KR101003751B1 - 아파타이트 피복된 광촉매를 포함하는 도료 조성물 및 이를 포함하는 복사열 방사 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하이드록시 아파타이트가 피복된 광촉매를 포함하는 광촉매 도료 조성물 및 이를 포함하는 복사열 방사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매, 실리카 계열 바인더, 아크릴 에멀젼, 증점제 및 물을 포함하는 광촉매 도료 조성물 및 그 광촉매 도료 조성물을 포함하여 탈취 및 항균 기능이 있는 복사열 방사 장치에 관한 것이다.
아파타이트, 인회석, 이산화티탄, TiO2, 광촉매, 열촉매, 복사, 전기장치

Description

아파타이트 피복된 광촉매를 포함하는 도료 조성물 및 이를 포함하는 복사열 방사 장치{COMPOSITION COMPRISING PHOTOCATALYST COATED WITH APATITE AND RADIATING-RADIANT-HEAT APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 아파타이트 피복된 광촉매를 포함하는 도료 조성물 및 이를 포함하는 복사열 방사 장치에 관한 발명이다.
'광촉매'란 필요한 파장대의 빛을 흡수하여 화학적 반응이 일어나도록 도와주는 물질을 말하는데, 이러한 광촉매는 광조사 하에서 산소나 물 등을 산화제로 하여 유독성 물질을 이산화탄소와 물로 완벽하게 산화시킨다.
1980년대 후반부터 선진국에서는 고도 산화처리 기술의 일종인 광촉매를 이용한 광촉매 산화반응에 대한 연구가 활발하게 진행되어 왔다. 광촉매 산화반응은 주로 하이드록시 라디칼 및 수퍼옥사이드를 중간물질로 생성케하여 오염물인 유기물을 산화처리 한다. 이러한 광촉매 산화반응의 주요 장점은 과산화수소 및 오존 등의 산화제를 추가하지 않고 단순히 산소만을 공급하더라도 충분한 유기 오염물 처리효과를 얻을 수 있다는 것과, 유기 오염물 처리효과와 더불어 살균효과를 동시에 얻을 수 있다는 것이다.
이러한 '광촉매'는 오염물질을 분해하는 목적으로 다양한 산업분야에 응용되고 있다. 일본에서는 광촉매를 적용한 제품을 제조하여 각종 유해 유기물질을 분해할 수 있는 여러 가지 제품을 속속 개발하여 상용화 시켜가고 있다. 그 예로서 외부의 콘크리트 및 건물의 외장면에 적용하여 10년 경과 후에도 표면이 깨끗한 상태로 유지되는 건물 외장 타일을 들 수 있다. 그러나 유기 오염물질 분해에 뛰어난 성능을 가지고 있는 광촉매로 만든 응용품은 빛이 없는 조건에서, 특히 실내와 같이 자외선이 풍부하지 못한 조건에서 특유의 오염물 분해성능을 발휘하지 못한다는 단점을 가지고 있어 이를 실내용 제품에 적용할 경우 기능성이 크게 감소한다는 단점을 가지고 있다.
문헌 1 에서는 살균 기능을 가진 광촉매를 사용하므로 냉각탑에 사용시 살균 효과가 반영구적으로 지속되고, 따라서 정기적인 약품 투입 및 관리의 필요가 없으며, 냉각수를 오염시키거나 설비에 유해한 영향을 미치지 않으면서도 뛰어난 살균 효과를 가진 냉각탑 충진재에 대하여 개시하고 있다.
문헌 2 에서는 산화티탄 광촉매 코팅막이 구비된 회전부재를 이용한 수질오염 정화장치에 대하여 개시하고 있다.
문헌 3 에서는 자외선 및 이산화티탄 광촉매를 이용하여 포트 내의 물을 정 화하도록 한 것을 특징으로 하는 수질 정화 포트에 대하여 개시하고 있다.
문헌 4 에서는 광촉매를 이용한 물의 광분해 장치에 대해 개시하고 있다.
문헌 5 에서는 유기물 정화기능이 있는 구조용 광촉매 혼화 모르타르에 대해 개시하고 있다.
문헌 6 에서는 광촉매의 제조방법에 대해 개시하고 있다.
문헌 7 에서는 광촉매를 사용한 공기 정화기에 대해 개시하고 있다.
[ 문헌 1 ] KR 10-2000-0059193 A 2000.10.09.
[ 문헌 2 ] KR 10-2000-0045311 A 2000.08.04.
[ 문헌 3 ] KR 10-2000-0035845 A 2000.06.28.
[ 문헌 4 ] JP 2008-105905 (공개) 2008.05.08.
[ 문헌 5 ] JP 2008-094709 (공개) 2008.04.24.
[ 문헌 6 ] US 20070297973 (공개) 2007.12.27.
[ 문헌 7 ] US 20060159598 (공개) 2006.07.20.
종래의 '광촉매'를 포함하는 조성물은 유기 오염물질 분해에 뛰어난 성능을 가지고 있지만, 주로 자외선 영역에서 오염물질 분해성능을 나타내므로 실내와 같은 곳에서는 특유의 오염물 분해성능을 발휘하지 못하는 단점이 있다. 즉 종래의 광촉매를 실내용 제품에 응용할 경우 오염물 분해 및 살균효과 등 광촉매 성능이 제대로 발휘되지 않는다는 문제점이 있다.
따라서, 실내용 제품에도 적합하게 응용될 수 있는 광촉매 도료 조성물의 개발이 요구된다.
또한, 광촉매는 강한 산화성으로 인해 담체(supporter) 또는 지지체 마져도 분해시킬 수 있는 단점이 있다. 광촉매가 자외선을 흡수하고 하이드록시 라디칼 또는 수퍼옥사이드를 생성하여 담체를 물과 이산화탄소로 분해하면 광촉매는 담체로부터 탈리되는 현상이 야기된다. 따라서, 시간이 지남에 따라 광촉매 성분이 담체로부터 이탈되어 광촉매 제품의 성능이 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 광촉매의 탈리가 최소화될 수 있는 광촉매 도료 조성물의 개발이 요구된다.
