KR101005047B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101005047B1
KR101005047B1 KR1020100072194A KR20100072194A KR101005047B1 KR 101005047 B1 KR101005047 B1 KR 101005047B1 KR 1020100072194 A KR1020100072194 A KR 1020100072194A KR 20100072194 A KR20100072194 A KR 20100072194A KR 101005047 B1 KR101005047 B1 KR 101005047B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
emitting device
semiconductor light
type
Prior art date
Application number
KR1020100072194A
Other languages
English (en)
Inventor
최성철
여환국
Original Assignee
(주)더리즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)더리즈 filed Critical (주)더리즈
Priority to KR1020100072194A priority Critical patent/KR101005047B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101005047B1 publication Critical patent/KR101005047B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

전류 밀도 분포를 균일하게 형성하여 광 출력 특성 및 광 변환 효율 등을 향상시키고 고휘도화를 이룰 수 있는 전극 구조를 갖는 수직 구조 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하는 수직형 반도체 발광소자로서, 상기 n형 전극은 상기 n형 반도체층의 한쪽 모서리에 배치된 본딩 패드와 상기 본딩 패드로부터 상기 n형 반도체층의 대각선 방향으로 신장하는 주전극과 상기 본딩 패드 및 주전극과 도전 접속되어 있는 1개 이상의 보조전극을 포함하는 개방된 구조물인 것이 특징이다.

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법 {Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same}
본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수직 구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode)와 같은 반도체 발광소자는 전류를 광으로 변환시키는 고체 전자 소자 중 하나로서, 통상적으로 p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 삽입된 반도체 물질의 활성층을 포함한다. 반도체 발광소자에서 p형 반도체층과 n형 반도체층 양단에 구동 전류를 인가하면, p형 반도체층과 n형 반도체층으로부터 활성층으로 전자(electron) 및 정공(hole)이 주입된다. 주입된 전자와 정공은 활성층에서 재결합하여 광을 생성한다.
일반적으로 반도체 발광소자는 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 질화물계 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물로 제조가 되고 있는데, 이것은 단파장광(자외선 내지 녹색광), 특히 청색광을 낼 수 있는 소자가 된다. 그런데, 질화물계 반도체 화합물은 결정 성장을 위한 격자 정합 조건을 만족하는 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 기판 등의 절연성 기판을 이용하여 제조되므로, 구동 전류 인가를 위해 p형 반도체층 및 n형 반도체층에 연결시키는 2개의 전극이 발광구조물의 상면에 거의 수평으로 배열되는 수평(planar) 구조를 가진다.
그런데 n형 전극과 p형 전극을 발광구조물의 상면에 거의 수평으로 배열하면 발광면적이 감소되어 휘도가 감소되고, 전류 퍼짐이 원활하지 못해 정전 방전(Electrostatic discharge : ESD)에 취약한 신뢰성 문제를 유발시킬 뿐만 아니라, 동일 웨이퍼 상에서 칩의 개수가 감소하여 수율이 저하되는 문제점이 있다. 또한 칩 사이즈를 축소하는 데 한계가 있으며, 더구나 사파이어 기판은 열전도율이 좋지 않기 때문에 고출력 구동시 발생되는 열이 충분히 방출되지 못하게 됨으로써 소자 성능에 제약을 초래한다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 고출력 레이저의 고밀도 에너지를 이용하여 사파이어 기판과 질화물계 반도체 화합물 층 사이의 경계면을 분해하여 사파이어 기판과 질화물계 반도체 화합물 층 부분을 분리하는 레이저 리프트 오프(laser lift off) 공법을 이용해 수직 구조의 반도체 발광소자를 제조하고 있다.
