KR101029557B1 - Plasma generation apparatus and plasma treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 이 장치는 제1 방향 및 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 사각형 금속 상판, 및 각각의 절연판들 상에 배치된 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 안테나 구조체들은 금속 상판의 모서리에 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 금속 상판의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들을 포함하고, 제1 형 안테나 구조체는 제2 형 안테나 구조체보다 더 많은 전력을 소모하여 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다.The present invention provides a plasma generating apparatus. The apparatus comprises: insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, a rectangular metal top plate on which the insulating plates are disposed and comprising rectangular through holes Hmn, and Antenna structures Tmn disposed on the insulating plates of the substrate. The antenna structures include first type antenna structures disposed adjacent to a corner of the metal top plate, second type antenna structures disposed adjacent to the side of the metal top plate, and the first type antenna structure is more than a second type antenna structure. It can consume a lot of power to form a uniform plasma.
유도 결합 플라즈마, 복수 유전체 창문, 파워 분배, 복수 안테나 구조 Inductively Coupled Plasma, Multiple Dielectric Windows, Power Distribution, Multiple Antenna Structure
Description
본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로 유도 결합 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generating apparatus. More specifically, the present invention relates to an inductively coupled plasma generator.
반도체 기판, 평판 표시 기판, 태양 전지 기판 등이 대면적화됨에 따라 이들을 처리하는 제조 장치가 대면적화되고 있다. 플라즈마 처리 장치는 식각, 증착, 이온 주입, 물질 표면 처리 등의 다양한 공정에 이용되고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION As semiconductor substrates, flat panel display substrates, solar cell substrates, and the like become larger in area, manufacturing apparatuses for processing these are becoming larger in area. Plasma processing apparatuses are used in various processes such as etching, deposition, ion implantation, and material surface treatment.
플라즈마 처리 장치는 대면적화됨에 따라 공정 균일성 및 공정 속도가 문제되고 있다. 공정 균일성은 플라즈마의 밀도의 균일성에 의존할 수 있다.As the plasma processing apparatus becomes larger, process uniformity and process speed are problematic. Process uniformity may depend on the uniformity of the density of the plasma.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 균일한 플라즈마를 형성할 수 있는 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.One technical problem to be solved by the present invention is to provide a plasma generating apparatus capable of forming a uniform plasma.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 사각형 금속 상판, 및 각각의 상기 절연판들 상에 배치된 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들은 상기 금속 상판의 모서리에 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 상기 금속 상판의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들을 포함하고, 상기 제1 형 안테나 구조체는 상기 제2 형 안테나 구조체보다 더 많은 전력을 소모하여 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are disposed and rectangular through holes ( A rectangular metal top plate (Hmn), and antenna structures (Tmn) disposed on each of the insulating plates. The antenna structures may include first type antenna structures disposed adjacent to a corner of the metal upper plate, second type antenna structures disposed adjacent to a side of the metal upper plate, and the first type antenna structure may include the second type antenna structures. It can consume more power than the type antenna structure to form a uniform plasma.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들은 상기 제2 형 안테나 구조체들 및 상기 제1 형 안테나 구조체들로 둘러싸인 제3 형 안테나 구조체들을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the antenna structures may further include third type antenna structures surrounded by the second type antenna structures and the first type antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 형 안테나 구조체는 상기 제3 형 안테나 구조체보다 더 많은 전력을 소모할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second type antenna structure may consume more power than the third type antenna structure.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 방향으로 배열된 절연판의 수(m)은 3 이상이고, 상기 제2 방향으로 배열된 절연판의 수(n)은 3 이상일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the number m of insulating plates arranged in the first direction may be 3 or more, and the number n of insulating plates arranged in the second direction may be 3 or more.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고, 상기 제2 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other, and the second type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제3 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the third type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들은 인쇄 회로 기판에 형성되거나 도선을 절곡하여 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the antenna structures may be formed on a printed circuit board or bent the conductive line.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 인쇄 회로 기판은 양면 기판이고, 상기 안테나 구조체들은 금, 은, 구리, 니켈, 주석 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the printed circuit board is a double-sided substrate, the antenna structures may include at least one of gold, silver, copper, nickel, tin.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들은 동일한 형상을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the antenna structures may have the same shape.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부 중에서 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of a first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, and a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures. It may further include.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제3 리액턴스 소자부를 중에서 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures, and the first It may further include at least one of the third reactance element portion electrically connected in series to the type 3 antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 리액턴스 소자부, 제2 리액턴스 소자부, 및 제3 리액턴스 소자부는 가변 리액턴스 소자를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first reactance element portion, the second reactance element portion, and the third reactance element portion may include a variable reactance element.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류는 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조 체에 흐르는 제2 전류는 상기 제3 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first current flowing in each antenna structure of the first type antenna structure is greater than a second current flowing in each antenna structure of the second type antenna structures, and the second type antenna The second current flowing in each antenna structure of the structures may be greater than the third current flowing in each antenna structure of the third type antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 전원부를 더 포함하되, 상기 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), wherein the power supply is the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third It may be electrically connected in parallel to the type antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 복수의 전원부를 더 포함하되, 제1 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제2 전원부는 상기 제2 형안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제3 전원부는 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전력을 공급할 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a plurality of power supply unit for supplying power to the antenna structures (Tmn), the first power supply unit supplies power to the first type antenna structures, the second power supply unit The second type antenna structures may supply power, and the third power supply may supply power to the third type antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원부의 제1 구동 주파수, 상기 제2 전원부의 제2 구동 주파수, 및 상기 제3 전원부의 제3 구동 주파수 중에서 적어도 하나는 서로 다를 수 있다.In at least one of the first driving frequency of the first power supply unit, the second driving frequency of the second power supply unit, and the third driving frequency of the third power supply unit may be different from each other.