KR101025513B1 - 반응깊이측정을 위한 양전자방출단층촬영기의 준블록배열형 검출기모듈 및 그 검출방법 - Google Patents

반응깊이측정을 위한 양전자방출단층촬영기의 준블록배열형 검출기모듈 및 그 검출방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈 및 그 검출방법에 관한 것으로, 다수 개의 슬라이스형 섬광결정으로 구성된 준블록 배열형 섬광결정을 이용하여 감마선 반응의 축방향 위치를 결정하고 광센서 채널별 데이터를 기록한 색인테이블과 최대우도 위치판별방법을 이용하여 횡단면 위치와 반응깊이를 결정할 수 있도록 한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기에 있어서, 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 위치민감형 광전자증배관 또는 실리콘형 광전자증배관에 광결합하여 구성한 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈 및 그 검출방법을 제공하여, 방사선 검출기, 신호처리, 위치판별 알고리즘 등의 핵심 기술을 확보할 수 있게 한다.
PET, SPECT, 준블록, 감마선 반응, 색인테이블, 최대우도 위치판별

Description

반응깊이측정을 위한 양전자방출단층촬영기의 준블록 배열형 검출기모듈 및 그 검출방법{A qusai-monolothic detector module for depth of interaction measurement for PET}
본 발명은 양전자방출단층촬영기(Positron Emission Tomography: 이하 'PET'라 칭함)의 감마선 반응깊이 측정을 위한 준블록 배열형 검출기모듈(qusai-monolothic detector module)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 준블록(quasi-monolithic) 배열형 섬광결정과 색인테이블(Look-up Table)을 이용한 최대우도 위치검출방법을 적용하여 감마선 반응깊이를 측정할 수 있도록 한 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈 및 그 검출방법에 관한 것이다.
PET 장비는 단층 영상을 획득할 때 감마선의 입사를 받고 그 감마선의 입사위치 및 에너지를 반영하면서 전기신호로 변환하는 방사선 검출기 모듈이 구비되며, 이는 신틸레이션(scintillation) 카메라 또는 반도체 검출기 등으로 구분된다.
신틸레이션 카메라는 NaI 결정이나 BGO나 LSO 등으로 구성되는 신틸레이터와 광전자 증배관(Photo Multiplier Tube; PMT)의 구성으로 이루어지며, 신틸레이터에 입사한 감마선이 광신호로 변환되고 이 광신호가 광전자 증배관에 의해 전기신호로 변환된다.
반도체 검출기는 감마선의 입사로 인해 전하를 발생시키는 CdTe나 CdZnTe 등의 반도체 검출소자를 평면적(매트릭스 형상)이면서 또한 이산적으로 복수개 배열하여 구성된다.
그러나 상기와 같은 종래의 방사선 검출기에서는 PET 기기에서 단층 영상을 획득할 때 측정 시야의 외곽에서 검출기 모듈 표면에 비스듬하게 입사하는 감마선에 의한 공간 분해능이 저하되는 현상이 나타나는 문제점이 있었으며, 이를 해결하기 위하여 방사선 검출기 내의 감마선 반응깊이를 측정하는 기술이 필요하게 되었다.
한편, 현재의 소동물용 PET의 검출기 개발 동향은 고분해능을 목표로 하는 그룹과 고민감도를 목표로 하는 그룹으로 나눌 수 있다.
고민감도를 위해서는 블록형 섬광결정을 이용하는 것이 가장 좋은 방법이다.
고분해능의 경우 양전자가 소멸 감마선을 내기 전 이동하는 거리 때문에 검출기의 x,y축 분해능을 2mm 이내로 향상시키는 것은 큰 의미가 없고 반응깊이 측정을 통한 분해능의 균일도 향상이 가치가 높다고 할 수 있다.
위의 두 가지를 모두 달성하기 위해서는 블록형 섬광결정을 이용하여 반응깊이를 측정해야만 하며, 이 경우 감마선의 3차원 반응위치검출을 위해서는 통계적 방법을 사용해야 한다. 이는 감마선 반응위치별 검출기의 응답특성 즉, 색인테이블(LUT)을 구해야 하는 작업이 미리 이루어져야 한다. 이 색인테이블을 실험으로 구하기 위해서는 섬광결정 내 어느 위치에서 감마선의 반응이 일어났는지를 미리 알고 있어야 하지만 이는 불가능하므로 몬테칼로 모사방법으로 색인테이블을 생성하는 방법을 사용한다.
