KR101024458B1 - 반도체 발광장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 발광장치는 기판, 상기 기판상에 위치한 제1전도형 반도체층, 상기 제1전도형 반도체층상에 위치한 발광구조 및 상기 발광구조상에 위치한 제2전도형 반도체층을 포함한다. 상기 기판은 상부면과 상기 상부면상에 위치한 복수의 돌출부를 포함한다. 상기 돌출부 각각은 상면, 복수의 벽면 및 상기 상면과 벽면 사이에 끼인 복수의 경사면을 포함한다.
발광장치, 발광다이오드, 광 추출효율

Description

반도체 발광장치{A Semiconductor Light-Emitting Device}
본 발명은 반도체 발광장치(semiconductor light-emitting device)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광 추출효율(light-extraction efficiency)을 향상시키기 위해 발광구조로부터 광선(light beams)을 여러 가지 각도로 반사시키도록 형성된 복수의 돌출부(protrusions)를 구비한 기판을 포함하는 반도체 발광장치에 관한 것이다.
발광다이오드(LED)와 같은 반도체 발광장치는 신호등, 자동차 전자장치, LCD 백라이트 및 일반조명 등 광범위하게 사용되고 있다. 발광다이오드에는 n형 반도체층, 발광영역 및 p형 반도체층이 기판상에 필수적으로 성장되어 적층구조를 형성하고, 상기 p형 반도체층과 n형 반도체층에는 전극이 형성된다. 광은 상기 반도체층을 통해 발광영역으로 주입되는 정공과 전자의 재조합(the recombination of holes and electrons)을 통해 발생되고, 그 후 p형 반도체층상의 광 투과전극(light transmitting electrode)을 통해 방출되거나 상기 기판으로부터 방출된다. 가시광 영역의 발광다이오드(visible light-emitting diode)를 제조하는데 사용되는 재료는 그린, 옐로우, 오렌지 또는 레드 영역의 발광다이오드에 사용되는 AlGaInP, 블 루 또는 자외선 영역의 발광다이오드에 사용되는 GaN과 같은 III-V 화합물을 포함하는데, 상기 GaN 발광다이오드는 사파이어 기판상에 형성된다.
발광층에 의해 생성된 광선을 발광장치 외부로 추출하는 것은 반도체 발광장치에서 개선되어야 할 중요한 문제이다. 종래의 발광장치에서 연구자들은 투명한 전극을 사용하여 발광층에 의해 생성된 상부 방향의 광선들이 발광장치의 외부로 전파되는 경로상에서 차단되는 것을 방지하거나, 반사층을 사용하여 발광층에 의해 생성된 하부 방향의 광선들을 상기 발광장치의 윗면으로 다시 반사되도록 하였다. 하지만, 상기 상부 방향의 광선 및 하부 방향의 광선 뿐만 아니라 발광층은 다른 방향으로도 광선을 방출하고, 일부 광선들은 전반사 효과(total reflection effect) 때문에 내부적으로 발광장치 내부로 반사된다. 결과적으로, 상기 광선들은 발광장치 외부로 전파되기보다는 발광층에 의해 흡수된다.
대만특허 TW 561632에는 발광영역에서 생성된 광을 기판의 표면상에서 산란(scattering)시키거나 회절(diffracting)시키기 위해 형성된 적어도 하나의 오목부 및/또는 돌출부를 포함하는 반도체 발광장치가 개시되어 있다. 상기 오목부 및/또는 돌출부는 결정결함(crystal defects)이 반도체층에서 발생되는 것을 방지하는 형상을 가진다. 또한, 대만특허 TW 536841에는 제1층(기판)의 표면에 형성된 파동 형상(undulation)을 구비한 반도체 발광장치와, 상기 제1층과 다른 굴절률(refractive index)을 가지고 상기 파동 형상을 채우도록 성장된 제2층이 개시되어 있다. 나아가, 제1결정은 결정층(crystal layer) 상에서 파동 형상(undulated shape)으로 성장하는데, 이는 결정 성장의 토대가 된다. 이러한 파동 형상을 가진 굴절층(refractive layer)이 형성된 이후에는 상기 제1층과 다른 굴절률을 가지는 반도체 결정층이 그 상부에 라미네이트(laminate) 된다.