또한 종래의 복사열 방사 장치는 실내의 악취성분의 정화기능을 지니고 있지 않았다. 복사열 방사 장치로 실내 난방하는 경우 담배연기, 악취성분이 온도상승으로 더 활발한 분자활동을 하고 이에 따라 더 심한 실내 악취를 느끼게 한다. 게다 가 실내 온도 상승으로 세균이 역시 번식하기 좋은 환경이 조성된다. 즉 종래의 복사열 방사 장치는 실내 공기정화 기능이 없어 복사열 방사 장치 사용시 악취 및 세균증식이 더 심해지는 현상이 자주 발생하는 문제점이 있었다.
따라서, 실내 공기정화기능을 지니고 있는 복사열 방사 장치의 개발이 요구된다.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 가시광 영역에서도 광촉매 성능이 나타나 실내용 제품에도 응용될 수 있는 광촉매 도료 조성물 및 실내 공기정화기능을 지고 있는 복사열 방사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매, 실리카 계열 바인더, 아크릴 에멀젼, 증점제 및 물을 포함하는 광촉매 도료 조성물에 있어서, 상기 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매는 5 ~ 20 중량%, 상기 실리카 계열 바인더는 5 ~ 15 중량%, 상기 아크릴 에멀젼 1 ~ 5 중량%, 상기 증점제는 0.1 ~ 1 중량%, 상기 물은 54 ~ 85 중량% 포함하는 것임을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매의 피복율은 5 ~ 36 % 범위 이내인 것을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매의 평균입경은 1 ~ 250 ㎚ 범위 내인 것을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 광촉매는 이산화티탄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화주석 및 삼산화바나듐에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 증점제는 산탄검인 것을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 광촉매 도료 조성물의 용도는 복사열 방사 장치에 사용되는 것임을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물을 제공한다.
또한 본 발명의 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 복사열 방사 장치는 기판(2), 발열층(1) 및 복사열 방사층(3)을 포함하는 것임을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 기판(2)은 스테인레스판(SUS) 또는 알루미늄 판으로 이루어진 것인 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 발열층(1)은 실리콘, 테프론 또는 글라스얀으로 피복된 니크롬선으로 이루어진 것인 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 복사열 방사층(3)은 TiO2 6 ~ 12 중량%, SiO2 20 ~ 30 중량%, ZrO2 5 ~ 10 중량%, Al2O3 5 ~ 10 중량%, Fe2O3 5 ~ 10 중량%, MnO2 5 ~ 10 중량%, Na20 1 ~ 5 중량%의 복사 무기 물질과, 알콕시 실란 접착제 20 ~ 25 중량% 및 알콜 용매 10 ~ 15 중량%의 혼합물을 도포한 후, 용매를 건조시켜 형성된 것임을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 장치는 복사열 방사층(3)이 구비된 면과 반대되는 면의 최외측 표면에 단열층(4)을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 단열층(4)은 유리섬유이고, 15 ~ 25 mm 범위 의 두께를 가진 것임을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 복사열 방사층(3)의 표면에 표면요철처리층(5)을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 표면요철처리층(5)은 SiO2 및 CaO2 의 혼합물의 과포화 수용액을 복사열 방사층(3)의 표면상에 코팅한 후 건조함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 표면요철처리층(5)은 SiO2 및 CaO2의 중량비 1:4로 혼합한 과포화수용액을 복사열 방사층의 표면상에 코팅한 후 건조함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 광촉매 코팅층(6)을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 광촉매 코팅층(6)의 두께는 30 ~ 300 ㎛ 범위 내인 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치를 제공한다.
또한,
복사열 방사층(3)을 포함하는 복사열 방사 장치의 상기 복사열 방사층(3)에 제 1 항 내지 제 5 항의 어느 한 청구항의 광촉매 도료 조성물을 도포하는 단계 및
상기 복사열 방사층(3)의 표면을 18 ~ 150℃ 온도범위에서 경화시키는 단계
를 포함하는 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치 제조방법을 제공한다.
본 발명의 아파타이트가 피복된 광촉매를 포함하는 광촉매 도료 조성물은 가시광 영역하에서도 광촉매 활성이 나타는 효과가 있고, 이에 따라 실내용 제품에도 적용할 수 있는 광촉매 도료 조성물을 제공할 수 있다.
또한 본 발명의 광촉매 도료 조성물은 시간이 지남에 따라 발생하는 광촉매의 탈리현상이 없다.
또한 본 발명의 하이드록시 아파타이트가 피복된 이산화티탄을 포함하는 광촉매 도료 조성물을 사용하여 복사열 방사 장치의 표면에 피복층을 형성할 경우 실내 공기 정화 성능을 지닌 복사열 방사 장치를 얻을 수 있다.
본 발명을 설명하기에 앞서 본 명세서 및 청구항에 사용된 용어에 대해 설명 한다.
본 발명의 '도료'는 페인트나 에나멜과 같이 고체 물질의 표면에 칠하여 고체막을 만들어 물체의 표면을 보호하거나 아름답게 하는 유동성 물질의 총칭을 말한다. 칠할 때에는 일반적으로 겔(gel) 모양의 유동상태이고, 칠한 후에는 빨리 건조 경화(乾燥硬化)하는 것이 좋다.
본 발명의 '아파타이트'는 유기물 및 세균을 흡착할 수 있는 능력을 가지고 있고, Cax(PO4)y(0H)z[x=5z, y=3z, z=1~50]의 분자식을 갖는 물질을 말한다. 아파타이트는 인회석이라고도 한다. 아파타이트 중 대표적인 것은 '하이드록시 아파타이트'이고 그 분자식은 Ca10(PO4)6(0H)2 이다.
본 발명의 '피복율'은 물질의 전체 표면적을 기준으로 어떤 물질이 흡착 내지는 점유하고 있는 비표면적에 100을 곱한 값으로 정의된다.
