KR101028242B1 - Light emitting device and lighting unit using the same - Google Patents

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KR101028242B1 KR1020100028842A KR20100028842A KR101028242B1 KR 101028242 B1 KR101028242 B1 KR 101028242B1 KR 1020100028842 A KR1020100028842 A KR 1020100028842A KR 20100028842 A KR20100028842 A KR 20100028842A KR 101028242 B1 KR101028242 B1 KR 101028242B1
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이주석
김태진
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device and a light unit using the same are provided to prevent a short between a body and first and second electrodes by forming an insulation layer on the surface of the body. CONSTITUTION: A first electrode(31) and a second electrode(32) are installed on a body(10). A light emitting chip(20) is electrically connected to the first and second electrodes and generates light. A support pad(12) surrounds the light emitting chip. A dam member(42) is formed on the support pad. A first molding member(40) is formed in the dam member to seal the light emitting chip.

Description

발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING UNIT USING THE SAME}LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING UNIT USING THE SAME}

실시예는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device and a light unit using the same.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표 상의 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소를 화합함으로써 생성할 수 있다. LED는 화합물 반도체의 조성비 및 재질을 조절함으로써 다양한 색상 구현이 가능하다.Light emitting diodes (LEDs) may be produced by combining p-n junction diodes having characteristics of converting electrical energy into light energy by combining elements of Groups III and V of the periodic table. LED can realize various colors by adjusting the composition ratio and the material of the compound semiconductor.

발광 다이오드는 순 방향 전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 빛 에너지를 생성할 수 있다.When the forward voltage is applied, the n-layer electrons and the p-layer holes combine to generate light energy corresponding to the energy gap of the conduction band and the valence band.

발광 다이오드의 재질의 일종인 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) LED, 녹색(Green) LED, 자외선(UV) LED 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors, which are a kind of light emitting diodes, have received great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, blue LEDs, green LEDs, and ultraviolet (UV) LEDs using nitride semiconductors are commercially used and widely used.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure and a light unit using the same.

실시예는 색 편차가 적은 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a small color deviation and a light unit using the same.

실시예에 따른 발광 소자는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 몸체에 설치된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩; 상기 발광칩을 주위를 둘러싸도록 형성된 지지 패드; 상기 지지 패드 상에 형성되며, 적어도 상기 발광칩의 최상면보다 위로 돌출된 댐 부재; 상기 댐 부재의 내측에 상기 발광칩을 밀봉하도록 형성된 제1 몰딩부재; 및 상기 캐비티에 상기 제1 몰딩부재 및 상기 댐 부재를 밀봉하도록 형성된 제2 몰딩부재를 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a body including a cavity; First and second electrodes installed on the body; A light emitting chip installed in the body and electrically connected to the first electrode and the second electrode to generate light; A support pad formed to surround the light emitting chip; A dam member formed on the support pad and protruding at least above a top surface of the light emitting chip; A first molding member formed to seal the light emitting chip inside the dam member; And a second molding member formed to seal the first molding member and the dam member in the cavity.

실시예에 따른 라이트 유닛은 광가이드 부재; 및 상기 광가이드 부재의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치되며, 복수의 발광 소자가 탑재된 발광 모듈을 포함하며, 상기 복수의 발광 소자 각각은, 캐비티를 포함하는 몸체와, 상기 몸체에 설치된 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩과, 상기 발광칩을 주위를 둘러싸도록 형성된 지지 패드와, 상기 지지 패드 상에 형성되며, 적어도 상기 발광칩의 최상면보다 위로 돌출된 댐 부재와, 상기 댐 부재의 내측에 상기 발광칩을 밀봉하도록 형성된 제1 몰딩부재와, 상기 캐비티에 상기 제1 몰딩부재 및 상기 댐 부재를 밀봉하도록 형성된 제2 몰딩부재를 포함한다.The light unit according to the embodiment includes a light guide member; And a light emitting module disposed on at least one side surface or a bottom surface of the light guide member and having a plurality of light emitting elements mounted thereon, each of the plurality of light emitting elements including a body including a cavity and a first electrode provided on the body. And a second electrode, a light emitting chip installed on the body and electrically connected to the first electrode and the second electrode to generate light, a support pad formed to surround the light emitting chip, and on the support pad. A dam member protruding at least above the top surface of the light emitting chip, a first molding member formed to seal the light emitting chip inside the dam member, and sealing the first molding member and the dam member in the cavity. And a second molding member which is formed to be.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a new structure and a light unit using the same.

실시예는 색 편차가 적은 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a small color deviation and a light unit using the same.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측 단면도
도 2는 도 1의 발광 소자의 상면도
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 도면
도 4는 다른 실시예에 따른 발광 소자의 측 단면도
도 5는 도 4의 발광 소자의 분해 사시도
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면
도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면
도 8은 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 조명 유니트를 도시한 도면1 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment
FIG. 2 is a top view of the light emitting device of FIG. 1. FIG.
3 illustrates a light emitting device according to another embodiment;
4 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment
5 is an exploded perspective view of the light emitting device of FIG. 4;
6 is a view showing a light emitting device according to another embodiment
7 illustrates a backlight unit using a light emitting device according to an embodiment;
8 is a view showing a lighting unit using a light emitting device according to the embodiment

