film 130 ′ may be formed of silver or an alloy component containing silver, and the method of forming the metal thin film 130 ′ may be performed by, for example, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like. In order to form a layer having a fast film forming speed and uniform characteristics in a large area, the metal thin film 130 ′ may be formed by a direct current sputtering method.

이어, 금속 박막(130') 위에 고굴절 투명 박막(140)을 형성한다.Subsequently, the high refractive transparent thin film 140 is formed on the metal thin film 130 ′.

고굴절 투명 박막(140)은 예를 들어 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, AZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법, 반응성 스퍼터링 방법, 이온 플레이팅 방법, 화학 기상 증착 방법에 의해서 형성될 수 있다. 이들 중에서, 대면적에 빠른 속도로 균일한 형성을 수행할 수 있는 직류 스퍼터링 방법이 바람직하다. The high refractive transparent thin film 140 may include at least one selected from, for example, Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, AZO, Al 2 O 3 , CeO 2, and SiO 2 . It may be formed of a single film or a multi-layer film, including, for example, by a direct current sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method. Among them, a direct current sputtering method capable of performing uniform formation at a high speed in a large area is preferable.

예를 들어 고굴절 투명 박막(140)을 AZO/Nb2O5/AZO의 구성으로 이루어진 다층막(141,142, 143)으로 형성하고자 할 경우, AZO층(141)은 상기한 바와 같이 산화 아연(ZnO)에 알루미늄(Al)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 산화성 기체의 공급 없이 불활성 기체의 공급 만에 의해 스퍼터링 방법에 의해 형성하게 된다. AZO층(141)을 형성하는데 있어 O2와 같은 산화성 기체의 공급이 불필요하므로, AZO층(141) 하부에 위치하는 금속 박막(130')의 산화가 발생되지 않아 금속 박막(130')의 전기 전도성이 소멸되는 문제도 발생되지 않는다. 나머지 Nb2O5 및 AZO는 상술한 바와 동일한 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다.For example, when the high refractive transparent thin film 140 is to be formed of the multilayer films 141, 142, and 143 composed of AZO / Nb 2 O 5 / AZO, the AZO layer 141 may be formed on zinc oxide (ZnO) as described above. Using a target in which a small amount of aluminum (Al) is mixed, it is formed by a sputtering method by only supplying an inert gas without supplying an oxidizing gas. Since the supply of the oxidizing gas such as O 2 is unnecessary in forming the AZO layer 141, the oxidation of the metal thin film 130 ′ disposed under the AZO layer 141 does not occur, so that electricity of the metal thin film 130 ′ is not generated. There is no problem of dissipation of conductivity. The remaining Nb 2 O 5 and AZO may be formed by the same direct current sputtering method as described above.

이어, 고굴절 투명 박막(140) 위에 금속 박막(150')을 형성한다. Subsequently, the metal thin film 150 ′ is formed on the high refractive index transparent thin film 140.

금속 박막(150')은 은 또는 은을 함유하는 합금 성분으로 형성될 수 있고, 금속 박막(150')의 형성 방법은 예를 들면 스퍼터링 방법, 화학 기상 증착 방법 등에 의해 수행될 수 있다. 막형성 속도가 빠르고 대면적에 균일한 특성을 갖는 층을 형성하기 위해, 직류 스퍼터링 방법에 의해 금속 박막(150')을 형성할 수 있다.The metal thin film 150 ′ may be formed of silver or an alloy component containing silver, and the method of forming the metal thin film 150 ′ may be performed by, for example, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like. In order to form a layer having a fast film forming speed and uniform characteristics in a large area, the metal thin film 150 ′ may be formed by a direct current sputtering method.

다음, 금속 박막(150') 위에 보호막(170)을 형성한다. Next, a passivation layer 170 is formed on the metal thin film 150 ′.

보호막(170)은 예를 들어 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, AZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 형성될 수 있다. 보호막(170)은 예를 들어 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법, 반응성 스퍼터링 방법, 이온 플레이팅 방법, 화학 기상 증착 방법에 의해서 형성될 수 있다. 이들 중에서, 대면적에 빠른 속도로 균일한 형성을 수행할 수 있는 직류 스퍼터링 방법이 바람직하다. The protective film 170 includes, for example, at least one selected from Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, AZO, Al 2 O 3 , CeO 2, and SiO 2 . It may be formed as a single film or a multilayer film. The protective film 170 may be formed by, for example, a method formed by a direct current sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, or a chemical vapor deposition method. Among them, a direct current sputtering method capable of performing uniform formation at a high speed in a large area is preferable.