그러나 이 또한 실제와 모사결과 사이에 발생하는 오차를 정확히 판단하는 것이 불가능하다.
결국 블록형 섬광결정과 배열형 섬광결정의 장단점을 상호 상완하여 감마선의 3차원 반응위치를 판별할 수 있는 검출기 모듈의 개발이 절실하게 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 블록형 섬광결정을 스캐너의 축방향으로 의사(quasi) 분리하여 다수 개의 슬라이스형 섬광결정으로 구성된 준블록 배열형 섬광결정을 형성하고, 이 준블록 배열형 섬광결정을 광전자증배관에 결합하여 방사선 검출기 모듈을 구성함으로써, 준블록 배열형 섬광결정을 통해 감마선 반응의 스캐너 축방향 위치를 결정하고 광센서 채널별 데이터를 기록한 색인테이블과 최대우도 위치판별방법을 이용하여 횡단면 위치와 반응깊이를 결정할 수 있도록 한 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈 및 그 검출방법을 제공하고자 하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기에 있어서, 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배 열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 위치민감형 광전자증배관 또는 실리콘형 광전자증배관에 광결합하여 구성한 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈이다.
상기 본 발명에 의한 방사선 검출기모듈의 다른 실시형태에 따르면, 상기 방사선 검출기 모듈은 상기 광전자증배관을 통해 검출되는 신호로부터 상기 준블록 배열형 섬광결정 중에서 감마선 반응이 있는 슬라이스형 섬광결정을 찾아 해당 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향에서의 위치를 결정하고 상기 위치 결정된 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면 위치와 반응깊이를 미리 작성된 색인테이블을 이용한 최대우도 위치판별방법으로 결정하는 알고리즘을 내장한 반응위치 검출부;를 더 포함하여 구성되는 것이다.
상기 반응위치 검출부는 각각의 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터를 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향으로 합산하여 감마선 반응이 발생한 슬라이스형 섬광결정을 찾고, 상기 찾아진 슬라이스형 섬광결정의 각 광센서 채널에 대한 색인테이블과 최대우도 위치판별방법을 사용하여 해당 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별하는 알고리즘을 탑재한다. 이 경우 상기 반응위치 검출부는 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서의 위치별 감마선 반응을 실시하여 각 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터로 색인테이블을 미리 작성하여 저장하는 것이 바람직하다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 방사선 검출기를 구성한 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법에 있어서, (b) 광전자증배관에 결합된 준블록 배열형 섬광결정에서 발생되는 광센서의 채널별 데이터를 상기 다수 개의 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향으로 합산하여 감마선 반응이 발생된 슬라이스형 섬광결정을 찾는 단계; (c) 상기 찾아진 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서 채널별 데이터를 미리 작성된 색인테이블과 최대우도 위치추적방법을 사용하여 해당 준블록 배열형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별하는 단계;를 포함하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법이다.
상기 본 발명에 의한 방사선 검출방법의 다른 실시형태에 따르면, (a) 상기 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정에 감마선 반응을 실시하여 상기 광전자증배관을 통해 검출되는 신호로부터 상기 준블록 배열형 섬광결정의 각 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서 채널별 데이터를 기록한 색인테이블을 작성하여 셋업하는 단계;를 상기 (b) 단계 또는 (c) 단계를 이전에 더 포함하여 구성되는 것이다.
상기 본 발명의 각 실시예에서 준블록 배열형 섬광결정은 블록형 섬광결정을 x,y,z축방향 중의 어느 한 방향, 바람직하게는 스캐너의 축방향인 y축방향으로 분할하여 형성되며 감마선 반응을 위한 다수 채널의 광센서를 각각 내장한 다수 개의 슬라이스형 섬광결정으로 구성되고, 이들 각각의 슬라이스형 섬광결정은 서로 밀착 배열되어 의사(quasi) 분리된 형태로 구성되는 특징을 가진다.
본 발명에 의하면, 감마 카메라, SPECT(Single Photon Emission Computed Tomography), PET(Positron Emission Tomography) 등에 필수적인 방사선 검출기, 신호처리, 위치판별 알고리즘 등의 핵심 기술을 확보할 수 있게 되고 이와 관련된 연계분야의 기술력 향상을 통해 국내 방사선 검출 기술력을 세계적인 수준으로 올릴 수 있는 기반을 구축할 수 있게 된다.
