KR101045456B1 - 부식억제제를 포함하는 기능성 액 조성물 - Google Patents

부식억제제를 포함하는 기능성 액 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101045456B1
KR101045456B1 KR1020057007995A KR20057007995A KR101045456B1 KR 101045456 B1 KR101045456 B1 KR 101045456B1 KR 1020057007995 A KR1020057007995 A KR 1020057007995A KR 20057007995 A KR20057007995 A KR 20057007995A KR 101045456 B1 KR101045456 B1 KR 101045456B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon atoms
alkyl
group
composition
aryl
Prior art date
Application number
KR1020057007995A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050075378A (ko
Inventor
데이비드 씨. 실버맨
티모시 케이. 히르첼
Original Assignee
솔루티아인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 솔루티아인코포레이티드 filed Critical 솔루티아인코포레이티드
Publication of KR20050075378A publication Critical patent/KR20050075378A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101045456B1 publication Critical patent/KR101045456B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M169/00—Lubricating compositions characterised by containing as components a mixture of at least two types of ingredient selected from base-materials, thickeners or additives, covered by the preceding groups, each of these compounds being essential
    • C10M169/04—Mixtures of base-materials and additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2211/00—Organic non-macromolecular compounds containing halogen as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2211/04—Organic non-macromolecular compounds containing halogen as ingredients in lubricant compositions containing carbon, hydrogen, halogen, and oxygen
    • C10M2211/042—Alcohols; Ethers; Aldehydes; Ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2211/00—Organic non-macromolecular compounds containing halogen as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2211/06—Perfluorinated compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2215/00—Organic non-macromolecular compounds containing nitrogen as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2215/086—Imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2215/00—Organic non-macromolecular compounds containing nitrogen as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2215/14—Containing carbon-to-nitrogen double bounds, e.g. guanidines, hydrazones, semicarbazones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2215/00—Organic non-macromolecular compounds containing nitrogen as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2215/20—Containing nitrogen-to-oxygen bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2219/00—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2219/00—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2219/04—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions containing sulfur-to-oxygen bonds, i.e. sulfones, sulfoxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2219/00—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2219/04—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions containing sulfur-to-oxygen bonds, i.e. sulfones, sulfoxides
    • C10M2219/044—Sulfonic acids, Derivatives thereof, e.g. neutral salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/02—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having no phosphorus-to-carbon bonds
    • C10M2223/04—Phosphate esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/02—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having no phosphorus-to-carbon bonds
    • C10M2223/04—Phosphate esters
    • C10M2223/0405—Phosphate esters used as base material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/02—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having no phosphorus-to-carbon bonds
    • C10M2223/04—Phosphate esters
    • C10M2223/041—Triaryl phosphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/02—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having no phosphorus-to-carbon bonds
    • C10M2223/04—Phosphate esters
    • C10M2223/041—Triaryl phosphates
    • C10M2223/0415—Triaryl phosphates used as base material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/06—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having phosphorus-to-carbon bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/06—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having phosphorus-to-carbon bonds
    • C10M2223/061—Metal salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/06—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having phosphorus-to-carbon bonds
    • C10M2223/063—Ammonium or amine salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/06—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having phosphorus-to-carbon bonds
    • C10M2223/065—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having phosphorus-to-carbon bonds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2223/08—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having phosphorus-to-nitrogen bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
    • C10N2010/00—Metal present as such or in compounds
    • C10N2010/02—Groups 1 or 11
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
    • C10N2010/00—Metal present as such or in compounds
    • C10N2010/04—Groups 2 or 12
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
    • C10N2010/00—Metal present as such or in compounds
    • C10N2010/06—Groups 3 or 13
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
    • C10N2040/00—Specified use or application for which the lubricating composition is intended
    • C10N2040/08—Hydraulic fluids, e.g. brake-fluids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Lubricants (AREA)

Abstract

본 발명의 부식억제제로부터 선택되는 적어도 하나의 부식억제제를 포함하는 포스페이트 에스테르계 기능성 액 조성물. 포스페이트 에스테르계 기능성 액은 특히 항공 수압액으로서 유용하다.
포스페이트 에스테르, 부식억제제, 기능성 액 조성물