이하 본 발명에 대해 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 광촉매 도료 조성물은 그 전체 조성물 100 중량%를 기준으로 하여 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매는 5 ~ 20 중량%, 실리카 계열 바인더는 5 ~ 15 중량%, 아크릴 에멀젼 1 ~ 5 중량%, 증점제는 0.1 ~ 1 중량%, 물은 54 ~ 85 중량% 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매는 본 발명의 매우 중요한 구성이다. 종래의 광촉매는 오염물질 뿐만 아니라, 광촉매를 지지하는 담체(supporter) 또는 지지체 마져도 분해하여, 시간이 진행됨에 따라 광촉매가 담체로부터 탈리되는 현상이 발생하였다. 그러나 본 발명의 광촉매는 광촉매의 겉을 아파타이트로 피복된 것을 사용함으로서 담체와 광촉매의 직접적인 접촉을 막아 광촉매가 담체로부터 탈리되지 않는다. 또한 아파타이트는 다공성 구조로 되어 오염물질의 흡착능을 높여 광촉매가 오염물질을 더 효율적으로 분해하게 하는 효과가 있다.
상기 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매는 이산화티탄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화주석 및 삼산화바나듐에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있다. 바람직하기로는 광촉매 활성이 높은 이산화티탄인 것이 좋다. 광촉매 활성은 이산화티탄 > 산화아연 > 산화지르코늄 > 산화주석 > 삼산화바나듐의 순인 것으로 알려져 있다.
하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매는 전체 조성물 100 중량%를 기준으로 하여 5 ~ 20 중량% 범위로 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 하이드록시 아파타이트가 피복된 광촉매가 5 중량% 미만으로 첨가되는 경우에는 광촉매가 가지고 있는 항균, 항곰팡이, 탈취, 실내 공기질 개선 등의 기능성을 발휘하는 것이 어려우며, 20 중량% 초과로 첨가되는 경우에는 생산단가가 높아져 경제성 측면에서 바람직하지 않다.
상기 하이드록시 아파타이트의 광촉매 표면에 대한 피복율은 5 ~ 36%인 것이 바람직하다. 상기 하이드록시 아파타이트 광촉매 표면에 대한 피복율이 5% 미만이면 하이드록시 아파타이트에 의한 오염물의 흡착성이 발휘되기 어렵고 아파타이트 피복된 광촉매가 담체로부터 탈리될 수 있으며, 36% 초과의 경우에는 하이드록시 아파타이트가 광촉매 입자를 모두 감싸버리기 때문에 광촉매의 성능을 저해하게 될 수 있어 바람직하지 않다.
상기 아파타이트 피복된 광촉매의 평균입경이 1 ~ 250㎚ 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 광촉매는 평균입경이 1 nm 미만일 경우에는 광촉매를 도료로서 적용하기 어려울 뿐만 아니라, 광촉매로서 빛을 흡수하는 수광능력이 감소하여 광촉매로서 사용하기 어렵고, 250 nm 초과일 경우에는 물에 광촉매 입자를 분산시키는 것이 어려워 광촉매가 고르게 분산되어 있는 도료를 만들기 어렵기 때문에 바람직하지 않다.
상기 실리카 계열의 바인더는 광촉매와의 혼화성이 우수하므로 본 발명의 바인더로서 바람직하다. 상기 실리카 계열의 바인더는 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매 입자간 응집을 막고, 이산화티탄 입자를 수분산 시키기 위해서 전체 100 중량%를 기준으로 하여 5 ~ 15 중량% 첨가하는 것이 바람직하다. 5 중량% 미만에서는 피복된 광촉매 입자간 응집이 일어날 수 있으며, 15 중량% 초과에서는 아파타이트 피복된 광촉매의 표면을 막아 광촉매 활성이 저하될 수 있다.
상기 아크릴 에멀젼은 보조적인 역할을 하는 보조 바인더이다. 상기 아크릴 에머졀은 아파타이트 피복된 광촉매 및 실리카 바인더가 복사열 방사 장치의 표면에 잘 안착되도록 하는 역활을 하며, 전체 조성물 100 중량%를 기준으로 하여 그 함량이 1 ~ 5 중량%의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 범위를 벗어나면 고착 및 광촉매 활성의 성능에 영향을 미치므로 좋지 않다.
상기 증점제는 반응물에 점성을 부여하는 성분으로서 산탄검(xanthan gum)인 것이 바람직하며, 전체 100 중량%를 기준으로 하여 그 함량이 0.1 ~ 1 중량%의 범위인 것이 바람직하다. 상기 범위를 벗어나면 점도가 너무 낮거나 너무 높아 유동성 및 작업성이 불량해 지므로 좋지 않다.
상기 물은 경제성과 이산화티탄 활성, 도료의 점도 및 도료 도막 공정의 원활성을 고려하였을 때 전체 100 중량%에 대하여 54 ~ 85 중량% 포함하는 것이 바람직하다.
이하 본 발명의 광촉매 도료 조성물의 코팅방법에 대해 설명한다.
본 발명에 따른 광촉매 도료 조성물은 스프레이 코팅법, 딥 코팅법, 로울러 코팅법을 사용하여 콘크리트,나무, 플라스틱 등의 다양한 기질(substrate) 표면상에 코팅시킬 수 있다.
상기의 코팅방법에 의하여 피복된 복사열 방사 장치의 복사판 패널(panel)은 18 ~ 150 ℃ 온도범위에서 경화시키는 것이 바람직한데, 18 ℃ 미만의 경우에는 코팅된 도막의 경도가 약해지는 문제가 있고, 150 ℃ 초과의 경우에는 급작스런 경화로 인하여 코팅 도막이 갈라지는 현상이 생길 우려가 있기 때문에 바람직하지 않다.
이하 본 발명의 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치에 대해 설명한다.