도 1은 이러한 레이저 리프트 오프 공법에 의하여 사파이어 기판을 분리하고 지지용 도전성 기판을 부착하여 제작된 수직 구조 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 수직 구조 반도체 발광소자(10)는 도전성 기판(40) 상에 금속층(35), p형 반도체층(25), 활성층(20) 및 n형 반도체층(15)을 구비하며, n형 반도체층(15) 상면에 n형 전극(45)이 형성되어 있다. p형 반도체층(25)과 n형 반도체층(15) 양단에 구동 전류를 인가하면, p형 반도체층(25)과 n형 반도체층(15)으로부터 활성층(20)으로 전자 및 정공이 주입된다. 주입된 전자와 정공은 활성층(20)에서 재결합하여 광을 생성한다.
수직 구조 반도체 발광소자(10)는 플립칩 형태로 실장되는데, 수평 구조의 반도체 발광소자와는 달리 수직 구조 반도체 발광소자(10)에서는 n형 전극(45)이 소자의 하부 전면적을 커버해야 한다. 도 2는 종래 기술에 따른 수직 구조 반도체 발광소자로서 n형 전극의 디자인을 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 본딩 패드(54)를 방사선 방출면(51)의 한 모서리 영역에 배치하고, 본딩 패드(54)에 각각 도전 접속된 다수의 콘택 웹들(52, 53)이 상기 방사선 방출면(51) 상에 배치되어 있다. 다수의 콘택 웹들(52, 53)은 이 콘택 웹들이 다수의 정사각형(58a, 58b, 58c)의 외부 윤곽을 형성하도록 방사선 방출면(51) 상에 배치되어 있다.
이와 같이, 종래에는 본딩 패드(54)와 콘택 웹들(52, 53)로 이루어진 n형 전극이 폐쇄된 구조물 형태를 가지고 있어, 이런 경우 콘택 웹들(52, 53)의 교차점과 비교차점 사이의 전위가 서로 다르게 되며 이는 수직 구조 반도체 발광소자의 전류 균일도를 향상시키는 데 한계로 작용한다. 구체적으로 살펴보면, 본딩 패드(54)에 전압을 가할 경우, 전위(B1) < 전위(A1), 전위(B2) < 전위(A2), 전위(B3) < 전위(A3)가 되어 위치마다 전위차가 존재하게 된다. 전류는 A1, A2 및 A3 영역에 집중되게 되고, 이는 전류 밀도의 비평형에 의한 내부 양자 효율의 저하를 가져오게 된다.
본 발명이 해결하려는 과제는 전류 밀도 분포를 균일하게 형성하여 광 출력 특성 및 광 변환 효율 등을 향상시키고 고휘도화를 이룰 수 있는 전극 구조를 갖는 수직 구조 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하는 수직형 반도체 발광소자로서, 상기 n형 전극은 상기 n형 반도체층의 한쪽 모서리에 배치된 본딩 패드와 상기 본딩 패드로부터 상기 n형 반도체층의 대각선 방향으로 신장하는 주전극과 상기 본딩 패드 및 주전극과 도전 접속되어 있는 1개 이상의 보조전극을 포함하는 개방된 구조물인 것이 특징이다.
본 발명에 있어서, 상기 n형 전극은 상기 주전극을 중심으로 거울 대칭인 것이 전류 확산 측면에서 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 보조전극은 상기 주전극의 신장 방향을 따라 배치된 복수개의 링 형상의 개곡선이다. 이 때, 상기 링 형상의 개곡선의 개방 부위는 상기 본딩 패드를 향하여 형성된 것일 수 있다. 또한, 상기 링 형상의 개곡선의 개방 부위의 시작점은 상기 n형 반도체층의 측면 가장자리에 놓이고 상기 링 형상의 개곡선의 개방 부위의 종료점은 상기 측면 가장자리와 직교하는 다른 측면 가장자리에 놓일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예들에 있어서, 상기 보조전극은 상기 n형 반도체층의 측면 가장자리를 따라 진행하는 제1 보조전극과 상기 측면 가장자리와 직교하는 다른 측면 가장자리를 따라 진행하는 제2 보조전극을 포함한다. 상기 보조전극은 상기 n형 반도체층 상에서 적어도 하나의 직사각형 또는 정사각형의 외부 윤곽을 형성할 수 있다. 특히, 상기 보조전극은 다수의 직사각형 또는 정사각형의 외부 윤곽을 형성하고, 상기 다수의 직사각형 또는 정사각형은 각각 적어도 하나의 공통된 측면 에지를 가질 수 있다. 이 때, 상기 보조전극은 상기 공통된 측면 에지 상에 개방 부위를 갖거나 상기 주전극 상에 개방 부위를 갖거나, 또는 상기 보조전극 중간에 개방 부위를 가질 수 있다. 이러한 실시예들에 있어서, 상기 본딩 패드는 상기 적어도 하나의 직사각형 또는 정사각형의 한 모서리 점에 배치되어 있다. 그리고, 상기 보조전극은 상기 본딩 패드 및 주전극 중 어느 하나에 연결되어 있다.