예를 들어 보호막(170)을 AZO/Nb2O5의 구성으로 이루어진 다층막(171, 172) 으로 형성하고자 할 경우, AZO층(171)은 상기한 바와 같이 산화 아연(ZnO)에 알루미늄(Al)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 산화성 기체의 공급 없이 불활성 기체의 공급 만에 의해 스퍼터링 방법에 의해 형성하게 된다. AZO층(171)을 형성하는데 있어 O2와 같은 산화성 기체의 공급이 불필요하므로, AZO층(171) 하부에 위치하는 금속 박막(150')의 산화가 발생되지 않아 금속 박막(150')의 전기 전도성이 소멸되는 문제도 발생되지 않는다. 나머지 Nb2O5은 상술한 바와 동일한 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다.For example, when the protective film 170 is to be formed of the multilayer films 171 and 172 formed of AZO / Nb 2 O 5 , the AZO layer 171 may be formed of aluminum (Al) on zinc oxide (ZnO) as described above. This small amount of mixed target is used to form the sputtering method only by supplying an inert gas without supplying an oxidizing gas. Since the supply of an oxidizing gas such as O 2 is unnecessary in forming the AZO layer 171, the oxidation of the metal thin film 150 ′ positioned under the AZO layer 171 does not occur, thereby providing electricity to the metal thin film 150 ′. There is no problem of dissipation of conductivity. The remaining Nb 2 O 5 may be formed by the same direct current sputtering method as described above.

계속해서, 도 7에 도시한 바와 같이 지지체(110), 적층체(160) 및 보호막(170)으로 구성된 구조물을 열처리 한다. 상기한 바와 같은 구조물을 진공 챔버 내에 위치시키고, 약 200 내지 400℃의 온도에서 열처리를 행할 수 있다. 상기한 바와 같은 온도 범위에서 열처리를 행하는 경우, 적층체(160) 내의 금속 박막(130', 150')에 포함되어 있는 금속의 응집의 발생이 일어나지 않고 결정 상태가 양호해진다. 이때, 챔버 내의 분위기는 진공, 산소 또는 질소 분위기 일 수 있으며, 열처리 시간은 약 15분 내지 75분 정도일 수 있다. 상기한 바와 같은 챔버 내 분위기와 시간으로 열처리를 행함으로서 금속 박막(130', 150')에 포함되어 있는 금속의 결정 상태를 양호하게 할 수 있게 된다. Subsequently, as shown in FIG. 7, the structure composed of the support 110, the laminate 160, and the protective film 170 is heat-treated. The structure as described above may be placed in a vacuum chamber and heat treated at a temperature of about 200 to 400 ° C. When the heat treatment is performed in the temperature range as described above, the agglomeration of the metal contained in the metal thin films 130 ′ and 150 ′ in the laminate 160 does not occur and the crystal state is improved. At this time, the atmosphere in the chamber may be a vacuum, oxygen or nitrogen atmosphere, the heat treatment time may be about 15 minutes to about 75 minutes. By performing heat treatment with the atmosphere and time in the chamber as described above, the crystal state of the metal contained in the metal thin films 130 ′ and 150 ′ can be improved.

열처리에 의해, 적층체(160)의 금속 박막(130', 150')에 포함되어 있는 금속이 고굴절 투명 박막(120, 140) 또는 보호막(170) 측, 예를 들어 고굴절 투명 박막층(120, 140)의 AZO층(122, 141) 측 또는 보호막(170)의 AZO층(171) 측으로 확산되 어, 도 2에 도시한 바와 같이 확산층(132, 133, 152, 153)을 형성하게 되며, 이로써 전자파 차폐층(180)이 완성된다. By the heat treatment, the metal contained in the metal thin films 130 ′ and 150 ′ of the laminate 160 is transferred to the high refractive transparent thin film layers 120 and 140 or the protective film 170 side, for example, the high refractive transparent thin film layers 120 and 140. Diffuses to the AZO layer 122, 141 side or the AZO layer 171 side of the protective film 170, thereby forming the diffusion layer (132, 133, 152, 153), as shown in FIG. Layer 180 is complete.

