KR101036442B1 - apparatus and method for collecting contaminated particles by using sonic waves - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 디스플레이 공정에서 발생하는 오염입자를 음파를 이용해 집속하고 선별 및 분리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명의 이용해 의하여 오염입자 측정장치의 효율을 극대화시킬 수 있다.The present invention relates to an apparatus and method for focusing, sorting, and separating contaminant particles generated in a semiconductor display process using sound waves. The present invention can maximize the efficiency of a contaminant particle measuring apparatus.

음파, 트랜스듀서, 반사체, 오염입자, 입자 측정기, 선별, 분리, 집속 Sound waves, transducers, reflectors, contaminants, particle counters, screening, separation, focusing

Description

음파를 이용한 오염입자 집속장치 및 집속방법{apparatus and method for collecting contaminated particles by using sonic waves}Apparatus and method for collecting contaminated particles by using sonic waves}

본 발명은 반도체 디스플레이 공정에서 발생하는 오염입자를 음파를 이용해 집속하고 선별 및 분리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명의 이용해 의하여 오염입자 측정장치의 효율을 극대화시킬 수 있다.The present invention relates to an apparatus and method for focusing, sorting, and separating contaminant particles generated in a semiconductor display process using sound waves. The present invention can maximize the efficiency of a contaminant particle measuring apparatus.

클린룸과 같은 청정공간 내에 존재하는 오염입자들의 측정은 반도체 생산 공정에서 매우 중요한 요소이다. 이들 오염입자의 크기를 측정하기 위해서 레이저를 이용하여 크기를 분석하는 광학입자계수기(Optical Particle Counter, OPC) 또는 브라운 확산을 이용한 확산 배터리(Diffusion Batteries) 등이 사용된다.The measurement of contaminant particles in clean spaces such as clean rooms is a very important factor in the semiconductor production process. In order to measure the size of these contaminated particles, an optical particle counter (OPC) that analyzes the size using a laser or a diffusion battery (Diffusion Batteries) using brown diffusion is used.

반도체 기술의 발달로 반도체의 선폭이 감소함에 따라 직경이 10㎚정도의 크기의 오염입자까지 필수적으로 측정되어야 한다.As the line width of the semiconductor decreases due to the development of semiconductor technology, even contaminant particles having a diameter of about 10 nm must be measured.

그러나, 이러한 오염입자의 크기를 측정하기 위하여는 반도체 공정 챔버 등을 포함한 공정 챔버에 존재하는 오염입자를 크기별로 분리 및 집속하는 것이 필요하다. 따라서, 이러한 입자를 크기별로 분리 및 집속하는 기술 개발의 필요성이 대두된다.However, in order to measure the size of such contaminant particles, it is necessary to separate and focus contaminant particles existing in the process chamber including the semiconductor process chamber by size. Therefore, there is a need to develop a technology for separating and focusing such particles by size.

본 발명은 일반적으로 사용되는 레이저방식 입자측정기를 이용하여 오염입자를 용이하게 모니터링할 수 있도록 오염입자를 집속하고 선별 및 분리할 수 있는 음파를 이용한 오염입자 집속장치 및 음파를 이용한 오염입자 집속방법을 제공하고자 한다.The present invention provides a contaminating particle focusing apparatus using a sound wave capable of focusing, sorting and separating contaminating particles so that contaminating particles can be easily monitored using a laser particle measuring device which is generally used, and a contaminating particle focusing method using sound waves. To provide.