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자(100)의 상면도이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device 100 according to an embodiment, and FIG. 2 is a top view of the light emitting device 100 of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 캐비티(15)를 포함하는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과, 상기 캐비티(15)의 바닥면에 형성된 칩 패드(11)와, 상기 칩 패드(11) 상에 탑재되며, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩(20)과, 상기 캐비티(15)의 바닥면에 상기 발광칩(20)을 둘러싸도록 형성된 지지 패드(12)와, 상기 지지 패드(12) 상에 형성되며, 적어도 상기 발광칩(20)의 최상면보다 위로 돌출된 댐 부재(42)와, 상기 댐 부재(42)의 내측에 상기 발광칩(20)을 밀봉하도록 형성된 제1 몰딩부재(40)와, 상기 캐비티(15)에 상기 제1 몰딩부재(40) 및 상기 댐 부재(42)를 밀봉하도록 형성된 제2 몰딩부재(44)를 포함할 수 있다.1 and 2, the light emitting device 100 according to the embodiment may include a body 10 including a cavity 15, a first electrode 31 and a second electrode installed on the body 10. 32, a chip pad 11 formed on the bottom surface of the cavity 15, mounted on the chip pad 11, and electrically connected to the first electrode 31 and the second electrode 32. And a light emitting chip 20 for generating light, a support pad 12 formed on the bottom surface of the cavity 15 to surround the light emitting chip 20, and at least on the support pad 12. A dam member 42 protruding above the top surface of the light emitting chip 20, a first molding member 40 formed to seal the light emitting chip 20 inside the dam member 42, and the cavity ( 15 may include a second molding member 44 formed to seal the first molding member 40 and the dam member 42.

상기 몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 10 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlOx, photosensitive glass (PSG), polyamide 9T (PA9T), neogeotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), may be formed of at least one of a printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board). The body 10 may be formed by injection molding, an etching process, but is not limited thereto.

상기 몸체(10)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(10)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어, 상기 몸체(10)와 상기 제1,2 전극(31,32) 등과의 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.When the body 10 is formed of a material having electrical conductivity, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 10, the body 10 and the first and second electrodes (31, 32), etc. Electrical shorts can be prevented.

또한, 상기 몸체(10)가 실리콘(Si)으로 형성된 경우, 상기 몸체(10)에는 도전형 도펀트를 주입하는 방식으로 제너(zener) 다이오드 등의 보호 소자를 집적 회로 형태로 형성할 수 있다. 또한, 상기 몸체(10)가 실리콘으로 형성된 경우 상기 몸체(10)의 외측면은 경사지게 형성될 수 있는데, 이는 에칭 공정에 의해 복수 개의 몸체들을 서로 분리하기 때문일 수 있다.In addition, when the body 10 is formed of silicon (Si), the protection element such as a zener diode may be formed in the form of an integrated circuit by injecting a conductive dopant into the body 10. In addition, when the body 10 is formed of silicon, the outer surface of the body 10 may be formed to be inclined, which may be because the plurality of bodies are separated from each other by an etching process.

상기 몸체(10)에는 상부가 개방되도록 상기 캐비티(15)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(15)는 예를 들어, 상기 몸체(10)를 사출 성형 과정에서 형성되거나, 에칭 공정에 의해 별도로 형성될 수 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.The cavity 15 may be formed in the body 10 so that an upper portion thereof is opened. The cavity 15 may be formed, for example, in the injection molding process of the body 10 or may be separately formed by an etching process, but is not limited thereto.

상기 캐비티(15)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(15)의 내측면은 바닥면에 대해 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(15)를 상면에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상 일 수 있다.The cavity 15 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the inner surface of the cavity 15 may be a side perpendicular to the bottom surface or an inclined side surface. In addition, the shape of the cavity 15 viewed from the top surface may be a shape such as a circle, a rectangle, a polygon, an oval, or the like.

상기 제1 전극(31) 및 상기 제2 전극(32)은 서로 전기적으로 분리되도록 상기 몸체(10)에 설치될 수 있다. The first electrode 31 and the second electrode 32 may be installed in the body 10 to be electrically separated from each other.

상기 제1,2 전극(31,32)은 상기 발광칩(20)과 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(20)에 전원을 제공할 수 있다. The first and second electrodes 31 and 32 may be electrically connected to the light emitting chip 20 to provide power to the light emitting chip 20.

상기 제1 전극(31) 및 상기 제2 전극(32)의 일단은 상기 몸체(10)의 상기 캐비티(15) 내에 배치되고, 타단은 상기 몸체(10)를 따라 상기 몸체(10)의 외측 또는 하면에 노출될 수 있다. 또는, 상기 제1,2 전극(31,32)은 상기 몸체(10)의 상면 및 하면을 관통하여 상기 발광 소자(100)의 바닥면을 이룰 수도 있으며, 상기 제1,2 전극(31,32)의 구조에 대해 한정하지는 않는다.One end of the first electrode 31 and the second electrode 32 is disposed in the cavity 15 of the body 10, the other end of the first electrode 31 and the second electrode 32 outside or outside the body 10 along the body 10. May be exposed to the bottom surface. Alternatively, the first and second electrodes 31 and 32 may pass through the top and bottom surfaces of the body 10 to form a bottom surface of the light emitting device 100, and the first and second electrodes 31 and 32 may be used. It does not limit about the structure of).

상기 제1,2 전극(31,32)은 도금 방법, 증착 방법 또는 포토리소그래피 방법 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second electrodes 31 and 32 may be selectively formed using a plating method, a deposition method, or a photolithography method, but are not limited thereto.

상기 제1,2 전극(31,32)은 전기 전도성을 갖는 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 규소(Si), 저마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1,2 전극(31,32)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first and second electrodes 31 and 32 are electrically conductive metal materials, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum. (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium It may include one or more materials or alloys from among (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). In addition, the first and second electrodes 31 and 32 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but are not limited thereto.

상기 칩 패드(11)는 상기 캐비티(15)의 바닥면에 형성될 수 있다. 즉, 상기 칩 패드(11)의 최상면은 상기 캐비티(15)의 바닥면보다 높도록 형성될 수 있다.The chip pad 11 may be formed on the bottom surface of the cavity 15. That is, the top surface of the chip pad 11 may be formed to be higher than the bottom surface of the cavity 15.

