KR101000670B1 - Method for arranging spacer of liquid crystal display and spacer structure - Google Patents

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KR101000670B1 KR1020030060133A KR20030060133A KR101000670B1 KR 101000670 B1 KR101000670 B1 KR 101000670B1 KR 1020030060133 A KR1020030060133 A KR 1020030060133A KR 20030060133 A KR20030060133 A KR 20030060133A KR 101000670 B1 KR101000670 B1 KR 101000670B1
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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 지주스페이서 구조 및 그 형성방법을 개시한다. 본 발명에 따른 액정표시장치의 지주스페이서 구조는, 상부기판과 하부기판; 상기 상부기판에 일정간격을 두고 형성된 액티브지역 블랙매트릭스와 주변부 블랙매트릭스; 상기 블랙매트릭스를 포함한 상기 상부기판에 형성된 오버코팅막; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분 및 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 대응하는 상기 하부기판에 일정간격을 두고 형성된 게이트라인; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분과 대응되는 위치에 있는 게이트라인 상에 형성된 데이터라인; 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 게이트라인 사이에 배치된 지주스페이서; 상기 주변부 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 데이터라인 사이에 배치된 실링라인; 및 상기 상부기판과 상기 하부기판 사이에 주입된 액정층;을 포함하여 구성된다.

Figure R1020030060133

The present invention discloses a strut spacer structure of a liquid crystal display and a method of forming the same. The strut spacer structure of the liquid crystal display device according to the present invention includes an upper substrate and a lower substrate; An active region black matrix and a peripheral black matrix formed at predetermined intervals on the upper substrate; An overcoat layer formed on the upper substrate including the black matrix; A gate line formed at a predetermined interval on a portion of the peripheral black matrix and the lower substrate corresponding to the active area black matrix; A data line formed on the gate line at a position corresponding to a portion of the peripheral black matrix; A strut spacer disposed between the overcoating layer formed on the active region black matrix and the gate line; A sealing line disposed between the overcoating layer formed on the peripheral black matrix and the data line; And a liquid crystal layer injected between the upper substrate and the lower substrate.

Figure R1020030060133

Description

액정표시장치의 지주스페이서 형성방법 및 그 구조{Method for arranging spacer of liquid crystal display and spacer structure}Method for arranging spacer structure of liquid crystal display device and its structure {Method for arranging spacer of liquid crystal display and spacer structure}

도 1은 종래기술에 의한 액정표시장치의 지주 구조의 단면도,1 is a cross-sectional view of a strut structure of a liquid crystal display device according to the prior art;

도 2는 본 발명에 의한 액정표시장치의 지주 구조의 단면도,2 is a cross-sectional view of a strut structure of a liquid crystal display device according to the present invention;

[도면부호의설명][Description of Drawing Reference]

31 : 상부기판 33a : 액티브지역 블랙매트릭스31: upper substrate 33a: active area black matrix

33b : 주변부 블랙매트릭스 35 : 오버코팅층33b: Peripheral Black Matrix 35: Overcoating Layer

41 : 하부기판 43 : 게이트라인41: lower substrate 43: gate line

45 : 데이터라인 47 : 지주스페이서45: data line 47: holding spacer

49 : 실링라인 51 : 액정층 49: sealing line 51: liquid crystal layer

본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 블랙 및 화이트 LCD 모니터에서 블랙매트릭스부의 지주 설계에 적용하는 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법 및 그 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method of forming a strut spacer and a structure of the liquid crystal display device applied to a strut design of a black matrix unit in a black and white LCD monitor.

종래기술에 의한 액정표시장치에 있어서 지주설계방법에 대해 도면을 참조하 여 설명하면 다음과 같다.Referring to the drawings, a strut design method in a liquid crystal display device according to the related art is as follows.

도 1은 종래기술에 의한 액정표시장치에 있어서 지주설계방법에 있어서, 지주설계구조가 형성된 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having a strut design structure in a strut design method in a liquid crystal display device according to the prior art.

