KR101002496B1

KR101002496B1 - 패드 흡착 방지제

Info

Publication number: KR101002496B1
Application number: KR1020070140960A
Authority: KR
Inventors: 신동목; 조승범; 하현철; 최은미
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2006-12-29
Filing date: 2007-12-28
Publication date: 2010-12-17
Also published as: TW200831655A; KR100954941B1; JP5312345B2; EP2125985A1; WO2008082177A1; JP2010515257A; KR20080063214A; TWI387643B; US8137580B2; KR20080063207A; CN101573425B; US20100068883A1; EP2125985B1; EP2125985A4; CN101573425A

Abstract

본 발명은 두 개 이상의 피리디닐기를 함유하는 피리딘계 화합물을 연마 결과물의 패드 흡착 방지제로 포함함으로써, 배선층의 스크래치, 에로전 등을 최소화할 수 있는 CMP 슬러리에 관한 것이다.

Description

패드 흡착 방지제 {AGENT FOR PREVENTING ADHESION TO A PAD}

본 발명은 CMP 슬러리의 첨가제에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연마 과정 중 연마 결과물의 패드 흡착을 방지할 수 있는 CMP 슬러리 첨가제에 관한 것이다.

ULSI의 고집적화를 위해서 현재의 반도체 제조공정은 웨이퍼의 크기가 대직경화되는 추세이고, 디바이스 제조에서 요구되는 최소 선폭은 0.13㎛ 이하로 점점 줄어드는 등 엄격한 제조 환경을 요구하게 되었다.

이에, 금속 배선 형성을 위해 다마신(damascene) 기법이 이용되고 있다. 이는 프로세스 웨이퍼 상의 절연막에 홈 등을 형성하고, 여기에 텅스텐, 알루미늄, 구리 등의 배선 재료를 매립한 후, 과잉 배선 재료를 제거함으로써 배선을 형성하는 것이다.

이 때, 상기 과잉 배선 재료의 제거 방법으로는 최근 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 방법이 주로 사용되는데, 이는 웨이퍼 표면에 상대적으로 회전하는 연마패드의 표면을 맞대어 누르며, 동시에 연마패드에 화학적 반응 슬러리를 공급함으로써, 화학적 기계적 작용에 의해 웨이퍼 표면을 평탄화하는 기술이다.

그러나, 이러한 화학적, 기계적 연마 작용에 의해 제거된 과잉 배선 재료(이하, 연마 결과물)는 연마 과정 중 슬러리 내에 잔류하여 연마 패드 표면에 흡착하여 자체적으로 응집할 수 있다. 이는 연마 속도를 떨어뜨리고, Uniform 한 연마를 방해하며, 피연마면에 스크래치 발생을 유발하는 등 회로의 신뢰성을 저하시키는 문제가 있다.

본 발명자은 두 개 이상의 피리디닐기를 함유하는 피리딘계 화합물을 CMP 슬러리의 구성 성분으로 사용할 경우, 연마 과정 중 연마 패드에의 연마 결과물의 흡착이 감소한다는 것을 발견하였다.

본 발명은 이에 기초하여, 상기 피리딘계 화합물을 연마 결과물의 패드 흡착 방지제로 사용함으로써, 배선층의 스크래치, 에로전 등을 최소화하고자 한다.

본 발명은 CMP 과정 중 연마 결과물의 패드 흡착 방지제로서, 2개 이상의 피리디닐기를 함유하는 피리딘계 화합물을 포함하는 것이 특징인 패드 흡착 방지제; 상기 패드 흡착 방지제를 포함하는 것이 특징인 CMP 슬러리; 및 상기 CMP 슬러리를 사용하여 금속막, 산화막, 절연막, 또는 금속 배선을 평탄화하는 것이 특징인 화학기계연마(CMP) 방법을 제공한다.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.

다마신(damascene) 기법을 이용하여 배선 형성시, 연마 단계는 일반적으로 과잉 적층된 배선 재료를 제거하는 제 1 CMP 단계와 배리어막을 연마하는 제 2 CMP 단계로 구성되며, 이때 CMP 슬러리는 연마재; 산화제; 착물 형성제; 및 물을 포함한다.