또한 본 발명이 적용된 분자영상용 고분해능 소형 PET의 경우 실험동물영상, 유전자 발현이나 치료, 암진단 및 치료연구, 신약개발 분야 등에 넓게 응용될 수 있을 것이며, 핵물리학, 핵의학, 핵공학, 재료공학, 전기전자공학, 제어공학, 컴퓨터 공학 및 신소재공학의 복합적 기술을 필요로 하는 첨단의료기기분야의 개발 및 국내 의료산업계와 여러 학술 분야의 발전에 공헌할 수 있을 것으로 기대된다.
이하, 본 발명에 의한 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈 및 그 검출방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고 단지 예시로 제시된 것이며, 그 기술적 요지를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈에서 광전자증배관에 준블록 배열형 섬광결정이 결합된 상태를 예시한 투시도로서, 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정(110)을 광신호 검출을 위한 위치민감형 광전자증배관(PSPMT) 또는 실리콘형 광전자증배관(SIPM)(120; 이하에서는 '광전자증배관'이라 통칭함)에 광결합하여 구성한다.
도 2은 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈을 구성하는 준블록 배열형 섬광결정을 발췌하여 예시한 사시도로서, 준블록 배열형 섬광결정(110)은 블록형 섬광결정을 x,y,z축방향 중의 어느 한 방향, 특히 스캐너의 축방향인 y축 방향으로 다수 분할하여 형성되는 다수 개의 슬라이스형 섬광결정(111-118)으로 구성된다. 이들 각각의 슬라이스형 섬광결정(111-118)은 감마선 반응을 위한 다수 채널의 광센서를 각각 내장하며, 또한 이들 각각의 슬라이스형 섬광결정(111-118)은 서로 밀착 배열되어 의사(quasi) 분리된 형태로 구성된다. 즉, 실제로는 블록이 나뉘지는 않고 나눈 갯수 만큼의 채널을 가지고 있는 준블록(quasi-monolithic) 배열형 섬광결정으로 구성된다. 상기 도 2에서는 하나의 준블록 배열형 섬광결정(110)이 8개의 슬라이스형 섬광결정(111-118)으로 분리된 형태를 예시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 방사선 검출기 모듈을 구현하고자 하는 형태에 따라 그 슬라이스 갯수는 임의로 설정 가능하다.
도 3은 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈에서 한 개의 슬라이스형 섬광결정(115)이 광전자증배관(120)에 광결합된 상태를 발췌하여 예시한 사시도로서, 상기 광전자증배관(120)과 준블록 배열형 섬광블록(110)은 각각 8×8 채널로 나뉘어진 형태를 예시하고 있다. 도면에 도시된 바와 같이 한 개의 슬라이스형 섬광결정(도면에서는 115가 발췌됨)은 8개의 채널로 구성되고 이러한 슬라이스형 섬광결정이 8개로 분리되어 있으므로 광전자증배관으로부터 검출되는 출력은 p11-p88로 모두 64개의 출력이 발생될 수 있음을 알 수 있다.
도 4는 본 발명에 의한 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈에서 광전자증배관의 출력으로부터 감마선 반응이 발생된 섬광블록의 축방향 위치를 판별하기 위해 구성되는 반응위치 검출부의 일 예를 도시한 개략 회로도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 방사선 검출기 모듈은 상기 광전자증배관(120)에서 검출되는 출력(p11-p88)으로부터 감마선 반응이 있는 슬라이스형 섬광결정을 찾아 축방향 위치를 결정하고 상기 위치 결정된 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면 위치와 반응깊이를 미리 작성된 색인테이블을 이용한 최대우도 위치판별방법으로 결정하는 알고리즘을 내장한 반응위치 검출부(130);를 포함하여 구성한다.
이 반응위치 검출부(130)는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광전자증배관(120)의 각 채널별 출력, 즉 제1채널 출력(p11-p18), 제2채널 출력(p21-p28), 제3채널 출력(p31-p38), 제4채널 출력(p41-p48), 제5채널 출력(p51-p58), 제6채널 출력(p61-p68), 제7채널 출력(p71-p78), 제8채널 출력(p81-p88) 데이터를 각각 가산하는 다수의 채널별 가산부(131-138), 상기 채널별 가산부의 출력을 비교하여 축방향에서의 위치를 결정하는 축방향 위치 판별부(139)를 포함하여 구성한다.