종래기술에 의한 지주설계구조가 형성된 액정표시장치는, 도 1을 참조하면, 상부기판(1)과 하부기판(11) 및 이들사이에 주입되는 액정층(21)으로 구성되어 있다.The liquid crystal display device in which the strut design structure according to the related art is formed, referring to FIG. 1, is composed of an upper substrate 1 and a lower substrate 11 and a liquid crystal layer 21 injected therebetween.

여기서, 상기 상부기판(1)에는 액티브지역블랙매트릭스(3a)와 주변부블랙매트릭스(3b)로 구성된 블랙매트릭스(3)이 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(3)를 포함한 상부기판(1)에는 오버코팅막(5)이 형성되어 있다.Here, the upper substrate 1 is formed with a black matrix 3 composed of an active area black matrix 3a and a peripheral black matrix 3b, and over the upper substrate 1 including the black matrix 3. The coating film 5 is formed.

또한, 상기 액티브지역 블랙매트릭스(3a) 및 주변부 블랙매트릭스(3b)의 일부분에 대응하는 상기 하부기판(11) 부분에는 게이트라인(13)이 형성되어 있고, 상기 주변부블랙매트릭스(3b)의 일부분과 대응되는 위치에 형성된 게이트라인(13)상에 데이터라인(15)이 형성되어 있다. In addition, a gate line 13 is formed at a portion of the lower substrate 11 corresponding to portions of the active region black matrix 3a and the peripheral black matrix 3b, and a portion of the peripheral black matrix 3b. The data line 15 is formed on the gate line 13 formed at the corresponding position.

그리고, 상기 게이트라인(13)과 그와 대응되는 오버코팅막(5)사이에 일정간격을 두고 지주(spacer)(17)가 형성되어 있으며, 상기 데이터라인(15)상에 상기 주변부 블랙매트릭스(3b)상의 오버코팅막(5)사이에 실링라인(19)이 형성되어 있다. 여기서, 미설명부호 h1는 지주높이이고, g1은 셀갭이며, B1-B1는 절단라인이다. A spacer 17 is formed between the gate line 13 and the corresponding overcoat layer 5 at a predetermined interval, and the peripheral black matrix 3b is formed on the data line 15. A sealing line 19 is formed between the overcoat films 5 on the? Here, reference numeral h1 is the strut height, g1 is a cell gap, and B1-B1 is a cutting line.

상기한 바와 같이, RGB 칼라 필터와는 달리 블랙 및 화이트 필터(black 및 화이트 필터)에서는 종래 RGB 칼라 필터와 동일하게 지주 설계시 도 1의 "A"에서와 같이 실갭(seal gap)이 발생한다.As described above, in the black and white filter (black and white filter), unlike the RGB color filter, a seal gap occurs as shown in "A" of FIG.

일반적으로 수지 블랙매트릭스를 적용시에 수지 블랙매트릭스(BM) 높이 즉, 1.2μm 두께만큼 단차가 발생한다. Generally, when the resin black matrix is applied, a step occurs by the resin black matrix (BM) height, that is, 1.2 μm thickness.

따라서, 1.2μm의 단차가 발생하므로써 러빙공정에서 러빙불균일 등의 문제점을 유발한다.Accordingly, a step of 1.2 μm occurs, which causes problems such as rubbing irregularities in the rubbing process.

이를 극복하기 위해 수지블랙매트릭스위에 오버코팅(over coating)처리를 하게 되는데, 오버코팅제를 코팅시에 액티브지역 BM위의 오버코팅막 두께와 주변부 BM위의 오버코팅막 두께가 차이를 보이고 일반적으로 주변부 BM위의 오버코팅막 두께가 +α만큼 높다. 여기서, +α는 오버코팅막의 종류 및 막 형성공정에 의존하게 되는데, 일반적으로 0.3∼1μm의 두께특성을 보인다.In order to overcome this problem, over coating is applied on the resin black matrix. When coating the over coating agent, the thickness of the overcoating film on the active area BM and the overcoating film thickness on the peripheral BM are different. The overcoat film thickness of is as high as + α. Here, + α depends on the type of overcoating film and the film forming process, and generally exhibits a thickness characteristic of 0.3 to 1 μm.

