KR101034142B1 - Light emitting device and method for fabricating thereof - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that converts electrical energy into light. Light emitting diodes have the advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Accordingly, many researches are being conducted to replace existing light sources with light emitting diodes, and the use of light emitting diodes is increasing as a light source for lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having improved reliability.
실시예에 따른 발광 소자는 상부가 개방되도록 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 몸체의 바닥을 관통하며, 말단은 상기 몸체의 외측에 노출되는 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 위에 형성되며, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 전기적으로 연결되는 발광칩을 포함하며, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 상측의 너비가 하측의 너비보다 큰 영역을 적어도 일부 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a body including a cavity so that the top is opened; A first electrode and a second electrode penetrating a bottom of the body and having end portions exposed to the outside of the body; And a light emitting chip formed on any one of the first electrode and the second electrode, the light emitting chip being electrically connected to the first electrode and the second electrode, wherein the first electrode and the second electrode have a lower width at an upper side thereof. At least part of the area is larger than its width.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a new structure.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having improved reliability.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device and a method of manufacturing the same according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자(1)를 상측에서 바라본 사시도이고, 도 2는 상기 발광 소자(1)를 하측에서 바라본 사시도이고, 도 3은 상기 발광 소자(1)의 상면도이고, 도 4는 상기 발광 소자(1)의 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of the
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(1)는 적어도 일 측면에 러프니스(25)가 형성된 몸체(20)와, 상기 몸체(20)에 설치된 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 중 어느 하나 위에 설치되며, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되어 빛을 방출하는 발광칩(10)과, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 사이로 돌출되는 보호 캡(cap)(27)을 포함할 수 있다.1 to 4, the
상기 몸체(20)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The
상기 몸체(20)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(20)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 상기 몸체(20)가 상기 제1,2 전극(31,32)과 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지할 수 있다.When the
상기 몸체(20)의 상면의 형상은 상기 발광 소자(1)의 용도 및 설계에 따라 사각형, 다각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도시된 것과 같은 직사각형 형상의 발광 소자(1)는 엣지(edge) 타입의 백라이트 유닛(BLU : Backlight Unit)에 사용될 수 있다.The shape of the upper surface of the
상기 몸체(20)에는 상부가 개방되도록 캐비티(cavity)(15)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(15)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(15)의 내측면은 바닥에 대해 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. A
상기 캐비티(15)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있다. 또는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 캐비티(15)를 위에서 바라본 형상은 사각형의 모서리가 곡선인 형상일 수도 있다.The shape of the
상기 몸체(20)의 적어도 일 측면에는 상기 러프니스(roughness : 거칠기)(25)가 형성될 수 있다. 상기 러프니스(25)는 실시예에 따른 발광 소자(1) 제조 공정, 구체적으로는 복수의 발광 소자를 개별 소자 단위로 분리하는 커팅(cutting) 공정에 의해 형성되는 것으로, 이에 대해서는 자세히 후술한다. The