Description

부식억제제를 포함하는 기능성 액 조성물{FUNCTIONAL FLUID COMPOSITIONS CONTAINING EROSION INHIBITORS}
본 출원은 2002년 11월 4일자로 출원된, "부식억제제를 포함하는 기능성 액체 조성물"이라는 표제의 미국특허 출원번호 60/423,564의 정식출원이며, 상기 미국특허출원은 그 전체내용이 참고문헌으로 본 명세서에 통합되어 있다.
본 발명은 개선된, 부식억제제를 포함하는 기능성 액 조성물(functional fluid composition)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 본 발명의 부식억제제를 포함하는, 포스페이트 에스테르를 기초로 하는 기능성 액, 특히 포스페이트 에스테르를 기초로 하는 유압액에 관한 것이다.
과거에, 기능성 액들은 전자 냉각제, 분사펌프액, 윤활제, 흡윤액, 그리스용 베이스, 송전 및 유압액, 열전달액, 열펌프액, 냉장장치액, 및 에어컨 시스템용 여과 매체로서 사용되어 왔다. 포스페이트 에스테르계의 기능성 액은 때때로 유압 시스템에 있어서 송전 매체로서의 이용에 대한 이점이 확인되었다. 그러한 시스템들은 리코일 메카니즘, 액 드라이브 송전, 및 항공기 유압 시스템들을 포함한다. 여러가지 메카니즘들과 항공기 조절시스템들을 작동시키기 위한 항공기의 유압 시스템에 사용되기 위해 의도된 유압액은 엄격한 기능성 요구조건들 및 사용 요구조건들을 충족시켜야만 한다. 포스페이트 에스테르계의 액들은, 특히 고점도 지수, 저유동점, 고윤활성, 저독성, 저밀도 및 저가연성을 포함하는 특성들 때문에, 항공기 유압액으로서의 유용성이 발견되었다. 따라서, 오랫동안, 다양한 부류의 항공기, 특히 상업적인 제트 항공기는 그들의 유압 시스템에 포스페이트 에스테르계의 액을 사용하고 있다. 항공기 유압액의 가장 중요한 요건들은 상승된 온도에서 산화적 분해 및 가수분해에 대해 안정하여야 한다는 것이다.
게다가, 항공기 유압 시스템에 사용되는 기능성 액들은, 그러한 사용 경로에 있어서 기능성 액들이 흐르는 여러가지 도관들, 밸브들, 펌프들 등에 상당한 피해 또는 기능적 손상을 야기하지 않고 연장된 기간 동안 유압 시스템에서 작용할 수 있어야만 한다. 밸브들 및 다른 부재들과 접촉하는 기능성 액들에 의해서 야기된 피해들은, 유압 시스템에 있어서 기능성 액과 접촉하는 환경에 의해, 흐름으로 인해서 유도된 부식(이하, 부식이라 한다)에 기인한다.
일반적인 현대 항공기의 유압 시스템들은 날개 플랩, 보조날개, 방향타 및 착륙장치와 같은 항공기의 여러가지 주행 부분들을 작동시키는 액 보관기, 액라인들 및 여러가지 유압 밸브들을 포함한다. 정확한 조절 메카니즘으로 작동하기 위하여, 이들 밸브들은 종종 유압액이 통과해야만 하는 수천인치 이하의 틈새를 갖는 통로 또는 구멍들을 포함한다. 많은 예들에 있어서, 밸브 구멍들은 유압액의 흐름에 의해서 실질적으로 부식되어 있다는 것이 발견되었다. 부식은 통로의 크기를 증가시키고, 정밀한 조절장치로서 작용하는 밸브의 능력을 허용 한계 이하로 감소시킨다. 예컨대, 항공기는 밸브 부식의 결과로서 항공 조절이 느리게 응답하는 것을 경험한다. 따라서, 포스페이트 에스테르계의 항공기 유압액들은 부식억제제, 즉 유압 시스템 밸브의 부식을 방지하거나 억제하는 기능성 액 첨가제의 사용을 필요로 한다. 가수분해 억제, 지수점도 개선 및 거품 억제와 같은 특정 기능들을 수행하는 다른 첨가제들 또한 종종 유압액에 존재한다. 예컨대, 예컨대 포스페이트 에스테르를 안정화시키기 위해서, 에폭사이드들이 포스페이트 에스테르계의 유압액에 일반적으로 사용된다.
Skydrol® LD-4 항공기 유압액 및 Skydrol® 5 항공기 유압액과 같이 현재 상업적으로 사용되는 포스페이트 에스테르계의 항공기 유압액들은, 모두 솔루티아사 제품으로, 부식억제제로서, 3M사의 FluoradTM FC-98과 같은 퍼플루오로알킬 설폰산의 알칼리금속염들을 성공적으로 사용한다. 포스페이트 에스테르계의 항공기 유압액에 유용하게 사용될 수 있는 대체적 부식억제제를 갖는 것이 바람직할 것이다. 포스페이트 에스테르계의 항공기 유압액에 사용되기 위한 새로운 부식억제제들이 본 발명에 의해 발견되었다.
발명의 요약
본 발명에 따르면, 기능성 액 조성물들은, (a) 포스페이트 에스테르를 포함하는 베이스스톡, 및 (b) 본 발명의, 부식억제 유효량의 적어도 하나의 부식억제제를 포함하고, 여기에서 본 발명의 기능성 액 조성물들에 사용되는 상기 유효량의 부식억제제(들)은 본 발명의 기능성 액 조성물들에 실질적으로 가용성이고, 본 발명의 기능성 액 조성물들에 사용되는 상기 부식억제제(들)은 적어도 부분적으로 이온화된다.
본 발명의 제 1 구체예는, (a) 포스페이트 에스테르를 포함하는 베이스스톡, 및 (b) 부식억제 유효량의, 하기 일반식들로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 적어도 하나의 부식억제제 또는 이들의 혼합물을 포함하는 기능성 액 조성물에 관한 것이다:
Figure 112005023688185-pct00001
여기에서, 본 발명의 기능성 액 조성물들에 사용되는 상기 부식억제제(들)은 적어도 부분적으로 이온화되고, 본 발명의 기능성 액 조성물들에 사용되는 상기 유효량의 부식억제제(들)은 본 발명의 기능성 액 조성물내에서 필수적으로 가용성이다. Rf는 플루오로알킬기, 플루오로아릴기, 플루오로아랄킬기, 플루오로알카릴기, 플루오로시클로알킬기, 플루오로알콕시알킬기 또는 플루오로폴리알콕시알킬기로부터 선택되고; Y 및 Y'는 독립적으로 C, S, S(=A), P-Rf, P-OR 또는 P-NRR'로부터 선택되고; A 및 A'는 독립적으로 O 또는 NR로부터 선택되고; X는 N 또는 C-R"로부터 선택되고; Z는 Y'(=A')-Rf, H, OC(=O)-Rf, 또는 R1-NH-(SO2-Rf)로부터 선택되고; R 및 R'는 독립적으로 H, 알킬, 플루오로아킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 아랄킬, 플루오로알카릴, 또는 플루오로아랄킬로부터 선택되고; R"는 H, 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 아랄킬, 플루오로알카릴, 플루오로아랄킬 또는 -Y(=A)R2(여기에서 R"가 -Y-(=A)R2일때, -Y(=A)R2는 C(O)R2 또는 -SO2-R2인 것이 바람직하다)로부터 선택되고; R2는 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 아랄킬, 플루오로알카릴, 또는 플루오로아랄킬로부터 선택되고; R1은 비치환 알킬렌기 또는 플루오로치환 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 알카릴렌기, 아랄킬렌기, 또는 아릴렌기로부터 선택되고; 그리고 Rf3은 플루오로알킬렌, 플루오로아릴렌, 플루오로아랄킬렌, 플루오로알카릴렌, 플루오로알콕시알킬렌, 또는 플루오로폴리알콕시알킬렌 부분으로부터 선택된다. M은 원자가 n의 양이온이고; 그리고 n은 1, 2, 3, 또는 4이다. Z는 Y'(=A')-Rf, OC(=O)-Rf 또는 R1-NH-(SO2-Rf)로부터 선택되는 것이 바람직하다. Rf1 및 Rf2의 두개의 기들이 존재하는 경우와 같이, 하나 이상의 Rf가 일반식(I)에 있는 경우, 각각의 Rf는 독립적으로 플루오로알킬기, 플루오로시클로알킬기, 플루오로아릴기, 플루오로알카릴기, 플루오로아랄킬기, 플루오로알콕시알킬기 또는 플루오로폴리알콕시알킬기로부터 선택된다. 변수들이 선택되어, 하나 이상의 특정 변수들, 예컨대 A가 일반식(I) 또는 (II)의 특정 구조식에 존재하는 경우, 이들 변수들은 독립적으로 선택되어, 특정 변수의 정의에 근거하여 같거나 다를 수 있다.
여기에서 사용된, 알킬, 플루오로알킬, 아랄킬, 플루오로아랄킬, 알카릴, 또는 플루오로알카릴의 용어에 있어서 "알킬"기는 직쇄 탄소 사슬 또는 분지쇄 탄소 사슬일 수 있다. 여기에서 사용된, 플루오로알킬렌, 플루오로아랄킬렌, 플루오로알콕시-알킬렌, 또는 플루오로폴리알콕시알킬렌의 용어에 있어서 "알킬렌"기는 직쇄 탄소 사슬 또는 분지쇄 탄소 사슬일 수 있다. "아랄킬"이라는 용어는 여기에서 아릴기로 치환된 알킬기로서 정의된다. "플루오로아랄킬"이라는 용어는 여기에서 아릴기 또는 플루오로아릴기로 치환된 플루오로알킬기, 또는 플루오로아릴기로 치환된 알킬기로서 정의된다. "알카릴"이라는 용어는 여기에서 알킬기로 치환된 아릴기로 정의된다. "플루오로알카릴"이라는 용어는 여기에서 알킬기 또는 플루오로알킬기로 치환된 플루오로아릴기, 또는 플루오로알킬기로 치환된 아릴기로 정의된다. "플루오로아랄킬렌"이라는 용어는 여기에서 아릴기 또는 플루오로아릴기로 치환된 플루오로알킬렌기, 또는 플루오로아릴기로 치환된 알킬렌기로 정의된다. "플루오로알카릴렌"이라는 용어는 여기에서 알킬기 또는 플루오로알킬기로 치환된 플루오로아릴렌기, 또는 플루오로알킬기로 치환된 아릴렌기로 정의된다.
일반식(I)의 적합한 음이온들의 예들은 다음의 구조식으로 표시되는 음이온들을 포함하나, 이들에 제한되지는 않는다:
구조식 (1)~(14)는 X가 N인 특정 구조식이다.
Figure 112005023688185-pct00002
Figure 112005023688185-pct00003
구조식 (15)~(23)은 X가 C-R"인 특정 구조식이고, 여기에서 R"는 -Y(=A)R2이다.
Figure 112005023688185-pct00004
Figure 112005023688185-pct00005
구조식 (24)~(26)은 X가 C-R"인 특정 구조식이고, 여기에서 R"는 H이다.
Figure 112005023688185-pct00006
Figure 112005023688185-pct00007
구조식 (27)~(29)는 X가 C-R"인 특정 구조식이고, 여기에서 R"는 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 아랄킬, 플루오로알카릴, 또는 플루오로아랄킬로부터 선택된다.
Figure 112005023688185-pct00008
구조식 (30)~(33)은 Z=Y'(=A')Rf인 특정 구조식이고, 여기에서 Y'(=A')는 Y(=A)와 다르다.
Figure 112005023688185-pct00009
구조식 24, 27, 31 및 33에 있어서, B기는 독립적으로 OR 및 NRR'로부터 선택된다.
구조식 (34)~(36)은 Y가 S인 특정 구조식이고, 여기에서 작용기는 S(=O)이다.
Figure 112005023688185-pct00010
일반식(I)의 변형 형태는 다음의 구조식 (1)~(36)과 같다:
구조식 (1): X는 N, Y는 S(=A), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (2): X는 N, Y는 P(Rf), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (3): X는 N, Y는 P(OR), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (4): X는 N, Y는 S(NRR′), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (5): X는 N, Y는 C, Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (6): X는 N, Y는 S(=NR), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (7): X는 N, Y는 S(=A), Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (8): X는 N, Y는 P(Rf), Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (9): X는 N, Y는 P(OR), Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (10): X는 N, Y는 P(NRR′), Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (11): X는 N, Y는 C, Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (12): X는 N, Y는 S(=A), Z는 H, A는 O이다.
구조식 (13): X는 N, Y는 S(=A), Z는 R1-NH-S02-Rf, A는 O이다.
구조식 (14): X는 N, Y는 C, Z는 O-C(=O)Rf, A는 O이다.
구조식 (15): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 S(=A), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (16): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 P(Rf), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (17): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 P(OR), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (18): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 C, Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (19): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 S(=NR), Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (20): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 S(=A), Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (21): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 P(Rf), Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (22): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 P(OR), Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (23): X는 C-R", 여기서 R"은 Y(=A)-Rf, Y는 C, Z는 Y(=A)Rf, A는 NR이다.
구조식 (24): X는 C-R", 여기서 R"은 H, Y는 P-B, Z는 Y(=A)Rf, A는 O 또는 NR, B는 OR 또는 NRR′이다.
구조식 (25): X는 C-R", 여기서 R"은 H, Y는 S(=A), Z는 Y(=A)Rf, A는 O 또는 NR이다.
구조식 (26): X는 C-R", 여기서 R"은 H, Y는 C, Z는 Y(=A)Rf, A는 O 또는 NR이다.
구조식 (27): X는 C-R", 여기서 R"은 알킬기, 플루오로알킬기, 아릴기 또는 플루오로아릴기, Y는 P-B, Z는 Y(=A)Rf, A는 O 또는 NR, B는 OR 또는 NRR′이다.
구조식 (28): X는 C-R", 여기서 R"은 알킬기, 플루오로알킬기, 아릴기 또는 플루오로아릴기, Y는 S(=A), Z는 Y(=A)Rf, A는 O 또는 NR이다.
구조식 (29): X는 C-R", 여기서 R"은 알킬기, 플루오로알킬기, 아릴기 또는 플루오로아릴기, Y는 C, Z는 Y(=A)Rf, A는 O 또는 NR이다.
구조식 (30): X는 N, Y는 S(=O), Z는 C(=O)Rf, A는 O이다.
구조식 (31): X는 N, Y는 S(=O), Z는 P(=A)(-B)-Rf, A는 O, B는 OR 또는 NRR′이다.
구조식 (32): X는 C-R", 여기서 R"은 H, 알킬기, 플루오로알킬기, 아릴기 또는 플루오로아릴기, Y는 S(=O), Z는 C(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (33): X는 C-R", 여기서 R"은 H, 알킬기, 플루오로알킬기, 아릴기 또는 플루오로아릴기, Y는 S(=O), Z는 P(=A)(-B)-Rf, A는 O, B는 OR 또는 NRR′이다.
구조식 (34): X는 C-S(=O)Rf, Y는 S, Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (35): X는 N, Y는 S, Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
구조식 (36): X는 C-R", 여기서 R"은 H, 알킬기, 플루오로알킬기, 아릴기 또는 플루오로아릴기, Y는 S, Z는 Y(=A)Rf, A는 O이다.
일반식(II)의 적합한 음이온들의 예는 다음의 구조식으로 표시되는 음이온들을 포함하나, 이들에 제한되지는 않는다:
Figure 112005023688185-pct00011
Figure 112005023688185-pct00012
Figure 112009040498288-pct00062
일반식(II)의 변형 형태는 다음의 구조식 (37)~(52)와 같다:
구조식 (37): X는 N, Y와 Y′는 S(=O), A와 A′는 O이다.
삭제
구조식 (38): X는 N, Y와 Y′는 S(=NR), A와 A′는 NR이다.
구조식 (39): X는 N, Y와 Y′는 P-Rf, A와 A′는 O이다.
구조식 (40): X는 N, Y와 Y′는 P-Rf, A와 A′는 NR이다.
구조식 (41): X는 N, Y와 Y′는 P-OR, A와 A′는 O이다.
구조식 (42): X는 N, Y와 Y′는 P-OR, A와 A′는 NR이다.
구조식 (43): X는 N, Y와 Y′는 P-NRR′, A와 A′는 O이다.
구조식 (44): X는 N, Y와 Y′는 P-NRR′, A와 A′는 NR이다.
구조식 (45): X는 N, Y와 Y′는 C, A와 A′는 O이다.
구조식 (46, 46a): X는 N, Y와 Y′는 C, A와 A′는 NR이다(46a는 46의 공명형태이다; 46 또는 46a의 공액산(conjugate acid)은 원하는 염을 유도하기 위해 사용될 수 있다. 공명형태의 구조식 (46)과 (46a)는 자유롭게 호환가능하며, 따라서 이들은 균등물이다).
구조식 (47): X는 C-R", Y와 Y′는 S(=O), A와 A′는 O, R″는 -SO2-Rf이다.
구조식 (48): X는 C-R", Y와 Y′는 P-OR, A와 A′는 O, R″는 -P(O)(OR)-Rf이다.
구조식 (49): X는 C-R", Y와 Y′는 C, A와 A′는 O, R″는 -C(O)-Rf이다.
구조식 (50): X는 C-R", Y와 Y′는 C, A와 A′는 O, R″는 Rf이다.
구조식 (51): X는 C-R", Y와 Y′는 S(=O), A와 A′는 O, R″는 Rf이다.
구조식 (52): X는 C-R", Y와 Y′는 P-OR, A와 A′는 O, R″는 Rf이다.
삭제
본 발명의 일반식(I)에 따른 바람직한 부식억제제 화합물들의 예는 다음을 포함하나, 이들에 제한되지는 않는다:
Figure 112009040498288-pct00055
본 발명의 일반식(II)에 따른 바람직한 부식억제제 화합물들의 예는 다음을 포함하나, 이들에 제한되지는 않는다.
Figure 112009040498288-pct00056
삭제
Rf1과 Rf2와 같은 Rf의 플루오로알킬기들은 1~약 24개의 탄소원자를 가지는데, 바람직하게는 1~약 12개의 탄소원자, 더 바람직하게는 1~약 4개의 탄소원자를 가지며, 직쇄 또는 분지쇄 형태일 수 있다.
Rf의 플루오로알킬기들은 바람직하게는 퍼플루오로알킬기이다.
Rf1과 Rf2와 같은 Rf의 플루오로시클로알킬기들은 4~약 7개의 탄소원자를 가지는데, 바람직하게는 5~6개의 탄소원자를 가진다. Rf의 플루오로시클로알킬기들은 바람직하게는 퍼플루오로시클로알킬기들이다.
삭제
Rf1과 Rf2와 같은 Rf의 플루오로아릴기들은 6~10개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 6개의 탄소원자를 가진다. Rf의 플루오로아릴기들은 바람직하게는 퍼플루오로아릴기들이다.
삭제
Rf1과 Rf2와 같은 플루오로알카릴 및 플루오로아랄킬기들은 7~약 34개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 7~약 14개의 탄소원자를 가진다. Rf의 플로오로알카릴 및 플루오로아랄킬기들은 바람직하게는 각각 퍼플루오로알카릴 및 퍼플루오로아랄킬기들이다.
삭제
Rf1과 Rf2와 같은 Rf의 플루오로알콕시알킬기들은 3~약 21개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 3~약 6개의 탄소원자를 가진다. Rf의 플루오로알콕시알킬기들은 바람직하게는 퍼플루오로알콕시알킬기들이다.
삭제
Rf1과 Rf2와 같은 Rf의 플루오로폴리알콕시알킬기들은 3~약 44개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 4~약 21개의 탄소원자를 가진다. Rf의 플루오로폴리알콕시알킬기들은 바람직하게는 퍼플루오로폴리알콕시알킬기들이다.
삭제
여기에서 사용된, "플루오로(폴리)알콕시알킬" 이라는 용어는 플루오로알콕시알킬기와 플루오로폴리알콕시알킬기들을 모두 지칭하며, "퍼플루오로(폴리)알콕시알킬"이라는 용어는 퍼플루오로알콕시알킬기와 퍼플루오로폴리알콕시알킬기들을 모두 지칭한다.
Rf1과 Rf2와 같은 Rf기들은 바람직하게는 플루오로알킬, 플루오로알콕시알킬 및 플루오로폴리알콕시알킬기들이고, 더 바람직하게는 퍼플루오로알킬, 퍼플루오로알콕시알킬 및 퍼플루오로폴리알콕시알킬기들이다.
Rf3의 플루오로알킬렌기들은 2~약 6개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 2~4개의 탄소원자를 가진다. Rf3의 플루오로알킬렌기들은 바람직하게는 퍼플루오로알킬렌기들이다.
삭제
Rf3의 플루오로아랄킬렌 및 플루오로알카릴렌기들은 8~16개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 8~10개의 탄소원자를 가진다. Rf3의 플루오로아랄킬렌 및 플루오로알카릴렌기들은 바람직하게는 퍼플루오로아랄킬렌 및 퍼플루오로알카릴렌기들이다.
삭제
Rf3의 플루오로아릴렌기들은 6~10개의 탄소원자를 가진다. Rf3의 플루오로알콕시알킬렌기들은 4~약 12개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 4~6개의 탄소원자를 가진다. Rf3의 플루오로알콕시알킬렌기들은 바람직하게는 퍼플루오로알콕시알킬렌기들이다.
삭제
삭제
Rf3의 플루오로폴리알콕시알킬렌기들은 4~약 30개의 탄소원자를 가지며, 바람직하게는 4~6개의 탄소원자를 가진다. Rf3의 플루오로폴리알콕시알킬렌기들은 바람직하게는 퍼플루오로폴리알콕시알킬렌기들이다.
삭제
여기에서 사용된, "플루오로(폴리)알콕시알킬렌"이라는 용어는 플루오로알콕시알킬렌 및 플루오로폴리알콕시알킬렌기들을 모두 지칭하고, "퍼플루오로(폴리)알콕시알킬렌"이라는 용어는 퍼플루오로알콕시알킬렌 및 퍼플루오로폴리알콕시알킬렌기들을 모두 지칭한다.
Rf3은 바람직하게는 플루오로알킬렌기들이고, 더 바람직하게는 퍼플루오로알킬렌기들이다.
구조식 (iii)의 R기는 1~약 22개의 탄소원자, 바람직하게는 1~약 4개의 탄소원자를 갖는 알킬기; 1~약 24개의 탄소원자, 바람직하게는 1~약 8개의 탄소원자를 갖는 플루오로알킬, 바람직하게는 퍼플루오로알킬; 6~10개의 탄소원자를 갖는 아릴; 6~10개의 탄소원자를 갖는 플루오로아릴, 바람직하게는 퍼플루오로아릴; 7~24개의 탄소원자, 바람직하게는 7~14개의 탄소원자를 갖는 아랄킬; 7~약 24개의 탄소원자, 바람직하게는 7~약 14개의 탄소원자를 갖는 알카릴; 7~24개의 탄소원자, 바람직하게는 7~약 14개의 탄소원자를 갖는 플루오로아랄킬, 바람직하게는 퍼플루오로아랄킬; 또는 7~약 24개의 탄소원자, 바람직하게는 7~약 14개의 탄소원자를 갖는 플루오로알카릴, 바람직하게는 퍼플루오로알카릴로부터 선택된다. R은, 바람직하게는 알킬 또는 플루오로알킬기들이다.