본 발명의 복사열 방사 장치는 본 발명 광촉매 도료 조성물을 포함하고 복사열 방사 물질과 발열 장치를 구비한 것이면 모두 이에 포함되고, 특별히 복사열 방사물질 및 발열 장치에 제한되지 않으나, 높은 원적외선 방사 효율을 가진 본 발명 복사열 방사 장치의 일실시예를 설명하면 아래와 같다.
본 발명의 복사열 방사장치의 일실시예는, 광촉매 도료 조성물을 포함하고, 기판(2), 발열층(1) 및 복사열 방사층(3)을 포함하는 복사열 방사 장치이다. 광촉매 도료 조성물은 복사열 방사층(3)에 균질·혼합되거나, 별도의 광촉매 코팅층(6)을 형성하는 방법으로 본 발명 복사열 방사 장치에 포함될 수 있다. 또한 단열층(4)을 추가로 더 구비할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 복사열 방사 장치의 구조를 나타낸 것이다. 본 발명의 또 다른 일시예에서는 기판(2), 발열층(1), 복사열 방사층(3), 단열층(4), 표면요철처리층(5) 및 광촉매 코팅층(6)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 복사열 방사층(3)은 TiO2, SiO2, ZrO2, Al2O3, Fe2O3, MnO2, 2MgO·2Al2O3·5SiO2, Al2O3·TiO2 등과 같은 무기물 재료를 사용하여 제작할 수 있으며, TiO2, SiO2, ZrO2, Al2O3, Fe2O3 및 MnO2 , Na20로 이루어진 군에서 선택되는 무기물 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 무기물 재료들은 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
특히 TiO2 6 ~ 12 중량%, SiO2 20 ~ 30 중량%, ZrO2 5 ~ 10 중량%, Al2O3 5 ~ 10 중량%, Fe2O3 5 ~ 10 중량%, MnO2 5 ~ 10 중량%, Na20 1 ~ 5 중량%의 복사 무기 물질과, 알콕시 실란 접착제 20 ~ 25 중량% 및 알콜 용매 10 ~ 15 중량%의 혼합물을 도포한 후, 용매를 건조시켜 형성된 것을 사용하는 것이 더 바람직하다. 상기와 같은 복사열 방사층(3)은 온도가 약 92 ~ 110℃일 때 복사열 전자파 중 파장이 2.5 ~ 25㎛(중심파장 9㎛)복사열 전자파를 방출할 수 있다. 2.5∼25㎛(중심파장 9㎛) 파장의 복사열 전자파는 침투력이 매우 강한 것으로 알려져 있다.
본 발명에서 사용되는 상기 복사열 방사층(3) 재료는 고순도이고, 입도가 큰 것이 바람직하며, 예컨대 입도가 350 메쉬(mesh) 이상인 것이 바람직하다.
상기 복사열 방사층(3)은 상기와 같은 무기물 재료를 접착제 및 용매와 혼합하고, 이를 기판(2)의 일측표면에 도포한 후 건조함으로써 형성할 수 있다. 본 발명에 있어서, 복사열 방사층(3) 형성을 위한 접착제로는 열전도성 및 내열성, 바람직하게는 250℃ 이상, 더욱 바람직하게는 300℃ 이상에서의 열안정성을 갖는 것이 바람직하고, 그 재료에는 특별히 한정되지 않는다. 예컨대 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 용매로서 케톤계 용매를 사용할 수 있다.
상기 복사열 방사층(3) 형성시 상기 복사열 방사층(3) 재료와 본 발명의 광촉매 도료 조성물을 혼합하여 건조함으로써 본 발명이 이루고자하는 공기정화기능이 있는 복사열 방사장치를 만들 수도 있다. 그러나 이 경우는 복사열 방사층(3)과 별도로 광촉매 도료 조성물을 도포한 경우에 비하여 광촉매의 활성이 다소 저하되는 단점이 있다.
상기 기판(2)은 복사열 방사층(3) 및 발열층(1)을 지지하는 역할을 하는 것으로서, 그 재료는 특별히 한정되지 않는다. 상기 기판(2)은 합성수지판으로 구성될 수 있으며, 스테인레스 또는 알루미늄으로 이루어진 판으로 구성될 수도 있다(스테인레스판은 SUS판으로도 당해업계의 통상의 지식을 가진 자에게 널리 알려져 있다). 다만, 본 발명에서는 기판으로서 내열성이 우수하고, 바람직하게는 92 ~ 250℃에서 화학적·물리적 변화가 없으며, 92 ~ 250℃ 사이의 열팽창율이 기판(2) 에 접촉하는 주변층, 예컨대 발열층(1) 및 복사열 방사층(3)과 유사한 것이 바람직하다. 또한, 기판(2) 재료는 열전도율이 우수하며, 비중이 작아 본 발명의 장치를 경량으로 제조하는데 도움이 되는 재료인 것이 바람직하다. 본 발명의 장치는 사용시 천정 또는 벽면에 배치시키거나 지지대가 있는 것에 부착하여 사용할 수 도 있으므로, 본 발명의 장치가 경량이어야 한다는 점은 중요하며, 상기 기판(2)은 알루미늄판으로 구성하는 것이 바람직하다.
상기 발열층(1)을 구성하는 재료는 외부로부터 전원이 공급되는 경우 발열할 수 있는 물질이면 제한되지 않는다. 다만, 발열층(1) 재료는 온도 변화에 따른 저항의 변화가 적은 것, 즉 저항의 온도 계수가 낮고, 유연성이 우수하며, 물리적·화학적 변화가 적은 것이 바람직하다. 예컨대 발열층(1) 재료로서 사용되는 발열 세선이 기계적 강도가 낮거나, 표면이 산화되어 접촉 저항이 증가되는 경우는 본 발명의 장치의 작동에 악영향을 미칠 수 있다.