본 발명에 따르면, n형 전극을 폐쇄된 구조물이 아닌 개방된 구조물, 예컨대 개곡선을 포함하는 형상으로 형성한다. n형 전극을 개방된 구조물로 형성하면 폐쇄된 구조물의 기하학적 형태로 필연적으로 존재하는 교차 부위 전위차 발생부분이 없어진다.
본 발명에서와 같이 n형 전극을 개방된 구조물 형상으로 형성할 경우 암(arm)이라고도 불리는 보조전극을 추가하거나 제거하는 방법으로 손쉽게 평면 상의 전위차를 최소화할 수 있다. 구체적으로, 전극의 연결부 길이가 길어질수록 전위가 낮아지는 문제는 전극 암 디자인으로 극복할 수 있는데, 본딩 패드로부터 멀어짐에 따라 전위가 낮으므로 보조전극을 추가 설치하거나 두께를 두껍게 형성할 수 있다.
이에 따라, 전류 밀도 분포를 균일하게 형성하여 광 출력 특성 및 광 변환 효율 등을 향상시키고 고휘도화를 이룰 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 수직 구조 반도체 발광소자를 나타내는 도면들이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 4 내지 도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 발광소자의 평면도들이다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하거나 과장되게 나타내었다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 반도체 발광소자(100)는 도전성 기판(140)과, 도전성 기판(140) 상에 순차 형성된 p형 전극(135), p형 반도체층(125), 활성층(120), n형 반도체층(115) 및 n형 전극(145)을 포함한다. p형 반도체층(125), 활성층(120) 및 n형 반도체층(115)은 발광구조물이다. 이 발광구조물은 그 측면이 p형 전극(135)의 가장자리로부터 이격되도록 p형 전극(135) 상면의 중앙부에 형성된다. 발광구조물은 그 측면이 도전성 기판(140)에 대하여 경사지도록 형성될 수 있다. 이 때, n형 전극(145) 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성될 수도 있다. 반도체 발광소자(100)는 발광구조물의 측면을 덮도록 패시베이션막(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 패시베이션막은 전기적 절연 및 불순물 침입 방지 등 측면 보호를 위해 절연성 유전체를 이용하여 형성한다. 방사각을 조절하거나 광흡수를 최소화하는 특수한 목적으로 패시베이션막을 생략하기도 한다.
이러한 반도체 발광소자(100)는 반도체 기판(미도시) 상에 버퍼층(미도시), n형 반도체층(115), 활성층(120), p형 반도체층(125) 및 p형 전극(135)을 순차적으로 형성한 후 p형 전극(135) 쪽에 도전성 기판(140)을 붙이고 반도체 기판은 레이저 리프트 오프 또는 화학적 리프트 오프(chemical lift off) 공법으로 제거한 후, 버퍼층을 제거하여 드러난 n형 반도체층(115) 상에 n형 전극(145)을 형성하여 제조한다.
반도체 기판은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 사파이어 이외에 SiC, 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성될 수 있다.
