KR101020629B1 - 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 - Google Patents

자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법에 관한 것으로, 기판 상에 전극을 형성하는 단계와, 상기 전극을 포함한 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계와, 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 장비에서 발생할 수 있는 미스 얼라인(miss align) 문제를 효과적으로 극복할 수 있다.
자외선, 박막 트랜지스터, 절연막, 잉크젯 프린팅, 친수성, 채널층

Description

자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법{METHOD FOR SELECTIVE AREA SURFACE TREATMENT OF INSULATOR USING ULTRAVIOLET IRRADIATION}
본 발명은 자외선 조사를 이용한 게이트 절연막의 선택적 표면 처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 잉크젯 프린팅 하고자 하는 절연막 상의 채널영역을 먼저 자외선(Ultraviolet, UV)으로 조사하여 선택적 친수성의(hydrophilic) 상태로 만들어 잉크젯 프린팅의 미스 얼라인(miss align) 문제를 보안할 수 있도록 한 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 트랜지스터(TFT ; Thin Film Transistor)는 이미지 표시용 디스플레이 소자 또는 반도체 소자에서 스위칭 소자로 사용된다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 수직 교차되어 단위 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성되어 상기 단위 화소영역에 대해 전류를 온(on) 또는 오프(off)로 스위칭하는 역할을 하는데, 온 상태인 경우에는 전류가 흘러 특정 단위 화소영역과 관련된 커패시터를 원하는 전압까지 충전(charge)시 키고, 오프 상태인 경우에는 단위 화소영역이 다음에 어드레싱(addressing)될 때까지 충전 상태를 유지하도록 한다. 이때, 전압 레벨은 단위 화소영역에 상응하는 액정을 통하여 투과되는 광량을 결정하여 그레이 레벨(gray level)을 결정한다.
이러한, 박막 트랜지스터의 구조는 소스 전극과 게이트 전극이 한 평면상에 놓이는 코플레너(coplanar)형과 다른 평면상에 놓이는 스태거드(staggered)형의 두 종류가 있는데, 다결정 실리콘 TFT는 코플레너형 구조를 적용하고, 비정질 실리콘 TFT는 스태거드형 구조를 적용한다.
상기 스태거드형 TFT는 게이트 전극이 소스 전극과 드레인 전극의 밑에 놓인 역-스태거드(inverted staggered)형과 게이트 전극이 소스 전극과 드레인 전극보다 위에 있는 정상-스태거(normal staggered)형으로 다시 구별할 수 있는데, 전자를 버텀-게이트(bottom-gate)형 TFT라고 하고 후자를 탑-게이트(top-gate)형 TFT라고 한다.
일반적으로, 디스플레이 소자 또는 반도체 소자에 구비되는 박막 트랜지스터는, 버텀-게이트 형 TFT로서, 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 구비된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층의 채널영역을 제외한 나머지 영역에 구비되는 오믹콘택층과, 상기 오믹콘택층 상에 형성되는 소스/드레인 전극으로 구성된다.
이때, 상기 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si)을 고온에서 약 500Å이하의 얇은 두께로 증착하여 형성한 것이고, 상기 오믹콘택층은 n형 불순물을 주입된 비정 질 실리콘(a-Si)을 고온에서 약 300~700Å 정도의 두께로 증착하여 형성한 것이다.
그리고, 상기 게이트 절연막도 유전율이 약 7.5 정도의 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기재료를 통상, 고온 환경의 플라즈마 강화형 화학 증기 증착(PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법으로 증착하여 형성한다.
그러나, 종래 기술의 박막 트랜지스터는 기판표면이 소수성을 띠는 경우에는 후속공정에서 게이트 절연막이나 전극을 형성하기 위한 금속막을 형성할 때 기판과의 접착력이 양호하지 않게 된다. 특히, 게이트 절연막으로 유기절연막을 형성할 때, 게이트 절연막과 기판간의 접착력이 열악하고, 기판과 게이트 절연막간의 계면특성이 열악한 문제점이 있었다.
