KR101048791B1 - 과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기위한 수직 흐름 전해조 - Google Patents
과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기위한 수직 흐름 전해조 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 백금족 금속을 함유하고 있는 과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기 위한 전해조에 있어서, 전해질의 투입구(17)가 있는 전해질 흐름 분배기(3) 및 그 상부에 원통형 본체(1)가 구비되되, 상기의 원통형 본체(1)는 수평으로 배치된 양극(anode)(6), 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8), 음극(cathode)공간 블럭(11)이 차례로 적층되고, 상기의 원통형 본체(1)의 측면에는 과립 촉매의 배출구(10)와 전해질 오버플로우(overflow) 배출구(18)가 구비되며, 전해질의 흐름이 상향으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조에 관한 것이다. 본 발명은 금속화합물 담지 과립 촉매로부터 백금족 금속의 추출 수율을 크게 개선하여 거의 전량을 추출할 수 있으며, 전기 사용량과 추출 시간을 단축하고, 그 환경친화성(ecological compatibility)을 높인다. 재활용해야 하는 액체 폐기물의 양을 최소화하고, 다량의 폐촉매를 투입해서 침출이 가능하므로 작업효율이 개선된다. 또한 전해조의 신뢰도와 그 전기안전성을 높일 수 있고, 전해조의 보수 유지가 간편하게 된다.
흐름 전해조, 백금족 금속, 침출, 전기화학
Description
본 발명은 전기화학 산업에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기 위한 수직 흐름 전해조에 관한 것이다.
백금(Pt), 팔라듐(Pd)과 같은 백금족 금속(Platinum group metals:PGM)은 용해온도가 높고, 화학적 침식에 대한 내식성이 뛰어날 뿐만 아니라, 환원 촉매작용 등 독특한 화학적 특성을 가진다. 이들 백금족 금속은 백금족 금속 회로 등의 전기전자공업용과 석유화학공업용 촉매로 이용되고 있다. 이 촉매 등은 사용하는 시간이 경과함에 따라 그 성능이 저하되고 최종적으로 수명을 다하여 폐기되지만, 특히 백금족 금속은 고가이기 때문에 회수하여 재이용하는 것이 경제적으로 크게 이로울 뿐만 아니라 자원의 효율적 활용에 큰 역할을 할 수 있다.
배기가스를 정화하기 위한 산업용 촉매는 금속산화물과 백금족 금속이 담지된 촉매가 많이 이용된다. 이때 백금족 금속은 그 함유량이 촉매 중량의 0.015 ~ 5.0%이며 이 경우도 백금족 금속이 고가이므로 재생하는 것이 수익성이 있다.
이 백금족 금속 및 금속산화물 담지 촉매에서 백금족 금속을 추출하는 방법은 전해조에서 전기화학적 방법에 의하는 경우가 많다. 종래의 전해조로는 구소련 저작권증명서 제349753호에 제시된 것으로 이온교환막에 의해 구분되어 있는 서로 교차하고 있는 양극(anode)과 음극(cathode)을 포함하고 있으며, 이온교환수지로부터 금을 추출하기 위한 수평식 흐름 전해조가 있다. 음극(cathode)은 음극(cathode) 블록으로 되어 있고, 양극(anode)은 양극(anode) 챔버로 되어 있으며, 또한 음극(cathode) 블록은 П-모양의 테두리로 되어 있으며, 그 테두리 위쪽 면에 고정된 양이온교환막을 포함하여 양극(anode) 챔버에 수직으로 배치되어 있고, 전도성 개스킷(conductive gasket)에 의해 조립된 수직판 형태로 되어 있으며 판 사이에는 전해질의 순환을 위한 도관이 생성된다. 이 전해조는 구조가 복잡하고(재료가 들어가는 용량이 큼), 촉매 주재료 또는 이온교환수지를 배출할 때 보수 작업량이 많고, 그 생산성이 낮은 문제가 있다.