예컨대, 본 발명에서는 철크롬(Fe-Cr), 니크롬(Ni-Cr) 또는 동니켈(Cu-Ni) 등의 발열선을 바람직하게는 300℃ 이상의 고온에서 안정성을 갖는 합성수지, 예컨대 폴리플루오르에틸렌 계열의 수지로 이루어진 미국 뒤폰사의 테프론(Teflon)이나 실리콘 수지 및 글라스얀(glass yarn : 유리섬유의 일종으로 당업계에 널리 알려진 것임)에서 선택되어진 것 등으로 코팅한 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 합성수지로 코팅된 발열선은 전원이 공급되면 발열하여 복사열 방사층(3)에 열을 전달할 수 있다.
본 발명의 복사열 방사 장치는 본 발명의 장치가 소정의 공간에 배치될 때 외부 배치 표면에 인접하는 면, 즉 복사열 방사층(3)이 구비된 면과 반대되는 면의 최외측 표면에 단열층(4)을 더 구비할 수 있다. 이와 같이 단열층(4)을 구비하는 경우, 발열층(1)으로부터 발산되는 열이 복사열 방사층(3)이 구비된 면과 반대되는 면으로 방사되는 것을 차단함으로써 복사열 방사층(3) 방향으로 복사열이 효율적으로 방사될 수 있도록 한다. 또한, 단열층(4)에 의하여 발열층(1)에서 발생한 열을 차단함으로써 화재를 방지할 수 있다.
본 발명에서는 단열층(4) 재료로는 불연성이고 경량인 것이 바람직하며, 예컨대 석고 보드 또는 고밀도 유리섬유 보드를 사용하는 것이 바람직하고, 이 중에서도 가볍고 공해성의 문제가 적은 고밀도 유리섬유 보드를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 단열층(4) 재료로서 유리 섬유 보드를 사용하는 경우, 유리섬유의 노출을 방지하기 위하여 유리섬유보드의 외부 노출면은 접착제로 처리된 유리 섬유포 및 베파베리어(여기서 베파베리어는 알루미늄 호일, P.V.C 필름, 섬유 글라스얀 등이 결합된 복합소재이다)로 피복할 수 있다. 그러나, 이들 재료에 한정되지 않고 당해 기술분야에 알려져 있는 단열재료라면 제한되지 않고 사용할 수 있다. 상기 단열층(4)의 두께는 전체 장치의 무게 및 부피나 기타 공정을 고려하여 당업자가 결정할 수 있으나, 본 발명에서는 그 두께가 15 ~ 25 mm 전후인 것이 가장 바람직하다.
상기 단열층(4)은 전술한 단열층(4) 재료를 발열층(1)에 접착제를 이용하여 접착하여 형성할 수도 있으나, 접착제 없이 기판(2) 또는 발열층(1)과 조립하여 형성할 수도 있다. 예컨대, 본 발명의 장치를 구성하는 단열층(4), 발열층(1), 기판(2) 및 복사열 방사층(3)을 알루미늄 프레임(frame)으로 고정함으로써 접착제 없이 본 발명의 장치를 조립할 수 있다.
본 발명의 복사열 방사 장치는 복사열 방사층(3)의 복사열을 방사하는 표면상에 추가로 표면요철처리층(5)을 추가로 더 구비할 수 있다. 이와 같은 표면요철처리층(5)은 본 발명의 장치의 복사열 방사 표면을 거칠게 하여 복사열의 방사 면적을 증대시킴으로써 복사 효율을 높일 수 있다. 또한, 인체의 일부가 상기 표면요철처리층(5)에 닫는 경우에 상기 표면요철처리층(5)은 복사열 방사층(3)에 비하여 조금 온도가 낮기 때문에 사용자의 화상의 위험을 감소시킬 수 있는 부수적 효과도 있다.
상기 표면요철처리층(5)은 예컨대 이산화실리콘(SiO2) 및 이산화칼슘(CaO2)의 혼합물 등으로 형성할 수 있다. 형성 방법으로는 상기 예시된 재료들을 물에 용해도 이상으로 첨가하여 과포화 수용액을 제조한 후, 이를 복사열 방사층(3) 표면에 도포하고 용매를 건조시키는 방법을 이용할 수 있다. 과포화 수용액의 과포화도는 특별히 제한되지 않고, 복사열 방사층(3) 표면에 고르게 분포시킬 수 있는 정도이면 바람직하다. 이와 같은 방법을 이용하는 경우, 상기 재료의 입자들의 질감이 그대로 남아 있게 되어 본 발명의 장치의 표면을 거칠게 하고 복사 표면을 증가시 킬 수 있다. 즉 표면요철처리층(5)이 형성되면 매끄러운 표면에 요철이 형성되고 이러한 요철이 최외측 표면적을 증가시키어 궁극적으로 방사율을 높이는 효과가 있다. 여기서 SiO2 및 CaO2의 과포화 수용액의 SiO2 및 CaO2 의 비율은 임의로 조정하여 사용할 수도 있으나 SiO2 : CaO2 = 1 : 4 (중량비)로 하는 것이 방사율을 높이고 코팅이 원활하게 되어 가장 바람직하다.
상기 광촉매 코팅층(6)은 본 발명의 광촉매 도료 조성물을 상기 복사열 방사층(3)에 도포하여 형성할 수 있다. 또한 복사열 방사 장치가 표면요철처리층(5)을 가지는 경우에는 상기 표면요철처리층(5) 상에 본 발명 광촉매 도료 조성물을 도포하면 광촉매 코팅층(6)을 형성할 수 있다. 본 발명 광촉매 도료 조성물은 경화·건조된 후에도 원적외선 등 복사열이 투과할 수 있는 투명성을 지닌다. 따라서 광촉매 코팅층(6)의 형성이 복사열 방사 장치의 원적외선 방사 효율에 미치는 영향은 최소화 된다. 다만, 광촉매 코팅층(6)이 너무 두꺼운 경우 원적외선 방사 효율에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있으므로 코팅층의 두께는 30 ~ 300 ㎛ 범위내 인 것이 바람직하고, 30 ~ 150 ㎛ 범위내 인 것이 더욱 바람직하다.
