KR101026390B1 - 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법 - Google Patents

쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101026390B1
KR101026390B1 KR1020080089405A KR20080089405A KR101026390B1 KR 101026390 B1 KR101026390 B1 KR 101026390B1 KR 1020080089405 A KR1020080089405 A KR 1020080089405A KR 20080089405 A KR20080089405 A KR 20080089405A KR 101026390 B1 KR101026390 B1 KR 101026390B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
molten phase
silicon
polycrystalline rod
phase
Prior art date
Application number
KR1020080089405A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100030450A (ko
Inventor
이경우
남필욱
손승석
Original Assignee
서울대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울대학교산학협력단 filed Critical 서울대학교산학협력단
Priority to KR1020080089405A priority Critical patent/KR101026390B1/ko
Publication of KR20100030450A publication Critical patent/KR20100030450A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101026390B1 publication Critical patent/KR101026390B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers

Abstract

본 발명은 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단결정 제조 방법은 용융상이 단결정으로 성장되는 분량만큼 일정한 위치에서 다결정 로드를 연속해서 투입시킨다. 다결정 로드는 용융상 내부에서 용해가 일어난다. 본 발명에서 용융상은 실리콘 용융상이며, 다결정 로드는 실리콘 또는 도핑 물질이 첨가된 실리콘일 수 있다.
본 발명에 따르면 다결정 로드가 실리콘 용융상 내부에서 용해되므로, 용해되지 않은 실리콘에 의한 불안정과 스플래싱에 따른 유동 변화의 불안정을 줄일 수 있다.
단결정, 실리콘, 쵸크랄스키, 다결정 로드, 용융상