R1은 비치환 또는 플루오로-치환된 알킬렌, 시클로알킬렌, 아릴렌, 알카릴렌, 또는 아랄킬렌기들로부터 선택되는데, 여기서 알킬렌기들은 직쇄 형태 또는 분지쇄 형태이고, 1~약 8개의 탄소원자, 바람직하게는 1~4개의 탄소원자를 가지며, 시클로알킬렌기들은 4~약 7개의 탄소원자, 바람직하게는 5~6개의 탄소원자를 가지며, 아릴렌기들은 6~10개의 탄소원자를 가지고, 알카릴렌 또는 아랄킬렌기들은 7~18개의 탄소원자, 바람직하게는 7~10개의 탄소원자를 가진다.
R1은 바람직하게는 2개 또는 3개의 탄소원자들에 의해 분리된 설폰아미드기들이다.
더욱 바람직하게는, R1은 비치환 또는 플루오로-치환된 시클로알킬렌기인데, 시클로헥실렌이 가장 바람직하다.
M은 n과 동등한 원자가의 양이온인데, 여기서 n은 1, 2, 3 또는 4이다.
M은 바람직하게는 알칼리금속, 알칼리토금속, IIIA족 금속, IIIB족 금속, IVA족 금속, VA족 금속, VIA족 금속, VIIA족 금속, VIIIA족 금속, IB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환(tetrasubstituted) 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택된다.
더 바람직하게는, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, 아연, IIIA족 금속, 또는 IIIB족 금속으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택된다.
여기에서 사용된, IB족, IIIA족, IIIB족, IVA족, VA족, VIA족, VIIA족 및 VIIIA족의 명명법은 기존의 IUPAC의 주기율표에 따른 것이고, IIIA족 금속은 란탄족 계열 금속들(특별히 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 유로피윰, 디스프로슘, 이테르븀)을 포함한다. 바람직한 알칼리금속 양이온들은 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘이다. 바람직한 알칼리토금속 양이온들은 마그네슘과 칼슘이다. 바람직한 IIIA족 금속 양이온들은 란타늄과 세륨이다. 바람직한 IVA족 금속 양이은들은 티타늄과 지르코늄이다. 바람직한 VA족 금속 양이온은 바나듐이다. 바람직한 VIA족 금속은 크로뮴(III)이다. 바람직한 VIIA족 금속 양이온은 망간이다. 바람직한 VIIIA족 금속 양이온들은 철, 코발트 및 니켈이다. 바람직한 IB족 금속 양이온들은 구리와 은이다. 바람직한 IIIB족 금속 양이온은 알루미늄이다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
사치환 암모늄과 포스포늄 양이온들은 각각 1~약 24개의 탄소원자, 바람직하게는 1~4개의 탄소원자를 가지는 알킬기; 6~10개의 탄소원자를 가지는 아릴기, 바람직하게는 페닐기; 7~약 34개의 탄소원자, 바람직하게는 7~약 14개의 탄소원자를 가지는 아랄킬 또는 알카릴기로부터 독립적으로 선택되는 기로 치환된다. 사치환 암모늄과 포스포늄 양이온들에서의 탄소원자들의 총수는 4~약 38개이고, 바람직하게는 5~약 21개이다. 치환기들이 모두 동일하지 않은, 바람직한 사치환 암모늄 또는 포스포늄 양이온의 예는 구조식 (CH3)3NR+로 표시되는데, 여기서 R은 1~약 18개의 탄소원자이다.
삭제
삭제
알킬-치환된 이미다졸륨 양이온들은 2~5개의 알킬기로 치환되며, 여기서 각각의 알킬 치환기는 독립적으로 1~22개의 탄소원자를 가진다. 알킬-치환된 이미다졸륨 양이온들에서 탄소원자들의 총수는 5~약 31개인데, 즉, 이미다졸륨 고리의 알킬 치환기들에 있어서의 탄소원자들의 총수는 2~약 28개이며, 알킬-치환된 이미다졸륨 양이온들은 이미다졸륨 고리의 각각의 질소원자에 부착된 1개의 알킬기를 가진다. 바람직한 양이온들은 본 발명의 부식억제제(들)의 특정 음이온에 따라 다를 것이다. 특히, 바람직한 양이온들은, 본 발명의 부식억제제 화합물들이 사용되는 농도 및 부식억제제 화합물들이 본 발명의 기능성 액 조성물내에서 효과적으로 이온화되는 농도에서, 본 발명의 부식억제제 화합물들이 본 발명의 기능성 액 중에 필수적으로 가용성이게 하는 그러한 양이온들이다. 더욱 바람직하게는, 본 발명의 부석억제제 화합물들은 부식억제제 화합물들이 사용되는 농도에서 본 발명의 기능성 액 내에서 완전하게 용해된다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
본 발명의 부식억제제 화합물들은 포스페이트 에스테르계의 베이스스톡을 사용하는 본 발명의 기능성 액, 예컨대 유압액에 유효량으로 적용되는 경우에 유용하다. 전형적으로, 부식억제제의 유효량은 전체 액 조성물 100g당 부식억제제가 적어도 1.0마이크로몰이다. 부식억제제의 유효량은, 전체 액 조성물 100g당 부식억제제가 약 10~약 200마이크로몰의 범위인 것이 바람직하고, 약 20~약 150마이크로몰인 것이 더욱 바람직하다.
구조식 (i)의 바람직한 플루오로설폰이미드 염들은 M이 알칼리금속, 알칼리토금속, IIIa족 금속, IIIb족 금속, 아연, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 암모늄, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환된 이미다졸륨 양이온들로부터 선택되는 경우 효과적이다. 구조식 (i)의 플루오로설폰이미드염들과 함께 사용되기에 바람직한 양이온들은 리튬, 칼륨, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄 및 란타늄이고, 리튬, 마그네슘, 란타늄, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄 및 테트라부틸포스포늄이 더 바람직하고, 달성되는 결과들로 인해서 가장 바람직한 것은 리튬 및 테트라부틸암모늄이다.
구조식 (i)의 적당한 플루오로설폰이미드 염들의 예들은 제한되지 않지만, 리튬, 칼륨, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘 또는 란타늄 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미데이트; 리튬, 칼륨, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(노나플루오로부탄설포닐)이미데이트; 리튬, 칼륨, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘 또는 란타늄 비스(퍼플루오로에톡시에틸설포닐)이미데이트; 리튬, 칼륨, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘 또는 란타늄 비스(펜타플루오로에탄설포닐)이미데이트; 및 이들의 혼합물들을 포함한다.
M이 리튬, 알카리토금속류, IIIa족 금속, IIIb족 금속, 아연, 알킬, 아릴, 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 암모늄, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/알릴 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨 양이온으로부터 선택되는, 바람직한 구조식 (ⅱ)의 플루오로(카르복스)이미드염이 효과적이다. 구조식 (ⅱ)의 플루오로(카르복스)이미드염에 사용되기 위한 바람직한 양이온들은 리튬, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 및 란타늄이며, 리튬, 마그네슘, 란타늄, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 및 테트라부틸포스포늄이 더 바람직하며, 리튬과 테트라부틸암모늄이 가장 바람직하다.
구조식 (ⅱ)의 적합한 플루오로(카르복스)이미드 염의 예들은 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(트리플루오로아세트)이미데이트, 및 이들의 혼합물을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다.
M이 리튬, 알칼리토금속류, IIIa족 금속, IIIb족 금속, 아연, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 암모늄, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환된 이미다졸륨 양이온들로부터 선택되는, 바람직한 구조식 (ⅲ)의 플루오로아세토아세톤 염이 효과적이다. 구조식 (ⅲ)의 플루오로아세토아세톤 염에 사용되기 위한 바람직한 양이온들은 리튬, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 및 란타늄이며, 리튬, 마그네슘, 란타늄, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 및 테트라부틸포스포늄이 더 바람직하고, 리튬과 테트라부틸암모늄이 가장 바람직하다.
구조식 (ⅲ)의 적합한 플루오로아세토아세톤 염들의 예들은 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 헥사플루오로아세토아세토네이트, 및 이들의 혼합물이나, 이들에 한정되지는 않는다.
M이 알칼리금속, 알칼리토금속류, IIIa족 금속, IIIb족 금속, 아연, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 암모늄, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환된 이미다졸륨 양이온들로부터 선택되는, 구조식 (ⅳ)의 바람직한 플루오로설폰아미드 염들이 효과적이다. 구조식 (ⅳ)의 플루오로설폰아미드 염에 사용되기 위한 바람직한 양이온들은 리튬, 칼륨, 나트륨, 세슘, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 및 란타늄이며, 리튬, 마그네슘, 란타늄, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 및 테트라부틸포스포늄이 더 바람직하고, 리튬과 테트라부틸암모늄이 가장 바람직하다.
적합한 플루오로설폰아미드 염들의 예는 리튬, 칼륨, 나트륨, 세슘, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 트리플루오로메탄-설폰아미데이트 및 이들의 혼합물을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다.
M이 리튬, 알칼리토금속류, IIIa족 금속, IIIb족 금속, 아연, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 암모늄, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환된 이미다졸륨 양이온들로부터 선택되는, 구조식 (ⅴ)의 바람직한 플루오로-O-아세토하이드록사믹산 염들이 효과적이다. 구조식 (ⅴ)의 플루오로-O-아세토하이드록사믹산 염에 사용되기 위한 가장 바람직한 양이온들은 리튬, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 및 란타늄이며, 리튬, 마그네슘, 란타늄, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 그리고 테트라부틸포스포늄이 더 바람직하며, 리튬과 테트라부틸암모늄이 가장 바람직하다.
적합한 플루오로-O-아세토하이드록사믹산 염들의 예는 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 비스(트리플루오로아세틸)하이드록실아민의 란타늄 염들 및 이들의 혼합물을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다.
M이 알칼리금속류, 알칼리토금속류, IIIa족 금속, IIIb족 금속, 아연, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 암모늄, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환된 이미다졸륨 양이온들로 부터 선택되는, 구조식 (ⅵ)의 바람직한 비스(플루오로설폰아미드) 염들이 효과적이다. 구조식 (ⅵ)의 비스(플루오로설폰아미드)염에 사용되기 위한 바람직한 양이온들은 리튬, 칼륨, 나트륨, 세슘, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 및 란타늄이며, 리튬, 마그네슘, 란타늄, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 및 테트라부틸포스포늄이 더 바람직하고, 리튬과 테트라부틸암모늄이 가장 바람직하다.
적합한 비스(플루오로설폰아미드) 염들의 예는 리튬, 칼륨, 나트륨, 세슘, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄 트랜스-N,N'-1,2-시클로헥산디일비스(1,1,1-트리플루오로메탄설폰아미데이트), 및 이들의 혼합물을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다.
M이 알칼리금속류, 알칼리토금속류, IIIa족 금속, IIIb족 금속, 아연, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 암모늄, 알킬, 아릴 또는 혼합된 알킬/아릴 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환된 이미다졸륨 양이온들로부터 선택되는, 구조식 (ⅶ)의 바람직한 시클릭 플루오로알킬렌디설포닐이미드 염들이 효과적이다. 구조식 (ⅶ)의 시클릭 플루오로알킬렌디설포닐이미드 염들에 사용되기 위한 바람직한 양이온들은 리튬, 칼륨, 나트륨, 세슘, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 및 란타늄이며, 리튬, 마그네슘, 란타늄, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 및 테트라부틸포스포늄이 더 바람직하며, 리튬과 테트라부틸암모늄이 가장 바람직하다.
적합한 시클릭 플루오로알킬렌디설포닐이미드 염들의 예는 리튬, 칼륨, 나트륨, 세슘, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 시클릭-1,3-퍼플루오로프로판디설폰이미드; 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄 또는 마그네슘 시클릭-1,2-퍼플루오로에탄디설폰이미드; 및 이들의 혼합물을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다.
본 발명의 부식억제제 화합물들은 당업자에게 알려진 통상의 방법을 사용하여, 적당한 공액산 전구체 염을 제조함에 의해서 일반적으로 제조될 수 있다. 공액산 전구체 또는 상응하는 염들은 상업적으로 구입가능하거나 또는 당업자에게 알려진 방법에 의해서 제조될 수 있다.
상기 구조식들의 대다수가 이미데이트이거나 메타이드이다. 이미데이트(이미드 염들)는 일반식 (I) 또는 (Ⅱ)의 X가 N이고, Z가 또한 Y=A 형태인 음이온들이다. 메타이드는 일반식 (I) 또는 (Ⅱ)의 X가 C-R"인 음이온들이다. 가장 넓은 의미에서, 이미드, 예를 들면 구조식 (1)~(10), (31), (35), 및 (37)~(46)의 공액산들은 상응하는 산 할라이드 [Rf-Y(=A)-할로겐]와 암모니아의 반응에 의해서 제조될 수 있다. 비시클릭 비대칭성 화합물은 할라이드와 상응하는 중간체 아미드와의 반응에 의해서 제조될 수 있다. 넓은 의미에서, 구조식 (15)~(29), (32)~(34), (36), 및 (47)~(52)의 메타이드의 공액산들은 상응하는 산 할라이드와 적합한 전구체 메타이드 음이온(예를 들면, 메틸리튬, 벤질마그네슘 클로라이드와 같은 알킬 또는 벤질 메탈로이드 종)의 반응에 의해서 제조될 수 있다. 이 과정은 다중-치환된 메타이드를 구성하기 위해 반복될 수 있다. 하기에 기재한 바와 같이, 본 발명의 부식억제제 화합물들의 예의 일부에 대하여는 다른 루트들이 알려져 있거나 또는 이용가능하다.
구조식 (1)과 (37)의 부식억제제 화합물 음이온들은 구조식 (i)과 (ⅶ)의 부식억제제 화합물에 상응하며, 이들은 미국특허 5,874,616; 5,652,072; 및 4,387,222에 개시된 방법에 의해서 제조될 수 있고, 이들 특허들은 그 내용 전체가 참고문헌으로서 본 명세서에 통합된다. 대안으로, 유리 산 이미드 염의 제조를 위해서 수성 매트릭스를 이용할 수 있고, 물은 열과 진공하에서 증발된다. 예를 들면, 상응하는 염들을 제조하기 위해 사용된 사치환 암모늄과 사치환 포스포늄 하이드록사이드들은 수성 용액으로서 사용될 수 있다. 만약 그렇다면, 이러한 수성 용액은 유리 이미드의 용해도에 따라서 물 또는 메틸 t-부틸 에테르 중의 이미드에 첨가될 수 있고, 톨루엔 처리 전에 대부분의 물을 제거하기 위해 충분한 열, 진공, 및 시간이 적용되면, 상기 특허들에 기재된 바와 같이 실질적으로 생성물이 분리된다. 구조식 (i)과 (ⅶ)의 화합물들을 제조하기 위해, 상기 '616, '072, '222 특허에 개시된 방법에 자명한 변형을 가하거나 가하지 않고서, 상기 특허들의 개시내용을 이용하는 방법을 당업자들은 용이하게 이해할 것이다. 예를 들면, 퍼플루오로(폴리)알콕시알킬설폰이미드와 시클릭 퍼플루오로(폴리)알콕시알킬렌디설폰이미드는 알려진 퍼플루오로(폴리)알콕시알킬설포닐 화합물을 사용하므로써 용이하게 제조될 수 있고, 이 경우 당업자에게 널리 알려진 방법들이 퍼플루오로(폴리)알콕시알킬설포닐 플루오라이드와 (설폰)이미드를 제조하기 위해 사용된다.
구조식 (2)의 부식억제제 화합물 음이온들의 공액산은, 특별히 Rf=C3F7(헵타플루오로프로필)인 화합물의 제조를 기술하고 있는 Pavlenko, N.V.; Matyushecheva, G.I.; Semenii, V. Ya.; Yagupol'skii, L.M., USSR. Zh. Obshch. Khim. (1985), 55(7), 1586-90. (CAN 105:42926)에 개시된 방법에 따라서 제조될 수 있다. 부식억제제 화합물들은 관용적인 방법을 사용해서 원하는 공액산 전구체의 염을 제조하므로써 제조될 수 있다.
구조식 (3)의 부식억제제 화합물 음이온들은, 비대칭적인 또는 대칭적인 포스폰이미드 각각을 만들어내기 위해, 적당한 포스포닐 할라이드와 적당한 포스폰이미드 또는 암모니아를 반응시켜서 제조될 수 있다. 예를 들면, 포스폰아미드 Rf-P(=O)(OR)-NH2(여기서 Rf=CHF2, CH2F이고, R=H이거나, 또는 Rf=CF3, R=p-톨릴 및 클로로페닐로 한번 치환된 N)는 포스포닐할라이드 Rf-P(=O)(OR)-X(여기서 Rf=CF3 또는 플루오로알케닐, R=C1-C4, 그리고 X=Cl 또는 F이다)와 반응될 수 있다. 이러한 포스폰이미드는, 여기에 기재된 것처럼, 바람직한 부식억제제 화합물을 제조하기 위해, 본 발명의 염들의 일반적인 제조 방법에 의해서 염기로 처리될 수 있다.
구조식 (4)의 부식억제제 화합물 음이온들은, 특별히 Rf=C3F7(헵타플루오로프로필)이고, R, R'=H인 화합물의 제조를 기술하고 있는 Pavlenko, N.V.; Matyushecheva, G.I.; Semenii, V. Ya.; Yagupol'skii, L.M., USSR. Zh. Obshch. Khim. (1985), 55(7), 1586-90. (CAN 105:42926)에 개시된 방법에 따라서 제조될 수 있다. 상기 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여, 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (5)의 부식억제제 화합물 음이온은, 구조식 (ⅱ)의 부식억제제 화합물에 상응하며, 이들은 상업적으로 구입가능하고, 또는 염을 형성하기 위하여 이미드 출발물질과 적절한 염기를 반응시켜 제조될 수 있다. 예를 들면, 비스(트리플루오아세트)이미드는 Fluka Chemie AG로 부터 구입할 수 있다. 이미드 출발물질의 제조는 당업자에게 널리 알려져 있다. 상기 염은 당업자에게 알려진 어떤 통상적 방법, 예를 들면 화학양론적인 양의 이미드와 수성 용액 또는 슬러리 상태의 금속 하이드록사이드를 조합하고, 20~70℃로 가열하고, 용액이 형성될때 까지 교반시키므로써 제조될 수 있다. 그런 다음, 염을 얻기 위해 물을 증발시킨다. 세슘염의 제조는 미국특허 5,350,646의 실시예 7에 기재되어 있다. 퍼플루오로카르복스이미드 또한, Ye, F.; Noftle, R.E., Dept. Chem., Wake Forest Univ., Winston-Salem, NC, USA, Journal of Fluorine Chemistry (1997), Volume Date 1996-1997, 81(2), 193-196(CAN 127:65495)에 기재된 방법에 의해서 제조될 수 있다.
삭제
구조식 (6)의 부식억제제 화합물 음이온들은 Burk, Peeter; Koppel, Ilmar A.; Koppel, Ivar; Yagupolskii, Lev M.; Taft, Robert W., Inst. Chem. Physics, Tartu Univ., Tartu, Estonia, Journal of Computational Chemistry (1996), 17(1), 30-41(CAN 124:201507)에 개시되어 있다. 구조식 (6)의 공액산 음이온들은 암모니아와 하기의 전구체들과 같은 아자설포닐할라이드와의 반응에 의해서 제조될 수 있다. 이러한 반응은 구조식 (2)와 (4)의 물질의 제조를 위해서 상기에서 기재한 것과 유사하다.
하기 전구체들은,
59665-14-4 79823-98-6 79823-99-7 79824-00-3
Figure 112005023688185-pct00016
다음의 인용문헌들에 기재되어 있다: (트리플루오로메틸이미노)(트리플루오로메틸)설퍼 트리플루오라이드와 뉴클레오필의 반응 및 CF3SF4N(F)Rf(Rf=트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸)의 제조, Yu, Shin-Liang; Shreeve, Jeanne M., J. Fluorine Chem. (1976), 7(1-3), 85-94(CAN 85:32347); 설퍼(Ⅵ) 옥사이드 클로라이드 이미드 및 설퍼(Ⅵ) 옥사이드 플루오라이드 이미드, Mews, Ruediger; Kricke, Peter; Stahl, Ingo., Anorg. Chem. Inst., Univ. Goettingen, Goettingen, Fed. Rep. Ger., Z. Naturforsch., B: Anorg. Chem., Org. Chem.(1981), 36B(9), 1093-8(CAN 95:214367); 및 설퍼(VI) 화합물의 플루오르 화학, Yu, Shin-Liang, (1975), 108pp., from: Diss. Abstr. Int. B 1976, 36(11), 5582(CAN 85 : 62598). 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
하기 화합물은,
Figure 112005023688185-pct00017
Yu, Shin-Liang; Shreeve, Jeanne M. (트리플루오로메틸이미노)(트리플루오로메틸)설퍼 트리플루오라이드와 뉴클레오필의 반응 및 CF3SF4N(F)Rf(Rf = 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸)의 제조, J. Fluorine Chem.(1976), 7(1-3), 85-94(CAN 85 :