본 발명의 관점은 발광구조(light-emitting structure)로부터 다양한 각도로 광선을 반사시켜 광 추출효율을 향상시키는 복수의 돌출부(protrusions)를 구비한 기판을 포함하는 반도체 발광장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 관점은 기판, 상기 기판상에 위치한 제1전도형 반도체층, 상기 제1전도형 반도체층상에 위치한 발광구조 및 상기 발광구조상에 위치한 제2전도형 반도체층을 포함하는 반도체 발광장치를 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 발광장치는 기판(substrate), 상기 기판상에 위치한 제1전도형(conductive type) 반도체층, 상기 제1전도형 반도체층상에 위치한 발광구조 및 상기 발광구조상에 위치한 제2전도형 반도체층을 포함한다. 상기 기판은 상부면(upper surface)과 상기 기판의 상부면상에 위치한 복수의 돌출부를 포함한다. 상기 돌출부 각각은 상면(top surface), 복수의 벽면(wall surfaces) 및 상기 상면과 벽면 사이에 끼인 복수의 경사면(inclined surfaces)을 포함한다. 상기 돌출부의 벽면, 경사면 및 벽면은 발광구조에서 생성된 광선을 서로 다른 반사 각도로 반사하도록 서로 다른 경사각을 가진다. 결론적으로, 상기 발광장치 내에서의 반복적인 광선의 내부반사(internal reflection)가 현저하게 감소하여 광선들이 발광구조에 흡수되는 것이 방지되며, 그 결과 광 추출효율이 향상된다.
본 발명의 다른 관점은 기판, 상기 기판상에 위치한 제1전도형 반도체층, 상기 제1전도형 반도체층상에 위치한 발광구조 및 상기 발광구조상에 위치한 제2전도형 반도체층을 포함하는 반도체 발광장치를 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다. 상기 기판은 상부면과 상기 상부면상에 위치한 복수의 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부 각각은 복수의 브랜치(branches), 상기 브랜치 사이에 끼인 복수의 벽면, 상기 브랜치의 자유단(free ends)에 위치한 복수의 경사면을 포함하는 봉우리부(ridge portion)를 포함한다. 이때, 상기 자유단은 상기 상부면과 인접해 있다. 상기 돌출부의 봉우리부, 벽면, 경사면 및 상면은 서로 다른 경사각을 가지기 때문에 발광구조에서 생성된 광선을 서로 다른 반사각으로 반사시킨다. 결론적으로, 상기 발광장치 내에서의 반복적인 광선의 내부반사가 현저하게 감소하여 광선들이 발광구조에 흡수되는 것이 방지되며, 그 결과 광 추출효율이 향상된다.
본 발명에 따른 반도체 발광장치는 발광장치 내에서의 반복적인 광선의 내부반사가 현저하게 감소하여 광선들이 발광구조에 흡수되는 것이 방지되며, 그 결과 광 추출효율이 향상된다.
이상에서는 후술하는 발명의 상세한 설명의 이해를 위해 본 발명의 특징 및 기술적 장점을 개략적으로 설명하였다. 이하에서는 본 발명 특허청구범위의 요점이 되는 본 발명의 부가적인 특징 및 장점을 설명하기로 한다. 당업자는 여기에서 개시된 개념 및 실시예가 본 발명과 동일한 목적을 수행하는데 사용되는 여러 가지 다른 구조 또는 과정을 설계하거나 개량하는 것의 기초로 이용될 수 있음을 이해하여야 한다. 또한, 당업자는 이러한 동일 개념의 구성은 특허청구범위에서 정의된 본 고안의 영역에 속하는 것임을 이해하여야 한다.
본 발명의 목적 및 장점은 후술하는 발명의 상세한 설명 및 첨부된 도면을 참조하여 더욱 명확해질 것이다.