이렇게 형성된 오버코팅층위에 지주를 형성할 경우 동일한 지주높이라 할지라도 오버코팅막 두께(+α) 기인으로 실갭(seal gap) 불량이 발생한다.In the case of forming the support on the overcoating layer thus formed, a seal gap defect occurs due to the thickness of the overcoating film (+ α) even with the same support height.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 실갭 불량을 유발하는 주변부 블랙매트릭스위의 지주 스페이서를 설계적으로 제거하므로써 액티브영역내에 균일한 셀갭을 실현하여 실갭 불량을 방지할 수 있는 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법 및 그 구조를 제공 함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to realize a uniform cell gap in the active area by designally removing the strut spacer on the peripheral black matrix causing the seal gap defect. The present invention provides a method and structure for forming a strut spacer of a liquid crystal display device capable of preventing a seal gap defect.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 지주스페이서 구조는, 상부기판과 하부기판; 상기 상부기판에 일정간격을 두고 형성된 액티브지역 블랙매트릭스와 주변부 블랙매트릭스; 상기 블랙매트릭스를 포함한 상기 상부기판에 형성된 오버코팅막; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분 및 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 대응하는 상기 하부기판에 일정간격을 두고 형성된 게이트라인; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분과 대응되는 위치에 있는 게이트라인 상에 형성된 데이터라인; 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 게이트라인 사이에 배치된 지주스페이서; 상기 주변부 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 데이터라인 사이에 배치된 실링라인; 및 상기 상부기판과 상기 하부기판 사이에 주입된 액정층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The strut spacer structure of the liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object, the upper substrate and the lower substrate; An active region black matrix and a peripheral black matrix formed at predetermined intervals on the upper substrate; An overcoat layer formed on the upper substrate including the black matrix; A gate line formed at a predetermined interval on a portion of the peripheral black matrix and the lower substrate corresponding to the active area black matrix; A data line formed on the gate line at a position corresponding to a portion of the peripheral black matrix; A strut spacer disposed between the overcoating layer formed on the active region black matrix and the gate line; A sealing line disposed between the overcoating layer formed on the peripheral black matrix and the data line; And a liquid crystal layer injected between the upper substrate and the lower substrate.

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또한, 본 발명에 따른 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법은, 상부기판과 하부기판을 준비하는 단계; 상기 상부기판에 일정간격을 두고 형성된 액티브지역 블랙매트릭스와 주변부 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 상기 블랙매트릭스를 포함한 상기 상부기판에 오버코팅막을 형성하는 단계; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분 및 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 대응하는 상기 하부기판에 일정간격을 두고 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분과 대응되는 위치에 있는 게이트라인 상에 데이터라인을 형성하는 단계; 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 게이트라인 사이에 지주스페이서를 형성하는 단계; 상기 주변부 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 데이터라인 사이에 실링라인을 형성하는 단계; 및 상기 상부기판과 하부기판사이에 액정층을 주입하는 단계;를 포함하여 구성 되는 것을 특징으로 한다.In addition, the holding spacer forming method of the liquid crystal display according to the present invention comprises the steps of preparing an upper substrate and a lower substrate; Forming an active region black matrix and a peripheral black matrix formed at predetermined intervals on the upper substrate; Forming an overcoating layer on the upper substrate including the black matrix; Forming a gate line on a portion of the peripheral black matrix and the lower substrate corresponding to the active region black matrix at a predetermined interval; Forming a data line on a gate line at a position corresponding to a portion of the peripheral black matrix; Forming a support spacer between the gate layer and the overcoating layer formed on the active area black matrix; Forming a sealing line between the overcoating layer formed on the peripheral black matrix and the data line; And injecting a liquid crystal layer between the upper substrate and the lower substrate.

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(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법 및 그 구조를 상세히 설명한다.Hereinafter, a method and a structure of a support spacer forming method of a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 의한 액정표시장치의 지주 구조의 단면도를 나타낸 도면 이다.2 is a cross-sectional view of a strut structure of a liquid crystal display according to the present invention.