상기 칩 패드(11)는 상기 발광칩(20)을 상기 몸체(10)에 접합시킬 수 있도록, 접착성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 칩 패드(11)는 각종 접착제, 예를 들어 수지 재질을 포함하는 비전도성 접착제, 수지 재질에 도전성 필러가 충진된 도전형 접착제 또는 Ti, Au 등 접착력이 좋은 금속 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The chip pad 11 may be formed of an adhesive material to bond the light emitting chip 20 to the body 10. The chip pad 11 may be formed of any one of various adhesives, for example, a non-conductive adhesive including a resin material, a conductive adhesive filled with a conductive filler in the resin material, or a metal material having good adhesion such as Ti and Au. It does not limit to this.

상기 칩 패드(11) 상에는 상기 발광칩(20)이 탑재되므로, 상기 칩 패드(11)의 상면의 면적은 상기 발광칩(20)의 면적보다 같거나 크도록 형성되는 것이 바람직하다.Since the light emitting chip 20 is mounted on the chip pad 11, the area of the upper surface of the chip pad 11 may be equal to or larger than the area of the light emitting chip 20.

한편, 도 3은 다른 실시예에 따른 발광 소자(100B)를 도시한 도면인데, 도 3에 도시된 것처럼 상기 칩 패드(11)는 형성되지 않을 수도 있다. 이 경우, 상기 발광칩(20)은 상기 몸체(10) 또는 상기 제1,2 전극(31,32) 상에 직접 접합될 수 있다.Meanwhile, FIG. 3 illustrates a light emitting device 100B according to another embodiment. As illustrated in FIG. 3, the chip pad 11 may not be formed. In this case, the light emitting chip 20 may be directly bonded to the body 10 or the first and second electrodes 31 and 32.

상기 발광칩(20)은 상기 칩 패드(11) 상에 설치되거나, 상기 몸체(10) 또는 상기 제1,2 전극(31,32) 상에 직접 접합되어 형성될 수 있다.The light emitting chip 20 may be installed on the chip pad 11 or directly bonded to the body 10 or the first and second electrodes 31 and 32.

상기 발광칩(20)은 예를 들어, 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode) 일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting chip 20 may be, for example, a light emitting diode (LED), but is not limited thereto.

상기 발광칩(20)이 발광 다이오드(LED)인 경우, 상기 발광 다이오드(LED)는 예를 들어, 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드, 백색 빛을 방출하는 백색 발광 다이오드 및 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드 중 적어도 하나 일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. When the light emitting chip 20 is a light emitting diode (LED), the light emitting diode (LED) may be, for example, a colored light emitting diode emitting red, green or blue light, a white light emitting diode emitting white light, and an ultraviolet ray. It may be at least one of UV (Ultra Violet) light emitting diodes that emit light, but is not limited thereto.

상기 발광칩(20)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 계열의 반도체 재질로 형성되어, 반도체 재질 고유의 색을 갖는 빛을 방출할 수 있다. The light emitting chip 20 is formed of a compound semiconductor of Group III-V group elements, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP-based semiconductor materials. Thus, light having a color unique to the semiconductor material may be emitted.

상기 발광칩(20)은 와이어 방식에 의해 상기 제1,2 전극(31,32)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도시된 것처럼, 상기 발광칩(20)에 일단이 접합된 와이어는 상기 제1 몰딩부재(40)를 관통하여 상기 제1,2 전극(31,32)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting chip 20 may be electrically connected to the first and second electrodes 31 and 32 by a wire method. As shown in the drawing, a wire having one end bonded to the light emitting chip 20 may be electrically connected to the first and second electrodes 31 and 32 through the first molding member 40.

다만, 상기 발광칩(20)은 칩 본딩 방식, 플립 칩 방식 등에 의해 상기 제1,2 전극(31,32)에 전기적으로 연결될 수도 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the light emitting chip 20 may be electrically connected to the first and second electrodes 31 and 32 by a chip bonding method or a flip chip method, but is not limited thereto.

상기 지지 패드(12)는 상기 칩 패드(11) 및 상기 발광칩(20)의 주위를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 지지 패드(12)는 상기 캐비티(15)의 바닥면에 대해 돌출되도록 형성될 수 있다. The support pad 12 may be formed to surround the chip pad 11 and the light emitting chip 20. In this case, the support pad 12 may be formed to protrude from the bottom surface of the cavity 15.

상기 지지 패드(12)는 상기 몸체(10)와 일체를 이루거나, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 중 어느 하나와 일체를 이룰 수 있으며, 이는 실시예에 따른 발광 소자(100)의 설계에 따라 변형 가능하다. 따라서, 상기 지지 패드(12)는 상기 몸체(10)와 동일한 재질로 형성되거나, 상기 제1,2 전극(31,32)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.The support pad 12 may be integrated with the body 10 or may be integrated with any one of the first electrode 31 and the second electrode 32. Can be modified according to the design of 100). Therefore, the support pad 12 may be formed of the same material as the body 10 or may be formed of the same material as the first and second electrodes 31 and 32.

상기 지지 패드(12)가 상기 몸체(10)와 동일한 재질로 형성되는 경우, 상기 지지 패드(12)는 상기 몸체(10)의 사출 성형시 형성될 수 있다. 또한 상기 지지 패드(12)는 상기 캐비티(15)의 바닥면에 별도의 에칭 공정 등을 통해 형성될 수 있다. When the support pad 12 is formed of the same material as the body 10, the support pad 12 may be formed during injection molding of the body 10. In addition, the support pad 12 may be formed through a separate etching process or the like on the bottom surface of the cavity 15.