또한, 기판 상에 Ag과 같은 금속으로 된 전극을 형성하는 경우나 게이트 절연막 상에 반도체층과 같은 채널층을 형성하는 경우에는 기판과 Ag막간 또는 게이트 절연막과 채널층간의 접착력이 열악하게 되어, Ag막 또는 채널층을 잉크젯 방식 등을 이용하여 프린팅하는 경우 Ag막 또는 채널층을 균일하게 형성할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 잉크젯 프린팅 하고자 하는 절연막 상의 채널영역을 먼저 자외선(UV) 조사하여 선택적으로 친수성의(hydrophilic) 상태로 만들어 잉크젯 프린팅의 미스 얼라인(miss align) 문제를 보안할 수 있도록 한 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법을 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은, (a) 기판 상에 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 전극을 포함한 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; (c) 상기 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및 (d) 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법을 제공하는 것이다.
상기 단계(b)에서, 상기 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성함이 바람직하다.
바람직하게, 광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나 의 첨가물을 도핑시킬 수 있다.
바람직하게, 상기 단계(c)에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사할 수 있다.
바람직하게, 상기 친수성의 정도는 접촉각 0.01°내지 100°범위를 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 측면은, (a') 기판 상에 전극을 형성하는 단계; (b') 상기 전극을 포함한 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계; (c') 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계; (d') 상기 제2 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및 (e') 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법을 제공하는 것이다.
여기서, 상기 단계(b')에서, 상기 제1 절연막은 이산화규소(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 이산화하프늄(HfO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3), 폴리비닐페닐(Poly-Vinyl-Phenyl, PVP) 중 적어도 어느 하나의 무기물 또는 유기물을 이용하여 형성함이 바람직하다.
바람직하게, 상기 단계(c')에서, 상기 제2 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
바람직하게, 광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물 질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물을 도핑시킬 수 있다.
바람직하게, 상기 단계(d')에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사할 수 있다.
바람직하게, 상기 친수성의 정도는 접촉각 0.01°내지 100°범위를 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법에 따르면, 잉크젯 프린팅 하고자 하는 절연막 상의 채널영역을 먼저 자외선(UV) 조사하여 선택적으로 친수성의(hydrophilic) 상태로 만들어 잉크젯 프린팅의 미스 얼라인(miss align) 문제를 보안할 수 있는 이점이 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
먼저, 본 발명은 자외선 조사(UV irradiation) 방법을 이용하여 선택적으로 친수성의(hydrophilic) 상태로 만들어 잉크젯 프린팅(inkjet printing)의 미스 얼라인(miss align) 문제를 보완하고, 보다 간단한 솔루션(solution) 공정의 선택적 영역의 패터닝(patterning)을 수행한다.
이때, 잉크젯 프린팅 장비에 자외선 노광(UV exposure) 장비를 임베디드(embedded) 하여 잉크젯 프린팅 하고자 하는 영역을 먼저 자외선을 조사한 후 잉크젯 프린팅 공정을 수행한다.
한편, 본 발명의 자외선 조사를 이용한 선택적 표면 처리방법은 게이트 절연막에 적용됨이 바람직하지만, 이에 국한하지 않으며, 모든 절연막에 적용 가능하다. 또한, 본 발명의 실시예들에서는 역-스태거드(inverted staggered)형 구조를 갖는 박막 트랜지스터(TFT)를 적용하였지만, 이에 국한하지 않으며, 모든 타입의 박막 트랜지스터의 구조(예컨대, 코플레너 타입 등)에도 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 1을 참조하면, 투명한 기판(100)을 준비한 다음, 그 위에 예컨대, Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속물질을 증착하여 금속막을 형성한 후, 이를 패터닝하여 게이트 전극(110)을 형성한다. 이때, 게이트전극(110)의 패터닝 공정은 사진식각 공정(photolithography)을 통해서 이루어진다.