본 발명에 따른 액정표시장치의 지주스페이서 구조는, 도 2를 참조하면, 상부기판 (31)과 하부기판(41) 및 이들사이에 주입되는 액정층(51)으로 구성되어 있다.Referring to FIG. 2, the strut spacer structure of the liquid crystal display device according to the present invention includes an upper substrate 31 and a lower substrate 41 and a liquid crystal layer 51 injected therebetween.

여기서, 상기 상부기판(31)에는 액티브지역 블랙매트릭스(33a)와 주변부 블랙매트릭스(33b)로 구성된 블랙매트릭스(33)이 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(33)를 포함한 상부기판(31)에는 오버코팅막(35)이 형성되어 있다.Here, the upper substrate 31 is formed with a black matrix 33 composed of an active region black matrix 33a and a peripheral black matrix 33b, and over the upper substrate 31 including the black matrix 33. The coating film 35 is formed.

또한, 상기 액티브지역 블랙매트릭스(33a) 및 주변부 블랙매트릭스(33b)의 일부분에 대응하는 상기 하부기판(41) 부분에는 일정간격을 두고 게이트라인(43)이 형성되어 있고, 상기 주변부 블랙매트릭스(33b)의 일부분과 대응되는 위치에 형성된 게이트라인(43) 상에 데이터라인(45)이 형성되어 있다. In addition, a portion of the lower substrate 41 corresponding to a portion of the active area black matrix 33a and the peripheral black matrix 33b is provided with a gate line 43 at a predetermined interval, and the peripheral black matrix 33b. The data line 45 is formed on the gate line 43 formed at a position corresponding to a portion of the.

그리고, 상기 게이트라인(43)과 그와 대응되는 오버코팅막(35) 사이에 일정간격을 두고 지주(post spacer)(47)가 형성되어 있으며, 상기 데이터라인(45) 상에는 상기 주변부 블랙매트릭스(33b)상의 오버코팅막(35) 사이에 실링라인(49)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 주변부 블랙매트릭스(33b) 상의 오버코팅막(35)과 게이트라인(43) 사이에는 지주(post spacer)(47)가 형성되지 않는다. A post spacer 47 is formed between the gate line 43 and the corresponding overcoat layer 35 at a predetermined interval, and the peripheral black matrix 33b is formed on the data line 45. The sealing line 49 is formed between the overcoat films 35 on the (). Here, a post spacer 47 is not formed between the overcoating layer 35 and the gate line 43 on the peripheral black matrix 33b.

여기서, 미설명부호 h2는 지주높이이고, g2은 셀갭이며, B2-B2는 절단라인이다.Here, reference numeral h2 is the strut height, g2 is the cell gap, and B2-B2 is the cutting line.

위에서와 같이, 일반적으로 지주스페이서를 액티브지역 내에 균일하게 형성한다. 지주 형상은 러빙 등을 고려하여 사각형, 원형, 육각형 등으로 형성하고, 지주 크기는 500∼3000 μm2/mm2로 형성하고, 지주 수는 일반적으로 일정한 간격으로 일정한 반복 패턴을 가지며 4∼20 ea/mm2로 까지 형성할 수 있다. 지주 높이는 셀갭을 고려하여 형성한다. 여기서, 지주높이는 아래와 같이 나타낸다.As above, the strut spacer is generally formed uniformly in the active region. The strut shape is formed into a square, circle, hexagon, etc. in consideration of rubbing, etc., and the strut size is formed to be 500 to 3000 μm 2 / mm 2 , and the number of struts generally has a constant repeating pattern at regular intervals and has 4 to 20 ea. It can be formed up to / mm 2 . The strut height is formed considering the cell gap. Here, the post height is represented as follows.

지주높이 = 셀갭-어레이단차 + 지주변형량Strut height = Cell gap-array step + Strut strain

또한, 셀갭은 FFS(fringe field switching)의 경우 2.5∼5μm 정도이고, TN(twisted nematic)의 경우도 고속 응답을 고려할 때 3∼6 μm 정도이다.In addition, the cell gap is about 2.5 to 5 μm in the case of fringe field switching (FFS), and about 3 to 6 μm in the case of twisted nematic (TN) in consideration of the fast response.