본 발명은 오염입자가 유입되는 유입(110)구 및 오염입자가 유출되는 유출구(120)가 형성된 배출관(100); 음파를 발생시키는 트랜스듀서(210); 상기 트랜스듀서(210)에 연결되고, 오염입자가 통과하는 상기 배출관(100)의 특정 횡단면상에 음파를 발산하는 음파 발산면(220S)이 상기 배출관(100)의 중심축으로부터 상기 배출관(100)의 횡방향으로 이격되도록 설치되는 음파 발산부(220); 상기 음파 발산면(220S)으로부터 발산된 음파를 상기 음파 발산면(220S)으로 반사시키기 위하여, 반사면(300S)이 상기 배출관(100)의 중심축으로부터 상기 음파 발산면(220S)에 대향되는 방향에 위치하도록 설치되는 반사체(300); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속장치에 관한 것이다.The present invention is a discharge pipe 100 is formed with an inlet port 110, the contaminant particles are introduced and the outlet port 120 is contaminated particles; A transducer 210 for generating sound waves; A sound wave emitting surface 220S connected to the transducer 210 and emitting sound waves on a specific cross section of the discharge pipe 100 through which contaminants pass is discharged from the central axis of the discharge pipe 100. Sound wave diverter 220 is installed so as to be spaced apart in the lateral direction of the; In order to reflect the sound waves emitted from the sound wave diverging surface 220S to the sound wave diverging surface 220S, the reflection surface 300S is a direction facing the sound wave diverging surface 220S from the central axis of the discharge pipe 100. Reflector 300 is installed to be located in; It relates to a contaminating particle focusing device using a sound wave comprising a.

본 발명에 있어서 상기 음파 발산부(220)는 전면 정압층(221)을 포함할 수 있는데, 상기 음파를 발생하는 트렌스듀서(200)는 압전소자와 솔레노이드를 포함하여 구성될 수 있다.In the present invention, the sound wave diverging unit 220 may include a front positive pressure layer 221, the transducer 200 for generating the sound wave may comprise a piezoelectric element and a solenoid.

본 발명에 있어서 상기 트랜스듀서(210)는 파우워(power) 및 주파수를 조절할 수 있는 가변 트랜스듀서이고, 상기 가변 트랜스듀서에는 상기 배출관(100)의 특정 횡단면 방향으로 길이 조절 가능한 일자형의 횡방향 음파 전달체(230)가 연결되고, 상기 횡방향 음파 전달체(230)에는 상기 음파 발산면(220S)이 형성되는 음파 발산부(220)가 수직하게 연결될 수 있고, 상기 음파 발산부(220)는 상기 음파 발산면(220S)의 넓이 조절이 가능할 수 있다.In the present invention, the transducer 210 is a variable transducer that can adjust the power (power) and frequency, the variable transducer has a straight transverse sound wave length adjustable in a specific cross-sectional direction of the discharge pipe 100 A carrier 230 is connected, and the sound wave diverging unit 220 in which the sound wave diverging surface 220S is formed may be vertically connected to the transverse sound wave carrier 230, and the sound wave diverging unit 220 is the sound wave. The width of the diverging surface 220S may be adjustable.

본 발명에 있어서, 상기 트랜스듀서(210)는 상기 배출관(100)의 길이방향을 따라 병렬로 다수개 설치되고, 상기 반사체(300)는 상기 트랜스듀서(210)에 대응하여 상기 배출관(100)의 길이방향을 따라 병렬로 다수개 설치될 수 있고, 상기 음파 발산면(220S) 및 반사면(300S)은 상호 평행하게 설치되는 평면 형상일 수 있다.In the present invention, the plurality of transducers 210 are installed in parallel along the longitudinal direction of the discharge pipe 100, the reflector 300 corresponding to the transducer 210 of the discharge pipe 100 A plurality may be installed in parallel along the longitudinal direction, and the sound wave emitting surface 220S and the reflecting surface 300S may have a planar shape installed in parallel with each other.

한편, 본 발명은 상기 오염입자 집속장치를 이용한 오염입자 집속방법으로서, 상기 음파 발산부(220)의 음파 발산면(220S)과 상기 반사체(300)의 반사면(300S) 사이의 거리를 d라 할때 상기 음파 발산부(220)는 상기 반사체(300)를 향하여 파장 λ는 (1/2)nλ=d인 횡파를 발산하는 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속방법에 관한 것이다. 여기서, n은 자연수이다.On the other hand, the present invention is a contaminating particle focusing method using the contaminating particle focusing apparatus, d is the distance between the sound wave diverging surface 220S of the sound wave diverging unit 220 and the reflecting surface 300S of the reflector 300 At this time, the sound wave diverging unit 220 relates to a contaminating particle focusing method using sound waves, characterized in that the wavelength λ emits a transverse wave (1/2) nλ = d toward the reflector (300). Where n is a natural number.