도1 내지 도3은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 발광장치(10)를 나타낸 도면이다. 도1과 관련하여, 상기 반도체 발광장치(10)는 기판(12), 상기 기판(12)상에 위치한 n형 반도체층(14), 상기 n형 반도체층(14)상에 위치한 발광구조(16), 상기 발광구조(16)상에 위치한 p형 반도체층(18), 상기 p형 반도체층(18)상에 위치한 접촉층(contact layer, 20), 상기 접촉층(20)상에 위치한 투명 전도층(22), 상기 n형 반도체층(14)상에 위치한 제1전극(24) 및 상기 투명 전도층(22)상에 위치한 제2전극층(26)을 포함한다.
도2 및 도3과 관련된 본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 기판(12)은 상부면(12A) 및 상기 상부면(12A)상에 위치한 복수의 돌출부(30)을 포함한다. 상기 돌출부(30) 각각은 상면(32), 3개의 벽면(34) 및 상기 상면(32)과 벽면(34) 사이에 끼인 3개의 경사면(36)을 포함한다. 상기 돌출부(30)의 벽면(34)과 경사면(36)은 서로 다른 경사각을 구비하는데, 상기 경사각은 상부면(12A)과 벽면(34)(또는 경사면(36)) 사이의 끼인각(included angle)이다. 상기 벽면(34)과 경사면(36)은 연결 되어 있고, 경사면(36)과 벽면(34) 사이의 상기 끼인각은 90도 내지 180도이다.
상기 서로 다른 경사각은 발광구조(16)에서 생성된 광선을 서로 다른 반사각으로 반사하도록 형성된다. 또한, 상기 돌출부(30)는 세 개의 코너를 구비한 바닥면(base surface, 38)을 포함하며, 상기 코너들의 연결은 원호 형상(arc-shaped)이다.(즉, 상기 벽면(34)는 원호형상이다.) 상기 벽면(34), 경사면(36) 및 상면(32)은 발광구조(16)에서 생성된 광선을 임의의 각도로 상기 발광장치(10)의 외부로 반사할 수 있다. 결론적으로, 상기 발광장치(10)내에서의 반복적인 광선의 내부반사가 현저하게 감소하여 광선들이 발광구조(16)에 흡수되는 것이 방지되며, 그 결과 광 추출효율이 향상된다. 특히, 도1에 도시한 상기 기판(12)상의 돌출부(30) 단면 형상은 도2의 I-I선에 의한 단면도이다.
본 발명의 일실시예에서 상기 기판(12)은 사파이어와 같은 투명한 절연물질(insulation material)을 포함하고, 상기 n형 반도체층(14), 발광구조(16) 및 상기 p형 반도체층(18)은 질화알루미늄갈륨(AlGaN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 질화알루미늄갈륨인듐(AlGaInN)과 같은 질화물질(nitride material)을 포함하고, 상기 접촉층(20)은 질화알루미늄갈륨(AlGaN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 질화알루미늄갈륨인듐(AlGaInN)과 같은 질화물질(nitride material)을 포함하고, 상기 투명 전도층(22)은 산화인듐(indium oxide), 산화주석(tin oxide) 또는 인듐주석 산화물(indium tin oxide)을 포함하며, 상기 발광구조(16)는 양자우물(quantum well) 또는 다중 양자우물(multi quantum well) 구조를 사용한다. 특히, 에피택시 기계(epitaxy machine)를 이용하 여 기판(12)상에 상기 층들을 형성할 수 있다.
도4 및 도5는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 발광장치(60)를 나타낸다. 도4에서 상기 반도체 발광장치(60)는 기판(62), 상기 기판(62)상에 위치한 n형 반도체층(64), 상기 n형 반도체층(64)상에 위치한 발광구조(66), 상기 발광구조(66)상에 위치한 p형 반도체층(68), 상기 p형 반도체층(68)상에 위치한 접촉층(70), 상기 접촉층(70)상에 위치한 질화물 결정층(nitride crystal layer, 78), 상기 질화물 결정층(78)상에 위치한 투명 전도층(72), 상기 n형 반도체층(64)상에 위치한 제1전극(74) 및 상기 투명 전도층(72)상에 위치한 제2전극(76)을 포함한다. 본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 질화물 결정층(78)은 복수의 돌출부(78A)를 포함하는데, 상기 복수의 돌출부(78A)는 발광구조(66)로부터 발광장치(60)의 외부로 전파되는 광선을 증가시켜 발광효율을 향상시킨다.