금속 박막(130, 150)과 고굴절 투명 박막(120, 140)의 계면에 형성되어 있는 확산층(132, 133, 152, 153)에 의해 계면에서의 면저항이 낮아질 뿐만 아니라, 계면에서의 막 접착성이 좋아져서 접촉 저항이 낮아지게 된다. 결국 지지체(110), 적층체(160) 및 보호막(170)으로 구성된 구조물에 열처리를 행하여 열처리 전보다 면저항 및 접촉 저항을 낮춤으로서 우수한 전자파 차폐능을 갖는 전자파 차폐층(180)을 형성할 수 있다.The diffusion layers 132, 133, 152 and 153 formed at the interface between the metal thin films 130 and 150 and the high refractive transparent thin films 120 and 140 not only lower the sheet resistance at the interface but also the film adhesion at the interface. The better the contact resistance is. As a result, an electromagnetic wave shielding layer 180 having excellent electromagnetic shielding ability can be formed by performing heat treatment on a structure composed of the support 110, the laminate 160, and the protective film 170 to lower the sheet resistance and the contact resistance than before the heat treatment.

계속해서, 전자파 차폐층(180)을 필터 베이스(210)에 부착한다. 이때, 필터 베이스(210)는 도 1 및 도 4에 도시한 바와 같이 투명 기판(211) 및 반사 방지층(212)을 포함할 수 있고, 필터 베이스(210')는 도 3에 도시한 바와 같이 투명 기판(211)과 안티 뉴톤층(213)을 포함할 수 있으며, 필터 베이스(210")는 도 5에 도시한 바와 같이 투명 기판(211)과 안티 글레어층(214)를 포함할 수 있다. 또한, 도 4에 도시한 바와 같이 전자파 차폐층(180) 위에 예를 들어 안티 뉴톤층(220)을 더 형성할 수 있다.Subsequently, the electromagnetic shielding layer 180 is attached to the filter base 210. In this case, the filter base 210 may include a transparent substrate 211 and an anti-reflection layer 212 as shown in FIGS. 1 and 4, and the filter base 210 ′ is transparent as shown in FIG. 3. The substrate 211 and the anti-Newton layer 213 may be included, and the filter base 210 ″ may include the transparent substrate 211 and the antiglare layer 214 as shown in FIG. 5. 4, for example, an anti-Newton layer 220 may be further formed on the electromagnetic shielding layer 180.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 PDP 필터는 예를 들어 전자파 차폐층(180)에 포함되어 있는 금속 박막(120, 150)이 2회 적층되어 있는 경우라도, 열처리에 의해 전자파 차폐능을 향상시킬 수 있으므로, 우수한 광 투과율과 공정 효율 및 전자파 차폐능이라는 요건을 모두 만족시킬 수 있는 PDP 필터를 제공할 수 있다.As described above, the PDP filter manufactured by the method according to an embodiment of the present invention may be heat-treated even if the metal thin films 120 and 150 included in the electromagnetic shielding layer 180 are stacked twice. Since the electromagnetic wave shielding ability can be improved by this, the PDP filter which can satisfy | fill all the requirements of the outstanding light transmittance, process efficiency, and an electromagnetic wave shielding capability can be provided.

이하, 실험예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실험예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실험예들에 의하여 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to experimental and comparative examples. However, the following experimental examples are for illustrating the present invention, it should be understood that the present invention is not limited by the following experimental examples.