또는, 상기 지지 패드(12)는 상기 제1,2 전극(31,32)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 지지 패드(12)는 상기 제1,2 전극(31,32)에 일체로 형성될 수 있으며, 상기 몸체(10)의 사출 성형시 상기 캐비티(15) 내에 배치될 수 있다. 다만, 상기 지지 패드(12)의 제조방법에 대해 한정하지는 않는다.Alternatively, the support pad 12 may be formed of the same material as the first and second electrodes 31 and 32, and in this case, the support pad 12 may be formed on the first and second electrodes 31 and 32. It may be formed integrally, and may be disposed in the cavity 15 during injection molding of the body 10. However, the manufacturing method of the support pad 12 is not limited.

상기 지지 패드(12)의 내측에는 스페이서(14)가 형성되며, 상기 스페이서(14)는 상기 지지 패드(12)와 상기 발광칩(20) 사이의 공간을 형성한다. 상기 지지 패드(12) 위에는 상기 댐 부재(42)가 형성되게 되는데, 도 2에 도시된 것처럼 상기 댐 부재(42)는 상기 발광칩(20) 주위를 폐곡선을 그리면서 둘러싸도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 지지 패드(12)는 상기 발광칩(20)을 폐곡선을 그리면서 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다.A spacer 14 is formed inside the support pad 12, and the spacer 14 forms a space between the support pad 12 and the light emitting chip 20. The dam member 42 is formed on the support pad 12, and as shown in FIG. 2, the dam member 42 may be formed to surround the light emitting chip 20 while drawing a closed curve. Therefore, the support pad 12 may be formed to surround the light emitting chip 20 while drawing a closed curve.

상기 댐 부재(42)는 상기 지지 패드(12) 상에 형성될 수 있다. 상기 지지 패드(12)가 상기 캐비티(15)의 바닥면에 돌출됨에 따라, 상기 지지 패드(12) 상에는 상기 댐 부재(42)가 용이하게 형성될 수 있다. The dam member 42 may be formed on the support pad 12. As the support pad 12 protrudes from the bottom surface of the cavity 15, the dam member 42 may be easily formed on the support pad 12.

또한, 도시된 것처럼 상기 댐 부재(42)가 상기 지지 패드(12) 상에 형성될 때, 상기 발광칩(20) 쪽으로 흐르지 않도록 하기 위해서, 상기 지지 패드(12)는 상기 칩 패드(11) 또는/및 상기 발광칩(20)과 이격되도록 형성될 수 있다.In addition, as shown, when the dam member 42 is formed on the support pad 12, the support pad 12 may be formed on the chip pad 11 or the same so as not to flow toward the light emitting chip 20. And may be spaced apart from the light emitting chip 20.

상기 댐 부재(42)는 투광성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 댐 부재(42)는 투광성을 갖는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. The dam member 42 may be formed of a light transmitting material. For example, the dam member 42 may be formed of a light transmissive silicone or resin material.

예를 들어, 상기 댐 부재(42)는 디스펜싱(Dispensing) 장비를 이용하여 상기 지지 패드(12) 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 댐 부재(42)가 상기 지지 패드(12)의 외측으로 흘러 넘치지 않도록 상기 댐 부재(42)를 이루는 재질은 점성이 높은 재질로 선택되는 것이 바람직하다.For example, the dam member 42 may be formed on the support pad 12 using dispensing equipment. In this case, the dam member 42 is preferably made of a material having high viscosity so that the dam member 42 does not overflow to the outside of the support pad 12.

한편, 다른 실시예에 따르면 상기 댐 부재(42)는 높은 반사율을 갖는 재질로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 댐 부재(42)는 높은 반사율을 갖는 PPA와 같은 수지 재질 또는 금속 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 지지 패드(12)와 상기 댐 부재(42)는 일체로 형성되거나 별도의 증착 또는/및 도금 공정 등에 의해 형성될 수 있다.Meanwhile, according to another exemplary embodiment, the dam member 42 may be formed of a material having a high reflectance. For example, the dam member 42 may be formed of a resin material or a metal material such as PPA having a high reflectance. In this case, the support pad 12 and the dam member 42 may be integrally formed or formed by a separate deposition or / and plating process.

또한, 상기 댐 부재(42)가 높은 반사율을 갖는 재질로 형성된 경우, 상기 발광칩(20)에서 방출된 빛은 직접 또는 상기 댐 부재(42)에 반사되어 상기 제1 몰딩부재(40) 외부로 추출될 수 있다.In addition, when the dam member 42 is formed of a material having a high reflectance, the light emitted from the light emitting chip 20 is directly or reflected by the dam member 42 to the outside of the first molding member 40. Can be extracted.

상기 댐 부재(42)의 상부 영역의 형상은 상기 댐 부재(42)의 재질 및 제조방법 등에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도시된 것처럼 상기 댐 부재(42)의 상부 영역은 볼록한 형상을 가질 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The shape of the upper region of the dam member 42 may have various shapes according to the material and manufacturing method of the dam member 42. For example, as shown, the upper region of the dam member 42 may have a convex shape, but is not limited thereto.

또한, 상기 댐 부재(42)의 상부 영역은 적어도 상기 발광칩(20)의 최상면보다 위로 돌출될 수 있다. 상기 댐 부재(42)의 내측 스페이서(14)에는 상기 제1 몰딩부재(40)가 형성되는데, 상기 제1 몰딩부재(40)가 상기 발광칩(20)을 밀봉하기 위해서는 상기 댐 부재(42)의 상부 영역이 상기 발광칩(20)의 최상면보다 위로 돌출되어야 하기 때문이다.In addition, an upper region of the dam member 42 may protrude upward from at least the top surface of the light emitting chip 20. The first molding member 40 is formed in the inner spacer 14 of the dam member 42. In order for the first molding member 40 to seal the light emitting chip 20, the dam member 42 is formed. This is because the upper region of the upper surface of the light emitting chip 20 must protrude above the top surface of the light emitting chip 20.

