KR101036542B1 - 반도체 제조 장치용 히터 시스템 - Google Patents

반도체 제조 장치용 히터 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101036542B1
KR101036542B1 KR1020100002472A KR20100002472A KR101036542B1 KR 101036542 B1 KR101036542 B1 KR 101036542B1 KR 1020100002472 A KR1020100002472 A KR 1020100002472A KR 20100002472 A KR20100002472 A KR 20100002472A KR 101036542 B1 KR101036542 B1 KR 101036542B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power
unit
heater
temperature
control signal
Prior art date
Application number
KR1020100002472A
Other languages
English (en)
Inventor
조준현
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020100002472A priority Critical patent/KR101036542B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101036542B1 publication Critical patent/KR101036542B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Abstract

반도체 제조 장치용 히터 시스템은 반도체 제조 장치에서 온도 조절을 위해 사용되는 가열용 히터 유닛과, 히터 유닛의 구동을 위한 구동 전원을 공급하는 전원부와, 히터 유닛을 온도에 따라 동작시키기 위하여 온도에 따른 제어 신호를 출력하는 온도 조절기와, 전원부로부터 구동 전원을 직접 공급받아 동작하며 전원부로부터 히터 유닛으로 공급되는 구동 전원의 공급 라인 상에 연결되어 온도 조절기의 제어 신호에 따라서 히터 유닛으로 공급되는 전력을 조정하는 전력 조정기와, 전력 조정기로 공급되는 제어 신호의 공급 라인을 온/오프 시키기 위한 제1 스위칭 소자와 전력 조정기를 통해 히터 유닛으로 공급되는 구동 전원의 공급 라인을 온/오프 시키기 위한 제2 스위칭 소자를 포함하는 스위칭부와, 스위칭부를 제어하여 히터 유닛의 동작 여부를 제어하는 메인 제어부를 포함한다. 따라서, 메인 제어부의 제어 시점에서 온도 조절기 및 전력 조정기가 동작을 시작하므로 돌입 전류의 발생을 억제할 수 있다.