실험예Experimental Example 1 One

투명 유리 지지체의 일면에 직류 스퍼터링 방법에 의해 Nb2O5/AZO로 구성된 제 1 고굴절 투명 박막, 제 1 은 박막, AZO/Nb2O5/AZO로 구성된 제 2 고굴절 투명 박막, 제 2 은 박막, AZO/Nb2O5로 구성된 보호층을 순서대로 적층한다. 이때, 제 1 고굴절 투명 박막의 Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 28㎚ 및 약 5㎚이고, 제 1 은 박막은 두께는 약 11㎚이며, 제 2 고굴절 투명 박막의 AZO/Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 7㎚, 56㎚ 및 5 ㎚이고, 제 2 은 박막의 두께는 약 11㎚이며, 보호층의 AZO/Nb2O5의 두께는 각각 약 5㎚ 및 28㎚이다. 상기한 바와 같은 구조물을 진공 챔버 내에 위치시킨 후 질소 가스 유량을 50sccm으로 하고 온도를 약 350℃로 하여 약 20분 동안 열처리를 행하여 전자파 차폐층을 완성한다. A first high refractive transparent thin film composed of Nb 2 O 5 / AZO, a first silver thin film, a second high refractive transparent thin film composed of AZO / Nb 2 O 5 / AZO, and a second silver thin film on one surface of the transparent glass support by a direct current sputtering method. , AZO / Nb 2 O 5 A protective layer composed of in order. In this case, the thicknesses of the Nb 2 O 5 / AZO of the first high refractive transparent thin film are about 28 nm and about 5 nm, respectively, and the thickness of the first silver thin film is about 11 nm and the AZO / Nb 2 O of the second high refractive transparent thin film. The thicknesses of 5 / AZO are about 7 nm, 56 nm and 5 nm, respectively, and the thickness of the second silver thin film is about 11 nm, and the thicknesses of the AZO / Nb 2 O 5 of the protective layer are about 5 nm and 28 nm, respectively. . After placing the structure as described above in a vacuum chamber, a nitrogen gas flow rate of 50 sccm and a temperature of about 350 ℃ heat treatment for about 20 minutes to complete the electromagnetic shielding layer.

상기 전자파 차폐층의 열처리 전의 면저항과 열처리 후의 면저항을 비접촉식 4 포인트 프로브(4 point probe)를 이용하여 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The sheet resistance before heat treatment and the sheet resistance after heat treatment of the electromagnetic shielding layer were measured using a non-contact four point probe, and the results are shown in Table 1 below.

실험예Experimental Example 2 2

열처리를 약 10분 동안 행한 것을 제외하고는 실험예 1 과 동일하게 전자파 차폐층을 완성한다. 상기 전자파 차폐층의 열처리 전후의 면저항 값을 하기 표 1에 나타내었다.The electromagnetic shielding layer was completed in the same manner as in Experiment 1 except that the heat treatment was performed for about 10 minutes. The sheet resistance values before and after the heat treatment of the electromagnetic shielding layer are shown in Table 1 below.

실험예Experimental Example 3 3

열처리를 약 30분 동안 행한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 전자파 차폐층을 완성하였다. 상기 전자파 차폐층의 열처리 전후의 면저항 값을 하기 표 1에 나타내었다.An electromagnetic wave shielding layer was completed in the same manner as in Experiment 1 except that the heat treatment was performed for about 30 minutes. The sheet resistance values before and after the heat treatment of the electromagnetic shielding layer are shown in Table 1 below.

실험예Experimental Example 4 4

열처리를 약 400℃ 온도에서 약 10분 동안 행한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 전자파 차폐층을 완성하였다. 상기 전자파 차폐층의 열처리 전후의 면저항 값을 하기 표 1에 나타내었다.An electromagnetic wave shielding layer was completed in the same manner as in Experiment 1 except that the heat treatment was performed for about 10 minutes at a temperature of about 400 ° C. The sheet resistance values before and after the heat treatment of the electromagnetic shielding layer are shown in Table 1 below.

표 1TABLE 1

Figure 112005075880524-pat00001
Figure 112005075880524-pat00001

상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 각 실험예의 전자파 차폐층은 열처리를 행함으로서 면저항의 낮아진다. 이 결과로부터 열처리를 통해 전자파 차폐층의 전자파 차폐능이 향상됨을 알 수 있다.As shown in Table 1, the electromagnetic wave shielding layer of each test example was subjected to a heat treatment, thereby lowering the sheet resistance. From this result, it can be seen that the electromagnetic shielding ability of the electromagnetic shielding layer is improved through the heat treatment.

실험예Experimental Example 5 5

열처리를 약 60분 동안 행한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 전자파 차폐층을 완성한다. 상기 전자파 차폐층의 평균 광 투과율과 근적외선 영역(850 ㎚ 및 950㎚)에서의 광 투과율을 퍼킹 엘머(perking elmer)사의 람다 900(Lambda 900)을 이용하여 측정하고, 색좌표를 스펙트로 포토메타(spectrophotometer)를 이용하여 측정하고 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The electromagnetic shielding layer was completed in the same manner as in Experiment 1 except that the heat treatment was performed for about 60 minutes. The average light transmittance of the electromagnetic shielding layer and the light transmittance in the near infrared region (850 nm and 950 nm) were measured using a Lambda 900 manufactured by Perking Elmer, and the color coordinates were measured by a spectrophotometer. Measured using and the results are shown in Table 2 below.