도5와 관련된 본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 기판(62)은 상부면(62A) 및 상기 상부면(62A)상에 위치한 복수의 돌출부(80)을 포함한다. 상기 돌출부(80) 각각은 상면(82), 5개의 벽면(84) 및 상기 상면(82)과 벽면(84) 사이에 끼인 3개의 경사면(86)을 포함한다. 상기 돌출부(80)의 벽면(84)과 경사면(86)은 서로 다른 경사각을 구비하는데, 상기 경사각은 상부면(62A)과 벽면(84)(또는 경사면(86)) 사이의 끼인각(included angle)이다. 상기 벽면(84)과 경사면(86)은 연결되어 있고, 경사면(86)과 벽면(84) 사이의 상기 끼인각은 90도 내지 180도이다.
상기 서로 다른 경사각은 발광구조(66)에서 생성된 광선을 서로 다른 반사각으로 반사하도록 형성된다. 또한, 상기 돌출부(80)는 다섯 개의 코너를 구비한 바 닥면(88)을 포함하며, 상기 코너들의 연결은 원호 형상(arc-shaped)이다.(즉, 상기 벽면(84)는 원호 형상이다.) 상기 벽면(84), 경사면(86) 및 상면(82)은 발광구조(66)에서 생성된 광선을 임의의 각도로 상기 발광장치(60)의 외부로 반사할 수 있다. 결론적으로, 상기 발광장치(60)내에서의 반복적인 광선의 내부반사가 현저하게 감소하여 광선들이 발광구조(66)에 흡수되는 것이 방지되며, 그 결과 광 추출효율이 향상된다. 특히, 도4에 도시한 상기 기판(62)상의 돌출부(80) 단면 형상은 도5의 II-II선에 의한 단면도이다.
본 발명의 일실시예에서 상기 기판(62)은 사파이어와 같은 투명한 절연물질(insulation material)을 포함하고, 상기 n형 반도체층(64), 발광구조(66) 및 상기 p형 반도체층(68)은 질화알루미늄갈륨(AlGaN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 질화알루미늄갈륨인듐(AlGaInN)과 같은 질화물질(nitride material)을 포함하고, 상기 접촉층(70)은 질화알루미늄갈륨(AlGaN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 질화알루미늄갈륨인듐(AlGaInN)과 같은 질화물질(nitride material)을 포함하고, 상기 투명 전도층(72)은 산화인듐(indium oxide), 산화주석(tin oxide) 또는 인듐주석 산화물(indium tin oxide)을 포함하며, 상기 발광구조(66)는 양자우물(quantum well) 또는 다중 양자우물(multi quantum well) 구조를 사용한다. 특히, 에피택시 기계를 이용하여 기판(62)상에 상기 층들을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 기판, 상기 기판상에 위치한 제1전도형 반도체층, 상기 제1전도형 반도체층상에 위치한 발광구조 및 상기 발광구조상에 위치한 제2전도 형 반도체층을 포함하는 반도체 발광장치를 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다. 상기 기판은 상부면과 상기 상부면상에 위치한 복수의 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부 각각은 복수의 브랜치(branches), 상기 브랜치 사이에 끼인 복수의 벽면, 상기 브랜치의 자유단(free ends)에 위치한 복수의 경사면을 포함하는 봉우리부(ridge portion)을 포함한다. 이때, 상기 자유단은 상기 상부면과 인접해 있다. 상기 돌출부의 봉우리부, 벽면, 경사면 및 상면은 서로 다른 경사각을 가지기 때문에 발광구조에서 생성된 광선을 서로 다른 반사각으로 반사시킨다. 결론적으로, 상기 발광장치 내에서의 반복적인 광선의 내부반사가 현저하게 감소하여 광선들이 발광구조에 흡수되는 것이 방지되며, 그 결과 광 추출효율이 향상된다.