또한, CMP 슬러리를 이용한 연마는 일반적으로 연마재의 물리적 마찰에 의한 기계적 연마; 및 산화제와 착물 형성제에 의한 화학적 연마를 통해 이루어진다.

그러나, 이러한 화학적, 기계적 연마 작용에 의해 제거된 과잉 배선 재료(이하, 연마 결과물)는 연마 과정 중 슬러리 내에 잔류하여 연마 패드 표면에 흡착하여 자체적으로 응집할 수 있다. 이는 연마 속도를 떨어뜨리거나, 피연마면에 스크래치 발생을 유발할 수 있다.

따라서, 연마 패드에 흡착된 연마 결과물을 제거하기 위해, 컨디셔너를 통해 패드 표면을 깎아내는 방법이 사용되고 있다. 그러나, 컨디셔닝을 연마와 동시에 실시할 경우 컨디셔닝에 의해 발생하는 거품 등으로 인해 연마가 비정상적으로 진행될 수 있으며, 컨디셔닝을 연마 전후에만 실시할 경우에는 연마 과정 중 연마 결과물이 연마 패드에 지속적으로 흡착되어 연마 성능이 저하되는 문제를 해결할 수 없다.

이에, 본 발명은 연마 과정 중 연마 결과물이 연마 패드에 흡착하는 것을 최소화할 수 있는 패드 흡착 방지제를 제공하는 것을 특징으로 한다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 패드 흡착 방지제로 두 개 이상의 피리디닐기를 함유하는 피리딘계 화합물을 제공하는 것을 특징으로 한다.

상기 피리딘계 화합물은 두 개 이상의 피리디닐(pyridinyl)기를 함유하는 화합물이면 특별한 제한이 없으며, 두 개 이상의 피리디닐기가 직접 또는 탄화수소기에 의해 서로 연결된 것일 수 있다. 이때, 상기 탄화수소기는 탄소수 5 이하의 알킬렌 또는 알케닐렌기인 것이 바람직하다. 탄화수소기의 탄소수가 6 이상인 경우, 피리딘계 화합물의 물에 대한 용해도가 떨어져 CMP 슬러리에 사용되기 어려울 수 있다. 또한, 상기 피리딘계 화합물의 물에 대한 용해도를 향상시키기 위해, 상기 피리디닐기는 OH, COOH로 치환된 것일 수 있다.

본 발명의 피리딘계 화합물은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현될 수 있으며, 이의 비제한적인 예로는 2,2'-디피리딜에탄(2,2'-DPEA), 2,2'-디피리딜에텐(2,2'-DPEE), 2,2'-디피리딜프로판, 2,2'-디피리딜(2,2'-DP), 3,3'-디피리딜에탄(3,3'-DPEA), 3,3'-디피리딜에텐(3,3'-DPEE), 3,3'-디피리딜프로판, 3,3'-디피리딜(3,3'-DP), 3,4'-디피리딜에탄(3,4'-DPEA), 3,4'-디피리딜에텐(3,4'-DPEE), 3,4'-디피리딜프로판, 3,4'-디피리딜(3,4'-DP), 4,4'-디피리딜에탄(4,4'-DPEA), 4,4'-디피리딜에텐(4,4'-DPEE), 4,4'-디피리딜프로판, 4,4'-디피리딜(4,4'-DP) 등이 있다

[화학식 1]

상기 화학식 1에서, n은 0 또는 1의 정수이고, A는 탄소수 1~5의 알킬렌, 또 는 탄소수 2~5의 알케닐렌이고; R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 H, OH, 또는 CO₂H이다.

[화학식 2]

상기 화학식 2에서, X는 CH 또는 N이고; A₁, A₂, 및 A₃는 각각 독립적으로 NH, 탄소수 1~5의 알킬렌, 또는 탄소수 2~5의 알케닐렌이고; n, m, l은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이며, 이 중 적어도 2개 이상은 1이고; R₁, R₂, 및 R₃는 각각 독립적으로 H, OH, 또는 CO₂H이다.

