KR101017101B1 - Inductively coupled plasma antenna - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유도결합 플라즈마 안테나에 있어서 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 개선된 구조를 가지도록 하여 대면적의 장방형 피가공물의 표면처리를 효과적으로 할 수 있는 유도결합 플라즈마 안테나에 관한 것이다. The present invention relates to an inductively coupled plasma antenna capable of effectively surface treatment of a large-area rectangular workpiece by having an improved structure to generate a uniform plasma in the inductively coupled plasma antenna.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 안테나는 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지고, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지며, 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 한 쌍의 제1 안테나유닛과, 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛 내측에 위치되고, 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지며, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지고, 상기 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 단일의 제2 안테나유닛과, 상기 단일의 제2 안테나유닛 내측에 위치되고, 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지며, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지고, 상기 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 단일의 제3 안테나유닛을 포함한다.Inductively coupled plasma antenna according to a preferred embodiment of the present invention is composed of a pair of loop antennas connected in parallel, each loop antenna has a power applying portion and a ground portion, respectively, a pair of loop antenna each up and down A pair of first antenna units to be positioned, and a pair of loop antennas which are located inside the pair of first antenna units and are connected in parallel, wherein each loop antenna has a power applying unit and a grounding unit, respectively And a pair of second antenna units each having the pair of loop antennas positioned up and down, and a pair of loop antennas located in the single second antenna unit and connected in parallel. The antenna includes a single third antenna unit having a power applying unit and a grounding unit, respectively, wherein the pair of loop antennas are positioned up and down, respectively.

챔버, 기판, 플라즈마, 유도, 결합, 안테나, RF, 전기장, 자기장, 이중, 복합 Chamber, Substrate, Plasma, Induction, Coupling, Antenna, RF, Electric Field, Magnetic Field, Duplex, Composite

Description

유도결합 플라즈마 안테나{Inductively coupled plasma antenna}Inductively coupled plasma antenna

본 발명은 유도결합 플라즈마 안테나에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼나 글래스(이하, ‘기판’이라 함)에 대한 식각 및 증착공정을 수행하는 플라즈마 발생장치에 사용되는 유도결합 플라즈마 안테나에 있어서 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 개선된 구조를 가지도록 하여 대면적의 장방형 피가공물의 표면처리를 효과적으로 할 수 있는 유도결합 플라즈마 안테나에 관한 것이다. The present invention relates to an inductively coupled plasma antenna, and more particularly, to an inductively coupled plasma antenna used in a plasma generating apparatus for performing an etching and deposition process on a wafer or glass (hereinafter, referred to as a substrate). The present invention relates to an inductively coupled plasma antenna capable of effectively surface treatment of a large-area rectangular workpiece by having an improved structure capable of generating plasma.

일반적으로 플라즈마 발생장치에는 박막증착을 위한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition) 장치, 증착된 박막을 식각하여 패터닝하는 식각장치, 스퍼터(Sputter), 애싱(Ashing) 장치 등이 있다.In general, a plasma generator includes a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) device for thin film deposition, an etching device for etching and patterning the deposited thin film, a sputter, and an ashing device.

또한, 이러한 플라즈마 발생장치는 RF전력의 인가방식에 따라 용량결합형(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 장치와 유도결합형(Inductively Coupled Plasma, ICP) 장치로 구분되는데, 전자는 서로 대향되는 평행평판 전극에 RF전력을 인가하여 전극사이에 수직으로 형성되는 RF전기장을 이용하여 플라즈마를 발생시키는 방식이고, 후자는 안테나에 의하여 유도되는 유도전기장을 이용하여 소스물질을 플라즈마로 변화시키는 방식이다.In addition, such a plasma generator is classified into a capacitively coupled plasma (CCP) device and an inductively coupled plasma (ICP) device according to an application method of RF power. RF is applied to generate a plasma using an RF electric field formed vertically between the electrodes, and the latter is a method of converting a source material into a plasma by using an induction electric field induced by an antenna.

도 1은 종래의 ICP 방식의 플라즈마 발생장치의 일반적인 구성을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 발생장치에 있어서 RF안테나를 나타낸 일실시예이다.1 is a view schematically showing a general configuration of a conventional ICP-type plasma generating apparatus, Figure 2 is an embodiment showing an RF antenna in the plasma generating apparatus of FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 ICP 방식의 플라즈마 발생장치는, 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버(11)와, 챔버(11)의 내부에 위치하며 상면에 기판(S)을 안치하는 서셉터(12)와, 서셉터(12)의 상부에서 소스물질을 분사하는 가스분배관(13)과, 가스분배관(13)에 소스물질을 공급하는 가스공급관(14)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional ICP type plasma generating apparatus includes a chamber 11 defining a sealed reaction region, and a substrate S positioned inside the chamber 11 and having a substrate S placed on an upper surface thereof. And a gas distribution pipe 13 for injecting the source material from the upper part of the susceptor 12 and a gas supply pipe 14 for supplying the source material to the gas distribution pipe 13.

또한, 소스물질을 플라즈마로 변환시키기 위해 RF전력을 공급하는 RF안테나(15)가 유전체(11a)의 상부에 위치하며, RF안테나(15)는 급전선(18)을 통해 RF전원(17)에 연결된다. RF안테나(15)와 RF전원(17)의 사이에 위치하는 매처(16)는 부하임피던스와 소스임피던스를 정합시키는 역할을 한다.In addition, an RF antenna 15 for supplying RF power to convert the source material into the plasma is positioned above the dielectric 11a, and the RF antenna 15 is connected to the RF power source 17 through the feed line 18. do. The matcher 16 located between the RF antenna 15 and the RF power source 17 serves to match the load impedance and the source impedance.

RF안테나(15) 하부의 유전체(11a)는 유도전기장이 챔버(11) 내부로 전달될 수 있도록 절연재질로 이루어진다. 절연재질의 유전체(11a)는 안테나와 플라즈마 사이의 용량성 결합을 감소시켜 RF전원(17)으로부터 에너지가 유도성 결합에 의하여 플라즈마로 전달되는 것을 돕는다.The dielectric 11a below the RF antenna 15 is made of an insulating material so that an induced electric field can be transferred into the chamber 11. The dielectric dielectric 11a reduces the capacitive coupling between the antenna and the plasma to help transfer energy from the RF power source 17 to the plasma by inductive coupling.