상기 사진식각 공정은 패턴을 형성하고자 하는 식각대상층 상에 감광막(photoresist film)을 도포하는 감광막 도포공정과, 상기 감광막 상에 마스크를 얼라인한 후, 상기 마스크를 통해 빛을 조사하는 노광공정(exposing process)과, 상기 노광된 감광막을 현상액에 작용시켜 식각대상층 상에 감광패턴을 형성하는 현상공정(developing process)과, 상기 감광패턴을 마스크로 하여 상기 식각대상층을 식각함으로써 원하는 패턴을 형성하는 식각공정(etching process) 및 상기 패턴 상에 잔류하는 감광패턴을 제거하는 스트립공정(strip process)으로 이루어진다.
이어서, 게이트 전극(110)을 포함하는 기판(100) 전면에 게이트 절연막(gate insulator)(120)을 형성한다. 이때, 게이트 절연막(110)은 예컨대, 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성함이 바람직하지만, 이에 국한하지 않으며, 예컨대, 이산화규소(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 이산화하프늄(HfO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3) 등의 물질이 이용될 수도 있다.
다음으로, 게이트 절연막(110) 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 소수성의(hydrophobic) 상태에서 친수성의(hydrophilic) 상태로 변화시킨 후, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층(channel layer)(미도시)을 형성한다.
이때, 상기 자외선은 약 300nm 내지 500nm 파장범위(바람직하게는, 약 400nm 이하)로 약 24시간이하 동안 조사하며, 출력은 모든 범위로 함이 바람직하다. 또한, 상기 친수성의 정도는 접촉각 0.01°내지 100°범위(바람직하게는, 약 0°내지 100°범위)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 이산화티타늄(TiO2) 물질은 자와선 조사(UV irradiation) 후에 슈퍼-친수성(super-hydrophilicity) 즉, 물(water)과 접촉각(contact angle)이 거의 제로(zero)가 된다.
또한, 광촉매 효과(photo-catalytic efficiency)를 증가시키기 위해 이산화티타늄(TiO2) 물질에 예컨대, 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 등 전이 금속(transition metal)의 모든 원소가 포함되거나 도핑시킬 수 있다.
이러한 친수성(hydrophilicity)은 여러 가지 솔루션(solution) 공정에서 유용하게 사용되어질 수 있다. 예를 들어, 선택적으로 친수성의(hydrophilic) 처리를 수행하여 잉크젯 프린팅(inkjet printing)에서 발생할 수 있는 미스 얼라인(miss align) 문제를 극복할 수 있게 해주며, 솔루션(solution) 공정에서의 패터닝(patterning)에서의 편의성을 가져다준다.
한편, 본 발명의 실시예에 적용된 역-스태거드(inverted staggered)형 구조를 갖는 박막 트랜지스터(TFT)에서, 솔루션(solution) 공정인 잉크젯 프린팅(inkjet printing)을 통해 채널층(channel layer)(미도시)을 게이트 절연막(110) 상에 형성하기 전에 자외선 조사(UV irradiation)를 먼저 수행하여 선택적 친수성(hydrophilicity) 상태로 만든다.
또한, 상기 이산화티타늄(TiO2)에 자외선(UV)을 조사하면 광촉매 산화(photo-catalytic oxidation)가 일어나게 된다. 이때, 조사한 자외선 광원(UV source)은 이산화티타늄(TiO2)의 에너지 밴드갭보다 더 큰 에너지를 갖는 파장을 갖 아야만 한다. 이 과정을 통해 전도대역과 가전자대역에는 전자 정공 쌍이 생기게 된다. 정공들은 흡수된 산소와 오존 라디칼들과 반응하게 되며 산화하게 된다. 이러한 과정을 광촉매 산화(photo-catalytic oxidation)라 한다. 이산화티타늄(TiO2)에 전이 금속(transition metal)을 넣어서 가전자대역에 정공들을 많이 만들어서 광촉매 효과(photocatalytic efficiency)를 늘릴 수도 있다.
이렇게 사용된 이산화티타늄(TiO2)은 high k-material로써 그 자체적으로 박막 트랜지스터에서의 게이트 절연막(gate insulator)으로 사용될 수 있을 뿐 아니라, 후술하는 도 2에 도시된 바와 같이, 다른 게이트 절연막(gate insulator) 상에 형성되어 채널층을 솔루션(solution) 공정으로 증착하기 위한 효과적인 패터닝(patterning)에 도움을 줄 수 있다.