특허 US No. 4775452에 제시된 종래의 전해조로는 전극이 수직으로 배치되어 있고 촉매로부터 백금, 팔라듐, 로듐과 같은 백금족 금속 또는 그 혼합물을 재생하는 방법에 사용되는 수평식 흐름 전해조가 있다. 백금족 금속은 양이온교환막을 포함한 전해조의 양극(anode) 부분에서 침출되고, 이 경우 전해질의 흐름은 전기장의 방향과 수직으로 아래에서 위로 순환한다. 이 특허에 의하면 3차원 다극성 전극에 서 금속을 침출시키는 정도에 따라 염소는 수직으로 배치된 양극(anode) 표면에서만 산화되고, 과립 촉매의 산포 전량에 분배되지 않는 문제가 있다. 이는 촉매로부터의 백금족 금속 추출 수율이 높지 않음을 나타내며, 촉매 주재료를 배출할 때 보수 작업량이 많은 것과 연관되어 있다. 또한 전해조 구조에서 사용되는 테프론을 주재료한 내부식성 양이온교환막은 가격이 비싸다(1400USD/m2).
특허 RU No.2198947에 제시된 전해조는 백금족 금속 침출이 박스형 전해조에서 일어난다는 점이 본 출원발명의 흐름 전해조 구조와 유사하며, 이 경우 흐름 전해조에서 침출시키는 전해질의 수평 흐름은 전기장과 동축을 이룬다. 전해조의 바닥과 가까운 부분에서 전해질의 열상승대류는 과립 촉매의 산포 전량에 대한 염소의 균일한 분배를 방해한다. 음극(cathode)에서 침전되는 백금족 금속 분말은 분리되는 수소의 상승 기포와 열 및 공기 상승 대류에 의해 떠오르게 되고, 3차원 다극성 전극의 과립으로 돌아가 양극(anode)에 가까운 부분에 침전된다. 이런 원인으로 촉매로부터의 백금족 금속 추출 수율이 낮아지게 되고, 또한 그 구조는 사용 및 작동에 있어 단순하거나 편리하지 않은 문제점이 있다.
본 발명은 종래 기술이 가지고 있는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 백금족 금속의 전해조 내 침출과정에서 일어나는 침출된 백금족 금속이 양극(anode) 주변에 침식되는 현상을 개선하여, 보다 높은 수율의 백금족 금속을 추출하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 보다 단순하고 효율적인 상방향 흐름 전해조의 구조를 통해 전기 사용량과 추출 시간을 단축하는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 백금족 금속을 함유하고 있는 과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기 위한 전해조에 있어서, 전해질의 투입구(17)가 있는 전해질 흐름 분배기(3) 및 그 상부에 원통형 본체(1)가 구비되되, 상기의 원통형 본체(1)는 수평으로 배치된 양극(anode)(6), 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8), 음극(cathode)공간 블럭(11)이 차례로 적층되고, 상기의 원통형 본체(1)의 측면에는 과립 촉매의 배출구(10)와 전해질 오버플로우(overflow) 배출구(18)가 구비되며, 전해질의 흐름이 상향으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조를 제시한다.
본 발명은 금속화합물 담지 과립 촉매로부터 백금족 금속의 추출 수율을 크게 개선하여 거의 전량을 추출할 수 있으며, 전기 사용량과 추출 시간을 단축하고, 그 환경친화성(ecological compatibility)을 높인다. 재활용해야 하는 액체 폐기물의 양을 최소화하고, 다량의 폐촉매를 투입해서 침출이 가능하므로 작업효율이 개선된다. 또한 전해조의 신뢰도와 그 전기안전성을 높일 수 있고, 전해조의 보수 유지가 간편하게 된다.
본 발명에서의 백금족 금속을 함유하고 있는 과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기 위한 수직 흐름 전해조는 다음과 같다. 본 발명의 실시예인 도 1의 수직 흐름 전해조의 단면도와 함께 설명한다.