RF안테나(15)에 RF전원(17)이 공급되면, 안테나 주위로 수직방향의 시변(時變) 전기장이 발생하고, 챔버(11) 내부에는 시변 전기장에 의해 수평방향의 전기장이 유도되는데, 이 유도 전기장에 의하여 가속된 전자가 중성기체와 충돌함으로써 이온 및 활성종(Radical)이 생성되어 기판(S)에 대한 식각 및 증착공정을 수행하게 된다. 이때 기판(S)으로 입사하는 이온의 입사 에너지를 조절하기 위하여 서셉 터(12)에는 RF전원(17)과 별도의 바이어스 전원(미도시)이 인가될 수 있다. When the RF power source 17 is supplied to the RF antenna 15, a vertical time varying electric field is generated around the antenna, and a horizontal electric field is induced inside the chamber 11 by a time varying electric field. As the electrons accelerated by the induced electric field collide with the neutral gas, ions and active species are generated to perform etching and deposition processes on the substrate S. In this case, in order to control the incident energy of the ions incident on the substrate S, a bias power source (not shown) separate from the RF power source 17 may be applied to the susceptor 12.

한편, 서셉터(12)의 내부에는 기판의 온도조절을 위하여 히터(미도시) 또는 냉각유로가 내장되며, 챔버(11) 하부의 배기구(19)는 진공펌프 등을 통하여 공정잔류가스를 배기하는 역할을 한다.Meanwhile, a heater (not shown) or a cooling passage is built in the susceptor 12 to control the temperature of the substrate, and the exhaust port 19 under the chamber 11 exhausts the process residual gas through a vacuum pump. Play a role.

도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 RF안테나(15)는 하나의 코일이 나선형으로 감긴 형태이고 중심부에 RF전원(17)이 연결되고 주변부에서 접지된다. 나선형 안테나(15)를 구성하는 각 회전코일은 서로 직렬로 연결된 구조이므로 각 회전코일에 흐르는 전류량과 방향이 동일하다. As shown in FIG. 2, the conventional RF antenna 15 has a coil wound in a spiral shape, and an RF power source 17 is connected to the center and grounded at the periphery. Since each rotating coil constituting the spiral antenna 15 is connected in series with each other, the amount and direction of current flowing through each rotating coil are the same.

따라서 RF전원(17)이 연결된 중심부는 상대적으로 접지부에 비하여 강한 RF전기장이 형성되나 인접한 회전코일에 흐르는 전류의 방향이 동일하기 때문에 인접한 회전코일과의 전기장의 방향이 반대로 되는 것에 인하여 RF전기장이 상호간에 상쇄되어 플라즈마 밀도가 낮아지게 되고, 또한, RF전원(17)의 주변부는 즉, 네 모서리 부분은 챔버(11) 벽체나 접지되어 있는 구조물 등에 의하여 전하의 손실이 발생하기 때문에 플라즈마의 밀도가 낮아지게 되어, 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하는 것이 어렵게 되는 문제점이 있다. Therefore, in the center where the RF power source 17 is connected, a strong RF electric field is formed compared to the ground part, but since the direction of the current flowing in adjacent rotating coils is the same, the direction of the electric field with adjacent rotating coils is reversed. The density of the plasma is canceled and the plasma density is lowered. In addition, the density of the plasma is increased because the peripheral portion of the RF power source 17, that is, the four corners, loses charge due to the wall of the chamber 11 or the grounded structure. There is a problem that it becomes low, making it difficult to keep the plasma density uniform.

한편, 근래에는 LCD, PDP 및 유기EL 등의 평판표시장치 자체도 대면적화 되는 추세에 있으며, 이를 위해 플라즈마 처리장치의 크기도 대면적화 되어 가고 있다.Meanwhile, flat panel display devices such as LCDs, PDPs, and organic ELs have become large in recent years, and for this purpose, the size of plasma processing devices has also increased.

따라서 종래와 같은 플라즈마 처리장치의 플라즈마 안테나 구조는 대구경의 반도체 웨이퍼를 처리하기에는 적합하였으나, 상기와 같이 RF전원 인가부 즉, 중앙 부와 주변부 즉, 접지부가 위치되는 네모서리 부분에 발생되는 플라즈마의 불균일 등으로 인하여 장방형의 대면적 평판표시장치에 적용하기에는 무리가 따른다. Therefore, although the plasma antenna structure of the conventional plasma processing apparatus is suitable for processing a large diameter semiconductor wafer, as described above, non-uniformity of plasma generated in the RF power applying portion, that is, the corner portion where the center portion and the peripheral portion, that is, the ground portion, are located as described above. It is difficult to apply it to rectangular large area flat panel display due to the back light.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출된 것으로서, 유도결합 플라즈마 안테나에 있어서 RF전원의 전력인가부 부근(중심부분)과 접지부 부근(네모서리부분)에서 상대적으로 약하게 형성되는 RF전기장으로 인한 플라즈마 밀도의 불균일을 해소하여 대면적 평판표시장치의 표면처리를 위한 균일한 플라즈마를 발생시키도록 하는 유도결합 플라즈마 안테나를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and is caused by a relatively weak RF electric field formed near the power supply portion (center portion) and the ground portion (near edge portion) of an RF power source in an inductively coupled plasma antenna. It is an object of the present invention to provide an inductively coupled plasma antenna that eliminates non-uniformity of plasma density to generate uniform plasma for surface treatment of a large area flat panel display.