32347) 및 설퍼(VI) 화합물의 플루오르 화학, (1975). 108pp. (CAN 85: 62598)에 개시되어 있다. 그러한 물질은 여기서 설명된 구조식 (1), (2) 및 (4)의 화합물의 제조와 유사한 방법으로, 설포닐 플루오라이드와 암모니아의 반응에 의해 제조되는, 구조식 (7)의 음이온에 상응하는 공액산들에 대한 전구체이다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (8)의 부식억제제 화합물 음이온들의 공액산 전구체는 다음과 같이 제조될 수 있다. 논문 Bifunctional bis(perfluoroalkylphosphazo) compounds, Sokolov, E. I.; Sharov, V. N.; Klebanskii, A. L.; Korol'ko, V. V.; Prons, V. N., Vses. Nauchno-Issled. Inst. Sint. Kauch. im. Lebedeva, Leningrad, USSR, Zh. Obshch. Khim. (1975), 45(10), 2346-7(CAN 84:59664)에서 개시된 바에 의거하여, 상기 논문에서 개시된 것과 비슷한 조건하에서의 RNH2와 (Rf)2PCl3의 반응에 의해 (Rf)2P(Cl)=NR이 생성된다. 그 후, 이 물질은 포스핀이미드를 생산하기 위해, 암모니아와 반응된다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다. 물질 (Rf)2PCl3은 알려져 있고, 그 제조는 문헌, 예를 들어 Mahmood, Tariq; Shreeve, Jean'ne M., New perfluoroalkylphosphonic and bis(perfluoroalkyl)phosphinic acids and their precursors, Inorg. Chem.(1986), 25(18), 3128-31(CAN 105:226810) 및 Gosling, Keith; Burg, Anton B., Bis(trifluoromethyl)dithiophosphinic acid and related derivatives, J. Amer. Chem. Soc.(1968), 90(8), 2011-15(CAN 69:19257)에 설명되어 있다.
구조식 (9)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 구조식 RfPF4의 화합물들은 당분야에 알려져 있다. 구조식 RfPF4의 화합물들의 구조식 RfP(OR')F3의 화합물로의 전환은 구조식 RP(OR')F3의 화합물의 제조를 위해 종래기술에서 알려진 바에 따라 이루어질 수 있다. 그 후, 구조식 RfP(OR')F3의 화합물은 구조식 (Rf)2PCl3, RNH2의 화합물들 및 암모니아로부터 단계적으로 구조식 (8)의 화합물을 제조하기 위해 개시된 방법에 따라 구조식 (9)의 화합물로 전환될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (10)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 물질들 RfP(NR2)X3과 RfP(N(Rf')2)X3의 제조가 알려져 있다. 두개의 논문, 즉 Fokin, A. V.; Drozd, G. I.; Landau, M.A., Structure of aminoperfluoroalkylfluorophosphoranes, Zh. Strukt. Khim. (1976), 17(2), 385-9(CAN 85 : 62353), 및 Fokin, A. V.; Landau, M.A.; Drozd, G. I.; Yarmak, N. P., Fluorine-19, phosphorus-31, and proton NMR spectra of bis(trifluoromethyl)aminophosphoranes, Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser.Khim. (1976), (10), 2210-17(CAN 86:81293)에 RfP(NR2)X3 물질이 개시되어 있다. RfP(N(Rf')2)X3의 제조가 논문 Ang, H. G., Oxidative addition of trifluoromethylhalophosphines with N-chlorobis(trifluoro-methyl)amine, J. Fluorine Chem.(1973), Volume Date 1972-1973, 2(2), 181-9(CAN 77:164801)에 개시되어 있다. 그러한 물질들은 구조식 (8)의 화합물의 제조에 대해 위에서 설명된 과정에 따라, 구조식 (10)의 음이온에 상응하는 화합물을 제조하기 위한 전구체로 사용될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (11)의 부식억제제 화합물 음이온의 공액산은 이미 알려져 있다. R=H인 경우에, 그들은 Synthesis of N(perfluoroacyl-imidoyl)perfluoro-alkylamidines and perfluorosubstituted triazine compounds based on them, Fedorova, G.B.; Dolgopol'skii,I.M.; Vses. Nauch. Issled. Inst. Sin. Kauch im. Lebedeva, Leningrad, USSR, Zh. Obshch. Khim. (1969), 39(12), 2710-16(CAN 72:90411)에서 개시된 것과 같이, 니트릴과 적당한 아미디엔의 반응에 의해 쉽게 제조될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은, 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (iv)의 부식억제제 화합물에 상응하는, 구조식 (12)의 부식억제제 화합물 음이온은, 본 명세서에 참조문헌으로 통합된, 미국 특허 제4,370,254호에 개시된 방법에 따라 제조될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (vi)의 부식억제제 화합물에 상응하는, 구조식 (13)의 부식억제제 화합물 음이온은 동등량의 비스아미드 RfSO2NH-R1-NHSO2Rf 및 수용액 또는 슬러리 상태의 적절한 염기를 조합시키고, 20~70℃로 가열하고, 균질용액이 형성될 때까지 교반함으로써 제조될 수 있다. 그 후, 물을 증발시켜 염을 수득한다. 비스아미드 출발물질의 제조는 당업자에게 이미 알려져 있다.
구조식 (v)의 부식억제제 화합물에 상응하는, 구조식 (14)의 부식억제제 화합물 음이온의 공액산은 Tomooka, C.S., LeCloux, D.D., Sasaki, H., 및 Carreira, E.M., Organic Letters(1999), 1(1), 149-151(CAN 131:87501)에 의해 개시된 방법에 따라 제조될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (15)의 부식억제제 화합물 음이온의 공액산은 잘 알려져 있다. 이것의 제조는 미국 특허 제3,333,007호에 개시되어 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (16)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음에 따라 제조될 수 있다. 모노-P 메탄 [(Rf)2P(=O)-CH3]이 알려져 있다: Pavlenko, N.V.;Matyushecheva, G.I.; Semenii, V.Ya.; Yagupol'skii, L.M., Reaction of difluorotris(perfluoroalkyl) phosphoranes with organolithium compounds, Zh. Obshch. Khim. (1987), 57(1), 117-20(CAN 108:6098)과 The, Kwat I.; Cavell, Ronald G., Phosphoranes. 4. Methylbis(trifluoromethyl)phosphoranes, CH3(CF3)2PXY, with monofunctional [fluoro, chloro, methoxy, dimethylamino] substitutents, Inorg. Chem. (1997), 16(6), 1463-70(CAN 87:6086). 부가적으로, Rf가 C1-4이고, X가 F 또는 Cl인 물질 (Rf)2P(=O)X가 알려져 있다. 상기 메탄은 음이온을 생성하도록 충분히 강한 염기로 처리될 수 있고, 이는 (Rf)2P(=O)-CH2-P(=O)(R'f)2를 생성하도록 할라이드로 처리된다. 이들 물질은 출발물인 모노-P 메탄보다 더 산성일 것이다. 그 후, 상기 과정은 구조식 (16)의 물질의 모산(parent acid)을 제공하기 위해 반복될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (17)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음에 따라 제조될 수 있다. 모노포스포노메탄 RfP(=O)(OR)-CH3 및 포스포닐 할라이드 RfP(=O)(OR)X(여기에서, X는 할로겐)가 알려져 있다. 메타이드를 생성하기 위해 염기와 상기 모노포스포노메탄을 반응시키고, 이어서 상기 할라이드를 반응시키고, 그 후 구조식 (16)의 화합물에 대하여 설명된 바와 같은 반복에 의해, 구조식 (17)의 물질의 모산을 수득하게 된다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (18)의 부식억제제 화합물 음이온은 이미 알려져 있거나, Tris(perfluoroacyl)methanes, RoKhlin, E. M.; Volkonskii, A. Yu, Inst. Elementoorg. Soedin., Moscow, USSR, Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Khim. (1979), (9), 2156(CAN 92:146215)에 개시된 바와 같이, 플루오로알카노일-안하이드라이드와 플루오로알카노일플루오라이드의 반응에 의해 제조될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (19)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음에 따라 제조될 수 있다. Multinuclear NMR spectroscopy and quantum-chemical studies of sulfur compounds with strong electron-withdrawing groups, Bzhezovsky, Vladimir; Penkobsky, Vladimir, Inst. Org. Chem., Natl.Acad.Sci., Kiev, Ukraine; Phosphorus, Sulfur Silicon Relat. Elem. (1994), 95 & 96(1-4), 413-14(CAN 122:264815)에서, 분광학적 연구가 RfS(=NR)(=O)-CH3(여기에서 R은 -SO2R'f이다)에 대해 수행되었다. 임의의 할라이드 RfS(=NR)(=O)X가 알려져 있고, 여기에서 R=R'f이다. 따라서 구조식 (19)의 화합물의 원하는 모산은 위의 구조식 (16) 및 (17)의 물질에 대해 사용된 과정, 즉 메타이드를 생성하기 위한 염기와 상기 메탄의 반응, 그 후 RfS(=O)(=NSO2R'f)-CH2-S(=O)(=NR"f)Rf를 생성하기 위한 상기 할라이드와 상기 메타이드의 반응에 의해 만들어질 수 있다. 상기 결과물은 차례로 상응하는 메타이드를 생성하기 위해 염기로 처리되고, 이 메타이드는 구조식 (19)의 물질의 모산을 생성하기 위해 추가 몰의 할라이드와 반응시킨다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적당한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (20)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음에 따라 제조될 수 있다. 화합물 F3C-N=S(=NCH3)(CF3)-F가, Yu, Shin-Liang, Fluorine chemisty of sulfur(VI) compounds, (1975), 108pp.(CAN 85:62598)과 Yu, Shin-Liang; Shreeve, Jeanne M., Reactions of (trifluoromethylimino)-(trifluoromethyl)sulfur trifluoride with nucleophiles and the preparation of CF3SF4N(F)Rf(Rf=trifluoromethyl, pentafluoroethyl), J. Fluorine Chem. (1976), 7(1-3), 85-94(CAN 85:32247)에서 개시된 것처럼, 알려져 있다. 단일치환된 메탄, (CF3)-(F3CSO2-N=)2S-CH3 또한 Bzhezovsky, Vladimir; Penkovsky, Vladimir, Multinuclear NMR spectroscopy and quantum-chemical studies of sulfur compounds with strong electron-withdrawing groups, Phosphorus, Sulfur Silicon Relat.Elem. (1994), 95 & 96(1-4), 413-14(CAN 122:264815)에서 개시된 것과 같이 알려져 있다. 위에서 설명된 것과 같이, 메타이드의 다단계 생성 및 할라이드와의 반응은, 적어도 R이 활성 -SO2R'f인 경우에, 구조식 (20)의 트리치환된 메탄원의 제조를 야기한다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (21)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 할라이드 (Rf)2P(=NR)-X는 적절한 아민 RNH2와 (Rf)2PX3(상술한 구조식 (10) 참조)의 반응에 의해 제조될 수 있다. 임의의 포스포러스 디할라이드인, (F3C)2PCl2CH3 및 (F7C3)PF2CH3를 포함하는, (Rf)2PX2CH3는 공지되어 있다. 구조식 (10)에 대해 상술한 방법을 이용하는 것에 의해, 상기 디할라이드는 1차 아민과 반응되어 모노포스포러스 메탄인, (Rf)2P(=NR)CH3을 형성한다. 이들 모노포스포러스 메탄은 염기로 처리되어 공액 메타이드 음이온을 형성할 수 있고, 이들은 [(Rf)2PX3+RNH2로부터 형성된] 할라이드 (Rf)2P(=NR)-X와 반응되며, 이들 단계들은 2회 행해져 구조식 (21)의 화합물에 대한 모산인 3치환된 메탄을 제공한다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (22)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. X=Cl이고, R=CF3 또는 C2F5인 Rf-PX4는 공지되어 있다. Rf-PX4는 단일 당량의 1차 아민과 선택적으로 반응되어 중간체 RfP(=NR)X2을 형성하거나, 또는 단일 당량의 알코올과 반응되어 중간체 RfP(OR)X3을 형성할 수 있다. 그 후, 다른 종들, 즉 알코올 또는 아민과의 반응에 의해 RfP(=NR')X가 형성될 것이다. 메타이드를 도입할 필요가 있고, 이는 그리냐르 H3CMgX 또는 메틸리튬 H3CLi을 통해서 실행될 수 있다고 생각된다. 모노할라이드 및 P-메탄의 빌딩 블럭이 생산되면, 상기 치환된 메탄의 음이온이 생성될 수 있고, 이어서 모노할라이드 유닛과 반응되어 3치환된 메탄을 형성할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (23)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 상동성의 트리아실메탄은 1차 아민과 반응되어 구조식 (23)의 물질의 공액산을 형성할 수 있다. 카보닐 화합물과 1차 아민의 쉬프 염기 반응은 유기 화학분야에서 공지되어 있다. 트리아실메탄의 제조를 위해서, 상술한 구조식 (18)의 물질에 대한 내용 참조. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (24)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 다음의 방법은 A=NR', B=OR인 구조식 (24)(i)의 화합물을 제조하기 위해 개시된다. 설포닐 플루오라이드가 그리냐르 시약(즉, MeMgBr)과 반응되어 비스(설포닐)메탄을 생성하는 것이 문헌에 공지되어 있다. 이 공지된 반응에 의거해서, 하기의 중간체 종은
Figure 112005023688185-pct00018
유사하게 그리냐르 시약과 반응하여, A=NR', B=OR인 구조식 (24)(i)의 음이온에 대한 공액산을 형성하고, 상기 그리냐르 시약은 P=N 결합과 반응하지 않는다. 상술한 구조의 중간체의 제조는 상기의 구조식 (9)의 물질의 제조에 관한 설명에 개시되어 있다. 다음의 방법은 A=O, B=OR인 구조식 (24)(ⅱ)의 화합물을 제조하기 위해 개시된다. 알킬 플루오로알킬 포스피네이트는 문헌에 공지되어 있다. 알킬 플루오로알킬 포스피네이트 RfP(O)(OR)CH2R'(모노설포닐메탄으로서 공지됨)로부터 상응하는 메타이드 음이온의 생성 및 그에 이은 플로오로알킬 포스포닐 할라이드 RfP(O)(OR)X와의 반응은 A=O, B=OR인 구조식 (24)(ⅱ)의 음이온의 공액산을 생성한다. 다음의 방법은 A=O, B=NR2인 구조식 (24)(ⅲ)의 화합물을 제조하기 위해 개시된다. 플루오로알킬포스피나미딕 클로라이드는 공지되어 있고, 예로서 CF3NO와 (CF3)2PCl의 반응에 의해 (CF3)2NP(O)(CF3)Cl을 생성하므로써 제조된다. 구조식 (24)(i)에 대한 상기 설명과 유사하게, 메틸 그라냐르 시약과 할라이드의 반응은 구조식 (24)(ⅲ)의 음이온의 공액산을 생성한다. 다음의 방법은 A=NR, B=NR'2인 구조식 (24)(ⅳ)의 화합물을 제조하기 위해 개시된다. X가 할로겐인 화합물 Rf-P(NR2)X3은 공지되어 있다(구조식 (10)의 화합물의 합성을 참조). 구조식 (8) 및 (10)의 화합물들의 합성에서 설명된 바와 같이, H2NR과 이 전구체의 반응은 화합물 Rf-P(NR'2)(=NR)-X를 생성한다. 이러한 물질과 메타이드 음이온(즉, 메틸리튬 또는 메틸마그네슘 브로마이드)의 반응은 다음의 화합물 (I)을 생성한다.
Figure 112005023688185-pct00019
염기(예로써, 메틸리튬)를 이용한 이 화합물 (I)의 처리는, 음이온(Ⅱ)를 생성하고, Rf-P(NR'2)(=NR)-X의 제2 균등물과의 반응에 따라 A=NR, B=-NR'2인 구조식 (24)(ⅳ)의 화합물의 공액산을 생성할 것이다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (25)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. A=O이고, Rf=CF3인 공액산(비스(트리플루오로메틸-설포닐)메탄)은 ABCR GmbH KG로부터 상업적으로 입수가능하다. 공액산, 그들의 음이온 및 여러가지 염을 포함하는 다른 디설포닐메탄 물질들은 문헌에 공지되어 있다. 예컨대, 그것들의 제조를 위한 참고문헌은 Preparation of bis(perfluoroalkylsulfonyl)methane, Yamamoto, Takashi; Watanabe, Hiroyuki.(Tosoh Akzo Corp., Japan). Jpn. Kokai Tokkyo Koho(2001), 6pp., JP 2001039942 A2 20010213, Application:JP 99-211104 19990726(CAN 134:162746)이다. A=NR인 공액산은 다음의 예시적인 방법에 의해 제조될 수 있다. 참고문헌, Reactions of (trifluoromethylimino)(trifluoromethyl)sulfur trifluoride with nucleophiles and the preparation of CF3SF4N(F)Rf(Rf=trifluoromethyl, pentafluoroethyl), Yu, Shin-Liang; Shreeve, Jeanne M., J. Fluorine Chem. (1976), 7(1-3), 85-94. (CAN 85:32347)은 (CF3N:)2SFCF3를 생성하기 위해 MeNH2와 CF3N:SF3CF3(I)의 치환반응을 개시하고 있다. 그리냐르 시약은 S=N-R 작용기와 반응하지 않는다는 조건하에, 설포닐 할라이드 Rf-SO2-X와의 증명된 반응과 유사하게, 상기한 타입의 화합물은 그리냐르 시약 RCH2MgX와 반응하여, A=N-R인 구조식 (25)의 음이온의 공액산을 생성한다.
구조식 (26)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 분자의 양측에서 A=O인 경우에, 해당 공액산은 상업적으로 쉽게 입수가능한 물품이다. Rf가 -C3F에서부터 퍼플루오로-C7까지의 어느 것인 물질들은 ABCR, Fluka, Lancaster Synthesis, Matrix 등으로부터 얻어질 수 있다. 또한, Mg, Ca 및 Al 염과 같은 몇가지 금속 염은 ABCR, Alfa-Aesar 또는 Strem으로부터 상업적으로 입수가능하다. 분자의 양측에서 A=NR인 경우에, F3C-C(=NH)-CFH-C(=NH)-CF3의 호변이성체인 물질 F3C-C(=NH)-CF=CH(NH2)-CF3은 ABCR로부터 입수가능하다. 이 패밀리의 다수의 멤버는 문헌에 공지되어 있다: Rf=C1-C3, R=H, n-Bu 및 치환된 아릴, R'=H, CH3, CN, F 및 Cl. 또한, 하나의 A=O이고, 다른 A=NR인 경우에 대해서, 그들은 대개 복합적으로 치환되거나 또는 헤테로 그룹 R이 N에 부착되지만, 이들 다수의 화합물은 문헌에 공지되어 있다. 각각의 경우, 상응하는 부식억제제 화합물은 종래의 방법을 이용하여, 적합한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다. 추가적으로, 구조식 (ⅲ)의 부식억제제 화합물에 상응하는, 구조식 (26)의 부식억제제 화합물 음이온은, 투명한 용액을 형성하기 위해, 물에서 적절한 출발물질, 예를 들어 헥사플루오로아세토아세톤과 적절한 염기, 예를 들어 LiOH H2O와 같은 금속 히드록사이드를 접촉시키는 것에 의해 제조될 수 있다. 이후, 상기 투명한 용액은 진공하에서 증발되어 건염(dry salt)을 생성한다.
R"이 알킬 또는 (퍼)플루오로알킬인 구조식 (27), (28) 및 (29)의 부식억제제 화합물 음이온은, 구조식 (24), (25) 및 (26)의 상응하는 음이온과 알킬 할라이드 R"X(X=할로겐, 바람직하게는 Cl, Br 또는 I)를 반응시켜 공액산 전구체를 형성한 후, 통상의 방법을 이용하여 상기 공액산 전구체의 원하는 염을 제조하는 것에 의해 제조될 수 있다. 구조식 (24)의 화합물에 대해 상술한 방법에 상응하는 방법에 추가해서, 구조식 (27)의 화합물은, 치환기가 메틸 대신에 알킬 또는 아릴메틸인 중간체(I)을 생성하기 위하여, 메틸리튬 또는 메틸마그네슘 브로마이드 대신에 알킬리튬 또는 알킬마그네슘브로마이드 또는 아릴메틸(예를 들어, 벤질)마그네슘 브로마이드를 사용하는 것을 제외하고는, 유사한 합성과정을 적용하는 것에 의해 제조될 수 있다. (Ⅱ)에서, 수소들 중 하나는 R'=알킬 또는 아릴로 대체된다. R"=알킬 또는 아릴인 구조식 (28)의 화합물은 당분야에서 공지되어 있다. R"=아릴 또는 (퍼)플루오로아릴인 구조식 (27) 및 (29)의 경우, 하기의 반응식에서 좌측 구조식에 상응하는 음이온 물질들은 상응하는 산 할라이드 RfP(=A)(B)X, RfS(=A)2X 또는 RfC(=A)X와 반응되어, 각각 구조식 (27) 및 (29)의 음이온 공액산을 제공한다.
Figure 112009040498288-pct00020

