KR101031367B1 - 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치에 관한 것으로서, 특히 방전공간을 통과하는 가스의 체류시간을 증대시켜 양질의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치에 관한 것이다.
본 발명의 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치는, 접지되어 있고 하부가 개방된 하우징과; 상기 하우징의 내부에 상기 하우징의 측면과 이격되게 배치되어 방전공간을 형성하는 RF전극과; 상기 RF전극에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 하우징 내부에 배치되어 상기 RF전극을 상기 하우징에 이격된 상태로 고정시키는 절연체로 이루어지고, 상기 방전공간의 상부를 통해 공급된 가스는 상기 방전공간에서 방전되어 상기 방전공간의 하부를 통해 플라즈마 상태로 분사되되, 상기 하우징의 하부에는 상기 방전공간의 하부의 일부를 막아 와류를 발생시키는 와류발생판이 장착되어, 상기 방전공간에서 상기 가스의 체류시간을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
대기압 플라즈마, 와류, 가스, 방전공간,

Description

와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치 { ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA APPARATUS HAVING VORTEX GENERATOR }
본 발명은 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치에 관한 것으로서, 특히 방전공간을 통과하는 가스의 체류시간을 증대시켜 양질의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치에 관한 것이다.
도 5는 종래의 대기압 DBD장치의 구성도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 대기압 플라즈마 장치 중 DBD(Deolectric Barrier Discharge, 유전체 장벽 방전) 장치의 구조는, 중심부에 RF전극(2)이 배치되어 있고, 양측에 접지전극(1)이 상기 RF전극(2)과 이격된 상태로 배치되어 있다.
상기 RF전극(2)과 상기 접지전극(1)은 이격되어 그 사이에 방전공간(4)을 형성한다.
상기 RF전극(2)에는 전원공급부(3)가 연결되어 전원을 공급하고, 상기 접지전극(1)은 접지선과 연결되어 있다.
상기 RF전극(2)과 접지전극(1) 사이의 간격은 약 2~7mm이고, 상기 RF전극(2)과 접지전극(1)에는 수십 ㎛ ~ 수 mm의 유전체가 도포되어 있다.
이러한 종래의 대기압 DBD장치는, 상기 RF전극(2)과 접지전극(1) 사이로 Ar 등의 비활성 가스 및 O2 등의 공정가스를 유입시키면서 동시에 상기 RF전극(2)에 수 kHz ~ 수십 MHz의 교류 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시켰다.
이때 상기 RF전극(2)과 접지전극(1) 사이의 거리 및 상기 RF전극(2)과 접지전극(1) 사이의 가스 흐름에 의해 플라즈마 발생 전압 및 공정 플라즈마 안정화에 커다란 영향을 끼친다.
그러나, 이러한 종래의 대기압 DBD장치는 방전공간(4)의 상부에서 가스가 유입되고, 방전공간(4)에서 플라즈마가 생성된 후 하부로 플라즈마가 분사되는데, 상기 방전공간(4)의 상부를 통해 유입된 가스가 곧바로 하부로 배출되기 때문에, 가스가 상기 방전공간(4)에 머무르는 체류시간이 짧게 되어 양질의 플라즈마를 발생시키는데 한계가 있었다.
본 발명은 RF전극과 접지전극 사이에 형성된 방전공간에 유입되는 가스의 체류시간을 길게 하여 가스의 방전시간을 길게 함으로써, 방전공간의 하부를 통해 분사되는 플라즈마의 질을 향상시킬 수 있고, 플라즈마의 안정화를 향상시킬 수 있는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치는, 접지되어 있고 하부가 개방된 하우징과; 상기 하우징의 내부에 상기 하우징의 측면과 이격되게 배치되어 방전공간을 형성하는 RF전극과; 상기 RF전극에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 하우징 내부에 배치되어 상기 RF전극을 상기 하우징에 이격된 상태로 고정시키는 절연체로 이루어지고, 상기 방전공간의 상부를 통해 공급된 가스는 상기 방전공간에서 방전되어 상기 방전공간의 하부를 통해 플라즈마 상태로 분사되되, 상기 하우징의 하부에는 상기 방전공간의 하부의 일부를 막아 와류를 발생시키는 와류발생판이 장착되어, 상기 방전공간에서 상기 가스의 체류시간을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
상기 하우징의 상면에는 제1공급관이 상하방향으로 형성되어 있고, 상기 절연체에는 상기 제1공급관의 하부와 연통되는 분배부와, 상기 분배부의 하부를 상기 방전공간의 상부와 연통시키는 제2공급관이 형성되어 있되, 상기 와류발생판은 상기 방전공간을 사이에 두고 상기 제2공급관의 하부에 배치되어, 상기 제2공급관을 통해 배출된 가스가 상기 와류발생판에 부딪혀 와류를 발생시킨다.
상기 분배부는, 상기 절연체에 상방향으로 개방되고 하방향으로 오목하게 형성된 분배안착홈과; 상하관통된 다수개의 분배홀이 형성되어 상기 분배안착홈에 장착되는 분배판으로 이루어지되, 상기 분배홀은, 상기 제1공급관과 제2공급관을 연통시키고, 상기 제1공급관의 지름보다 작게 형성되어 상기 제1공급관을 통해 공급되는 가스를 균일하게 분배하여 상기 제2공급관으로 공급한다.
상기 제1공급관, 분배홀 및 제2공급관은 일직선을 이루지 않고 엇갈리게 배치되고, 상기 분배홀의 지름은 상기 제1공급관의 지름보다 작고, 상기 제2공급관의 지름보다 크다.
상기 분배판은, 제1분배홀이 형성된 제1분배판과; 제2분배홀이 형성되고, 상기 제1분배판의 하부에 이격된 상태로 배치되는 제2분배판으로 이루어지되, 상기 제1분배홀의 지름은 상기 제2분배홀의 지름보다 크고, 상기 제1분배홀과 제2분배홀은 엇갈리게 배치되어 있다.
상기 하우징과 상기 와류발생판은 수직을 이루고 있되, 상기 와류발생판은 상기 방전공간의 하부 외측에 배치되어 있어, 상기 RF전극에 인접한 상기 방전공간의 하부를 개방하고, 상기 하우징에 인접한 방전공간의 하부를 막고 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치에 따르면, RF전극과 접지전극 사이에 형성된 방전공간에 유입되는 가스의 체류시간을 길게 하여 가스의 방전시간을 길게 함으로써, 방전공간의 하부를 통해 분 사되는 플라즈마의 질을 향상시킬 수 있고, 플라즈마의 안정화를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 대기압 플라즈마 장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 대기압 플라즈마 장치의 일방향 분해사시도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대기압 플라즈마 장치의의 타방향 분해사시도이고, 도 4는 도 1의 A-A선을 취하여 본 단면도이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 대기압 플라즈마 장치는, 하우징(110)과, RF전극(120)과, 전원공급부(125)와, 절연체(130), 와류발생판(140) 등으로 이루어진다.
상기 하우징(110)은 직육면체 형상으로 길게 형성되어 있고, 하부가 개방되어 있다.
상기 하우징(110)은 1개의 구성으로 이루어질 수도 있으나, 본 실시예에서는 상기 하우징(110)을 하우징본체(111)와 접지전극부(115)로 분리하였다.
상기 하우징본체(111)는 직육면체 형상으로 길게 형성되어 있고 하부가 개방되어 있으며, 상기 접지전극부(115)는 상기 하우징본체(111)의 하부를 따라 장착되어 있다.
상기 접지전극부(115)는 접지선과 연결되어 있다.
상기 하우징본체(111)의 상면에는 상하로 관통되는 제1공급관(112)이 형성되어 있다.
상기 RF전극(120)은 플라즈마 발생을 위해 전원이 공급되는 전극으로서, 상기 RF전극(120)은 상기 하우징(110)의 내부에 상기 하우징(110)의 측면과 이격되게 배치되어 방전공간(160)을 형성한다.
보다 자세하게는, 상기 RF전극(120)은 상기 접지전극부(115)의 안쪽에 배치되어 상기 접지전극부(115)와 이격되어 방전공간(160)을 형성하고 있다.
상기 전원공급부(125)는 상기 RF전극(120)에 전원을 공급하는 것으로서, 전원공급단자를 통해 상기 RF전극(120)에 연결되어 있다.
상기 전원공급단자는 상기 하우징본체(111)의 상면과 상기 절연체를 관통하여 상기 RF전극(120)에 연결된다.
상기 절연체(130)는 상기 하우징(110) 내부에 배치되어 상기 RF전극(120)을 상기 하우징본체(111)에 고정시키면서 동시에 상기 접지전극부(115)와 RF전극(120)을 이격시키는 역할을 한다.
상기 절연체(130) 및 RF전극(120)은 상기 하우징(110)과 같이 길게 형성되어 대면적으로 플라즈마가 발생되도록 한다.
상기 RF전극(120)은 상기 절연체(130)의 하부를 통해 삽입된 후, 상기 절연체(130)의 상부와 상기 RF전극(120)의 상부를 별도의 체결수단을 이용하여 고정 결합한다.
그리고, 상기 RF전극(120)이 장착된 상기 절연체(130)를 상기 하우징(110)의 하부를 통해 삽입한 후, 상기 하우징본체(111)의 측면과 상기 절연체(130)의 측면을 별도의 체결수단을 이용하여 상호 고정결합한다.
이로 인해, 상기 RF전극(120)은 상기 절연체(130)를 통해 상기 하우징(110)의 내부에 장착된다.
이때, 상기 RF전극(120)과 상기 접지전극부(115)는 상호 이격된 상태에서 직면하고 있어 방전공간(160)을 형성한다.
상기 방전공간(160)은 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 RF전극(120)의 외주면과 상기 접지하우징(110)의 내주면 사이의 양측에 각각 형성되어 있다.
이를 위해 상기 RF전극(120)은 상기 절연체(130) 및 하우징본체(111)보다 하방향으로 더 돌출되어 있다.
또한, 상기 절연체(130)에는 상기 제1공급관(112)의 하부와 연통되는 분배부와, 상기 분배부의 하부를 상기 방전공간(160)의 상부와 연통시키는 제2공급관(132)이 형성되어 있다.
상기 분배부 및 제2공급관(132)는 후술하는 바와 같이 상기 제1공급관(112)을 통해 유입되는 가스를 상기 방전공간(160)으로 이동하기 전에 전체면적에서 거의 균일하게 분포시켜 상기 방전공간(160)으로 균일하게 유입되도록 하는 역할을 한다.
이러한 상기 분배부는, 상기 절연체(130)에 상방향으로 개방되고 하방향으로 오목하게 형성된 분배안착홈(131)과, 상하관통된 다수개의 분배홀(137,139)이 형성되어 상기 분배안착홈(131)에 장착되는 분배판(135)으로 이루어진다.
상기 분배홀(137,139)은, 상기 제1공급관(112)과 제2공급관(132)을 연통시키고, 상기 제1공급관(112)의 지름보다 작게 형성되어 상기 제1공급관(112)을 통해 공급되는 가스를 균일하게 분배하여 상기 제2공급관(132)으로 공급하는 역할을 한다.
이때, 상기 제1공급관(112), 분배홀(137,139) 및 제2공급관(132)은 상하방향으로 일직선을 이루지 않고 엇갈리게 배치되고, 상기 분배홀(137,139)의 지름은 상기 제1공급관(112)의 지름보다 작으며 상기 제2공급관(132)의 지름보다 크게 형성한다.
이로 인해, 상기 제1공급관(112)을 통해 공급되는 가스가 상기 분배홀(137,139) 및 제2공급관(132)을 곧바로 통과하지 못하고, 상기 분배판(135) 및 분배안착홈(131)의 저면에 부딪혀 분산된 후 상기 분배홀(137,139)과 제2공급관(132)을 통해 아래방향으로 이동하기 때문에 상기 방전공간(160)의 전체면적에 거의 균일하게 가스가 공급되도록 할 수 있다.
또한, 상기 제1공급관(112), 분배홀(137,139) 및 제2공급관(132) 순으로 즉 가스의 이동방향으로 지름을 점점 작게 형성함으로써, 아래에 위치한 상기 분배홀(137,139) 및 제2공급관(132)에서 균일한 량의 가스가 통과하도록 할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1공급관(112)의 지름은 상기 분배홀(137,139)의 지름보다 크기 때문에, 단위시간당 상기 제1공급관(112)을 통해 공급되는 가스의 량이 많은데 반해 상기 분배홀(137,139)을 통과하는 가스의 량은 적어, 상기 제1공급관(112)에서 가스가 공급될 경우 상기 제1공급관(112)의 바로 아래에 위치한 분배홀(137,139)은 상기 제1공급관(112)을 통해 공급되는 가스 전체를 모두 통과시키지 못하고 일부만 통과시키므로 나머지 가스는 이웃한 분배홀(137,139)로 이동하여 아 랫방향으로 이동하게 된다.
이로 인해, 한쪽에 가스가 집중 분사되지 않고 전체면적으로 균일하게 퍼져 거의 균일한 압력의 가스가 전체면적에서 공급되도록 할 수 있다.
상기 분배판(135)은 1단으로 형성될 수도 있으나, 바람직하게는 상하방향으로 다단 이격된 상태로 적층되도록 함이 바람직하다.
본 실시예에서 상기 분배판(135)은, 제1분배홀(137)이 형성된 제1분배판(136)과, 제2분배홀(139)이 형성되고 상기 제1분배판(136)의 하부에 이격된 상태로 배치되는 제2분배판(138)으로 이루어져 있다.
이때, 상기 제1분배홀(137)의 지름은 상기 제2분배홀(139)의 지름보다 크고, 상기 제1분배홀(137)과 제2분배홀(139)은 엇갈리게 배치되어 있다.
이로 인해 상술한 바와 같이 상기 제1분배홀(137)을 통과한 가스가 상기 제2분배홀(139)을 곧바로 통과하지 못하고 분산되어 상기 제2분배홀(139)을 통과할 때 단위면적당 거의 균일한 밀도를 가지고 통과하도록 할 수 있다.
또한, 아래에 위치한 상기 제2분배홀(139)의 지름이 상부에 위치한 제1분배홀(137)의 지름보다 작기 때문에, 상기 제1분배홀(137)을 통과한 가스가 이웃한 제2분배홀(139)로 분사되어 통과하게 된다.
이로 인해, 최종적으로 상기 제2공급관(132)을 통해 상기 방전공간(160)으로 공급되는 가스는, 상기 방전공간(160)의 상부에 거의 동일한 압력 및 속도를 가지면서 균일하게 분포되어 공급되게 된다.
상기 와류발생판(140)은 절연체로 이루어져, 상기 하우징(110)의 하부 자세 하게는 상기 접지전극부(115)의 하부에 장착되어, 상기 방전공간(160)의 하부의 일부를 막고 있다.
이로 인해 상기 방전공간(160)의 상부에 유입되는 가스가 상기 방전공간(160)의 하부로 통해 곧바로 배출되지 못하고, 상기 와류발생판(140)에 부딪쳐 와류를 발생시킴으로서, 상기 방전공간(160)의 내부에 상기 가스의 머무르는 체류시간을 증가시켜 상기 가스의 방전시간을 증대시킬 수 있어 양질의 플라즈마를 발생시키도록 할 수 있다.
이러한 상기 와류발생판(140)은 평판형상으로 형성되어 상기 하우징(110)과 수직으로 이루며 상기 방전공간(160)의 하부의 일부를 막고 있고, 상기 RF전극(120)의 양측에 형성된 상기 방전공간(160)의 외측에 배치되어 있다.
즉, 상기 와류발생판(140)은 상기 방전공간(160)의 하부 외측에 배치되어 있어, 상기 RF전극(120)에 인접한 상기 방전공간(160)의 하부를 개방하고, 상기 하우징(110)에 인접한 방전공간(160)의 하부를 막고 있다.
이로 인해 2개의 상기 와류발생판(140) 사이의 거리는, 2개의 상기 방전공간(160)의 내측 단거리보다 길어, 상기 방전공간(160)의 하부를 통해 배출되는 플라즈마가 상기 하우징(110)의 접지전극부(115) 방향으로 퍼지는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 상기 와류발생판(140)은 상기 방전공간(160)을 사이에 두고 상기 제2공급관(132)의 하부에 배치되어, 상기 제2공급관(132)을 통해 배출된 가스가 상기 방전공간(160)의 하부를 통해 곧바로 배출되지 못하고 상기 와류발생판(140)에 부 딪혀 와류를 발생시키도록 하고 있다.
또한, 상기 방전공간(160)은 통상 1 ~ 10 mm로 되어 있고, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 플라즈마가 배출되는 부분의 간격(d2)과 상기 방전공간의 간격(d1)의 비(d2/d1)는 약 1/3 정도로 한다.
이하, 상술한 구성으로 이루어진 본 발명의 작동과정에 대하여 살펴본다.
상기 제1공급관(112)을 통해 가스를 공급하면, 상기 제1공급관(112)을 통과한 가스는 상기 분배안착홈(131)으로 이동하고, 이는 다시 상기 제1분배판(136)에 형성된 제1분배홀(137) 및 상기 제2분배판(138)에 형성된 제2분배홀(139)을 거쳐 상기 제2공급관(132)의 상부까지 이동하며, 이는 다시 상기 제2공급관(132)을 거쳐 상기 방전공간(160)의 상부로 이동하게 된다.
상기 가스는 상기 제1공급관(112), 분배안착홈(131), 분배판(135), 분배홀(137,139) 및 제2공급관(132)을 거치면서 분산되기 때문에, 상기 제2공급관(132)을 통과하여 상기 방전공간(160)으로 공급될 때에는 전체면적에서 거의 균일한 밀도로 분포되어 상기 방전공간(160)의 상부로 공급되게 된다.
한편, 상기 RF전극(120)에는 상기 전원공급부(125)로부터 전원이 공급된다.
이로 인해, 상기 방전공간(160)의 상부를 통해 공급된 가스는 상기 RF전극(120)과 접지전극부(115) 사이에 존재하기 때문에 상기 방전공간(160)에서 방전되어 상기 방전공간(160)의 하부를 통해 플라즈마 상태로 분사된다.
이때, 상기 제2공급관(132)을 통해 상기 방전공간(160)으로 공급되는 가스 는, 상기 방전공간의 간격(d1)보다 상기 플라즈마가 배출되는 부분의 간격(d2)이 좁기 때문에 상기 접지하우징(110)의 하부에 결합되어 있는 상기 와류발생판(140)에 부딪혀 곧바로 상기 방전공간(160)의 외부로 배출되지 못하고 와류를 형성하게 된다.
위와 같이 상기 방전공간(160)으로 공급된 가스가 상기 방전공간(160)의 외부로 곧바로 배출되지 못하고 와류를 형성하기 때문에, 상기 방전공간(160)에서 상기 가스의 체류시간이 길어져 그만큼 상기 가스를 방전시키는 시간이 길어져 상기 방전공간(160)의 하부를 통해 분사되는 플라즈마의 질과 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기 방전공간(160)에서 형성된 플라즈마는 상기 방전공간(160)의 하부 즉 상기 RF전극(120)과 상기 와류발생판(140) 사이의 간극을 통해 하부로 배출된다.
위와 같이 상기 와류발생판(140)을 장착함으로서, 가스의 소비량을 줄이면서 동시에 양질의 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
또한, 상기 와류발생판(140)이 상기 방전공간(160)의 하부 외측둘레를 감싸듯이 장착되어 있어 즉 상기 RF전극(120)에 인접한 상기 방전공간(160)의 하부를 개방하고 상기 하우징(110)에 인접한 방전공간(160)의 하부를 막고 있어, 플라즈마가 접지전극부(115)의 외측으로 퍼져 나가는 것을 막아줘 플라즈마를 집중시키면서 밀도를 향상시킬 수 있다.