본 발명은 전해질의 투입구(17)가 있는 전해질 흐름 분배기(3) 및 그 상부에 원통형 본체(1)가 구비되되, 상기의 원통형 본체(1)는 수평으로 배치된 양극(anode)(6), 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8), 음극(cathode)공간 블럭(11)이 차례로 적층되고, 상기의 원통형 본체(1)의 측면에는 과립 촉매의 배출구(10)와 전해질 오버플로우(overflow) 배출구(18)가 구비되며, 전해질의 흐름이 상향으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기의 백금족 금속을 함유하고 있는 촉매는 백금족 금속(Platinum group metals:PGM)인 백금(Pt), 팔라듐(Pd)을 함유하고 있는 폐촉매이고, 그 폐촉매의 형태는 알갱이 형태(과립)이며, 백금족 금속의 함유량은 0.01 - 10%이다. 백금, 팔라 듐과 같은 백금족 금속은 통상 귀금속이라고도 한다. 백금족 금속을 함유하고 있는 과립의 촉매는 백금족 금속 및 무기 금속 또는 금속산화물 등 금속화합물을 포함한 성분을 담지하고 있는 촉매를 예시할 수 있고, 그 금속의 종류는 알루미늄(Al), 규소(Si) 등이 가능하다.
상기의 수직 흐름 전해조는 크게 전해질 흐름 분배기(3) 및 그 상부에 원통형 본체(1)로 구성된다. 이것은 지지대(2)에 의해 수직으로 새워진다.
전해질 흐름 분배기(3)와 원통형 본체(1)는 후렌지(flange)형태로 조립될 수 있다. 또한 전해질 흐름 분배기와 원통형 본체 사이에 전류도입이 가능한 금속판을 설치할 수도 있다.
상기 전해질 흐름 분배기(3)는 도 1의 그림과 같이 원추형이 가능하며, 그 외에 다른 각뿔 등의 형태도 가능하며, 특별히 형태가 한정되지 않는다. 전해질 투입구(17)는 원추형 형태일 때를 예로 들면, 원추의 중심에 지관의 형태로 구현된다. 전해질의 투입은 전해질 투입구(17)를 통해 펌프에 의해 행해 진다. 이 전해질 투입구는 침출을 위한 전해질이 바로 가열 부분(열원)에 전달되도록 한다. 전해질 흐름의 열상승 대류는 가공하는 과립 촉매로 된 다극성 전극 챔버(8)에 낮은 온도의 전해질이 스며들지 않도록 '열쿠션'을 양극(anode) 가까운 곳에 만들게 된다. 전해질은 염소 음이온을 발생시키는 염산 용액 등 일반적인 전해질 용액이 사용가능하며, 대개 0.2 내지 35%의 염산 용액이 사용된다. 전해질 투입구(17)로 전해질이 투입되어 상향 흐름의 시발이 된다. 이 전해질 흐름 분배기(3)에는 적어도 하나 이상의 열원이 장착되어 용액의 주어진 온도를 유지하게 한다. 도 1의 실 시예에는 열원이 두 개의 전기히터(4)로써 도시되어 있으나, 그 열원은 장착 가능한 어떤 형태도 가능하다.
상기 원통형 본체(1)는 수평으로 배치된 양극(anode)(6)과 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8), 음극(cathode)공간 블럭(11)이 그 기본 구성을 이룬다.
수평으로 배치된 양극(anode)(6)에서 생성된 전해질 용액 중 예를 들어, 염소(cloride)(염화 이온)는 전해질의 상향류에 의해 다극성 전극 챔버(8) 내에 충진된 과립 촉매의 산포 전량에 분배된다. 이는 종래의 수평 전해조가 가지고 있던, 다극성 전극에서 금속을 침출시키는 정도에 따라 염소는 수직으로 배치된 양극(anode) 표면에서만 산화되고, 과립 촉매의 산포 전량에 분배되지 않는 문제를 해결할 수 있는 것이다. 이 문제를 해결함으로써 추출되는 귀금속의 수득율을 높일 수 있고, 폐촉매의 처리 비용과 시간이 줄어들 수 있다.