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures may have a different structure.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of the first type antenna structures and the second type antenna structures may have a different structure.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn) 각각은 사각형 형상을 가지고 복층 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the antenna structures Tmn may have a quadrangular shape and a multilayer structure.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn) 각각은 복수의 보조 안테나들로 구성되고, 같은 평면에서 폐루프(closed loop)를 형성하도록 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the antenna structures Tmn is composed of a plurality of auxiliary antennas, and may be arranged to form a closed loop in the same plane.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 기판을 플라즈마 처리하는 진공 용기, 상기 진공 용기 내부에 배치된 기판 홀더, 상기 진공용기의 상부면에 배치되고 복수의 관통홀들을 포함하는 금속 상판, 및 상기 금속 상판 상에 배치되고 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열되어 사각형을 이루는 안테나 구조체들(Tmn)들을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 사각형의 모서리에 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 상기 사각형의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들 및 제1 형 안테나 구조체들로 둘러싸여 배치되는 제3 형 안테나 구조체들을 포함하고, 제1 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제3 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 클 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus includes a vacuum container for plasma processing a substrate, a substrate holder disposed inside the vacuum container, a metal upper plate disposed on an upper surface of the vacuum container, and including a plurality of through holes; Antenna structures Tmns are disposed on the metal upper plate and arranged in a matrix in a first direction and in a second direction crossing the first direction to form a quadrangle. The antenna structures Tmns may include first type antenna structures disposed at corners of the quadrangle, second type antenna structures disposed adjacent to the sides of the quadrangle, and the second type antenna structures and first type. And third type antenna structures surrounded by the antenna structures, wherein power consumption of each of the first type antenna structures is greater than power consumption of each of the second type antenna structures, and each of the second type antenna structures Power consumption may be greater than power consumption of each of the third antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 방향으로 배열된 절연판의 수(m)은 3 이상이고, 상기 제2 방향으로 배열된 절연판의 수(n)은 3 이상일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the number m of insulating plates arranged in the first direction may be 3 or more, and the number n of insulating plates arranged in the second direction may be 3 or more.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고, 상기 제2 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고, 상기 제3 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other, the second type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other, and the third type antenna structures may be electrically connected with each other in parallel. have.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제3 리액턴스 소자부를 중에서 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures, and the first It may further include at least one of the third reactance element portion electrically connected in series to the type 3 antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류는 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류는 상기 제3 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first current flowing in each antenna structure of the first type antenna structure is greater than a second current flowing in each antenna structure of the second type antenna structures, and the second type antenna The second current flowing in each antenna structure of the structures may be greater than the third current flowing in each antenna structure of the third type antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 전원부를 더 포함하되, 상기 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), wherein the power supply is the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third It may be electrically connected in parallel to the type antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 복수의 전원부를 더 포함하되, 제1 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제2 전원부는 상기 제2 형안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제3 전원부는 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전력을 공급할 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a plurality of power supply unit for supplying power to the antenna structures (Tmn), the first power supply unit supplies power to the first type antenna structures, the second power supply unit The second type antenna structures may supply power, and the third power supply may supply power to the third type antenna structures.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원부의 제1 구동 주파수, 상기 제2 전원부의 제2 구동 주파수, 및 상기 제3 전원부의 제3 구동 주파수 중에서 적어도 하나는 서로 다를 수 있다.In at least one of the first driving frequency of the first power supply unit, the second driving frequency of the second power supply unit, and the third driving frequency of the third power supply unit may be different from each other.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures may have a different structure.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 안테나 구조체들을 기하학적 위치에 따라 분류하여, 위치에 따라 다른 전력을 공급할 수 있다. 이에 따라, 상기 플라즈마 발생 장치는 균일한 대면적 플라즈마를 형성할 수 있다.The plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention may classify the antenna structures according to geometric positions and supply different powers according to the positions. Accordingly, the plasma generating device can form a uniform large area plasma.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층(또는 막) 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층(또는 막)이 다른 층(또는 막) 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층(또는 막) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층(또는 막)이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thicknesses of layers (or films) and regions are exaggerated for clarity. Also, if it is mentioned that a layer (or film) is on "on" another layer (or film) or substrate, it may be formed directly on the other layer (or film) or substrate or a third layer between them. (Or membrane) may be interposed. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이 다.1 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn,130), 상기 절연판들(130)이 배치되는 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 갖는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들(130) 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn,140)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 금속 상판(110)의 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 m, n은 양의 정수일 수 있다. 상기 m은 상기 제1 방향의 홀(hole)의 수 있다. 상기 n은 상기 제2 방향의 홀(hole)의 수일 수 있다.Referring to FIG. 1, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn and 130 arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and a quadrangle in which the