또한 상기 광촉매 코팅층(6)은 기질(substrate)상의 모양과 동일하게 형성되어 복사열 방사 효율에 대한 영향을 최소화 한다. 예를들어, 도 1에서 도시된 바와 같이, 광촉매 코팅층(6)이 표면요철처리층(5)상에 형성되는 경우, 광촉매 코팅층(6)은 표면요철처리층(5)의 요철모양과 동일하게 형성되어 복사열 방사 효율에 대한 영향이 최소화 된다. 본 발명의 광촉매 도료 조성물은 이와 같은 상기의 광촉매 코팅층(6)을 형성하기에 적절한 점도를 가지고 있다.
본 발명의 장치의 크기는 최종 용도나 공정 조건에 따라 당업자가 결정할 수 있다. 또한, 본 발명의 장치를 구성하는 각 층들은 모두 동일한 크기일 필요가 없으며, 상기 전술한 각 층의 기능을 훼손하지 않는 범위 내에서 그 크기를 조절할 수 있다.
이하 본 발명을 구체적인 실시예를 들어 더욱 상세히 설명하나, 이는 설명의 목적을 위한 것으로서 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 ]
하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매 제조
우선 하이드록시 아파타이트를 이산화티탄에 피복하기 위하여 하이드록시 아파타이트와 유사한 체액을 형성하였다. 상기 유사체액은 증류수에 Na+(213mM), K+(7.5mM), Ca²+(50mM), Mg²(1.5mM), Cl-(147.8mM), HCO3 -(6mM), HPO4²-(12mM), SO4²-(0.75mM)를 비율로 혼합하여 형성하였다.
이 유사체액을 고속으로 회전시켜가며 이산화티탄을 첨가하여 분산시키고, 한 시간 동안 교반하면서 이산화티탄 표면에 일정하게 하이드록시 아파타이트가 자리를 잡을 수 있도록 하였다.
이후 교반을 멈춘 상태에서 24 시간 동안 하이드록시 아파타이트를 성장시킨다. 그리하여 표면에 하이드록시 아파타이트의 분포가 고르게 피복된 이산화티탄을 얻을 수 있으며 이것을 1 시간 동안 200 ~ 300℃의 열을 가하여 보다 안정된 제품을 얻을 수 있었다.
이때 사용되는 이산화티탄은 아나타제(anatase)형, 루타일(rutile)형, 부룩카이트형 중에서 어떠한 것을 사용하여도 무방하지만, 본 발명의 실시예에서는 범용으로 사용되는 아나타제형의 P25타입(독일 데구사 제품)의 광촉매를 사용하였다.
광촉매 도료 조성물의 제조
상기의 방법으로 만들어진 하이드록시 아파타이트가 피복된 이산화티탄의 수용액상을 실리카 바인더 및 아크릴 에멀젼과 혼합하여 저속으로 교반한다. 그 후 증점제로서 산탄검(xanthan gum)을 첨가하고 고속으로 교반하여 본 발명의 하이드록시 아파타이트가 피복된 이산화티탄을 포함하는 광촉매 도료 조성물을 제조한다.
한편 상기 실리카 바인더는 실란을 알콜에 분산시키고 사용된 실란의 총 중량 100 중량%를 기준으로 10 ~ 20 중량%의 물을 교반하면서 서서히 첨가한 후 24 ~ 48시간 수화반응을 시켜 만든 실리카를 제조하였다.
상기 실리카 바인더는 본 발명의 하이드록시 아파타이트가 피복된 이산화티탄을 포함한 광촉매 도료 조성물의 경화 이후 실리카와 이산화티탄이 고리화됨으로써 수분은 차단하면서, 공기는 통과시키는 이상적인 상태를 유지하게 된다.
광촉매 도료 조성물의 도포 및 본 발명 복사열 방사 장치의 제조
본 발명의 하이드록시 아파타이트가 피복된 나노 이산화티탄 촉매 도료 조성물을 스프레이코팅(spray coating), 딥코팅(dip coating), 로울러 코팅법, 붓 코팅법 중 선택되는 어느 하나의 방법으로 복사열 방사 장치의 복사열 방사층(3) 또는 표면요철처리층(5)에 도포한다. 도포 후 18 ~ 150℃ 온도범위에서 코팅된 광촉매 도료 조성물을 경화시켜 기능성 복사열 방사 장치를 만든다.
이하 상기 실시예에서 제조된 광촉매 도료 조성물 및 이를 포함하는 복사열 방상 장치를 대상으로 실시한 실험예를 설명한다.
[ 실험예 ]
실험예 1: 가시광선 조건하에서의 유기물 분해능
상기 실시예에서 제조한 광촉매 도료 조성물을 건조한 분말을 시료로 사용하 여, CH3CHO 및 NH3 제거율에 대한 실험을 하였다. 실험은 공인기관인 한국건자재시험연구원에서 시행한 것이다. 시험성적서를 도 2 및 도 3에 첨부하였다.
1. CH3CHO 제거율에 대한 실험조건 및 방법
1) 시료의 제조 : 시료 0.5 g 을 알루미늄 판에 도포 한 후 24시간 자연건조함.
2) 램프 조사 조건 : 3 파장 형광램프(Philips FL20SS/18 Super80) 2개를 설치하고 시편과 램프의 거리를 10 cm로 조절함.
3) 실험편의 전처리 방법 : 전처리 없이 시험 전 3시간 램프를 조사함.
4) 시험방법
- 5 ℓ 용량의 PVF 수지 가스백(동경 테오드란트 제) 4개를 준비하여 시료를 넣고 봉입한 후 CH3CHO 90 ppm의 시험가스를 조제하여 각각의 가스백에 3 ℓ씩 주입함.
- 2 개는 램프 조사 하에서 2시간 동안의 CH3CHO 농도 변화를 측정하였으며, 2개는 암실에서 2시간 동안의 CH3CHO 농도변화를 측정함.
- CH3CHO 의 농도는 가스검지관을 사용하여 측정함.