그런 다음, 원하는 염은 통상의 방법을 이용하여 제조된다.
삭제
구조식 (30)의 부식억제제 화합물 음이온들은 구조식 (5)의 음이온들의 제조를 위해서 상기 기술된 방법에 따라서 제조될 수 있다. 즉, 혼합된 퍼플루오로 카르복시/설폰이미드들은 Ye, F.: Noftle, R.E., Dept. Chem., Wake Forest Univ., Winston-Salem, NC, USA, 플루오르 케미스트리의 저널(1997), Volume Date 1996~1997에 기술된 방법에 따라 제조될 수 있다. 게다가, 플루오르화된 무수물들, 산들 및 관련 기질들과의 반응-플루오르화된 이소시아네이트들, De Pasquale, Ralph J., PCR, Inc., Gainesville, Fla., USA., J. Fluorine Chem.(1976), 8(4), 311~21, (CAN 85:159603)은 교차 이미드의 제조를 기술한다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법들을 사용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염들을 제조하므로써 제조될 수 있다.
구조식 (31)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. (퍼)플루오로설폰아미드 및 (퍼)플루오로포스폰아미드들은 공지되어 있다. 이들 물질들은 각각 (퍼)플루오로포스포닐 할라이드(구조식 (3)의 화합물에 대해 상기 기술된 제조물들 참조) 및 (퍼)플루오로설포닐 할라이드(종래에 공지됨)와 반응하여 구조식 (31)의 음이온들의 공액산을 제조할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법들을 사용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조하므로써 제조될 수 있다.
구조식 (32)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. R"가 H인 경우, 구조식 (32)의 공액산들은 미국특허 제3,984,357호에 기술되어 있고, 이 특허는 전체내용이 본 명세서에 참고문헌으로 통합된다. R"가 알킬인 구조식 (32)의 음이온들의 공액산들은 R"가 H인 구조식 (32)의 음이온을 생성하고, 구조식 (27), (28) 또는 (29)의 음이온들의 공액산들에 대해 상기 기술된 바와 같이, 알킬 할라이드와 상기 음이온을 반응시키므로써 제조될 수 있다. R"가 아릴인 구조식 (32)의 음이온들의 공액산들은 다음과 같이 제조될 수 있다: RfSO2CH2Ar은 WO 02/48098에 기술된 바와 같이 제조된다. 이 설포닐메탄의 음이온은 염기를 이용하여 생성되고, RfCOCl과 반응하여(이것은 공지되어 있다), R"가 아릴인 구조식 (32)의 음이온들의 공액산들을 생성한다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 사용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조하므로써 제조할 수 있다.
구조식 (33)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. (퍼)플루오로알킬설포닐메탄과 그들의 상응하는 음이온성 메타이드들의 제조는 공지되어 있다. 그러한 메타이드들은 (퍼)플루오로알킬-포스포닐 할라이드들(B=OR인 구조식 (3)의 화합물들의 제조 및 B=NRR'인 구조식 (4)의 화합물들의 제조에 대한 상기 설명에서 기술된 제조)과 반응하여 구조식 (33)의 공액산들을 제조할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법들을 사용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조하므로써 제조할 수 있다.
구조식 (34)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 하기의 트리설파이드(CAS 691-69-0)는 공지되어 있다.
Figure 112005023688185-pct00021
상응하는 설폭시드들로의 플루오로알킬설파이드의 조절된 산화에 의해 구조식 (34)의 음이온의 공액산을 생성할 수 있고, 이는 당분야 공지되어 있다. 선택적으로, 할라이드 RfS(=O)F는 MeLi 또는 MeMgBr과 반응되고, 추가의 염기로 처리되어 메타이드 음이온이 재생성되고, 추가의 RfS(=O)F와 두번 반응되어 구조식 (34)의 트리스(알킬설폭시)메탄을 생성할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 종래의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조하므로써 제조될 수 있다.
구조식 (35)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 화합물 F3C-S(=O)NH2는 알려져 있으며, F3C-S(=O)F를 암모니아와 반응시킴으로써 제조될 수 있다. 적당한 화학양론을 이용하여, 해당분야의 숙련자는 RfS(=O)NHS(=O)Rf의 생성을 이끌어 낼 수 있다. 대안적으로, F3C-S(=O)NH2의 아미드 음이온은 강염기로 생성될 수 있고, RfS(=O)F의 제2 균등물과 반응되어 구조식 (35)의 원하는 음이온의 공액산을 생성할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
삭제
구조식 (36)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 중간체 화합물 Rf-S(=O)-X(여기서, X는 할로겐)는 알려져 있다. 설피닐할라이드는 알킬 또는 아랄킬 음이온(그리냐르 시약 또는 리튬 시약)과 반응되어, Rf-S(=O)-CH2R'을 형성할 수 있다. 메타이드 음이온은 적절한 염기로 재생성될 수 있고, 메타이드 음이온과 제2 몰의 설피닐할라이드를 반응시켜서 구조식 (36)의 공액산을 생성할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (38)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 하기의 알파, 오메가 비스(펜타플루오로설파이드)는,
Figure 112005023688185-pct00022
예컨대 CAS 51658-19로 알려져 있는데, 이는 Electrochemical fluorination of dithiols and cyclic sulfides, Abe, Takashi; Nagase, Shunji; Baba, Hajime, Bull. Chem. Soc. Jap. (1973), 46(12), 3845-8(CAN 80:103155))에 개시된 일반적인 제조방법으로 제조된다. 이들 화합물과 일차 아민, R'NH2(비스(펜타플루오로티아)알킬렌의 몰당 4몰)을 반응시키면,
Figure 112005023688185-pct00023
를 생성할 수 있다.
이어서, 이 화합물을 1몰의 암모니아와 반응시켜서 구조식 (38)의 원하는 음이온의 공액산인 고리 화합물을 제공할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
다음의 알파, 오메가 비스(알킬 할로포스피노)알칸 전구체를 사용하여 구조식 (39)와 (40)의 부식억제제 화합물을 제조한다. 몇가지 형태의 ClP(R)-[CH2]n-P(R)Cl이 알려져 있다. 다른 방법으로, 이들은 알파, 오메가 알킬렌 디할라이드로부터 3단계 공정에 의해 제조될 수 있다: (1) 디할라이드로부터 비스 마그네슘 할라이드를 형성하는 공정, (2) 이를 알킬(디알킬아미노)포스포러스 클로라이드 R(R'2N)PCl과 반응시켜 R2NP(R')-R"-P(R')NR2를 형성하는 공정, 및 (3) 아미노포스핀을 PCl3와 반응시켜 할로포스핀 ClP(R)-[CH2]n-P(R)Cl을 생성하는 공정(Dienert, Klaus, et al., Phosphorus Sulfur (1983), 15(2), 155-64 (CAN 99:105355) 참조). 이러한 비(非)플루오르화 전구체는 해당분야에서 폭넓게 사용하는 통상의 기술인 전자화학적 플루오르화반응에 의해 (퍼)플루오르화 유사체로 전환될 수 있다. 불소 또는 염소와의 반응에 의해 3가의 인 원자들을 5가의 인 원자들로 전환시켜서 ClX2P(Rf)-[CF2]n-P(Rf)X2Cl을 제공할 수 있다.
구조식 (39)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. ClX2P(Rf)-[CF2]n-P(Rf)X2Cl과 1몰의 암모니아를 조심스럽게 반응시키면, 시클릭 포스핀이미드를 생성할 수 있고, 그 다음에 2몰의 물로 조심스럽게 가수분해시켜 구조식 (39)의 음이온의 공액산을 생성할 수 있다. 또는, ClP(Rf)-[CF2]n-P(Rf)Cl을 5가 인에 대한 산화없이 전자화학적 플루오르화반응으로부터 얻게 되면, 이 화합물을 1몰의 암모니아와 반응시켜서 시클릭 이미드를 생성시키고, 그 후에 과산화수소와 반응시켜서 구조식 (39)의 음이온의 공액산을 생성시킬 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조하므로써 제조될 수 있다.
구조식 (40)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 필요하면, 산화 할로겐화 반응을 이용하여 5가 인 화합물 ClX2P(Rf)-[CF2]n-P(Rf)X2Cl를 얻는다. 이를 1몰의 암모니아와 반응시키고 나서, 암모니아, 또는 일차 아민 RNH2와 더 반응시켜서, 구조식 (40)의 음이온의 공액산을 생성할 수 있고, 여기서 R은 전자의 경우에는 H이고, 후자의 경우에는 (치환된) 알킬이다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조하므로써 제조될 수 있다.
구조식 (41)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 다음과 같은 퍼플루오로비스포스포네이트가 알려져 있으며, 이는 구조식 (41)의 물질에 대한 전구체로서 사용될 수 있다.
CAS 156628-86-3
Figure 112005023688185-pct00024
CAS 147860-30-8
Figure 112005023688185-pct00025
비스포스포네이트의 제조방법에 대하여는 퍼플루오로알킬리덴-α,ω-비스포스포네이트에 대한 새로운 합성방법(A new synthetic route to perfluoroalkylidene-α,ω-bisphosphonates, Nair, Haridasan K.; Burton, Donald J., Tetrahedron Letters (1995), 36(3), 347-50, (CAN 122:187672))에 기술되어 있다. 디알킬 트리플루오로메틸 포스포네이트(Dialkyl trifluoromethyl phosphonates), Maslennikov, I. G.; Lavrent'ev, A. N.; Lyubimova, M. V.; Shvedova, Yu. I.; Lebedev, V. B., Leningr. Tekhnol. Inst., Leningard, USSR, Zh. Obshch. Khim. (1983), 53(12), 2681-4, (CAN 100:121230)에는, Rf-P(OR)2가 염소와 반응하여 Rf-P(=O)(OR)Cl을 제공한다는 것이 알려져 있다. 그래서, 상기 비스(포스포나이트)를 염소로 처리하면, [Cl-P(=O)(OR)]-Rf-[P(=O)(OR)]-Cl을 생성할 수 있다. 이 물질은 암모니아와 반응하여 구조식 (41)의 음이온의 공액산인 시클릭 이미드를 생성할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
다음의 알파, 오메가 비스(디할로포스피노)알칸 전구체를 사용하여 구조식 (42), (43), 및 (44)의 부식억제제 화합물을 제조한다. 1,2-비스(디할로포스피노)퍼플루오로알칸의 특수한 경우에 대하여, 테트라플루오로디포스핀이 이중결합을 가로질러 첨가되었음이 알려졌다: 테트라플루오로디포스핀과 비치환된 올레핀 및 퍼플루오로올레핀과의 광반응(Photoreactions of tetrafluorodiphosphine with nonsubstituted olefins and perfluoroolefins), Morse, Joseph G.; Morse, Karen W., Inorg. Chem. (1975), 14(3), 565-9, (CAN 82:105840).
Figure 112005023688185-pct00026
CAS 53432-53-4
다른 방법으로, 일반식 X2P-R-PX2의 다른 화합물들이 알려져 있고, 또는 (R2N)2PCl과 알파, 오메가 알킬렌비스(마그네슘 브로마이드) 그리냐르 시약과의 반응에 이어서, 아미노포스핀과 PCl3와의 반응으로부터 (R2N)2P-R'-P(NR2)2를 형성함으로써 제조될 수 있다. 이러한 비플루오르화 물질들은 통상의 기술에 의해 전자화학적으로 플루오르화될 수 있다.
구조식 (42)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 전구체 물질 Cl2P[CH2]nPCl2는 전자화학적으로 그리고 산화적으로 플루오르화되며, 생성물 F2Cl2P[CF2]nPCl2F2는 먼저 1몰의 암모니아와 반응되어 분자를 고리화시킨다. 그 다음에, 2몰의 알코올 ROH와 반응시키면 혼합물을 생성할 수 있고, 이 혼합물 중 하나의 성분은
Figure 112005023688185-pct00027
이다.
이 물질을 암모니아로 처리하면, 구조식 (42)의 물질을 생성할 수 있고, 여기서 NR = NH이다. 암모니아 대신에 일차 아민과 반응시키면, 구조식 (42)의 음이온의 공액산을 생성할 수 있고, 여기서 R은 (치환된)알킬이다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (43)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 플루오르화 물질 Cl2P-[CF2]n-PCl2를 암모니아와 반응시키고, 그 다음에 암모니아 또는 일차 아민과 반응시키고 나서, 과산화수소 또는 과아세트산과 반응시킬 수 있다. Cl2P-[CH2]nPCl2는 전자화학적으로 플루오르화되어 Cl2P-[CF2]n-PCl2 또는 Cl2F2P-[CF2]n-PF2Cl2 중 어느 하나를 생성할 수 있다. 퍼플루오르화 반응이 산화적으로 진행되어 후자를 생성할 경우, 산화단계 대신에, 가수분해 단계가 적용된다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (44)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 전구체 물질 Cl2P-[CH2]n-PCl2는 전자화학적으로 그리고 산화적으로 플루오르화되어 F2Cl2P-[CF2]n-PCl2F2의 생성을 보장할 수 있고, 이를 암모니아와 반응시켜서 R 및 R' = H인 구조식 (44)의 음이온의 공액산을 생성할 수 있다. 또는, 1몰의 암모니아로 조심스럽게 처리하고 나서, 일차 아민으로 처리하면, 구조식 (44)의 음이온의 공액산을 유도할 수 있고, 여기서 R은 (치환된)알킬이며, R'는 H이다. 암모니아, 일차 아민, 및 최종적으로 2차 아민으로 처리하는 3단계 처리를 하면, R 및 R'가 (치환된)알킬인 구조식 (44)의 음이온의 공액산을 유도할 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (45)의 부식억제제 화합물 음이온은 다음과 같이 제조될 수 있다. 다음의 예시적인 시클릭 이미드들은 알려져 있다: Rf3 = C2F4, CAS 377-33-3; 및 Rf3 = C3F6, CAS 376-67-0. 이 화합물들은 퍼플루오로디카르복실산의 시클릭 무수물과 친핵성 시약과의 상호작용(Interaction of cyclic anhydrides of perfluorodicarboxylic acids with nucleophilic agent), Sankina, L. V.; Kostikin, L. I.; Ginsburg, V. A. USSR, Zh. Org. Khim. (1972), 8(6), 1330-1, (CAN 77:125910)에 기술된 방법에 의해 제조될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (46)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 다음의 예시적인 시클릭 이미드들은 알려져 있다: Rf=C2F4 및 Rf=C3F6, 여기서 R은 H이다:
미국특허 제3,041,346호(코버, 레츠와 우리히; 올린 메티슨 케미칼 코퍼레이션)는 다음의 일반식의 단량체 물질들의 제조를 개시하고 있다:
Figure 112009040498288-pct00057
삭제
여기서, 물질(46b)는 물질(46c)의 호변이성체이다. 미국특허 제3,041,346호는 폴리머의 전구체로서 유사한 화합물들을 기술하고 있는 미국특허 제3,269,959호(코버, 레츠와 우리히; 올린 메티슨 케미칼 코퍼레이션)에서 인용되어 있다. 미국특허 제3,041,346호 및 제3,269,959호는 그 전체 내용이 본 명세서에 참고문헌으로서 통합된다. 구조식 (46)의 음이온을 포함하는 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (47)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 비플루오르화 화합물들은 알려져 있고, 그 제조는 비스설포닐 메타이드와 염화설포닐의 반응에 의해 트리스설포닐메탄을 얻는 것으로 설명되어 있다.
CAS 128373-39-7
Figure 112005023688185-pct00029
1,3-디티안 1,1,3,3-테트록사이드 유도체의 알킬화, Bazavova, I. M.; Esipenko, A. N.; Neplyuev, V. M.; Lozinskii, M. O. Inst. Org. Khim., Kiev, USSR, Ukr. Khim. Zh.(Russ. Ed.)(1989), 55(11), 1216-19, (CAN 113:59058) 참조. 그러므로, 퍼플루오로알킬렌-비스설포닐메탄(구조식 (51), Rf=H)는, 구조식 (47)의 음이온의 공액산을 제조하기 위해서, 염기로 처리되고, 퍼플루오로알칸설포닐 할라이드(공지되어 있고, 상업적으로 입수가능함)와 반응될 수 있다. 대안으로서, (퍼)플루오로알킬렌비스설포닐할라이드가 알려져 있으며, (퍼)플루오로알킬설포닐메탄도 알려져 있다. 또한, 후자의 메타이드 음이온의 제조는 알려져 있다. 상기 음이온과 비스설포닐할라이드와의 반응과, 그에 이은 상기 메타이드 음이온의 재생에 의해, 시클릭 (퍼)플루오로트리스(설포닐)메타이드가 얻어진다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 이용하여, 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (48)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. Rf-P(OR)2는 염소와 반응하여, (퍼)플루오로알킬포스포닐할라이드 전구체인 Rf-P(=O)(OR)Cl를 생성한다는 사실은, 디알킬 트리플루오로메틸 포스포네이트, Maslennikov, I. G.; Lavrent'ev, A. N.; Lyubimova, M. V.; Shvedova, Yu. I.; Lebedev, V. B., Leningr. Tekhnol. Inst., Leningrad, USSR, Zh. Obshch, Khim. (1983), 53(12), 2681-4, (CAN 100:121230)으로부터 알려져 있다. 다른 전구체인 시클릭 알킬렌비스포스포노메탄은 플루오르화 되지 않았지만, 구조식 (52)의 물질의 제조를 위하여 아래에서 설명된다. 2번 위치의 탄소가 플루오르화되지 않은 플루오르화 유사체를 생성하는 방법은 구조식 (52)의 물질의 제조에서 설명되어 있다. 이 물질은 전구체로서 사용될 수 있는데, 강염기, 예를 들면, 터셔리-부틸리튬으로 처리하여 메타이드를 생성시키고, 그 다음에 상기 음이온을 알킬포스포닐할라이드와 반응시킴으로써 구조식 (48)의 음이온의 공액산이 생성될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여, 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (49)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 시클릭 (퍼)플루오로알킬렌비스설포닐메탄은 (구조식 (51)에 대해 아래에 설명되어 있듯이) 알려져 있고, (퍼)플루오로카르복실산 클로라이드는 잘 알려져 있으며, 입수가능하다. 시클릭 비스설포닐메탄을 염기로 처리하여 메타이드 음이온을 형성하고, 이어서 산 클로라이드와 반응시킴으로써 구조식 (49)의 음이온의 공액산을 얻을 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여, 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (50)의 부식억제제 화합물의 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 다음의 예시적인 화합물들은 알려져 있다: Rf3 =C3F6 및 C2F4이고, 전자의 경우, Rf=CF3 또는 C2F5이고, 후자의 경우, Rf=C5F7(시클로펜테닐)이다.
구조식 (50)의 부식억제제 화합물 음이온들의 제조를 위해 가능한 하나의 방법은 다음의 참고문헌으로부터 알 수 있다: 퍼플루오로-1-알킬시클로알켄과 알코올과의 반응 및 비닐에테르 생성물들의 물성, Snegirev, V. F.; Makarov, K. N., Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Khim. (1986), (6), 1331-40, (CAN 107:6794), 예를 들면, 상기 참고문헌에서 구조식 IV의 화합물들의 가수분해, 및 플루오르화 이온을 포함하는 반응. Part 39. 산소 및 황 친핵체와 퍼플루오르화 디엔의 반응, Briscoe, Mark W.; Chambers, Richard D.; Mullins, Steven J.; Nakamura, Takayuki; Vaughan, Julian F.S., Journal of the Chemical Society, Perkin Transactions 1: Organic and Bio-Organic Chemistry(1994), (21), 3119-24, (CAN 123:143308)), 예를 들면, 상기 참고문헌에서 구조식 II 와 구조식 III의 화합물의 가수분해. 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여, 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (51)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. 구조식 (51)의 다음의 예시적인 화합물들은 알려져 있다: Rf3=C2F4 또는 C3F6이고, Rf는 비플루오르화 알킬기이다.
CAS 211696-08-1 CAS 161944-41-8 CAS 161944-35-0
Figure 112005023688185-pct00030
구조식 (51)의 부식억제제 화합물 음이온의 제조를 위해 가능한 하나의 방법은 다음의 참고문헌으로부터 알 수 있다: 비스((퍼플루오로알킬)설포닐)메탄과 1,1,3,3-테트라옥소폴리플루오로-1,3-디티아시클로알칸의 화학적 변환, Zhu, Shizheng; Xu, Guoling; Qin, Chaoyue; Yong, Xu; Qianli, Chu; DesMarteau, Darryl D., Shanghai Institute of Organic Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Shaghai, Peop. Rep. China, Heteroatom Chemistry(1999), 10(2), 147-152, (CAN 130:338073), 및 1,1,3,3-테트라옥소폴리플루오로-1,3-디티아시클로알칸. CH2SO2(CF2)nSO2(n=2-5) 및 2-치환 유도체, Zhu, Shi-Zheng; Pennington, William T.; DesMarteau, Darryl D., Chemistry Department, Clemson University, Clemson, SC, USA, Inorganic Chemistry(1995), 34(4), 792-5, (CAN 122:214019). 상응하는 부식억제제 화합물들은 통상의 방법을 이용하여, 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
구조식 (52)의 부식억제제 화합물 음이온들은 다음과 같이 제조될 수 있다. Rf=H인 구조식 (52)의 화합물과 유사한 비플루오르화 화합물들은 다음과 같이 알려져 있다:
CAS 65617-64-3 CAS 65617-65-4 CAS 65617-66-5
Figure 112005023688185-pct00031