Description

반도체 제조 장치용 히터 시스템{Heater system for semiconductor production apparatus}
본 발명은 반도체 제조 장치용 히터 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상온에서 낮은 저항을 갖는 특성에 의한 돌입 전류를 억제할 수 있는 반도체 제조 장치용 히터 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 처리된 정보의 표시를 위해 평판 디스플레이 장치가 널리 사용되고 있으며, 평판 디스플레이 장치의 예로는 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 표시 장치(PDP), 유기 발광 표시 장치(OLED) 등을 들 수 있다. 이러한 평판 디스플레이 장치는 화상의 표시를 위해 평판형 표시 패널을 필수적으로 포함하며, 상기 표시 패널은 대면적의 기판을 대상으로 반도체 제조 공정, 예를 들면 증착 공정, 식각 공정, 포토리소그래피 공정, 세정 공정, 검사 공정 등의 공정들을 반복적으로 수행하여 제조된다.
상기 공정들을 수행하기 위한 반도체 제조 장치에는 기판 처리를 위한 약액, 공정 공간의 온도, 기판 등을 가열하기 위한 히터 시스템이 구비될 수 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조 장치용 히터 시스템을 나타내는 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 제조 장치용 히터 시스템의 개략적인 구동 파형도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 반도체 제조 장치용 히터 시스템(10)은 발열체인 히터 유닛(11), 대상물의 온도에 따라 히터 유닛(11)을 조절하기 위한 온도 조절기(13)와 전력 조정기(14), 구동 전원의 공급 여부를 스위칭하는 스위칭부(15) 및 스위칭부(15)를 제어하는 메인 제어부(16)를 포함한다.
상기 히터 시스템(10)의 동작은 메인 제어부(16)가 스위칭부(15)를 온 동작시키면, 구동 전원이 전력 조정기(14)를 동작시키게 된다. 따라서, 전력 조정기(14)는 온도 조절기(13)로부터 대상물의 온도에 따라서 제공되는 제어 신호에 근거하여 히터 유닛(11)을 동작시켜 검사 대상물의 온도를 설정 온도로 유지하도록 동작한다. 이때, 전력 조정기(14)의 동작에 필요한 동작 전원은 스위칭부(15)를 통해서 공급된다.
하지만, 종래 히터 시스템(10)에서는 시스템의 초기 구동시에 히터 유닛(11)으로 정전 전류의 수배에서 수십 배에 달하는 돌입 전류가 발생되는 문제점을 갖는다. 구체적으로, 도 2에 도시된 파형도에서와 같이 메인 제어부(16)에 의한 스위칭부(15)의 온 동작 시점 이전에 온도 조절기(13)에서 전력 조정기(14)로 제어 신호가 출력되어 전력 조정기(14)는 목표 전력으로 출력할 준비를 미리 마치게 되며, 이 상태에서 스위칭부(15)가 온 동작하게 되면 상온에서 낮은 저항 값을 갖는 히터 유닛(11)의 특성에 의해 돌입 전류(예컨대 과전류)가 발생된다. 이러한 돌입 전류에 의해 전력 조정기(14) 및 히터 유닛(11)은 손상 위험에 노출된다. 또한, 과전류로 인한 에러용 알람이 발생하게 되며 상기 알람이 발생될 경우 메인 제어부(16)를 통해 시스템을 오프 시키는데, 이때 전력 조정기(14)의 동작 전원이 함께 차단되어 알람의 원인 파악이 어려운 문제점이 있다.
본 발명을 통해 해결하려는 과제는 온도 조절기 및 전력 조정기를 이용하는 히터 시스템에서 메인 제어부의 제어에 따라 히터 유닛이 초기 구동할 때, 정격 전류의 수십 배에 해당하는 돌입 전류가 발생되는 것을 억제할 수 있는 반도체 제조 장치용 히터 시스템을 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템은 히터 유닛, 전원부, 온도 조절기, 전력 조정기, 스위칭부 및 메인 제어부를 포함한다. 상기 히터 유닛은 반도체 제조 장치에서 온도 조절을 위해 사용되는 가열용 부재이다. 상기 전원부는 상기 히터 유닛의 구동을 위한 구동 전원을 공급한다. 상기 온도 조절기는 상기 히터 유닛을 가열 대상물의 온도에 따라 동작시키기 위하여 상기 온도에 따른 제어 신호를 출력한다. 상기 전력 조정기는 상기 전원부로부터 상기 구동 전원을 직접 공급받아 동작하며, 상기 전원부로부터 상기 히터 유닛으로 공급되는 상기 구동 전원의 공급 라인 상에 연결되어 상기 온도 조절기의 상기 제어 신호에 따라서 상기 히터 유닛으로 공급되는 전력을 조정한다. 상기 스위칭부는 상기 전력 조정기로 공급되는 상기 제어 신호의 공급 라인을 온/오프 시키기 위한 제1 스위칭 소자와, 상기 전력 조정기를 통해 상기 히터 유닛으로 공급되는 상기 구동 전원의 공급 라인을 온/오프 시키기 위한 제2 스위칭 소자를 포함한다. 상기 메인 제어부는 상기 스위칭부를 제어하여 상기 히터 유닛의 동작 여부를 제어한다.
이때, 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템에서 상기 전력 조정기는 상기 제어 신호에 따라서 상기 히터 유닛으로 공급되는 전력을 조정할 때, 상기 제어 신호에 따른 목표 전력 값까지 점진적으로 증가시키도록 구성될 수 있다.
다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템에서 상기 구동 전원의 공급 라인은 제1 및 제2 라인을 포함하고, 상기 전력 조정기는 상기 제1 라인에 직렬 연결되며, 상기 스위칭부는 상기 제2 라인 상에 구비되어 상기 메인 제어부의 제어에 따라 상기 제2 라인을 온/오프 시키기 위한 제3 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템에서 상기 온도 조절기로부터 출력되는 상기 제어 신호는 상기 온도에 따라서 4㎃ 내지 20㎃의 전류 값을 가지며, 상기 전력 조정기는 상기 제어 신호의 전류 값에 따라서 상기 구동 전원을 변압하여 공급할 수 있다.
또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템에서 상기 히터 유닛은 상온에서 낮은 저항을 갖는 할로겐 램프 히터를 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템은 온도 조절기 및 전력 조정기를 이용하는 히터 시스템에서, 메인 제어부의 제어에 따라 히터 유닛을 초기 구동할 때, 온도 조절기에서 출력되는 제어 신호와 구동 전원이 동시에 전력 조정기로 공급됨으로써, 전력 조정기의 소프트 스타트(soft start) 시점이 온도 조절기의 제어 신호 입력시점부터 시작되므로 돌입전류를 억제할 수 있다.
따라서, 돌입전류로 인한 에러 알람의 발생 없이 히터 유닛을 제어할 수 있고, 돌입전류로 인한 전력 조정기 및 히터 유닛의 조기 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조 장치용 히터 시스템을 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 제조 장치용 히터 시스템의 개략적인 구동 파형도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템을 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 반도체 제조 장치용 히터 시스템의 개략적인 구동 파형도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템에 대하여 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 발명의 명확성을 기하기 위해 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 설명하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템을 나타내는 개략적인 구성도이고, 도 4는 도 3에 도시된 반도체 제조 장치용 히터 시스템의 개략적인 구동 파형도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템(100)은 히터 유닛(110), 전원부(120), 온도 조절기(130), 전력 조정기(140), 스위칭부(150) 및 메인 제어부(160)를 포함할 수 있다.
상기 반도체 제조 장치용 히터 시스템(100, 이하 히터 시스템이라 함)은 반도체 제조에서 가열 대상물을 가열하기 위하여 바람직하게 사용될 수 있다. 특히 온도 조절기(130) 및 전력 조정기(140)를 이용하여 히터 유닛(110)의 동작을 제어하며, 히터 유닛(110)이 상온에서 낮은 저항 특성을 가질 때 돌입 전류 억제를 위하여 바람직하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 식각 공정, 세정 공정 등을 위한 공정 공간의 온도를 일정한 온도로 유지하기 위한 반도체 제조 장치용 히터 시스템에서 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 히터 유닛(110)은 발열 유닛으로써, 반도체 제조 공정에서 대상물을 가열하기 위하여 발열 동작하다. 여기서 가열 대상물은 예를 들어 식각 공정, 세정 공정 등을 수행하기 위한 공정 공간일 수 있다. 이와 달리, 가열 대상물은 공정에 이용되는 용액이나, 기판, 기판을 가열하기 위한 플레이트 등 다양하게 적용될 수 있다. 히터 유닛(110)은 단일로 구성될 수 있고, 또는 2개 이상의 개수로 구성될 수 있다. 예를 들어, 히터 유닛(110)은 공정 공간의 온도 유지를 위한 할로겐 램프 히터일 수 있다. 히터 유닛(110)은 전력 조정기(140)를 통해 공급되는 전력 값에 근거하여 발열 동작한다. 즉, 전력 조정기(140)에서 높은 값의 전력이 공급되면 상대적으로 높은 온도로 발열하고, 전력 조정기(140)에서 낮은 값의 전력이 공급되면 상대적으로 낮은 온도로 발열한다. 결과적으로, 히터 유닛(110)은 전력 조정기(140)에서 공급되는 전력에 따른 발열 동작 및 오프 동작을 반복하면서 가열 대상물을 일정 온도로 유지시킨다.