상기의 과립 촉매의 배출구(10)는 상기 다극성 전극 챔버(8)의 하부의 측면에 구비될 수 있다. 구체적으로 다극성 전극챔버(8)의 하단과 상기 배출구의 내경 하단이 일치되게 하여 측면에 구비하는 것이 바람직하다. 이것은 백금족 금속의 침출공정이 끝난 후 과립의 촉매를 쉽게 배출할 수 있게 한다. 도 1의 실시예의 경우 보호-지지용 유전체 격자(9)의 상면과 같은 높이에 상기 배출구(10)의 내경(또는 외경) 하단을 일치하게 하여 설치하는 것이 바람직하다.
상기 전해질의 오버플로우(overfolw) 배출구(18)는 상기 다극성 전극 챔버(8)보다 상부의 원통형 본체(1)의 측면에 구비될 수 있다. 상기 오버플루우(overflow) 배출구(18)는 환원된 백금족의 염을 배출시키는 통로이고, 전해조 내의 최대 전해질량을 정해 전해질이 넘치는 것을 방지한다. 바람직하게는 도 1의 실시예의 경우처럼, 음극(cathode)공간 블록(11)의 음극(cathode)(15)보다 상부 높이에 설치한다.
상기 수평으로 배치된 양극(anode)(6)은 격자 구조로 제작하여 양극(anode)에서 생성되는 산화제의 전체유속 밀도를 다극성 전극 전체에 균일하게 분배시킨다. 바람직하게는 티타늄 격자를 양극(anode)으로 이용할 수 있다.
또한 양극(anode)(6)은 이산화이리듐(IrO2)으로 코팅될 수 있다. 이로써 산의 양이온에 의한 양극(anode)산화, 즉 이산화티타늄(TiO2)층의 생성을 막아 전기화학부식을 방지할 수 있다.
상기 양극(anode)(6)으로의 전류도입은 다극성 전극 챔버(8)를 관통하는 금속막대(7)를 이용하여 할 수 있다. 이것은 전해조의 밀폐성을 보장하고, 전기 안전성과 작업 편의성을 높여준다.
상기 양극(anode)(6)의 일면에 보호-지지용 유전체격자(8)가 더 구비될 수 있다. 이것은 이산화이리듐(IrO2)로 된 양극(anode) 코팅이 과립촉매의 연마재에 의해 기계적 결함이 생기는 것을 방지한다. 따라서, 내부식성, 내열성, 기계적 강도가 큰 재료인 테프론이 이용될 수 있다.
상기 양극(anode)(6)의 일면에 내부식성 유전체격자(5)가 더 구비될 수 있다. 필요한 기계적 강도를 지니고 있으며, 전해질 등의 통과를 위해 격자로 성형되며, 이것은 과립 촉매가 원통형 전해질 흐름 분배기(3)로 이동하는 것을 막는다.
상기 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8)는 과립상의 폐촉매가 충진되는 음극(cathode)과 양극(anode) 사이의 공간을 말한다. 백금족 금속을 함유한 폐촉매는 과립상으로 분쇄되어 준비되고, 상기 다극성 전극 챔버(8)내에서 실질적으로 백금족 금속의 침출이 일어난다.
상기 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8)의 상부에는 지지 부재(12)가 더 구비될 수 있다. 상기 지지 부재(12)도 유전체 소재로 제조되므로 전기장이 다극성 전극에 골고루 퍼지게 한다. 또한 음극(cathode)과 양극(anode) 사이 간격을 고정시키고, 음극(cathode) 챔버를 전해조의 원통형 공간 위쪽에 유지시킨다.
상기 음극(cathode)공간 블럭(11)은 수평으로 배치된 음극(cathode)(15)을 포함한다. 음극(cathode)은 티타늄 등 일반적인 전기분해의 음극(cathode)재료를 사용할 수 있다. 음극(cathode)으로의 전류도입은 음극(cathode) 전류 도입 금속막대(16)를 통해 이루어진다.
상기 음극(cathode)(15)의 하부에는 다공성 가로막(14) 또는 미세구멍이 있는 음극(cathode)공간 지지대(13) 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 다공성 가로막(14)은 음극(cathode)공간 블럭을 다극성 전극 챔버로부터 분리시키고, 침출되는 백금족 금속이 음극(cathode) 표면에 침전되는 것을 최소화한다. 따라서 전해조 반응으로부터 용해된 백금족 금속을 최대한 침출할 수 있게 된다. 미세구멍이 있는 음극(cathode)공간 지지대(13) 또한 다공성 가로막(14)과 같은 기능을 한다.
상기 원통형 본체(1)의 상부에는 박막의 유전체 뚜껑(20)이 더 부가된다. 이 뚜껑은 전해질 증기 온도보다 낮은 온도의 외부 공기의 영향을 받을 수 있고, 따라 서 그 뚜껑의 내부면에서 증기가 응축하게 한다. 이로써 전해질 및 열의 손실을 줄일 수 있고, 전기화학적 침출 공정의 환경친화성(ecological compatibility)을 높일 수 있다.
상기 박막의 유전체 뚜껑(20)에는 분리가스 배출구(21)가 구비된다. 이것은 수소를 제거하는 배출구로써, 전해질이 채워지지 않는 원통형 본체의 공간에 수소가 축적되는 것을 막아 작업의 안전성을 높이는데 기여한다.
상기 전해질 흐름 분배기(3) 및 원통형 본체(10)의 바깥 표면에는 단열제(19)가 더 구비되어 열손실과 전기소비량을 줄일 수 있다.
[
실시예
1] 수직 흐름
전해조의
작동
실시예
과립의 형태로 분쇄된 백금족 금속을 함유하고 있는 금속 화합물 담지 촉매(예를 들면, 0.02 - 0.03% 팔라듐 함유 팔라듐-알루미나 촉매)가 전해조의 다극성 전극 챔버(8)로 투입된다. 이를 위해 선행적으로 음극(cathode) 공간 블럭(11)은 전해조로부터 해체된다.
침출 전해질(예를 들면, 3%의 HCl 수용액)은 전해질의 투입구(17)를 통해 원추형 흐름 분배기(3)로 공급되고, 이 원추형 흐름 분배기에서 전기히터장치(4)에 의해 정해진 온도(예를 들면, 80℃)까지 가열되게 된다.
가열된 전해질은 내부식성 유전체격자(예를 들어, 테프론 제질의 유전체격자)(5)의 셀을 통과하고, 수평으로 배치된 양극(anode)(6) 격자(예를 들어, 티타늄 격자)에서 산화된 후, 보호 지지용 유전체 격자(9)(예를 들어, 테프론 제질의 유전 체격자)를 통해 백금족 금속을 함유하고 있는 금속산화물 담지 과립 촉매(예를 들면, 0.02 - 0.03% 팔라듐 함유 팔라듐-알루미나 촉매)로 충진된 다극성 전극 챔버 내로(음극(cathode)과 양극(anode)의 사이 공간)으로 들어가게 된다.
산화된 전해질 용액이 과립 촉매의 다극성 챔버(8)를 통과하는 과정에서 백금족 금속은 과립 촉매로부터 전해질 용액으로 침출된다. 이 과정은 다극성 전극의 큰 작용면적으로 전류의 밀도가 낮아짐으로 인해 발생하는 과전압이 상당히 적을 때 일어난다.
백금족 금속을 함유한 전해질이 다극성 전극 챔버의 과립 촉매로부터 배출된 후 전해질의 오버플로우(overflow) 배출구(18)를 통해 원통형 본체(1)로부터 배출된다.
음극(cathode) 공간 블럭(11)은 다극성 전극 챔버(8)를 통과한 전해질로 채워지는데, 이 때 다공성 가로막(14)(예를 들어, 폴리프로필렌 제질의 다공성 가로막)은 백금족 금속 이온이 음극(cathode) 공간으로 이동하는 것을 막기 때문에 음극(cathode)에 침전되는 양을 감소시킨다.
증발하는 전해질은 박막형 유전체 뚜껑(20)의 차가운 벽에 응결되고, 음극(cathode)(15)에서 분리되는 수소는 분리가스의 배출구(21)를 통해 전해조의 원통형 본체 중 전해질로 채워지지 않은 공간(전해질의 오버플로우(overflow) 배출구의 높이보다 더 높은 원통형 본체의 공간)으로부터 제거된다.
침출 과정이 끝나면, 그 후 전해질은 전해질의 오버플로우(overflow) 배출구(18)를 통해 배출되고, 과립 촉매는 과립 촉매의 배출구(10)를 통해 배출된다.
실시예를 구현하여 검사를 해 본 결과, 전기화학방식으로 침출된 후 과립 촉매에 남아있는 백금족 금속 잔량은 전해조 아래쪽의 경우 1ppm 이하, 윗부분의 경우 1-10ppm 미만인 것으로 확인되었다.
도 1. 본 발명의 일 실시예인 과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기 위한 수직 흐름 전해조의 단면도.
1: 원통형 본체;
2: 지지대;
3: 원추형 전해질 흐름 분배기;
4: 전기히터;
5: 내부식성 유전체격자;
6: 양극(anode);
7: 양극(anode) 전류도입 금속막대;
8: 다극성 전극;
9: 보호-지지용 유전체격자;
10: 과립 촉매의 배출구;
11: 음극(cathode) 공간 블록;
12: 지지 부재;
13: 음극(cathode)공간 지지대;
14: 다공성 가로막;
15: 음극(cathode);
16: 음극(cathode) 전류도입 금속막대;
17: 전해질의 투입구;
18: 전해질의 오버플루우(overflow) 배출구;
19: 단열재;
20: 박막형 유전체 뚜껑;
21: 분리 가스의 배출구
Claims (16)
- 백금족 금속을 함유하고 있는 과립 촉매로부터 백금족 금속을 전기화학방식으로 침출하기 위한 전해조에 있어서,전해질의 투입구(17)가 있는 전해질 흐름 분배기(3) 및 그 상부에 원통형 본체(1)가 구비되고, 상기의 원통형 본체(1)는 수평으로 배치된 양극(anode)(6), 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8), 음극(cathode)공간 블럭(11)이 차례로 적층되고, 상기의 원통형 본체(1)의 측면에는 과립 촉매의 배출구(10)와 전해질 오버플로우(overflow) 배출구(18)가 구비되며,상기 양극(anode)(6)의 일면에는 내부식성 유전체격자(5)가 구비되고전해질의 흐름이 상향으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 백금족 금속을 함유하고 있는 과립 촉매는 금속화합물 및 백금족 금속을 담지하고 있는 폐촉매인 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 전해질 흐름 분배기(3)는 열원을 적어도 하나 이상 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 과립 촉매의 배출구(10)는 상기 다극성 전극 챔버(8) 하부의 측면에 구비되는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 전해질의 오버플루우(overflow) 배출구(18)는 상기 다극성 전극 챔버(8)보다 상부의 원통형 본체(1)의 측면에 구비되는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 상기 양극(anode)(6)의 일면에 보호 지지용 유전체격자(9)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 음극(cathode)공간 블럭(11)은 수평으로 배치된 음극(cathode)(15)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 8에 있어서, 상기 음극(cathode)(15)의 하부에 다공성 가로막(14) 또는 미세구멍이 있는 음극(cathode)공간 지지대(13) 중 적어도 하나가 구비된 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 과립 촉매로 충진되는 다극성 전극 챔버(8)의 상부에 지지 부재가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 원통형 본체(1)의 상부에는 박막의 유전체 뚜껑(20)이 더 부가되는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 11에 있어서, 상기 박막형 유전체 뚜껑(20)에 분리가스 배출구(21)가 더 구비된 것을 특징으로 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 양극(anode)(6)은 티타늄 격자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 양극(anode)(6)은 이산화이리듐(IrO2)으로 코팅된 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 양극(anode)(6)으로의 전류 도입이 상기 다극성 전극 챔버(8)를 관통하는 금속막대(7)를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
- 청구항 1에 있어서, 상기 전해질 흐름 분배기(3) 및 원통형 본체(1)의 바깥 표면에는 단열재(19)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 수직 흐름 전해조.
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