본 발명은 반도체 및 디스플레이 공정에서 발생하는 오염입자를 집속, 분리 및 선별할 수 있으므로 이들 공정에서 발생하는 오염입자 측정 효율을 극대화할 수 있는 장점이 있다.The present invention has the advantage of maximizing the pollutant particle measurement efficiency generated in these processes because it can focus, separate and screen the pollutant particles generated in the semiconductor and display process.

이하, 도면을 참조하며 본 발명의 일실시예에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

실시예1Example 1

실시예1은 본 발명에 따른 음파를 이용한 오염입자 집속장치에 관한 것이다.Example 1 relates to a contaminating particle focusing apparatus using sound waves according to the present invention.

도1은 실시예1의 개략도이다.1 is a schematic diagram of Embodiment 1. FIG.

도1을 참조하면 실시예1은 배출관(100), 트랜스듀서(210), 반사체(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, Embodiment 1 includes an exhaust pipe 100, a transducer 210, and a reflector 300.

도1을 참조하면 배출관(100)의 일측단에는 오염입자가 유입되는 유입구(110)가 형성되고, 배출관(100)의 타측단에는 오염입자가 유출되는 유출구(120)가 형성된다.Referring to FIG. 1, an inlet 110 through which contaminant particles are introduced is formed at one end of the discharge pipe 100, and an outlet 120 through which contaminant particles are discharged is formed at the other end of the discharge pipe 100.

도1을 참조하면 배출관(100)의 유입구(110)는 공정 챔버(400)에 연결된다. 공정 챔버(400)는 TiN 증착 공정 챔버일 수 있다.Referring to FIG. 1, the inlet 110 of the discharge pipe 100 is connected to the process chamber 400. The process chamber 400 may be a TiN deposition process chamber.

도1을 참조하면 배출관(100)의 유출구(120)에는 펌프(500)가 연결된다.Referring to FIG. 1, a pump 500 is connected to an outlet 120 of the discharge pipe 100.

도1을 참조하면 배출관(100)에는 음파를 발생시키는 트랜스듀서(210)가 설치된다. 트랜스듀서(210)는 배출관(100)의 둘레면 상측에 설치될 수 있다.Referring to Figure 1, the discharge pipe 100 is provided with a transducer 210 for generating sound waves. The transducer 210 may be installed above the circumferential surface of the discharge pipe 100.

도1을 참조하면 트랜스듀서(210)에는 음파 발산부(220)가 연결된다. 음파 발산부(220)에는 오염입자가 통과하는 상기 배출관(100)의 특정 횡단면상에 음파를 발산하는 음파 발산면(220S)이 형성된다. 음파 발산면(220S)은 평면으로 형성된다. 음파 발산부(220)는 음파 발산면(220S)이 상기 배출관(100)의 중심축으로부터 상기 배출관(100)의 횡방향으로 소정거리 이격 설치된다.Referring to FIG. 1, a sound wave diverging unit 220 is connected to the transducer 210. The sound wave diverging unit 220 is provided with a sound wave diverging surface 220S for emitting sound waves on a specific cross section of the discharge pipe 100 through which contaminant particles pass. The sound wave diverging surface 220S is formed in a plane. The sound wave diverging unit 220 is provided with a sound wave diverging surface 220S spaced a predetermined distance from the central axis of the discharge pipe 100 in the transverse direction of the discharge pipe 100.

도1을 참조하면 배출관(100)에는 반사체(300)가 설치된다. 반사체(300)는 배출관(100)의 둘레면 하측에 고정 설치될 수 있다. 반사체(300)에는 음파를 반사 시키기 위한 반사면(300S)이 형성된다. 반사면(300S)은 음파 발산면(220S)으로부터 발산된 음파를 음파 발산면(220S)으로 반사시키기 위한 것으로, 반사체(300)는 반사면(300S)이 배출관(100)의 중심축으로부터 음파 발산면(220S)에 대향되는 방향에 위치하도록 설치된다. 반사면(300S)은 평면으로 형성되며, 음파 발산면(220S)과 평행하게 설치된다. Referring to Figure 1, the discharge pipe 100 is provided with a reflector 300. The reflector 300 may be fixedly installed under the circumferential surface of the discharge pipe 100. The reflector 300 has a reflecting surface 300S for reflecting sound waves. The reflecting surface 300S is for reflecting the sound waves emitted from the sound wave emitting surface 220S to the sound wave emitting surface 220S, and the reflector 300 has the reflecting surface 300S emitting sound waves from the central axis of the discharge pipe 100. It is installed to be located in the direction opposite to the surface 220S. The reflective surface 300S is formed in a plane and is installed in parallel with the sound wave emitting surface 220S.