Description

쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법 {Apparatus and method for growing single crystal by Czochralski method}
본 발명은 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 용융상이 단결정으로 성장되는 분량만큼 일정한 위치에서 다결정 로드를 연속해서 투입하는 단결정 제조 방법에 관한 것이다.
단결정은 전체가 하나의 결정립으로 이루어진 재료를 말한다. 실리콘 단결정을 성장시키는 방법으로는 용융상 성장법(melt growth method)이 가장 많이 사용되며, 그 외 용액 성장법(solution growth method), 기상 성장법(vapor growth method), 고상 성장법(solid growth method) 등이 사용된다. 용융상 성장법은 쵸크랄스키법(Czochralski method), 브리지만법(Bridgman method), 부유대 용융법(floating zone method) 등으로 나누어진다.
브리지만법은 실리콘 용융상의 한쪽 끝에서부터 응고가 일어나서 반대쪽으로 진행되며, 도가니와 실리콘 단결정이 접촉되어 있다. 따라서, 불순물이 도가니로부터 실리콘 단결정으로 혼입될 가능성이 높다. 또한 고액 계면 주위의 실리콘 용융상이 도가니 벽에 접해 있기 때문에 새로운 결정핵의 발생 가능성도 높다. 부유대 성장법은 실리콘 용융상이 도가니와 접촉하지 않기 때문에 불순물의 혼입이 없고, 따라서 순도가 우수한 실리콘 단결정을 얻을 수 있다. 그러나 큰 직경을 갖는 실리콘 단결정을 얻는데 어려움이 있으며, 자유 표면에서 존재하는 유동의 구동력 때문에 성장에 따른 결함을 피할 수 없다. 또한 증기압이 높은 재료는 성장시킬 수 없다. 쵸크랄스키법은 시드(seed)를 실리콘 용융상(용융된 실리콘)에 담근 후 천천히 회전시키면서 끌어당겨 실리콘 단결정을 성장시키는 방법이다. 쵸크랄스키법은 고액 계면 근처에 자유 표면이 존재하고 있어서 유동이 발생하며, 응고가 진행되는 중앙 상단부가 온도가 가장 낮아서 자연 대류도 생겨나기 때문에 실리콘 용융상 내에서 유동이 크게 나타난다.
최근에는 반도체 기술이 발전함에 따라 실리콘 단결정의 사이즈를 크게 할 필요가 커졌다. 쵸크랄스키법을 이용하는 경우 실리콘 단결정의 사이즈를 크게 하기 위해서는 도가니 내의 실리콘 용융상에 실리콘을 계속적으로 공급해줘야 한다. 이를 위해 종래에는 액체 실리콘 또는 고체 실리콘 덩어리를 직접 실리콘 용융상에 투입하였다. 그러나 액체 실리콘을 직접 실리콘 용융상에 투입하면, 실리콘 용융상이 튀어서(splashing) 실리콘 용융상 내부의 유동에 큰 영향을 미치는 문제점이 있다. 고체 실리콘을 직접 실리콘 용융상에 투입하면 고체 실리콘이 액체 실리콘 보다 밀도가 낮기 때문에 고체 실리콘은 액체 실리콘 표면에서 표류를 하게 된다. 이때 용해되지 않고 남아있는 고체 실리콘은 유동에 의해 실리콘 단결정으로 이동을 하여 단결정을 깨뜨리게 된다.
본 발명의 목적은 자연대류의 영향과 난류의 영향을 최소한으로 줄여 안정한 상태의 용융상으로부터 단결정을 얻을 수 있는 단결정 제조 방법을 제공하는 것이다.
위와 같은 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법은 용융상으로부터 단결정을 성장시키는 단결정 성장 단계 및 성장된 단결정을 용융상으로부터 분리하는 단계를 포함한다. 단결정 성장 단계는 다결정 로드를 용융상에 녹이면서 진행된다. 본 발명에서 용융상은 실리콘 용융상이고, 다결정 로드는 실리콘 또는 도핑 물질이 첨가된 실리콘일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법은 단결정으로 성장되는 용융상의 양과 용융상에 녹는 다결정 로드의 양이 동일하도록 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법은 용융상에 녹는 다결정 로드를 복수로 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 크랄스키법을 이용하여 단결정을 제조하는 장치는 챔버, 도가니, 히터, 시드, 거치대를 포함한다. 도가니는 챔버 내부에 위치하며, 도가니 내부에는 용융상이 담겨있다. 히터는 도가니를 가열한다. 시드는 용융상을 단결정으로 성장시킨다. 거치대는 용융상에 다결정 로드를 투입한다. 거치대는 용 융상에 녹는 다결정 로드의 양을 조절할 수 있다.
본 발명은 단결정 성장이 진행되고 있는 중에 다결정 로드를 투입함으로써 자연대류의 영향과 난류의 영향을 최소한으로 줄일 수 있다. 또한 용융상 높이에 따른 불안전성을 제거함으로써 안정한 상태의 용융상으로부터 단결정을 얻을 수 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 다결정 로드를 연속적으로 투입함으로써 긴 단결정을 제조할 수 있기 때문에 단결정 성장 비용과 반도체 제조비용의 절감할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 쵸크랄스키법을 이용하여 단결정을 제조하는 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 쵸크랄스키법을 이용하여 단결정을 제조하는 장치(100)는 챔버(110), 도가니(120), 히터(130), 시드(seed, 140), 거치대(150)를 포함한다. 도가니(120)는 챔버(110) 내부에 위치한다. 도가니(120) 내부에는 용융상(121)이 담겨있다. 도가니(120)는 석영 등으로 만들 수 있다. 히터(130)는 도가니(120)에 열을 가한다. 시드(140)는 용융상과 동일한 재질의 단결정이다. 단결정(141)을 성장시키기 위해서는 시드(140)의 하단부를 용융상(121)에 담근 후, 회전시키면서 천천히 끌어당긴다. 이를 통해 용융상(121)이 단결정(141)으로 성장한다.
