CN216700420U - 一种线性等离子处理器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种线性等离子处理器，包括具有空腔的外壳，外壳的底部开设有若干个与空腔连通的喷口，外壳的顶部开设有进气孔；外壳的空腔内设置有第一缓冲板和位于第一缓冲板下方的第二缓冲板，第一缓冲板和第二缓冲板将空腔分割为由上至下依次设置的第一缓冲腔、第二缓冲腔及第三缓冲腔，第一缓冲板和第二缓冲板上均贯穿设置有缓冲通口，第一缓冲板上安装有导电铜排板；外壳的空腔内还设置有若干个分别与若干个喷口对应的等离子发生组件。本实用新型通过螺旋通道的设置，注入气体可在陶瓷管处形成螺旋气流，电离后可形成火焰状的热气流通过喷口喷射出去，如此能提高处理效果。

Description

一种线性等离子处理器

技术领域

本实用新型涉及等离子技术领域，尤其涉及一种线性等离子处理器。

背景技术

等离子体是继固态、液态、气态之后的物质第四态，当外加电压达到击穿电压时，气体分子被电离，产生包括电子、离子、原子和原子团在内的混合体。以氮气为例，当对氮气进行电离后，可以产生包括大量的氮原子在内的氮基活性物质，氮基等离子体照射被处理物的表面，可以使附着于被处理物表面上的有机污染物“C”元素的分子分离，并变成二氧化碳后被清除；同时还可以提高被处理物的接触性能，从而可以提高接合强度和可靠性。

在玻璃面板加工过程中，则会使用上述原理对玻璃面板表面进行清洁处理以改善表面活性、提高表面张力。现有用于玻璃等离子处理的设备多选用常压等离子机，它通过等离子喷枪能对小宽度的玻璃面板进行有效的等离子处理，而当玻璃面板宽度较大时，尤其是超过80mm时，则需要安装多个等离子喷枪方能处理充分。但多个等离子喷枪同时作用，不可避免地会出现叠加处理或者漏处理，从而极易造成玻璃表面处理不均的问题。另外，现有常压等离子机的等离子喷枪在使用中易出现运行不稳定的现象，同时，加工生产及维护成本亦较高。

发明内容

本实用新型目的是解决上述问题，设计一种线性等离子处理器，不仅稳定及高效地促进等离子体的生成，还能加大等离子体的辐射宽度以满足大宽度玻璃面板的等离子处理。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是：

一种线性等离子处理器，包括具有空腔的外壳，外壳的底部开设有若干个与空腔连通的喷口，外壳的顶部开设有进气孔；

外壳的空腔内设置有第一缓冲板和位于第一缓冲板下方的第二缓冲板，第一缓冲板和第二缓冲板将空腔分割为由上至下依次设置的第一缓冲腔、第二缓冲腔及第三缓冲腔，第一缓冲板和第二缓冲板上均贯穿设置有缓冲通口，第一缓冲板上安装有导电铜排板；

外壳的空腔内还设置有若干个分别与若干个喷口对应的等离子发生组件，等离子发生组件包括高压电容棒和陶瓷管；高压电容棒的顶端与导电铜排板相连，高压电容棒的底端位于第三缓冲腔内，高压电容棒的外围设置有电容绝缘套筒，电容绝缘套筒的上下两端分别连接在第一缓冲板和第二缓冲板上；陶瓷管具有贯穿陶瓷管顶端的安装槽，安装槽内安装有导气柱，导气柱的外表面开设有若干个螺旋通道，陶瓷管的底端开设有与喷口和安装槽均连通的通孔；等离子发生组件还包括弹性件，弹性件的上下两端分别作用于高压电容棒和导气柱，使得：导气柱及陶瓷管抵接在外壳底部。

进一步地，所述外壳具有位于底部的底板，所述喷口开设在底板上；

底板的顶端开设有限位槽，所述陶瓷管的底部与限位槽置入配合。

进一步地，所述第一缓冲板上开设有容纳槽，所述导电铜排板位于容纳槽内；

第一缓冲板上还连接有用于覆盖导电铜排板的遮挡板。

进一步地，所述高压电容棒的底端连接有上连接头，上连接头的底端具有下凸的上限位柱；

所述导气柱的顶端具有上凸的下限位柱；

所述弹性件的上下两端分别套设在上限位柱和下限位柱上。

进一步地，所述外壳的空腔内还设置有位于所述第二缓冲板下方的陶瓷管限位板；

所述陶瓷管限位板上开设有用于套设陶瓷管的限位通口。

进一步地，所述外壳的内壁上还连接有连接侧板，连接侧板上开设有与第一缓冲板、第二缓冲板及陶瓷管限位板相适应的连接槽。

与现有技术相比，本实用新型具有的优点和积极效果是：本实用新型中，通过若干个等离子组件的设置，高压电容棒与外壳底部之间可产生电弧放电以电离气体产生等离子体，冲入的气体再作用于电弧和等离子体，使得它们依次经过陶瓷管的安装槽、螺旋通道、通孔从喷口吹出，如此，则可对被处理物的表面进行高效及稳定的等离子处理。其中，通过螺旋通道的设置，注入气体可在陶瓷管处形成螺旋气流，电离后可形成火焰状的热气流通过喷口喷射出去，如此能进一步提高处理效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型所述的一种线性等离子处理器一个具体实施例的结构示意图；

图2为本实用新型所述的一种线性等离子处理器一个具体实施例的剖视图；

图3为本实用新型所述的一种线性等离子处理器中等离子组件一个具体实施例的结构示意图；

图4为本实用新型所述的一种线性等离子处理器中导气柱一个具体实施例的结构示意图。

其中，附图标记对应的零部件名称如下：1、喷口，2、进气孔，3、第一缓冲板，4、第二缓冲板，5、第一缓冲腔，6、第二缓冲腔，7、第三缓冲腔，8、高压电容棒，9、电容绝缘套筒，10、导电铜排板，11、缓冲通口，12、陶瓷管，13、安装槽，14、通孔，15、导气柱，16、螺旋通道，17、弹性件，18、陶瓷管限位板，19、底板，20、限位槽，21、遮挡板，22、容纳槽，23、上连接头，24、上限位柱，25、限位通口，26、下限位柱，27、连接侧板，28、连接槽，29、外壳。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

实施例1

如图1至图4所示，一种线性等离子处理器，包括具有空腔的外壳29，外壳29的底部开设有若干个与空腔连通的喷口1，外壳的顶部开设有进气孔2；

外壳的空腔内设置有第一缓冲板3和位于第一缓冲板3下方的第二缓冲板4，第一缓冲板3和第二缓冲板4将空腔分割为由上至下依次设置的第一缓冲腔5、第二缓冲腔6及第三缓冲腔7，第一缓冲板3和第二缓冲板4上均贯穿设置有缓冲通口11，第一缓冲板3上安装有导电铜排板10；

外壳29的空腔内还设置有若干个分别与若干个喷口1对应的等离子发生组件，等离子发生组件包括高压电容棒8和陶瓷管12；高压电容棒8的顶端与导电铜排板10相连，高压电容棒8的底端位于第三缓冲腔7内，高压电容棒8的外围设置有电容绝缘套筒9，电容绝缘套筒9的上下两端分别连接在第一缓冲板3和第二缓冲板4上；陶瓷管12具有贯穿陶瓷管12顶端的安装槽13，安装槽13内安装有导气柱15，导气柱15的外表面开设有若干个螺旋通道16，陶瓷管12的底端开设有与喷口1和安装槽13均连通的通孔14；等离子发生组件还包括弹性件17，弹性件17的上下两端分别作用于高压电容棒8和导气柱15，使得：导气柱15及陶瓷管12抵接在外壳29底部。

本实施例中，进气孔2与进气系统相连，进气系统向进气孔内注入的反应气体为氮气或者氮气和空气的混合气体。无论是注入的氮气还是以氮气为主的混合气体，第一缓冲腔5、第二缓冲腔6及第三缓冲腔7都可对该注入气体起到良好的导流和混合作用。为电离注入气体，还配备有高频高压电源，高频高压电源的输出端贯穿外壳29与导电筒排板10相连，电源的电量可均匀地分布到各个高压电容棒8上，外壳29底部接地。电容绝缘套筒9可选用铁氟龙材质。高压电容棒8可选用铜材质。弹性件17可选用压缩弹簧。

本实用新型应用时，从进气孔注入气体，经缓冲通口11的设置，注入气体依次沿第一缓冲腔5、第二缓冲腔6及第三缓冲腔7流动；与此同时，启动高频高压电源，高压电容棒8与外壳29底部之间可产生电弧放电，可电离注入气体形成等离子体，冲入的气体再作用于电弧和等离子体依次经过陶瓷管12的安装槽13、螺旋通道16、通孔14从喷口1吹出，如此，则可对被处理物的表面进行等离子处理。其中，通过螺旋通道16的设置，注入气体可在陶瓷管12处形成螺旋气流，电离后可形成火焰状的热气流通过喷口1喷射出去，如此能提高处理效果。弹性件17可用于限位陶瓷管12，还可对电弧进行导向。