이때, 사용된 증착 방법은 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방법을 사용한다. 이러한 잉크젯 프린팅 방법은 보통 패턴(pattern)에 대한 정보를 장비에 입력한 후 그 정보대로 채널 영역을 프린팅(printing) 하게 된다. 이때, 자외선 램프(UV lamp)나 이산화티타늄(TiO2)의 밴드갭보다 낮은 파장을 갖는 레이저(laser)를 임베디드(embedded) 시키면 동시에 잉크젯(inkjet) 하기 전에 선택적으로 친수성의(hydrophilic) 상태로 만들어 솔루션(solution) 공정에서 중요한 접촉각(contact angle)을 줄여 균일성(uniformity)이 좋은 박막을 얻을 수 있다. 또한, 잉크젯 프린팅에서 중요한 미스 얼라인(miss align) 문제를 효과적으로 해결할 수 있다. 그리고, 이산화티타늄(TiO2)은 동시에 게이트 절연막으로도 사용할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 2를 참조하면, 먼저, 기판(200) 상에 게이트 전극(210)을 형성한 후, 게이트 전극(210)을 포함한 기판(200) 상에 제1 게이트 절연막(220)을 형성한다. 이어서, 제1 게이트 절연막(210) 상에 제2 게이트 절연막(230)을 형성한다.
그런 다음, 제2 게이트 절연막(230) 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시킨 후, 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층(channel layer)(미도시)을 형성한다.
이때, 제1 게이트 절연막(230)은 예컨대, 이산화규소(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 이산화하프늄(HfO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3), 폴리비닐페닐(Poly-Vinyl-Phenyl, PVP) 중 적어도 어느 하나의 무기물 또는 유기물을 이용하여 형성함이 바람직하다. 그리고, 제2 게이트 절연막(230)은 예컨대, 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성함이 바람직하다.
또한, 광촉매 효과를 증가시키기 위하여 이산화티타늄(TiO2) 물질에 예컨대, 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물을 도핑시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 적용된 자외선 조사(UV irradiation)는 전술한 본 발명의 일 실시예와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 본 발명의 일 실시 예를 참조하기로 한다.
상기와 같이 본 발명은, 박막 트랜지스터 구조에서 이산화티타늄(TiO2) 물질을 게이트 절연막(gate insulator) 또는 채널층(channel layer)과 게이트 절연막(gate insulator) 사이의 층으로 사용한다. 솔루션(solution) 공정인 잉크젯 프린팅(inkjet printing)을 통해 채널층을 형성할 때 자외선 조사(UV irradiation)를 수행하여 선택적 친수성(hydrophilicity) 상태로 만든다.
이때, 자외선 램프(UV lamp)는 잉크젯 프린팅 장비에 임베디드(embedded) 되어 잉크젯 프린팅 하기 전에 자외선(UV)이 조사되어 잉크젯 프린팅 장비의 미스 얼라인(miss align) 문제를 해결하고 효과적인 패터닝(patterning)을 수행할 수 있게 해준다. 이는 보다 효과적인 솔루션(solution) 공정을 실제 반도체 산업에 적용할 수 있게 해주며, 이러한 솔루션(solution) 공정은 진공(vacuum) 장비를 이용하는 모든 공정보다 훨씬 경제적이며 간단한 프로세스(process)를 거친다.
전술한 본 발명에 따른 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법을 설명하기 위한 개념도이다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및
    (c) 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 단계(a)에서, 상기 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물 을 도핑시키는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 단계(b)에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 친수성의 정도는 접촉각 0.01°내지 100°범위를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  6. (a') 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;
    (b') 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계;
    (c') 상기 제2 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및
    (d') 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 단계(a')에서, 상기 제1 절연막은 이산화규소(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 이산화하프늄(HfO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3), 폴리비닐페닐(Poly-Vinyl-Phenyl, PVP) 중 적어도 어느 하나의 무기물 또는 유기물을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 단계(b')에서, 상기 제2 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물을 도핑시키는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 단계(c')에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 친수성의 정도는 접촉각 0.01°내지 100°범위를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법.
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