거치대(150)는 다결정 로드(160)를 용융상(121)에 투입한다. 본 실시예에서 거치대(150)의 위치는 도가니(120)에 접해 있으나, 이에 한정되지 않고 용융상(121) 내에 다결정 로드(160)를 투입할 수 있는 어느 위치라도 무방하다.
본 실시예에서 용융상(121)은 실리콘 용융상이고, 다결정 로드(160)는 실리콘 또는 도핑 물질이 첨가된 실리콘이다. 도핑 물질은 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P),붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 게르마늄(Ge) 등 일 수 있다. 다른 실시예에서는 용융상(121)이 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 인듐인(InP) 등의 용융상이고, 다결정 로드가 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 인듐인(InP) 등 일 수 있다. 용융상(121)에 투입된 다결정 로드(160)는 용융상(121) 내에서 녹아, 도가니(120) 내에 용융상(121)이 계속 공급된다. 거치대(150)는 복수개 설치될 수도 있다. 거치대(150)가 복수개 설치되는 경우, 복수개의 다결정 로드(160)를 용융상(121)에 녹일 수 있다.
거치대(150)는 용융상(121)에 녹는 다결정 로드(160)의 양을 조절할 수 있다. 일 실시예에서 거치대(150)는 단결정(141)으로 성장되는 용융상(121)의 양만큼 다결정 로드(160)가 용융상(121)에 녹도록 조절할 수 있다. 다른 실시예에서 거치대(150)는 단결정(141)으로 성장되는 용융상(121)의 양보다 많거나 또는 적게 다결정 로드(160)를 용융상(121)에 녹도록 조절할 수도 있다. 또한 거치대(150)는 다결정 로드(160)를 용융상(121)에 연속적으로 투입할 수도 있고, 불연속적으로 투입할 수도 있다.
용융상(121)에 녹는 다결정 로드(160)의 양을 조절하기 위해 여러 가지 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 단결정(141)의 회전 속도에 따라 단결정(141)으로 성장하는 용융상(121)의 양이 일정하므로, 거치대(150)는 단결정(141)의 회전 속도에 따라 용융상(121)에 녹이는 다결정 로드(160)의 양을 조절할 수 있다. 또는 거치대(150)는 용융상(121)의 높이에 따라 용융상(121)에 녹이는 다결정 로드(160)의 양을 조절할 수도 있다. 이 경우 센서(미도시)를 사용하여 용융상(121)의 높이를 측정할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 쵸크랄스키법을 이용한 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 쵸크랄스키법을 이용하여 단결정을 제조하기 위해서는 용융상으로부터 단결정을 성장시킨다(S210). 단결정을 성장시키기 위해서는 시드를 용융상에 담근 후, 회전시키면서 천천히 끌어 당긴다. 단결정의 성장은 길이 방향으로 성장시키는 단계와, 단결정을 목표 직경으로 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서는 단결정을 성장시키는 동안, 다결정 로드를 용융상에 투입하여 녹인다(S211). 본 실시예에서 용융상은 실리콘 용융상이고, 다결정 로드는 실리콘 또는 도핑 물질이 첨가된 실리콘이다. 도핑 물질은 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P),붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 게르마늄(Ge) 등 일 수 있다. 다른 실시예에서는 용융상(121)이 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 인듐인(InP) 등의 용융상이고, 다결정 로드가 실리콘(Si), 게르마늄(Ge),갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 인듐인(InP) 등 일 수 있다. 다결정 로드는 용융상에 연속적으로 투입될 수도 있고, 불연속적으로 투입될 수도 있다.
용융상이 단결정으로 성장하면, 도가니 내의 용융상이 줄어들게 된다. 이 때 다결정 로드를 용융상에 녹임으로써, 용융상이 단결정으로 성장됨과 동시에 도가니 내에 용융상을 공급할 수 있다. 이 경우, 바람직하게는 용융상에 녹는 다결정 로드의 양은 단결정으로 성장되는 용융상의 양과 동일하게 할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 다른 실시예에서는 다결정 로드가 복수일 수 있다. 이 경우 용융상 내의 여러 곳에서 다결정 로드를 녹일 수 있다. 따라서 짧은 시간 내에 용융상에 녹는 다결정 로드의 양을 많게 할 수 있으며, 용융상 내의 자연대류의 영향과 난류의 영향을 줄일 수 있다.
단결정이 목표한 크기로 성장하면, 성장된 단결정을 용융상으로부터 분리한다(S220). 단결정의 분리에는 단결정의 직경을 서서히 감소시켜 용융상으로부터 분리시키는 방법이 사용될 수 있다. 단결정이 실리콘 단결정인 경우, 분리된 실리콘 단결정은 반도체 웨이퍼 등으로 사용될 수 있다.
본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 본 발명이 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 쵸크랄스키법을 이용하여 단결정을 제조하는 장치를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법을 나타내는 도면.