한편, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Meanwhile, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 안테나는 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지고, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지며, 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 한 쌍의 제1 안테나유닛과, 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛 내측에 위치되고, 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지며, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지고, 상기 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 단일의 제2 안테나유닛과, 상기 단일의 제2 안테나유닛 내측에 위치되고, 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지며, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지고, 상기 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 단일의 제3 안테나유닛을 포함한다.In order to achieve the above object, an inductively coupled plasma antenna according to a preferred embodiment of the present invention comprises a pair of loop antennas connected in parallel, each loop antenna having a power applying unit and a grounding unit, respectively, The loop antenna includes a pair of first antenna units each positioned up and down, and a pair of loop antennas located in the pair of first antenna units and connected in parallel. A pair of loop antennas each having an applying unit and a grounding unit, each of the pair of loop antennas positioned up and down, and a pair of loop antennas located inside the single second antenna unit and connected in parallel; Each of the loop antennas has a power applying unit and a grounding unit, respectively, and the pair of loop antennas are respectively located up and down. 3 includes an antenna unit.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛은 가변커패시터에 연결된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the pair of first antenna units are connected to a variable capacitor.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛은 각각 제1 및 제2 루프형 안테나로 이루어지는데, 각 루프형 안테나는 전체적으로 반 사각형상을 가지며 상기 제1 루프형 안테나의 하부에 제2 루프형 안테나가 위치되고, 상기 반 사각형상이 상호간 대향되도록 위치되어 일부가 개방된 구조의 사각형상을 가진다.According to a preferred embodiment of the present invention, the pair of first antenna units are each composed of first and second loop antennas, each loop antenna having a half-square shape as a whole and a lower portion of the first loop antenna. A second loop antenna is positioned at the second antenna, and the half quadrangular shapes are disposed to face each other, and have a rectangular shape having a part of an open structure.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 단일의 제2 안테나유닛은, 제3 및 제4 루프형 안테나로 이루어지는데, 각 루프형 안테나는 전체적으로 일부가 개방된 사각형상을 가지며 상기 제3 루프형 안테나의 하부에 제4 루프형 안테나가 위치되고, 상기 일부가 개방된 사각형상이 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛 중 어느 하나의 제1 안테나유닛의 폐쇄된 부위에 위치된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the single second antenna unit is composed of third and fourth loop antennas, each loop antenna having a quadrangular shape partially open as a whole and the third loop antenna. A fourth loop antenna is positioned at a lower portion of the antenna, and a quadrangular shape of which the portion is opened is located at a closed portion of one of the first antenna units of the pair of first antenna units.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제3 및 제4 루프형 안테나는 회전코일의 상하 위치 간격이 아주 좁으며, 각각 상기 전력인가부와 접지부에 연결된 회전코일과 상기 전력인가부와 접지부 사이의 절곡된 회전코일 사이의 간격이 상기 회전코일의 상하 위치 간격 보다 넓다.According to a preferred embodiment of the present invention, the third and fourth loop antennas have a very small vertical gap between the rotary coils, the rotary coils connected to the power applying unit and the grounding unit, and the power applying unit and the grounding unit, respectively. The interval between the bent rotary coils is wider than the vertical gap of the rotary coils.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 단일의 제3 안테나유닛은, 제5 및 제6 루프형 안테나로 이루어지는데, 각 루프형 안테나는 전체적으로 일부가 개방된 사각형상을 가지며 상기 제5 루프형 안테나의 하부에 제6 루프형 안테나가 위 치되고, 상기 일부가 개방된 사각형상이 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛 중 다른 하나의 제1 안테나유닛 또는 상기 단일의 제2 안테나유닛의 폐쇄된 부위에 위치된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the single third antenna unit is composed of fifth and sixth loop antennas, each loop antenna having a quadrangular shape of which part is entirely open, and the fifth loop antenna. A sixth loop-type antenna is positioned at a lower portion of the antenna, and a partially open quadrangular shape is located at a closed portion of the other first antenna unit or the single second antenna unit of the pair of first antenna units. do.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제5 및 제6 루프형 안테나는 회전코일의 상하 위치 간격이 아주 좁으며, 각각 상기 전력인가부와 접지부에 연결된 회전코일과 상기 전력인가부와 접지부 사이의 절곡된 회전코일 사이의 간격이 상기 회전코일의 상하 위치 간격 보다 넓다.According to a preferred embodiment of the present invention, the fifth and sixth loop antennas have a very small vertical gap between the rotary coils, the rotary coils connected to the power applying unit and the grounding unit, and the power applying unit and the grounding unit, respectively. The interval between the bent rotary coils is wider than the vertical gap of the rotary coils.

본 발명에 의하면, 한 쌍의 제1 안테나유닛과 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛의 내측에 위치하는 단일의 제2 안테나유닛 및 상기 단일의 제2 안테나유닛의 내측에 위치하는 단일의 제3 안테나유닛을 통하여, RF전원의 전력인가부 부근(중심부분)에 강하게 발생되는 플라즈마 밀도를 상쇄시켜 균일하게 할 수 있고 접지부 부근(네모서리부분)에 강하게 플라즈마 밀도를 발생시켜 구조물 등에 의해 전하가 손실되어 플라즈마의 밀도가 낮아지더라도 RF전원의 전력인가부 부근의 플라즈마 밀도와 유사한 플라즈마 밀도를 생성하도록 하여 대면적 평판표시장치의 표면처리를 가능하게 할 수 있다.According to the present invention, there is provided a pair of first antenna units and a single second antenna unit located inside the pair of first antenna units and a single third antenna located inside the single second antenna unit. Through the unit, the plasma density generated strongly near the power application portion (center portion) of the RF power supply can be canceled and made uniform, and the plasma density is strongly generated near the ground portion (the square edge portion), so that charges are lost by the structure or the like. As a result, even if the plasma density decreases, a plasma density similar to the plasma density near the power applying portion of the RF power source can be generated, thereby enabling the surface treatment of the large-area flat panel display device.

한편, 본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.On the other hand, the effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세 히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 안테나를 나타낸 구성도이고, 도 4는 도 3의 유도결합 플라즈마 안테나를 단순화 하여 나타낸 도면이다.3 is a block diagram showing an inductively coupled plasma antenna according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 4 is a simplified view showing the inductively coupled plasma antenna of FIG.

도 3과 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 안테나는, 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)의 내측에 위치하는 단일의 제2 안테나유닛(200) 및 단일의 제2 안테나유닛(200)의 내측에 위치하는 단일의 제3 안테나유닛(300)으로 이루어진다.3 and 4, the inductively coupled plasma antenna according to the preferred embodiment of the present invention is located inside the pair of first antenna units 100 and the pair of first antenna units 100. It consists of a single second antenna unit 200 and a single third antenna unit 300 located inside the single second antenna unit 200.

한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 단일의 제2 및 제3 안테나유닛(200,300)은 RF전원(17)에 대하여 서로 병렬로 연결되는데, 이를 위해 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 매처(16)를 병렬로 연결하는 제1 급전선(18)에 제2 급전선(19)을 분기하여 단일의 제2 및 제3 안테나유닛(200,300)을 병렬로 연결한다. The pair of first antenna units 100 and the single second and third antenna units 200 and 300 are connected in parallel to each other with respect to the RF power source 17. For this purpose, the pair of first antenna units 100 and The second feed line 19 is branched to the first feed line 18 connecting the matcher 16 in parallel to connect the single second and third antenna units 200 and 300 in parallel.

이때, 상기 분기점과 제1 안테나유닛(100) 사이에 가변커패시터(C)가 설치되어 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 단일의 제2 및 제3 안테나유닛(200,300) 사이에 흐르는 전류의 비율이 조절된다. 여기서 상기 가변커패시터(C)는 대칭성을 고려하여 RF전원이 인가되는 전력인가부(중심부) 부근에 구비되는 것이 바람직하다. At this time, the variable capacitor (C) is installed between the branch point and the first antenna unit 100 of the current flowing between the pair of first antenna unit 100 and a single second and third antenna unit (200,300). The ratio is adjusted. In this case, the variable capacitor C is preferably provided near the power applying unit (center) to which RF power is applied in consideration of symmetry.

한 쌍의 제1 안테나유닛(100a,100b)은, 각각 제1 및 제2 루프형 안테나(110,120)로 이루어지는데, 각 루프형 안테나(110,120)는 전체적으로 반 사각형상을 가지며 제1 루프형 안테나(110)의 하부에 제2 루프형 안테나(120)가 위치되는 상하 이중 구조를 가진다.Each of the pair of first antenna units 100a and 100b includes first and second loop antennas 110 and 120, and each of the loop antennas 110 and 120 has a half-square shape as a whole and a first loop antenna ( The second loop antenna 120 is positioned below the upper and lower dual structure.

또한, 한 쌍의 제1 안테나유닛(100a,100b)은 상기 전체적으로 반 사각형상이 상호간 대향되도록 위치되어 일부가 개방된 구조의 사각형상을 가진다.In addition, the pair of first antenna units 100a and 100b may have a quadrangular shape having a structure in which a half of the first and second antenna units 100a and 100b are disposed so as to face each other.

제1 및 제2 루프형 안테나(110,120)의 일단은 전력인가부(101)로서, 제1 급전선(18)을 통해 전달되는 RF전력은 4방향으로 분기된 후 각 전력인가부(101)에 공급된다. 제1 및 제2 루프형 안테나(110,120)의 타단은 접지부(102)로서 접지된다. 또한, 제1 및 제2 루프형 안테나(110,120)의 전력인가부(101)들과 접지부(102)들은 상호간 대각선으로 대향되는 위치에 구비된다. One end of the first and second loop antennas 110 and 120 is a power applying unit 101, and RF power delivered through the first feed line 18 is branched in four directions and then supplied to each power applying unit 101. do. The other ends of the first and second loop antennas 110 and 120 are grounded as the grounding part 102. In addition, the power applying units 101 and the grounding units 102 of the first and second loop antennas 110 and 120 are provided at positions diagonally opposite to each other.

여기서, 제1 및 제2 루프형 안테나(110,120)는 각각 동일 방향으로 전류가 흐르기 때문에 상하 이중으로 위치되는 루프코일들 상에 상호간 RF전기장을 상쇄시키는 즉 서로 방향이 반대인 RF전기장이 발생되나 상기 루프코일들 간의 간격(d1)이 아주 좁기 때문에 즉, 한 쌍의 상하 루프코일이 상기 간격만큼의 굵기를 가지는 단일의 루프코일 역할을 함으로써, 상기 루프코일들 내측이 서로 방향이 반대인 RF전기장으로 인한 RF전기장이 상쇄되더라도 상기 루프코일들 외측에 더 강한 RF전기장이 형성된다. In this case, since the first and second loop antennas 110 and 120 respectively flow current in the same direction, the RF electric fields are canceled from each other, i.e., the RF electric fields are reversed. Because the gap d1 between the loop coils is very narrow, that is, a pair of upper and lower roof coils serve as a single loop coil having a thickness equal to the gap, the inner sides of the loop coils are opposite to each other in an RF electric field. Even if the resulting RF electric field is canceled, a stronger RF electric field is formed outside the loop coils.

단일의 제2 안테나유닛(200)은, 제3 및 제4 루프형 안테나(210,220)로 이루어지는데, 각 루프형 안테나(210,220)는 전체적으로 일부가 개방된 사각형상을 가지며 제3 루프형 안테나(210)의 하부에 제4 루프형 안테나(220)가 위치되는 상하 이중 구조를 가진다.The single second antenna unit 200 is composed of the third and fourth loop antennas 210 and 220. Each of the loop antennas 210 and 220 has a quadrangular shape in which a part of the loop antennas 210 and 220 are entirely open. The fourth loop antenna 220 is positioned below the upper and lower dual structures.

또한, 단일의 제2 안테나유닛(200)은 전체적으로 일부가 개방된 사각형상이 한 쌍의 제1 안테나유닛(100) 중 어느 하나의 제1 안테나유닛(100a)의 폐쇄된 부위 에 위치되는 구조를 가진다.In addition, the single second antenna unit 200 has a structure in which a part of which the entire open quadrangle is located at a closed portion of any one of the first antenna unit 100a of the pair of first antenna units 100. .

제3 및 제4 루프형 안테나(210,220)의 일단은 전력인가부(201)로서, 제2 급전선(19)을 통해 전달되는 RF전력은 2방향으로 분기된 후 각 전력인가부(201)에 공급된다. 제3 및 제4 루프형 안테나(210,220)의 타단은 접지부(202)로서 접지된다. One end of the third and fourth loop antennas 210 and 220 is a power applying unit 201, and RF power delivered through the second feed line 19 is branched in two directions and then supplied to each power applying unit 201. do. The other ends of the third and fourth loop antennas 210 and 220 are grounded as the ground portion 202.

여기서, 제3 및 제4 루프형 안테나(210,220)는 각각 동일 방향으로 전류가 흐르기 때문에 상하 이중으로 위치되는 루프코일들 상에 상호간 RF전기장을 상쇄시키는 즉 서로 방향이 반대인 RF전기장이 발생되나 상기 루프코일들 간의 간격(d2)이 아주 좁기 때문에 즉, 한 쌍의 상하 루프코일이 상기 간격만큼의 굵기를 가지는 단일의 루프코일 역할을 함으로써, 상기 루프코일들 내측이 서로 방향이 반대인 RF전기장으로 인한 RF전기장이 상쇄되더라도 상기 루프코일들 외측에 더 강한 RF전기장이 형성된다. In this case, since the third and fourth loop antennas 210 and 220 respectively flow current in the same direction, the RF electric fields cancel each other, i.e. opposite RF directions, are generated on the loop coils positioned up and down. Since the gap d2 between the loop coils is very narrow, that is, a pair of upper and lower roof coils serve as a single loop coil having a thickness equal to the gap, the insides of the loop coils are opposite to each other in an RF electric field. Even if the resulting RF electric field is canceled, a stronger RF electric field is formed outside the loop coils.

또한, 제3 및 제4 루프형 안테나(210,220)는 각각 전력인가부(201)와 접지부(202)에 연결된 회전코일(203)과 전력인가부(201)와 접지부(202) 사이의 절곡된 회전코일(204) 사이의 간격(w1)은 상기 루프코일들 간의 간격(d2)보다 넓기 때문에 전력인가부(201)와 접지부(202)에 연결된 회전코일과 전력인가부(201)와 접지부(202) 사이의 절곡된 회전코일에 형성되는 RF전기장의 방향이 모두 유전체(미도시)를 향하더라도 상호간의 RF전기장에 의한 상쇄는 발생되지 않고 유전체(미도시)를 향하여 더 강한 RF전기장이 형성되게 된다. In addition, the third and fourth loop antennas 210 and 220 may be bent between the rotary coil 203 connected to the power applying unit 201 and the grounding unit 202, and the power applying unit 201 and the grounding unit 202, respectively. Since the interval w1 between the rotated coils 204 is wider than the interval d2 between the loop coils, the rotary coil and the power applying unit 201 connected to the power applying unit 201 and the grounding unit 202 are in contact with each other. Even if the directions of the RF electric fields formed on the bent rotating coils between the branches 202 are directed toward the dielectric (not shown), the offset by the mutual RF electric fields does not occur and a stronger RF electric field is directed toward the dielectric (not shown). Will be formed.

단일의 제3 안테나유닛(300)은, 제5 및 제6 루프형 안테나(310,320)로 이루어지는데, 각 루프형 안테나(310,320)는 전체적으로 일부가 개방된 사각형상을 가 지며 제5 루프형 안테나(310)의 하부에 제6 루프형 안테나(320)가 위치되는 상하 이중 구조를 가진다.The single third antenna unit 300 is composed of fifth and sixth loop antennas 310 and 320. Each of the loop antennas 310 and 320 has a quadrangular shape in which part of the roof antennas 310 and 320 are entirely open, and the fifth loop antenna ( The sixth loop-type antenna 320 is positioned below the upper and lower dual structures.

또한, 단일의 제3 안테나유닛(300)은 전체적으로 일부가 개방된 사각형상이 한 쌍의 제1 안테나유닛(100) 중 다른 하나의 제1 안테나유닛(100b) 또는 단일의 제2 안테나유닛(200)의 폐쇄된 부위에 위치되는 구조를 가진다.In addition, the single third antenna unit 300 has a quadrangular shape, which is partially opened, as a whole, the other one of the first antenna unit 100b of the pair of first antenna units 100b or the single second antenna unit 200. It has a structure located in the closed region of.

제5 및 제6 루프형 안테나(310,320)의 일단은 전력인가부(301)로서, 제2 급전선(19)을 통해 전달되는 RF전력은 2방향으로 분기된 후 각 전력인가부(301)에 공급된다. 제5 및 제6 루프형 안테나(310,320)의 타단은 접지부(302)로서 접지된다. One end of the fifth and sixth loop antennas 310 and 320 is a power applying unit 301, and RF power delivered through the second feed line 19 is branched in two directions and then supplied to each power applying unit 301. do. The other ends of the fifth and sixth loop antennas 310 and 320 are grounded as the ground portion 302.

여기서, 제5 및 제6 루프형 안테나(310,320)는 각각 동일 방향으로 전류가 흐르기 때문에 상하 이중으로 위치되는 루프코일들 상에 상호간 RF전기장을 상쇄시키는 즉 서로 방향이 반대인 RF전기장이 발생되나 상기 루프코일들 간의 간격(d3)이 아주 좁기 때문에 즉, 한 쌍의 상하 루프코일이 상기 간격만큼의 굵기를 가지는 단일의 루프코일 역할을 함으로써, 상기 루프코일들 내측이 서로 방향이 반대인 RF전기장으로 인한 RF전기장이 상쇄되더라도 상기 루프코일들 외측에 더 강한 RF전기장이 형성된다. Here, the fifth and sixth loop type antennas 310 and 320 each have a current flowing in the same direction, so that the RF electric fields cancel each other, that is, opposite directions are generated on the loop coils positioned up and down. Because the distance d3 between the loop coils is very narrow, that is, a pair of upper and lower roof coils serve as a single loop coil having a thickness equal to the interval, the inner side of the loop coils are opposite to each other in the RF electric field. Even if the resulting RF electric field is canceled, a stronger RF electric field is formed outside the loop coils.

또한, 제5 및 제6 루프형 안테나(310,320)는 각각 전력인가부(301)와 접지부(302)에 연결된 회전코일(303)과 전력인가부(301)와 접지부(302) 사이의 절곡된 회전코일(304) 사이의 간격(w2)은 상기 루프코일들 간의 간격(d3)보다 넓기 때문에 전력인가부(301)와 접지부(302)에 연결된 회전코일과 전력인가부(301)와 접지부(302) 사이의 절곡된 회전코일에 형성되는 RF전기장의 방향이 모두 유전체(미도 시)를 향하더라도 상호간의 RF전기장에 의한 상쇄는 발생되지 않고 유전체(미도시)를 향하여 더 강한 RF전기장이 형성되게 된다. In addition, the fifth and sixth loop antennas 310 and 320 are bent between the rotary coil 303 connected to the power applying unit 301 and the grounding unit 302, and the power applying unit 301 and the grounding unit 302, respectively. Since the interval w2 between the rotated coils 304 is wider than the interval d3 between the loop coils, the rotary coil 304 and the rotary coils connected to the power applying unit 301 and the grounding unit 302 are in contact with each other. Even if the directions of the RF electric fields formed on the bent rotary coils between the branches 302 are directed toward the dielectric (not shown), the offset by the mutual RF electric fields does not occur and a stronger RF electric field is directed toward the dielectric (not shown). Will be formed.

상기와 같이, 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)의 내측에 위치하는 단일의 제2 안테나유닛(200) 및 단일의 제2 안테나유닛(200)의 내측에 위치하는 단일의 제3 안테나유닛(300)으로 이루어진 플라즈마 안테나에 있어서, 한 쌍의 제1 안테나유닛(100) 중 어느 하나의 제1 안테나유닛(300a)과 다른 하나의 제1 안테나유닛(300b)의 전류 방향은 각각 반시계방향과 시계방향을 가지게 되어 상기 제1 안테나유닛(100)에 의해 발생되는 RF전기장은 모두 외측에서 내측으로 유전체(미도시)를 향하게 된다. 또한, 단일의 제2 안테나유닛(200)의 전류 방향은 반시계방향을 가지게 되어 상기 제2 안테나유닛(200)에 의해 발생되는 RF전기장도 외측에서 내측으로 유전체(미도시)를 향하게 된다. 또한, 단일의 제3 안테나유닛(300)의 전류 방향은 반시계방향을 가지게 되어 상기 제3 안테나유닛(300)에 의해 발생되는 RF전기장도 외측에서 내측으로 유전체(미도시)를 향하게 된다.As described above, the single second antenna unit 200 and the single second antenna unit 200 located inside the pair of first antenna units 100 and the pair of first antenna units 100 are provided. In the plasma antenna composed of a single third antenna unit 300 located inside, one of the first antenna unit 300a of the pair of first antenna unit 100 and the other one antenna unit ( The current direction of 300b has counterclockwise and clockwise directions, respectively, so that the RF electric field generated by the first antenna unit 100 is directed from the outside to the dielectric (not shown). In addition, the current direction of the single second antenna unit 200 has a counterclockwise direction so that the RF electric field generated by the second antenna unit 200 also faces the dielectric (not shown) from the outside to the inside. In addition, the current direction of the single third antenna unit 300 has a counterclockwise direction so that the RF electric field generated by the third antenna unit 300 also faces the dielectric (not shown) from the outside to the inside.

여기서, 제1 안테나유닛(100) 중 어느 하나의 제1 안테나유닛(100a)의 폐쇄 부위에는 제2 안테나유닛(200)의 개방 부위가 위치되어 제1 안테나유닛(100a)의 RF전기장의 상쇄는 발생되지 않고, 제2 안테나유닛(200)의 개방 부위에는 제3 안테나유닛(300)의 폐쇄 부위가 위치되어 제3 안테나유닛(300)의 RF전기장의 상쇄는 발생되지 않아 제1 안테나유닛(100a)과 제3 안테나유닛(300)의 루프코일들에 의해 강한 RF전기장이 형성된다.Here, the open portion of the second antenna unit 200 is located in the closed portion of any one of the first antenna unit 100a of the first antenna unit 100 so that the offset of the RF electric field of the first antenna unit 100a Not generated, the closed portion of the third antenna unit 300 is located in the open portion of the second antenna unit 200, the offset of the RF electric field of the third antenna unit 300 does not occur, so the first antenna unit 100a And a strong RF electric field is formed by the loop coils of the third antenna unit 300.

또한, 제1 안테나유닛(100) 중 다른 하나의 제1 안테나유닛(100b)의 폐쇄 부 위에는 제2 안테나유닛(200)의 폐쇄 부위가 위치되어 제1 안테나유닛(100b)과 제2 안테나유닛(200)의 루프코일들 내측이 서로 방향이 반대인 RF전기장으로 인하여 RF전기장이 상쇄되더라도 상기 루프코일들 외측에 더 강한 RF전기장이 형성되고, 제2 안테나유닛(200)의 폐쇄 부위에 제3 안테나유닛(300)의 개방 부위가 위치되어 제2 안테나유닛(200)의 RF전기장의 상쇄는 발생되지 않아 제1 안테나유닛(100b)과 제2 안테나유닛(200)의 루프코일들에 의해 강한 RF전기장이 형성된다.In addition, the closed portion of the second antenna unit 200 is positioned on the closed portion of the other one of the first antenna unit 100 of the first antenna unit 100 so that the first antenna unit 100b and the second antenna unit ( Although the RF electric fields are canceled due to the RF electric fields in which the insides of the loop coils are opposite to each other, a stronger RF electric field is formed outside the roof coils, and a third antenna is disposed at the closed portion of the second antenna unit 200. Since the open portion of the unit 300 is positioned so that the cancellation of the RF electric field of the second antenna unit 200 does not occur, the strong RF electric field is caused by the loop coils of the first antenna unit 100b and the second antenna unit 200. Is formed.

또한, 제1 안테나유닛(100a,100b)의 대향된 구조로 인하여 형성되는 제1 안테나유닛(100a,100b)의 개방 부위들에는 각각 제2 및 제3 안테나유닛(200,300)의 폐쇄 부위들이 위치되어 제2 및 제3 안테나유닛(200,300)의 루프코일들 내측이 서로 방향이 반대인 RF전기장으로 인하여 RF전기장이 상쇄되더라도 상기 루프코일들의 외측에 더 강한 RF전기장이 형성되고 상기 RF전기장은 제1 안테나유닛(100a,100b)의 개방 부위로 인하여 상쇄되지 않아 제2 및 제3 안테나유닛(200,300)의 루프코일들에 의해 강한 RF전기장이 형성된다.In addition, the closed portions of the second and third antenna units 200 and 300 are positioned at the open portions of the first antenna units 100a and 100b formed due to the opposing structures of the first antenna units 100a and 100b. Although the RF electric fields are canceled due to the RF electric fields in which the loop coils of the second and third antenna units 200 and 300 are opposite to each other, a stronger RF electric field is formed on the outside of the loop coils, and the RF electric field is the first antenna. Due to the open portion of the unit (100a, 100b) is not canceled, a strong RF electric field is formed by the loop coils of the second and third antenna units (200, 300).

또한, 각 안테나유닛들의 네 모서리 부분은 모두 상기 각 안테나유닛들의 폐쇄 부위가 위치되어 제1 안테나유닛(100a,100b)과 제2 안테나유닛(200) 및 제2 안테나유닛(200)과 제3 안테나유닛(300)의 루프코일들 내측이 서로 방향이 반대인 RF전기장으로 인하여 RF전기장이 상쇄되더라도 상기 루프코일들의 외측에 더 강한 RF전기장이 형성된다.In addition, all four corners of each antenna unit are located at the closed portions of the respective antenna units, so that the first antenna units 100a and 100b and the second antenna unit 200 and the second antenna unit 200 and the third antenna are located. Stronger RF electric fields are formed on the outside of the roof coils even if the RF electric fields are canceled by the RF electric fields in which the insides of the loop coils are opposite to each other.

따라서 종래에서와 같이 전력인가부 부근(중심부분)에서 발생되는 강한 RF전기장 때문에 국부적으로 플라즈마 밀도가 불균일해지는 현상이 해소될 수 있고, 접 지부 부근(네모서리부분)에서 구조물 등에 의해 전하가 손실되어 플라즈마의 밀도가 낮아지더라도 다른 영역(전력인가부 부근)의 플라즈마 밀도와 유사한 플라즈마 밀도를 생성할 수 있다. Therefore, as in the related art, due to the strong RF electric field generated near the power applying portion (center portion), the phenomenon of non-uniform plasma density can be eliminated, and the charge is lost by the structure or the like near the ground portion (the edge portion). Even if the density of the plasma is lowered, it is possible to generate a plasma density similar to that of other regions (near the power application portion).

도 5는 도 3의 유도결합 플라즈마 안테나의 등가회로를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the inductively coupled plasma antenna of FIG. 3.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 안테나는, Inductively coupled plasma antenna according to a preferred embodiment of the present invention,

한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 단일의 제2 및 제3 안테나유닛(200,300)은 RF전원(17)에 대하여 서로 병렬로 연결되며, 제1 안테나유닛(100) 사이에 가변커패시터(C)가 설치되어 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 단일의 제2 및 제3 안테나유닛(200,300) 간의 전류가 조절된다.The pair of first antenna units 100 and the single second and third antenna units 200 and 300 are connected in parallel with each other with respect to the RF power source 17 and the variable capacitor C between the first antenna units 100. ) Is installed to control the current between the pair of first antenna unit 100 and the single second and third antenna units 200 and 300.

한 쌍의 제1 안테나유닛(100)은 각각 동일한 임피던스 Z1을 가지는 각각 2개의 루프형 안테나가 병렬로 연결된 것이고, 단일의 제2 안테나유닛(200)은 동일한 임피던스 Z2를 가지는 2개의 루프형 안테나가 병렬로 연결된 것이며, 단일의 제3 안테나유닛(300)은 동일한 임피던스 Z3을 가지는 2개의 루프형 안테나가 병렬로 연결된 것이다. 또한, 제1 안테나유닛(100)과 제2 및 제3 안테나유닛(200,300) 사이의 매처(16)는 임피던스 정합을 위한 것이다.The pair of first antenna units 100 are two loop antennas each having the same impedance Z1 in parallel, and the single second antenna unit 200 has two loop antennas having the same impedance Z2. It is connected in parallel, the single third antenna unit 300 is two loop antennas having the same impedance Z3 is connected in parallel. In addition, the matcher 16 between the first antenna unit 100 and the second and third antenna units 200 and 300 is for impedance matching.

따라서 상기와 같이 전술한 바에 의하면, 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)과 한 쌍의 제1 안테나유닛(100)의 내측에 위치하는 단일의 제2 안테나유닛(200) 및 단일의 제2 안테나유닛(200)의 내측에 위치하는 단일의 제3 안테나유닛(300)을 통하여, RF전원의 전력인가부 부근(중심부분)에 강하게 발생되는 플라즈마 밀도를 상쇄시켜 균일하게 할 수 있고 접지부 부근(네모서리부분)에 강하게 플라즈마 밀도를 발생시 켜 구조물 등에 의해 전하가 손실되어 플라즈마의 밀도가 낮아지더라도 RF전원의 전력인가부 부근의 플라즈마 밀도와 유사한 플라즈마 밀도를 생성하도록 하여 대면적 평판표시장치의 표면처리를 가능하게 할 수 있다.Therefore, as described above, the single second antenna unit 200 and the single second antenna positioned inside the pair of first antenna units 100 and the pair of first antenna units 100 are described. Through the single third antenna unit 300 located inside the unit 200, the plasma density generated strongly near the power application portion (the center portion) of the RF power supply can be canceled out to be uniform, and the ground portion ( The surface of the large area flat panel display device is generated by generating a plasma density strongly in the corners, and generating a plasma density similar to the plasma density near the power supply portion of the RF power supply even if the plasma density decreases due to the loss of charge due to the structure or the like. Processing can be enabled.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that the present invention may be practiced in other specific forms, since modifications may be made. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 종래의 ICP 방식의 플라즈마 발생장치의 일반적인 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a general configuration of a conventional ICP plasma generator.

도 2는 도 1의 플라즈마 발생장치에 있어서 RF안테나를 나타낸 일실시예이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an RF antenna in the plasma generator of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 안테나를 나타낸 구성도이다.3 is a block diagram showing an inductively coupled plasma antenna according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 유도결합 플라즈마 안테나를 단순화 하여 나타낸 도면이다.4 is a simplified diagram illustrating the inductively coupled plasma antenna of FIG. 3.

도 5는 도 3의 유도결합 플라즈마 안테나의 등가회로를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the inductively coupled plasma antenna of FIG. 3.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing

100 :제1 안테나유닛 110 : 제1 루프형 안테나100: first antenna unit 110: first loop antenna

120 : 제2 루프형 안테나 200 : 제2 안테나유닛120: second loop antenna 200: second antenna unit

210 : 제3 루프형 안테나 220 : 제4 루프형 안테나210: third loop antenna 220: fourth loop antenna

300 : 제3 안테나유닛 310 : 제5 루프형 안테나300: third antenna unit 310: fifth loop antenna

320 : 제6 루프형 안테나320: sixth loop antenna

Claims (7)

유도결합 플라즈마 안테나에 있어서,In inductively coupled plasma antenna, 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지고, Consists of a pair of looped antennas connected in parallel, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지며,Each loop antenna has a power applying unit and a grounding unit, respectively. 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 한 쌍의 제1 안테나유닛과;A pair of first antenna units in which a pair of loop antennas are positioned up and down, respectively; 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛 내측에 위치되고, Located inside the pair of first antenna unit, 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지며,Consists of a pair of looped antennas connected in parallel, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지고,Each loop antenna has a power applying unit and a grounding unit, respectively. 상기 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 단일의 제2 안테나유닛과;A single second antenna unit in which the pair of loop antennas are positioned up and down, respectively; 상기 단일의 제2 안테나유닛 내측에 위치되고,Located inside the single second antenna unit, 병렬 연결된 한 쌍의 루프형 안테나로 이루어지며,Consists of a pair of looped antennas connected in parallel, 상기 각 루프형 안테나는 전력인가부와 접지부를 각각 가지고,Each loop antenna has a power applying unit and a grounding unit, respectively. 상기 한 쌍의 루프형 안테나가 상하로 각각 위치되는 단일의 제3 안테나유닛을 포함하는데,The pair of loop antennas include a single third antenna unit which is positioned up and down, respectively, 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛은 각각 제1 및 제2 루프형 안테나로 이루어지고,The pair of first antenna units are each composed of first and second loop antennas, 전체적으로 반 사각형상을 가진 각 루프형 안테나는 상기 제1 루프형 안테나의 하부에 제2 루프형 안테나가 위치되고,Each loop antenna having a semi-square shape as a whole is a second loop antenna is located below the first loop antenna, 상기 반 사각형상이 상호간 대향되도록 위치되어 일부가 개방된 구조의 사각형상을 가지며,The semi-squares are positioned to face each other and have a rectangular shape with a part of the open structure, 상기 개방된 구조의 양측 말단이 각각 전력인가부 및 접지부인 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 안테나.Inductively coupled plasma antenna, characterized in that both ends of the open structure is a power application and grounding, respectively. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛은 가변커패시터에 연결되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 안테나.The pair of first antenna unit is inductively coupled plasma antenna, characterized in that connected to the variable capacitor. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 단일의 제2 안테나유닛은, The single second antenna unit, 제3 및 제4 루프형 안테나로 이루어지는데, Consisting of third and fourth loop antennas, 각 루프형 안테나는 전체적으로 일부가 개방된 사각형상을 가지며 상기 제3 루프형 안테나의 하부에 제4 루프형 안테나가 위치되고,Each loop antenna has a quadrangular shape which is partially opened, and a fourth loop antenna is positioned below the third loop antenna. 상기 일부가 개방된 사각형상이 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛 중 어느 하나의 제1 안테나유닛의 폐쇄된 부위에 위치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 안테나.Inductively coupled plasma antenna, characterized in that the partially open rectangular shape is located in the closed portion of any one of the first antenna unit of the pair of first antenna unit. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 제3 및 제4 루프형 안테나는The third and fourth loop antennas 회전코일의 상하 위치 간격이 아주 좁으며, 각각 상기 전력인가부와 접지부에 연결된 회전코일과 상기 전력인가부와 접지부 사이의 절곡된 회전코일 사이의 간격이 상기 회전코일의 상하 위치 간격 보다 넓은 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 안테나.The vertical position of the rotary coil is very narrow, and the interval between the rotary coil connected to the power applying unit and the ground and the bent rotary coil between the power applying unit and the ground is larger than that of the rotary coil. Inductively coupled plasma antenna, characterized in that. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 단일의 제3 안테나유닛은, The single third antenna unit, 제5 및 제6 루프형 안테나로 이루어지는데, The fifth and sixth loop antennas, 각 루프형 안테나는 전체적으로 일부가 개방된 사각형상을 가지며 상기 제5 루프형 안테나의 하부에 제6 루프형 안테나가 위치되고,Each loop antenna has a quadrangular shape partially open, and a sixth loop antenna is positioned below the fifth loop antenna. 상기 일부가 개방된 사각형상이 상기 한 쌍의 제1 안테나유닛 중 다른 하나의 제1 안테나유닛 또는 상기 단일의 제2 안테나유닛의 폐쇄된 부위에 위치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 안테나.An inductively coupled plasma antenna, wherein the partially open quadrangle is positioned at a closed portion of the other one of the pair of first antenna units or the single second antenna unit. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제5 및 제6 루프형 안테나는The fifth and sixth loop antennas 회전코일의 상하 위치 간격이 아주 좁으며, 각각 상기 전력인가부와 접지부에 연결된 회전코일과 상기 전력인가부와 접지부 사이의 절곡된 회전코일 사이의 간격이 상기 회전코일의 상하 위치 간격 보다 넓은 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 안테나.The vertical position of the rotary coil is very narrow, and the interval between the rotary coil connected to the power applying unit and the ground and the bent rotary coil between the power applying unit and the ground is larger than that of the rotary coil. Inductively coupled plasma antenna, characterized in that.
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