버퍼층은 n형 반도체층(115)을 성장시키기 전에 반도체 기판과의 격자 정합을 향상시키기 위해 예컨대 AlN/GaN으로 형성할 수도 있다. n형 반도체층(115)과 활성층(120) 및 p형 반도체층(125)은, InXAlYGa1-X-YN 조성식(여기서, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, n형 반도체층(115)은, n형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn, Te 또는 C 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. 또한, p형 반도체층(125)은, p형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. 그리고, 활성층(120)은 광을 생성하여 방출하기 위한 층으로, 통상 InGaN층을 우물로 하고 GaN층을 벽층으로 하여 다중양자우물(Multi-Quantum Well)을 형성함으로써 이루어진다. 활성층(120)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로 구조로 구성될 수도 있다. 버퍼층, n형 반도체층(115)과 활성층(120) 및 p형 반도체층(125)은 MOCVD, MBE 또는 HVPE와 같은 증착공정을 통해 형성된다.
p형 전극(135)은 도전성 기판(140)과의 오믹컨택 기능과 더불어 활성층(120)에서 발생된 광을 반사하는 역할 및 전극의 기능까지 담당한다. p형 전극(135)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt 및 Au으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하여 1층 이상의 다층막으로 형성될 수 있다. 반사 역할을 고려하면 Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt 등의 막 조합으로 형성하는 것이 바람직하다.
도전성 기판(140)은 Si, Cu, Ni, Au, W 및 Ti으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어질 수 있으며, 선택된 물질에 따라, 도금, 증착, 스퍼터링 등의 공정으로 p형 전극(135) 상에 직접 형성될 수 있다. 이와 같이 도전성 기판(140)은 웨이퍼 본딩 공정을 통하여 부착될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, Au와 Sn을 주성분으로 하는 공융 합금으로 이루어진 본딩 금속층을 p형 전극(135) 위에 더 증착하여 이를 매개로 가압/가열의 방식으로 부착할 수도 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여 설명한 반도체 발광소자(100)에서 n형 전극(145)의 구성에 대하여 도 4 내지 도 22를 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 도 4 내지 도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 발광소자의 평면도들이다.
먼저 도 4에 도시한 반도체 발광소자에서, n형 전극(145)은 n형 반도체층(115)의 한쪽 모서리에 배치된 본딩 패드(150)와 본딩 패드(150)로부터 n형 반도체층(115)의 대각선 방향으로 신장하는 주전극(160)과 본딩 패드(150) 및 주전극(160)과 도전 접속되어 있는 다수의 보조전극(170a, 170b, 170c)을 포함한다. 본딩 패드(150)와 주전극(160)과 보조전극(170a, 170b, 170c)은 n형 전극(145)을 구성하는데, 종래와 달리 폐쇄된 구조물이 아닌 개방된 구조물임에 특징이 있다.
도시한 바와 같이, n형 전극(145)은 주전극(160)을 중심으로 거울 대칭이 된다. 이러한 형상은 보다 고른 전류 확산 측면에서 바람직하다. 도 4에서 보조전극(170a, 170b, 170c)은 주전극(160)의 신장 방향을 따라 배치된 복수개의 링 형상의 개곡선이다. 이 때, 링 형상의 개곡선의 개방 부위(O)는 본딩 패드(150)를 향하여 형성되어 있다. 또한, 링 형상의 개곡선의 개방 부위(O)의 시작점(s)은 n형 반도체층(115)의 측면 가장자리(E1)에 놓이고 링 형상의 개곡선의 개방 부위(O)의 종료점(e)은 상기 측면 가장자리(E1)와 직교하는 다른 측면 가장자리(E2)에 놓인다. n형 반도체층(115)은 특히 정사각 형태를 가질 수 있다. 가장자리(E1, E2)는 400 ㎛ 또는 그 이상, 특히 바람직하게는 800 ㎛ 또는 그 이상일 수 있다.