另外，为了持续稳定地工作，还可在外壳29两侧安装冷却板以达到降温的效果。冷却板可选用水冷式。

若干个喷口1可按被处理物的尺寸矩阵排列，也可如图1所示的错位排列。

优选地，所述外壳具有位于底部的底板19，所述喷口1开设在底板19上；

底板19的顶端开设有限位槽20，所述陶瓷管12的底部与限位槽20置入配合。

本实施例中，底板19接地。通过限位槽20与陶瓷管12的配合，可提高陶瓷管12的稳定性。

优选地，所述第一缓冲板3上开设有容纳槽22，所述导电铜排板10位于容纳槽22内；

第一缓冲板3上还连接有用于覆盖导电铜排板10的遮挡板21。

本实施例中，通过遮挡板21的设置，可提高导电铜排板10的连接的稳定性。

优选地，所述高压电容棒8的底端连接有上连接头23，上连接头23的底端具有下凸的上限位柱24；

所述导气柱15的顶端具有上凸的下限位柱26；

所述弹性件17的上下两端分别套设在上限位柱24和下限位柱26上。

本实施例中，通过上限位柱24与下限位柱26的设置，可提高弹性件17的稳定性。

优选地，所述外壳的空腔内还设置有位于所述第二缓冲板4下方的陶瓷管限位板18；

所述陶瓷管限位板18上开设有用于套设陶瓷管12的限位通口25。

本实施例中，通过陶瓷管限位板18的设置，可进一步提高陶瓷管12的稳定性。

优选地，所述外壳29的内壁上还连接有连接侧板27，连接侧板27上开设有与第一缓冲板3、第二缓冲板4及陶瓷管限位板18相适应的连接槽28。

本实施例中，外壳29的四个侧面均可设置有连接侧板27。连接槽28的设置可提高第一缓冲板3、第二缓冲板4及陶瓷管限位板18连接的稳定性。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施方式只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型的技术方案下得出的其他实施方式，均应包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (6)

1.一种线性等离子处理器，其特征在于：包括具有空腔的外壳(29)，外壳(29)的底部开设有若干个与空腔连通的喷口(1)，外壳的顶部开设有进气孔(2)；

外壳的空腔内设置有第一缓冲板(3)和位于第一缓冲板(3)下方的第二缓冲板(4)，第一缓冲板(3)和第二缓冲板(4)将空腔分割为由上至下依次设置的第一缓冲腔(5)、第二缓冲腔(6)及第三缓冲腔(7)，第一缓冲板(3)和第二缓冲板(4)上均贯穿设置有缓冲通口(11)，第一缓冲板(3)上安装有导电铜排板(10)；

外壳(29)的空腔内还设置有若干个分别与若干个喷口(1)对应的等离子发生组件，等离子发生组件包括高压电容棒(8)和陶瓷管(12)；高压电容棒(8)的顶端与导电铜排板(10)相连，高压电容棒(8)的底端位于第三缓冲腔(7)内，高压电容棒(8)的外围设置有电容绝缘套筒(9)，电容绝缘套筒(9)的上下两端分别连接在第一缓冲板(3)和第二缓冲板(4)上；陶瓷管(12)具有贯穿陶瓷管(12)顶端的安装槽(13)，安装槽(13)内安装有导气柱(15)，导气柱(15)的外表面开设有若干个螺旋通道(16)，陶瓷管(12)的底端开设有与喷口(1)和安装槽(13)均连通的通孔(14)；等离子发生组件还包括弹性件(17)，弹性件(17)的上下两端分别作用于高压电容棒(8)和导气柱(15)，使得：导气柱(15)及陶瓷管(12)抵接在外壳(29)底部。

2.根据权利要求1所述的一种线性等离子处理器，其特征在于：所述外壳具有位于底部的底板(19)，所述喷口(1)开设在底板(19)上；

底板(19)的顶端开设有限位槽(20)，所述陶瓷管(12)的底部与限位槽(20)置入配合。

3.根据权利要求1所述的一种线性等离子处理器，其特征在于：所述第一缓冲板(3)上开设有容纳槽(22)，所述导电铜排板(10)位于容纳槽(22)内；

第一缓冲板(3)上还连接有用于覆盖导电铜排板(10)的遮挡板(21)。

4.根据权利要求1所述的一种线性等离子处理器，其特征在于：所述高压电容棒(8)的底端连接有上连接头(23)，上连接头(23)的底端具有下凸的上限位柱(24)；

所述导气柱(15)的顶端具有上凸的下限位柱(26)；

所述弹性件(17)的上下两端分别套设在上限位柱(24)和下限位柱(26)上。

5.根据权利要求1所述的一种线性等离子处理器，其特征在于：所述外壳的空腔内还设置有位于所述第二缓冲板(4)下方的陶瓷管限位板(18)；

所述陶瓷管限位板(18)上开设有用于套设陶瓷管(12)的限位通口(25)。

6.根据权利要求5所述的一种线性等离子处理器，其特征在于：所述外壳(29)的内壁上还连接有连接侧板(27)，连接侧板(27)上开设有与第一缓冲板(3)、第二缓冲板(4)及陶瓷管限位板(18)相适应的连接槽(28)。

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