KR100998036B1 - 반도체 팩키지용 선도금 리드프레임 및 그 선도금 방법 - Google Patents
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Description
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- 내부 리드 및 외부 리드에 대응하는 부분을 가지는 리드프레임용 금속 기저소재에서 적어도 상기 외부 리드에 대응하는 부분 상에 주석 합금으로부터 주석 도금층이 형성된 반도체 팩키지용 선도금 리드프레임에 있어서,상기 주석 도금층에 포함된 합금 원소는 연속적인 농도구배를 가지며, 상기 합금 원소의 농도는 외측으로 갈수록 연속적으로 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지용 선도금 리드프레임.
- 제1항에 있어서,상기 합금 원소는 비스무스(Bi), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn)으로 이루어진 군중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지용 선도금 리드프레임.
- 제1항에 있어서,상기 기저소재에 인접한 상기 주석 도금층의 부분에서 합금 원소의 무게 분율은 2wt% 내지 10 wt%이며, 상기 주석 도금층의 최외각 부분에서 합금 원소의 무게 분율은 0.1wt% 내지 5 wt%인 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지용 선도금 리드프레임.
- 내부리드 및 외부리드에 대응되는 부분을 가지는 리드프레임용 금속 기저소재에서 적어도 상기 외부리드에 대응되는 부분 상에 주석 합금으로부터 주석 도금 층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 팩키지용 리드프레임의 선도금 방법에 있어서,상기 주석 도금층에 포함된 합금 원소는 연속적인 농도구배를 가지며, 상기 합금 원소의 농도는 외측으로 갈수록 연속적으로 감소되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지용 리드프레임의 선도금 방법.
- 제4항에 있어서,상기 주석 도금층을 형성하는 단계에서, 도금 용액에 인가되는 전류의 밀도는 시간에 따라 순차적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지용 리드프레임의 선도금 방법.
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