KR101051284B1 - Chemical Vapor Deposition Equipment for Thin Film Solar Cell Manufacturing - Google Patents

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Abstract

박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치가 개시된다. 본 발명의 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는, 박막 태양전지 제조용 기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버(Transfer Module Chamber); 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버(Loadlock Chamber); 및 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 적어도 하나의 프로세스 모듈 챔버(Process Module Chamber)를 포함하며, 프로세스 모듈 챔버는, 다수의 반응 챔버; 다수의 반응 챔버에 각각 결합되며 상호 다른 가로 길이를 갖는 다수의 반응 챔버 고정판; 및 프로세스 모듈 챔버의 양 측벽으로부터 각각 돌출되되, 반응 챔버 고정판의 양단부가 각각 안착되도록 한 쌍씩 상하 방향으로 상호 이격되는 다수의 고정판 지지부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다수의 반응 챔버를 프로세스 모듈 챔버의 내부로 간편하게 인입시키거나 취출시킬 수 있게 되어 반응 챔버의 유지보수가 간편해지고, 유지보수를 위한 추가공간을 줄일 수 있도록 함으로써 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 구축면적(Footprint)을 종래에 비하여 상대적으로 감소시킬 수 있게 된다.A chemical vapor deposition apparatus for manufacturing thin film solar cells is disclosed. The chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell of the present invention includes: a transfer module chamber having a substrate handling robot configured to handle a substrate for manufacturing a thin film solar cell; At least one loadlock chamber connected to one side of the transfer module chamber and into and out of the substrate; And at least one process module chamber connected to the other side of the transfer module chamber to perform a substantial deposition process on the substrate, wherein the process module chamber comprises: a plurality of reaction chambers; A plurality of reaction chamber fixing plates each coupled to the plurality of reaction chambers and having different transverse lengths; And a plurality of fixing plate supports which protrude from both sidewalls of the process module chamber and are spaced apart from each other in a vertical direction by a pair so that both ends of the reaction chamber fixing plate are seated, respectively. According to the present invention, a plurality of reaction chambers can be easily introduced into or taken out of the process module chamber, thereby simplifying the maintenance of the reaction chamber and reducing the additional space for maintenance. The footprint of the vapor deposition apparatus can be relatively reduced as compared with the prior art.

태양전지, 화학 기상 증착 장치, 프로세스 모듈 챔버, 반응 챔버  Solar cell, chemical vapor deposition apparatus, process module chamber, reaction chamber

Description

박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치{Chemical vapor deposition apparatus for manufacturing thin-film solar cells}Chemical vapor deposition apparatus for manufacturing thin-film solar cells

본 발명은 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 다수의 반응 챔버를 프로세스 모듈 챔버의 내부로 간편하게 인입시키거나 취출시킬 수 있게 되어 반응 챔버의 유지보수가 간편해지고, 유지보수를 위한 추가공간을 줄일 수 있도록 함으로써 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 구축면적(Footprint)을 종래에 비하여 상대적으로 감소시킬 수 있는, 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, and more particularly, a plurality of reaction chambers can be easily introduced into or taken out of the process module chamber to simplify the maintenance of the reaction chamber, maintenance The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, which can relatively reduce a footprint of the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, by reducing an additional space for maintenance.

태양전지(solar cells)는, 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. 이러한 태양전지는 그 종류에 따라 단결정 실리콘 태양전지, 다결정 실리콘 태양전지, 박막 태양전지(thin-film solar cells) 등으로 분류된다.Solar cells are devices that convert light energy into electrical energy using the properties of semiconductors. Such solar cells are classified into monocrystalline silicon solar cells, polycrystalline silicon solar cells, thin-film solar cells, and the like according to their types.

박막 태양전지는 얇은 막 형태로 제작되는 것으로서, 단결정 실리콘 태양전지 등에 비해 그 효율은 낮으나 제조 가격이 저렴하고 대면적화가 가능하며 표면이 불규칙한 곳이나 장치하기 어려운 곳에 용이하게 사용할 수 있다는 장점이 있다. 또한 증착되는 기판의 종류에 따라 장판처럼 둘둘 말아서 운반하거나 보관할 수도 있다.The thin film solar cell is manufactured in the form of a thin film, and its efficiency is lower than that of a single crystal silicon solar cell. In addition, depending on the type of substrate to be deposited may be transported or stored in a roll like a floor.

이러한 박막 태양전지는 반도체 공정과 유사한 다수의 공정들을 거치면서 제품으로 제작된다.Such thin film solar cells are manufactured into products through a number of processes similar to semiconductor processes.

다수의 공정들 중에는 박막 태양전지 제조용 기판의 표면에 박막 형태의 증착막을 증착시키는 증착 공정이 존재하는데, 이러한 증착 공정은 주로 플라즈마를 이용한 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치(PECVD)를 통해 진행된다. 참고로, 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는 통상적인 LCD 기판 제조용 화학 기상 증착 장치(PECVD)와 실질적으로 유사한 구성을 갖는다.Among many processes, there is a deposition process for depositing a thin film deposition film on the surface of a substrate for manufacturing a thin film solar cell. This deposition process is mainly performed through a chemical vapor deposition apparatus (PECVD) for manufacturing a thin film solar cell using plasma. For reference, the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell has a configuration substantially similar to that of a conventional chemical vapor deposition apparatus (PECVD) for manufacturing a LCD substrate.

종래의 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는, 박막 태양전지 제조용 기판이 인입 및 취출되는 로드락 챔버(LOADLOCK CHAMBER)와, 로드락 챔버와 연결되며 기판 핸들링 로봇이 내부에 구비된 트랜스퍼 모듈 챔버(TRANSFER MODULE CHAMBER)와, 트랜스퍼 모듈 챔버에 연결되어 실질적인 증착 공정을 진행하는 다수의 프로세스 모듈 챔버(PROCESS MODULE CHAMBER)를 구비한다.The conventional chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell includes a load lock chamber (LOADLOCK CHAMBER) through which a substrate for manufacturing a thin film solar cell is introduced and taken out, and a transfer module chamber connected to the load lock chamber and having a substrate handling robot therein (TRANSFER). MODULE CHAMBER) and a plurality of process module chambers (PROCESS MODULE CHAMBER) connected to the transfer module chamber to perform the actual deposition process.

이에, 박막 태양전지 제조용 기판이 로드락 챔버 내로 인입되면, 트랜스퍼 모듈 챔버 내의 기판 핸들링 로봇이 박막 태양전지 제조용 기판을 트랜스퍼 모듈 챔버로 옮긴 후, 다수의 프로세스 모듈 챔버 중에서 어느 한 프로세스 모듈 챔버로 전달함으로써 해당 프로세스 모듈 챔버 내에서 박막 태양전지 제조용 기판에 대한 증착 공정이 이루어지게 되며, 작업이 완료되면 전술한 역순으로 박막 태양전지 제조용 기판이 취출된다.Therefore, when the substrate for manufacturing the thin film solar cell is introduced into the load lock chamber, the substrate handling robot in the transfer module chamber transfers the substrate for manufacturing the thin film solar cell to the transfer module chamber, and then transfers the substrate to any one of the plurality of process module chambers. The deposition process for the thin film solar cell manufacturing substrate is performed in the process module chamber, and when the operation is completed, the thin film solar cell manufacturing substrate is taken out in the reverse order described above.

한편, 이러한 종래의 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는, 다수의 박막 태양전지 제조용 기판에 대한 증착 공정이 동시에 진행될 수 있도록 마련되는 다수의 반응 챔버를 포함한다. 다수의 반응 챔버는 다수의 프로세스 모듈 챔버 내에 각각 배치됨으로써 한꺼번에 많은 양의 박막 태양전지 제조용 기판에 대한 증착 공정이 진행되게 된다.Meanwhile, the conventional chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell includes a plurality of reaction chambers provided to simultaneously perform a deposition process for a plurality of thin film solar cell manufacturing substrates. Since the plurality of reaction chambers are disposed in the plurality of process module chambers, deposition processes for a large amount of thin film solar cell manufacturing substrates are performed at one time.

그러나, 종래의 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는, 다수의 반응 챔버의 유지보수시 이를 간편하게 프로세스 모듈 챔버로부터 분리시킬 수 있는 구조를 갖추고 있지 못하므로 반응 챔버의 유지보수가 불편한 문제점이 있다.However, the conventional chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell has a problem that maintenance of the reaction chamber is inconvenient because it does not have a structure that can be easily separated from the process module chamber during maintenance of a plurality of reaction chambers.

또한, 종래의 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는, 반응 챔버의 유지보수를 위한 넓은 면적의 추가공간을 필요로 하므로 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 구축면적(Footprint)이 상대적으로 커지는 문제점이 있다.In addition, the conventional chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell requires a large area of additional space for maintenance of the reaction chamber, so that the construction area of the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell is relatively large. have.

이에, 다수의 반응 챔버를 간편하게 유지보수할 수 있도록 하면서도, 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 구축면적(Footprint)을 줄일 수 있는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치에 대한 연구개발이 요구되는 실정이다.Thus, while maintaining a large number of reaction chambers, it is necessary to research and develop a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell that can reduce the footprint of the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell. .