실험예Experimental Example 6 6

열처리를 진공 분위기 하에서 행한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 전자파 차폐층을 완성한다. 상기 전자파 차폐층의 평균 투과율과 근적외선 영역에서의 광 투과율 및 색좌표 값을 하기 표 2에 나타내었다.The electromagnetic shielding layer was completed in the same manner as in Experiment 1 except that the heat treatment was performed in a vacuum atmosphere. The average transmittance of the electromagnetic shielding layer and the light transmittance and color coordinate values in the near infrared region are shown in Table 2 below.

실험예Experimental Example 7 7

투명 유리 지지체의 일면에 직류 스퍼터링 방법에 의해 Nb2O5/AZO로 구성된 고굴절 투명 박막, 은 박막, AZO/Nb2O5로 구성된 보호층을 순서대로 적층한다. 이때, 고굴절 투명 박막의 Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 28㎚ 및 약 5㎚이고, 은 박막은 두께는 약 11㎚이며, 보호층의 AZO/Nb2O5의 두께는 각각 약 5㎚ 및 28㎚이다. 상기한 바와 같은 구조물을 진공 챔버 내에 위치시킨 후 질소 가스 유량을 50sccm으로 하고 온도를 약 300℃로 하여 약 60분 동안 열처리를 행하여 전자파 차폐층을 완성한다. 상기 전자파 차폐층의 근적외선 영역에서의 광 투과율을 하기 표 2에 나타내었다.On one surface of the transparent glass supporter, a high refractive transparent thin film composed of Nb 2 O 5 / AZO, a silver thin film, and a protective layer composed of AZO / Nb 2 O 5 are sequentially laminated by a direct current sputtering method. In this case, the thicknesses of the Nb 2 O 5 / AZO of the high refractive transparent thin film are about 28 nm and about 5 nm, respectively, and the thickness of the silver thin film is about 11 nm, and the thickness of the AZO / Nb 2 O 5 of the protective layer is about 5, respectively. Nm and 28 nm. After placing the structure as described above in a vacuum chamber, a nitrogen gas flow rate of 50 sccm and a temperature of about 300 ℃ heat treatment for about 60 minutes to complete the electromagnetic shielding layer. The light transmittance in the near infrared region of the electromagnetic shielding layer is shown in Table 2 below.

실험예Experimental Example 8 8

열처리를 약 75분 동안 행한 것을 제외하고는 실험예 7과 동일하게 전자파 차폐층을 완성한다. 상기 전자파 차폐층의 근적외선 영역에서의 광 투과율을 하기 표 2에 나타내었다.The electromagnetic shielding layer was completed in the same manner as in Experiment 7 except that the heat treatment was performed for about 75 minutes. The light transmittance in the near infrared region of the electromagnetic shielding layer is shown in Table 2 below.

비교예Comparative example 1 One

투명한 지지체의 일면에 직류 스퍼터링 방법에 의해 Nb2O5/AZO로 구성된 제 1 고굴절 투명 박막, 제 1 은 박막, AZO/Nb2O5/AZO로 구성된 제 2 고굴절 투명 박막, 제 2 은 박막, AZO/Nb2O5로 구성된 보호층을 순서대로 적층하여 전자파 차폐층을 완성한다. 이때, 제 1 고굴절 투명 박막의 Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 28㎚ 및 약 5㎚이고, 제 1 은 박막은 두께는 약 11㎚이며, 제 2 고굴절 투명 박막의 AZO/Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 7㎚, 56㎚ 및 5 ㎚이고, 제 2 은 박막의 두께는 약 11㎚이며, 보호층의 AZO/Nb2O5의 두께는 각각 약 5㎚ 및 28㎚이다. 상기 전자파 차폐층의 평균 투과율과 근적외선 영역에서의 광 투과율 및 색좌표 값을 하기 표 2에 나타내었다.A first high refractive transparent thin film composed of Nb 2 O 5 / AZO by a direct current sputtering method on one surface of the transparent support, a first silver thin film, a second high refractive transparent thin film composed of AZO / Nb 2 O 5 / AZO, a second silver thin film, A protective layer composed of AZO / Nb 2 O 5 is laminated in order to complete the electromagnetic shielding layer. In this case, the thicknesses of the Nb 2 O 5 / AZO of the first high refractive transparent thin film are about 28 nm and about 5 nm, respectively, and the thickness of the first silver thin film is about 11 nm and the AZO / Nb 2 O of the second high refractive transparent thin film. The thicknesses of 5 / AZO are about 7 nm, 56 nm and 5 nm, respectively, and the thickness of the second silver thin film is about 11 nm, and the thicknesses of the AZO / Nb 2 O 5 of the protective layer are about 5 nm and 28 nm, respectively. . The average transmittance of the electromagnetic shielding layer and the light transmittance and color coordinate values in the near infrared region are shown in Table 2 below.