이러한 화합물들의 제조는 다음의 참고문헌에 기술되어 있다: 1,3-디(옥소알콕시-포스파)시클로알칸의 합성, Novikova, Z. S.; Prishchenko, A. A.; Lutsenko, I. F., Mosk. Gos. Univ., Moscow, USSR, Zh. Obshch. Khim.(1977), 47(11), 2636-7, (CAN 88:89769). 따라서, 당업자는 상기 상업적으로 입수가능한 공지의 퍼플루오로디할라이드 X(CF2)2X(여기서, X는 Cl, Br 또는 I이고, Alfa-Aesar, ACBR 및 Matrix Scientific을 포함하는 여러 공급원들로부터 입수가능하다)를, 상기 인용된 참고문헌에 기재된 조건하에서, CH2[P(OR)2]2와 함께 반응시킴으로써, 고리의 C-2가 CH2-인 플루오르화 시클릭 1,3-디(옥소-알콕시포스파)시클로알칸을 생성할 수 있다. 이어서, 적절한 강염기와의 반응에 의해 메타이드 음이온이 형성될 수 있다. 만일 원한다면, 이 메타이드 음이온은, Rf가 H가 아닌 구조식 (52)의 물질을 형성하기 위해 RfX와 반응될 수 있다. 상응하는 부식억제제 화합물은 통상의 방법을 사용하여, 상기 적절한 공액산 전구체의 원하는 염을 제조함으로써 제조될 수 있다.
바람직한 구체예에 있어서, 본 발명은 항공기 유압액에 사용되기에 적절한 기능성 유체 조성물에 관한 것이다. 예시적으로, 본 발명의 화합물들은 미국 특허 제5,464,551호, 제6,319,423호 및 제6,391,225호에 개시된 조성물에서의 부식억제제(들)로 적절히 사용될 수 있는데, 상기 특허들의 전체 내용은 참고문헌으로서 본 명세서에 통합된다.
본 발명의 기능성 유체의 베이스스톡에 사용되기에 적절한 포스페이트 에스테르는, 트리알킬 포스페이트, 트리아릴 포스페이트, 디알킬아릴 포스페이트, 알킬디아릴 포스페이트, 및 이들의 혼합물이다.
본 발명의 상기 포스페이트 에스테르들의 알킬 치환기들로는, C3~C8, 바람직하게는 C4~C5이다. 바람직하게는, 상기 알킬 치환기들은, 부틸, 이소부틸, n-펜틸, 또는 이소펜틸, 더욱 바람직하게는, n-부틸 및 이소부틸이다. 상기 트리알킬 포스페이트에 있어서, 3개의 알킬 치환기는 동일하거나 다를 수 있고, 트리알킬 포스페이트의 혼합물이 사용될 수 있다. 트리알킬 포스페이트의 예로는, 트리이소부틸 포스페이트, 트리-n-부틸 포스페이트, 트리(이소부틸/n-부틸) 포스페이트, 트리(이소펜틸) 포스페이트, 트리(n-펜틸) 포스페이트, 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 트리알킬 포스페이트의 혼합물은, 미국특허 제6,319,423호에 개시된 바와 같은, 트리이소부틸 포스페이트와 트리-n-부틸 포스페이트의 혼합물을 포함한다. 디알킬아릴 포스페이트에 있어서, 2개의 알킬 치환기는 동일할 수도 있고 다를 수도 있으며, 디알킬아릴 포스페이트의 혼합물이 사용될 수 있다.
본 발명의 포스페이트 에스테르들의 상기 아릴 치환기들은 전형적으로 페닐이지만, 또한 알킬-치환된 페닐(알킬페닐)일 수도 있으며, 이 경우 상기 알킬 치환기는 C1~C9, 바람직하게는 C3~C4 이다. 알킬-치환된 페닐 치환기의 예로는, 톨릴(메틸페닐로도 알려져 있음), 에틸페닐, 이소프로필페닐, 이소부틸페닐, tert-부틸페닐 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 트리아릴 포스페이트의 예로는, 트리페닐 포스페이트, 트리(tert-부틸페닐) 포스페이트, 트리(이소프로필페닐) 포스페이트, 및 이들의 혼합물을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 상기 트리아릴 포스페이트 및 알킬디아릴 포스페이트에 있어서, 상기 아릴 치환기는 같거나 다를 수 있고, 알킬 디아릴 포스페이트 및/또는 트리아릴 포스페이트의 혼합물이 사용될 수 있다.
예시적인 포스페이트 에스테르 베이스스톡은, 한정되지는 않지만, 약 20중량%~약 100중량%, 바람직하게는 약 50중량%~약 99중량%의 트리알킬 포스페이트, 0중량%~40중량%, 바람직하게는 0중량%~35중량%의 디알킬아릴 포스페이트, 0중량%~20중량%, 바람직하게는 0중량%~5중량%의 알킬디아릴 포스페이트 및 0중량%~20중량%, 바람직하게는 0중량%~15중량%의 트리아릴 포스페이트를 포함하는 베이스스톡을 포함한다.
본 발명의 상기 기능성 유체는 임의로 산화방지제, 점도 지수(VI) 향상제, 산제거첨가제, 부식억제제 및 소포제와 같은 다른 성분들을 함유한다.
점도에 대한 온도의 영향을 한정하기 위해, 상기 조성물은 중합체성 점도 지수 향상제를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 점도 지수 향상제는, 여기에 개시된 분자량을 갖는 미국특허 제3,718,596호에 기재된 유형의 폴리(알킬 메타크릴레이트) 에스테르를 포함한다. 일반적으로, 상기 점도 지수 향상제는, 약 30,000~약 100,000의 수평균 분자량을 가지고, 약 60,000~약 300,000의 중량평균 분자량 을 가지는 고분자량의 것이다. 바람직하게는, 본 발명의 점도 지수 향상제는, 상기 점도 지수 향상제 성분의 대략 95중량%가 약 50,000~약 1,500,000의 분자량을 가지는, 비교적 좁은 범위의 분자량을 가진다. 상기 점도 지수 향상제는 바람직한 동적 점성을 부여하기 위한 충분한 비율로 존재한다. 또한, 우수한 전단 안정성 특성들이 상기 조성물에 사용된 상기 점도 지수 향상제에 의해 주어진다. 바람직하게는, 상기 기능성 액 조성물은 약 3중량%~약 10%중량의 점도 지수 향상제를 포함한다. 특히 바람직한 점도 지수 향상제의 예는 로맥스 USA, Inc.로부터 입수가능한 등록상표 Acryloid®4495로 시판되는 제품이다. 상기 점도 지수 향상제는 편의상 포스페이트 에스테르 용매, 바람직하게는 트리부틸 포스페이트 또는 트리이소부틸 포스페이트와 같은 트리알킬 포스페이트, 또는 알킬 및 페닐 유도체들의 조합 용매 중의 용액의 형태로 제공된다. 상기 점도 지수 향상제에 대한 상기 언급된 비율은 고형분(메타크릴레이트 폴리머)을 기준으로 한 것이다. 실제로, 상기 포스페이트 에스테르 용매는 상기 베이스스톡의 일부가 되고, 상술한 바와 같은, 포스페이트 에스테르의 비율의 범위는 상기 점도 지수 향상제에 대한 매체로서 첨가된 포스페이트 에스테르를 반영한다.
본 발명의 조성물은, 인산, 및 상기 유압액 조성물이 사용되는 작업조건 하에서 상기 포스페이트 에스테르 베이스스톡의 구성성분들의 분해에 의해 자체내에서(in situ) 형성된 인산 부분 에스테르를 중화시키기에 충분한 비율로 산제거제를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 기능성 액 중의 산제거제는 미국특허 제3,723,320호에 기재된 유형의 3,4-에폭시시클로헥산 카르복실레이트 조성물 또는 미국특허출원공개 US 2002/0033478 A1의 에폭사이드 화합물들이고, 상기 두 특허문헌은 그 내용 전체가 참고문헌으로서 본 명세서에 통합된다. 미국특허출원공개 US 2002/0033478 A1의 적절한 에폭사이드의 예는, 한정되지는 않지만, 트리메톡시2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵트-3-일)에틸실란("TMOE"), 엑소-2,3-에폭시노르보르난("ENB"), 3-벤질옥시메틸-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄("BOCH"), 3-데실옥시메틸-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄("DOCH"), 3-n-부톡시에톡시메틸-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄("BEOCH"), 3-(5,5-디메틸-2-옥소-1,3,2-디옥사포스포리난옥시메틸)-7-옥사비시클로[4.1.0]("DODOH"), 3-(2-에틸헥실-옥시메틸1)-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄("EOH"), 1-(7-옥사비시클로-[4.1.0]헵트-3-일)-1-헥사논("KHOH"), 1-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵트-3-일)-1-페논("KPOH"), 4-메틸-3-헥실옥시메틸-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄("MHOCH"), 3-(페닐메틸)-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄("BOBH"), 5-n-옥틸옥시메틸-3-옥사트리시클로[3.2.1.02,4]옥탄("OMOO"), 이들의 혼합물 등을 포함한다. 미국특허 제3,723,320호의 적절한 에폭사이드의 예는 2-에틸헥실3,4-에폭시시클로헥산 카르복실레이트이고, 이는 통상적인 상용의 항공기 유압액 조성물에서 사용되는 산제거제이다. 본 발명의 액 조성물에서 상기 산제거제의 농도는, 바람직하게는 약 1.5중량%~약 10중량%이고, 더욱 바람직하게는 약 2중량%~8중량%이고, 상기 농도범위는 일반적으로 대략 3000시간까지의 항공기 작동을 위해 유용한 상태로 상기 유압액을 유지하기 위해 충분한 수준이다.
본 발명의 조성물은 또한 아민 항산화제, 힌더드(hindered) 페놀 및 힌더드 폴리페놀로부터 선틱되는 적어도 하나의 항산화제 첨가제를 포함할 수 있다. 상기 항산화제는, 바람직하게는 아민 항산화제, 힌더드 페놀 및 힌더드 폴리페놀로부터 선택되는 항산화제들의 조합물이고, 더욱 바람직하게는 아민 항산화제 및 적어도 하나의 힌더드 페놀 및/또는 힌더드 폴리페놀의 조합물이다. 힌더드 페놀이 사용될 때, 일반적으로 상기 조성물은 약 0.1중량%~약 0.7중량%의 2,4,6-트리알킬페놀, 바람직하게는 2,6-디-터셔리-부틸-p-크레졸[또한 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸 또는 2,6-디-t-부틸-p-크레졸("Ionol")로도 언급된다]을 포함하는 것이 바람직하다. 힌더드 폴리페놀이 사용될 때, 상기 조성물은 바람직하게는, 약 0.3중량%~약 1중량%의, 비스(3,5-디알킬-4-히드록시아릴)메탄, 예를 들어, Albemarle Corp.의 등록상표 Ethanox®702로 판매되고 있는, 비스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)메탄과 같은, 1,3,5-트리알킬-2,4,6-트리스(3,5-디알킬-4-히드록시아릴)아로마틱 화합물, 예를 들어 Albemarle Corp.,의 등록상표 Ethanox®330으로 판매되고 있는 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)벤젠, 또는 이들의 혼합물과 같은, 힌더드 폴리페놀 화합물을 포함한다. 상기 조성물은 아민 항산화제, 바람직하게는, 예를 들어 페닐-알파-나프틸아민 또는 알킬페닐-알파-나프틸아민, 또는 시바-게이지 주식회사의 등록상표 Irganox®L-57로 판매되고 있는 2,4,4,-트리메틸펜텐과 N-페닐벤질아민과의 반응 생성물; 디페닐아민, 디톨릴아민, 페닐 톨릴아민, 4,4'-디아미노디페닐아민, 디-p-메톡시디페닐아민, 또는 4-시클로헥실-아미노디페닐아민과 같은 디아릴아민; N-메틸카바졸, N-에틸-카바졸, 또는 3-히드록시카바졸과 같은 카바졸 화합물; N-부틸아미노페놀, N-메틸-N-아밀아미노페놀, 또는 N-이소옥틸-p-아미노페놀과 같은 아미노페놀; 아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-디페닐메탄 등과 같은 아미노디페닐-알칸, 아미노디페닐에테르; 아미노디페닐 티오에테르; 1,2-디-o-톨루이도에탄, 1,2-디아닐리노에탄, 또는 1,2-디아닐리노-프로판과 같은 아릴 치환 알킬렌디아민; 5-히드록시-2-아미노비페닐 등과 같은 아미노비페닐; 아세톤과 디페닐아민의 반응 생성물과 같은 알데히드 또는 케톤과 아민과의 반응생성물; 착물 디아릴아민과 케톤 또는 알데히드와의 반응 생성물; N-(p-히드록시-페닐)몰포린 등과 같은 몰포린; N,N'-비스-(히드록시페닐)-아세트아미딘 등과 같은 아미딘; 9,9'-디메틸-아크리단과 같은 아크리단, 페나티아진, 3,7-디부틸페나티아진 또는 6,6-디옥틸-페나티아진과 같은 페나티아진; 시클로헥실아민; 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 디(p-옥틸페닐)아민과 같은 알킬 치환 디페닐아민이 바람직하다. 또한, 임의의 아민 성분들도 윤활 첨가제로서 작용할 수 있다. 상기 아민 항산화제가 사용될 경우, 바람직하게는 약 0.3중량%~약 1중량%, 바람직하게는 약 0.3중량%~0.7중량%, 더욱 바람직하게는 약 0.3중량%~0.5중량%의 비율로 존재한다.
삭제
본 발명의 상기 기능성 액은 구리 부식억제제를 포함할 수 있다. 이 부식억제제는 상기 액 조성물과 접촉하는 금속 표면상에서의 금속 산화물의 형성을 방지하기 위해 상기 액 조성물과 접촉하는 금속 표면을 비활성화 시키므로써, 상기 유압액 내로의 구리 용해 속도를 감소시키고, 또한 구리 합금으로 만들어진 부품의 용해를 감소시키기에 충분한 양으로 존재한다. 유리하게는, 본 발명의 기능성 액은 약 0.005중량%~약 1.0중량%의 구리 부식억제제를 포함한다.
포스페이트 에스테르 기능성 액은 구리 합금뿐만 아니라 철 합금을 부식시키는 것으로 알려져 있다. 많은 철 부식억제제가 기능성 액에 유용하게 사용되지만, 이들은 많은 경우에 부식 속도를 증가시켜서, 그 결과 유압액의 운전성능에 실제적으로 유해한 효과를 갖는 것으로 알려져 있다. 그러나, 어떤 4,5-디히드로이미다졸 화합물들은 상기 액의 부식 특성에 불리하게 작용하지 않는 효과적인 철 부식억제제이다. 유용한 4,5-디히드로이미다졸 화합물들은 다음의 구조식에 따른 것들을 포함한다:
삭제
Figure 112005023688185-pct00032
여기서, R'는 수소, 알킬, 알케닐, 히드록시알킬, 히드록시알케닐, 알콕시알킬 또는 알콕시알케닐이고, R"는 알킬, 알케닐 또는 지방족 카르복실레이트이다. R'를 구성할 수 있는 예시적인 기들은, 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 옥틸, 비닐, 프로페닐, 옥테닐, 헥세닐, 히드록시에틸, 히드록시헥실, 메톡시프로필, 프로폭시에틸, 부톡시프로페닐 등을 포함한다. R"를 구성할 수 있는 예시적인 기들은, 옥틸, 도데실, 헥사데실, 헵타데세닐, 또는 8-카르복시-옥틸, 12-카르복시도데실, 16-카르복시헥사데세닐, 또는 18-카르복시옥타데실과 같은 지방산 치환기를 포함한다. 특히 효과적인 구체예에 있어서, R'는 수소 또는 저급 알킬이고, R"는 적어도 약 9개의 탄소원자를 포함하는 지방산 잔기, 즉, -C8-COOH 내지 -C18COOH, 바람직하게는 C16-COOH 내지 C18-COOH이다. 또다른 바람직한 구체예에 있어서, R'는 저급 히드록시알킬이고, R"는 C8-C18알케닐이다. 그러나, 후자의 경우에는, 철 부식에 대한 가장 만족스러운 억제는 4,5-디히드로-이미다졸이, 아미노산 유도체, 더욱 특별하게는 N-치환기가 극성 및 친유성 부분을 포함하는 N-치환 아미노산, 예를 들어 N-알킬-N-옥소-알케닐 아미노산과 조합되어 사용되는 경우에만 실현된다.
적당한 철 부식억제제는 4,5-디히드로-1H-이미다졸 및 C16-C18 지방산의 축합 생성물(발데르빌트사의 상표명 Vanlube RI-G로 판매되고 있다)이다. 또한 4,5-디히드로이미다졸 화합물로서 효과적인 것은 2-(8-헵타데세닐)-4,5-디히드로-1H-이미다졸-1-에탄올(시바-게이지사의 상표명 Amine-O로 판매되고 있다)이다. 철 부식억제제로서의 기능을 위하여, 상기 후자의 화합물은, 예를 들어, 시바-게이지사의 등록상표 Sarkosyl®-O로 판매되고 있는 N-메틸-N-(1-옥소-9-옥타데세닐)글리신과 같은 아미노산 유도체와 조합하여 사용될 수 있다.
당업자들에게 공지된 다른 철 부식억제제들 또한 부식 특성에 반하는 효과 없이 본 발명의 기능성 액에 효과적인 것으로 밝혀졌다.
필요에 의해, 본 발명의 상기 기능성 액은 또한 소포제를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 이것은 실리콘 액이고, 더 바람직하게는 폴리알킬실록산, 예를 들어, 다우 코닝사의 상표명 DC200으로 판매되고 있는 폴리메틸실록산이다. 바람직하게는, 상기 소포제는 ASTM법 892의 시험 조건 하에서 기포 형성을 억제하기 위한 충분한 비율로 포함된다. 전형적으로, 상기 조성물의 상기 소포제 함량은 적어도 약 0.0005중량%이고, 전형적으로 약 0.0001중량%~약 0.001중량%이다.
다음의 실시예는 상업적인 포스페이트 에스테르 항공 유압액, 즉, 퍼플루오로에틸 시클로헥실 설포네이트의 칼륨염, 퍼플루오로메틸 시클로헥실 설포네이트의 칼륨염, 퍼플루오로디메틸 시클로헥실 설포네이트의 칼륨염, 및 퍼플루오로시클로헥실 설포네이트의 칼륨염의 혼합물인 3M사의 FluoradTM FC-98에 사용된 부식억제제에 비교하여 본 발명의 부식억제제에 대한 시험을 예시한 것이다.
실시예에 사용된 액 조제물은 포스페이트 에스테르 베이스스톡 및 각 부식억제제가 첨가된 전형적인 첨가제 성분들을 포함하는데, 이는 상업적인 항공 유압액의 전형적인 조성을 갖도록 실험실에서 혼합되었다. 상기 베이스스톡 조성물은, 약 57%의 트리부틸 포스페이트, 23%의 디부틸페닐 포스페이트, 6%의 부틸디페닐 포스페이트와, 잔부는 점도 지수 향상제, 산 제거제, 항산화제, 부식억제제, 염료, 및 소포제 등과 같은 성분으로 이루어져 있다. 이러한 성분들은 모두 상업적으로 구입가능하였다. 모든 샘플들은 0.2%의 물을 포함하도록 스파이크 되었다. 시험되어야 할 부식억제제가 상기 액 조제물에 첨가되었다.
니들-투-플레인(Needle-To-Plane) 장치/방법: 니들-투-플레인 장치는 스트리밍 포텐셜을 모의실험하기 위해 적용된 전압을 사용하는 실험장치로서, 상기 스트리밍 포텐셜은 항공기 유압 서보(servo) 밸브에서 고속유동 조건하에서 구축될 수 있다. 상기 개념은, 외부의 동력원이 상기 표면의 분극화를 생성시키기 위해 구동력과 같은 속도함수로 작용하여, 피팅(pitting), 금속손실, 및 그에 이어지는 서보 밸브에서의 누출 증가를 초래한다는 것이다. T.R. Beck, "Wear of Small Orifices by Streaming Current Driven Corrosion", Transaction of ASME, Journal of Basic Engineering, Vol. 92, p.782(1970)에 의하면, 이러한 스트리밍 포텐셜 및 그에 이은 분극화를 야기하는 스트리밍 전류는 밸브 부식의 원인이 되는 것으로 제시되었다. 상기 니들-투-플레인 기법의 실험적 사용의 목적은 피팅이 발생하기 시작하는 최대전류를 결정하기 위한 것이다. 상기 전류는 한계전류로 불리운다. 피팅이 발생하기 시작하는 전류가 크면 클수록, 상기 서보밸브 표면을 부식으로부터 보호하기 위한 액의 능력도 커지게 된다. 적절한 액 첨가제가 이러한 억제 능력을 부여한다.
상기 니들-투-플레인 장치는, 상기 논문 뿐만 아니라 "Pitting and Deposits with an Orgarnic Fluid by Electrolysis and by Fluid Flow" T.R. Beck, et al., J. Electrochem. Soc., Vol. 119, p.155 (1972)에도 상세히 기술되어 있다. 이 장치에서, 강철 축음기 니들은 적절한 강철 합금으로 제조된 편평한 표면에 아주 근접하여 유지된다. 이 경우, 440C가 선정되었다. 상기 니들과 평면 사이의 분리는, 상기 니들을 유지하는 마이크로미터 헤드에 의해 측정하였을 때 0.01" 이었다. 편평한 강철 표면과 상기 니들의 테이퍼진 부분이 잠기도록, 충분한 시험액이 용기내에 제공되었다. 실시예에서 실제 수행된 실험은 다음과 같았다. 상기 표면은, 600 그릿의 실리콘 카바이드 페이퍼를 사용하여 가공되었다. 전압이 10분 동안 적용되었다. 상기 시간의 마지막에, 상기 평면을 형성하는 견본이 제거되었고, 상기 표면은 피트 검사를 위해 광학 현미경으로 검사되었다. 만일 피트가 발견되지 않으면, 상기 견본은 상기 장치에 다시 장착되고, 거리가 다시 조정되며, 적절히 선정된 높은 전압이 10분간 적용되었다. 상기 광학 현미경상으로 피트가 발견될 때까지 상기 과정이 반복되었다. 피팅이 발견되는 시점의 전류는 한계전류로 표시되었다.
실시예 1
FC-98이 250ppm(50 마이크로몰/100gm) 첨가된 용액이, 상기 니들-투-플레인 장치용 기준선을 제공하기 위한 대조군으로서 상기 니들-투-플레인 장치에서 시험되었다. 상기 FC-98 부식억제제는 유압액에서 효과적인 부식억제를 제공하기 때문에, 위에서 기술한 FC-98을 함유하고 있는 용액에서 관찰된 것과 동일하거나 그보다 큰 한계전류를 생성하는 액은, 또한 효과적으로 부식을 억제하는 액을 시사하는 것으로 간주할 수 있다. 33개의 샘플이 상기 니들-투-플레인 장치에서 처리되었다. 평균 한계전류는 약 6.5마이크로암페어이었고, 표준오차는 1.6마이크로암페어이었고, 그리고 2σ한계는 3.3~9.7마이트로암페어이었다. 33개의 샘플에서의 최대치는 10.7마이크로암페어이었고, 최소치는 3.7마이크로암페어이었다. 오차의 대부분은, 표면가공된 시료간의 차이 및 마이크로미터 단위의 작은 거리를 판독할 시 발생하는 ±5%~10%의 에러에 기인하는 것으로 볼 수 있다. 만일 상기한 조성으로 제조되고, 부식억제 첨가제 후보를 포함하는 시험액의 한계전류가 2σ전류 범위의 최저치인 3.3마이크로암페어 보다 크다면, 본 발명의 상기 부식억제제는 유망한 부식억제 첨가제인 것으로 결론을 내렸다.
다음의 본 발명의 부식억제제들이, 상기한 바와 같은 상기 니들-투-플레인 장치에서 시험되었다. 대부분의 경우에 있어서, 각 화합물의 단지 하나의 샘플만이 처리되었다. 그 결과는 표 Ⅰ에 제공되어있다.
표 I
Figure 112009040498288-pct00058
한계전류는, 칼슘 비스(펜타플루오로에탄 설포닐)이미데이트의 제2 샘플에서의 범위로 주어지는데, 이는 다음 단계의 적용 전압인 13볼트에서 관찰된 피트가 매우 큰 반면, 11 볼트에서 관찰된 피트는 매우 작았기 때문이다. 실질적인 한계전류는 3.1마이크로암페어와 4.5 마이크로암페어의 사이였다.
표 Ⅰ은, 상기 니들-투-플레인 장치에서 시험된 부식억제제의 농도 및 한계전류를 보여준다. 표 I에 나타난 바와 같이, 상기 화합물들은 염으로 첨가되었거나, 상기 액내에서 염을 형성시키는 산 및 베이스 전구체들을 첨가함으로써 인-시튜로 제조되었다. 상기 니들-투-플레인 한계전류의 결과는, 구조식 (ⅰ)의 부식억제제가 포스페이트 에스테르계의 유압액에서 효율적인 부식억제제가 될 수 있을 것임을 보여주고 있다.
실시예 2
실시예 1의 니들-투-플레인 시험이 구조식 (ⅱ), (ⅲ), (ⅳ), (ⅴ) 및 (ⅵ)의 부식억제제를 시험하기 위해 반복되었고, 그 결과가 표 II에 나타나 있다.
표 II
Figure 112009040498288-pct00059
상기 니들-투-플레인 한계전류 결과는, 구조식 (ⅱ), (ⅲ), (ⅳ), (ⅴ) 및 (ⅵ)의 부식억제제가 포스페이트 에스테르계 유압액에서 효율적인 부식억제제가 될 수 있을 것임을 보여주고 있다.
실시예 3
부식 리그(rig) 시험은, Flow control Valve Life, of the Society of Automotive Engineers(SAE) Aerospace standard AS1241, Fire Resistant Phosphate Ester Hydraulic Fluid for Aircraft, Revision C. Section 4.9에 규정된 방법에 따라서, 부식억제제로서 10 및 50마이크로몰/100gm 농도의 리튬 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드를 함유하는 상업적인 타입 Ⅳ 포스페이트 에스테르 유압액을 대표하는 액에 대해 수행되었다. 상기 리튬 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드는, 상기 포스페이트 에스테르 유압액에서 10 및 50 마이크로몰/100gm 농도 모두에서, 부식을 억제하는 것으로 나타났다. 즉, 상기 두 농도 모두 부식 리그 시험을 통과하였다. 표 Ⅰ및 Ⅱ의 결과로부터, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 다른 부식억제제 화합물들 뿐만 아니라 구조식 (ⅰ)의 음이온을 갖는 다른 염들도, Section 4.9의 요건에 규정된 바와 같이, 부식을 지연시킬 수 있다는 것을 예견할 수 있을 것이다. 실시예 1~3의 결과 또한, 포스페이트 에스테르계 유압액에서 부식억제제들의 효율을 효과적으로 예견할 수 있는 도구로서 상기 니들-투-플레인 장치를 사용할 수 있음을 보여주고 있다.
실시예 4
실시예 3의 액들이 상기 부식 리그 시험 전후에 상기 니들-투-플레인 장치에서 시험되었고, 그 결과가 표 III에 나타나 있다.
표 III
Figure 112009040498288-pct00060
표 III의 결과는, 50 마이크로몰/100gm에서의 한계전류는, 상업적인 타입Ⅳ 포스페이트 에스테르 유압액에 대한 범위의 상단(higher end)에 있음을 보여주고 있다. 10 마이크로몰/100gm에서, 상기 액의 한계전류는 상업적인 타입 Ⅳ 포스페이트 에스테르 유압액에 대한 범위의 하단(lower end)에 있다. 상기 결과는, 본 발명의 부식억제제의 5~10 마이크로몰/100gm 범위의 농도가, 본 시험과정에서 정의된 허용가능한 성능범위의 하단에 있을 수도 있음을 시사하고 있다.