본 발명의 목적은, 다수의 반응 챔버를 프로세스 모듈 챔버의 내부로 간편하게 인입시키거나 취출시킬 수 있게 되어 반응 챔버의 유지보수가 간편해지고, 유지보수를 위한 추가공간을 줄일 수 있도록 함으로써 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 구축면적(Footprint)을 종래에 비하여 상대적으로 감소시킬 수 있는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to manufacture a thin film solar cell by allowing a plurality of reaction chambers to be easily introduced into or taken out of a process module chamber, thereby simplifying maintenance of the reaction chamber and reducing additional space for maintenance. The present invention provides a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell capable of relatively reducing a footprint of the chemical vapor deposition apparatus.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 박막 태양전지 제조용 기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버(Transfer Module Chamber); 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 상기 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버(Loadlock Chamber); 및 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 상기 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 적어도 하나의 프로세스 모듈 챔버(Process Module Chamber)를 포함하며, 상기 프로세스 모듈 챔버는, 다수의 반응 챔버; 상기 다수의 반응 챔버에 각각 결합되며 상호 다른 가로 길이를 갖는 다수의 반응 챔버 고정판; 및 상기 프로세스 모듈 챔버의 양 측벽으로부터 각각 돌출되되, 상기 반응 챔버 고정판의 양단부가 각각 안착되도록 한 쌍씩 상하 방향으로 상호 이격되는 다수의 고정판 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치에 의하여 달성된다.The object is, according to the present invention, the transfer module chamber (Transfer Module Chamber) provided with a substrate handling robot for handling the substrate for manufacturing a thin film solar cell; At least one loadlock chamber connected to one side of the transfer module chamber to allow the substrate to enter and exit the substrate; And at least one process module chamber connected to the other side of the transfer module chamber to perform a substantial deposition process on the substrate, wherein the process module chamber comprises: a plurality of reaction chambers; A plurality of reaction chamber fixing plates each coupled to the plurality of reaction chambers and having different transverse lengths; And a plurality of fixing plate supports which protrude from both sidewalls of the process module chamber and are spaced apart from each other in a vertical direction by a pair so that both ends of the reaction chamber fixing plate are seated, respectively. Is achieved.

상기 다수의 반응 챔버는 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버를 포함하며, 상기 다수의 반응 챔버 고정판은 상기 제1 반응 챔버의 상면에 결합되는 제1 반응 챔버 고정판 및 상기 제2 반응 챔버의 상면에 결합되는 제2 반응 챔버 고정판을 포함하고, 상기 다수의 고정판 지지부는 상기 제1 반응 챔버 고정판의 양단부가 각각 안착되는 제1 고정판 지지부 및 상기 제2 반응 챔버 고정판의 양단부가 각각 안착되는 제2 고정판 지지부를 포함하되, 상기 한 쌍의 제1 고정판 지지부 사이의 거리는 상기 한 쌍의 제2 고정판 지지부 사이의 거리보다 클 수 있다.The plurality of reaction chambers may include a first reaction chamber and a second reaction chamber, and the plurality of reaction chamber fixing plates may be disposed on an upper surface of the first reaction chamber fixing plate and the second reaction chamber coupled to an upper surface of the first reaction chamber. And a second reaction chamber fixing plate coupled to each other, wherein the plurality of fixing plate supporting parts include: a first fixing plate support portion on which both ends of the first reaction chamber fixing plate are seated; and a second fixing plate support portion on which both ends of the second reaction chamber fixing plate are respectively seated. Including, but the distance between the pair of first fixing plate support may be greater than the distance between the pair of second fixing plate support.

상기 제2 반응 챔버 고정판의 가로 길이는 상기 한 쌍의 제1 고정판 지지부 사이의 거리보다 작을 수 있다.The horizontal length of the second reaction chamber fixing plate may be smaller than the distance between the pair of first fixing plate supports.

상기 반응 챔버 고정판은 양단부로부터 가로 방향으로 돌출되는 안착 돌기를 포함하며, 상기 고정판 지지부에는 상기 안착 돌기의 형상에 대응되는 단턱이 형성될 수 있다.The reaction chamber fixing plate may include a seating protrusion protruding from both ends in a horizontal direction, and a stepped portion corresponding to the shape of the seating protrusion may be formed on the fixing plate support.

상기 반응 챔버 고정판은 상기 안착 돌기의 하측 표면으로부터 돌출되는 결합 돌기를 더 포함하며, 상기 단턱에는 상기 결합 돌기가 삽입 결합되는 결합 홈이 형성될 수 있다.The reaction chamber fixing plate further includes a coupling protrusion protruding from the lower surface of the seating protrusion, and the stepped groove may be provided with a coupling groove into which the coupling protrusion is inserted.

상기 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는, 상기 다수의 반응 챔버가 각각 상기 프로세스 모듈 챔버의 상측을 통해 상기 프로세스 모듈 챔버 측으로 인입되거나 취출되도록 상기 프로세스 모듈 챔버의 상측을 덮는 챔버 리드를 더 포함할 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus for manufacturing the thin film solar cell may further include a chamber lid covering the upper side of the process module chamber such that the plurality of reaction chambers respectively enter or exit through the upper side of the process module chamber. have.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 박막 태양전지 제조용 기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버(Transfer Module Chamber); 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 상기 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버(Loadlock Chamber); 및 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 상기 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 적어도 하나의 프로세스 모듈 챔버(Process Module Chamber)를 포함하며, 상기 프로세스 모듈 챔버는, 다수의 반응 챔버; 및 상기 반응 챔버가 상기 프로세스 모듈 챔버의 전방 또는 후방으로 인입되거나 취출될 수 있도록, 상기 프로세스 모듈 챔버의 양 측벽과 상기 반응 챔버의 양단부 사이에 마련되는 다수의 슬라이딩유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치에 의해서도 달성된다.The object is, according to the present invention, the transfer module chamber (Transfer Module Chamber) provided with a substrate handling robot for handling the substrate for manufacturing a thin film solar cell; At least one loadlock chamber connected to one side of the transfer module chamber to allow the substrate to enter and exit the substrate; And at least one process module chamber connected to the other side of the transfer module chamber to perform a substantial deposition process on the substrate, wherein the process module chamber comprises: a plurality of reaction chambers; And a plurality of sliding units provided between both sidewalls of the process module chamber and both ends of the reaction chamber so that the reaction chamber can be introduced into or withdrawn from the front or rear of the process module chamber. It is also achieved by a chemical vapor deposition apparatus for producing solar cells.

상기 다수의 슬라이딩유닛은 각각, 상기 적어도 하나의 프로세스 모듈 챔버의 양 측벽에 결합되는 고정부; 상기 반응 챔버가 상기 프로세스 모듈 챔버의 전방 또는 후방으로 움직일 수 있도록 상기 고정부에 대하여 상대이동 가능하게 마련되는 가이드레일부; 및 상기 가이드레일부에 대하여 상대이동 가능하게 마련되며 상기 반응 챔버와 상기 가이드레일부를 상호 연결하는 연결부를 포함할 수 있다.Each of the plurality of sliding units may include fixing parts coupled to both sidewalls of the at least one process module chamber; A guide rail part provided to be movable relative to the fixing part so that the reaction chamber can move forward or backward of the process module chamber; And a connection part provided to be movable relative to the guide rail part and interconnecting the reaction chamber and the guide rail part.

상기 고정부는, 상기 프로세스 모듈 챔버의 양측벽에 결합되는 고정판; 및 상기 고정판에 결합되는 제1 고정블록을 포함할 수 있다.The fixing unit may include a fixing plate coupled to both side walls of the process module chamber; And it may include a first fixing block coupled to the fixing plate.

상기 연결부는, 상기 반응 챔버를 지지하도록 상기 반응 챔버의 양단부에 마련되는 지지판; 및 상기 지지판에 결합되는 제2 고정블록을 포함할 수 있다.The connection part may include support plates provided at both ends of the reaction chamber to support the reaction chamber; And it may include a second fixing block coupled to the support plate.

상기 가이드레일부는, 상기 제1 고정블록에 대하여 상대이동 가능하게 마련되는 제1 가이드레일부재; 상기 제2 고정블록에 대하여 상대이동 가능하게 마련되는 제2 가이드레일부재; 및 상기 제1 가이드레일부재와 상기 제2 가이드레일부재를 연결하는 제3 가이드레일부재를 포함하며, 상기 제1 가이드레일부재, 상기 제2 가이드레일부재 및 상기 제3 가이드레일부재는 일체로 마련될 수 있다.The guide rail unit may include a first guide rail member provided to be movable relative to the first fixed block; A second guide rail member provided to be movable relative to the second fixed block; And a third guide rail member connecting the first guide rail member and the second guide rail member, wherein the first guide rail member, the second guide rail member, and the third guide rail member are integrally provided. Can be.

상기 제1 가이드레일부재와 상기 제2 가이드레일부재는 상하 방향으로 상호 단차를 두고 상기 제3 가이드레일부재에 결합될 수 있다.The first guide rail member and the second guide rail member may be coupled to the third guide rail member with a step in the vertical direction.

상기 제1 고정블록은, 상기 고정판의 상측 및 하측 각각에 다수 개가 마련되며, 상기 제1 가이드레일부재는 상기 제1 고정블록에 각각 결합되도록 이중으로 마 련되는 제1 가이드레일부재이고, 상기 제2 고정블록은, 상기 지지판의 상측 및 하측 각각에 다수 개가 마련되며, 상기 제2 가이드레일부재는 상기 제2 고정블록에 각각 결합되도록 이중으로 마련되는 제2 가이드레일부재일 수 있다.A plurality of first fixing blocks are provided on each of the upper side and the lower side of the fixing plate, and the first guide rail member is a first guide rail member dually provided to be coupled to the first fixing block, respectively. A plurality of fixing blocks may be provided on each of the upper side and the lower side of the support plate, and the second guide rail member may be a second guide rail member provided in double so as to be coupled to the second fixing block, respectively.

상기 지지판은 'ㄴ'자 형상을 갖는 브라켓으로 마련되어 상기 반응 챔버의 하측면 일부를 지지할 수 있다.The support plate may be provided as a bracket having a 'b' shape to support a portion of the lower side of the reaction chamber.

상기 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치는, 상기 고정부 및 상기 가이드레일부와, 상기 가이드레일부 및 상기 연결부 상호 간에 각각 결합되어 상기 반응 챔버의 위치를 고정하는 반응 챔버 고정부를 더 포함할 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell may further include a reaction chamber fixing unit coupled to each of the fixing unit and the guide rail unit and the guide rail unit and the connecting unit to fix the position of the reaction chamber. have.