한편, 상기 반응위치 검출부(130)는 상기 축방향 위치 판별부(139)를 통해 찾은 슬라이스형 섬광결정의 각 광센서 채널에 대한 색인테이블과 최대우도 위치판 별방법을 사용하여 해당 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별한다. 이 경우 상기 반응위치 검출부(130)는 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서의 위치별 감마선 반응을 실시하여 각 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터로 색인테이블을 미리 작성하여 저장하고 있게 된다.
도 5는 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈에서 이루어지는 방사선 검출방법을 예시한 동작 흐름도로서, 도 1에 예시된 바와 같이 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정(110)이 광전자증배관(120)에 8×8 형태로 광결합된 방사선 검출기의 구성에서 상기 광전자증배관의 출력을 인가받는 반응위치 검출부(130)에 의해 이루어지는 방사선 검출방법을 예시하고 있다.
도 5에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 방사선 검출방법은 슬라이스형 섬광결정에 대한 감마선 반응을 시험적으로 실시하여 색인테이블을 작성하는 단계(S101,S102), 감마선 반응이 발생된 슬라이스형 섬광결정의 축방향 위치를 결정하는 단계(S103,S104), 감마선 반응이 발생된 광센서의 채널별 데이터를 미리 작성된 색인테이블과 최대우도 위치추적방법을 사용하여 감마선 반응이 발생된 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별하는 단계(S105)를 포함하여 이루어진다.
제1단계는 색인테이블을 작성하여 셋업하는 단계로서, 상기 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정에 실험에 의한 감마선 반응을 실 시하여 상기 광전자증배관을 통해 검출되는 준블록 배열형 섬광결정의 각 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서 채널별 데이터로 색인테이블을 작성하는 단계(S101)와, 그 색인 테이블을 셋업하는 단계(S102)이다.
제2단계는 광전자증배관에 결합된 준블록 배열형 섬광결정에서 감마선 반응이 발생되는지를 판단하는 단계(S103)와, 감마선 반응이 발생되는 경우 광전자증배관으로부터 검출되는 출력을 채널별로 합산하여 감마선 반응이 발생된 슬라이스형 섬광결정을 찾는 단계(S104)이다.
제3단계는 상기 찾아진 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서 채널별 데이터를 미리 작성된 색인테이블과 최대우도 위치추적방법을 사용하여 해당 준블록 배열형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별하는 단계(S105)이다.
이상과 같이 구성되는 본 발명의 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈 및 그 검출방법에 대한 동작 및 그 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 블록형 섬광결정을 도 2에 예시된 바와 같이 스캐너의 축방향인 y축 방향으로 다수 분할하여 감마선 반응을 위한 다수 채널의 광센서를 각각 내장하고 있는 형태로 다수 개의 슬라이스형 섬광결정(111-118)이 형성되도록 한 후 이들 각각의 슬라이스형 섬광결정(111-118)이 밀착 배열되는 형태, 즉, 실제로는 분리되지 않지만 의사 분리된 형태의 준블록 배열형 섬광결정(110)을 형성한 후, 도 1에 예시된 바와 같이 위치민감형 또는 실리콘형 광전자증배관(120)의 각 채널에 대응되 게 광결합한다.
이러한 상태에서 반응위치 검출부(130)에서는 상기 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정(111-118)에 시험적으로 감마선 반응을 실시하여 상기 광전자증배관(120)을 통해 검출되는 준블록 배열형 섬광결정의 각 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서 채널별 데이터로 색인테이블을 작성(S101)하여 그 색인테이블을 셋업(S102)한다. 이로써 상기 반응위치 검출부(130)는 각 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터로 셋업된 색인테이블을 미리 작성하여 저장하고 있게 된다.
다음으로 상기 반응위치 검출부(130)에서는 상기 광전자증배관(120)에서 검출되는 출력(p11-p88)으로부터 감마선 반응이 발생되는지의 여부를 확인(S103)하여, 감마선 반응이 발생되는 경우 광전자증배관(120)으로부터 검출되는 출력을 각각의 채널별 가산부(131-138)를 통해 채널별로 합산한다.