또한, 본 발명은 전술한 패드 흡착 방지제를 포함하는 CMP 슬러리를 제공한다. 이때, 슬러리 내 패드 흡착 방지제의 함량은 슬러리 총 중량의 0.001 ~ 2 중량%, 바람직하게는 0.01 ~ 1 중량%이다. 0.001 중량%를 미만이면 연마 결과물의 패드 흡착 방지 효과가 미미할 수 있으며, 2 중량%를 초과하면 슬러리의 분산 안정성이 떨어져, 국지적인 불평탄화가 발생할 수 있다.

본 발명의 CMP 슬러리는 전술한 패드 흡착 방지제를 더 포함하는 것을 제외하고는, 당업계에 알려진 통상적인 CMP 슬러리 구성 성분, 예컨대 연마재; 산화제; 착물 형성제; 및 물을 포함할 수 있다.

통상적으로, CMP 슬러리는 배선층의 부식을 방지하기 위해 부식억제제를 더 포함할 수 있으나, 본 발명에서는 패드 흡착 방지제가 부식억제제의 역할을 수행할 수도 있다. 특히, 전술한 피리딘계 화합물은 배선층의 부식을 방지할 수 있으면서도, 종래 부식억제제들과는 달리 연마 속도(배리어층(Ta) 대비 배선 재료(Cu)의 제거 선택비, 또는 절연막(TEOS) 대비 배선 재료의 제거 선택비)를 저하시키지 않는다는 장점이 있다.

본 발명은 연마재로서 금속산화물, 유기 입자, 또는 유기-무기 복합 입자를 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 금속산화물로는 실리카(SiO₂), 알루미나(Al₂O₃), 세리아(CeO₂), 지르코니아(ZrO₂) 또는 티타니아(산화티탄), 제올라이트 등이 있으며, 이 중 실리카를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들은 단독 또는 혼합하여 사용될 수 있으며, 상기 연마재는 발연법과 졸-겔법 중 어떤 방법으로 제조된 것이든 사용이 가능하다.

상기 유기 입자로는 (ⅰ) 폴리스티렌, 스티렌계 공중합체, 폴리(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴레이트계 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 고분자; 또는 (ⅱ) 상기 고분자(들)가 코어, 쉘, 또는 둘다를 구성하는 코어/쉘 구조의 입자 등이 있으며, 이 중 폴리스티렌을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들은 단독 또는 혼합 사용될 수 있으며, 상기 유기 입자는 유화 중합법, 현탁 중합법 등에 의해 제조될 수 있다.

한편, 금속 산화물을 사용하는 경우, 이들 입자의 1차 입자 크기는 10 ~ 200 nm, 바람직하게는 10 ~ 100 nm이며, 유기 입자를 사용하는 경우, 이들 입자의 1차 입자 크기는 10 ~ 500 nm, 바람직하게는 50 ~ 300 nm 이다. 연마재의 입자 크기가 너무 작으면 연마 속도가 떨어지게 되고, 입자가 너무 크면 분산 안정성이 떨어지는 단점이 있다.

상기 연마재의 슬러리 내 함량은 슬러리 총 중량의 0.1 ~ 30 중량%, 바람직하게는 0.5 ~ 10 중량%이다. 상기 연마 입자의 슬러리 내 함량이 0.1 중량% 미만일 경우에는 연마 효과가 미미하고, 30 중량%를 초과할 경우에는 슬러리의 분산 안정성이 저하될 수 있다.

본 발명의 산화제는 배선 재료를 산화시켜 산화막을 형성할 수 있는 물질로서, 당 업계에 알려진 통상적인 산화제가 사용될 수 있다. 상기 산화제의 비제한적인 예로는 과산화수소, 유기 과산화물, 암모늄 퍼설페이트 (APS), 포타슘 퍼설페이트(KPS), 차아염소산(HOCl), 중크롬산칼륨, 과망간산칼륨, 질산철, 포타슘 페리시아나이드, 과요오드산 칼륨, 차아염소산 나트륨(NaOCl), 삼산화바나듐, 포타슘 브로메이트(KBrO₃) 등이 있으며, 상기 유기 과산화물의 비제한적인 예로는 과아세트산, 과벤조산, tert-부틸하이트로퍼옥사이드 등이 있다. 이들 산화제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있는데, 과산화수소를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 산화제의 슬러리 내의 함량은 0.01 ~ 10 중량%, 바람직하게는 0.02 ~ 5 중량%이다. 상기 산화제의 슬러리 내의 함량이 10 중량%를 초과하면 표면 부식이 과량으로 발생하거나, 국지적 부식이 유발될 수 있다. 반면, 함량이 0.01 중량% 미만이면 연마 속도가 크게 감소될 수 있다.