본 발명에 의하면, 다수의 반응 챔버에 각각 결합되는 반응 챔버 고정판과, 반응 챔버 고정판의 양단부에 각각 결합되는 다수의 고정판 지지부를 포함하여, 다수의 반응 챔버를 프로세스 모듈 챔버의 내부로 간편하게 인입시키거나 취출할 수 있게 되어 반응 챔버의 유지보수가 간편해지고, 유지보수를 위한 추가공간을 줄일 수 있도록 함으로써 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 구축면적(Footprint)을 종래에 비하여 상대적으로 감소시킬 수 있게 된다.According to the present invention, a plurality of reaction chambers may be easily introduced into the process module chamber, including a reaction chamber fixing plate coupled to each of the plurality of reaction chambers, and a plurality of fixing plate supports coupled to both ends of the reaction chamber fixing plate, respectively. By taking it out, the maintenance of the reaction chamber is simplified, and the additional space for maintenance can be reduced, so that the footprint of the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell can be relatively reduced. .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, descriptions of already known functions or configurations will be omitted to clarify the gist of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 프로세스 모듈 챔버의 개략적인 구성도이며, 도 3은 다수의 반응 챔버가 결합된 도 2의 프로세스 모듈 챔버의 개략적인 모식도이고, 도 4는 도 3의 프로세스 모듈 챔버로부터 다수의 반응 챔버를 각각 취출하는 원리를 나타낸 개략적인 모식도이다.1 is a schematic configuration diagram of a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic configuration diagram of a process module chamber of the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell of Figure 1 3 is a schematic diagram of the process module chamber of FIG. 2 in which a plurality of reaction chambers are coupled, and FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a principle of taking out a plurality of reaction chambers from the process module chamber of FIG. 3, respectively.

이들 도면을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치(100, 이하 '화학 기상 증착 장치'), 증착 공정 대상의 기판이 인입되거나 증착이 완료된 기판이 취출되는 로드락 챔버(110)와, 로드락 챔버(110)와 연결되며 기판 핸들링 로봇(180)이 내부에 구비된 트랜스퍼 모듈 챔버(170)와, 트랜스퍼 모듈 챔버(170)에 연결되어 실질적인 증착 공정을 진행하는 다수의 프로세스 모듈 챔버(120)를 구비한다.Referring to these drawings, a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell according to the first embodiment of the present invention (hereinafter, referred to as a 'chemical vapor deposition apparatus'), a substrate into which a deposition process target is introduced or a substrate on which deposition is completed is taken out The load lock chamber 110 is connected to the load lock chamber 110 and is connected to the transfer module chamber 170 having the substrate handling robot 180 therein and the transfer module chamber 170 to perform a substantial deposition process. A plurality of process module chamber 120 is provided.

본 실시예의 화학 기상 증착 장치(100)는, 트랜스퍼 모듈 챔버(170)가 평면 투영 시 8각형의 구조를 가지며, 8개의 각 변에, 로드락 챔버(110)와 6개의 프로세스 모듈 챔버(120)가 동심적으로 배열되면서 트랜스퍼 모듈 챔버(170)에 연결된 구조를 갖는다.In the chemical vapor deposition apparatus 100 according to the present exemplary embodiment, the transfer module chamber 170 has an octagonal structure when the plane is projected, and on each of the eight sides, the load lock chamber 110 and the six process module chambers 120 are provided. Are arranged concentrically and have a structure connected to the transfer module chamber 170.

하지만, 본 발명의 권리범위가 이에 제한될 필요는 없다. 즉, 로드락 챔버(110)와 프로세스 모듈 챔버(120)가 트랜스퍼 모듈 챔버(170)와 연결되는 구조를 갖는다면 그것으로 충분하므로, 트랜스퍼 모듈 챔버(170)는 8각형의 구조를 떠나 다양한 다각형의 구조를 가질 수도 있는 것이다.However, the scope of the present invention need not be limited thereto. That is, if the load lock chamber 110 and the process module chamber 120 has a structure that is connected to the transfer module chamber 170, it is sufficient, so that the transfer module chamber 170 leaves the octagonal structure, It may have a structure.

다만, 이하에서는 도 1을 참조하여 8각형 구조의 트랜스퍼 모듈 챔버(170)에 로드락 챔버(110)와, 6개의 프로세스 모듈 챔버(120)가 연결되는 것에 대해 상세히 설명하기로 한다.However, hereinafter, the load lock chamber 110 and the six process module chambers 120 will be described in detail with reference to FIG. 1.

로드락 챔버(110)는, 증착 대상의 기판이 인입되는 인입 로드락 챔버(110a)와, 증착이 완료된 기판이 취출되는 취출 로드락 챔버(110b)로 구분된다.The load lock chamber 110 is divided into an incoming load lock chamber 110a through which a substrate to be deposited is introduced and a takeout load lock chamber 110b through which a substrate on which deposition is completed is taken out.

본 실시예에서 인입 로드락 챔버(110a)와 취출 로드락 챔버(110b)는 상호 인접되도록 트랜스퍼 모듈 챔버(170)에 연결되고 있다. 이는 기판 핸들링 로봇(180)의 동작 거리를 가능한 한 줄여 택트 타임(tact time)을 감소시키기 위한 하나의 방편인데, 본 발명이 이에 제한될 필요는 없는 것이다.In this embodiment, the inlet load lock chamber 110a and the takeout load lock chamber 110b are connected to the transfer module chamber 170 so as to be adjacent to each other. This is one way to reduce the tact time by reducing the operating distance of the substrate handling robot 180 as much as possible, but the present invention is not limited thereto.

인입 로드락 챔버(110a) 및 취출 로드락 챔버(110b)에 대해 부연한다. 프로세스 모듈 챔버(120)를 통한 기판의 증착 공정이 진행되기 위해 기판 핸들링 로봇(180)이 증착 대상의 기판을 해당 프로세스 모듈 챔버(120)로 이송시키게 되는데, 이 때 대기압 상태에 있는 기판을 직접 고온 저압의 프로세스 모듈 챔버(120)로 진입시키는 과정에 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 프로세스 모듈 챔버(120)로 이송하기 전에 프로세스 모듈 챔버(120)와 동일한 환경을 조성해줄 필요가 있다. 이를 위해 인입 로드락 챔버(110a)가 마련되는 것이다.It is described with respect to the incoming load lock chamber 110a and the extraction load lock chamber 110b. In order to proceed with the deposition process of the substrate through the process module chamber 120, the substrate handling robot 180 transfers the substrate to be deposited into the corresponding process module chamber 120, wherein the substrate under atmospheric pressure is directly heated to a high temperature. Since the process of entering the low pressure process module chamber 120 is difficult, it is necessary to create the same environment as the process module chamber 120 before transferring the substrate to the process module chamber 120. For this purpose, the incoming load lock chamber 110a is provided.

다시 말해, 인입 로드락 챔버(110a)는 장치 외측의 로봇(미도시)에 의해 외부로부터 증착 대상의 기판이 인입되면, 내부의 환경을 프로세스 모듈 챔버(120)와 실질적으로 동일한 온도와 압력으로 조성하는 역할을 한다. 이처럼 프로세스 모듈 챔버(120)와 실질적으로 동일한 환경이 조성된 인입 로드락 챔버(110a) 내의 기판은, 트랜스퍼 모듈 챔버(170)에 마련되는 기판 핸들링 로봇(180)에 의해 핸들링되 어 해당 프로세스 모듈 챔버(120)로 이송된 후 그 곳에서 해당 증착 공정이 수행된다.In other words, when the substrate to be deposited is introduced from the outside by a robot (not shown) outside the apparatus, the incoming load lock chamber 110a creates an internal environment at a temperature and pressure substantially the same as that of the process module chamber 120. It plays a role. In this way, the substrate in the inlet load lock chamber 110a having the substantially same environment as the process module chamber 120 is handled by the substrate handling robot 180 provided in the transfer module chamber 170 and the corresponding process module chamber. After being transferred to 120, the deposition process is performed there.

이와는 반대로, 프로세스 모듈 챔버(120) 내에서 증착 공정이 완료된 기판은 기판 핸들링 로봇(180)에 의해 핸들링되어 장치의 외부로 취출되어야 하는데, 이 경우에도 외부와 실질적으로 동일한 온도와 압력을 유지한 채로 기판이 취출되어야 하기 때문에 취출 로드락 챔버(110b)가 마련되는 것이다.On the contrary, the substrate in which the deposition process is completed in the process module chamber 120 should be handled by the substrate handling robot 180 and taken out of the device, while maintaining the temperature and pressure substantially the same as the outside. Since the substrate has to be taken out, the takeout load lock chamber 110b is provided.

결과적으로 인입 로드락 챔버(110a)와 취출 로드락 챔버(110b)는 기판에 대한 출입 통로를 형성하기는 하되, 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 내부 및 외부 환경 조건에 기초하여 미리 기판의 상태를 조율하기 위해 마련된다.As a result, the incoming load lock chamber 110a and the extraction load lock chamber 110b form an access passage to the substrate, but the state of the substrate is based on the internal and external environmental conditions of the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell. Is arranged to coordinate.

하지만, 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니므로, 인입 로드락 챔버(110a)와 취출 로드락 챔버(110b)가 반드시 구분되어 마련될 필요는 없다. 다시 말해 하나의 로드락 챔버(미도시)만을 마련하고, 이 로드락 챔버를 통해서 기판의 출입이 모두 가능하도록 해도 무방하다.However, since the scope of the present invention is not limited thereto, the inlet load lock chamber 110a and the takeout load lock chamber 110b are not necessarily provided separately. In other words, only one load lock chamber (not shown) may be provided, and the substrate may be allowed to enter and exit all through the load lock chamber.

다만, 본 실시예와 같이 인입 로드락 챔버(110a)와 취출 로드락 챔버(110b)가 별개로 마련될 경우라면 기판의 출입에 따른 로딩(loading) 혹은 대기 시간 등이 줄어들 수 있어 택트 타임 감소의 효과를 기대할 수 있고, 따라서 생산성 향상에 도움이 될 것임에 틀림이 없다.However, when the inlet load lock chamber 110a and the takeout load lock chamber 110b are separately provided as in the present embodiment, loading or waiting time may be reduced according to the entrance and exit of the substrate, thereby reducing tact time. It can be expected to be effective, and therefore must help to increase productivity.

트랜스퍼 모듈 챔버(170)는 6개의 프로세스 모듈 챔버(120)와 2개의 로드락 챔버(110a, 110b)를 연결하는 챔버이다. 트랜스퍼 모듈 챔버(170)는 도시된 바와 같이 평면 투영 시 8각형 구조를 갖는다.The transfer module chamber 170 is a chamber connecting six process module chambers 120 and two load lock chambers 110a and 110b. The transfer module chamber 170 has an octagonal structure in planar projection as shown.