그러나, 본 발명에서는 도 2에서와 같이 블랙 및 화이트 필터에서 지주스페 이서를 형성하는 마스크를 변경한다.However, in the present invention, as shown in FIG. 2, the mask for forming the strut spacer in the black and white filters is changed.

일반적으로 액티브지역∼블랙매트릭스(BM) 가장자리까지의 영역은 2∼6mm 의 영역을 갖는다. 이 영역에서 일반적으로 1∼2mm의 실(seal) 폭이 스크라이브라인(B2-B2)으로부터 0.5mm 떨어진 거리에 위치하게 되고, 액티브지역∼실(seal)까지의 거리인 1∼4mm에 지주를 제거한다. 여기서, 스크라이브라인(B2-B2)∼블랙매트릭스(33b) 가장자리까지의 거리는 실(seal) 바깥쪽∼스크라이브라인(B2-B2)과 동일한 0.5mm 이다.In general, the area from the active area to the edge of the black matrix BM has an area of 2 to 6 mm. In this area, the seal width of 1 to 2 mm is generally located at a distance of 0.5 mm from the scribe brine (B2-B2), and the posts are removed at 1 to 4 mm, which is the distance from the active area to the seal. do. Here, the distance from the scribe brine B2-B2 to the edge of the black matrix 33b is 0.5 mm which is the same as the outside of the seal to the scribe brain B2-B2.

또한, 액티브지역 내의 지주(47)는 기존과 동일하다. 여기서, 지주(47) 크기는 500∼3000 μm2/mm2로 형성하고, 지주간격은 4∼20ea/mm2 범위 내에서 형성한다. 그리고, 지주 형상은 사각형으로 형성하고, 지주높이는 2.3∼4.8 μm 범위에서 FFS에 대응되게 형성한다. In addition, the strut 47 in the active area is the same as before. Here, the size of the strut 47 is formed to 500 ~ 3000 μm 2 / mm 2 , the strut interval is formed within the range of 4 ~ 20ea / mm 2. The strut shape is formed in a square shape, and the strut height is formed to correspond to the FFS in the range of 2.3 to 4.8 μm.

상기와 같이 형성된 블랙 및 화이트 필터를 적용한 FFS 블랙 및 화이트 LCD 모니터에서 액티브지역내의 균일한 셀갭(g2)에 의한 균일휘도 실현이 가능하고, 이로 인해 실갭을 방지할 수 있다. In the FFS black and white LCD monitors to which the black and white filters formed as described above are applied, the uniform luminance due to the uniform cell gap g2 in the active area can be realized, thereby preventing the real gap.

상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 의하면, 블랙 및 화이트필터에서 지주스페이서를 형성하는 마스크를 변경하여 실갭 불량을 유발하는 주변부 BM위의 지주스페이서 즉, 액티브지역∼실까지의 거리인 1∼4mm에 지주를 제거하므로써 블랙 및 화이트 필터를 적용한 FFS 블랙 및 화이트 LCD 모니터에서 액티브지역내의 균일한 셀갭(g2)에 의한 균일휘도 실현이 가능하고, 이로 인해 실갭을 방지할 수 있다. As described above, according to the present invention, the black and white filter changes the mask forming the strut spacer so that the strut spacer on the periphery BM that causes the seal gap defect, i.e., 1 to 4 mm, the distance from the active region to the yarn. By eliminating the struts, the uniform brightness of the FFS black and white LCD monitors to which the black and white filters are applied can be realized by the uniform cell gap g2 in the active area, thereby preventing the seal gap.

한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the invention claimed in the claims. will be.

Claims (10)