비교예Comparative example 2 2

투명 유리 지지체의 일면에 직류 스퍼터링 방법에 의해 Nb2O5/AZO로 구성된 고굴절 투명 박막, 은 박막, AZO/Nb2O5로 구성된 보호층을 순서대로 적층하여 전자파 차폐층을 완성한다. 이때, 고굴절 투명 박막의 Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 28㎚ 및 약 5㎚이고, 은 박막은 두께는 약 11㎚이며, 보호층의 AZO/Nb2O5의 두께는 각각 약 5㎚ 및 28㎚이다. 상기 전자파 차폐층의 근적외선 영역에서의 광 투과율을 하기 표 2에 나타내었다.On one surface of the transparent glass supporter, a high refractive transparent thin film composed of Nb 2 O 5 / AZO, a silver thin film, and a protective layer composed of AZO / Nb 2 O 5 are sequentially laminated by a direct current sputtering method to complete the electromagnetic shielding layer. In this case, the thicknesses of the Nb 2 O 5 / AZO of the high refractive transparent thin film are about 28 nm and about 5 nm, respectively, and the thickness of the silver thin film is about 11 nm, and the thickness of the AZO / Nb 2 O 5 of the protective layer is about 5, respectively. Nm and 28 nm. The light transmittance in the near infrared region of the electromagnetic shielding layer is shown in Table 2 below.

표 2Table 2

Figure 112005075880524-pat00002
Figure 112005075880524-pat00002

상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 금속 박막이 2회 적층된 실험예 5 및 실험예 6과 비교예 1의 전자파 차폐층의 평균 광 투과율을 살펴보면, 유사한 값을 나타냄을 알 수 있다. 또한, 근적외선 영역에서의 광 투과율을 살펴보면, 금속 박막이 2회 적층된 실험예 5 및 실험예 6의 전자파 차폐층의 경우가 비교예 1의 경우보다 상당히 낮아짐을 알 수 있고, 금속 박막이 1회 적층된 실험예 7 및 실험예 8의 전자파 차폐층의 경우가 비교예 2의 경우보다 상당히 낮아짐을 알 수 있다. 즉, 열처리를 통해 실험예 5 내지 실험예 8의 전자파 차폐층에서의 근적외선 차폐능이 향상됨을 알 수 있다. 또한, 색좌표 X 및 Y를 살펴보면, 실험예 5 및 실험예 6과 비교예 1의 전자파 차폐층이 유사한 값을 나타냄을 알 수 있다. 이 결과로부터, 실험예 5 및 실험예 6의 전자파 차폐층은 열처리를 통해 근적외선 차폐능은 향상되면서도, 평균 광 투과율과 색좌표 특성이 크게 변화가 없음을 확인할 수 있다.As shown in Table 2, looking at the average light transmittance of the electromagnetic shielding layer of Experimental Example 5 and Experimental Example 6 and Comparative Example 1 in which the metal thin film is laminated twice, it can be seen that similar values are shown. In addition, looking at the light transmittance in the near infrared region, it can be seen that the electromagnetic shielding layer of Experimental Example 5 and Experimental Example 6, in which the metal thin films were stacked twice, was significantly lower than that of Comparative Example 1, and the metal thin film was once It can be seen that the stacked electromagnetic shielding layers of Experimental Example 7 and Experimental Example 8 are considerably lower than those of Comparative Example 2. That is, it can be seen that the near-infrared shielding ability in the electromagnetic shielding layer of Experimental Example 5 to Experimental Example 8 is improved by the heat treatment. In addition, looking at the color coordinates X and Y, it can be seen that the electromagnetic shielding layer of Experimental Example 5 and Experimental Example 6 and Comparative Example 1 shows similar values. From these results, it can be seen that the electromagnetic shielding layers of Experimental Example 5 and Experimental Example 6, while the near-infrared shielding ability is improved through heat treatment, the average light transmittance and color coordinate characteristics do not change significantly.