상세히 설명하면, 상기 제1 몰딩부재(40)는 상기 발광칩(20)을 둘러싸고 있는 상기 지지 패드(12) 및 상기 댐 부재(42)의 내측에 실리콘 또는 수지 재질을 디스펜싱(Dispensing) 장비에 의해 충진함으로써 형성될 수 있다. 따라서 상기 댐 부재(42)의 상부 영역이 상기 발광칩(20)의 최상면보다 위로 돌출되어야 상기 제1 몰딩부재(40)가 상기 댐 부재(42)의 외측으로 흘러 넘치지 않으면서 상기 발광칩(20)을 밀봉할 수 있는 것이다.In detail, the first molding member 40 may be formed by dispensing a silicon or resin material inside the support pad 12 and the dam member 42 surrounding the light emitting chip 20. By filling. Therefore, the upper region of the dam member 42 must protrude above the top surface of the light emitting chip 20 so that the first molding member 40 does not overflow to the outside of the dam member 42. ) Can be sealed.

상기 제1 몰딩부재(40)는 비교적 균일한 두께로 상기 발광칩(20)을 밀봉하는 것이 바람직하다. 상기 제1 몰딩부재(40)는 형광체를 포함하고, 상기 발광칩(20)에서 방출되는 빛에 의해 상기 형광체는 여기되어 상기 발광칩(20)으로부터 방출되는 빛의 파장을 변화시키게 된다. 그런데, 상기 제1 몰딩부재(40)가 균일한 두께로 상기 발광칩(20)을 밀봉하지 않는 경우, 상기 발광칩(20)으로부터 방출되는 빛에 경로차가 발생하여 결과적으로 상기 빛의 색 편차가 커질 수 있기 때문이다.The first molding member 40 preferably seals the light emitting chip 20 to a relatively uniform thickness. The first molding member 40 includes a phosphor, and the phosphor is excited by the light emitted from the light emitting chip 20 to change the wavelength of the light emitted from the light emitting chip 20. However, when the first molding member 40 does not seal the light emitting chip 20 with a uniform thickness, a path difference occurs in the light emitted from the light emitting chip 20, and as a result, the color deviation of the light is reduced. Because it can grow.

따라서, 상기 지지 패드(12)(또는 상기 댐 부재(42)) 및 상기 발광칩(20)(또는 상기 칩 패드(11)) 사이의 거리(t1)는, 상기 발광칩(20)의 최상면으로부터 상기 제1 몰딩부재(40)의 상면까지의 거리(t2)와 실질적으로 같을 수 있다. 이를 수식으로 표현하면, 상기 t1과 t2는 0.5 ≤ t1/t2 ≤ 1.5의 관계를 가질 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.Therefore, the distance t1 between the support pad 12 (or the dam member 42) and the light emitting chip 20 (or the chip pad 11) is from the top surface of the light emitting chip 20. It may be substantially equal to the distance (t2) to the upper surface of the first molding member 40. Expressed by the formula, t1 and t2 may have a relationship of 0.5 ≤ t1 / t2 ≤ 1.5, but is not limited thereto.

한편, 상기 제1 몰딩부재(40)의 상면은 편평하거나, 오목하거나, 볼록할 수 있다. 또한, 상기 제1 몰딩부재(40)는 투광성을 갖는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 형광체를 포함할 수 있다.On the other hand, the upper surface of the first molding member 40 may be flat, concave, or convex. In addition, the first molding member 40 may be formed of a transparent silicone or resin material, and may include a phosphor.

상기 제2 몰딩부재(44)는 상기 캐비티(15)에 상기 제1 몰딩부재(40) 및 상기 댐 부재(42)를 밀봉하도록 형성될 수 있다. 상기 제2 몰딩부재(44)는 투광성을 갖는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The second molding member 44 may be formed to seal the first molding member 40 and the dam member 42 in the cavity 15. The second molding member 44 may be formed of a light transmissive silicone or resin material.

도 4는 다른 실시예에 따른 발광 소자(100C)의 측 단면도이고, 도 5는 도 4의 발광 소자(100C)의 분해 사시도이다.4 is a side cross-sectional view of a light emitting device 100C according to another embodiment, and FIG. 5 is an exploded perspective view of the light emitting device 100C of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 발광 소자(100C)는 캐비티(15)를 포함하는 몸체(10)와, 상기 캐비티(15)의 바닥면에 돌출되도록 형성된 칩 패드(11)와, 상기 칩 패드(11)를 둘러싸며, 상기 캐비티(15)의 바닥면 상에 배치된 지지 패드(12a)와, 상기 몸체(10)에 설치된 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과, 상기 칩 패드(11) 상에 탑재되며, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩(20)과, 상기 지지 패드(12a) 상에 형성되며, 적어도 상기 발광칩(20)의 최상면보다 위로 돌출된 댐 부재(42)와, 상기 댐 부재(42)의 내측 스페이서(14)에 상기 발광칩(20)을 밀봉하도록 형성된 제1 몰딩부재(40)와, 상기 캐비티(15)에 상기 제1 몰딩부재(40) 및 상기 댐 부재(42)를 밀봉하도록 형성된 제2 몰딩부재(44)를 포함할 수 있다.4 and 5, the light emitting device 100C includes a body 10 including a cavity 15, a chip pad 11 protruding from a bottom surface of the cavity 15, and the chip. A support pad 12a surrounding the pad 11 and disposed on a bottom surface of the cavity 15, first and second electrodes 31 and 32 provided on the body 10, and A light emitting chip 20 mounted on the chip pad 11 and electrically connected to the first electrode 31 and the second electrode 32 to generate light, and formed on the support pad 12a. A first molding member 40 formed to seal the light emitting chip 20 to the dam member 42 protruding at least above the top surface of the light emitting chip 20 and the inner spacer 14 of the dam member 42. ) And a second molding member 44 formed to seal the first molding member 40 and the dam member 42 in the cavity 15.