도1을 참조하면 배출관(100)에는 레이저 입자 측정기(600)가 설치된다. 레이저 입자 측정기(600)는 레이저 발신부(610)과 레이저 수신부(620)를 포함한다. 레이저 입자 측정기(600)는 통상의 것일 수 있다.Referring to Figure 1, the discharge pipe 100 is provided with a laser particle meter 600. The laser particle meter 600 includes a laser transmitter 610 and a laser receiver 620. The laser particle meter 600 may be a conventional one.

실시예1의 경우 펌프(500)의 작동에 의하여 배출관(100)관의 압력은 1 Torr, 배출관(100)의 직경은 4 cm로 하였고, 트랜스듀서(210), 음파 발산부(220) 및 반사체(300)의 설치가 용이하도록 배출관(100)의 설치 부분을 평탄하게 만들었다. 또한, 음파 발산면(220S)과 반사면(300S) 사이의 거리를 d라 할때, 음파 발산부(220)는 반사체(300)의 반사면(300S)을 향하여 파장 λ는 λ=2d이고, 진동수 f는 5 kHz인 횡파를 발산하도록 하였다. In the case of Example 1, the pressure of the discharge pipe 100 by the operation of the pump 500 was 1 Torr, the diameter of the discharge pipe 100 was 4 cm, the transducer 210, the sound wave diverter 220 and the reflector The installation portion of the discharge pipe 100 was made flat to facilitate the installation of the 300. Further, when the distance between the sound wave emitting surface 220S and the reflecting surface 300S is d, the sound wave emitting portion 220 is toward the reflecting surface 300S of the reflector 300, and the wavelength λ is λ = 2d, The frequency f is intended to emit a shear wave of 5 kHz.

음파에 따른 오염입자의 집속 여부는 filter (Hovoglasⓡ사)를 이용해 확인되었다. 실시예1에 따른 음파를 이용한 오염입자 집속장치를 사용하지 않을 때에는 배출관(100)의 횡단면상의 모든 영역으로 오염입자가 지나감을 알 수 있었지만 실시예1에 따른 음파를 이용한 오염입자 집속장치를 사용했을 경우 대부분의 입자가 배출관(100)의 중앙으로 지나가는 것을 확인하였다. 따라서 실시예1에 의하여 오염 입자를 집속시킴으로써 레이저 입자 측정기(600)의 효율을 극대화할 수 있다.Concentration of contaminated particles by sound waves was confirmed using a filter (Hovoglas ⓡ ). When the contaminant particle concentrator using sound waves according to Example 1 was not used, it was found that contaminant particles passed to all regions on the cross section of the discharge pipe 100, but the contaminant particle concentrator using sound waves according to Example 1 was used. In this case, it was confirmed that most of the particles passed through the center of the discharge pipe 100. Therefore, by concentrating the contaminated particles according to the first embodiment it is possible to maximize the efficiency of the laser particle measuring device 600.

도2는 실시예1의 음파 발산면(220S) 및 반사면(300S)의 또 다른 형상을 나타낸다.2 shows still another shape of the sound wave diverging surface 220S and the reflecting surface 300S of the first embodiment.

도2를 참조하면 실시예1의 음파 발산면(220S) 및 반사면(300S)은 평면에 제한되지 않는다.2, the sound wave diverging surface 220S and the reflecting surface 300S of the first embodiment are not limited to the plane.

도2를 참조하면 음파 발산면(220S) 및 반사면(300S)의 횡단면 형상은 원형으로 형성되어 있다. 즉, 실시예1의 경우 음파 발산면(220S) 및 반사면(300S)은 배출관(100)의 모양이나 종류에 적합하도록 원형, 사각, 삼각형 등의 형상으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the cross-sectional shapes of the sound wave diverging surface 220S and the reflecting surface 300S are formed in a circular shape. That is, in the first embodiment, the sound wave emitting surface 220S and the reflecting surface 300S may be formed in a shape of a circle, a square, a triangle, or the like so as to suit the shape or type of the discharge pipe 100.