Claims (5)

  1. 용융상으로부터 단결정을 성장시키는 단결정 성장 단계;
    상기 단결정 성장이 진행되는 중에 단결정으로 성장하는 용융상의 양에 기초하여 다결정 로드를 상기 용융상에 녹이는 단계; 및
    성장된 단결정을 용융상으로부터 분리하는 단계;를 포함하는 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    단결정으로 성장되는 용융상의 양과 용융상에 녹는 다결정 로드의 양이 동일한 것 또는 녹는 다결정 로드의 양을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다결정 로드는 복수인 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용융상은 실리콘 용융상이고,
    상기 다결정 로드는 실리콘 또는 도핑 물질이 첨가된 실리콘인 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법.
  5. 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하며, 내부에 용융상이 담겨 있는 도가니;
    상기 도가니를 가열하는 히터;
    상기 용융상을 단결정으로 성장시키기 위한 시드; 및
    상기 용융상에 다결정 로드를 투입하기 위한 거치대;를 포함하고,
    상기 거치대는 상기 용융상에 녹는 다결정 로드의 양을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키법을 이용하여 단결정을 제조하는 장치.
KR1020080089405A 2008-09-10 2008-09-10 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법 KR101026390B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080089405A KR101026390B1 (ko) 2008-09-10 2008-09-10 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080089405A KR101026390B1 (ko) 2008-09-10 2008-09-10 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100030450A KR20100030450A (ko) 2010-03-18
KR101026390B1 true KR101026390B1 (ko) 2011-04-07

Family

ID=42180400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080089405A KR101026390B1 (ko) 2008-09-10 2008-09-10 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101026390B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05221779A (ja) * 1992-02-04 1993-08-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置
JPH07206578A (ja) * 1994-01-11 1995-08-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 不純物を添加する半導体単結晶の製造方法
KR20030044559A (ko) * 2001-11-30 2003-06-09 주식회사 실트론 실리콘 잉곳 성장을 위한 실리콘 융액 형성방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05221779A (ja) * 1992-02-04 1993-08-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置
JPH07206578A (ja) * 1994-01-11 1995-08-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 不純物を添加する半導体単結晶の製造方法
KR20030044559A (ko) * 2001-11-30 2003-06-09 주식회사 실트론 실리콘 잉곳 성장을 위한 실리콘 융액 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100030450A (ko) 2010-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20030061985A1 (en) Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder
JP2009513469A (ja) シリコンまたは他の結晶性物質のリボンを製造する装置および方法
EP2322696B1 (en) Method of manufacturing silicon single crystal
JP2014080343A (ja) 縦型ボート法の結晶製造装置及び結晶製造方法
KR101026390B1 (ko) 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법
JPS58130195A (ja) 単結晶シリコン引上装置
KR101025652B1 (ko) 잔류 융액을 재활용한 태양전지용 결정 제조방법
JPS6018634B2 (ja) 結晶引上げ装置
JP2009274921A (ja) シリコン単結晶の製造方法
CN105887187B (zh) 一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法
JP3840683B2 (ja) 単結晶引上方法
KR102514915B1 (ko) 잉곳 품질을 향상시키기 위한 실리콘 용융물에서의 도펀트 농도 제어
JP3885245B2 (ja) 単結晶引上方法
KR101962175B1 (ko) 단결정 잉곳 성장을 위한 용융액을 형성하는 방법
US6284041B1 (en) Process for growing a silicon single crystal
TWI831613B (zh) 製造單晶矽鑄碇之方法
RU2231582C1 (ru) Устройство для выращивания монокристаллов кремния, экранирующее приспособление и способ выращивания монокристаллов кремния по методу чохральского
JPH0259494A (ja) シリコン単結晶の製造方法及び装置
KR101494527B1 (ko) 고품질 실리콘 단결정 성장 및 도가니 수명 연장을 위한 도가니 회전속도 최적화 방법
JPS61163187A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置
RU2560402C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов из расплава
KR101339151B1 (ko) 단결정 실리콘 잉곳 제조 장치 및 방법
JP2004010470A (ja) 化合物半導体結晶成長装置
JPH0243718B2 (ko)
JPH04160099A (ja) ＩｎＰ単結晶成長方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140320

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150212

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160122

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180222

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200302

Year of fee payment: 10