상기 전원부(120)는 히터 유닛(110)의 구동(예컨대 발열 동작)을 위한 구동 전원을 공급한다. 전원부(120)로부터 공급되는 구동 전원의 공급 라인(121)은 일반적인 복선 라인으로 구성될 수 있다. 즉, 구동 전원의 공급 라인(121)은 제1 및 제2 라인(121a, 121b)을 포함할 수 있다. 전원부(120)에서 공급되는 구동 전원은 히터 유닛(110)을 구동하기 위하여 사용되고, 또한 히터 유닛(110)의 동작을 제어하기 위한 전력 조정기(140)의 동작을 위해 사용될 수 있다. 전원부(120)는 직접 구동 전원을 생성하는 발전기일 수 있고, 또는 외부에 위치하는 별도의 전원 부재로부터 공급 라인을 통해 전력을 공급받는 단자일 수도 있다.
상기 온도 조절기(130)는 가열 대상물의 온도에 따라서 히터 유닛(110)을 동작시키기 위하여, 가열 대상물의 온도에 따른 제어 신호를 출력하는 역할을 한다. 즉, 온도 조절기(130)는 가열 대상물인 공정 공간의 온도를 검출하고, 검출된 온도를 기초로 하여 가열 대상물의 온도를 설정 온도로 맞추기 위한 제어 신호를 생성하여 출력한다. 예를 들면, 온도 조절기(130)는 검출된 가열 대상물의 온도에 따라서 전류 값이 약 4㎃ 내지 20㎃인 제어 신호를 출력할 수 있다. 제어 신호의 전류 값은 가열 대상물의 온도와 반비례할 수 있다. 도 4의 도면에서, 온도 조절기(130)에서 출력되는 제어 신호는 최대 값을 100%로 기준으로 할 때, 0% 또는 100%의 두 값만을 출격하는 것으로 도시하였다. 그러나, 온도 조절기(130)에서 출력되는 제어 신호는 가열 대상물의 온도에 따라서 0% 내지 100% 사이의 다양한 값들을 가질 수 있다. 이처럼, 온도 조절기(130)에서 출력되는 제어 신호가 가열 대상물의 온도에 따라서 세밀하게 반응함으로써, 가열 대상물의 온도를 보다 일정한 수준으로 유지할 수 있게 된다. 여기서, 온도 조절기(130)는 일반적으로 가열 대상물의 온도를 측정하기 위한 온도 측정 부재를 포함하거나, 온도 측정 부재와 연결되어 검사 대상물의 온도 정보를 공급받도록 구성된다.
상기 전력 조정기(140)는 전원부(120)로부터 히터 유닛(110)으로 공급되는 구동 전원의 공급 라인(121) 상에 연결된다. 예를 들면, 히터 유닛(110)으로 공급되는 구동 전원의 공급 라인(121)이 제1 및 제2 라인(121, 122)을 포함할 때, 전력 조정기(140)는 제1 라인(121a) 상에 직렬로 연결될 수 있다. 전력 조정기(140)의 주된 역할은 온도 조절기(130)로부터 제어 신호를 공급받고, 공급받은 제어 신호에 따라서 히터 유닛(110)으로 공급되는 전력을 조정한다. 전력 조정기(140)는 온도 조절기(130)로부터 공급되는 제어 신호에 따라서 전원부(120)로부터 공급되는 구동 전원을 변압하여 히터 유닛(110)으로 공급하는 역할을 한다.
상기 전력 조정기(140)는 온도 조절기(130)의 제어 신호에 응답하여 동작할 때, 상기 제어 신호에 대응하는 목표 전력 값으로 점진적으로 증가되도록 동작한다. 따라서, 전력 조정기(140)가 히터 유닛(110)으로 전력을 공급할 때 정전전류에 수배에서 수십 배에 달하는 돌입전류가 발생되는 것을 억제하게 된다.
상기 스위칭부(150)는 히터 유닛(110)을 구동하기 위한 전반적인 시스템을 온/오프 시키는 역할을 한다. 스위칭부(150)는 메인 제어부(160)의 제어에 따라서 구동 전원의 공급 여부 및 온도 조절기(130)로부터 전력 조정기(140)로 공급되는 제어 신호의 공급 여부를 선택한다.