진공 용기(100)는 사각형의 챔버일 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 배기부(미도시), 가스 공급부(미도시), 기판(미도시), 및 기판 홀더(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리 공정은 식각, 증착, 이온 주입, 및 표면처리 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판 및 상기 기판 홀더는 사각형일 수 있다. 상기 기판은 유기 발광 소자 기판, 태양 전지 기판, 액정 표시 기판, 또는 반도체 기판일 수 있다.The
상기 금속 상판(110)은 평판일 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 상기 진공 용기(100)의 뚜겅일 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 사각형 모양일 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 알루미늄, 철, 니켈 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 표면에 표면 절연막으로 코딩될 수 있다. 상기 표면 절연막은 알루미늄 산화막을 포함할 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 복수의 관통 홀들(Hmn)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 관통 홀들(Hmn)은 사각형일 수 있다. 상기 관통 홀 들(Hmn)은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 제1 방향의 홀의 수(m)는 3일 수 있다. 상기 제2 방향의 홀의 수(n)는 3일 수 있다. 상기 관통 홀은 홀 턱(122)을 가질 수 있다. 상기 홀 턱(122)은 상기 절연판과 실링을 위하여 실링부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 실링부는 오링(O-ring) 홈을 포함할 수 있다.The metal
상기 절연판들(Smn,130)은 상기 관통 홀들(Hmn)에 삽입되어 배치될 수 있다. 상기 절연판(130)은 상기 홀 턱(122) 상에 배치될 수 있다. 상기 절연판들(130)은 석영(quartz), 알루미늄산화물, 및 세라믹 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도면의 편의상, 상기 절연판들(Smn, 130) 중에서 S31만을 도시되었다. 상기 절연판들(Smn,130)은 위치에 따라 균일한 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 절연판들(Smn,130)은 위치에 따라 다른 두께를 가질 수 있다.The insulating plates Smn and 130 may be inserted into the through holes Hmn. The insulating
상기 플라즈마 발생 장치가 대면적화됨에 따라, 상기 절연판들(130)의 가공 또는 제작이 어려울 수 있다. 이에 따라, 상기 절연판들(130)은 적절한 크기로 가공 또는 제작되는 것이 바람직하다. 상기 진공 용기(100)를 포함하는 대면적 플라즈마 발생 장치에서, 상기 진공 용기(100)의 상판으로 유전체 상판(미도시)을 형성하면, 상기 유전체 상판은 압력 및 상기 유전체 상판 상에 배치된 안테나에 의한 열적 충격 등에 취약할 수 있다. 따라서, 상기 유전체 상판은 상기 압력 및 열적 충격을 극복할 수 있도록, 상기 유전체 상판의 두께가 증가할 필요가 있다. 그러나, 상기 유전체 상판의 두께의 증가는 유도 결합 플라즈마 발생 효율을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 유전체 상판은 적절한 두께 및 크기로 분리됨이 바람직하다. As the plasma generating apparatus becomes larger in size, it may be difficult to process or manufacture the insulating
상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 절연판들(Smn,130) 상에 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn, 140)은 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma)를 상기 절연판들(Smn, 130)의 하부에 생성할 수 있다. 도면의 편의상, 상기 안테나 구조체들(Tmn, 140) 중에서 T31만을 도시하였다. 상기 안테나 구조체들(140)은 동일한 물리적 형상 또는 구조를 가질 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 인쇄회로 기판에 형성될 수 있다. 상기 인쇄회로 기판은 복층 구조를 가질 수 있다. 상기 인쇄회로 기판에 형성된 안테나 구조체들은 동일한 구조를 유지할 수 있다. 상기 안테나 구조체들은 제작 및 설계가 용이하여 생산성이 향상될 수 있다. 상기 인쇄회로 기판은 내열성을 가질 수 있다. The antenna structures Tmn and 140 may be arranged in a matrix form on the insulating plates Smn and 130 in the first direction and the second direction. The antenna structures Tmn and 140 may generate an inductively coupled plasma under the insulating
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 도선 또는 파이프를 절곡하여 형성할 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the antenna structures Tmn and 140 may be formed by bending a wire or a pipe.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도이다. 도 2는 도 1의 평면도이다.2 is a plan view illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a plan view of Fig.
도 2 및 도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들(Smn) 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn)을 포 함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 상판 하부(110)에 플라즈마를 형성할 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 3 * 3 매트릭스를 형성할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따르면, m 및/또는 n은 3 이상일 수 있다.2 and 1, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are arranged and penetrated in a rectangular shape. A
상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체(A), 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제2 형 안테나 구조체(B) 및 제1 형 안테나 구조체(A)로 둘러싸인 제3 안테나 구조체(C)를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)는 T31,T33,T13,T11를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)는 T32,T23,T12,T21를 포함할 수 있다. 상기 제3 안테나 구조체(C)는 T22를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 각각의 안테나 구조체들은 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체들은 보다 더 많은 전력을 소모할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체들은 상기 제3 형 안테나 구조체(C)보다 더 많은 전력을 소모할 수 있다. The antenna structures Tmn are first type antenna structures A disposed adjacent to the edges of the metal
상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 각각의 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체들, 및 상기 제 3 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체들은 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)에 의하여 형성된 플라즈마는 상기 제2 형 안테나 구조체(B)에 의하여 형성된 플라즈마보다 진공 용기의 벽으로 더 많이 손실될 수 있다. 따라서, 상기 금속 상판(110) 하부의 플라즈마 밀도를 균일하게 하기 위하여, 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 소모 전력은 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 소모전력보다 클 수 있다. 또한, 상기 제2 형 안테나 구조체(B)에 의하여 형성된 플라즈마는 상기 제3 형 안테나 구조체(C)에 의하여 형성된 플라즈마보다 진공 용기의 벽으로 더 많이 손실될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 소모 전력은 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 소모전력보다 클 수 있다. 이에 따라, 공간적으로 불균일한 파워를 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 공급하여, 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다.Each of the antenna structures of the first type antenna structure A, each of the antenna structures of the second type antenna structure B, and each of the antenna structures of the third type antenna structure may have the same structure. have. The plasma formed by the first type antenna structure A may be lost more to the walls of the vacuum vessel than the plasma formed by the second type antenna structure B. Therefore, in order to make the plasma density under the metal
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 단면도이다. 도 3은 도 1의 I-I' 선을 따라 절단된 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1 형 안테나 구조체(T31,T33,T13, T11;A)에 의하여 형성된 제1 형 플라즈마(PA)는 상기 진공 용기(100)의 두 변의 방향에서 다른 방향들보다 많이 손실될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(T32,T23,T12, T21;B)에 형성된 제2 형 플라즈마(PB)는 상기 진공 용기의 한 변의 방향에서 다른 방향들보다 많이 손실될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(T22;C)에 형성된 제3 형 플라즈마(PC)는 사방으로 균일하게 손실될 수 있다. 1 to 3, the first type plasma PA formed by the first type antenna structures T31, T33, T13, and T11; A is different from the two sides of the
상기 제1 형 플라즈마(PA)는 P31,P33,P13, 및 P11을 포함할 수 있다. 상기 P31, P33, P13, 및 P11은 각각 T31,T33, T13, 및 T11의 하부에 배치되고, 각각 상기 T31,T33, T13, 및 T11에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제2 형 플라즈마(PB)는 P32, P23,P12, 및 P21을 포함할 수 있다. 상기 P32, P23,P12, 및 P21은 각각 T32, T23,T12, 및 T21의 하부에 형성될 수 있다. 상기 P32, P23,P12, 및 P21은 각각 상기 T32, T23, T12, 및 T21에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제3 형 플라즈마(PC)는 P22를 포함할 수 있다. 상기 P22는 T22에 의하여 형성될 수 있다.The first type plasma PA may include P31, P33, P13, and P11. The P31, P33, P13, and P11 are disposed below the T31, T33, T13, and T11, respectively, and may be formed by the T31, T33, T13, and T11, respectively. The second type plasma PB may include P32, P23, P12, and P21. The P32, P23, P12, and P21 may be formed under the T32, T23, T12, and T21, respectively. The P32, P23, P12, and P21 may be formed by the T32, T23, T12, and T21, respectively. The third type plasma PC may include P22. The P22 may be formed by T22.
플라즈마는 상기 진공 용기(100)의 벽에서 재결합하여 소멸할 수 있다. 상기 진공 용기(100)의 벽에 접근할수록 플라즈마 밀도 차이에 의한 확산 손실(diffusion loss)이 많이 발생할 할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A), 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 안테나 구조체들은 동일한 물리적 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 안테나 구조체들 각각의 소모 전력이 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 안테나 구조체들의 소모 전력과 동일한 경우, 상기 제1 형 플라즈마(PA)의 평균 플라즈마 밀도는 상기 제2 형 플라즈마(PB)의 평균 플라즈마 밀도보다 낮을 수 있다. 또한, 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 안테나 구조체들 각각의 소모 전력과 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 안테나들 각각의 소모 전력이 동일한 경우, 상기 제2 형 플라즈마(PB)의 평균 플라즈마 밀도는 상기 제3 형 플라즈마(PA)의 평균 플라즈마 밀도보다 낮을 수 있다. 이러한, 플라즈마 밀도의 공간적 불균형은 플라즈마 처리에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 플라즈마 밀도의 공간적 불균형을 해소하기 위하여, 상기 제1 내지 3 형 플라즈마(PA,PB,PC)의 플라즈마 밀도는 균일하게 유지될 필요가 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 안테나 구조체들의 소모 전력, 제2 형 안테나 구조체(B)의 안테나 구조체들의 소모 전력, 및 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 안테나 구조체들의 소모 전력은 서로 다를 필요가 있다.The plasma may be recombined and extinguished in the wall of the
도 4 내지 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도들이다.4 to 5 are plan views illustrating a plasma generating apparatus according to other embodiments of the present invention.
도 4를 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 금속 상판(110) 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 4 * 4 메트릭스를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are arranged and rectangular through holes Hmn. A metal
상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 금속 상판(110)의 두 측면과 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체(A), 상기 상판의 일 측면과 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제2 형 안테나 구조체 사이에 배치되는 제3 형 안테나 구조체(C)로 분리될 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 사각형 형태일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)는 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)는 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(C)은 상기 금속 상판(110)의 중심 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)은 T11,T41,T44,T14를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)은 T21,T31,T42,T43,T34,T24,T13,T12를 포함할 수 있다. 상기 제3 안테나 구조체(C)은 T22,T32,T33,T23을 포함할 수 있다.The antenna structures Tmns may include a first type antenna structure A disposed adjacent to two side surfaces of the metal
도 5를 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 금속 상판, 및 각각의 상기 절연판들 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 상판 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 안테나 구조체들은 2 * 3 매트릭스를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are arranged and rectangular through holes Hmn. A metal top plate), and antenna structures Tmn disposed on each of the insulating plates. The antenna structures Tmn form a plasma under the upper plate. The antenna structures may form a 2 * 3 matrix.
상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 금속 상판(110)의 두 측면과 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체(A), 및 상기 상판의 일 측면과 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체(B)로 분리될 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 사각형 형태일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)는 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)는 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)은 T11,T31,T32,T12를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)은 T21,T12를 포함할 수 있다.The antenna structures Tmn are first type antenna structures A disposed adjacent to two side surfaces of the metal
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 영역에 따른 특성을 설명하는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating characteristics according to regions of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 6, 도 7 및 도 2를 참조하면, 전원부(170)는 안테나 구조체들(Tmn)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전원부(170)와 상기 안테나 구조체들(Tmn) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 정합회로부(160)가 배치될 수 있다.6, 7 and 2, the
상기 전원부(170)는 AC, RF 전원일 수 있다. 상기 전원부(170)의 출력 임피던스는 50 오옴(Ohm)일 수 있다. 상기 전원부(170)는 연속 모드 또는 펄드 모드로 동작할 수 있다. 상기 정합회로부(160)는 상기 안테나 구조체들(Tmn)을 포함하는 부하(Load)에 상기 전원부(170)의 전력을 최대로 전달하는 수단일 수 있다.The
상기 전원부(170)는 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급할 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 제1 형 안테나 구조체(240a), 제2 형 안테나 구조체(240b), 및 제3 형 안테나 구조체(240c)를 포함할 수 있다. 상기 전원부(170)는 상기 제1 형 안테나 구조체(240a), 상기 제2 형 안테나 구조체(240b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)에 병렬 연결될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 A영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 B 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)는 C 영역에 배치될 수 있다.The
상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 제1 리액턴스 소자부(150a)와 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 제2 리액턴스 소자부(150b)와 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)는 제3 리액턴스 소자부(150c)와 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 리액턴스 소자부(150a,150b,150c)는 상기 제1 형 내지 제3 형 안테나 구조체에 따라, 서로 다른 전력을 분배하는 수단일 수 있다. 상기 리액턴스 소자부들(150a,150b,150c)은 가변 리액턴스 소자를 포함할 수 있다. 상기 가변 리액턴스 소자는 가변 축전기 또는 가변 인덕터일 수 있다.The first
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 제2 및 제3 가변 소자부(150b,150c)만을 이용하여, 상기 제1 내지 제3 안테나 구조체에 서로 다른 전력을 공급할 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, only the second and third
상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 4 개의 안테나 구조체(T31, T33, T13, T11)를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 안테나 구조체들(T31, T33, T13, T11)은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. Z(T31), Z(T33), Z(T13), 및 Z(T11)는 각각 T31, T33, T13, 및 T11을 포함하는 등가 임피던스들이다. The first
상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 4 개의 안테나 구조체(T32, T23, T12, T21)를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 안테나 구조체들(T32, T23, T12, 및 T21)은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. Z(T32), Z(T23), Z(T12), Z(T21)는 T32, T23,T12, 및 T21을 포함하는 등가 임피던스들이다. The second
상기 제3 형 안테나 구조체(240c)는 하나의 안테나 구조체(T22)를 포함할 수 있다. Z(T22)는 상기 제3 형 안테나 구조체(C, 240c)를 포함하는 등가 임피던스일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 총 임피던스는 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 총 임피던스와 같을 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 안테나 구조체들에 더 많은 전력을 공급하기 위하여, 상기 제1 리액턴스 소자부(150a)의 임피던스는 상기 제2 리액턴스 소자부(150b)의 임피던스보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 총 임피던스는 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)의 총 임피던스보다 작을 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)에 더 많은 전력을 공급하기 위하여, 상기 제2 리액턴스 소자부(150b)의 임피던스는 상기 제3 리액턴스 소자부(150c)의 임피던스 보다 작을 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있다.The third
상기 제1 안테나 구조체(240a)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력(P(A))은 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력(P(B))보다 클 수 있다. 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조 체에서 소모되는 전력(P(B))은 상기 제3 안테나 구조체(240c)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력(P(C))보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 안테나 구조체(A) 하부의 플라즈마 밀도(Np(A)), 상기 제2 안테나 구조체(B) 하부의 플라즈마 밀도(Np(B)), 및 상기 제3 안테나 구조체(C) 하부의 플라즈마 밀도(Np(C))의 균일성을 확보할 수 있다.Power P (A) consumed by each antenna structure of the
상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류(I(A))는 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))보다 클 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))는 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류(I(C))보다 클 수 있다. 이에 따라, 이에 따라, 상기 제1 안테나 구조체(A) 하부의 플라즈마 밀도(Np(A)), 상기 제2 안테나 구조체(B) 하부의 플라즈마 밀도(Np(B)), 및 상기 제3 안테나 구조체(C) 하부의 플라즈마 밀도(Np(C))의 균일성을 확보할 수 있다.The first current I (A) flowing in each antenna structure of the first type antenna structure A is the second current I (B) flowing in each antenna structure of the second type antenna structure B. May be greater than). The second current I (B) flowing in each antenna structure of the second type antenna structure B is the third current I (C) flowing in each antenna structure of the third type antenna structure C. May be greater than). Accordingly, accordingly, the plasma density Np (A) under the first antenna structure A and the lower portion of the second antenna structure B Uniformity of the plasma density Np (B) and the plasma density Np (C) under the third antenna structure C may be ensured.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 2 및 도 8을 참조하면, 전원부(170)는 안테나 구조체들(Tmn)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전원부(170)는 복수 개일 수 있다. 상기 전원부(170)는 제1 전원부(170a), 제2 전원부(170b), 및 제3 전원부(170c)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전원부(170a), 제2 전원부(170b), 및 제3 전원부(170c)의 구동 주파수는 동일할 수 있다.2 and 8, the
상기 전원부(170)는 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급할 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 제1 형 안테나 구조체(A), 상기 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(B)로 분리될 수 있다.The
상기 제1 전원부(170a)와 상기 제1 형 안테나 구조체(240a) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 제1 정합회로부(160a)가 배치될 수 있다. 상기 제2 전원부(170b)와 상기 제2 형 안테나 구조체(240b) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 제2 정합회로부(160b)가 배치될 수 있다. 상기 제3 전원부(170c)와 상기 제3 형 안테나 구조체(240c) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 제3 정합회로부(160c)가 배치될 수 있다. 상기 전원부들(170a,170b,170c)은 AC, RF 전원일 수 있다. 상기 전원부들(170a,170b,170c)의 출력 임피던스는 50 오옴(Ohm)일 수 있다.A first
상기 제1 전원부(170a)는 제1 형 안테나 구조체(240a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 4 개의 안테나 구조체(T31, T33, T13, T11)를 포함할 수 있다. Z(T31), Z(T33), Z(T13), 및 Z(T11)는 각각 T31, T33, T13, 및 T11을 포함하는 등가 임피던스들일 수 있다. T31, T33, T13, 및 T11는 병렬 연결될 수 있다.The first
상기 제2 전원부(170b)는 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 4 개의 안테나 구조체(T32, T23, T12, 및 T21)를 포함할 수 있다. Z(T32), Z(T23), Z(T12), 및 Z(T21)는 각각 T32, T23,T12, 및 T21을 포함하는 등가 임피던스들이다. 32, T23,T12, 및 T21는 병렬 연결될 수 있다.The second
상기 제3 전원부(170c)는 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(C)는 하나의 안테나 구조체(T22)를 포함할 수 있다. Z(T22)는 T33을 포함하는 등가 임피던스이다.The third
상기 제1 안테나 구조체(240a)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력은 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력보다 클 수 있다. 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력은 상기 제3 안테나 구조체(240c)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력보다 클 수 있다.Power consumed by each antenna structure of the
상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류(I(A))는 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))보다 클 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))는 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류(I(C))보다 클 수 있다.The first current I (A) flowing in each antenna structure of the first
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 제1 전원부(170a), 제2 전원부(170b), 및 제3 전원부(170c)의 구동 주파수는 서로 다를 수 있다. According to a modified embodiment of the present invention, the driving frequencies of the
도 9은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다. 도 9은 도 1의 II-II' 선을 따른 단면도이다.9 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 1.
도 1, 도 3 및 도 9을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn,130), 상기 절연판들(130)이 배치되는 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn, 120) 을 갖는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들(Smn,130) 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn,140)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 절연체 판들 하부에 플라즈마를 형성한다.1, 3, and 9, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn and 130 arranged in a matrix along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates ( The metal
진공 용기(100)는 사각형의 챔버일 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 배기부(미도시), 가스 공급부(미도시), 기판(202), 및 기판 홀더(204) 등을 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리 공정은 식각, 증착, 이온 주입, 및 표면처리 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판(202) 및 상기 기판 홀더(204)는 사각형일 수 있다. 상기 기판(202)은 유기 발광 소자 기판, 태양 전지 기판, 액정 표시 기판, 또는 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판 홀더는 온도 조절부(미도시), 정전척부(electrostatic chuck), 전원 인가부 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 온도 조절부는 상기 기판의 온도를 조절할 수 있다. 상기 정전척부는 상기 기판을 탈착하는 수단일 수 있다. 상기 전원 인가부는 상기 기판에 RF bias 전압을 인가하는 수단일 수 있다.The
상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 제1 형 안테나 구조체들(A), 상기 제2 형 안테나 구조체들(B), 및 상기 제3 형 안테나 구조체들(B)로 분리될 수 있다. T21은 절연판(S21) 하부에 플라즈마(P21)을 형성할 수 있다. T23은 절연판(T23) 하부에 플라즈마(P23)를 형성할 수 있다. T22는 절연판(S22) 하부에 플라즈마(P22)를 형성할 수 있다.The antenna structures Tmn and 140 may be separated into the first type antenna structures A, the second type antenna structures B, and the third type antenna structures B. FIG. T21 may form the plasma P21 under the insulating plate S21. T23 may form a plasma P23 under the insulating plate T23. T22 may form the plasma P22 under the insulating plate S22.
상기 제1 형 안테나 구조체들(A)은 서로 병렬 연결되어, 제1 리액티브 소자 부(미도시)에 직렬 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체들(B)는 서로 병렬 연결되어, 제2 리액티브 소자부(150b)에 직렬 연결될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체들(C)는 제3 리액티브 소자부(150c)에 직렬 연결될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 리액티브 소자부는 정합회로부(160)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 정합회로부(160)는 전원부(170)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first type antenna structures A may be connected in parallel to each other and connected in series to a first reactive element unit (not shown). The second type antenna structures B may be connected in parallel to each other, and may be serially connected to the second
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예들에 따른 안테나 구조체를 설명하는 사시도들이다.10 to 12 are perspective views illustrating an antenna structure according to one embodiment of the present invention.
도 10를 참조하면, 안테나 구조체(540)는 제1 내지 제4 보조 안테나들(540a, 540b,540c,540d)를 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 사각형 형상일 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 상층 및 하층의 복층 구조를 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 인쇄회로 기판(559)에 형성될 수 있다. 상기 안테나 구조체의 두께는 수 밀리미터 내지 수 센치 미터일 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 평면도 상에 사각형 형상일 수 있다. 제1 방향의 따른 상기 안테나 구조체의 길이는 수십 센치 미터 내지 수 미터일 수 있다. 상기 제1 방향을 가로지르는 제 2 방향에 따른 상기 안테나 구조체의 길이는 수십 센치 미터 내지 수 미터일 수 있다. 상기 보조 안테나들은 연결 배선(미도시)을 통하여 서로 병렬 연결되어 하나의 안테나 구조체를 형성할 수 있다. 파워단(P1,P2,P3,P4)은 상기 연결 배선을 통하여 전원부에 연결될 수 있다. 또한, 접지단(G1,G2,G3,G4)는 상기 연결 배선을 통하여 접지될 수 있다. 상기 연결 배선은 인쇄회로 기판에 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 보조 안테나들(540a, 540b,540c,540d) 각각에 흐르는 전류는 상 면 및/또는 하면에 실질적으로 폐루프(closed loop)를 형성하도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 10, the
상기 제1 보조 안테나(540a)는 제1 파워부(541), 제1 연장부(543), 평면 이동부(547), 제2 연장부(545), 및 제1 접지부(549)를 포함할 수 있다. 상기 제1 파워부(541), 제1 연장부(543), 평면 이동부(547), 제2 연장부(546), 및 제1 접지부(549)는 서로 연속적으로 전기적으로 연결될 수 있다. The first
상기 제1 파워부(541)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(541a) 및 외부 라인(541b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인(541a)의 양단은 상기 외부 라인(541b)과 접속하도록 직각으로 절곡될 수 있다. 상기 제1 파워부(541)의 일단(P1)은 파워가 공급되고, 상기 제1 파워부(541)의 타단은 상기 외부 라인(541b)의 연장된 부분일 수 있다. The
상기 제1 연장부(543)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(543a) 및 외부 라인(543b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인(543a)의 일단은 상기 외부 라인(543b)과 접촉하도록 절곡될 수 있다. 상기 외부라인(543b)의 일단은 연장될 수 있다. 상기 제1 파워부(541)의 상기 외부 라인(541b)의 타단과 상기 제1 연장부(543)의 상기 외부라인(543b)의 일단은 서로 직각으로 교차하면서 접촉할 수 있다. 상기 제1 연장부(543)와 상기 제1 파워부(541)의 접촉 부위는 사각형의 모서리에 배치될 수 있다.The
상기 제2 연장부(545)는 상기 제1 연장부와 동일한 형태일 수 있다. The
상기 제 1 접지부(549)는 상기 파워부와 동일한 형태일 수 있다. 상기 제2 연장부(545)와 상기 제1 접지부(549)는 시계방향으로 90도 회전한 다른 모서리에서 배치될 수 있다. 상기 제1 파워부(541)와 상기 제1 연장부(543)는 상층에 배치될 수 있고, 상기 제2 연장부(545) 및 상기 제1 접지부(549)는 하층에 배치될 수 있다. The first ground part 549 may have the same shape as the power part. The
상기 제1 연장부(543)의 상기 내부 라인(543a)의 타단과 상기 외부 라인(543b)의 타단은 각각 상기 제2 연장부(545)의 내부라인(545a)의 타단과 외부 라인(545b)의 타단을 연결될 수 있다. 상기 평면 이동부는 상기 인쇄 회로 기판을 관통하는 관통홀에 도전성 물질을 채워서 형성할 수 있다.The other end of the
상기 제2 내지 제4 보조 안테나들(540b,540c,540c,540d)은 상기 제1 보조 안테나와 동일한 형태로 시계방향으로 회전하면서 대칭적으로 배치될 수 있다. The second to fourth
도 11를 참조하면, 안테나 구조체(1140)는 제1 및 제2 보조 안테나들(1140a,1140b)을 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(1140)은 인쇄회로 기판(1149)에 형성될 수 있다. 파워단(P1,P2)는 전원부에 연결될 수 있다. 또한, 접지단(G1,G2)는 접지될 수 있다. 상기 안테나 구조체(1140)는 상층 및 하층의 복층으로 구성될 수 있다. 상기 안테나 구조체(1140)는 사각형 형상일 수 있다. 상기 제1 보조 안테나(1140a)는 제1 파워부(1141), 제1 연장부(1142), 제2 연장부(1143), 평면이동부(1144), 제3 연장부(1145), 제4 연장부(1146), 및 제1 접지부(1147)를 포함할 수 있다. 제1 파워부(1141), 제1 연장부(1142), 제2 연장부(1143), 평면이동부(1144), 제3 연장부(1145), 제4 연장부(1146), 및 제1 접지부(1147)는 서로 연속적으로 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 11, the
상기 제1 파워부(1141)는 상면의 제1 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)는 상면의 제2 변에 배치될 수 있다. 상기 제2 연장부(1143)는 상면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제3 연장부(1145)는 하면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제 4 연장부(1146)는 하면의 제4 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 접지부(1147)는 하면의 제1 변에 배치될 수 있다. 제1 파워부(1141), 제2 연장부(1143), 제3 연장부(1145),및 제1 접지부(1147)는 같은 길이 일 수 있다. 상기 제1 연장부(1142) 및 상기 제4 연장부(1146)의 길이는 같은 길이일 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)의 길이는 상기 제1 파워부의 길이의 두 배일 수 있다. 상기 제1 파워부(1141)는 상기 제1 접지부(1147)와 동일한 형상일 수 있다. 상기 제2 연장부(1143)와 상기 제3 연장부(1145)는 동일한 형상일 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)와 상기 제4 연장부(1146)는 동일한 형상일 수 있다. The
상기 제1 파워부(1141)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(1141a) 및 외부 라인(1141b)을 포함하고, 상기 내부 라인(1141a)의 양단은 상기 외부 라인(1141b)과 접속하도록 직각으로 절곡될 수 있다. 상기 제1 파워부(1141)의 일단(P1)은 파워가 공급되고, 상기 제1 파워부(1141)의 타단은 상기 외부 라인(1141)의 연장된 부분일 수 있다. The
상기 제1 연장부(1142)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(1142a) 및 외부 라인(1142b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인의 양단은 외부 라인과 접촉하도록 절곡될 수 있다. 상기 내부라인(1142a)의 양단은 직각으로 절곡되어 상기 외부라인(1142b)에 접속할 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)의 상기 외부라인(1142b) 의 양단은 연장될 수 있다. 상기 제1 파워부(1141)의 상기 외부 라인(1141b)의 타단과 상기 제1 연장부(1142)의 상기 외부라인(1142b)의 일단은 서로 직각으로 교차하면서 접촉할 수 있다. The
상기 제2 연장부(1143)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(1143a) 및 외부 라인(1143b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인(1143a)의 일단은 상기 외부 라인(1143b)과 접촉하도록 절곡될 수 있다. 상기 제2 연장부(1143)의 상기 외부라인(1143b)의 양단은 연장될 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)의 상기 외부 라인(1142b)의 타단과 상기 제2 연장부(1143)의 상기 외부라인(1143b)의 일단은 서로 직각으로 교차하면서 접촉할 수 있다. The
상기 제3 연장부(1145)는 상기 제2 연장부(1143)와 동일한 형태일 수 있다. The
상기 평면이동부(1144)는 상기 제2 연장부(1143)와 상기 제3 연장부(1145)를 서로 연결하면서 상층에서 하층으로 연장될 수 있다. The planar moving part 1144 may extend from an upper layer to a lower layer while connecting the
상기 제4 연장부는 상기 제1 연장부와 동일한 형태일 수 있다. 상기 제3 연장부(1145)는 상기 제4 연장부(1146)와 직각으로 절속될 수 있다. The fourth extension part may have the same shape as the first extension part. The
상지 제1 접지부(1147)는 상기 제1 파워부(1141)와 동일한 형태일 수 있다. 상기 제4 연장부(1146)는 상기 제1 접지부(1141)와 직각으로 절속될 수 있다.The upper limb
상기 제2 보조 안테나(1140b)는 상기 제1 보조 안테나(1140a)와 동일한 형상으로 시계방향으로 180도 회전하면서 대칭적으로 배치될 수 있다.The second
도 12를 참조하면, 안테나 구조체(2140)는 제1 및 제2 보조 안테나 들(2140a,2140b)을 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(2140)는 인쇄회로 기판(2249)에 형성될 수 있다. 파워단(P1,P2)은 전원부에 연결될 수 있다. 또한, 접지단(G1,G2)은 접지될 수 있다. 상기 안테나 구조체(2140)는 복층 구조일 수 있다.Referring to FIG. 12, the
상기 제1 보조 안테나(2140a)는 제1 파워부(2141), 제1 연장부(2142), 제2 연장부(2143), 평면이동부(2144), 제3 연장부(2145), 제4 연장부(2146), 및 제1 접지부(2147)를 포함할 수 있다. 상기 제1 파워부(2141), 제1 연장부(2142), 제2 연장부(2143), 평면이동부(2144), 제3 연장부(2145), 제4 연장부(2146), 및 제1 접지부(2147)는 서로 연속적으로 전기적으로 연결될 수 있다. The first
상기 제1 파워부(2141)는 상층의 제1 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 연장부(2142)는 상면의 제2 변에 배치될 수 있다. 상기 제2 연장부(2143)는 상면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제3 연장부(2145)는 하면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제 4 연장부(2146)는 하면의 제4 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 접지부(2147)는 하면의 제1 변에 배치될 수 있다. 상기 파워부(2141), 제2 연장부(2143), 제3 연장부(2145), 및 제1 접지부(2147)의 길이는 같을 수 있다. 상기 제1 연장부(2142) 및 제4 연장부(2146)의 길이는 같을 수 있다.The
상기 제1 파워부(2141), 제2 연장부(2143), 제3 연장부(2145), 및 제1 접지부(2147)는 동일한 형상일 수 있다. 상기 제1 연장부(2142) 및 제4 연장부(2146)는 동일한 형상일 수 있다. 상기 평면이동부(2144)는 상면의 제2 연장부(2143)와 하면 제 3 연장부(2145)를 연결할 수 있다. The
상기 제2 보조 안테나(2140b)는 상기 제1 보조 안테나와 동일한 형상을 가 질 수 있고, 시계방향으로 180도 회전하여 대칭적으로 배치될 수 있다.The second