도6 내지 도8은 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 발광장치(100)를 나타낸 도면이다. 도6과 관련하여, 상기 반도체 발광장치(100)는 기판(112), 상기 기판(112)상에 위치한 n형 반도체층(114), 상기 n형 반도체층(114)상에 위치한 발광구조(116), 상기 발광구조(116)상에 위치한 p형 반도체층(118), 상기 p형 반도체층(118)상에 위치한 접촉층(contact layer, 120), 상기 접촉층(120)상에 위치한 질화물 결정층(128), 상기 질화물 결정층(128)상에 위치한 투명 전도층(122), 상기 n형 반도체층(114)상에 위치한 제1전극(124) 및 상기 투명 전도층(122)상에 위치한 제2전극층(126)을 포함한다. 본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 질화물 결정층(128)은 복수의 오목부(depressions, 128A)를 포함하는데, 상기 복수의 오목부(128A)는 발광구조(116)로부터 발광장치(100)의 외부로 전파되는 광선을 증가시켜 발광효율을 향상시킨다.
도7 및 도8과 관련된 본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 기판(112)은 상부면(112A) 및 상기 상부면(112A)상에 위치한 복수의 돌출부(130)을 포함한다. 상기 돌출부(130) 각각은 상면(132), 봉우리부(140), 복수의 벽면(134) 및 복수의 경사면(136)을 포함한다. 상기 봉우리부(140) 각각은 복수의 브랜치(142)를 포함하고, 상기 벽면(134)은 브랜치(142) 사이에 끼여 있으며, 상기 경사면(136)은 브랜치(142)의 자유단에 위치하는데, 상기 자유단은 상기 상부면(112A)과 인접해 있다. 본 발명에 따른 일실시예에서 상기 봉우리부(140)는 는 세 개의 브랜치(142)를 포함하고, 상기 돌출부(130)는 세 개의 벽면(134)과 세 개의 경사면(136)을 포함한다. 상기 돌출부(130)의 상면(132)은 브랜치(142)를 연결하는데, 즉 상기 상면(132)은 브랜치(142) 사이에 끼여 있다. 또한, 상기 상면(132)은 다트 형상(dart-shaped)일 수 있으며, 상기 봉우리부(140)는 벽면(134)의 위쪽에 있다.
상기 돌출부(130)의 벽면(134)과 경사면(136)은 서로 다른 경사각을 구비하는데, 상기 경사각은 상부면(112A)과 벽면(134)(또는 경사면(136)) 사이의 끼인각(included angle)이다. 상기 벽면(134)과 경사면(136)은 연결되어 있고, 경사면(136)과 벽면(134) 사이의 상기 끼인각은 90도 내지 180도이다. 상기 서로 다른 경사각은 발광구조(116)에서 생성된 광선을 서로 다른 반사각으로 반사하도록 형성된다. 또한, 상기 돌출부(130)는 세 개의 코너를 구비한 바닥면(138)을 포함하며, 상기 코너들의 연결은 원호 형상이다.(즉, 상기 벽면(134)은 원호 형상이다.)
상기 봉우리부(140), 벽면(134), 경사면(136) 및 상면(132)은 발광구조(116)에서 생성된 광선을 임의의 각도로 상기 발광장치(100)의 외부로 반사할 수 있다. 결론적으로, 상기 발광장치(100)내에서의 반복적인 광선의 내부반사가 현저하게 감소하여 광선들이 발광구조(116)에 흡수되는 것이 방지되며, 그 결과 광 추출효율이 향상된다. 특히, 도5에 도시한 상기 기판(112)상의 돌출부(130) 단면 형상은 도6의 III-III선에 의한 단면도이다.