2. NH3 제거율에 대한 실험조건 및 방법
상기 CH3CHO 제거율에 대한 실험조건 및 방법과 동일하게 하였다.
3. 실험결과
실험결과는 하기 표 1과 같았다.
가시광선(%)
CH3CHO N.D. (99<)
NH3 9
* 비고
N. D. : CH3CHO의 경우 2시간 가시광선 조사후에 CH3CHO가 검출되지 않거나 최소 검출한계 0.25 ppm 미만의 농도이었음.
99 < : CH3CHO 제거율 99% 초과.
가시광선 하에서 CH3CHO 및 NH3 의 제거율이 각각 99% 이상, 9% 이었다. 암모니아에 대한 제거율이 아세트 알데히드에 비해 다소 낮은 결과를 보였으나, 질화물은 아세트 알데히드에 비해 원소간 결합력이 더 강해 분해가 어려운 점을 감안하면, 자외선보다 낮은 에너지를 가진 가시광선 하에서 적지 않은 제거율을 나타낸 것으로 평가된다.
실험예 2: 자외선 조건하에서 유기물 분해능
상기 실시예에서 제조한 광촉매 도료 조성물을 건조한 분말을 시료로 사용하여, CH3CHO 및 NH3 제거율에 대한 실험을 하였다. 실험은 공인기관인 한국건자재시험연구원에서 시행한 것이다. 시험성적서를 도 4 및 도 5에 첨부하였다.
1. CH3CHO 제거율에 대한 실험조건 및 방법
1) 시험방법 : PRKS L-002 (가스백 A법)
2) 시험조건
- 블랙라이트 형광램프의 상표명 및 램프수 : Sankyo denki, 2개.
- 자외선 강도계의 상표명 및 형식 : Konica Minolta (UM-10), UD-360.
- 시료의 채취량 : 분말 0.5 g을 알루미늄 판에 도후 후 24 시간 자연건조함.
- 시험편의 전처리방법 및 자외선 조사기간 : 전처리 없이 자외선 3 시간 조사.
- 시험편 위면까지의 거리 : 램프 중앙에서 10 cm.
- 시험실의 시험개시부터 종료 때까지의 온도 : 22 ℃.
- 시험 성립조건 성립의 확인 :
PRKS L-002 : Blank 시험구 2개가 모두 당초 가스농도와 불변.
Figure 112008045169535-pat00001
2. NH3 제거율에 대한 실험조건 및 방법
1) 시료의 제조 : 의뢰자가 제시한 분말 0.5 g을 알루미늄 판에 도포 후 24시간 자연 건조함.
2) 자외선 조사 조건 : 블랙라이트 형광램프(Sankyo denki사, 20W) 2개를 설치하고 자외선 수광기(Konica Minolta, UD-360)을 이용하여 자외선 조사량을 1.0mW로 조절함.
3) 실험편의 전처리 방법 : 전처리 없이 시험 전 3시간 자외선을 조사함.
4) 실험방법
- 5 ℓ 용량의 PVF 수지 가스백(동경 테오드란트 제) 4개를 준비하여 시료를 넣고 봉입한 후 NH3 90 ppm의 시험가스를 조제하여 각각의 가스백에 3 ℓ씩 주입함.
- 2 개는 램프 조사 하에서 2시간 동안의 NH3 농도 변화를 측정하였으며, 2개는 암실에서 2시간 동안의 NH3 농도변화를 측정함.
- NH3 의 농도는 가스검지관을 사용하여 측정함.
3. 실험결과
실험결과는 하기 표 2과 같다.
자외선(%)
CH3CHO N.D. (99<)
NH3 N.D. (99<)
* 비고
N. D. : CH3CHO( 또는 NH3 )의 경우 2시간 가시광선 조사후에 CH3CHO가 검출되지 않거나 최소 검출한계 0.25 ppm 미만의 농도이었음.
99 < : CH3CHO( 또는 NH3 ) 제거율 99% 초과.
자외선 하에서 CH3CHO 및 NH3 의 제거율이 각각 99%, 99% 이상이었다.
실험예 3 : 살균·항균 효능 실험
대장균, 화농균 및 살모넬라균에 대한 살균·항균 실험을 하였다. 실험은 공인기관인 한국건자재시험연구원에서 시행한 것이다. 시험성적서를 도 6 내지 도 8 에 첨부하였다.
1. 실험조건 및 방법
1) 램프 조사 조건
- 3 파장 형광램프(Philips FL20ss/18 Super80) 2개를 설치하고 시편과 램프의 거리를 10 cm로 조절함.
2) 균액 접종 후 형관램프 조사 시간 : 2 시간
3) 패트리 디쉬에 시료를 넣고, 시료 위에 균액을 접종한 후 2 시간 형광램프에 노출시키고 Buffer 로 washing 하여 남아있는 균수측정.
4) 시험균주
- Escherichia coli ATCC 25922
- Staphylococcus aureus ATCC 6538
- Salmonella typhimurium IFO 14193
5) 시료크기 : 5 × 5 cm
2. 실험결과
실험결과는 하기 표 3과 같다.
균종 초기농도(CFU/100p) 2시간후 농도(CFU/100p) 항균능력(세균감소율 %)
대장균(Escherichia coli ATCC 25922 2370 2 99.9
화농균(Staphylococc us aureus ATCC 6538) 2226 2 99.9
살모넬라균(Salmonel la typhimurium IFO 14193) 2279 2 99.9
대장균(Escherichia coli ATCC 25922), 화농균(Staphylococcus aureus ATCC 6538) 및 살모넬라균(Salmonella typhimurium IFO 14193)에 대한 세균감소율이 각각 99.9%, 99.9%, 99.9%에 달했다.
실험예 4 : 복사열 방사 장치의 원적외선 방사율 및 광촉매 밀착성 측정
복사열 방사 장치의 원적외선 방사율 실험은 공인기관인 한국에너지기술연구원에서 시행한 것이다. 시험성적서를 도 10에 첨부하였다.