Claims (98)

  1. 다음을 포함하는 액 조성물:
    (a) 포스페이트에스테르를 포함하는 베이스스톡, 및
    (b) 부식억제 유효량의, 하기 구조식으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나의 부식억제제 또는 그 혼합물;
    Figure 112010077750630-pct00066
    상기 액 조성물에 사용된 상기 부식억제제(들)은 상기 액 조성물내에서 가용성이고;
    상기 Rf는 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로아랄킬, 플루오로알카릴, 플루오로시클로알킬, 플루오로알콕시알킬, 또는 플루오로폴리알콕시알킬기로부터 선택되고; Y 및 Y'는 C, S, S(=A), P-Rf, P-OR, 또는 P-NRR'로부터 독립적으로 선택되고; A 및 A'는 O 또는 NR로부터 독립적으로 선택되고; X는 N 또는 C-R"로부터 선택되고; Z는 Y'(=A')-Rf, H, OC(=O)-Rf, 또는 R1-NH-(SO2-Rf)로부터 선택되고; R 및 R'는 H, 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 아랄킬, 플루오로알카릴, 또는 플루오로아랄킬로부터 독립적으로 선택되고; R"는 H, 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 아랄킬, 플루오로알카릴, 플루오로아랄킬, 또는 -Y(=A)-R2로부터 선택되고; R2는 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 아랄킬, 플루오로알카릴, 또는 플루오로아랄킬로부터 선택되고; R1은 비치환 또는 플루오로-치환의, 알킬렌, 시클로알킬렌, 알카릴렌, 아랄킬렌, 또는 아릴렌기로부터 선택되고; Rf3는 플루오로알킬렌, 플루오로아릴렌, 플루오로아랄킬렌, 플루오로알카릴렌, 플루오로알콕시알킬렌, 또는 플루오로폴리알콕시알킬렌 성분으로부터 선택되고; M은 n가의 양이온이고; n은 1, 2, 3, 또는 4이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제는 구조식(Ⅰ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 X는 N인 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 Y는 C 또는 S=A로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 음이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00037
  6. 제5항에 있어서, 상기 각 Rf는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제3항에 있어서, 상기 Y는 S인 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00038
  9. 제8항에 있어서, 상기 각 Rf는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 Y기는 P-Rf, P-OR, 또는 P-NRR'로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 음이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00039
    상기에서, B는 OR 또는 NRR'이다.
  12. 제11항에 있어서, 상기 각 Rf는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제2항에 있어서, 상기 X는 C-R"인 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 Y는 C 또는 S=A로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 음이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00040
  16. 제15항에 있어서, 상기 각 Rf는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. 제13항에 있어서, 상기 Y는 S인 것을 특징으로 하는 조성물.
  18. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 음이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00041
  19. 제18항에 있어서, 상기 각 Rf는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  20. 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 Y기는 P-Rf, P-OR, 또는 P-NRR'로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  21. 제20항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 음이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00042
    상기에서, R은 OR 또는 NRR'이다.
  22. 제21항에 있어서, 상기 각 Rf는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  23. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제는 구조식(Ⅱ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  24. 제23항에 있어서, 상기 X는 N인 것을 특징으로 하는 조성물.
  25. 제24항에 있어서, 상기 Y는 C 또는 S=A로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  26. 제25항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 음이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00043
  27. 제26항에 있어서, 상기 Rf3는 탄소원자수 2~6의 플루오로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 플루오로아릴렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로아랄킬렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로알카릴렌, 탄소원자수 4~12의 플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~30의 플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  28. 제24항에 있어서, 상기 Y는 S인 것을 특징으로 하는 조성물.
  29. 제28항에 있어서, 상기 Rf3는 탄소원자수 2~6의 플루오로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 플루오로아릴렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로아랄킬렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로알카릴렌, 탄소원자수 4~12의 플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~30의 플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  30. 제24항에 있어서, 상기 적어도 하나의 Y기는 P-Rf, P-OR, 또는 P-NRR'로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  31. 제30항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식 억제제의 음이온은 하기 구조식으로 표시되는 음이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00044
  32. 제31항에 있어서, Rf3은 탄소원자수 2~6의 플루오로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 플루오로아릴렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로아랄킬렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로알카릴렌, 탄소원자수 4~12의 플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~30의 플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  33. 제23항에 있어서, X는 C-R"인 것을 특징으로 하는 조성물.
  34. 제33항에 있어서, Y는 C 또는 S=A로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  35. 제34항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식억제제의 음이온은 하기 구조식들로 표시되는 음이온들로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00045
  36. 제35항에 있어서, Rf3은 탄소원자수 2~6의 플루오로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 플루오로아릴렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로아랄킬렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로알카릴렌, 탄소원자수 4~12의 플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~30의 플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  37. 제30항에 있어서, Y는 S인 것을 특징으로 하는 조성물.
  38. 제37항에 있어서, Rf3은 탄소원자수 2~6의 플루오로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 플루오로아릴렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로아랄킬렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로알카릴렌, 탄소원자수 4~12의 플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~30의 플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  39. 제33항에 있어서, 적어도 하나의 Y기는 P-Rf, P-OR, 또는 P-NRR'로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  40. 제39항에 있어서, 상기 적어도 하나의 부식억제제의 음이온은 하기 구조식들로 표시되는 음이온들로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00046
  41. 제40항에 있어서, Rf3은 탄소원자수 2~6의 플루오로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 플루오로아릴렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로아랄킬렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로알카릴렌, 탄소원자수 4~12의 플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~30의 플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  42. 제1항에 있어서, 상기 조성물중의 상기 부식억제제의 양은 총 액 100g당 적어도 1마이크로몰의 부식억제제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  43. 제42항에 있어서, 상기 조성물중의 상기 부식억제제의 양은 총 액 100g당 10~200마이크로몰의 부식억제제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  44. 제1항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, ⅤA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  45. 제44항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, ⅤA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  46. 제45항에 있어서, M은 리튬, 소듐, 포타슘, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 란타늄, 세륨, 알루미늄, 아연, 사치환 암모늄 양이온, 사치환 포스포늄 양이온, 또는 알킬 치환 이미다졸륨 양이온으로부터 선택되고; 상기 사치환 암모늄 및 포스포늄 양이온은 탄소원자수 1~24의 알킬기, 탄소원자수 6~10의 아릴기, 탄소원자수 7~34의 아랄킬기, 또는 탄소원자수 7~34의 알카릴기로부터 선택되는 기로 독립적으로 치환되며; 상기 사치환 암모늄 및 포스포늄 양이온에 있어서의 총 탄소원자수는 4~38이고, 알킬 치환 이미다졸륨 양이온은 2~5개의 알킬기로 치환되며, 각 알킬 치환기는 독립적으로 탄소원자수가 1~22이며, 상기 알킬 치환 이미다졸륨 양이온의 총 탄소원자수는 5~31이고, 하나의 알킬기가 이미다졸륨 고리의 각 질소 원자에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  47. 제46항에 있어서, M은 리튬, 포타슘, 칼슘, 란타늄, 마그네슘, 알루미늄, 아연, 테트라알킬 치환 암모늄 또는 사치환 포스포늄으로부터 선택되고; 상기 알킬기는 독립적으로 탄소원자수 1~24의 알킬기로부터 선택되고, 사치환 암모늄 및 포스포늄 양이온에 있어서의 총 탄소원자수는 5~21인 것을 특징으로 하는 조성물.
  48. 제1항에 있어서, R"이 -Y(=A)-R2일때, -Y(=A)-R2는 -C(O)R2 또는 -SO2-R2로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  49. 다음을 포함하는 액 조성물:
    (a) 포스페이트 에스테르를 포함하는 베이스스톡; 및
    (b) 부식억제 유효량의, 하기 구조식들로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나의 부식억제제 또는 이들의 혼합물;
    Figure 112010077750630-pct00047
    상기에서, Rf1 및 Rf2는 독립적으로 플루오로알킬, 플루오로아랄킬, 플루오로알카릴, 플루오로시클로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시알킬, 또는 플루오로폴리알콕시알킬기로부터 선택되고;
    M은 n가의 양이온이고;
    n은 1, 2, 3, 또는 4이고;
    R은 H, 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 플루오로아릴, 알카릴, 플루오로알카릴, 아랄킬, 또는 플루오로아랄킬로부터 선택되고;
    R1은 비치환 또는 플루오로-치환 알킬렌, 시클로알킬렌, 알카릴렌, 아랄킬렌, 또는 아릴렌기로부터 선택되고; Rf3은 플루오로알킬렌, 플루오로아릴렌, 플루오로아랄킬렌, 플루오로알카릴렌, 플루오로알콕시알킬렌, 또는 플루오로폴리알콕시알킬렌 성분으로부터 선택되고; 그리고
    상기 부식억제제는 상기 액에 가용성이다.
  50. 제49항에 있어서, 상기 부식억제제는 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00048
  51. 제50항에 있어서, Rf1 및 Rf2는 독립적으로 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  52. 제51항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, ⅤA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합 된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  53. 제52항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, 또는 아연으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  54. 제53항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라알킬암모늄, 테트리알킬포스포늄, 알킬 치환 이미다졸륨, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 란타늄, 또는 세륨으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  55. 제54항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라부틸암모늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄, 또는 세륨이고; Rf1 및 Rf2는 독립적으로 탄소원자수 1~12의 퍼플루오로알킬로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  56. 제49항에 있어서, 상기 부식억제제는 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00049
  57. 제56항에 있어서, Rf1 및 Rf2는 독립적으로 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  58. 제57항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, ⅤA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  59. 제58항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, 또는 아연으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨 으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  60. 제59항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 알킬 치환 이미다졸륨, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 란타늄, 또는 세륨으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  61. 제60항에 있어서, M은 리튬, 테트라부틸암모늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄, 또는 세륨이고; Rf1 및 Rf2는 독립적으로 탄소원자수 1~12의 퍼플루오로알킬로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  62. 제49항에 있어서, 상기 부식억제제는 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00050
  63. 제62항에 있어서, Rf1 및 Rf2는 독립적으로 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  64. 제63항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, ⅤA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  65. 제64항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, 또는 아연으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  66. 제 65항에 있어서, M은 리튬, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 알킬 치환 이미다졸륨, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 란타늄, 또는 세륨이고; R은 H, 탄소원자수 1~22의 알킬, 또는 탄소원자수 1~24의 플루오로알킬이며; Rf1 및 Rf2는 탄소원자수 1~12의 퍼플루오로알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  67. 제 66항에 있어서, M은 리튬, 테트라부틸암모늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄 또는 세륨인 것을 특징으로 하는 조성물.
  68. 제 49항에 있어서, 상기 부식억제제는 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00051
  69. 제 68항에 있어서, Rf1은 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 선택되는것을 특징으로 하는 조성물.
  70. 제 69항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, VA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알아릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합 된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 무기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  71. 제 70항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, 또는 아연으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  72. 제 71항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 알킬 치환 이미다졸륨, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 란타늄, 또는 세륨인 것을 특징으로 하는 조성물.
  73. 제 72항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라부틸암모늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄, 또는 세륨이고; Rf1은 탄소원자수 3~12의 퍼플루오로알킬인 것을 특징으로 하는 조성물.
  74. 제 49항에 있어서, 상기 부식억제제는 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00052
  75. 제 74항에 있어서, Rf1 및 Rf2는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  76. 제 75항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, VA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  77. 제 76항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, 또는 아연으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨 으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  78. 제 77항에 있어서, M은 리튬, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 알킬 치환 이미다졸륨, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 란타늄, 또는 세륨인 것을 특징으로 하는 조성물.
  79. 제 77항에 있어서, M은 리튬, 테트라부틸암모늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄, 또는 세륨이고; Rfl 및 Rf2는 탄소원자수 1~12의 퍼플루오로알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  80. 제 49항에 있어서, 상기 부식억제제는 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00053
  81. 제 80항에 있어서, Rf1 및 Rf2는 탄소원자수 1~24의 퍼플루오로알킬, 탄소원자수 4~7의 퍼플루오로시클로알킬, 탄소원자수 6~10의 퍼플루오로아릴, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로아랄킬, 탄소원자수 7~34의 퍼플루오로알카릴, 탄소원자수 3~21의 퍼플루오로알콕시알킬, 또는 탄소원자수 3~44의 퍼플루오로폴리알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  82. 제 81항에 있어서, R1은 탄소원자수 1~8의 비치환 또는 플루오로-치환 알킬렌, 탄소원자수 4~7의 시클로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 아릴렌, 탄소원자수 7~18의 알카릴렌, 또는 탄소원자수 7~18의 아랄킬렌인 것을 특징으로 하는 조성물.
  83. 제 82항에 있어서, 설폰아미드기가 탄소원자수 2 또는 3으로 분리되도록 R1 이 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  84. 제 83항에 있어서, R1은 시클로알킬렌인 것을 특징으로 하는 조성물.
  85. 제 84항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, VA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  86. 제 85항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, 또는 아연으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  87. 제 86항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 알킬 치환 이미다졸륨, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 란타늄, 또는 세륨인 것을 특징으로 하는 조성물.
  88. 제 87항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라부틸암모늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄, 또는 세륨이고; Rf1 및 Rf2는 탄소원자수 1~12의 퍼플루오로알킬로부터 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  89. 제 49항에 있어서, 상기 부식억제제는 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112005023688185-pct00054
  90. 제 89항에 있어서, Rf3은 탄소원자수 2~6의 플루오로알킬렌, 탄소원자수 6~10의 플루오로아릴렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로아랄킬렌, 탄소원자수 8~16의 플루오로알카릴렌, 탄소원자수 4~12의 플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~30의 플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  91. 제 90항에 있어서, Rf3은 탄소원자수 2~6의 퍼플루오로알킬렌, 탄소원자수 4~6의 퍼플루오로알콕시알킬렌, 또는 탄소원자수 4~6의 퍼플루오로폴리알콕시알킬렌으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  92. 제 91항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, ⅣA족 금속, VA족 금속, ⅥA족 금속, ⅦA족 금속, ⅧA족 금속, ⅠB족 금속, Zn 또는 B로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  93. 제 92항에 있어서, M은 알칼리금속, 알칼리토금속, ⅢA족 금속, ⅢB족 금속, 또는 아연으로부터 선택되는 무기 양이온, 또는 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 암모늄, 알킬, 아릴, 알카릴, 아랄킬, 또는 혼합된 알킬/아릴/알카릴/아랄킬 사치환 포스포늄, 또는 알킬 치환 이미다졸륨으로부터 선택되는 유기 양이온으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  94. 제 93항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라알킬암모늄, 테트라알킬포스포늄, 알킬 치환 이미다졸륨, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 란타늄, 또는 세륨인 것을 특징으로 하는 조성물.
  95. 제 94항에 있어서, M은 알칼리금속, 테트라부틸암모늄, 마그네슘, 칼슘, 란타늄, 또는 세륨이고; Rf3은 탄소원자수 2~6의 퍼플루오로알킬렌인 것을 특징으로 하는 조성물.
  96. 제 49항에 있어서, 상기 조성물 내의 상기 부식억제제의 양은 총 액 100g 당 부식억제제 적어도 1 마이크로몰인 것을 특징으로 하는 조성물.
  97. 제 96항에 있어서 상기 조성물 내의 상기 부식억제제의 양은 총 액 100g 당 부식억제제 적어도 10 내지 200 마이크로몰인 것을 특징으로 하는 조성물.
  98. 제 49항에 있어서, 상기 부식억제제는 리튬, 포타슘, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미데이트; 리튬, 포타슘, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(노나플루오로부탄설포닐)이미데이트; 리튬, 포타슘, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(퍼플루오로에톡시에틸설포닐)이미데이트; 리튬, 포타슘, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(펜타플루오로에탄설포닐)이미데이트; 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(트리플루오로아세트)이미데이트; 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄 또는 마그네슘 헥사플루오로아세토아세토네이트; 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 트리플루오로메탄설폰아미데이트; 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라 메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 비스(트리플루오로아세틸)히드록실아민 염; 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 트랜스-N,N'-1,2-시클로헥산디일비스(1,1,1-트리플루오로메탄설폰아미데이트); 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 시클릭-1,3-퍼플루오로프로판디설폰이미드; 리튬, 테트라메틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 마그네슘, 칼슘, 또는 란타늄 시클릭-1,2-퍼플루오로에탄디설폰이미드; 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
KR1020057007995A 2002-11-04 2003-11-04 부식억제제를 포함하는 기능성 액 조성물 KR101045456B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US42356402P 2002-11-04 2002-11-04
US60/423,564 2002-11-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050075378A KR20050075378A (ko) 2005-07-20
KR101045456B1 true KR101045456B1 (ko) 2011-06-30

Family

ID=32312676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057007995A KR101045456B1 (ko) 2002-11-04 2003-11-04 부식억제제를 포함하는 기능성 액 조성물

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7255808B2 (ko)
EP (1) EP1558716A1 (ko)
JP (1) JP2006505654A (ko)
KR (1) KR101045456B1 (ko)
AU (1) AU2003287507B2 (ko)
BR (1) BR0315915B1 (ko)
CA (1) CA2504891C (ko)
IL (1) IL168382A (ko)
MX (1) MXPA05004801A (ko)
WO (1) WO2004041978A1 (ko)
ZA (1) ZA200503689B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101155777B (zh) * 2005-04-01 2012-04-04 旭硝子株式会社 二磺酰氟化合物的制造方法
US7473684B2 (en) 2005-09-16 2009-01-06 Selamine Limited Bisphosphonate formulation
GB0624087D0 (en) * 2006-12-01 2007-01-10 Selamine Ltd Ramipril combination salt
GB0624090D0 (en) * 2006-12-01 2007-01-10 Selamine Ltd Ramipril amine salts
GB0624084D0 (en) * 2006-12-01 2007-01-10 Selamine Ltd Ramipril amino acid salts
US8466096B2 (en) * 2007-04-26 2013-06-18 Afton Chemical Corporation 1,3,2-dioxaphosphorinane, 2-sulfide derivatives for use as anti-wear additives in lubricant compositions
EP2346554B1 (en) * 2008-09-26 2015-09-16 Oriel Therapeutics, Inc. Inhaler mechanisms with radially biased piercers and related methods
SI23990A (sl) * 2012-02-10 2013-08-30 UNIVERZA V LJUBLJANI Fakulteta za strojništvo Aditiv za maziva in mazivo, vsebujoče tovrsten aditiv
CN104403780B (zh) * 2014-10-20 2017-05-17 郑州煤矿机械集团股份有限公司 基于配液水的液压支架用高含水液压液选用方法
CN105255548A (zh) * 2015-11-17 2016-01-20 中国科学院兰州化学物理研究所 一种高温航空发动机润滑油
US20170158981A1 (en) 2015-12-07 2017-06-08 Exxonmobil Research And Engineering Company Functional fluid compositions containing erosion inhibitors
US10113131B2 (en) * 2017-01-11 2018-10-30 The Boeing Company Phosphono paraffins
JP7198207B2 (ja) * 2017-09-01 2022-12-28 三菱マテリアル電子化成株式会社 界面活性剤

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577394A (en) 1980-06-12 1982-01-14 Nippon Steel Corp Butt-welding equipment for welding at inside surface of fixed steel pipe
WO1996017517A1 (en) * 1994-12-09 1996-06-13 Chevron U.S.A. Inc. Hydraulic fluids for use in aircraft
JP2001526451A (ja) 1997-12-10 2001-12-18 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 電気化学系中のビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）イミド界面活性剤塩

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2239817A1 (de) * 1972-08-12 1974-02-21 Bayer Ag Bis-perfluoralkansulfonsaeureimide sowie verfahren zu ihrer herstellung
US4252662A (en) * 1974-02-11 1981-02-24 Stauffer Chemical Company Functional fluids containing ammonium salts of phosphorus acids
DE2921142A1 (de) * 1979-05-25 1980-12-11 Bayer Ag Verwendung von perfluoralkansulfonamid- salzen als tenside
US4302346A (en) * 1979-06-28 1981-11-24 Chevron Research Company Erosion-inhibited functional fluid
US4324674A (en) * 1980-08-28 1982-04-13 Chevron Research Company Amine salt stabilized phosphate ester-based functional fluid
US4387222A (en) * 1981-01-30 1983-06-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cyclic perfluoroaliphaticdisulfonimides
US5205951A (en) * 1987-06-30 1993-04-27 Chevron Research And Technology Company Phosphate ester-based functional fluids containing an epoxide and a compatible streaming potential-inhibiting metal salt
US5035824A (en) * 1989-03-28 1991-07-30 Chevron Research Company Streaming potential inhibitor for hydraulic fluids
DE4217366A1 (de) * 1992-05-26 1993-12-02 Bayer Ag Imide und deren Salze sowie deren Verwendung
ATE166102T1 (de) * 1992-06-11 1998-05-15 Monsanto Co Funktionelle fluessigkeit
US6319423B1 (en) * 1998-10-23 2001-11-20 Exxonmobil Research & Engineering Co. Phosphate ester base stocks and aircraft hydraulic fluids comprising the same
EP1141179B8 (en) * 1998-11-10 2004-12-29 ExxonMobil Research and Engineering Company PHOSPHATE ESTER BASE STOCKS COMPRISING MIXED $i(n)-BUTYL/ISOBUTYL PHOSPHATE ESTERS AND AIRCRAFT HYDRAULIC FLUIDS COMPRISING THE SAME
US6372829B1 (en) * 1999-10-06 2002-04-16 3M Innovative Properties Company Antistatic composition
US6391225B1 (en) * 2000-02-25 2002-05-21 Exxonmobil Research And Engineering Company Phosphate ester hydraulic fluids with improved properties (law935)
BR0110629A (pt) * 2000-05-09 2003-03-18 Solutia Inc Composições de fluido funcional contendo removedores de ácido de epóxido
WO2002012777A2 (en) * 2000-08-04 2002-02-14 Exxonmobil Research And Engineering Company Method for lubricating high pressure hydraulic system using phosphate ester hydraulic fluid
TWI239945B (en) 2000-12-15 2005-09-21 Japan Science & Tech Agency Arylbis(perfluoroalkylsulfonyl) methane and metallic salt thereof and methods for producing the same
US6764610B2 (en) * 2001-04-20 2004-07-20 Exxonmobil Research And Engineering Company Servo valve erosion inhibited aircraft hydraulic fluids
US6764611B2 (en) * 2001-04-20 2004-07-20 Exxonmobil Research And Engineering Company Servo valve erosion inhibited aircraft hydraulic fluids
US6599866B2 (en) * 2001-04-20 2003-07-29 Exxonmobil Research And Engineering Company Servo valve erosion inhibited aircraft hydraulic fluids
US6555510B2 (en) * 2001-05-10 2003-04-29 3M Innovative Properties Company Bis(perfluoroalkanesulfonyl)imides and their salts as surfactants/additives for applications having extreme environments and methods therefor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577394A (en) 1980-06-12 1982-01-14 Nippon Steel Corp Butt-welding equipment for welding at inside surface of fixed steel pipe
WO1996017517A1 (en) * 1994-12-09 1996-06-13 Chevron U.S.A. Inc. Hydraulic fluids for use in aircraft
JP2001526451A (ja) 1997-12-10 2001-12-18 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 電気化学系中のビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）イミド界面活性剤塩

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050075378A (ko) 2005-07-20
CA2504891C (en) 2012-05-29
ZA200503689B (en) 2006-11-29
US20050056809A1 (en) 2005-03-17
IL168382A (en) 2010-11-30
AU2003287507A1 (en) 2004-06-07
MXPA05004801A (es) 2005-08-19
BR0315915B1 (pt) 2015-01-27
WO2004041978A1 (en) 2004-05-21
US7255808B2 (en) 2007-08-14
JP2006505654A (ja) 2006-02-16
EP1558716A1 (en) 2005-08-03
CA2504891A1 (en) 2004-05-21
BR0315915A (pt) 2005-09-20
AU2003287507B2 (en) 2008-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101045456B1 (ko) 부식억제제를 포함하는 기능성 액 조성물
RU2167921C2 (ru) Авиационная гидравлическая жидкость (варианты)
US4206067A (en) Thermally stabilized erosion-inhibited functional fluids containing perhalometal compounds and an organic base
US6254799B1 (en) Phosphate ester base stocks comprising mixed n-butyl/isobutyl phosphate esters and aircraft hydraulic fluids comprising the same
US20170158981A1 (en) Functional fluid compositions containing erosion inhibitors
Sniderman The chemistry and function of lubricant additives
US2602049A (en) Antioxidants for mineral oil lubricants and compositions containing the same
US2346154A (en) Compounded hydrocarbon oil
CA1041986A (en) Erosion-inhibited functional fluids
RU2402587C2 (ru) Высококачественные фосфатэфирные гидравлические жидкости
US4302346A (en) Erosion-inhibited functional fluid
US5205951A (en) Phosphate ester-based functional fluids containing an epoxide and a compatible streaming potential-inhibiting metal salt
US5035824A (en) Streaming potential inhibitor for hydraulic fluids
SU679151A3 (ru) Гидравлическа жидкость
GB2194782A (en) Additives for aqueous functional fluids
US2346153A (en) Compounded oil
CA1240979A (en) Non-metallic, antioxidant, antiwear lubricant additive system
CA1231704A (en) Stability improvers for water-in-oil emulsion
US2360623A (en) Lubricating oil composition
US2918429A (en) Pneumatic tool lubricant
US3679588A (en) Hydraulic fluids
US2795551A (en) Lubricant compositions
JPS6390597A (ja) 潤滑油組成物
CA2442924A1 (en) Servo valve erosion inhibited aircraft hydraulic fluids

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140529

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee