KR101007939B1 - 프로브 카드 가열 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 방법 - Google Patents

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Abstract

프로브 카드 가열 방법은 프로브 카드의 크기를 확인하고, 프로브 카드의 탐침에 묻어있는 이물질을 제거하기 위해 탐침을 연마하는 제1 연마 부재 및 제1 연마 부재의 크기보다 크기가 큰 제2 연마 부재 중 하나의 연마 부재를 프로브 카드의 크기에 따라 선택하고, 가열 부재로 연마부재를 가열하고, 연마 부재의 열이 프로브 카드로 전달되도록 프로브 카드의 탐침과 연마 부재를 접촉시켜 이루어진다.

Description

프로브 카드 가열 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 방법{Method of heating a probe card and method of inspecting a semiconductor wafer}
본 발명은 프로브 카드 가열 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 검사에 사용되는 프로브 카드를 가열하기 위한 프로브 카드 가열 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 전기 회로들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 전기 회로들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 EDS 공정을 수행하여 상기 전기 회로들 중에서 불량 회로를 판별한다. 상기 EDS 공정은 프로브 카드를 이용하여 수행된다. 상기 프로브 카드는 상기 반도체 웨이퍼의 전기 회로들에 탐침을 접촉한 상태에서 전기적 신호를 인가하고, 상기 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호에 의해 불량을 판정한다. 상기 EDS 공정은 고온 상태에서 수행된다. 상기 고온 상태에서 상기 프로브 카드가 가열되어 팽창하므로, 상기 반도체 웨이퍼와 접촉하는 탐침의 접촉 위치와 접촉 깊이가 최초 상기 프로브 카드가 정렬되었을 때의 접촉 위치와 접촉 깊이와 달라진다. 따라서, 상기 탐침과 상기 반도체 웨이퍼의 접촉이 정확하게 이루어지지 않아 상기 프로브 카드를 이용한 상기 반도체 웨이퍼의 검사 공정에 대한 신뢰성이 저하될 수 있다.
본 발명은 프로브 카드가 반도체 웨이퍼를 검사하기 전에 상기 프로브 카드를 가열하는 프로브 카드 가열 방법을 제공한다.
본 발명은 상기 프로브 카드 가열 방법을 포함하는 반도체 웨이퍼 검사 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 프로브 카드 가열 방법은 프로브 카드의 크기를 확인하는 단계, 상기 프로브 카드의 탐침에 묻어있는 이물질을 제거하기 위해 상기 탐침을 연마하는 제1 연마 부재 및 상기 제1 연마 부재의 크기보다 크기가 큰 제2 연마 부재 중 하나의 연마 부재를 상기 프로브 카드의 크기에 따라 선택하는 단계, 가열 부재로 상기 연마부재를 가열하는 단계 및 상기 연마 부재의 열이 상기 프로브 카드로 전달되도록 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 연마 부재를 선택하는 단계는 상기 프로브 카드의 크기가 상기 제1 연마 부재와 같거나 작은 경우, 상기 제1 연마 부재를 상기 연마 부재로 선택하고, 상기 프로브 카드의 크기가 상기 제1 연마 부재보다 큰 경우, 상기 제2 연마 부재를 상기 연마 부재로 선택할 수 있다.
상기 연마 부재로 상기 제2 연마 부재가 선택되는 경우, 상기 프로브 카드 가열 방법은 상기 제2 연마 부재를 상기 프로브 카드에 의해 검사되는 반도체 웨이 퍼를 지지하는 척에 로딩하는 단계를 더 포함하며, 상기 척이 상기 제2 연마 부재를 가열할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 프로브 카드 가열 방법은 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉하기 전에 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재가 일정 간격 이격되도록 상기 프로브 카드와 상기 연마 부재를 정렬하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 프로브 카드 가열 방법은 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉하기 전에 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재의 접촉 조건을 설정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 접촉 조건은 상기 탐침과 상기 연마 부재의 접촉 시간, 접촉 반복 횟수 및 상기 탐침의 오버드라이브 거리일 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 검사 방법은 프로브 카드의 크기를 확인하는 단계와, 상기 프로브 카드의 탐침에 묻어있는 이물질을 제거하기 위해 상기 탐침을 연마하는 제1 연마 부재 및 상기 제1 연마 부재의 크기보다 크기가 큰 제2 연마 부재 중 하나의 연마 부재를 상기 프로브 카드의 크기에 따라 선택하는 단계와, 가열 부재로 상기 연마부재를 가열하는 단계 및 상기 연마 부재의 열이 상기 프로브 카드로 전달되도록 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉시키는 단계를 포함하는 상기 프로브 카드를 가열하는 단계, 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 단계, 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 반도체 웨이퍼가 일정 간격 이격되도록 상기 프로브 카드와 상기 반도체 웨이퍼를 정렬하는 단계 및 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 반도체 웨이퍼를 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 프로브 카드의 가열 온도와 상기 반도체 웨이퍼의 가열 온도는 동일할 수 있다.
본 발명에 따르면 프로브 카드의 크기에 따라 연마 부재를 선택하고, 선택된 연마 부재를 이용하여 상기 프로브 카드를 가열한다. 따라서, 상기 프로브 카드를 신속하고 용이하게 가열할 수 있다.
또한, 상기 프로브 카드가 가열되어 반도체 웨이퍼와 접촉하므로, 상기 반도체 웨이퍼와 접촉하는 탐침의 접촉 위치와 접촉 깊이를 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 상기 탐침이 상기 반도체 웨이퍼와 정확하게 접촉할 수 있어 상기 프로브 카드를 이용한 상기 반도체 웨이퍼의 검사 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드 가열 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어 서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 가열 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 먼저 프로브 카드의 크기를 확인한다(S110).
예를 들면, 반도체 웨이퍼를 지지하는 척의 일측에 구비된 제1 촬상 수단으로 상기 척의 상방에 배치된 상기 프로브 카드의 이미지를 획득한다. 획득된 프로브 카드의 이미지로부터 상기 프로브 카드의 크기를 확인한다.
다음으로, 연마 부재를 선택한다(S120).
상기 연마 부재는 상기 프로브 카드의 탐침을 연마하여 상기 탐침에 부착된 이물질을 제거한다. 상기 연마 부재는 제1 연마 부재 및 상기 제1 연마 부재보다 크기가 큰 제2 연마 부재를 포함한다. 상기 제1 연마 부재는 상기 척과 인접하여 구비된다. 상기 제2 연마 부재는 상기 반도체 웨이퍼와 동일한 크기를 가지며, 별도의 적재 수단에 적재된다.
상기 프로브 카드의 크기가 확인되면, 상기 프로브 카드의 크기와 상기 제1 연마 부재의 크기를 비교한다. 상기 프로브 카드의 크기가 상기 제1 연마 부재의 크기와 같거나 작은 경우, 상기 연마 부재로 상기 제1 연마 부재를 선택한다. 상기 프로브 카드의 크기가 상기 제1 연마 부재보다 큰 경우, 상기 연마 부재로 상기 제2 연마 부재를 선택한다.
상기 프로브 카드는 상기 반도체 웨이퍼를 검사하기 위한 것이므로, 상기 프로브 카드의 크기가 상기 반도체 웨이퍼보다 클 필요가 없다. 상기 제2 연마 부재와 상기 반도체 웨이퍼의 크기가 동일하므로, 상기 프로브 카드는 상기 제2 연마 부재보다 크지 않다.
이후, 상기 선택된 연마 부재를 가열한다(S130).
상기 연마 부재가 상기 제1 연마 부재인 경우, 별도의 가열 부재로 상기 제1 연마 부재를 가열한다. 상기 연마 부재가 상기 제2 연마 부재인 경우, 상기 제2 연마 부재를 지지하는 척이 상기 제2 연마 부재를 가열한다. 상기 척에는 가열 부재가 내장되어 있다.
상기 프로브 카드와 선택된 연마 부재를 정렬한다(S140).
상기 연마 부재로 상기 제1 연마 부재가 선택되면, 상기 제1 촬상 수단을 이용하여 상기 프로브 카드의 위치를 계산한다. 또한, 상기 척의 상방에 구비된 제2 촬상 수단으로 상기 척의 일측에 구비된 상기 제1 연마 부재의 위치를 계산한다. 상기 계산된 프로브 카드의 위치 및 제1 연마 부재의 위치를 이용하여 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 제1 연마 부재가 일정 간격 이격되도록 상기 프로브 카드와 상기 제1 연마 부재를 정렬한다.
상기 연마 부재로 상기 제2 연마 부재가 선택되면, 상기 적재 수단에 적재된 상기 제2 연마 부재를 상기 척으로 로딩한다. 이후, 상기 제1 촬상 수단을 이용하여 상기 프로브 카드의 위치를 계산하고, 상기 촬상 수단으로 상기 척에 로딩된 상기 제2 연마 부재의 위치를 계산한다. 상기 계산된 프로브 카드의 위치 및 제2 연마 부재의 위치를 이용하여 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 제2 연마 부재가 일정 간격 이격되도록 상기 프로브 카드와 상기 제2 연마 부재를 정렬한다.
상기 연마 부재를 가열하는 공정(S130)과 상기 프로브 카드와 선택된 연마 부재를 정렬하는 공정(S140)은 어느 하나의 공정이 먼저 진행되거나 두 개의 공정이 동시에 진행될 수 있다.
상기 프로브 카드와 상기 연마 부재의 접촉 조건을 설정한다(S150).
상기 프로브 카드와 상기 연마 부재의 접촉 조건에 따라 상기 프로브 카드의 가열 온도가 달라질 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼가 검사되는 온도와 동일한 온도로 가열하기 위하여 상기 프로브 카드와 상기 연마 부재의 접촉 조건을 설정한다.
상기 접촉 조건으로는 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재의 접촉 시간, 접촉 횟수 및 상기 탐침의 오버드라이브 거리 등을 들 수 있다. 상기 접촉 시간은 약 1 내지 99분 사이의 범위에서 설정될 수 있고, 상기 접촉 횟수는 약 1 내지 99회 사이의 범위에서 설정될 수 있다. 상기 탐침의 오버드라이브 거리는 약 0 내지 200㎛ 범위에서 설정될 수 있다.
상기 프로브 카드와 상기 연마 부재의 접촉 시간이 길어지는 경우 상기 연마 부재로부터 전달되는 열에 의해 상기 프로브 카드가 변형될 수 있다. 상기 접촉 횟수를 설정함으로써 상기 접촉 시간을 상기 접촉 횟수만큼 나누어 상기 프로브 카드와 상기 연마 부재가 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 프로브 카드의 변형을 방지할 수 있다.
이후, 상기 프로브 카드와 상기 가열된 연마 부재를 접촉한다(S160).
상기 연마 부재를 이동하여 상기 접촉 조건에 따라 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 가열된 연마 부재를 접촉한다. 따라서, 상기 연마 부재의 열이 상기 프로 브 카드로 전달되어 상기 프로브 카드가 가열된다.
상기 연마 부재가 상기 제1 연마 부재인 경우, 상기 프로브 카드의 크기는 상기 제1 연마 부재의 크기보다 작으므로, 상기 제1 연마 부재를 이용하여 상기 프로브 카드를 신속하고 용이하게 가열할 수 있다.
상기 프로브 카드의 크기가 상기 제1 연마 부재의 크기보다 작은 경우에도 상기 제2 연마 부재를 이용하여 상기 프로브 카드를 가열할 수 있다. 그러나, 상기 제1 연마 부재를 가열하는데 소요되는 시간보다 상기 제2 연마 부재를 가열하는데 상대적으로 많은 시간이 소요되므로 상기 프로브 카드를 가열하는 공정이 지연될 수 있다.
상기 연마 부재가 상기 제2 연마 부재인 경우, 상기 프로브 카드의 크기는 상기 제1 연마 부재보다 크고 상기 제2 연마 부재와 같거나 작으므로, 상기 제2 연마 부재를 이용하여 상기 프로브 카드를 신속하게 가열할 수 있다.
상기 척은 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 제2 연마 부재를 고정하기 위한 진공홀 등을 가지므로, 상기 척의 상부면은 평탄하지 않다. 따라서, 상기 척으로 상기 프로브 카드를 직접 가열하는 경우, 상기 프로브 카드가 불균일하게 가열될 수 있다. 또한, 상기 척의 상부면에는 이물질이 존재한다. 따라서, 상기 프로브 카드의 가열을 위해 상기 척과 상기 프로브 카드의 탐침이 접촉할 때 상기 이물질에 의해 상기 탐침이 오염될 수 있다. 그러므로, 상기 척으로 상기 프로브 카드를 직접 가열하기 어렵다.
상기에서와 같이 상기 프로브 카드의 크기에 따라 선택된 연마 부재를 이용 하여 상기 프로브 카드를 가열한다. 따라서, 상기 프로브 카드를 신속하고 용이하게 가열할 수 있다.
또한, 상기 프로브 카드가 가열되어 반도체 웨이퍼와 접촉하므로, 상기 반도체 웨이퍼와 접촉하는 탐침의 접촉 위치와 접촉 깊이를 일정하게 유지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 반도체 웨이퍼를 검사하기 위한 프로브 카드를 가열한다(S210).
상기 프로브 카드를 가열하는 공정에 대한 구체적인 설명은 도 1을 참조한 프로브 카드 가열 공정과 실질적으로 동일하다.
다음으로, 검사될 반도체 웨이퍼를 가열한다(S220).
이송암이 카세트에 적재된 반도체 웨이퍼들 중 하나를 상기 척에 로딩한다. 상기 반도체 웨이퍼는 서브 척에서 검사를 위해 일정한 방향으로 얼라인된 후, 상기 척으로 로딩될 수도 있다.
상기 반도체 웨이퍼가 척에 로딩되면, 내부에 가열 부재가 내장된 척으로 상기 반도체 웨이퍼를 기설정된 검사 온도로 가열한다. 상기 반도체 웨이퍼의 가열 온도와 상기 프로브 카드의 가열 온도는 실질적으로 동일하다.
상기 프로브 카드와 상기 반도체 웨이퍼를 정렬한다(S230).
상기 척의 일측에 구비된 제1 촬상 수단을 이용하여 상기 프로브 카드의 위 치를 계산한다. 또한, 상기 척의 상방에 구비된 제2 촬상 수단으로 상기 척의 로딩된 반도체 웨이퍼의 위치를 계산한다. 상기 계산된 프로브 카드의 위치 및 반도체 웨이퍼의 위치를 이용하여 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 반도체 웨이퍼가 일정 간격 이격되도록 상기 프로브 카드와 상기 반도체 웨이퍼를 정렬한다.
상기 프로브 카드의 탐침과 상기 반도체 웨이퍼를 접촉시킨다(S240).
상기 반도체 웨이퍼를 이동하여 상기 가열된 프로브 카드의 탐침과 상기 가열된 반도체 웨이퍼를 접촉한다. 상기 반도체 웨이퍼의 가열 온도와 상기 프로브 카드의 가열 온도는 실질적으로 동일하므로, 상기 프로브 카드의 온도가 변하지 않는다. 따라서, 상기 반도체 웨이퍼의 탐침이 수축하거나 팽창하지 않고 일정하게 크기를 유지하므로, 상기 반도체 웨이퍼와 접촉하는 탐침의 접촉 위치와 접촉 깊이를 일정하게 유지할 수 있다.
상기 프로브 카드의 탐침이 상기 반도체 웨이퍼의 전기 회로들에 접촉한 상태에서 테스터로부터 전달된 전기적 신호를 인가하고, 상기 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호를 다시 상기 테스터로 전달하여 상기 반도체 웨이퍼를 검사할 수 있다.
상기 프로브 카드의 탐침이 상기 반도체 웨이퍼와 정확하게 접촉할 수 있어 상기 프로브 카드를 이용한 상기 반도체 웨이퍼의 검사 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이후, 상기 프로브 카드의 탐침을 다수의 반도체 웨이퍼들, 예를 들면 한 로트(lot)의 반도체 웨이퍼들과 순차적으로 접촉시켜 상기 반도체 웨이퍼들을 검사할 수 있다.
상기에서 다수의 반도체 웨이퍼들에 대한 검사 공정이 수행되기 전에 상기 프로브 카드 가열 공정이 수행되는 것을 설명되었지만, 상기 프로브 카드의 온도가 낮아지는 경우 상기 다수의 반도체 웨이퍼들에 대한 검사 공정이 수행되는 중에 상기 프로브 카드 가열 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 프로브 카드를 이용하여 하나의 반도체 웨이퍼에 대한 검사 공정을 완료되면, 상기 프로브 카드에 대한 가열 공정을 수행한 후, 상기 가열된 프로브 카드를 이용하여 후속하는 다른 반도체 웨이퍼에 대한 검사 공정을 수행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 프로브 카드의 크기에 따라 연마 부재를 선택하고, 선택된 연마 부재를 이용하여 상기 프로브 카드를 가열한다. 따라서, 상기 프로브 카드를 신속하고 용이하게 가열할 수 있다.
또한, 상기 프로브 카드가 가열되어 반도체 웨이퍼와 접촉하므로, 상기 반도체 웨이퍼와 접촉하는 탐침의 접촉 위치와 접촉 깊이를 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 상기 탐침이 상기 반도체 웨이퍼와 정확하게 접촉할 수 있어 상기 프로브 카드를 이용한 상기 반도체 웨이퍼의 검사 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있 음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 가열 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

Claims (8)

  1. 프로브 카드의 크기를 확인하는 단계;
    상기 프로브 카드의 탐침에 묻어있는 이물질을 제거하기 위해 상기 탐침을 연마하는 제1 연마 부재 및 상기 제1 연마 부재의 크기보다 크기가 큰 제2 연마 부재 중 하나의 연마 부재를 상기 프로브 카드의 크기에 따라 선택하는 단계;
    가열 부재로 상기 연마부재를 가열하는 단계; 및
    상기 연마 부재의 열이 상기 프로브 카드로 전달되도록 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 가열 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마 부재를 선택하는 단계는,
    상기 프로브 카드의 크기가 상기 제1 연마 부재와 같거나 작은 경우, 상기 제1 연마 부재를 상기 연마 부재로 선택하고,
    상기 프로브 카드의 크기가 상기 제1 연마 부재보다 큰 경우, 상기 제2 연마 부재를 상기 연마 부재로 선택하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 가열 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 연마 부재로 상기 제2 연마 부재가 선택되는 경우, 상기 프로브 카드에 의해 검사되는 반도체 웨이퍼를 지지하는 척에 상기 제2 연마 부재를 로딩하는 단계를 더 포함하며,
    상기 척이 상기 제2 연마 부재를 가열하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 가열 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉하기 전에 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재가 일정 간격 이격되도록 상기 프로브 카드와 상기 연마 부재를 정렬하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 가열 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉하기 전에 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재의 접촉 조건을 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 가열 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 접촉 조건은 상기 탐침과 상기 연마 부재의 접촉 시간, 접촉 반복 횟수 및 상기 탐침의 오버드라이브 거리인 것을 특징으로 하는 프로브 카드 가열 방법.
  7. 프로브 카드의 크기를 확인하는 단계, 상기 프로브 카드의 탐침에 묻어있는 이물질을 제거하기 위해 상기 탐침을 연마하는 제1 연마 부재 및 상기 제1 연마 부재의 크기보다 크기가 큰 제2 연마 부재 중 하나의 연마 부재를 상기 프로브 카드의 크기에 따라 선택하는 단계, 가열 부재로 상기 연마부재를 가열하는 단계 및 상기 연마 부재의 열이 상기 프로브 카드로 전달되도록 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 연마 부재를 접촉시키는 단계를 포함하는 상기 프로브 카드를 가열하는 단계;
    검사 대상인 반도체 웨이퍼를 가열하는 단계;
    상기 프로브 카드의 탐침과 상기 반도체 웨이퍼가 일정 간격 이격되도록 상기 프로브 카드와 상기 반도체 웨이퍼를 정렬하는 단계; 및
    상기 프로브 카드의 탐침과 상기 반도체 웨이퍼를 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 프로브 카드의 가열 온도와 상기 반도체 웨이퍼의 가열 온도는 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사 방법.
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