본 발명의 일실시예에서 상기 기판(112)은 사파이어와 같은 투명한 절연물질(insulation material)을 포함하고, 상기 n형 반도체층(114), 발광구조(116) 및 상기 p형 반도체층(118)은 질화알루미늄갈륨(AlGaN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 질화알루미늄갈륨인듐(AlGaInN)과 같은 질화물질(nitride material)을 포함하고, 상기 접촉층(120)은 질화알루미늄갈륨(AlGaN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 질화알루미늄갈륨인듐(AlGaInN)과 같은 질화물질(nitride material)을 포함하고, 상기 투명 전도층(122)은 산화인듐(indium oxide), 산화주석(tin oxide) 또는 인듐주석 산화물(indium tin oxide)을 포함하며, 상기 발광구조(116)는 양자우물 또는 다중 양자우물 구조를 사용한다. 특히, 에피택시 기계를 이용하여 기판(112)상에 상기 층들을 형성할 수 있다.
특히, 당업자는 제1실시예에서 발광장치(10)의 기판(12)과 돌출부(30), 제2실시예에서 발광장치(60)의 기판(62)과 돌출부(80), 그리고 제3실시예에서 발광장치(100)의 기판(112)과 돌출부(130)는 상호 교체되어 사용될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명 및 그에 따른 장점을 상세히 설명하였으나, 첨부한 특허청구범위에서 정의한 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형, 대용 및 교체가 가능함이 이해되 어야 한다. 예로서, 상기에서 논의된 많은 과정들은 다양한 방법론으로 보충될 수 있으며, 다른 과정들 또는 이들의 결합에 의해 대체될 수도 있다.
또한, 본 출원의 관점은 본 명세서에서 설명된 과정, 기계, 제품, 물질의 성분, 수단, 방법 및 단계의 특정 실시예로 한정하기 위한 것이 아니다. 본 발명의 개시에 의하여, 당업자는 설명된 실시예에 대응하는 동일한 기능을 수행하거나 동일한 결과를 얻을 수 있는 현존하거나 추후에 개발될 과정, 기계, 제품, 물질의 성분, 수단, 방법 또는 단계를 본 발명에 따라 이용할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 첨부한 특허청구범위는 이러한 과정, 기계, 제품, 물질의 성분, 수단, 방법 또는 단계를 포함하기 위한 것이다.
도1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광장치의 단면도,
도2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판의 3차원 사시도,
도3은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판의 주사 전자 현미경(scanning electron microscope, SEM) 이미지,
도4는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광장치의 단면도,
도5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판의 3차원 사시도,
도6은 본 발명의 제3실시예에 따른 발광장치의 단면도,
도7은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판의 3차원 사시도, 및
도8은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판의 주사 전자 현미경 이미지이다.

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  12. 상부면(upper surface) 및 상기 상부면 상에 위치한 복수의 돌출부(protrusion)를 포함하는 기판;
    상기 기판상에 위치한 제1전도형(conductive type) 반도체층;
    상기 제1전도형 반도체층상에 위치한 발광구조; 및
    상기 발광구조상에 위치한 제2전도형 반도체층을 포함하되,
    상기 돌출부 각각은 복수의 브랜치(branches), 복수의 벽면, 상기 브랜치의 자유단(free ends)에 위치한 복수의 경사면을 구비하는 봉우리부(ridge portion)를 포함하고,
    상기 자유단은 상기 상부면에 인접한 반도체 발광장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 경사면 및 벽면은 서로 다른 경사각을 가지는 반도체 발광장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 경사면은 벽면에 연결되는 반도체 발광장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 벽면은 원호 형상(ard-shaped)인 반도체 발광장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부는 3개의 경사면을 포함하는 반도체 발광장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부는 3개의 벽면을 포함하는 반도체 발광장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부는 3개의 브랜치를 포함하는 반도체 발광장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부는 적어도 3개의 코너를 구비한 바닥면을 포함하는 반도체 발광장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 코너들의 연결은 원호 형상인 반도체 발광장치.
  21. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 브랜치들을 연결하는 상면을 포함하는 반도체 발광장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 상면은 다트 형상(dart-shaped)인 반도체 발광장치.
  23. 제12항에 있어서,
    상기 봉우리부는 벽면의 위쪽에 있는 반도체 발광장치.
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