실시예2Example 2

실시예2는 본 발명에 따른 음파를 이용한 또 다른 오염입자 집속장치에 관한 것이다.Example 2 relates to another contaminating particle focusing apparatus using sound waves according to the present invention.

도3은 실시예2의 개략도이다.3 is a schematic diagram of Embodiment 2;

도3을 참조하면 음파 발산부(220)는 전면 정압층(221)을 포함한다. 전면 정압층(221)은 음파 발산부(220)의 단부에 형성된다. 따라서, 실시예2의 경우 음파 발산면(220S)은 전면 정압층(221)의 노출면이다.Referring to FIG. 3, the sound wave diverging unit 220 includes a front static pressure layer 221. The front static pressure layer 221 is formed at the end of the sound wave diverging unit 220. Therefore, in the second embodiment, the sound wave emitting surface 220S is an exposed surface of the front static pressure layer 221.

대부분의 반도체 디스플레이 공정은 진공공정으로 되어 있다. 음파는 진공도에 따라 그 전달효율이 차이가 난다. 따라서, 실시예2와 같이 음파 발산부(220)의 단부에 전면 정압층(221)을 형성함으로써 음파의 전달효율을 극대화시킬 수 있다.Most semiconductor display processes are vacuum processes. Sound waves have different transmission efficiency depending on the degree of vacuum. Thus, by forming the front static pressure layer 221 at the end of the sound wave diverging unit 220 as in the second embodiment, it is possible to maximize the transmission efficiency of sound waves.

도3을 참조하면 실시예2의 경우 전면 정압층(301)은 반사체(300)의 단부에도 형성될 수 있다. 이 경우 반사면(300S)은 전면 정압층(301)의 노출면이다.Referring to FIG. 3, in the second embodiment, the front positive pressure layer 301 may also be formed at an end portion of the reflector 300. In this case, the reflective surface 300S is the exposed surface of the front positive pressure layer 301.

기타의 사항은 실시예1에 준한다.Other matters are the same as in Example 1.

실시예3Example 3

실시예3은 본 발명에 따른 음파를 이용한 또 다른 오염입자 집속장치에 관한 것이다.Example 3 relates to another contaminating particle focusing apparatus using sound waves according to the present invention.

도4는 실시예3의 개략도이다.4 is a schematic view of a third embodiment.

도4의 (a) 및 (b)를 참조하면 실시예3은 트랜스듀서(210), 음파 발산부(220) 및 횡방향 음파 전달체(230)를 포함한다. 실시예3은 실시예1 및 실시예2와는 달리 트랜스듀서(210)가 파우워(power) 및 주파수를 조절할 수 있는 가변 트랜스듀서이다.Referring to FIGS. 4A and 4B, Embodiment 3 includes a transducer 210, a sound wave diverter 220, and a lateral sound wave carrier 230. Unlike Embodiments 1 and 2, Embodiment 3 is a variable transducer in which the transducer 210 can adjust power and frequency.

도4의 (a) 및 (b)를 참조하면 트랜스듀서(210)에는 배출관(100)의 특정 횡단면 방향으로 길이 조절 가능한 일자형의 횡방향 음파 전달체(230)가 연결된다. 횡방향 음파 전달체(230)는 봉 형상 또는 판 형상일 수 있다.Referring to Figures 4 (a) and (b) the transducer 210 is connected to the linear transverse sound wave transmitter 230 of the length adjustable in a specific cross-sectional direction of the discharge pipe (100). The transverse sound wave carrier 230 may have a rod shape or a plate shape.

도4의 (a) 및 (b)를 참조하면 횡방향 음파 전달체(230)의 단부에는 음파 발산부(220)가 연결된다. 음파 발산부(220)는 음파 발산면(220S)이 배출관(100)의 길이방향을 향하도록 횡방향 음파 전달체(230)에 연결된다. 한편, 음파 발산부(220)는 음파 발산면(220S)의 넓이 조절이 가능하도록 형성될 수 있다. 음파 발산면(220S)의 넓이는 배출관(100)의 길이방향 및 배출관(100)의 횡방향을 따라 조절 이 가능할 수 있다.Referring to FIGS. 4A and 4B, the sound wave diverging unit 220 is connected to an end portion of the lateral sound wave carrier 230. The sound wave diverging unit 220 is connected to the lateral sound wave carrier 230 so that the sound wave diverging surface 220S faces the longitudinal direction of the discharge pipe 100. On the other hand, the sound wave diverging unit 220 may be formed to enable the width adjustment of the sound wave diverging surface (220S). The width of the sound wave emitting surface 220S may be adjustable along the longitudinal direction of the discharge pipe 100 and the transverse direction of the discharge pipe 100.