본 발명에서는 산화된 과잉 배선 재료(금속 이온)를 용이하게 제거함과 동시에 연마 속도를 증가시키기 위해 착물 형성제를 사용한다.

상기 착물형성제는 특별히 제한되지 않으며, 아미노산 화합물, 아민 화합물, 또는 카르복시산 화합물 등도 사용가능하다. 이의 비제한적인 예로는 알라닌, 글리신, 시스틴, 히스티딘, 아스파라긴, 구아니딘, 트립토판, 1,2-디아미노시클로헥산, 디아미노프로피온산, 히드라진, 에틸렌디아민, 1,2-디아미노프로판, 1,3-디아미노프로판, 디아미노프로판올, 아세트산, 락트산, 아스코브산, 퀴날드산, 피리딘카르복시산, 또는 이들의 염 등이 있다.

특히, 상기 착물형성제는 카르복시기를 2개 이상 포함하는 카르복시산 화합물인 것이 바람직하다. 카르복시기를 2개 이상 포함하는 카르복시산 화합물은 착물 형성제로 사용될 경우 그 연마 결과물이 연마 패드에 더 잘 흡착되는 경향이 있다. 따라서, 상기 카르복실산 착물 형성제와 본 발명의 피리딘계 화합물 병용시, 본 발명의 패드 흡착 방지 효과가 더욱 두드러질 수 있다. 카르복시기를 2개 이상 포함하는 카르복시산 화합물의 비제한적인 예로는 말레산, 말산, 타르타르산, 말론산, 프탈산, 옥살산, 2,3-피리딘디카르복시산, 아스파르트산, N-아세틸아스파르트산, 아디프산 3,5-피라졸디카르복시산, 시트르산, 니트로트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA) 또는 이들의 염 등이 있다.

상기 착물 형성제의 예들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 착물 형성제의 슬러리 내의 함량은 CMP 슬러리 총 중량의 0.05 ~ 5 중량%, 바람직하게는 0.1 ~ 2 중량%이다. 5 중량%을 초과해서 사용할 경우 표면 부식이 심하게 되고, 피연마면의 광역평탄화도가 크게 악화된다. 반면, 0.1 중량% 미만으로 사용할 경우에는 이의 사용에 의한 효과가 미미하다.

한편, 본 발명의 CMP 슬러리는 유효한 pH로 조절하기 위한 pH 조절제가 첨가될 수 있다. 상기 pH 조절제의 비제한적인 예로는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아수, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨의 염기성 조절제와, 불산, 염산, 질산, 황산, 인산, 포름산, 아세트산 등의 산성 조절제가 있다. 강산 혹은 강염기의 경우, 첨가시 국지적 pH 변화에 의한 슬러리의 응집이 유발될 수 있으므로 물로 희석시켜서 사용하는 것이 바람직하다.

이때, 상기 pH 조절제의 함량은 본 발명에 따른 CMP 슬러리의 pH가 3 내지 11이 되도록 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 pH가 3 미만이거나 11 을 초과할 경우에는 연마율 및 연마 선택도에 나쁜 영향을 미칠 수 있다는 문제점이 있다.

한편, 본 발명에서 물은 전체 슬러리 100 중량%를 맞추는 함량으로 포함될 수 있다.

한편, 본 발명은 상기 CMP 슬러리를 사용하여 금속막, 산화막, 절연막, 또는 금속 배선을 평탄화하는 화학기계연마(CMP) 방법을 제공한다.

이때, 상기 CMP 방법은 당업계의 통상적인 방법에 따라 수행될 수 있으며, 다마신(damascene) 기법이 이용한 배선 형성시, 과잉 적층된 배선 재료를 제거하는 제 1 연마 단계와 배리어막을 연마하는 제 2 연마 단계 모두에 적용될 수 있다.

본 발명은 연마 과정 중 피연마면의 스크래치, 에로전 등의 발생을 최소화하여, 회로의 신뢰성을 높일 수 있다.

이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

폴리프로필렌 병에 실리카 5 중량%, 과산화수소 0.1 중량%, 옥살산 1 중량%, 4,4'-디피리딜에탄 0.1 중량%를 넣고, 물을 첨가한 후 pH를 9.3으로 조절하여 합계 중량이 100 중량%가 되도록 한 후, 10분간 고속 교반시켜, CMP 슬러리를 제조하였다.

실시예 2 ~ 3

하기 표 1에 제시한 바와 같이, 첨가제를 달리한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 CMP 슬러리를 제조하였다.

비교예 1 ~ 3

실험예 1: 연마 패드의 흡착 정도 평가

상기 실시예 1~3 및 비교예 1~3에서 각각 제조한 CMP 슬러리를 사용하여, 하기 조건에서 1분간 연마한 후, 연마 결과물의 연마 패드 표면에의 흡착 여부를 관찰하여, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

[연마 조건]

연마 장비 : CDP 1CM51 (Logitech 사)

패드 : IC1000/SubaIV Stacked (Rodel 사)

플레이튼 속도: 75 rpm

캐리어 속도 : 75 rpm

압력 : 3 psi

슬러리 유속 : 200 ml/min

[연마 대상]

PVD 에 의해 15000 Å이 증착된 6 인치 구리 웨이퍼

PVD 에 의해 3000 Å이 증착된 6 인치 탄탈 웨이퍼

PETEOS에 의해 7000 Å이 증착된 6 인치 SiO₂ 웨이퍼

실험예 2: 연마 속도 평가

상기 실시예 1~3 및 비교예 1~3에서 각각 제조한 CMP 슬러리를 사용하여, 상기 실험예 1와 동일한 조건에서 1분간 연마를 진행하였다. 이후, 연마에 의해 발생 한 피연마면의 두께 변화를 측정하여 제거 속도를 결정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.

[평가]

금속막의 두께 측정은 LEI1510 Rs Mapping (LEI 사)를 사용하여 각 막의 면저항을 측정한 후 하기 식에 의해 산출하였다.

[구리막의 두께 (Å)] = [구리막 비저항값(Ω/cm)÷시트 저항치(Ω/square(□))] ⅹ10⁸

[탄탈막의 두께 (Å)] = [구리막 비저항값(Ω/cm)÷시트 저항치(Ω/square(□))] ⅹ10⁸

TEOS의 두께는 Nanospec 6100(Nanometeics 사)을 이용하여 측정하였다.

실험예 3: 에칭 평가

상기 실시예 1~3 및 비교예 1~3에서 각각 제조한 CMP 슬러리 30 ml에 PVD(Physical Vapor Deposition)에 의해 Cu 층이 1500nm 증착된 wafer를 2 X 2 ㎠ 로 잘라 얻어진 조각을 30 분간 침지시킨 후, 상기 wafer의 변화된 무게를 측정하여 Cu의 에칭 속도를 결정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.

또한, 상기 에칭 속도 평가 후, 상기 실시예 및 비교예의 wafer 표면의 국지적 에칭의 발생 여부를 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.

[표 1]

		실시예 1	실시예 2	실시예 3	비교예 1	비교예 2	비교예 3
연마재 (wt%)		Silica(5)	Silica(5)	Silica(5)	Silica(5)	Silica(5)	Silica(5)
산화제 (wt%)		H₂O₂ (0.1)	H₂O₂ (0.1)	H₂O₂ (0.1)	H₂O₂ (0.1)	H₂O₂ (0.1)	H₂O₂ (0.1)
착물형성제 (wt%)		옥살산 (1)	옥살산 (1)	아디프산 (1)	옥살산 (1)	옥살산 (1)	아디프산 (1)
첨가제 (wt%)		4,4'-DPEA (0.1)	4,4'-DPPA (0.1)	4,4'-DPEA (0.1)	QA (0.1)	-	-
pH		9.3	9.3	9.3	9.3	9.3	9.3
패드 흡착 여부		無	無	無	有	有	有
연마속도 (Å/min)	Cu	1284	1128	984	1337	1015	1024
	Ta	456	415	479	435	364	457
	TEOS	423	442	421	370	357	454
에칭 속도		<10	<10	10	10	24	35
국지적 에칭 유무		無	無	無	有	有	有
* 4,4'-DPEA : 4,4' -디피리딜에탄 * 4,4'-DPPA : 1,3-bis(4-pyridyl)propane * QA : 퀴날드 산

실험결과, 본 발명에 따라 CMP 슬러리의 구성 성분으로 2개 이상의 피리디닐기를 함유하는 피리딘계 화합물을 사용하는 경우, 연마 과정 중 연마 패드에의 연마 결과물의 흡착을 억제할 수 있음을 확인할 수 있었다.

또한, 상기 실험결과로부터, 본 발명의 피리딘계 화합물은 연마 속도의 저하 없이, 구리의 부식을 방지할 수 있을 뿐 아니라, 통상적인 부식억제제(QA)보다 우수한 부식 억제 효과를 나타냄을 확인할 수 있었다.

Claims

CMP 과정 중 연마 결과물의 패드 흡착 방지제로서,

하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 특징인 패드 흡착 방지제:

[화학식 1]

상기 화학식 1에서, n은 1이고, A는 탄소수 1~5의 알킬렌, 또는 탄소수 2~5의 알케닐렌이고; R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 H, OH, 또는 CO₂H이다;

[화학식 2]

상기 화학식 2에서, X는 CH 또는 N이고; A₁, A₂, 및 A₃는 각각 독립적으로 NH, 탄소수 1~5의 알킬렌, 또는 탄소수 2~5의 알케닐렌이고; n, m, l은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이며, 이 중 적어도 2개 이상은 1이고; R₁, R₂, 및 R₃는 각각 독립적으로 H, OH, 또는 CO₂H이다.
삭제
제1항에 있어서, 상기 피리딘계 화합물은 2,2'-디피리딜에탄(2,2'-DPEA), 2,2'-디피리딜에텐(2,2'-DPEE), 2,2'-디피리딜프로판, 3,3'-디피리딜에탄(3,3'-DPEA), 3,3'-디피리딜에텐(3,3'-DPEE), 3,3'-디피리딜프로판, 3,4'-디피리딜에탄(3,4'-DPEA), 3,4'-디피리딜에텐(3,4'-DPEE), 3,4'-디피리딜프로판, 4,4'-디피리딜에탄(4,4'-DPEA), 4,4'-디피리딜에텐(4,4'-DPEE), 4,4'-디피리딜프로판으로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 패드 흡착 방지제.
연마재; 산화제; 착물 형성제; 및 물을 포함하는 CMP 슬러리에 있어서,

상기 제1항 또는 제3항 중 어느 한 항의 패드 흡착 방지제를 더 포함하는 것이 특징인 CMP 슬러리.
제4항에 있어서, 상기 착물 형성제는 카르복시기를 2개 이상 포함하는 카르복시산 화합물인 것이 특징인 CMP 슬러리.
제4항에 있어서, 상기 착물 형성제는 말레산, 말산, 타르타르산, 말론산, 프탈산, 옥살산, 2,3-피리딘디카르복시산, 아스파르트산, N-아세틸아스파르트산, 아디프산 3,5-피라졸디카르복시산, 시트르산, 니트로트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특징인 CMP 슬러리.
제4항에 있어서, 연마재 0.1~30 중량%; 산화제 0.1~10 중량%; 착물 형성제 0.05~5 중량%; 상기 패드 흡착 방지제 0.001~2 중량%를 함유하고, 물은 전체 조성 물 100 중량%를 맞추는 함량으로 포함하는 것이 특징인 CMP 슬러리.
제4항의 CMP 슬러리를 사용하여 금속막, 산화막, 절연막, 또는 금속 배선을 평탄화하는 것이 특징인 화학기계연마(CMP) 방법.