예를 들면, 상기 스위칭부(150)는 제1 내지 제3 스위칭 소자(151, 152, 153)를 포함한다. 상기 제1 스위칭 소자(151)는 온도 조절기(130)로부터 전력 조정기(140)로 공급되는 제어 신호의 공급 라인 상에 구비되어 상기 제어 신호의 공급 라인을 온/오프 시키는 역할을 한다. 따라서, 제1 스위칭 소자(151)는 스위칭 동작을 통해서 온도 조절기(130)로부터의 제어 신호가 상기 전력 조정기(140)로 공급되는 것을 제어한다. 상기 제2 스위칭 소자(152)는 전원부(120)로부터 전력 조정기(140)로 공급되는 구동 전원의 공급 라인(121)을 온/오프 시키는 역할을 한다. 구체적으로 제2 스위칭 소자(152)는 구동 전원을 공급하는 제1 라인(121a)에 구비되어 제1 라인(121a)을 온/오프 시킨다. 따라서, 제2 스위칭 소자(152)의 온/오프 동작에 따라서 히터 유닛(110)으로의 전력 공급 여부가 선택된다. 여기서, 제2 스위칭 소자(152)에 의해 히터 유닛(110)으로의 전력 공급 여부가 선택될 수 있으나, 보다 안정적인 차단 효과를 얻기 위하여 제3 스위칭 소자(153)가 구비된다. 제3 스위칭 소자(153)는 구동 전원의 공급 라인(121) 중 제2 라인(121b)에 구비되어 제2 라인(121b)을 온/오프 시키는 역할을 한다. 따라서, 제2 및 제3 스위칭 소자(152, 153)의 스위칭 동작으로 구동 전원의 공급 라인(121)은 완전하게 차단될 수 있다.
상기 스위칭부(150)는 상기 메인 제어부(160)에 의해 제어되며, 일반적으로 메인 제어부(160)는 제1 내지 제3 스위칭 소자(151, 152, 153)들을 일괄하여 동작하도록 제어한다. 이와 달리, 스위칭부(150)의 제1 내지 제3 스위칭 소자(151, 152, 153)들은 돌입 전류를 억제할 수 있는 범위 내에서 서로 다른 시점에 동작하도록 메인 제어부(160)에 의해 제어될 수도 있다.
상기 메인 제어부(160)는 히터 시스템(100)의 전반전인 동작을 제어한다. 메인 제어부(160)는 히터 시스템(100)의 동작을 시작하거나, 정지시키는 역할을 한다. 이를 위해, 메인 제어부(160)는 스위칭부(150)를 제어한다. 즉, 메인 제어부(160)는 스위칭부(150)를 온 동작시켜 가열 대상물을 가열하도록 하고, 스위칭부(150)를 오프 동작시켜 가열을 중지한다. 또한, 스위칭부(150)의 온 동작 및 오프 동작을 적절히 반복하여 가열 대상물이 일정한 온도를 갖도록 조절한다.
이와 같은, 반도체 제조 장치용 히터 시스템(100)은 메인 제어부(160)에 의해 스위칭부(150)가 온 동작 될 때 히터 유닛(110)에 의한 오도 조절 기능이 시작된다. 구체적으로, 메인 제어부(160)가 제1 내지 제3 스위칭 소자(151, 152, 153)를 온 동작시킴으로써, 온도 조절기(130)에서 출력되는 제어 신호가 전력 조정기(140)로 공급되고 전원부(120)의 구동 전원이 전력 조정기(140)로 유입되어 히터 유닛(110)으로의 공급을 시작한다. 이때, 전력 조정기(140)는 온도 조절기(130)의 제어 신호에 대응하는 목표 전력 값으로 점진적으로 증가된다. 이처럼, 도 4의 도면에서와 같이 온도 조절기(130)의 제어 신호가 제공되는 시점과 전원부(120)의 구동 전원이 제공되는 시점이 동일 시점이 되므로, 전력 조정기(140)는 제어 신호와 구동 전원을 동일 시점에 공급받아 점진적으로 목표 전력 값까지 증가됨으로써, 히터 유닛(110)이 상온에서 낮은 저항을 갖음에 의해 발생하던 돌입 전류를 억제된다.
또한, 전력 조정기(140)는 기능 동작에 필요한 전원을 직접 전원부(!20)로부터 공급받으므로, 메인 제어부(160)가 스위칭부(150)를 오프 동작시켜 시스템을 오프 시키더라도 동작이 가능하다. 따라서, 에러 알람 발생으로 시스템을 오프 시킨 뒤에도 전력 조정기(140)를 통해서 에러의 원인을 파악할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치용 히터 시스템은 온도 조절기 및 전력 조정기를 이용하여 히터 유닛의 동작을 제어하는 히터 시스템에서, 온도 조절기의 초기 동작 시점을 전력 조정기와 일치시켜 줌으로써, 히터 유닛이 상온에서 낮은 저항을 갖는 특성에 기인하여 발생되는 시스템 초기 구동시의 돌입 전류를 억제할 수 있다.
따라서, 돌입 전류로 인한 에러 알람의 발생을 예방할 수 있으며, 돌입 전류로 인해 전력 조정기 및 히터 유닛이 조기 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 유지 보수 관리에 소요되는 비용을 절감할 수 있으며, 에러 발생으로 인한 작업 중단을 없애 생산 수율의 향상을 도모할 수 있다.
따라서, 본 발명의 반도체 제조 장치용 히터 시스템은 온도 조절기 및 전력 조정기를 이용하여 히터 유닛의 동작을 제어하는 시스템에서 돌입 전류로 인한 에러 및 설비 손상을 방지하기 위하여 바람직하게 사용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 히터 시스템 110: 히터 유닛
120: 전원부 121: 구동 전원 공급 라인
121a: 제1 라인 121b: 제2 라인
130: 온도 조절기 140: 전력 조정기
150: 스위칭부 151: 제1 스위칭 소자
152: 제2 스위칭 소자 153: 제3 스위칭 소자
160: 메인 제어부

Claims (5)

  1. 반도체 제조 장치에서 온도 조절을 위해 사용되는 가열용 히터 유닛;
    상기 히터 유닛의 구동을 위한 구동 전원을 공급하는 전원부;
    상기 히터 유닛을 온도에 따라 동작시키기 위하여 상기 온도에 따른 제어 신호를 출력하는 온도 조절기;
    상기 전원부로부터 상기 구동 전원을 직접 공급받아 동작하며, 상기 전원부로부터 상기 히터 유닛으로 공급되는 상기 구동 전원의 공급 라인 상에 연결되어 상기 온도 조절기의 제어 신호에 따라서 상기 히터 유닛으로 공급되는 전력을 조정하는 전력 조정기;
    상기 전력 조정기로 공급되는 상기 제어 신호의 공급 라인을 온/오프 시키기 위한 제1 스위칭 소자와, 상기 전력 조정기를 통해 상기 히터 유닛으로 공급되는 상기 구동 전원의 공급 라인을 온/오프 시키기 위한 제2 스위칭 소자를 포함하는 스위칭부; 및
    상기 스위칭부를 제어하여 상기 히터 유닛의 동작 여부를 제어하는 메인 제어부를 포함하는 반도체 제조 장치용 히터 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전력 조정기는 상기 제어 신호에 따라서 상기 히터 유닛으로 공급되는 전력을 조정할 때, 상기 제어 신호에 따른 목표 전력 값까지 점진적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 히터 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 히터 유닛으로 공급되는 상기 구동 전원의 공급 라인은 제1 및 제2 라인을 포함하고, 상기 전력 조정기는 상기 제1 라인에 직렬 연결되며, 상기 스위칭부는 상기 제2 라인 상에 구비되어 상기 메인 제어부의 제어에 따라 상기 제2 라인을 온/오프 시키기 위한 제3 스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 히터 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 온도 조절기로부터 출력되는 상기 제어 신호는 상기 온도에 따라서 4㎃ 내지 20㎃의 전류 값을 가지며, 상기 전력 조정기는 상기 제어 신호의 전류 값에 따라 상기 구동 전원을 변압하여 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 히터 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 히터 유닛은 상온에서 낮은 저항을 갖는 할로겐 램프 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 히터 시스템.
KR1020100002472A 2010-01-12 2010-01-12 반도체 제조 장치용 히터 시스템 KR101036542B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100002472A KR101036542B1 (ko) 2010-01-12 2010-01-12 반도체 제조 장치용 히터 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100002472A KR101036542B1 (ko) 2010-01-12 2010-01-12 반도체 제조 장치용 히터 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101036542B1 true KR101036542B1 (ko) 2011-05-24

Family

ID=44366489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100002472A KR101036542B1 (ko) 2010-01-12 2010-01-12 반도체 제조 장치용 히터 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101036542B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200038239A (ko) * 2017-08-10 2020-04-10 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 히터에 공급되는 전력을 제어하는 시스템 및 방법
CN112462824A (zh) * 2020-11-12 2021-03-09 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 一种薄膜沉积设备加热控制系统及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100643491B1 (ko) 2001-01-04 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 설비에 적용되는 원터치 온도 제어 시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100643491B1 (ko) 2001-01-04 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 설비에 적용되는 원터치 온도 제어 시스템

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200038239A (ko) * 2017-08-10 2020-04-10 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 히터에 공급되는 전력을 제어하는 시스템 및 방법
KR102547953B1 (ko) * 2017-08-10 2023-06-26 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 히터에 공급되는 전력을 제어하는 시스템 및 방법
CN112462824A (zh) * 2020-11-12 2021-03-09 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 一种薄膜沉积设备加热控制系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101262695B1 (ko) 부하 안정화 회로 및 안정화 방법
JP2007005305A (ja) ディスプレイ装置およびその制御方法
US8519641B2 (en) Apparatus for driving light emitting device with over-current and over-voltage protection
JP6573200B2 (ja) 電力管理システム、電力管理方法およびプログラム
KR101036542B1 (ko) 반도체 제조 장치용 히터 시스템
CN101330792B (zh) 调光电路及调光方法
US8525422B2 (en) Backlight apparatus
JP6415527B2 (ja) デュアル電源を使用してデュアルマグネトロンにパワーを供給するシステム及び方法
CN102475003A (zh) 安装流水线功率控制装置以及安装流水线功率控制方法
CN109407356B (zh) 显示屏上电稳压供电系统及显示屏上电稳压供电方法
KR20100046682A (ko) 반도체 제조 장치용 히터 시스템
JP4919440B2 (ja) ガラスシステム、処理装置およびプログラム
JP2009054433A (ja) 光源装置
TWI692982B (zh) 背光裝置及其調光控制方法
US20120267954A1 (en) Load line calibration device
US20160352281A1 (en) Motor driving circuit
CN102970809B (zh) 光源装置
KR20070004385A (ko) 휴대용 컴퓨터 및 그 제어방법
JP2010040209A (ja) 液晶パネル用バックライト装置
JP5080504B2 (ja) インバータの制御回路、ならびにそれを用いた発光装置ならびにディスプレイ装置
JP6131483B2 (ja) 発光ダイオードチップ駆動方法および駆動装置
KR100875705B1 (ko) 외부전극형광램프용 디지털 제어 인버터 및 그 제어방법
US10401884B2 (en) Power supply array system capable of outputting multiple voltages
KR200452181Y1 (ko) 사인파 인버터와 프로그래머블 로직 컨트롤러를 이용하여 고전압을 제어하기 위한 전압 조정 원격감시제어장치
KR100648679B1 (ko) 플라즈마 표시 장치와 플라즈마 표시 패널의 전원 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140508

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160503

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170426

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180503

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190503

Year of fee payment: 9