도 4의 발광 소자(100C)는 도 1의 발광 소자(100)에 비해 상기 지지 패드(12a)가 별도로 준비된 후, 상기 캐비티(15) 내에 접합되는 방식으로 형성되는 것을 제외하고는 동일하다.The light emitting device 100C of FIG. 4 is identical to the light emitting device 100 except that the support pad 12a is separately prepared and then bonded to the cavity 15 in comparison with the light emitting device 100 of FIG. 1.

지지 패드를 사출 방식 또는 에칭 방식에 의해 형성하는 경우, 제조방식에 따라 상기 지지 패드의 상면과 측면 영역은 서로 각지지 않고 둥글게 형성될 수 있다. When the support pad is formed by an injection method or an etching method, the top and side regions of the support pad may be rounded without being angled according to the manufacturing method.

이처럼, 상기 지지 패드의 상면과 측면 영역이 둥글게 형성되는 경우, 댐 부재는 상기 지지 패드의 외측으로 흐를 수 있으므로, 상기 댐 부재를 용이하게 형성하기 힘들게 된다.As such, when the upper surface and the side region of the support pad are rounded, the dam member may flow outward of the support pad, so that the dam member may not be easily formed.

따라서, 도 4의 발광 소자(100C)에서는 상기 지지 패드(12a)를 별도로 형성하여, 상기 지지 패드(12a)의 상면과 측면 영역이 서로 각지도록 형성할 수 있다. 그리고, 상기 지지 패드(12a)를 상기 캐비티(15)의 바닥면에 상기 발광칩(20) 주위로 접합할 수 있다.Accordingly, in the light emitting device 100C of FIG. 4, the support pads 12a may be formed separately, and the upper and side regions of the support pads 12a may be angled to each other. The support pad 12a may be bonded to the bottom surface of the cavity 15 around the light emitting chip 20.

한편, 이처럼 상기 지지 패드(12a)를 별도로 형성하는 경우, 상기 지지 패드(12a)는 상기 몸체(10)와 동일하거나 상이한 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.On the other hand, when the support pad 12a is formed separately as described above, the support pad 12a may be formed of the same or different material as the body 10, but is not limited thereto.

도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자(100D)를 나타내는 도면이다.6 illustrates a light emitting device 100D according to still another embodiment.

도 6을 참조하면, 상기 발광 소자(100D)는 캐비티(15)를 포함하는 몸체(10)와, 상기 캐비티(15)의 바닥면에 돌출되도록 형성된 칩 패드(11)와, 상기 칩 패드(11)를 둘러싸며, 상기 캐비티(15)의 바닥면 상에 배치된 지지 패드(12a)와, 상기 몸체(10)에 설치된 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과, 상기 칩 패드(11) 상에 탑재되며, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 복수의 발광칩(20)과, 상기 지지 패드(12a) 상에 형성되며, 적어도 상기 복수의 발광칩(20)의 최상면보다 위로 돌출된 댐 부재(42)와, 상기 댐 부재(42)의 내측에 상기 복수의 발광칩(20)을 밀봉하도록 형성된 제1 몰딩부재(40)와, 상기 캐비티(15)에 상기 제1 몰딩부재(40) 및 상기 댐 부재(42)를 밀봉하도록 형성된 제2 몰딩부재(44)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the light emitting device 100D includes a body 10 including a cavity 15, a chip pad 11 protruding from a bottom surface of the cavity 15, and the chip pad 11. ), A support pad 12a disposed on the bottom surface of the cavity 15, a first electrode 31 and a second electrode 32 provided on the body 10, and the chip pad ( 11 and a plurality of light emitting chips 20 which are electrically connected to the first electrode 31 and the second electrode 32 to generate light, and are formed on the support pad 12a. A dam member 42 protruding at least above the top surfaces of the plurality of light emitting chips 20 and a first molding member 40 formed to seal the plurality of light emitting chips 20 inside the dam member 42. And a second molding member 44 formed to seal the first molding member 40 and the dam member 42 in the cavity 15.

도 6의 발광 소자(100C)는 도 1의 발광 소자(100)에 비해 상기 발광칩(20)이 복수 개 탑재된 것을 제외하고는 동일하다.The light emitting device 100C of FIG. 6 is the same as the light emitting device 100 of FIG. 1 except that a plurality of light emitting chips 20 are mounted.

상기 발광칩(20)은 복수 개가 상기 몸체(10) 상에 탑재될 수 있으며, 이를 통해 실시예에 따른 발광 소자(100D)는 원하는 색감 및 휘도를 갖는 빛을 제공할 수 있다.A plurality of light emitting chips 20 may be mounted on the body 10, and accordingly, the light emitting device 100D according to the embodiment may provide light having a desired color and luminance.

도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 7의 백라이트 유닛은 라이트 유닛의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.7 is a diagram illustrating a backlight unit using a light emitting device according to an embodiment. However, the backlight unit of FIG. 7 is an example of a light unit, but is not limited thereto.

도 7을 참조하면, 상기 백라이트 유닛은 바텀 커버(1400)와, 상기 바텀 커버(1400) 내에 배치된 광가이드 부재(1100)과, 상기 광가이드 부재(1100)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1000)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1100) 아래에는 반사시트(1300)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7, the backlight unit may include a bottom cover 1400, an optical guide member 1100 disposed in the bottom cover 1400, and at least one side or a bottom surface of the optical guide member 1100. It may include a light emitting module 1000. In addition, a reflective sheet 1300 may be disposed under the light guide member 1100.