실시예3은 길이조절이 가능한 횡방향 음파 전달체(230) 및 넓이 조절이 가능한 음파 발산면(220S)을 구비함으로써 음파 전달 효율 조절하여 효용성을 극대화하고, 오염입자를 실시간으로 집속할 수 있다. 또한, 파우워(power) 및 주파수를 조절할 수 있는 가변 트랜스듀서를 구비함으로써 오염입자의 집속 상태를 실시간으로 최적화할 수 있다.Embodiment 3 is provided with a transverse sound wave transmitter 230 and a width adjustable sound wave diverging surface 220S adjustable length to maximize the efficiency by adjusting the sound wave transmission efficiency, it is possible to focus the contaminant particles in real time. In addition, by providing a variable transducer that can adjust the power (power) and frequency it is possible to optimize the condensation state of the contaminated particles in real time.

실시예4Example 4

실시예4는 본 발명에 따른 음파를 이용한 또 다른 오염입자 집속장치에 관한 것이다.Example 4 relates to another contaminating particle focusing apparatus using sound waves according to the present invention.

도5는 실시예4의 개략도이다.5 is a schematic view of a fourth embodiment.

도5를 참조하면 트랜스듀서(210)는 배출관(100)의 길이방향을 따라 병렬로 다수개 설치된다.Referring to FIG. 5, a plurality of transducers 210 are installed in parallel along the longitudinal direction of the discharge pipe 100.

도5를 참조하면 반사체(300)는 트랜스듀서(210)에 대응하여 배출관(100)의 길이방향을 따라 병렬로 다수개 설치된다. 즉, 각각의 반사체(300)는 각각의 트랜스듀서(210)와 마주보도록 설치된다.Referring to FIG. 5, a plurality of reflectors 300 are installed in parallel along the longitudinal direction of the discharge pipe 100 in response to the transducer 210. That is, each reflector 300 is installed to face each transducer 210.

실시예4는 트랜스듀서(210) 및 반사체(300)가 배출관(100)의 길이방향으로 따라 순차적으로 다수개 설치됨으로써 오염입자의 집속상태가 향상되는 장점이 있다. 실시예4의 트랜스듀서(210) 및 반사체(300)는 배출관(100)이 구부러진 곳이나 오염입자의 거동이 왜곡될 수 있는 부분에 설치할 경우 더 큰 효용성을 발휘할 수 있다.Embodiment 4 has the advantage that the transducer 210 and the reflector 300 are installed in plurality in the longitudinal direction of the discharge pipe 100 in order to improve the concentration of contaminated particles. Transducer 210 and the reflector 300 of the fourth embodiment can exhibit greater utility when installed in the place where the discharge pipe 100 is bent or where the behavior of contaminated particles can be distorted.

실시예5Example 5

실시예5는 실시예1 내지 실시예4의 집속장치를 이용한 오염입자의 집속방법에 관한 것이다.Example 5 relates to a method of focusing polluted particles using the focusing apparatus of Examples 1 to 4.

도6은 실시예5의 설명도를 나타낸다.6 shows an explanatory view of the fifth embodiment.

도6을 참조하면 트랜스듀서(210)로부터 반사체(300)를 향하여 횡파인 음파를 발산시킨다.Referring to FIG. 6, sound waves which are transverse waves are emitted from the transducer 210 toward the reflector 300.

음파 발산부(220S)의 음파 발산면(220S)과 반사체(300)의 반사면(300S) 사이의 거리를 d라 할때, 음파의 파장 λ는 (1/2)nλ=d가 되도록 한다. 여기서, n은 자연수이다. 도6의 경우 (1/2)×λ=d인 경우가 도시되어 있다.When the distance between the sound wave diverging surface 220S of the sound wave diverging unit 220S and the reflecting surface 300S of the reflector 300 is d, the wavelength λ of the sound wave is (1/2) nλ = d. Where n is a natural number. In the case of Fig. 6, the case where (1/2) x lambda = d is shown.