1. 실험조건 및 방법
(1) 원적외선 방사율
상기 실시예에서 제작한 본 발명 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치를 대상으로 하였다. 원적외선 방출시험은 한국에너지기술연구원에서 FT-IR Spectrometer 를 이용한 Black Body 대비에 의해 측정하였다.
(2) 광촉매 도료 밀착성
상기 실시예에서 제작한 본 발명 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치 표면에 흡착성 테이프를 부착한 후, 상기 테이프를 제거하였다. 테이프는 프로필렌/고무계이고, 점착력 1162 g/in, 인장강도 6.8 Kg/in 인 것을 사용하였다(ASTM Test Method D-3652 D-3652 D-3330 D-3759 D-3759).
2. 실험결과
실험결과는 하기 표 4과 같다.
원적외선 방사율 밀착성
94.8% 박리없음
본 발명 광촉매 도료 조성물이 표면에 도포된 복사열 방사 장치는 94.8 %의 높은 원적외선 방사율을 나타냈으며, 광촉매 조성물의 박리도 없었다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 복사열 방사 장치의 구조를 나타낸 것이다.
도 2는 가시광 하에서의 본 발명 조성물의 아세트알데히드 제거율에 대한 시험성적서이다.
도 3은 가시광 하에서의 본 발명 조성물의 암모니아 제거율에 대한 시험성적서이다.
도 4는 자외선 하에서의 본 발명 조성물의 아세트알데히드 제거율에 대한 시험성적서이다.
도 5는 자외선 하에서의 본 발명 조성물의 암모니아 제거율에 대한 시험성적서이다.
도 6은 대장균, 화농균 및 살모넬라균에 대한 항균 시험성적서이다.
도 7은 대장균, 화농균 및 살모넬라균에 대한 항균 시험성적서에 첨부된 대장균 시험결과를 나타낸 사진이다.
도 8은 대장균, 화농균 및 살모넬라균에 대한 항균 시험성적서에 첨부된 화농균 시험결과를 나타낸 사진이다.
도 9는 대장균, 화농균 및 살모넬라균에 대한 항균 시험성적서에 첨부된 살모넬라균 시험결과를 나타낸 사진이다.
도 10은 본 발명 광촉매 도료를 포함하는 복사열 방사 장치의 원적외선 방사율을 나타낸 그래프이다.

Claims (20)

  1. 평균입경이 1 ~ 250nm 범위 내이며, 이산화티탄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화주석 및 삼산화바나듐에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 광촉매를 이용하여, 하이드록시 아파타이트로의 피복률이 5 ~ 36 % 범위가 되도록 하이드록시 아파타이트를 피복한 광촉매; 실리카 계열 바인더; 아크릴 에멀젼; 산탄검을 이용한 증점제; 및 물; 을 포함하는 광촉매 도료 조성물로서,
    상기 하이드록시 아파타이트 피복된 광촉매는 5 ~ 20 중량%, 상기 실리카 계열 바인더는 5 ~ 15 중량%, 상기 아크릴 에멀젼 1 ~ 5 중량%, 상기 증점제는 0.1 ~ 1 중량%, 상기 물은 54 ~ 85 중량% 포함하는 것임을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 광촉매 도료 조성물의 용도는 복사열 방사장치에 사용되는 것임을 특징으로 하는 광촉매 도료 조성물.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 청구항의 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 복사열 방사 장치는 기판(2), 발열층(1) 및 복사열 방사층(3)을 포함하는 것임을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 기판(2)은 스테인레스판(SUS) 또는 알루미늄 판으로 이루어진 것인 복사열 방사 장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 발열층(1)은 실리콘, 테프론 또는 글라스얀으로 피복된 니크롬선으로 이루어진 것인 복사열 방사 장치.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 복사열 방사층(3)은 TiO2 6 ~ 12 중량%, SiO2 20 ~ 30 중량%, ZrO2 5 ~ 10 중량%, Al2O3 5 ~ 10 중량%, Fe2O3 5 ~ 10 중량%, MnO2 5 ~ 10 중량%, Na20 1 ~ 5 중량%의 복사 무기 물질과, 알콕시 실란 접착제 20 ~ 25 중량% 및 알콜 용매 10 ~ 15 중량%의 혼합물을 도포한 후, 용매를 건조시켜 형성된 것임을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 장치는 복사열 방사층(3)이 구비된 면과 반대되는 면의 최외측 표면에 단열층(4)을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 단열층(4)은 유리섬유이고, 15 ~ 25 mm 범위의 두 께를 가진 것임을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  14. 제 8 항에 있어서, 상기 복사열 방사층(3)의 표면에 표면요철처리층(5)을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 표면요철처리층(5)은 SiO2 및 CaO2 의 혼합물의 과포화 수용액을 복사열 방사층(3)의 표면상에 코팅한 후 건조함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 표면요철처리층(5)은 중랑비 SiO2 : CaO2 = 1 : 4로 혼합한 과포화수용액을 복사열 방사층의 표면상에 코팅한 후 건조함으로써 형성되는 것임을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  17. 제 8 항에 있어서, 광촉매 코팅층(6)을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 광촉매 코팅층(6)의 두께는 30 ~ 300 ㎛ 범위 내인 것을 특징으로 하는 복사열 방사 장치.
  19. 복사열 방사층(3)을 포함하는 복사열 방사 장치의 상기 복사열 방사층(3)에 제 1 항의 광촉매 도료 조성물을 도포하는 단계 및
    상기 복사열 방사층(3)의 표면을 18 ~ 150℃ 온도범위에서 경화시키는 단계
    를 포함하는 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치 제조방법.
  20. 표면요철처리층(5)를 포함하는 복사열 방사 장치의 상기 표면요철처리층(5)에 제 1 항의 광촉매 도료 조성물을 도포하는 단계 및
    상기 표면요철처리층(5)의 표면을 18 ~ 150℃ 온도범위에서 경화시키는 단계
    를 포함하는 광촉매 도료 조성물을 포함하는 복사열 방사 장치 제조방법.
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