실험예Experimental Example 9 9

투명한 지지체의 일면에 직류 스퍼터링 방법에 의해 Nb2O5/AZO로 구성된 제 1 고굴절 투명 박막, 제 1 은 박막, AZO/Nb2O5/AZO로 구성된 제 2 고굴절 투명 박막, 제 2 은 박막, AZO/Nb2O5로 구성된 보호층을 순서대로 적층한다. 이때, 제 1 고굴절 투명 박막의 Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 28㎚ 및 약 5㎚이고, 제 1 은 박막은 두께는 약 11㎚이며, 제 2 고굴절 투명 박막의 AZO/Nb2O5/AZO의 두께는 각각 약 7㎚, 56㎚ 및 5 ㎚이고, 제 2 은 박막의 두께는 약 11㎚이며, 보호층의 AZO/Nb2O5의 두께는 각각 약 5㎚ 및 28㎚이다. 상기한 바와 같은 구조물을 진공 챔버 내에 위치시킨 후 질소 가스 유량을 50sccm으로 하고 온도를 약 350℃로 하여 약 20분 동안 열처리를 행하여 전자파 차폐층을 완성한다.A first high refractive transparent thin film composed of Nb 2 O 5 / AZO by a direct current sputtering method on one surface of the transparent support, a first silver thin film, a second high refractive transparent thin film composed of AZO / Nb 2 O 5 / AZO, a second silver thin film, The protective layer consisting of AZO / Nb 2 O 5 is laminated in order. In this case, the thicknesses of the Nb 2 O 5 / AZO of the first high refractive transparent thin film are about 28 nm and about 5 nm, respectively, and the thickness of the first silver thin film is about 11 nm and the AZO / Nb 2 O of the second high refractive transparent thin film. The thicknesses of 5 / AZO are about 7 nm, 56 nm and 5 nm, respectively, and the thickness of the second silver thin film is about 11 nm, and the thicknesses of the AZO / Nb 2 O 5 of the protective layer are about 5 nm and 28 nm, respectively. . After placing the structure as described above in a vacuum chamber, a nitrogen gas flow rate of 50 sccm and a temperature of about 350 ℃ heat treatment for about 20 minutes to complete the electromagnetic shielding layer.

상기한 바와 같은 전자파 차폐층을 온도 약 60℃, 습도 약 90%의 내습 챔버 내에 약 500시간 동안 위치시켜 신뢰성 검증을 수행한다. 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.The electromagnetic wave shielding layer as described above is placed in a moisture resistant chamber at a temperature of about 60 ° C. and a humidity of about 90% for about 500 hours to perform reliability verification. The results are shown in Table 3 below.

표 3TABLE 3

Figure 112005075880524-pat00003
Figure 112005075880524-pat00003

상기 표 3에 나타난 바와 같이, 열처리 공정을 포함하여 제조된 실험예 9의 전자파 차폐층는 신뢰성 검증 결과로부터 신뢰성에도 문제가 없음을 알 수 있다.As shown in Table 3, it can be seen that the electromagnetic shielding layer of Experimental Example 9 including the heat treatment process has no problem in reliability from the reliability verification result.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 PDP 필터 제조 방법은 열처리 공정을 통해 전자파 차폐 효율과 가시광 투과율이 우수할 뿐만 아니라 공정 효율이 좋은 PDP 필터를 제공할 수 있다.As described above, the PDP filter manufacturing method according to the present invention may provide a PDP filter having excellent process efficiency as well as excellent electromagnetic shielding efficiency and visible light transmittance through a heat treatment process.