또한, 상기 몸체(20)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)(22)가 형성될 수 있다. 상기 캐쏘드 마크(22)는 상기 발광 소자(1)의 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)을 구분하여, 상기 제1,2 전극(31,32)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.In addition, a
상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 상기 몸체(20)에 설치된다. 상기 제1 전극(31) 및 상기 제2 전극(32)은 상기 발광 칩(20)에 전기적으로 연결되어, 상기 발광칩(20)에 전원을 공급할 수 있다.The
상기 제1,2 전극(31,32)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1,2 전극(31,32)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and
상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 상기 몸체(20)의 바닥을 관통하도록 형성되어 상기 발광 소자(1)의 바닥을 이루며, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 말단은 상기 몸체(20)의 외측에 노출될 수 있다. The
상기 제1 전극(31) 및 상기 제2 전극(32)이 상기 몸체(20)를 관통하도록 형성되므로, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 중 어느 하나에 탑재되는 상기 발광칩(10)으로부터 발생하는 열이 상기 제1,2 전극(31,32)을 통해 효율적으로 방출될 수 있다. Since the
또한, 상기 몸체(20)의 외측으로 돌출되도록 노출된 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 말단에는 솔더링(Soldering) 등이 실시되어, 상기 발광 소자(1)를 기판 등의 외부 설치 부재에 용이하게 실장할 수 있다.In addition, soldering or the like is performed at ends of the
이하, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)에 대해 더 상세히 설명한다.Hereinafter, the
도 5는 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)을 상측에서 바라본 사시도이고, 도 6은 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)을 하측에서 바라본 사시도이다.5 is a perspective view of the
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 몸체(20)의 외측으로 노출되는 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 말단은 각각 복수의 서브전극(31a,31b,32a,32b)으로 분 기될 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이 상기 제1 전극(31)의 말단은 두 개의 제1 서브전극(31a,31b)으로 분기되고, 상기 제2 전극(32)의 말단은 두 개의 제2 서브 전극(32a,32b)으로 분기될 수 있다. 5 and 6, ends of the
또한, 상기 두 개의 제1 서브전극(31a,31b)의 사이(35a) 및 상기 두 개의 제2 서브 전극(32a,32b)의 사이(35b)의 측면의 상측과 하측은 단차지도록 형성될 수 있으며, 상기 하측은 곡면을 가지도록 형성될 수 있다.In addition, an upper side and a lower side of the
또한, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 적어도 일 측면의 상측에는 돌출부(33a,33b,33c)가 형성될 수 있다. 상기 돌출부(33a,33b,33c)는 상기 제1,2 전극(31,32)의 하측과 단차를 이루므로, 상기 돌출부(33a,33b,33c)에 의해 상기 제1,2 전극(31,32)의 상측의 너비가 하측의 너비보다 큰 영역이 형성될 수 있으며, 이러한 영역의 단면은 예를 들어, T자형 단면을 가질 수 있다.In addition,
또한, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)이 서로 마주보는 측면(34a,34b)에도 경사 또는 단차가 형성될 수 있다.In addition, an inclination or a step may be formed on
상술한 것과 같은 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 구조에 의해, 상기 몸체(20)와 상기 제1,2 전극(31,32)이 견고히 결합될 수 있으며, 상기 제1,2 전극(31,32)이 상기 몸체(20)로부터 이탈되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 상기 구조에 의해 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 표면적이 증가하므로 상기 발광 소자(1)의 열 방출 효율이 향상되는 효과도 있다.By the structure of the
상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 두께는 영역에 따라 상이하지만, 상기 제1,2 전극(31,32)이 상기 발광 소자(1)의 바닥을 구성한다는 점에서 충분한 두께 를 확보하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)의 두께는 예를 들어 0.1mm 내지 0.5mm 의 범위를 가질 수 있다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness of the
도 1 내지 도 4를 다시 참조하면, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 사이로 돌출되도록 상기 보호 캡(27)이 형성될 수 있다. 상기 보호 캡(27)은 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 상기 몸체(20) 사이의 틈을 덮어 수분이나 공기 등이 침투하는 것을 방지하고, 장기적으로는 상기 틈이 벌어지는 것을 방지함으로써 상기 발광 소자(10)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Referring back to FIGS. 1 to 4, the
상기 보호 캡(27)은 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 사이로 상기 몸체(20)가 돌출되도록 형성된 구조를 가리킨다. 따라서, 상기 보호 캡(27)은 상기 발광 소자(1)의 제조 공정에서 상기 몸체(20)와 일체로 형성될 수 있으며, 상기 몸체(20)와 같은 재질로 형성될 수 있다. The