상부기판과 하부기판;Upper and lower substrates; 상기 상부기판에 일정간격을 두고 형성된 액티브지역 블랙매트릭스와 주변부 블랙매트릭스;An active region black matrix and a peripheral black matrix formed at predetermined intervals on the upper substrate; 상기 블랙매트릭스를 포함한 상기 상부기판에 형성된 오버코팅막;An overcoat layer formed on the upper substrate including the black matrix; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분 및 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 대응하는 상기 하부기판에 일정간격을 두고 형성된 게이트라인;A gate line formed at a predetermined interval on a portion of the peripheral black matrix and the lower substrate corresponding to the active area black matrix; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분과 대응되는 위치에 있는 게이트라인 상에 형성된 데이터라인;A data line formed on the gate line at a position corresponding to a portion of the peripheral black matrix; 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 게이트라인 사이에 배치된 지주스페이서;A strut spacer disposed between the overcoating layer formed on the active region black matrix and the gate line; 상기 주변부 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 데이터라인 사이에 배치된 실링라인; 및A sealing line disposed between the overcoating layer formed on the peripheral black matrix and the data line; And 상기 상부기판과 상기 하부기판 사이에 주입된 액정층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서.A holding spacer of a liquid crystal display device, comprising: a liquid crystal layer injected between the upper substrate and the lower substrate. 제1항에 있어서, 상기 지주스페이서는 사각형, 원형 또는 육각형이고, 지주크기는 500∼3000 μm2/mm2이며, 지주수는 4∼20ea/mm2 인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서.The strut spacer of claim 1, wherein the strut spacer is rectangular, circular or hexagonal, the strut size is 500 to 3000 μm 2 / mm 2 , and the number of struts is 4 to 20ea / mm 2 . . 제1항에 있어서, 상기 지주스페이서의 높이는 2.3∼4.8 μm인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서.The strut spacer of claim 1, wherein the strut spacer has a height of 2.3 to 4.8 μm. 제1항에 있어서, 상기 주변부 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 게이트라인 사이에는 지주스페이서가 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서.The strut spacer of claim 1, wherein a strut spacer does not exist between the overcoating layer formed on the peripheral black matrix and the gate line. 상부기판과 하부기판을 준비하는 단계;Preparing an upper substrate and a lower substrate; 상기 상부기판에 일정간격을 두고 형성된 액티브지역 블랙매트릭스와 주변부 블랙매트릭스를 형성하는 단계;Forming an active region black matrix and a peripheral black matrix formed at predetermined intervals on the upper substrate; 상기 블랙매트릭스를 포함한 상기 상부기판에 오버코팅막을 형성하는 단계;Forming an overcoating layer on the upper substrate including the black matrix; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분 및 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 대응하는 상기 하부기판에 일정간격을 두고 게이트라인을 형성하는 단계;Forming a gate line on a portion of the peripheral black matrix and the lower substrate corresponding to the active region black matrix at a predetermined interval; 상기 주변부 블랙매트릭스의 일부분과 대응되는 위치에 있는 게이트라인 상에 데이터라인을 형성하는 단계;Forming a data line on a gate line at a position corresponding to a portion of the peripheral black matrix; 상기 액티브지역 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 게이트라인 사이에 지주스페이서를 형성하는 단계;Forming a support spacer between the gate layer and the overcoating layer formed on the active area black matrix; 상기 주변부 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 데이터라인 사이에 실링라인을 형성하는 단계; 및Forming a sealing line between the overcoating layer formed on the peripheral black matrix and the data line; And 상기 상부기판과 하부기판사이에 액정층을 주입하는 단계;를 포함하여 구성 되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법.Injecting a liquid crystal layer between the upper substrate and the lower substrate; Forming a holding spacer of the liquid crystal display device comprising a. 제5항에 있어서, 상기 지주스페이서는 사각형, 원형 또는 육각형이고, 지주크기는 500∼3000 μm2/mm2이며, 지주수는 4∼20ea/mm2 인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법.6. The strut spacer of claim 5, wherein the strut spacer is rectangular, circular or hexagonal, the strut size is 500 to 3000 µm 2 / mm 2 , and the strut number is 4 to 20ea / mm 2 . Formation method. 제5항에 있어서, 상기 지주스페이서의 높이는 2.3∼4.8 μm인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법.The method according to claim 5, wherein the height of the support spacer is 2.3 to 4.8 µm. 제5항에 있어서, 상기 주변부 블랙매트릭스에 형성된 오버코팅막과 상기 게이트라인 사이에는 지주스페이서가 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 지주스페이서 형성방법.6. The method of claim 5, wherein a strut spacer does not exist between the overcoating layer formed on the peripheral black matrix and the gate line. 삭제delete 삭제delete
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