앞서도 기술한 바와 같이, 트랜스퍼 모듈 챔버(170)의 내부에는 6개의 프로세스 모듈 챔버(120)와 2개의 로드락 챔버(110a, 110b)로 예컨대 5장의 기판을 동시에 핸들링(handling)하는 기판 핸들링 로봇(180)이 마련되고, 또한 트랜스퍼 모듈 챔버(170)의 내부에서 기판 핸들링 로봇(180)에 의해 가로/세로의 폭이 1.5 미터 내외의 소위, 5세대라 불리는 기판이 이송되어야 하므로 트랜스퍼 모듈 챔버(170)는 거대한 구조물로 마련된다.As described above, a substrate handling robot (eg, five substrates) is simultaneously handled by six process module chambers 120 and two load lock chambers 110a and 110b inside the transfer module chamber 170. 180 is provided, and the transfer module chamber 170 is required to transfer a so-called fifth generation substrate having a width / vertical width of about 1.5 meters by the substrate handling robot 180 within the transfer module chamber 170. ) Is provided with a huge structure.

한편, 6개의 프로세스 모듈 챔버(120)는 고온 저압의 환경에서 기판에 대한 실질적인 증착 공정을 진행하는 부분이다.On the other hand, the six process module chamber 120 is a portion for performing a substantial deposition process on the substrate in an environment of high temperature and low pressure.

6개의 프로세스 모듈 챔버(120)는 각각, 다수의 기판에 대한 증착 공정이 동시에 진행될 수 있도록 내부에 마련되는 다수의 반응 챔버(131 내지 135)를 포함한다. 물론, 반응 챔버(131 내지 135)의 개수는 필요에 따라 조정될 수 있는 사항으로 본 발명의 권리범위는 반응 챔버(131 내지 135)의 개수에 의하여 제한되지 않는다.Each of the six process module chambers 120 includes a plurality of reaction chambers 131 to 135 provided therein so that deposition processes for a plurality of substrates may be simultaneously performed. Of course, the number of reaction chambers 131 to 135 may be adjusted as necessary, and the scope of the present invention is not limited by the number of reaction chambers 131 to 135.

이하에서는, 설명의 편의를 위하여 프로세스 모듈 챔버(120)의 내부에 마련된 두 개의 반응 챔버(131, 132)를 기준으로 본 실시예를 설명한다.Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to two reaction chambers 131 and 132 provided inside the process module chamber 120 for convenience of description.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 프로세스 모듈 챔버(120)는, 반응 챔버(131, 132)와, 반응 챔버(131, 132)의 상면에 각각 결합되는 반응 챔버 고정판(141, 142)과, 반응 챔버 고정판(141, 142)이 안착되는 고정판 지지부(151, 152)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the process module chamber 120 of the present embodiment may include reaction chambers 131 and 132 and reaction chamber fixing plates 141 and 142 coupled to upper surfaces of the reaction chambers 131 and 132, respectively. , And fixing plate supporting parts 151 and 152 on which the reaction chamber fixing plates 141 and 142 are seated.

반응 챔버(131, 132)는 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 부분으 로 제1 반응 챔버(131) 및 제2 반응 챔버(132)를 포함한다. 제1 반응 챔버(131) 및 제2 반응 챔버(132)는 각각, 기판이 로딩되는 서셉터(미도시)와, 기판의 표면에 증착막이 증착될 수 있도록 서셉터(미도시)의 상부에 마련되어 서셉터(미도시) 상에 로딩된 기판의 표면으로 막 증착을 위한 반응성 가스 이온을 방출시키는 전극(미도시)과, 서셉터(미도시) 상으로 기판을 로딩 및 언로딩시키기 위한 리프트 핀(미도시, lift pin)과, 전극(미도시)을 지지하는 현가지지수단(미도시)과, 전극(미도시)의 처짐을 방지하는 처짐방지수단(미도시) 등을 포함하며, 반응 챔버(131, 132)의 전면에는 기판의 인출입을 위한 슬롯(131s, 132s)이 형성된다.The reaction chambers 131 and 132 include a first reaction chamber 131 and a second reaction chamber 132 as a portion where a substantial deposition process is performed on the substrate. The first reaction chamber 131 and the second reaction chamber 132 are respectively provided on a susceptor (not shown) on which the substrate is loaded and on the susceptor (not shown) so that a deposition film may be deposited on the surface of the substrate. An electrode (not shown) for releasing reactive gas ions for film deposition onto the surface of the substrate loaded on the susceptor (not shown), and a lift pin for loading and unloading the substrate onto the susceptor (not shown) A lift pin, a suspension supporting means (not shown) for supporting the electrode (not shown), and a sag prevention means (not shown) for preventing the electrode (not shown) from being sag, and the reaction chamber ( Slots 131s and 132s are formed on front surfaces of the 131 and 132 to draw in and out of the substrate.

반응 챔버 고정판(141, 142)은, 반응 챔버(131, 132)의 상면에 결합되어 프로세스 모듈 챔버(120)의 내부에 갖춰진 고정판 지지부(151, 152)에 각각 안착되는 구성으로, 제1 반응 챔버 고정판(141) 및 제2 반응 챔버 고정판(142)을 포함한다.The reaction chamber fixing plates 141 and 142 are coupled to the upper surfaces of the reaction chambers 131 and 132, respectively, and are mounted on the fixing plate supporting parts 151 and 152 provided inside the process module chamber 120. And a fixing plate 141 and a second reaction chamber fixing plate 142.

제1 반응 챔버 고정판(141) 및 제2 반응 챔버 고정판(142)에는 각각 양단부로부터 길이방향으로 돌출되는 안착 돌기(141a, 142a)가 형성되며, 안착 돌기(141a, 142a)는 반응 챔버 고정판(141, 142)의 상측 양단부로부터 길이방향으로 각각 돌출되어 고정판 지지부(151, 152)에 형성된 단턱(151a, 152a)에 안착 되는 부분이다. 다만, 본 발명의 다른 실시예에 따라 안착 돌기(141a, 142a)는 도 3에 도시된 것과 다른 형상으로 마련될 수도 있으며, 이에 따라 단턱(151a, 152a)의 형상도 달라질 수 있고, 본 발명의 권리범위는 안착 돌기(141a, 142a) 및 단턱(151a, 152a)의 형상에 의하여 제한되지 않는다.In the first reaction chamber fixing plate 141 and the second reaction chamber fixing plate 142, seating protrusions 141a and 142a protruding in the longitudinal direction from both ends are formed, and the seating protrusions 141a and 142a are the reaction chamber fixing plate 141. And 142 protrude in the longitudinal direction from both upper ends of the upper portion 142 to be seated on the stepped portions 151a and 152a formed on the fixing plate support portions 151 and 152. However, according to another embodiment of the present invention, the mounting protrusions 141a and 142a may be provided in a shape different from that shown in FIG. 3, and thus, the shapes of the stepped portions 151a and 152a may also be changed. The right range is not limited by the shapes of the seating protrusions 141a and 142a and the stepped portions 151a and 152a.

도시되지는 않았지만, 안착 돌기(141a, 142a)의 하면에는 각각 표면으로부터 돌출되는 결합 돌기(미도시)가 마련되며, 결합 돌기(미도시)는 단턱(151a, 152a)의 상면에 형성되는 결합 홈(미도시)에 삽입 고정됨으로써 반응 챔버(131, 132)가 프로세스 모듈 챔버(120)의 내부에 안정적으로 고정될 수 있도록 한다.Although not shown, coupling protrusions (not shown) protruding from the surface of the seating protrusions 141a and 142a are respectively provided, and coupling protrusions (not shown) are coupling grooves formed on the upper surfaces of the stepped portions 151a and 152a. By being inserted into and fixed to (not shown), the reaction chambers 131 and 132 can be stably fixed inside the process module chamber 120.

한편, 고정판 지지부(151, 152)는 프로세스 모듈 챔버(120)의 양 측벽으로부터 각각 돌출되어 반응 챔버 고정판(141, 142)이 안착되는 부분으로 제1 고정판 지지부(151) 및 제2 고정판 지지부(152)를 포함한다.Meanwhile, the fixing plate supporting parts 151 and 152 protrude from both sidewalls of the process module chamber 120, respectively, where the reaction chamber fixing plates 141 and 142 are seated. The first fixing plate supporting part 151 and the second fixing plate supporting part 152 are respectively provided. ).

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 고정판 지지부(151, 152)는 프로세스 모듈 챔버(120)의 양 측벽으로부터 한 쌍으로 각각 돌출되며 프로세스 모듈 챔버(120)의 높이 방향(Y 방향)을 따라 상호 일정간격 이격되어 마련된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the fixed plate supports 151 and 152 protrude in pairs from both side walls of the process module chamber 120 and along the height direction (Y direction) of the process module chamber 120. It is provided at regular intervals from each other.

전술한 바와 같이 고정판 지지부(151, 152)에는, 반응 챔버 고정판(141, 142)의 안착 돌기(141a, 142a)가 안착될 수 있도록 단턱(151a, 152a)이 형성되며, 단턱(151a, 152a)은 고정판 지지부(151, 152)의 하측 부분이 돌출되도록 형성된다. 즉, 단턱(151a, 152a)은 안착 돌기(141a, 142a)의 형상에 대응하는 형상을 가짐으로써 반응 챔버(131, 132)가 프로세스 모듈 챔버(120)의 내부에 안정적으로 배치될 수 있도록 한다.As described above, the stepped plates 151a and 152a are formed on the fixed plate supporting parts 151 and 152 so that the mounting protrusions 141a and 142a of the reaction chamber fixing plates 141 and 142 are seated, and the stepped bars 151a and 152a. Is formed so that the lower portion of the fixing plate support (151, 152) protrudes. That is, the step 151a, 152a has a shape corresponding to the shape of the seating protrusions 141a, 142a so that the reaction chambers 131, 132 can be stably disposed in the process module chamber 120.

한편, 프로세스 모듈 챔버(120)의 양 측벽으로부터 돌출되는 제1 고정판 지지부(151)의 돌출길이는, 프로세스 모듈 챔버(120)의 양 측벽으로부터 돌출되는 제2 고정판 지지부(152)의 돌출길이보다 작도록 마련된다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이 한 쌍의 제1 고정판 지지부(151) 사이의 거리(L1)는 한 쌍의 제2 고정판 지지부(152) 사이의 거리(L2)보다 작다.Meanwhile, the protruding length of the first fixing plate support 151 protruding from both side walls of the process module chamber 120 is smaller than the protruding length of the second fixing plate support 152 protruding from both side walls of the process module chamber 120. It is prepared to. That is, as shown in FIG. 4, the distance L1 between the pair of first fixing plate supports 151 is smaller than the distance L2 between the pair of second fixing plate supports 152.

이와 함께, 제2 반응 챔버 고정판(142)의 가로 길이(L4, X 방향 길이)는, 제1 반응 챔버 고정판(141)의 가로 길이(L3, X 방향 길이)보다 작으며, 한 쌍의 제1 고정판 지지부(151) 사이의 거리(L1)보다 작도록 마련된다.In addition, the horizontal lengths (L4, X-direction length) of the second reaction chamber fixing plate 142 are smaller than the horizontal lengths (L3, X-direction length) of the first reaction chamber fixing plate 141, and the pair of first It is provided to be smaller than the distance (L1) between the fixing plate support portion 151.

이처럼, 고정판 지지부(151, 152) 사이의 거리(L1, L2)를 서로 다르게 하고, 반응 챔버 고정판(141, 142)의 가로 길이(L3, L4)를 달리하는 이유는, 프로세스 모듈 챔버(120)로부터 반응 챔버(131, 132)를 취출시키거나, 프로세스 모듈 챔버(120)의 내부로 반응 챔버(131, 132)를 인입시키는 경우 취출 및 인입의 편의를 도모하기 위함이다.As such, the distances L1 and L2 between the fixing plate supporting parts 151 and 152 are different from each other and the horizontal lengths L3 and L4 of the reaction chamber fixing plates 141 and 142 are different from each other. This is for convenience of taking out and drawing out when the reaction chambers 131 and 132 are withdrawn from the reaction chamber or when the reaction chambers 131 and 132 are led into the process module chamber 120.

반응 챔버(131, 132)는 프로세스 모듈 챔버(120)의 상측을 덮는 챔버 리드(161, 도 3 참조)를 분리시킨 후, 프로세스 모듈 챔버(120)의 상측을 통해 프로세스 모듈 챔버(120) 내부로 인입되거나 취출된다.The reaction chambers 131 and 132 separate the chamber lid 161 (see FIG. 3) covering the upper side of the process module chamber 120 and then into the process module chamber 120 through the upper side of the process module chamber 120. It is withdrawn or withdrawn.

반응 챔버(131, 132)를 프로세스 모듈 챔버(120) 내부로 인입시키는 경우, 제2 반응 챔버(132)를 먼저 프로세스 모듈 챔버(120)의 내부로 인입시키게 되는데, 제2 반응 챔버(132)의 상면에 결합되는 제2 반응 챔버 고정판(142)의 길이(L4)는 한 쌍으로 마련되는 제1 고정판 지지부(151) 사이의 거리(L1)보다 작으므로, 제2 반응 챔버(132)는 제1 고정판 지지부(151)에 걸리지 않고 제2 고정판 지지부(152)에 안착될 수 있게 된다.When the reaction chambers 131 and 132 are introduced into the process module chamber 120, the second reaction chamber 132 is first introduced into the process module chamber 120. Since the length L4 of the second reaction chamber fixing plate 142 coupled to the upper surface is smaller than the distance L1 between the first fixing plate supporters 151 provided as a pair, the second reaction chamber 132 may have a first length. It is possible to be seated on the second fixing plate support 152 without being caught by the fixing plate support 151.

마찬가지로, 반응 챔버(131, 132)를 프로세스 모듈 챔버(120)로부터 취출시키는 경우, 제1 반응 챔버(131)를 먼저 프로세스 모듈 챔버(120)의 밖으로 취출하며 다음으로 제2 반응 챔버(132)를 취출하게 되는데, 이 경우 제2 반응 챔버(132) 의 상면에 결합되는 제2 반응 챔버 고정판(142)의 가로 길이(L4)는 한 쌍으로 마련되는 제1 고정판 지지부(151) 사이의 거리(L1)보다 작으므로, 제2 반응 챔버(132)는 제1 고정판 지지부(151)에 걸리지 않고 프로세스 모듈 챔버(120) 밖으로 취출되게 된다.Similarly, when the reaction chambers 131 and 132 are withdrawn from the process module chamber 120, the first reaction chamber 131 is first taken out of the process module chamber 120 and then the second reaction chamber 132 is removed. In this case, the horizontal length L4 of the second reaction chamber fixing plate 142 coupled to the upper surface of the second reaction chamber 132 is a distance between the first fixing plate support part 151 provided as a pair (L1). Less than), the second reaction chamber 132 is withdrawn from the process module chamber 120 without being caught by the first fixing plate support 151.

본 실시예에서 설명되지 않은 반응 챔버(133, 134, 135)에 각각 마련되는 반응 챔버 고정판(미도시)과, 반응 챔버(133, 134, 135)가 각각 안착되는 고정판 지지부(미도시)에 대한 사항은 전술한 것과 동일하다. 즉, 반응 챔버(133, 134, 135)의 상면에 각각 마련되는 반응 챔버 고정판(미도시)의 가로 길이는 하측으로부터 상측으로 갈수록 길어지며, 반응 챔버(133, 134, 135)가 각각 안착되는 고정판 지지부(미도시) 사이의 거리는 프로세스 모듈 챔버(120)의 하측으로부터 상측으로 갈수록 길어진다. 이에 대한 중복되는 설명은 생략한다.Reaction chamber fixing plates (not shown) provided in the reaction chambers 133, 134, 135, which are not described in the present embodiment, and fixing plate supporting parts (not shown) on which the reaction chambers 133, 134, 135 are respectively seated. Matters are the same as described above. That is, the horizontal lengths of the reaction chamber fixing plates (not shown) respectively provided on the upper surfaces of the reaction chambers 133, 134, 135 become longer from the lower side to the upper side, and the fixing plates on which the reaction chambers 133, 134, 135 are respectively seated. The distance between the supports (not shown) becomes longer from the lower side to the upper side of the process module chamber 120. Duplicate description thereof will be omitted.

이처럼 본 실시예의 화학 기상 증착 장치(100)는, 유지보수 또는 기타 이유로 프로세스 모듈 챔버(120)로부터 반응 챔버(131, 132)를 취출시키거나 인입시키는 경우, 프로세스 모듈 챔버(120)의 상측을 덮는 챔버 리드(161)를 분리시키고, 프로세스 모듈 챔버(120)의 상측을 통해 반응 챔버(131, 132)를 이동시키게 되므로 화학 기상 증착 장치(100)의 유지보수를 간편하게 할 수 있는 장점을 갖는다.As such, the chemical vapor deposition apparatus 100 of the present embodiment covers an upper side of the process module chamber 120 when the reaction chambers 131 and 132 are withdrawn or drawn from the process module chamber 120 for maintenance or other reasons. Since the chamber lead 161 is separated and the reaction chambers 131 and 132 are moved through the upper side of the process module chamber 120, the maintenance of the chemical vapor deposition apparatus 100 may be simplified.

또한, 본 실시예의 화학 기상 증착 장치(100)는, 프로세스 모듈 챔버(120)의 상측으로 다수의 반응 챔버(131, 132)를 인입시키거나 취출시킬 수 있도록 함으로써, 유지보수를 위한 추가공간을 줄일 수 있으며, 이에 따라 화학 기상 증착 장치(100)의 구축면적(Footprint)을 종래에 비하여 상대적으로 감소시킬 수 있게 된 다.In addition, the chemical vapor deposition apparatus 100 of the present embodiment, by allowing the plurality of reaction chambers (131, 132) to be introduced or taken out above the process module chamber 120, to reduce the additional space for maintenance Accordingly, the footprint of the chemical vapor deposition apparatus 100 may be relatively reduced as compared with the related art.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 사시도이며, 도 6은 도 5의 정면도이고, 도 7은 도 5의 화학 기상 증착 장치의 프로세스 모듈 챔버 내에 반응 챔버가 고정된 상태를 나타낸 개략적인 평면도이며, 도 8은 도 5의 화학 기상 증착 장치의 프로세스 모듈 챔버로부터 반응 챔버가 취출된 상태를 나타낸 개략적인 평면도이다.5 is a perspective view of a chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG. 6 is a front view of FIG. 5, and FIG. 7 is a state in which a reaction chamber is fixed in a process module chamber of the chemical vapor deposition apparatus of FIG. 5. 8 is a schematic plan view illustrating a state where a reaction chamber is taken out from a process module chamber of the chemical vapor deposition apparatus of FIG. 5.

이들 도면을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치(미도시, 이하 '화학 기상 증착 장치'), 증착 공정 대상의 기판이 인입되거나 증착이 완료된 기판이 취출되는 로드락 챔버(미도시)와, 로드락 챔버(미도시)와 연결되며 기판 핸들링 로봇(미도시)이 내부에 구비된 트랜스퍼 모듈 챔버(미도시)와, 트랜스퍼 모듈 챔버(미도시)에 연결되어 실질적인 증착 공정을 진행하는 다수의 프로세스 모듈 챔버(220)를 구비한다.Referring to these drawings, a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell according to a second embodiment of the present invention (not illustrated, hereinafter referred to as a chemical vapor deposition apparatus), a substrate to which a deposition process target is introduced or a deposition is completed is taken out. A load lock chamber (not shown), a transfer module chamber (not shown) connected to the load lock chamber (not shown) and having a substrate handling robot (not shown), and a transfer module chamber (not shown) And a plurality of process module chambers 220 which undergo a substantial deposition process.

로드락 챔버(미도시), 기판 핸들링 로봇(미도시) 및 트랜스퍼 모듈 챔버(미도시)에 관한 사항은 전술한 실시예의 로드락 챔버(110), 기판 핸들링 로봇(180) 및 트랜스퍼 모듈 챔버(170)에 관한 사항과 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.Regarding the load lock chamber (not shown), the substrate handling robot (not shown) and the transfer module chamber (not shown), the load lock chamber 110, the substrate handling robot 180 and the transfer module chamber 170 of the above-described embodiment are described. ) Are the same as the above, so duplicate explanations are omitted.

프로세스 모듈 챔버(220)는 고온 저압의 환경에서 기판에 대한 실질적인 증착 공정을 진행하는 부분이다. 본 실시예의 프로세스 모듈 챔버(220)는 전술한 실시예와 마찬가지로 6개로 마련되며, 다수의 기판에 대한 증착 공정이 동시에 진행될 수 있도록 내부에 마련되는 다수의 반응 챔버(231, 232)를 포함한다. 설명의 편의를 위하여 나머지 4개의 반응 챔버(미도시)와, 프로세스 모듈 챔버(220)의 상측 을 덮는 챔버 리드(미도시)의 모습은 생략하였으며, 이하에서는 두 개의 반응 챔버(231, 232)를 기준으로 본 실시예를 설명한다.The process module chamber 220 is a part for performing a substantial deposition process on a substrate in an environment of high temperature and low pressure. The process module chamber 220 of the present embodiment is provided in six as in the above-described embodiment, and includes a plurality of reaction chambers 231 and 232 provided therein so that the deposition process for a plurality of substrates can be performed at the same time. For convenience of description, the remaining four reaction chambers (not shown) and the chamber lids (not shown) covering the upper side of the process module chamber 220 are omitted. Hereinafter, two reaction chambers 231 and 232 are omitted. This embodiment is demonstrated as a reference.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 프로세스 모듈 챔버(220)는, 반응 챔버(231, 232)와, 프로세스 모듈 챔버(220)의 양 측벽에 마련되는 슬라이딩유닛(241, 242)을 포함한다.As shown in FIG. 5, the process module chamber 220 of the present embodiment includes reaction chambers 231 and 232 and sliding units 241 and 242 provided on both sidewalls of the process module chamber 220. .

반응 챔버(231, 232)는 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 부분으로 각각, 기판이 로딩되는 서셉터(미도시)와, 기판의 표면에 증착막이 증착될 수 있도록 서셉터(미도시)의 상부에 마련되어 서셉터(미도시) 상에 로딩된 기판의 표면으로 막 증착을 위한 반응성 가스 이온을 방출시키는 전극(미도시)과, 서셉터(미도시) 상으로 기판을 로딩 및 언로딩시키기 위한 리프트 핀(미도시, lift pin)과, 전극(미도시)을 지지하는 현가지지수단(미도시)과, 전극(미도시)의 처짐을 방지하는 처짐방지수단(미도시) 등을 포함한다. 또한 반응 챔버(131, 132)의 전면에는 기판의 인출입을 위한 슬롯(231s, 232s)이 형성된다.The reaction chambers 231 and 232 are portions in which a substantial deposition process is performed on the substrate, and a susceptor (not shown) to which the substrate is loaded and a susceptor (not shown) to deposit a deposition film on the surface of the substrate, respectively. An electrode (not shown) provided at the top to release reactive gas ions for film deposition onto the surface of the substrate loaded on the susceptor (not shown), and for loading and unloading the substrate onto the susceptor (not shown) Lift pins (not shown), suspension support means (not shown) for supporting electrodes (not shown), and sag prevention means (not shown) for preventing sagging of electrodes (not shown). In addition, slots 231s and 232s are formed on front surfaces of the reaction chambers 131 and 132 for drawing out substrates.

슬라이딩유닛(241, 242)은 프로세스 모듈 챔버(120)의 양 측벽에 한 쌍으로 마련되며 반응 챔버(231, 232)의 양단부에 연결되어, 프로세스 모듈 챔버(220)의 외부로 반응 챔버(231, 232)를 취출시키거나 프로세스 모듈 챔버(220)의 내부로 반응 챔버(231, 232)를 인입시키는 경우, 반응 챔버(231, 232)가 이동하는 이동 경로를 제공하는 구성이다.Sliding units 241 and 242 are provided in pairs on both sidewalls of the process module chamber 120 and are connected to both ends of the reaction chambers 231 and 232 to the outside of the process module chamber 220. When taking out 232 or drawing reaction chambers 231 and 232 into the process module chamber 220, the reaction chambers 231 and 232 provide a movement path through which the reaction chambers 231 and 232 move.

슬라이딩유닛(241, 242)은 각각, 프로세스 모듈 챔버(220)의 양 측벽에 결합되는 고정부(251, 252)와, 고정부(251, 252)에 대하여 상대이동 가능하게 결합되는 가이드레일부(261, 262)와, 반응 챔버(231, 232)와 가이드레일부(261, 262)를 상호 연결하는 연결부(271, 272)를 포함한다.The sliding units 241 and 242 may include fixing parts 251 and 252 coupled to both sidewalls of the process module chamber 220, and guide rail parts coupled to the fixing parts 251 and 252 so as to be movable relative to each other. 261 and 262, and connection parts 271 and 272 interconnecting the reaction chambers 231 and 232 and the guide rails 261 and 262.

고정부(251, 252)는, 프로세스 모듈 챔버(220)의 양 측벽에 결합되어 가이드레일부(261, 262)가 일정한 경로로 움직일 수 있도록 마련되는 부분으로, 고정판(251a, 252a)과, 고정판(251a, 252a)에 일체로 결합되는 다수의 제1 고정블록(251b, 252b)을 포함한다.The fixing parts 251 and 252 are coupled to both sidewalls of the process module chamber 220 so that the guide rails 261 and 262 can move in a predetermined path. The fixing plates 251a and 252a and the fixing plate It includes a plurality of first fixed blocks (251b, 252b) integrally coupled to (251a, 252a).

고정판(251a, 252a)은 프로세스 모듈 챔버(220)의 양 측벽에 결합되는 판재 형상의 금속성 부재이며, 제1 고정블록(251b, 252b)은 가이드레일부(261, 262)가 프로세스 모듈 챔버(220)의 전방 또는 후방으로 움직일 수 있도록 마련되는 부재이다.The fixing plates 251a and 252a are plate-shaped metallic members coupled to both sidewalls of the process module chamber 220. The first fixing blocks 251b and 252b include guide rails 261 and 262 having the process module chamber 220. ) Is a member provided to be able to move forward or backward.

도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 다수의 제1 고정블록(251b, 252b)은 고정판(251a, 252a)의 상측 및 하측에 이중으로, 또한 고정판(251a, 252a)의 길이방향을 따라 상호 일정간격 이격되어 단속적으로 다수 개가 마련된다. 이에 대응하여 제1 고정블록(251b, 252b)에 상대이동 가능하게 결합되는 제1 가이드레일부재(261a, 262a)는 제3 가이드레일부재(261c, 262c)의 상측 및 하측에 이중으로 마련된다.As shown in FIGS. 5 to 8, the plurality of first fixing blocks 251b and 252b are doubled above and below the fixing plates 251a and 252a and mutually along the longitudinal direction of the fixing plates 251a and 252a. A plurality of intermittent spaces are provided at regular intervals. Correspondingly, the first guide rail members 261a and 262a coupled to the first fixing blocks 251b and 252b so as to be movable relative to each other are provided on the upper side and the lower side of the third guide rail members 261c and 262c.

이처럼 제1 고정블록(251b, 252b)과 제1 가이드레일부재(261a, 262a)를 이중구조로 마련함으로써, 프로세스 모듈 챔버(220) 내에서 반응 챔버(231, 232)의 안정적인 배치를 도모할 수 있으며, 반응 챔버(231, 232)의 인입 및 취출을 반복하는 경우라도 슬라이딩유닛(241, 242)이 휘어지거나 파손되는 것을 막을 수 있게 된다.As such, the first fixing blocks 251b and 252b and the first guide rail members 261a and 262a are provided in a dual structure, thereby stably arranging the reaction chambers 231 and 232 in the process module chamber 220. The sliding units 241 and 242 can be prevented from being bent or damaged even when the reaction chambers 231 and 232 are repeatedly drawn in and taken out.

한편, 연결부(271, 272)는 반응 챔버(231, 232)와 가이드레일부(261, 262)를 상호 연결하는 구성이다.Meanwhile, the connection parts 271 and 272 are configured to interconnect the reaction chambers 231 and 232 and the guide rail parts 261 and 262.

도 4에 도시된 바와 같이, 연결부(271, 272)는 반응 챔버(231, 232)를 지지하도록 반응 챔버(231, 232)의 양단부에 마련되는 지지판(271a, 272a)과, 지지판(271a, 272a)에 결합되는 다수의 제2 고정블록(271b, 272b)을 포함한다.As shown in FIG. 4, the connection parts 271 and 272 are provided with support plates 271a and 272a provided at both ends of the reaction chambers 231 and 232 to support the reaction chambers 231 and 232, and the support plates 271a and 272a. It includes a plurality of second fixing blocks (271b, 272b) coupled to.

지지판(271a, 272a)은 'ㄴ'자 형상의 브라켓으로 마련되어, 일측이 반응 챔버(231, 232)의 하측면을 지지하고 타측이 반응 챔버(231, 232)의 측면에 접하게 된다. 도시되지는 않았지만 반응 챔버(231, 232)와 지지판(271a, 272a)은 상호 볼팅(Bolting) 등의 방법에 의하여 고정될 수 있다.The support plates 271a and 272a are provided with 'b' shaped brackets, one side of which supports the lower side of the reaction chambers 231 and 232, and the other side of which is in contact with the side surfaces of the reaction chambers 231 and 232. Although not shown, the reaction chambers 231 and 232 and the support plates 271a and 272a may be fixed by a mutual bolting method.

제2 고정블록(271b, 272b)은, 지지판(271a, 272a)이 가이드레일부(261, 262)의 전방 또는 후방으로 움직일 수 있도록 마련되는 부재이다.The second fixing blocks 271b and 272b are members provided to allow the support plates 271a and 272a to move forward or rearward of the guide rails 261 and 262.

도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 다수의 제2 고정블록(271b, 272b)은 지지판(271a, 272a)의 상측 및 하측에 이중으로, 또한 지지판(271a, 272a)의 길이방향을 따라 상호 일정간격 이격되어 단속적으로 다수 개가 마련된다. 이에 대응하여 제2 고정블록(271b, 272b)에 결합되는 제2 가이드레일부재(261b, 262b)는 제3 가이드레일부재(261c, 262c)의 상측 및 하측에 이중으로 마련된다.As shown in FIGS. 5 to 7, the plurality of second fixing blocks 271b and 272b are doubled above and below the support plates 271a and 272a and mutually along the longitudinal direction of the support plates 271a and 272a. A plurality of intermittent spaces are provided at regular intervals. Correspondingly, the second guide rail members 261b and 262b coupled to the second fixing blocks 271b and 272b are provided on the upper side and the lower side of the third guide rail members 261c and 262c.

이처럼 제2 고정블록(271b, 272b)과 제2 가이드레일부재(261b, 262b)를 이중구조로 마련함으로써, 프로세스 모듈 챔버(220) 내에서 반응 챔버(231, 232)의 안정적인 배치를 도모할 수 있으며, 반응 챔버(231, 232)의 인입 및 취출을 반복하는 경우라도 슬라이딩유닛(241, 242)이 휘어지거나 파손되는 것을 막을 수 있게 된다.As such, the second fixing blocks 271b and 272b and the second guide rail members 261b and 262b are provided in a dual structure, thereby stably arranging the reaction chambers 231 and 232 in the process module chamber 220. The sliding units 241 and 242 can be prevented from being bent or damaged even when the reaction chambers 231 and 232 are repeatedly drawn in and taken out.

가이드레일부(261, 262)는 제1 고정블록(251b, 252b)에 대하여 상대이동 가능하게 결합되며, 가이드레일부(261, 262)에 대한 연결부(271, 272)의 상대이동을 가능하게 하도록 마련되는 구성이다. 가이드레일부(261, 262)는 제1 고정블록(251b, 252b)에 대하여 상대이동 가능하게 결합되는 제1 가이드레일부재(261a, 262a)와, 연결부(271, 272)의 상대이동을 허용하도록 제2 고정블록(271b, 272b)에 결합되는 제2 가이드레일부재(261b, 262b)와, 제1 가이드레일부재(261a, 262a) 및 제2 가이드레일부재(261b, 262b)를 상호 연결하는 제3 가이드레일부재(261c, 262c)를 포함한다.The guide rails 261 and 262 are coupled to be movable relative to the first fixing blocks 251b and 252b, and to allow relative movement of the connecting parts 271 and 272 to the guide rails 261 and 262. It is a structure provided. The guide rails 261 and 262 allow the relative movement of the first guide rail members 261a and 262a and the connection parts 271 and 272 to be relatively movable with respect to the first fixing blocks 251b and 252b. A second guide rail member 261b and 262b coupled to the second fixing blocks 271b and 272b, and the first guide rail members 261a and 262a and the second guide rail members 261b and 262b. And three guide rail members 261c and 262c.

전술한 바와 같이, 제1 가이드레일부재(261a, 262a)는 제1 고정블록(251b, 252b)에 대응하여 제3 가이드레일부재(261c, 262c)의 상측 및 하측에 이중으로 마련되며, 마찬가지로 제2 가이드레일부재(261b, 262b)는 제2 고정블록(271b, 272b)에 대응하여 제3 가이드레일부재(261c, 262c)의 상측 및 하측에 이중으로 마련된다.As described above, the first guide rail members 261a and 262a are dually provided on the upper and lower sides of the third guide rail members 261c and 262c to correspond to the first fixing blocks 251b and 252b. 2 The guide rail members 261b and 262b are provided on the upper side and the lower side of the third guide rail members 261c and 262c in correspondence with the second fixing blocks 271b and 272b.

또한, 제1 가이드레일부재(261a, 262a) 및 제2 가이드레일부재(261b, 262b)는 상호 단차를 두고 제3 가이드레일부재(261c, 262c)에 결합된다. 제1 가이드레일부재(261a, 262a)와 제2 가이드레일부재(261b, 262b)는 각각 다수의 제1 고정블록(251b, 252b)와 다수의 제2 고정블록(271b, 272b)을 관통하여 상대이동 가능하게 결합되며, 이에 따라 가이드레일부(261, 262)는 고정부(251, 252)에 대하여 프로세스 모듈 챔버(220)의 전방 또는 후방으로 움직일 수 있고, 연결부(271, 272)는 가이드레일부(261, 262)에 대하여 프로세스 모듈 챔버(220)의 전방 또는 후방으로 움 직일 수 있게 된다.In addition, the first guide rail members 261a and 262a and the second guide rail members 261b and 262b are coupled to the third guide rail members 261c and 262c with a step difference therebetween. The first guide rail members 261a and 262a and the second guide rail members 261b and 262b respectively pass through the plurality of first fixing blocks 251b and 252b and the plurality of second fixing blocks 271b and 272b. It is movably coupled so that the guide rail portions 261, 262 can move forward or backward of the process module chamber 220 with respect to the fixing portions 251, 252, and the connections 271, 272 are guide rails. With respect to portions 261 and 262, it may be possible to move forward or backward of the process module chamber 220.

한편, 본 실시예의 화학 기상 증착 장치(200)는 고정부(251, 252) 및 가이드레일부(261, 262)와, 가이드레일부(261, 262) 및 연결부(271, 272) 상호 간에 각각 결합되는 반응 챔버 고정부(280)를 더 포함한다.Meanwhile, the chemical vapor deposition apparatus 200 according to the present embodiment is coupled to each of the fixing parts 251 and 252 and the guide rail parts 261 and 262, and the guide rail parts 261 and 262 and the connection parts 271 and 272, respectively. The reaction chamber fixing portion 280 is further included.

반응 챔버 고정부(280)는, 고정판(251a, 252a)과 제3 가이드레일부재(261c, 262c) 사이 및 지지판(271a, 272a)과 제3 가이드레일부재(261c, 262c) 사이에 각각 결합되어 프로세스 모듈 챔버(220) 내에서 반응 챔버(231, 232)의 위치를 고정하기 위한 것이다. 본 실시예의 반응 챔버 고정부(280)는, 이동방지판(281)과, 이동방지판(281)을 관통하여 체결되는 볼트(282)를 포함한다.The reaction chamber fixing part 280 is coupled between the fixing plates 251a and 252a and the third guide rail members 261c and 262c and between the support plates 271a and 272a and the third guide rail members 261c and 262c, respectively. In order to fix the positions of the reaction chambers 231 and 232 in the process module chamber 220. The reaction chamber fixing part 280 of this embodiment includes a movement preventing plate 281 and a bolt 282 fastened through the movement preventing plate 281.

볼트(282)는 이동방지판(281), 고정판(251a, 252a) 및 제3 가이드레일부재(261c, 262c)를 관통하여, 또한 이동방지판(281), 지지판(271a, 272a) 및 제3 가이드레일부재(261c, 262c)를 관통하여 각 부재를 상호 연결함으로써 반응 챔버(231, 232)의 위치를 고정하게 된다.The bolt 282 penetrates the movement preventing plate 281, the fixing plates 251a and 252a, and the third guide rail members 261c and 262c, and also the movement preventing plate 281, the support plates 271a and 272a and the third plate. The positions of the reaction chambers 231 and 232 are fixed by interconnecting the members through the guide rail members 261c and 262c.

본 실시예의 화학 기상 증착 장치(200)는 슬라이딩유닛(241, 242)에 의하여 반응 챔버(231, 232)를 프로세스 모듈 챔버(220)의 전방 또는 후방으로 간편히 취출시키거나 인입시킬 수 있는 장점을 갖는다.The chemical vapor deposition apparatus 200 according to the present exemplary embodiment has an advantage of allowing the reaction chambers 231 and 232 to be easily taken out or drawn into the front or rear of the process module chamber 220 by the sliding units 241 and 242. .

또한, 본 실시예의 화학 기상 증착 장치(200)는, 이중 슬라이딩 구조를 갖는 슬라이딩유닛(241, 242)에 의하여 반응 챔버(231, 232)를 프로세스 모듈 챔버(220)의 전방으로 완전히 취출시킬 수 있으므로, 화학 기상 증착 장치(200)의 유지보수를 간편히 할 수 있는 편의가 도모된다.In addition, the chemical vapor deposition apparatus 200 according to the present embodiment can completely remove the reaction chambers 231 and 232 to the front of the process module chamber 220 by sliding units 241 and 242 having a double sliding structure. In addition, the convenience which can simplify maintenance of the chemical vapor deposition apparatus 200 is aimed at.

앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.While specific embodiments of the invention have been described and illustrated above, it is to be understood that the invention is not limited to the described embodiments, and that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention. It is self-evident to those who have. Therefore, such modifications or variations are not to be understood individually from the technical spirit or point of view of the present invention, the modified embodiments will belong to the claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치의 프로세스 모듈 챔버의 개략적인 구성도이다.FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a process module chamber of the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing the thin film solar cell of FIG. 1.

도 3은 다수의 반응 챔버가 결합된 도 2의 프로세스 모듈 챔버의 개략적인 모식도이다.3 is a schematic diagram of the process module chamber of FIG. 2 incorporating multiple reaction chambers.

도 4는 도 3의 프로세스 모듈 챔버로부터 다수의 반응 챔버를 각각 취출하는 원리를 나타낸 개략적인 모식도이다.FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a principle of extracting a plurality of reaction chambers from the process module chamber of FIG. 3, respectively.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 사시도이다.5 is a perspective view of a chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 정면도이다.6 is a front view of FIG. 5.

도 7은 도 5의 화학 기상 증착 장치의 프로세스 모듈 챔버 내에 반응 챔버가 고정된 상태를 나타낸 개략적인 평면도이다.FIG. 7 is a schematic plan view illustrating a reaction chamber fixed in a process module chamber of the chemical vapor deposition apparatus of FIG. 5.

도 8은 도 5의 화학 기상 증착 장치의 프로세스 모듈 챔버로부터 반응 챔버가 취출된 상태를 나타낸 개략적인 평면도이다.FIG. 8 is a schematic plan view illustrating a state in which a reaction chamber is taken out from a process module chamber of the chemical vapor deposition apparatus of FIG. 5.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100, 200 : 화학 기상 증착 장치 110 : 로드락 챔버100, 200: chemical vapor deposition apparatus 110: load lock chamber

120, 220 : 프로세스 모듈 챔버 170 : 트랜스퍼 모듈 챔버120, 220: process module chamber 170: transfer module chamber

131, 231 : 제1 반응 챔버 132, 232 : 제2 반응 챔 버131, 231: first reaction chamber 132, 232: second reaction chamber

241, 242 : 슬라이딩유닛 241, 242: sliding unit

Claims (15)

박막 태양전지 제조용 기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버(Transfer Module Chamber);A transfer module chamber in which a substrate handling robot for handling a substrate for manufacturing a thin film solar cell is provided; 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 상기 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버(Loadlock Chamber); 및At least one loadlock chamber connected to one side of the transfer module chamber to allow the substrate to enter and exit the substrate; And 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 상기 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 적어도 하나의 프로세스 모듈 챔버(Process Module Chamber)를 포함하며,It is connected to the other side of the transfer module chamber includes at least one Process Module Chamber (Process Module Chamber) to perform a substantial deposition process for the substrate, 상기 프로세스 모듈 챔버는,The process module chamber, 다수의 반응 챔버;A plurality of reaction chambers; 상기 다수의 반응 챔버에 각각 결합되며 상호 다른 가로 길이를 갖는 다수의 반응 챔버 고정판; 및A plurality of reaction chamber fixing plates each coupled to the plurality of reaction chambers and having different transverse lengths; And 상기 프로세스 모듈 챔버의 양 측벽으로부터 각각 돌출되되, 상기 반응 챔버 고정판의 양단부가 각각 안착되도록 한 쌍씩 상하 방향으로 상호 이격되는 다수의 고정판 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.And a plurality of fixing plate supports protruding from both sidewalls of the process module chamber and spaced apart from each other in a vertical direction by a pair so that both ends of the reaction chamber fixing plate are respectively seated. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 반응 챔버는 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버를 포함하며,The plurality of reaction chambers include a first reaction chamber and a second reaction chamber, 상기 다수의 반응 챔버 고정판은 상기 제1 반응 챔버의 상면에 결합되는 제1 반응 챔버 고정판 및 상기 제2 반응 챔버의 상면에 결합되는 제2 반응 챔버 고정판을 포함하고,The plurality of reaction chamber fixing plates include a first reaction chamber fixing plate coupled to an upper surface of the first reaction chamber and a second reaction chamber fixing plate coupled to an upper surface of the second reaction chamber, 상기 다수의 고정판 지지부는 상기 제1 반응 챔버 고정판의 양단부가 각각 안착되는 제1 고정판 지지부 및 상기 제2 반응 챔버 고정판의 양단부가 각각 안착되는 제2 고정판 지지부를 포함하되,The plurality of fixing plate supports may include a first fixing plate support on which both ends of the first reaction chamber fixing plate are seated, and a second fixing plate support on which both ends of the second reaction chamber fixing plate are respectively seated. 상기 한 쌍의 제1 고정판 지지부 사이의 거리는 상기 한 쌍의 제2 고정판 지지부 사이의 거리보다 큰 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.And a distance between the pair of first fixed plate supports is greater than a distance between the pair of second fixed plate supports. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2 반응 챔버 고정판의 가로 길이는 상기 한 쌍의 제1 고정판 지지부 사이의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.And a horizontal length of the second reaction chamber fixing plate is smaller than a distance between the pair of first fixing plate supports. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반응 챔버 고정판은 양단부로부터 가로 방향으로 돌출되는 안착 돌기를 포함하며,The reaction chamber fixing plate includes a seating protrusion protruding from both ends in the horizontal direction, 상기 고정판 지지부에는 상기 안착 돌기의 형상에 대응되는 단턱이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.Chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, characterized in that the stepped portion corresponding to the shape of the mounting projection is formed on the fixing plate support. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 반응 챔버 고정판은 상기 안착 돌기의 하측 표면으로부터 돌출되는 결합 돌기를 더 포함하며,The reaction chamber fixing plate further includes a coupling protrusion protruding from the lower surface of the seating protrusion, 상기 단턱에는 상기 결합 돌기가 삽입 결합되는 결합 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.Chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, characterized in that the stepped groove is formed with a coupling groove in which the coupling projection is inserted. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 반응 챔버가 각각 상기 프로세스 모듈 챔버의 상측을 통해 상기 프로세스 모듈 챔버 측으로 인입되거나 취출되도록 상기 프로세스 모듈 챔버의 상측을 덮는 챔버 리드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.And a chamber lid covering the upper side of the process module chamber such that the plurality of reaction chambers respectively enter or withdraw from the upper side of the process module chamber toward the process module chamber. . 박막 태양전지 제조용 기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버(Transfer Module Chamber);A transfer module chamber in which a substrate handling robot for handling a substrate for manufacturing a thin film solar cell is provided; 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 상기 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버(Loadlock Chamber); 및At least one loadlock chamber connected to one side of the transfer module chamber to allow the substrate to enter and exit the substrate; And 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 상기 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 적어도 하나의 프로세스 모듈 챔버(Process Module Chamber)를 포함하며,It is connected to the other side of the transfer module chamber includes at least one Process Module Chamber (Process Module Chamber) to perform a substantial deposition process for the substrate, 상기 프로세스 모듈 챔버는,The process module chamber, 다수의 반응 챔버; 및A plurality of reaction chambers; And 상기 반응 챔버가 상기 프로세스 모듈 챔버의 전방 또는 후방으로 인입되거나 취출될 수 있도록, 상기 프로세스 모듈 챔버의 양 측벽과 상기 반응 챔버의 양단부 사이에 마련되는 다수의 슬라이딩유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.And a plurality of sliding units provided between both sidewalls of the process module chamber and both ends of the reaction chamber so that the reaction chamber can be drawn in or out of the front or rear of the process module chamber. Chemical vapor deposition apparatus for battery manufacturing. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 다수의 슬라이딩유닛은 각각,Each of the plurality of sliding units, 상기 적어도 하나의 프로세스 모듈 챔버의 양 측벽에 결합되는 고정부;Fixing portions coupled to both sidewalls of the at least one process module chamber; 상기 반응 챔버가 상기 프로세스 모듈 챔버의 전방 또는 후방으로 움직일 수 있도록 상기 고정부에 대하여 상대이동 가능하게 마련되는 가이드레일부; 및A guide rail part provided to be movable relative to the fixing part so that the reaction chamber can move forward or backward of the process module chamber; And 상기 가이드레일부에 대하여 상대이동 가능하게 마련되며 상기 반응 챔버와 상기 가이드레일부를 상호 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.A chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, wherein the guide rail portion is provided to be movable relative to each other and comprises a connection portion interconnecting the reaction chamber and the guide rail portion. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고정부는,The fixing part, 상기 프로세스 모듈 챔버의 양측벽에 결합되는 고정판; 및Fixing plates coupled to both side walls of the process module chamber; And 상기 고정판에 결합되는 제1 고정블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.Chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell comprising a first fixed block coupled to the fixed plate. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 연결부는,The connecting portion, 상기 반응 챔버를 지지하도록 상기 반응 챔버의 양단부에 마련되는 지지판; 및Support plates provided at both ends of the reaction chamber to support the reaction chamber; And 상기 지지판에 결합되는 제2 고정블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.Chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell comprising a second fixed block coupled to the support plate. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 가이드레일부는,The guide rail portion, 상기 제1 고정블록에 대하여 상대이동 가능하게 마련되는 제1 가이드레일부재;A first guide rail member provided to be movable relative to the first fixed block; 상기 제2 고정블록에 대하여 상대이동 가능하게 마련되는 제2 가이드레일부재; 및A second guide rail member provided to be movable relative to the second fixed block; And 상기 제1 가이드레일부재와 상기 제2 가이드레일부재를 연결하는 제3 가이드레일부재를 포함하며,And a third guide rail member connecting the first guide rail member and the second guide rail member. 상기 제1 가이드레일부재, 상기 제2 가이드레일부재 및 상기 제3 가이드레일부재는 일체로 마련되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.And the first guide rail member, the second guide rail member and the third guide rail member are integrally provided. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1 가이드레일부재와 상기 제2 가이드레일부재는 상하 방향으로 상호 단차를 두고 상기 제3 가이드레일부재에 결합되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.The first guide rail member and the second guide rail member is a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, characterized in that coupled to the third guide rail member with a step in the vertical direction. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1 고정블록은,The first fixed block is, 상기 고정판의 상측 및 하측 각각에 다수 개가 마련되며,A plurality of upper and lower sides of the fixing plate is provided, respectively 상기 제1 가이드레일부재는 상기 제1 고정블록에 각각 결합되도록 이중으로 마련되는 제1 가이드레일부재이고,The first guide rail member is a first guide rail member provided in double to be coupled to each of the first fixed block, 상기 제2 고정블록은,The second fixed block is, 상기 지지판의 상측 및 하측 각각에 다수 개가 마련되며,A plurality of upper and lower sides of the support plate is provided, respectively 상기 제2 가이드레일부재는 상기 제2 고정블록에 각각 결합되도록 이중으로 마련되는 제2 가이드레일부재인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.The second guide rail member is a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, characterized in that the second guide rail member provided in duplicate to be respectively coupled to the second fixed block. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 지지판은 'ㄴ'자 형상을 갖는 브라켓으로 마련되어 상기 반응 챔버의 하측면 일부를 지지하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.The support plate is provided with a bracket having a 'b' shape, the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell, characterized in that for supporting a portion of the lower side of the reaction chamber. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고정부 및 상기 가이드레일부와, 상기 가이드레일부 및 상기 연결부 상호 간에 각각 결합되어 상기 반응 챔버의 위치를 고정하는 반응 챔버 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치.The chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell further comprising a reaction chamber fixing unit fixed to the fixing unit and the guide rail unit, the guide rail unit and the connecting unit, respectively, to fix the position of the reaction chamber. .
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