상기 바텀 커버(1400)는 상기 광가이드 부재(1100), 상기 발광 모듈(1000) 및 상기 반사시트(1300)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1400 may be formed by forming a box having an upper surface open to accommodate the light guide member 1100, the light emitting module 1000, and the reflective sheet 1300. Or it may be formed of a resin material but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1000)은 실시예에 따른 발광 소자(100) 및 상기 발광 소자(100)이 탑재된 기판(110)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 발광 모듈(1000)에는 실시예에 따른 발광 소자(100)가 기판(110) 위에 적어도 1열로 탑재될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1100)에 빛을 제공할 수 있다. 상기 기판(110)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(110)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting module 1000 may include a light emitting device 100 and a substrate 110 on which the light emitting device 100 is mounted. That is, the light emitting device 100 according to the embodiment may be mounted in at least one column on the substrate 110 in the light emitting module 1000, thereby providing light to the light guide member 1100. The substrate 110 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 110 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB), and the like, but is not limited thereto.

도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1000)은 상기 바텀 커버(1400)의 내측면 중 적어도 한 측면에 대응되도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1100)의 적어도 일 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the light emitting module 1000 may be disposed to correspond to at least one side of an inner side surface of the bottom cover 1400, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1100. can do.

다만, 상기 발광 모듈(1000)은 상기 바텀 커버(1400)의 밑면에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1100)을 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the light emitting module 1000 may be disposed on the bottom of the bottom cover 1400 to provide light toward the bottom of the light guide member 1100, which may be variously modified according to the design of the backlight unit. It is possible, but not limited to this.

상기 광가이드 부재(1100)는 상기 바텀 커버(1400) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1100)은 상기 발광 모듈(1000)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1100 may be disposed in the bottom cover 1400. The light guide member 1100 may guide the light provided from the light emitting module 1000 to a display panel (not shown) by making a surface light source.

상기 발광 모듈(1000)이 상기 광가이드 부재(1100)의 측면에 배치되는 경우, 상기 광가이드 부재(1100)은 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다.When the light emitting module 1000 is disposed on the side surface of the light guide member 1100, the light guide member 1100 may be, for example, a light guide panel (LGP).

상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The light guide plate may be formed of, for example, one of an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), COC, and polyethylene naphthalate (PEN) resin.

상기 발광 모듈(1000)이 상기 광가이드 부재(1100)의 하면에 배치되는 경우, 상기 광가이드 부재(1100)는 상기 도광판 또는 광학시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. When the light emitting module 1000 is disposed on the bottom surface of the light guide member 1100, the light guide member 1100 may include at least one of the light guide plate or the optical sheet.

상기 광학 시트는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 형광 시트 또는 휘도상승시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트는 상기 확산 시트, 집광 시트, 형광 시트 및 휘도상승시트가 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트는 상기 발광 모듈(1000)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 상기 형광 시트는 형광체를 포함한 시트로, 한 가지 색 또는 여러가지 색을 포함한 형광체를 구성할 수 있으며, 또한 일종 또는 이종의 형광체를 단층 또는 다층으로 구성할 수 있다.The optical sheet may include, for example, at least one of a diffusion sheet, a light collecting sheet, a fluorescent sheet, or a luminance rising sheet. For example, the optical sheet may be formed by sequentially stacking the diffusion sheet, the light collecting sheet, the fluorescent sheet, and the luminance increasing sheet. In this case, the diffusion sheet evenly spreads the light emitted from the light emitting module 1000, and the diffused light may be focused onto a display panel (not shown) by the light collecting sheet. In this case, the light emitted from the condensing sheet may be randomly polarized light, and the luminance increase sheet may be, for example, a dual brightness enhancement film. The degree of polarization of the light emitted from the light collecting sheet may be increased. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and vertical prism sheet. The fluorescent sheet is a sheet containing a phosphor, and may comprise a phosphor containing one color or various colors, and may also be composed of one or more kinds of phosphors in a single layer or multiple layers.

상기 광가이드 부재(1100) 아래에는 상기 반사시트(1300)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1300)는 상기 광가이드 부재(1100)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1100)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The reflective sheet 1300 may be disposed below the light guide member 1100. The reflective sheet 1300 may reflect light emitted through the bottom surface of the light guide member 1100 toward the exit surface of the light guide member 1100.

상기 반사시트(1300)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 1300 may be formed of a resin material having good reflectance, for example, PET, PC, PVC resin, etc., but is not limited thereto.

도 8은 실시예에 따른 발광 소자(100)를 사용한 조명 유니트의 사시도(1100)이다. 다만, 도 8의 조명 유니트는 라이트 유닛의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.8 is a perspective view 1100 of a lighting unit using the light emitting device 100 according to the embodiment. However, the lighting unit of FIG. 8 is an example of a light unit, but is not limited thereto.

도 8을 참조하면, 상기 조명 유니트(1100)는 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the lighting unit 1100 is installed in the case body 1110, the light emitting module unit 1130 installed in the case body 1110, and the case body 1110, and supplies power from an external power source. It may include a connection terminal 1120 provided.

상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1110 may be formed of a material having good heat dissipation characteristics. For example, the case body 1110 may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자(100)를 포함할 수 있다.The light emitting module unit 1130 may include a substrate 1132 and a light emitting device 100 according to at least one embodiment mounted on the substrate 1132.

상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 1132 may be a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include.