상기 안테나 구조체(2140)는 양면의 인쇄회로기판(2249)에 형성될 수 있다. 상기 안테나 구조체(2140)는 상기 인쇄회로기판(2249)을 패터닝하여 형성될 수 있다. 상기 안테나 구조체는 구리, 금, 은, 알루미늄, 주석 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.13 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 13 을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 매트릭스 형태를 배열되어 사각형을 이루는 안테나 구조체들(3140a,3140b,3140c;Tmn)을 포함한다. 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn,130)은 상기 안테나 구조체 아래에 배치된다. 금속 상판(110)은 상기 절연판들(130)이 배치되는 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn, 120)을 갖는다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 금속 상판(110)의 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 사각형의 모서리에 배치되는 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 사각형의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b) 및 제1 형 안테나 구조체들(3140a)로 둘러싸여 배치되는 제3 형 안테나 구조체(3140c)를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a)은 A 영역에 배치되고, 상기 제2 안테나 구조체들(3140b)는 B 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 안테나 구조체(3140c)는 C 영역에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 13, the plasma generating apparatus includes
상기 금속 상판(110)은 사각형 형태일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a)는 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b)는 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)은 상기 금속 상판(110)의 중심 상에 배치될 수 있다.The metal
도 10 내지 도 12를 참조하면, 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)는 물리적으로 다른 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)는 서로 다른 임피던스를 가질 수 있다.10 to 12, the first
상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)에 의하여 상기 금속 상판(110) 하부에 형성된 플라즈마는 균일성을 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a)은 서로 병렬 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b)은 서로 병렬 연결될 수 있다. 전원부(미도시)는 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나(3140c)에 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. The plasma formed under the metal
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.1 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도이다. 2 is a plan view illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4 내지 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도들이다.4 to 5 are plan views illustrating a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 영역에 따른 특성을 설명하는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating characteristics according to regions of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 9은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.9 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체를 설명하는 사시도들이다.10 to 12 are perspective views illustrating an antenna structure according to an embodiment of the present invention.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.13 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101619896B1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-05-23 | 인베니아 주식회사 | An plasma process apparatus and an antenna assembly for that |
Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
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CN115312367A (en) * | 2021-05-06 | 2022-11-08 | 圆益Ips股份有限公司 | Inductively coupled plasma processing apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176038A (en) * | 2001-09-25 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment system |
JP2005285564A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma treatment device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200253559Y1 (en) * | 2001-07-30 | 2001-11-22 | 주식회사 플라즈마트 | Antenna Structure of Inductively Coupled Plasma Generating Device |
KR100626192B1 (en) * | 2001-09-27 | 2006-09-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Electromagnetic field supply device and plasma processing device |
JP4338355B2 (en) * | 2002-05-10 | 2009-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
JP4482308B2 (en) * | 2002-11-26 | 2010-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
TW595272B (en) * | 2003-07-18 | 2004-06-21 | Creating Nano Technologies Inc | Plasma producing system |
KR100734954B1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 주식회사 플라즈마트 | A printed circuit board type antenna for inductively coupled plasma generating device |
-
2008
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-
2009
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176038A (en) * | 2001-09-25 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment system |
JP2005285564A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma treatment device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101619896B1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-05-23 | 인베니아 주식회사 | An plasma process apparatus and an antenna assembly for that |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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