이러한 채널별 합산은 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광전자증배관(120)의 각 채널별 출력, 즉 제1채널 출력(p11-p18), 제2채널 출력(p21-p28), 제3채널 출력(p31-p38), 제4채널 출력(p41-p48), 제5채널 출력(p51-p58), 제6채널 출력(p61-p68), 제7채널 출력(p71-p78), 제8채널 출력(p81-p88) 데이터를 각각 가산하는 다수의 채널별 가산부(131-138)를 통해 이루어질 수 있게 된다.
이어서 축방향 위치판별부(139)에서는 상기 채널별 가산부(131-138)의 각 합산 출력을 비교하여 그 중 가장 큰 값이 얻어진 채널의 슬라이스형 섬광결정을 선 택함으로써 준블록 배열형 섬광결정 내에서의 축방향 위치를 결정할 수 있게 된다(S104).
다음으로 상기 반응위치 검출부(130)에서는 상기 찾아진 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서 채널별 데이터를 미리 작성된 색인테이블과 최대우도 위치추적방법을 사용하여 해당 준블록 배열형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별(S105)할 수 있게 된다. 상기 위치 결정된 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면 위치와 반응깊이 판별동작은 미리 작성된 색인테이블과 최대우도 위치판별 알고리즘을 통해 이루어지게 된다.
이상에서는, 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예에 대해서 도시하고 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 실시 예에만 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈의 광전자증배관에 준블록 배열형 섬광결정이 결합된 상태를 예시한 투시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈을 구성하는 준블록 배열형 섬광결정을 발췌하여 예시한 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈에서 한 개의 슬라이스형 섬광결정이 광전자증배관에 결합된 상태를 발췌하여 상세히 예시한 사시도이다.
도 4는 본 발명에 의한 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈에서 광전자 증배관의 출력으로부터 감마선 반응의 축방향 위치를 판별하기 위해 구성될 수 있는 반응위치 검출부의 일 예를 도시한 개략 회로도이다.
도 5는 본 발명에 따른 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈에서 이루어지는 방사선 검출방법을 예시한 동작 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 준블록 배열형 섬광결정 111-118 : 슬라이스형 섬광결정
120 : 광전자증배관 130 : 반응위치 검출부
131-138 : 채널별 가산부 139 : 축방향 위치판별부
P11-P88 : 광전자증배관출력

Claims (22)

  1. 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 구성하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈에 있어서,
    상기 방사선 검출기 모듈은,
    상기 광전자증배관을 통해 검출되는 신호로부터 상기 준블록 배열형 섬광결정 중에서 감마선 반응이 있는 슬라이스형 섬광결정을 찾아 해당 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향에서의 위치를 결정하고 상기 위치 결정된 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면 위치와 반응깊이를 미리 작성된 색인테이블을 이용한 최대우도 위치판별방법으로 결정하는 알고리즘을 내장한 반응위치 검출부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  2. 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 구성하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈에 있어서,
    상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    블록형 섬광결정을 x,y,z축방향 중의 어느 한 방향으로 분할하여 형성되며, 감마선 반응을 위한 다수 채널의 광센서를 각각 내장한 다수 개의 슬라이스형 섬광결정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈.
  3. 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 구성하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈에 있어서,
    상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    다수 개의 슬라이스형 섬광결정을 밀착 배열하여 의사(quasi) 분리된 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  4. 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 구성하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈에 있어서,
    상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    블록형 섬광결정을 스캐너의 축방향인 y 축방향으로 분리하여 형성한 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  5. 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 구성하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈에 있어서,
    상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    위치민감형 광전자증배관 또는 실리콘형 광전자증배관에 광결합되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  6. 제1항 또는 제3항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    블록형 섬광결정을 x,y,z축방향 중의 어느 한 방향으로 분할하여 형성되며, 감마선 반응을 위한 다수 채널의 광센서를 각각 내장한 다수 개의 슬라이스형 섬광결정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기 모듈.