또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 1132 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자(100) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting device 100 according to the at least one embodiment may be mounted on the substrate 1132. Each of the light emitting devices 100 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting diodes may include colored light emitting diodes emitting red, green, blue, or white colored light, and UV light emitting diodes emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module unit 1130 may be arranged to have a combination of various light emitting devices to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 8에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1120 may be electrically connected to the light emitting module unit 1130 to supply power. According to FIG. 8, the connection terminal 1120 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1120 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100 : 발광 소자 10 : 몸체
11 : 칩 패드 12,12a : 지지 패드
14: 스페이서 15 : 캐비티
20 : 발광칩 40 : 제1 몰딩부재
42 : 댐 부재 44 : 제2 몰딩부재100 light emitting element 10 body
11: chip pad 12, 12a: support pad
14: spacer 15: cavity
20: light emitting chip 40: first molding member
42: dam member 44: second molding member

Claims (13)

캐비티를 포함하는 몸체;
상기 몸체에 설치된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩;
상기 발광칩의 주위를 둘러싸도록 형성된 지지 패드;
상기 지지 패드 상에 형성되며, 적어도 상기 발광칩의 최상면보다 위로 돌출된 댐 부재;
상기 댐 부재의 내측에 상기 발광칩을 밀봉하도록 형성된 제1 몰딩부재; 및
상기 캐비티에 상기 제1 몰딩부재 및 상기 댐 부재를 밀봉하도록 형성된 제2 몰딩부재를 포함하는 발광 소자.A body including a cavity;
First and second electrodes installed on the body;
A light emitting chip installed in the body and electrically connected to the first electrode and the second electrode to generate light;
A support pad formed to surround the light emitting chip;
A dam member formed on the support pad and protruding at least above a top surface of the light emitting chip;
A first molding member formed to seal the light emitting chip inside the dam member; And
And a second molding member formed to seal the first molding member and the dam member in the cavity. 제 1항에 있어서,
상기 지지 패드는 상기 몸체와 동일한 재질로 형성된 발광 소자.The method of claim 1,
The support pad is a light emitting device formed of the same material as the body. 제1항에 있어서,
상기 지지 패드는 상기 제1전극 및 상기 제2전극과 동일한 재질로 형성된 발광 소자.The method of claim 1,
The support pad is formed of the same material as the first electrode and the second electrode. 제 1항에 있어서,
상기 지지 패드는 상기 발광칩 주위를 둘러싸는 발광 소자.The method of claim 1,
The support pad is a light emitting device surrounding the light emitting chip. 제 1항에 있어서,
상기 지지 패드의 상면 및 측면 영역은 서로 각지게 형성된 발광 소자.The method of claim 1,
An upper surface and a side region of the support pad are formed to be angled to each other. 제 1항에 있어서,
상기 제1 몰딩부재는 형광체를 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The first molding member is a light emitting device comprising a phosphor. 제 1항에 있어서,
상기 발광칩과 상기 지지 패드 사이의 거리를 t1이라고 하고, 상기 발광칩의 상면과 상기 제1 몰딩부재의 상면 사이의 거리를 t2라고 할 때,
t1/t2는 0.5 내지 1.5의 값을 갖는 발광 소자.The method of claim 1,
When the distance between the light emitting chip and the support pad is t1 and the distance between the top surface of the light emitting chip and the top surface of the first molding member is t2,
t1 / t2 is a light emitting device having a value of 0.5 to 1.5. 제 1항에 있어서,
상기 댐 부재는 투광성을 갖는 실리콘 또는 수지 재질로 형성된 발광 소자.The method of claim 1,
The dam member is a light emitting device formed of a light-transmitting silicone or resin material. 제 1항에 있어서,
상기 댐 부재와 상기 발광칩 사이의 거리를 t3라고 하고, 상기 발광칩의 상면과 상기 제1 몰딩 부재의 상면 사이의 거리를 t2라고 할 때, t3/t2은 0.5 내지 1.5인 발광 소자.The method of claim 1,
When the distance between the dam member and the light emitting chip is t 3 and the distance between the top surface of the light emitting chip and the top surface of the first molding member is t 2 , t 3 / t 2 is 0.5 to 1.5. device. 제 1항에 있어서,
상기 댐 부재의 상부 영역은 볼록한 형상을 갖는 발광 소자.The method of claim 1,
The upper region of the dam member has a convex shape. 제 1항에 있어서,
상기 캐비티의 바닥면에는 칩 패드가 형성되며, 상기 발광칩은 상기 칩 패드 상에 탑재된 발광 소자.The method of claim 1,
A chip pad is formed on the bottom surface of the cavity, and the light emitting chip is mounted on the chip pad. 제 11항에 있어서,
상기 칩 패드는 상기 발광칩을 상기 몸체 또는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 접합시키는 접착제로 형성된 발광 소자.12. The method of claim 11,
The chip pad is formed of an adhesive for bonding the light emitting chip to the body or the first electrode and the second electrode. 기판; 및
상기 기판에 탑재되는 복수의 발광 소자를 포함하며,
상기 복수의 발광 소자 각각은,
캐비티를 포함하는 몸체와, 상기 몸체에 설치된 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩과, 상기 발광칩의 주위를 둘러싸도록 형성된 지지 패드와, 상기 지지 패드 상에 형성되며, 적어도 상기 발광칩의 최상면보다 위로 돌출된 댐 부재와, 상기 댐 부재의 내측에 상기 발광칩을 밀봉하도록 형성된 제1 몰딩부재와, 상기 캐비티에 상기 제1 몰딩부재 및 상기 댐 부재를 밀봉하도록 형성된 제2 몰딩부재를 포함하는 라이트 유닛.

Board; And
It includes a plurality of light emitting elements mounted on the substrate,
Each of the plurality of light emitting elements,
A body including a cavity, a first electrode and a second electrode provided on the body, a light emitting chip installed on the body and electrically connected to the first electrode and the second electrode to generate light, and a light emitting chip of the light emitting chip. A support pad formed to surround the support pad, a dam member formed on the support pad and protruding at least above the top surface of the light emitting chip, and a first molding member formed to seal the light emitting chip inside the dam member; And a second molding member formed to seal the first molding member and the dam member in the cavity.

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