다만, 상기 보호 캡(27)은 상기 몸체(20)와 별도로 형성될 수도 있으며, 이 경우 상기 보호 캡(27)의 재질은 상기 몸체(20)의 재질과 상이할 수도 있다. However, the
상기 보호 캡(27)은 상기 제1,2 전극(31,32)과 상기 몸체(20) 사이의 틈을 효과적으로 덮기 위해, 상기 제1,2 전극(31,32) 사이로 돌출되어 상기 제1,2 전극(31,32)의 상면의 적어도 일부 및 측면을 감싸도록 형성될 수 있다. The
예를 들어, 도 4에 도시된 것처럼, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)이 제1 거리(c) 이격된 경우, 상기 보호 캡(27)의 너비(a)는 상기 제1 거리(c)보다 0.02 내지 0.5 mm 커서 상기 제1,2 전극(31,32)의 상면의 일부 및 측면을 감쌀 수 있으 나, 이에 대해 한정하지는 않는다.For example, as shown in FIG. 4, when the
또한, 상기 보호 캡(27)의 두께(b)는 예를 들어 0.01 내지 0.1mm로 형성될 수 있으나, 이러한 두께(b)는 상기 발광 소자(1)를 상기 보호 캡(27)의 신뢰성 및 가공성을 확보하기 위해 적절하게 변형될 수 있다.In addition, the thickness (b) of the
상기 발광칩(10)은 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 상기 제1,2 전극(31,32)에 전기적으로 연결되어 전원을 공급받음으로써 빛을 생성할 수 있다. 상기 발광칩(10)은 상기 제1,2 전극(31,32) 중 어느 하나 위에 설치되므로, 상기 발광칩(10)에서 생성되는 열은 상기 제1,2 전극(31,32)으로 효과적으로 전달되어 외부로 방출될 수 있다.The
상기 발광칩(10)은 예를 들어, 적어도 하나의 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)를 포함할 수 있으며, 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광칩(10)은 도시된 것과 같이 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 상기 제1,2 전극(31,32)과 전기적으로 연결되거나, 플립 칩(flip chip), 다이 본딩(die bonding) 방식 등으로 상기 제1,2 전극(31,32)과 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 몸체(20)의 캐비티(15) 내에는 상기 발광칩(10)을 밀봉하여 보호하도록 도 4와 같이 봉지재(40)가 형성될 수 있으며, 상기 봉지재(40)는 형광체를 포함할 수 있다. An
상기 봉지재(40)는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 봉지재(40)는 상기 캐비티(15) 내에 상기 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 형광체는 상기 봉지재(40) 내에 첨가될 수 있으며, 상기 발광칩(10)에서 방출되는 제1빛에 의해 여기되어 제2빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광칩(10)이 청색 발광 다이오드이고 상기 형광체가 황색 형광체인 경우, 상기 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 상기 청색 빛 및 황색 빛이 혼색됨에 따라 상기 발광 소자(1)는 백색 빛을 제공할 수 있다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.The phosphor may be added to the
한편, 상기 봉지재(40) 상에는 렌즈(미도시)가 더 형성되어, 상기 발광 소자(1)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(1)의 상기 몸체(20)에는 내전압 향상을 위해 제너 다이오드(zener diode) 등이 더 설치될 수도 있다.On the other hand, a lens (not shown) is further formed on the
이하, 실시예에 따른 발광 소자(1)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the
도 7 내지 도 10은 실시예에 따른 발광 소자(1)의 제조방법을 설명하는 도면이고, 도 11은 실시예에 따른 발광 소자(1)의 제조방법을 설명하는 흐름도이다.7 to 10 are views illustrating a method of manufacturing the
첫번째로, 도 7을 참조하면, 복수의 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)이 형성된 전극프레임(30)이 준비된다(도 11의 S101). First, referring to FIG. 7, an
상기 전극프레임(30)을 형성함으로써, 복수의 발광 소자(1)를 동시에 제조할 수 있다. 상기 전극프레임(30)은 예를 들어, 포토리소그래피(photolithography) 공정, 도금 공정, 증착 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.By forming the
두번째로, 도 8을 참조하면, 준비된 상기 전극프레임(30)을 복수의 상기 몸체(20)의 형상을 본뜬 틀에 배치하고, 상기 틀에 형성된 주입홀을 통해 상기 몸체(20)를 형성하는 재질을 주입함으로써 복수의 상기 몸체(20)를 형성할 수 있다(도 11의 S102). Secondly, referring to FIG. 8, the
도 9는 상기 몸체(20)를 형성하는 과정을 나타내는 도면인데, 도 9를 참조하여 상기 몸체(20)의 제조방법에 대해 더 상세히 설명한다.9 is a view showing a process of forming the
먼저, 도 9의 (a)를 참조하면, 상기 전극프레임(30)을 상기 틀(100,200)에 배치한다. 상기 틀(100,200)은 상기 몸체(20)의 아랫 부분의 형상에 대응하는 제1틀(200)과 상기 몸체(20)의 윗 부분의 형상에 대응하는 제2틀(100)을 포함할 수 있다. First, referring to FIG. 9A, the
상기 제1틀(200) 및 제2틀(100) 중 적어도 하나는 상기 몸체(20)를 형성하는 재질을 주입할 수 있는 주입홀(110)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 주입홀(110)은 상기 복수의 몸체(20)의 형상들 사이에 형성될 수 있다.At least one of the
예를 들어, 도시된 것처럼 상기 주입홀(110)은 적어도 두 개의 몸체의 형상 사이마다 형성될 수 있는데, 이러한 상기 주입홀(110)의 위치는 적어도 두 개의 몸체(20)를 동시에 일체로 형성할 수 있게 해준다.For example, as shown, the
다음으로, 도 9의 (b)를 참조하면, 상기 주입홀(110)을 통해 상기 몸체(20) 를 형성하는 재질을 주입할 수 있다. 상기 몸체(20)를 형성하는 재질은 예를 들어, PPA와 같은 수지 재질일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Next, referring to FIG. 9B, a material forming the
다음으로, 도 9의 (c)를 참조하면, 주입된 상기 몸체(20)를 형성하는 재질을 경화시킨 후, 상기 제1틀(200) 및 제2틀(100)을 분리함으로써 상기 복수의 몸체(20)를 제공할 수 있다.Next, referring to FIG. 9C, after curing the material forming the injected
이때, 도 8 및 도 9의 (c)에 도시된 것처럼, 동시에 일체로 형성된 상기 적어도 두개의 몸체(20) 사이에는 연결부(28)가 형성될 수 있으며, 상기 연결부(28)의 중앙 부분에는 상기 주입홀(110)에 의한 흔적(29)이 형성될 수 있다.In this case, as shown in (c) of FIG. 8 and 9, a
상술한 것처럼, 실시예에 따른 발광 소자(1) 제조방법에서는 하나의 주입홀(110)에 의해 적어도 두 개의 몸체(20)를 동시에 형성하므로, 제조 공정의 효율성이 향상될 수 있다.As described above, in the method of manufacturing the
세번째로, 도 8 및 도 10을 참조하면, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 중 어느 하나 위에 상기 발광칩(10)을 설치하고(도 11의 S103), 상기 발광칩(10)을 상기 제1,2 전극(31,32)에 예를 들어, 와이어 본딩에 의해 전기적으로 연결할 수 있다(도 11의 S104).Third, referring to FIGS. 8 and 10, the
네번째로, 상기 몸체(20)의 캐비티(15) 내에 상기 발광칩(10)이 밀봉되어 보호되도록 상기 봉지재를 형성할 수 있다(도 11의 S105).Fourth, the encapsulant may be formed to seal and protect the
다섯번째로, 상기 복수의 발광 소자(1)를 커팅(cutting) 공정에 의해 개별 소자 단위로 분리할 수 있다(도 11의 S106).Fifth, the plurality of light emitting
즉, 상기 커팅 공정에 의해, 앞서 실시된 공정에서 적어도 두 개씩 일체로 형성된 발광 소자들이 개별 소자 단위로 분리될 수 있다. That is, by the cutting process, at least two light emitting devices integrally formed in the above process may be separated into individual device units.
구체적으로는, 상기 커팅 공정은 상기 전극프레임(30)으로부터 상기 제1,2 전극(31,32)을 절단하여 분리하는 공정과, 일체로 형성된 적어도 두 개의 몸체(20)들 사이를 절단하여 분리하는 공정을 포함할 수 있다.Specifically, the cutting process is a process of cutting and separating the first and
특히, 일체로 형성된 적어도 두 개의 몸체(20)들을 분리하는 공정에서, 도 10에 도시된 것처럼, 상기 몸체(20)의 적어도 일 측면에는 상기 러프니스(25)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 러프니스(25)는 상기 커팅 공정을 실시하여 상기 연결부(128)를 제거함에 따라 형성되는 거친 면을 가리킨다.In particular, in the process of separating the at least two
상기 커팅 공정은 예를 들어, 커터(cutter) 등에 의해 물리적인 힘을 가함으로써 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The cutting process may be performed by, for example, applying a physical force by using a cutter or the like, but is not limited thereto.
한편, 상술한 상기 발광 소자(1)의 제조 공정은 순서가 뒤바뀌어 실시될 수 있으며, 그 순서에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 커팅 공정을 먼저 실시한 후, 발광칩을 설치하는 공정이 실시될 수도 있는 것이다.On the other hand, the above-described manufacturing process of the
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 상측에서 바라본 사시도1 is a perspective view from above of a light emitting device according to an embodiment;
도 2는 도 1의 발광 소자를 하측에서 바라본 사시도FIG. 2 is a perspective view of the light emitting device of FIG. 1 viewed from below. FIG.
도 3은 도 1의 발광 소자의 상면도3 is a top view of the light emitting device of FIG. 1;
도 4는 도 1의 발광 소자의 단면도4 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG.
도 5는 실시예에 따른 발광 소자의 제1 전극 및 제2 전극을 상측에서 바라본 사시도5 is a perspective view from above of a first electrode and a second electrode of a light emitting device according to an embodiment;
도 6은 도 5의 제1 전극 및 제2 전극을 하측에서 바라본 사시도FIG. 6 is a perspective view of the first electrode and the second electrode of FIG. 5 as viewed from below.
도 7 내지 도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면7 to 10 illustrate a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 흐름도11 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020090118086A KR101034142B1 (en) | 2009-12-01 | 2009-12-01 | Light emitting device and method for fabricating thereof |
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