n형 전극(145)을 폐쇄된 구조물이 아닌 개방된 구조물, 본 실시예와 같이 개곡선을 포함하는 형상으로 형성하면, 폐쇄된 구조물의 기하학적 형태로 필연적으로 존재하는 교차 부위 전위차 발생부분이 없어진다. 이에 따라 전류 분포를 균일하게 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 발광소자의 평면도이다. 도 5에 도시한 반도체 발광소자에서, n형 전극(145)은 n형 반도체층(115)의 한쪽 모서리에 배치된 본딩 패드(150)와 본딩 패드(150)로부터 n형 반도체층(115)의 대각선 방향으로 신장하는 주전극(160)과 본딩 패드(150) 및 주전극(160)과 도전 접속되어 있는 다수의 보조전극(180a, 180b, 180c)을 포함하는 개방된 구조물이면서 주전극(160)을 중심으로 거울 대칭이 된다.
보조전극(180a, 180b, 180c)은 n형 반도체층(115)의 측면 가장자리(E1)를 따라 진행하는 제1 보조전극(172)과 상기 측면 가장자리(E1)와 직교하는 다른 측면 가장자리(E2)를 따라 진행하는 제2 보조전극(174)을 포함한다. 각 보조전극(180a, 180b, 180c) 안에는 두 개의 제1 보조전극(172)과 두 개의 제2 보조전극(174)이 포함되며 이들은 직렬 연결되어 있다.
보조전극(180a, 180b, 180c)은 n형 반도체층(115) 상에서 다수의 정사각형의 외부 윤곽을 형성하고, 상기 정사각형은 두 개의 공통된 측면 에지를 가진다. 보조전극(180a, 180b, 180c)은 상기 공통된 측면 에지 상에 개방 부위(O)를 갖게 된다. 본딩 패드(150)는 상기 정사각형의 한 모서리 점에 배치되어 있다. 특히 보조전극(180a, 180b, 180c)은 주전극(160)에 연결되어 있고 주전극(160)은 본딩 패드(150)로부터 신장하기 때문에 보조전극(180a, 180b, 180c)은 본딩 패드(150)에 도전 접속되지만 본딩 패드(150)에 연결되어 있지는 않다.
도 4에 도시한 반도체 발광소자는 개곡선 형태의 보조전극(170a, 170b, 170c), 이를테면 개방된 원형 루프와 같은 형상을 가진 점과 비교하여, 도 5에 도시한 반도체 발광소자는 개방된 선형 루프와 같은 형상의 보조전극(180a, 180b, 180c)을 가진다. 이와 같이, 본 발명에 따른 반도체 발광소자에서 보조전극은 선형 또는 곡선형일 수 있으며 폐쇄된 구조물만 아니면 어떠한 형상이라도 가능하다. 그리고 이러한 형상을 가짐에 따라 폐쇄된 구조물의 기하학적 형태로 필연적으로 존재하는 교차 부위 전위차 발생부분이 없어진다. 또한, 도 4 및 도 5에 예로 든 반도체 발광소자는 보조전극이 3개씩인 경우이지만 보조전극의 개수는 한 개 이상이면서 전류 확산 균일도와 발광 면적 감소를 고려하여 적절한 수로 정할 수 있다. 뿐만 아니라 구체적으로, 전극의 연결부 길이가 길어질수록 전위가 낮아지는 문제는 전극 암 디자인으로 극복할 수 있는데, 본딩 패드(150)로부터 멀어짐에 따라 전위가 낮으므로 보조전극을 추가 설치하거나 두께를 두껍게 형성할 수 있다.
도 6 내지 도 22에 도시한 다음 실시예들은 도 5를 참조하여 설명한 반도체 발광소자의 변형예들로서 이하에서는 그 차이점 위주로 설명한다.