본 발명인 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치는 전술한 실시예에 국한하지 않고, 본 발명의 기술 사상이 허용되는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실 시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 대기압 플라즈마 장치의 사시도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 대기압 플라즈마 장치의 일방향 분해사시도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대기압 플라즈마 장치의의 타방향 분해사시도,
도 4는 도 1의 A-A선을 취하여 본 단면도,
도 5는 종래의 대기압 DBD장치의 구성도,
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 하우징, 111 : 하우징본체, 112 : 제1공급관, 115 : 접지전극부, 120 : RF전극, 125 : 전원공급부, 130 : 절연체, 131 : 분배안착홈, 132 : 제2공급관, 135 : 분배판, 136 : 제1분배판, 137 : 제1분배홀, 138 : 제2분배판, 139 : 제2분배홀, 140 : 와류발생판, 160 : 방전공간,

Claims (6)

  1. 접지되어 있고 하부가 개방된 하우징과;
    상기 하우징의 내부에 상기 하우징의 측면과 이격되게 배치되어 방전공간을 형성하는 RF전극과;
    상기 RF전극에 전원을 공급하는 전원공급부와;
    상기 하우징 내부에 배치되어 상기 RF전극을 상기 하우징에 이격된 상태로 고정시키는 절연체로 이루어지고,
    상기 방전공간의 상부를 통해 공급된 가스는 상기 방전공간에서 방전되어 상기 방전공간의 하부를 통해 플라즈마 상태로 분사되되,
    상기 하우징의 하부에는 상기 방전공간의 하부의 일부를 막아 와류를 발생시키는 와류발생판이 장착되어, 상기 방전공간에서 상기 가스의 체류시간을 증가시키는 것을 특징으로 하는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하우징의 상면에는 제1공급관이 상하방향으로 형성되어 있고,
    상기 절연체에는 상기 제1공급관의 하부와 연통되는 분배부와, 상기 분배부의 하부를 상기 방전공간의 상부와 연통시키는 제2공급관이 형성되어 있되,
    상기 와류발생판은 상기 방전공간을 사이에 두고 상기 제2공급관의 하부에 배치되어, 상기 제2공급관을 통해 배출된 가스가 상기 와류발생판에 부딪혀 와류를 발생시키는 것을 특징으로 하는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 분배부는,
    상기 절연체에 상방향으로 개방되고 하방향으로 오목하게 형성된 분배안착홈과;
    상하관통된 다수개의 분배홀이 형성되어 상기 분배안착홈에 장착되는 분배판으로 이루어지되,
    상기 분배홀은,
    상기 제1공급관과 제2공급관을 연통시키고, 상기 제1공급관의 지름보다 작게 형성되어 상기 제1공급관을 통해 공급되는 가스를 균일하게 분배하여 상기 제2공급관으로 공급하는 것을 특징으로 하는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제1공급관, 분배홀 및 제2공급관은 일직선을 이루지 않고 엇갈리게 배치되고,
    상기 분배홀의 지름은 상기 제1공급관의 지름보다 작고, 상기 제2공급관의 지름보다 큰 것을 특징으로 하는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 분배판은,
    제1분배홀이 형성된 제1분배판과;
    제2분배홀이 형성되고, 상기 제1분배판의 하부에 이격된 상태로 배치되는 제2분배판으로 이루어지되,
    상기 제1분배홀의 지름은 상기 제2분배홀의 지름보다 크고, 상기 제1분배홀과 제2분배홀은 엇갈리게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징과 상기 와류발생판은 수직을 이루고 있되,
    상기 와류발생판은 상기 방전공간의 하부 외측에 배치되어 있어,
    상기 RF전극에 인접한 상기 방전공간의 하부를 개방하고, 상기 하우징에 인접한 방전공간의 하부를 막고 있는 것을 특징으로 하는 와류발생판이 구비된 대기압 플라즈마 장치.
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