도6을 참조하면 실시예5는 음파 주파수 및 파워를 조절하여 원하는 오염입자군이 배출관(100)의 횡단면 특정부위를 통과하게 하고, 그 부분에 레이저 입자 측정기(600)의 레이저를 조사하거나 샘플링 포트를 설치하여 서로 다른 크기의 오염입자 군을 동시에 모니터링할 수 있게 된다.Referring to FIG. 6, the fifth embodiment adjusts a sound wave frequency and power so that a desired group of contaminants passes through a specific cross section of the discharge pipe 100, and irradiates a laser beam or sampling port of the laser particle measuring device 600 to the portion. It is possible to monitor contaminant populations of different sizes at the same time.

즉, 실시예5는 실시예1 내지 실시예4의 장치를 이용하여 초파 주파수 및 파워를 조절함으로써 오염입자를 크기별로 분리 집속할 수 있다.That is, in Example 5, contaminant particles may be focused by size by adjusting the microwave frequency and power using the apparatus of Examples 1 to 4.

도1은 실시예1의 개략도.1 is a schematic view of Embodiment 1. FIG.

도2는 실시예1의 음파 발산면 및 반사면의 또 다른 형태도.Fig. 2 is another embodiment of the sound wave diverging surface and reflecting surface of Embodiment 1;

도3은 실시예2의 개략도.3 is a schematic view of a second embodiment;

도4는 실시예3의 개략도.4 is a schematic view of a third embodiment;

도5는 실시예4의 개략도.5 is a schematic view of a fourth embodiment.

도6은 실시예5의 설명도.6 is an explanatory diagram of a fifth embodiment;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100:배출관 210:트랜스듀서100: discharge pipe 210: transducer

220:음파 발산부 220S:음파 발산면220: sound wave diverging unit 220S: sound wave diverging surface

300:반사체 400:공정챔버300: reflector 400: process chamber

500:펌프 600:레이저 입자 측정기500: pump 600: laser particle measuring instrument

Claims (7)

삭제delete 오염입자가 유입되는 유입(110)구 및 오염입자가 유출되는 유출구(120)가 형성된 배출관(100);A discharge pipe 100 having an inlet 110 for introducing contaminated particles and an outlet 120 for outflowing contaminated particles; 음파를 발생시키는 트랜스듀서(210);A transducer 210 for generating sound waves; 상기 트랜스듀서(210)에 연결되고, 오염입자가 통과하는 상기 배출관(100)의 특정 횡단면상에 음파를 발산하는 음파 발산면(220S)이 상기 배출관(100)의 중심축으로부터 상기 배출관(100)의 횡방향으로 이격되도록 설치되는 음파 발산부(220);A sound wave emitting surface 220S connected to the transducer 210 and emitting sound waves on a specific cross section of the discharge pipe 100 through which contaminants pass is discharged from the central axis of the discharge pipe 100. Sound wave diverter 220 is installed so as to be spaced apart in the lateral direction of the; 상기 음파 발산면(220S)으로부터 발산된 음파를 상기 음파 발산면(220S)으로 반사시키기 위하여, 반사면(300S)이 상기 배출관(100)의 중심축으로부터 상기 음파 발산면(220S)에 대향되는 방향에 위치하도록 설치되는 반사체(300);를 포함하여 구성되고, In order to reflect the sound waves emitted from the sound wave diverging surface 220S to the sound wave diverging surface 220S, the reflection surface 300S is a direction facing the sound wave diverging surface 220S from the central axis of the discharge pipe 100. It is configured to include; reflector 300 is installed to be located in 상기 음파 발산부(220)는 전면 정압층(221)을 갖는 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속장치.The sound wave diverter 220 has a front static pressure layer 221, concentrating particle concentrator using sound waves. 오염입자가 유입되는 유입(110)구 및 오염입자가 유출되는 유출구(120)가 형성된 배출관(100);A discharge pipe 100 having an inlet 110 for introducing contaminated particles and an outlet 120 for outflowing contaminated particles; 음파를 발생시키는 트랜스듀서(210);A transducer 210 for generating sound waves; 상기 트랜스듀서(210)에 연결되고, 오염입자가 통과하는 상기 배출관(100)의 특정 횡단면상에 음파를 발산하는 음파 발산면(220S)이 상기 배출관(100)의 중심축으로부터 상기 배출관(100)의 횡방향으로 이격되도록 설치되는 음파 발산부(220);A sound wave emitting surface 220S connected to the transducer 210 and emitting sound waves on a specific cross section of the discharge pipe 100 through which contaminants pass is discharged from the central axis of the discharge pipe 100. Sound wave diverter 220 is installed so as to be spaced apart in the lateral direction of the; 상기 음파 발산면(220S)으로부터 발산된 음파를 상기 음파 발산면(220S)으로 반사시키기 위하여, 반사면(300S)이 상기 배출관(100)의 중심축으로부터 상기 음파 발산면(220S)에 대향되는 방향에 위치하도록 설치되는 반사체(300);를 포함하여 구성되며,In order to reflect the sound waves emitted from the sound wave diverging surface 220S to the sound wave diverging surface 220S, the reflection surface 300S is a direction facing the sound wave diverging surface 220S from the central axis of the discharge pipe 100. It is configured to include; reflector 300 is installed to be located in 상기 트랜스듀서(210)는 파우워(power) 및 주파수를 조절할 수 있는 가변 트랜스듀서이고,The transducer 210 is a variable transducer that can adjust the power (power) and frequency, 상기 가변 트랜스듀서에는 상기 배출관(100)의 특정 횡단면 방향으로 길이 조절 가능한 일자형의 횡방향 음파 전달체(230)가 연결되고,The variable transducer is connected to a linear transverse sound wave transmitter 230 of the length adjustable in a specific cross-sectional direction of the discharge pipe 100, 상기 횡방향 음파 전달체(230)에는 상기 음파 발산면(220S)이 형성되는 음파 발산부(220)가 수직하게 연결되는 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속장치.The transmissive sound wave concentrator using a sound wave, characterized in that the sound wave diverging unit 220 is vertically connected to the sound wave dispersing surface (220S). 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 음파 발산부(220)는 상기 음파 발산면(220S)의 넓이 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속장치.The sound wave diverging unit 220 is contaminated particles concentrator using sound waves, characterized in that the width of the sound wave diverging surface 220S can be adjusted. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 트랜스듀서(210)는 상기 배출관(100)의 길이방향을 따라 병렬로 다수개 설치되고,The transducers 210 are installed in plural in parallel along the longitudinal direction of the discharge pipe 100, 상기 반사체(300)는 상기 트랜스듀서(210)에 대응하여 상기 배출관(100)의 길이방향을 따라 병렬로 다수개 설치되는 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속장치.The reflector (300) in accordance with the transducer 210 is contaminated particle concentrating device using a sound wave, characterized in that a plurality are installed in parallel along the longitudinal direction of the discharge pipe (100). 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 음파 발산면(220S) 및 반사면(300S)은 상호 평행하게 설치되는 평면 형상인 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속장치.The sound wave diverging surface 220S and the reflecting surface (300S) is contaminated particle concentrator using sound waves, characterized in that the planar shape is installed in parallel with each other. 제 6항의 오염입자 집속장치를 이용한 오염입자 집속방법으로서,A method of focusing polluted particles using the polluted particle focusing apparatus of claim 6, 상기 음파 발산부(220)의 음파 발산면(220S)과 상기 반사체(300)의 반사면(300S) 사이의 거리를 d라 할때 상기 음파 발산부(220)는 상기 반사체(300)를 향하여 파장 λ는 (1/2)nλ=d인 횡파를 발산하는 것을 특징으로 하는 음파를 이용한 오염입자 집속방법.When the distance between the sound wave diverging surface 220S of the sound wave diverging unit 220 and the reflecting surface 300S of the reflector 300 is d, the sound wave diverging unit 220 has a wavelength toward the reflector 300. [lambda] is a method of concentrating polluted particles using sound waves, characterized by radiating a shear wave having (1/2) nλ = d. 여기서, n은 자연수이다.Where n is a natural number.
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