Claims (18)

가시광에 대한 굴절률이 1.6 이상인 고굴절 투명 박막 및 금속 박막을 1회 내지 5회 반복 반복 적층한 적층체를 제공하고, 상기 적층체를 열처리 하여 전자파 차폐층을 형성하는 것을 포함하는 PDP 필터의 제조 방법.A method of manufacturing a PDP filter comprising providing a laminate obtained by repeatedly laminating a highly refractive transparent thin film and a metal thin film having a refractive index of 1.6 or more to visible light repeatedly, and heat-treating the laminate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열처리는 200 내지 400℃ 온도에서 수행되는 PDP 필터의 제조 방법.The heat treatment is a method of manufacturing a PDP filter is carried out at a temperature of 200 to 400 ℃. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 열처리는 진공, 산소 또는 질소 분위기에서 수행되는 PDP 필터의 제조 방법.The heat treatment is a method of manufacturing a PDP filter is carried out in a vacuum, oxygen or nitrogen atmosphere. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고굴절 투명 박막은 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, AZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 이루어진 PDP 필터의 제조 방법.The high refractive transparent thin film is a single film including at least one selected from Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, AZO, Al 2 O 3 , CeO 2 and SiO 2 The manufacturing method of the PDP filter which consists of a multilayer film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고굴절 투명 박막은 Nb2O5/AZO 또는 AZO/Nb2O5/AZO를 포함하는 다층막으로 이루어지는 PDP 필터의 제조 방법.The high refractive index transparent thin film is a method for producing a PDP filter consisting of a multilayer film containing Nb 2 O 5 / AZO or AZO / Nb 2 O 5 / AZO. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 적층체를 열처리하기 전에 상기 적층체 상에 보호막을 더 형성하는 PDP 필터의 제조 방법.And a protective film is further formed on the laminate before the heat treatment of the laminate. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 보호막은 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다중층으로 이루어진 PDP 필터의 제조 방법.The protective film is composed of a single layer or multiple layers including at least one selected from Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, Al 2 O 3 , CeO 2 and SiO 2 . Method for producing a PDP filter. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 보호막은 AZO/Nb2O5를 포함하는 다층막으로 이루어지는 PDP 필터의 제조 방법.The protective film is a method of manufacturing a PDP filter consisting of a multilayer film containing AZO / Nb 2 O 5 . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 박막은 은 또는 은을 함유하는 합금을 포함하는 PDP 필터의 제조 방법.The metal thin film is a method of producing a PDP filter containing silver or an alloy containing silver. 삭제delete 가시광에 대한 굴절률이 1.6 이상인 고굴절 투명 박막 및 금속 박막을 1회 내지 5회 반복되어 적층되어 있되, 상기 금속 박막을 구성하는 금속이 고굴절 투명 박막 측으로 확산되어 있는 적층체를 포함하는 전자파 차폐층을 포함하는 PDP 필터.A high refractive index transparent film having a refractive index of 1.6 or more for visible light and a metal thin film repeatedly stacked one to five times, wherein the metal constituting the metal thin film includes an electromagnetic shielding layer including a laminate that is diffused toward the high refractive transparent film PDP filter. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 고굴절 투명 박막은 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 이루어진 PDP 필터.The high refractive transparent thin film is formed of a single layer or a multilayer including at least one selected from Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, Al 2 O 3 , CeO 2 and SiO 2 PDP Filter. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 고굴절 투명 박막은 Nb2O5/AZO 또는 AZO/Nb2O5/AZO를 포함하는 다층막으로 이루어지는 PDP 필터.The high refractive transparent thin film is a PDP filter consisting of a multilayer film containing Nb 2 O 5 / AZO or AZO / Nb 2 O 5 / AZO. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 적층체의 상에 보호막을 더 포함하고, 상기 금속 박막을 구성하는 금속 이 상기 보호막 측으로 확산되어 있는 PDP 필터.A PDP filter further comprising a protective film on the laminate, wherein metal constituting the metal thin film is diffused to the protective film side. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 보호막은 Nb2O5, TiO2, ZnO, SnO2, SiN4, ZrO2, ITO, IZO, Al2O3, CeO2 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막으로 이루어진 PDP 필터.The protective film is a PDP composed of a single film or a multilayer film including at least one selected from Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, SnO 2 , SiN 4 , ZrO 2 , ITO, IZO, Al 2 O 3 , CeO 2, and SiO 2 . filter. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 보호막은 AZO/Nb2O5를 포함하는 다층막으로 이루어지는 PDP 필터.The protective film is a PDP filter consisting of a multilayer film containing AZO / Nb 2 O 5 . 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 금속 박막은 은 또는 은을 함유하는 합금을 포함하는 PDP 필터.And the metal thin film comprises silver or an alloy containing silver. 삭제delete
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