  7. 제1항 또는 제2항 또는 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    다수 개의 슬라이스형 섬광결정을 밀착 배열하여 의사(quasi) 분리된 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  8. 제1항 또는 제2항 또는 제3항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    블록형 섬광결정을 스캐너의 축방향인 y 축방향으로 분리하여 형성한 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    위치민감형 광전자증배관 또는 실리콘형 광전자증배관에 광결합되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반응위치 검출부는,
    상기 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서의 위치별 감마선 반응을 실시하여 각 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터로 색인테이블을 미리 작성하고 저장하는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  11. 제1항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반응위치 검출부는,
    상기 각각의 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터를 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향으로 합산하여 감마선 반응이 발생한 슬라이스형 섬광결정을 찾고,
    상기 찾아진 슬라이스형 섬광결정의 각각의 광센서에 대한 색인테이블과 최대우도 위치판별방법을 사용하여 해당 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별하는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  12. 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기에 있어서,
    블록형 섬광결정을 x,y,z축방향 중의 어느 한 방향으로 분할하여 형성되며 감마선 반응을 위한 다수 채널의 광센서를 각각 내장한 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 의사(quasi) 분리된 형태로 밀착 배열되어 구성되는 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 구성하고,
    상기 광전자증배관을 통해 검출되는 신호로부터 상기 준블록 배열형 섬광결정 중에서 감마선 반응이 있는 슬라이스형 섬광결정을 찾아 해당 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향에서의 위치를 결정하고 상기 위치 결정된 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면 위치와 반응깊이를 미리 작성된 색인테이블을 이용한 최대우도 위치판별방법으로 결정하는 알고리즘을 내장한 반응위치 검출부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  13. 제12항에 있어서, 상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    블록형 섬광결정을 스캐너의 축방향인 y 축방향으로 분리하여 형성한 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  14. 제12항에 있어서, 상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    위치민감형 광전자증배관 또는 실리콘형 광전자증배관에 광결합되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  15. 제12항에 있어서, 상기 반응위치 검출부는,
    상기 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서의 위치별 감마선 반응을 실시하여 각 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터로 색인테이블을 미리 작성하고 저장하는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  16. 제12항에 있어서, 상기 반응위치 검출부는,
    상기 각각의 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터를 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향으로 합산하여 감마선 반응이 발생한 슬라이스형 섬광결정을 찾고,
    상기 찾아진 슬라이스형 섬광결정의 각 광센서 채널에 대한 색인테이블과 최대우도 위치판별방법을 사용하여 해당 슬라이스형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별하는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출기모듈.
  17. 다수 개의 슬라이스형 섬광결정이 밀착 배열된 준블록 배열형 섬광결정을 광신호 검출을 위한 광전자증배관에 광결합하여 방사선 검출기를 구성한 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법에 있어서,
    (b) 광전자증배관에 결합된 준블록 배열형 섬광결정에서 발생되는 광센서의 채널별 데이터를 상기 다수 개의 슬라이스형 섬광결정의 분리축방향으로 합산하여 감마선 반응이 발생된 슬라이스형 섬광결정을 찾는 단계;
    (c) 상기 찾아진 슬라이스형 섬광결정에 대한 광센서 채널별 데이터를 미리 작성된 색인테이블과 최대우도 위치추적방법을 사용하여 해당 준블록 배열형 섬광결정에서의 횡단면의 위치와 반응깊이를 판별하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법.
  18. 제17항에 있어서,
    (a) 상기 준블록 배열형 섬광결정을 구성하는 각각의 슬라이스형 섬광결정에 감마선 반응을 실시하여 상기 광전자증배관을 통해 검출되는 신호로부터 상기 준블록 배열형 섬광결정의 각 슬라이스형 섬광결정 내에 분포하는 각각의 광센서에 대한 채널별 데이터로 색인테이블을 작성하여 셋업하는 단계;를 상기 (b) 단계 또는 (c) 단계 이전에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법.
  19. 제17항 또는 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 준블록 배열형 선광결정은,
    블록형 섬광결정을 x,y,z축방향 중의 어느 한 방향으로 분할하여 형성되며, 감마선 반응을 위한 다수 채널의 광센서를 각각 내장한 다수 개의 슬라이스형 섬광결정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법.
  20. 제17항 또는 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    다수 개의 슬라이스형 섬광결정을 밀착 배열하여 의사(quasi) 분리된 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법.
  21. 제17항 또는 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    블록형 섬광결정을 스캐너의 축방향인 y축 방향으로 분리하여 형성한 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법.
  22. 제17항 또는 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 준블록 배열형 섬광결정은,
    위치민감형 광전자증배관 또는 실리콘형 광전자증배관에 광결합되는 것을 특징으로 하는 준블록 배열형 양전자방출단층촬영기의 방사선 검출방법.
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