먼저 도 6을 참조하면, 안쪽에 있는 보조전극(180a, 180b)은 각각 한 개의 제1 보조전극(172)과 한 개의 제2 보조전극(174)이 직렬 연결된 구조이며, 바깥쪽에 있는 보조전극(180c)만 두 개의 제1 보조전극(172)과 두 개의 제2 보조전극(174)이 직렬 연결된 구조이다.
도 7을 참조하면, 안쪽에 있는 보조전극(180a, 180b)은 주전극(160) 상에 개방 부위(O)를 갖고, 바깥쪽에 있는 보조전극(180c)만 상기 공통된 측면 에지 상에 개방 부위(O)를 갖게 된다.
도 8을 참조하면, 안쪽에 있는 보조전극(180a)은 주전극(160) 상에 개방 부위(O)를 갖고, 중간에 있는 보조전극(180b)은 제1 및 제2 보조전극(172, 174) 각 중간에 개방 부위(O)를 갖는다. 바깥쪽에 있는 보조전극(180c)은 상기 공통된 측면 에지 상에 개방 부위(O)를 갖게 된다.
보조전극(180a)의 개방 부위(O)가 상기 공통된 측면 에지 상에 있다는 것을 제외하면 도 9는 도 8과 같고, 도 10은 도 7과 같다. 보조전극(180b)의 개방 부위(O)가 상기 공통된 측면 에지 상에 있다는 것을 제외하면 도 11은 도 7과 같다.
도 12 내지 도 15의 전극 구조는 도 6과 유사한데, 다만 도 12에서는 주전극(160)을 기점으로 주전극(160) 아래쪽으로 있는 제1 보조전극(172)이 주전극(160)에 연결되어 있지 않고 제2 보조전극(174)에 연결되어 있는 점이 상이하다. 도 13에서는 보조전극(180a)의 제1 보조전극(172)이 주전극(160)에 연결되어 있지 않고 제2 보조전극(174)에 연결되어 있으며, 보조전극(180b)의 제2 보조전극(174)이 주전극(160)에 연결되어 있지 않고 제1 보조전극(172)에 연결되어 있는 점이 상이하다. 그리고, 도 14에서는 보조전극(180a)의 제1 보조전극(172)이 주전극(160)에 연결되어 있지 않고 제2 보조전극(174)에 연결되어 있는 점이 상이하다. 또한, 도 15에서는 보조전극(180b)의 제2 보조전극(174)이 주전극(160)에 연결되어 있지 않고 제1 보조전극(172)에 연결되어 있는 점이 상이하다.
한편 도 16에서는 보조전극(180c)의 개방 부위(O)만 주전극(160) 상에 있다. 따라서, 보조전극(180c)만 본딩 패드(150)에 연결되고 보조전극(180a, 180b)은 주전극(160)에 연결되어 있다. 도 17에서는 보조전극(180a, 180b, 180c)의 개방 부위(O)가 모두 주전극(160) 상에 있고, 모두 본딩 패드(150)에 연결되어 있다.
도 18은 보조전극(180c)의 개방 부위(O)가 주전극(160) 상에 있는 것을 제외하고는 도 14와 동일하다. 도 19는 도 16과 유사하나 보조전극(180b)의 제1 보조전극(172)이 주전극(160)에 연결되어 있지 않고 제2 보조전극(174)에 연결되어 있는 점이 상이하다. 보조전극(180c)의 개방 부위(O)가 주전극(160) 상에 있는 것을 제외하고는 도 20은 도 12와 동일하고, 도 21은 도 13과 동일하다.
도 22에서는 도 9의 개방 부위(O) 위치는 유지하면서 주전극(160)을 기점으로 주전극(160) 위쪽으로는 제1 보조전극(172)이, 주전극(160) 아래쪽으로는 제2 보조전극(174)이 더 포함된 형태이다. 여러 개의 제1 및 제2 보조전극(172, 174)들은 n형 반도체층(115) 상에서 다수의 정사각형의 외부 윤곽을 형성한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예들에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (13)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극;
    상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및
    상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하며,
    상기 n형 전극은 상기 n형 반도체층의 한쪽 모서리에 배치된 본딩 패드와 상기 본딩 패드로부터 상기 n형 반도체층의 대각선 방향으로 신장하는 주전극과 상기 본딩 패드 및 주전극과 도전 접속되어 있는 1개 이상의 보조전극을 포함하는 개방된 구조물인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 n형 전극은 상기 주전극을 중심으로 거울 대칭인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보조전극은 상기 주전극의 신장 방향을 따라 배치된 복수개의 링 형상의 개곡선인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 링 형상의 개곡선의 개방 부위는 상기 본딩 패드를 향하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 링 형상의 개곡선의 개방 부위의 시작점은 상기 n형 반도체층의 측면 가장자리에 놓이고 상기 링 형상의 개곡선의 개방 부위의 종료점은 상기 측면 가장자리와 직교하는 다른 측면 가장자리에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 보조전극은 상기 n형 반도체층의 측면 가장자리를 따라 진행하는 제1 보조전극과 상기 측면 가장자리와 직교하는 다른 측면 가장자리를 따라 진행하는 제2 보조전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보조전극은 상기 n형 반도체층 상에서 적어도 하나의 직사각형 또는 정사각형의 외부 윤곽을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 보조전극은 다수의 직사각형 또는 정사각형의 외부 윤곽을 형성하고, 상기 다수의 직사각형 또는 정사각형은 각각 적어도 하나의 공통된 측면 에지를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 보조전극은 상기 공통된 측면 에지 상에 개방 부위를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 제8항에 있어서, 상기 보조전극은 상기 주전극 상에 개방 부위를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 제8항에 있어서, 상기 보조전극은 상기 보조전극 중간에 개방 부위를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  12. 제7항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 본딩 패드는 상기 적어도 하나의 직사각형 또는 정사각형의 한 모서리 점에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 보조전극은 상기 본딩 패드 및 주전극 중 어느 하나에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
KR1020100072194A 2010-07-27 2010-07-27 반도체 발광소자 및 그 제조방법 KR101005047B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100072194A KR101005047B1 (ko) 2010-07-27 2010-07-27 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100072194A KR101005047B1 (ko) 2010-07-27 2010-07-27 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101005047B1 true KR101005047B1 (ko) 2010-12-30

Family

ID=43513517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100072194A KR101005047B1 (ko) 2010-07-27 2010-07-27 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101005047B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160018046A (ko) * 2014-08-07 2016-02-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160018046A (ko) * 2014-08-07 2016-02-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
KR102200074B1 (ko) * 2014-08-07 2021-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7282741B2 (en) Vertical type nitride semiconductor light emitting diode
US8502193B2 (en) Light-emitting device and fabricating method thereof
JP5450399B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
US7259447B2 (en) Flip-chip type nitride semiconductor light emitting diode
US9059149B2 (en) Electronic device package and packaging substrate for the same
KR101000311B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US10763392B2 (en) Light emitting device
JP2014179654A (ja) ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法
TWI420698B (zh) 半導體發光元件之製造方法
KR20140066481A (ko) 전류 분산 효과가 우수한 발광소자 및 그 제조 방법
US20130099248A1 (en) Nitride semiconductor light emitting device
US9281341B2 (en) Light emitting device and fabricating method thereof
KR101009744B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101091048B1 (ko) 반도체 발광 소자
KR101220407B1 (ko) 반도체 발광 소자
KR101005047B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100631970B1 (ko) 플립칩용 질화물 반도체 발광소자
KR101040140B1 (ko) 반도체 발광 소자 어레이 및 그 제조방법
KR100998007B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자
KR101745996B1 (ko) 발광소자
KR101205831B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101179700B1 (ko) 패터닝된 반도체층을 갖는 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20110132159A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US10971648B2 (en) Ultraviolet light-emitting element and light-emitting element package
KR101205836B1 (ko) 반도체 발광 소자 어레이 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee