KR100997068B1 - Magnesium oxide for vapor deposition - Google Patents

Magnesium oxide for vapor deposition Download PDF

Info

Publication number
KR100997068B1
KR100997068B1 KR1020040083049A KR20040083049A KR100997068B1 KR 100997068 B1 KR100997068 B1 KR 100997068B1 KR 1020040083049 A KR1020040083049 A KR 1020040083049A KR 20040083049 A KR20040083049 A KR 20040083049A KR 100997068 B1 KR100997068 B1 KR 100997068B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnesium oxide
oxide
metal
vapor deposition
deposition material
Prior art date
Application number
KR1020040083049A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050038555A (en
Inventor
우에키아키라
마스다아키라
가토유조
Original Assignee
우베 마테리알즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 filed Critical 우베 마테리알즈 가부시키가이샤
Publication of KR20050038555A publication Critical patent/KR20050038555A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100997068B1 publication Critical patent/KR100997068B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/03Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
    • C04B35/04Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/081Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(과제) 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 보호막으로서 유용한 산화마그네슘막을 전자 빔 증착법에 의해 형성하는 데에 있어서 유리하게 사용할 수 있는 산화마그네슘 증착재를 제공한다. (Problem) Provided is a magnesium oxide vapor deposition material which can be advantageously used for forming a magnesium oxide film useful as a protective film for a dielectric layer of an alternating current plasma display panel by an electron beam vapor deposition method.

(해결수단) 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 0.01∼6몰% 의 범위로 함유하는 산화마그네슘 증착재. 또는, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 각각 금속 원소량으로 환산하여 0.005몰% 이상으로, 또한 그 합계량이 금속 원소량으로 환산하여 6몰% 이하가 되도록 함유하는 산화마그네슘 증착재.(Solution means) The magnesium oxide vapor deposition material containing the metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent in 0.01-6 mol%. Alternatively, the alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide and the metal oxides having any valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of the metal elements are respectively 0.005 mol% or more in terms of the amount of metal elements, and the total amount thereof is a metal source. Magnesium oxide vapor deposition material containing so that it may become 6 mol% or less in conversion in small quantity.

Description

산화마그네슘 증착재 {MAGNESIUM OXIDE FOR VAPOR DEPOSITION}Magnesium Oxide Evaporation Material {MAGNESIUM OXIDE FOR VAPOR DEPOSITION}

본 발명은, 특히 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 보호막으로서 유용한 산화마그네슘막 형성용 증착재에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates especially to the vapor deposition material for magnesium oxide film formation useful as a protective film of the dielectric layer of an AC plasma display panel.

교류형 플라즈마 디스플레이 패널 (AC 형 PDP) 에서는, 전극 표면의 유전체층을 플라즈마에 의한 이온 충격 (스퍼터링) 으로부터 보호하기 위해 유전체층 표면에 보호막을 형성하는 것이 일반적이다. 유전체층의 보호막에는 산화마그네슘막이 널리 사용되고 있다. 이 산화마그네슘막의 형성에는, 증착재를 전자 빔의 조사에 의해 증발시키고, 기체에 퇴적시키는 방법인 전자 빔 증착법이 널리 이용되고 있다. 증착재로는, 단결정의 산화마그네슘 (전융(電融) 산화마그네슘) 또는 산화마그네슘 분말을 소결시켜 얻어지는 산화마그네슘 소결체 (다결정 산화마그네슘) 가 사용되고 있다. In an AC plasma display panel (AC type PDP), it is common to form a protective film on the dielectric layer surface in order to protect the dielectric layer on the electrode surface from ion bombardment (sputtering) by plasma. Magnesium oxide films are widely used as protective films for dielectric layers. The electron beam vapor deposition method which is a method of evaporating a vapor deposition material by irradiation of an electron beam and depositing on a gas is widely used for formation of this magnesium oxide film. As a vapor deposition material, a magnesium oxide sintered body (polycrystalline magnesium oxide) obtained by sintering a single crystal of magnesium oxide (electrolytic magnesium oxide) or magnesium oxide powder is used.

AC 형 PDP 의 구동 전압을 낮게 하기 위해서는, 유전체층의 보호막 (산화마그네슘막) 은 2 차 전자의 방출 효율이 높은 것, 즉 일함수 (1 개의 전자가 외부로 방출되기 위한 최소 에너지) 가 낮은 것이 바람직하다. In order to lower the drive voltage of the AC type PDP, the protective film (magnesium oxide film) of the dielectric layer preferably has a high emission efficiency of secondary electrons, that is, a low work function (minimum energy for one electron to be emitted to the outside). Do.

이 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 산화마그네슘막에 특정한 금속 산화물 을 도입하는 방법이 검토되고 있다. As a means for solving this problem, the method of introducing a specific metal oxide into a magnesium oxide film is examined.

특허 문헌 1 에는, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물 (이하, 간단히 금속 산화물이라고 하는 경우도 있다) 을 함유하는 산화마그네슘 소결체를 사용하여 형성한 그 금속 산화물을 0.1∼20몰% 함유하는 산화마그네슘막을 AC 형 PDP 의 유전체층 보호막으로서 사용하는 것이 기재되어 있다. 그리고, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 예로서, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 세륨, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 및 디스프로슘의 산화물이 기재되어 있다. Patent Literature 1 discloses a metal oxide formed by using a magnesium oxide sintered body containing a metal oxide having a valence of a metal element of any one of trivalent, tetravalent or pentavalent (hereinafter may be simply referred to as a metal oxide). It is described to use a magnesium oxide film containing 0.1 to 20 mol% as a dielectric layer protective film for AC type PDP. And as an example of the metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent, aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel , Oxides of cerium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, and dysprosium.

상기 특허 문헌 1 의 기재에 따르면, 금속 원소의 가수가 3∼5 가인 금속 산화물을 고용(固溶)한 산화마그네슘막의 2 차 전자 방출 효율이 향상되는 것은, 마그네슘 원소 (이온) 에 치환된 금속 원소 (이온) 이 산화마그네슘의 에너지 갭 사이에서 도너 준위를 형성하기 때문으로 되어 있다. 또, 특허 문헌 1 에는, 염기성 탄산마그네슘 5 수화물과 산화철을 소정 비율로 혼합하고, 금형에 넣어 가압 성형한 후에, 대기 중에서 소성하여 형성된 펠릿을 작은 덩어리로 분쇄한 것을 증착재로 사용하여, 전자 빔 증착법에 의해 산화철이 고용된 산화마그네슘 보호막이 형성된 것이 기재되어 있지만, 펠릿 (작은 덩어리) 중의 산화철 농도에 대해서는 언급되어 있지 않다. According to the description of the Patent Document 1, the secondary electron emission efficiency of the magnesium oxide film in which the valence of the metal element is 3 to 5 valent metal oxide is improved is a metal element substituted with magnesium element (ion). This is because (ion) forms a donor level between the energy gaps of magnesium oxide. In addition, Patent Document 1 discloses that a basic magnesium carbonate pentahydrate and iron oxide are mixed at a predetermined ratio, put into a mold, and press-molded, and then pellets formed by sintering pellets formed by firing in the air into small lumps are used as evaporation materials. Although the magnesium oxide protective film in which the iron oxide was solid-dissolved by the vapor deposition method was described, it does not mention the iron oxide concentration in a pellet (small lump).

특허 문헌 2 에는, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물 (이하, 간단히 알칼리 토금속 산화물이라고 하는 경우도 있다) 이 0.5∼50체적% 분산된 산화마 그네슘 소결체, 또는 알칼리 토금속 산화물과 희토금속 산화물을 함유하는 산화마그네슘 소결체를 사용하여 형성한 알칼리 토금속 산화물을 함유하는 산화마그네슘막을 AC 형 PDP 의 유전체층 보호막으로서 사용하는 것이 기재되어 있다. 그리고, 알칼리 토금속 산화물의 예로서, 산화칼슘, 산화스트론튬 및 산화바륨이 기재되어 있다. Patent Literature 2 includes a magnesium oxide sintered body in which 0.5 to 50% by volume of alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide (hereinafter may be simply referred to as alkaline earth metal oxides) or alkaline earth metal oxides and rare earth metal oxides are contained. It is described to use a magnesium oxide film containing an alkaline earth metal oxide formed by using a magnesium oxide sintered body as a dielectric layer protective film of an AC type PDP. And as examples of alkaline earth metal oxides, calcium oxide, strontium oxide and barium oxide are described.

(특허 문헌 1) 일본 공개특허공보 평11-339665호(Patent Document 1) Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-339665

(특허 문헌 2) 일본 공개특허공보 2000-290062호(Patent Document 2) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-290062

특허 문헌 1 에 개시되어 있는 금속 원소의 가수가 3∼5 가인 금속 산화물을 0.1∼20몰% 의 농도 범위에서 고용한 산화마그네슘 보호막은, 2 차 전자 방출 효율의 관점에서 보면 우수한 것이지만, 본 발명자의 검토에 의하면 다음과 같은 문제가 있다. Although the magnesium oxide protective film which melt | dissolved the metal oxide whose valence of the metal element as disclosed in patent document 1 is 3-5 mol in the concentration range of 0.1-20 mol% is excellent from a viewpoint of secondary electron emission efficiency, According to the review, there are the following problems.

증착재의 산화마그네슘 원료에 염기성 탄산마그네슘 5 수화물을 사용하면, 그 소성시에 탄산 가스가 발생하기 때문에 증착재의 내부에 기포가 생기기 쉽다는 문제가 있다. 증착재의 내부에 기포가 있으면, 전자 빔 조사시의 열충격에 의해 스플래시 (splash: 증착재의 파편이 튀는 현상) 가 일어나기 쉬워진다.When basic magnesium carbonate pentahydrate is used as a raw material of magnesium oxide of a vapor deposition material, since carbon dioxide gas is generated at the time of baking, there exists a problem that a bubble is likely to generate | occur | produce inside a vapor deposition material. If bubbles are present inside the vapor deposition material, splashes are likely to occur due to thermal shock during electron beam irradiation.

또한, 증착에 의해 형성되는 산화마그네슘막의 금속 산화물 농도는 증착재의 금속 산화물 농도보다도 적어지는 경향이 있지만 (특히, 산화지르코늄과 같이 비등점이 산화마그네슘보다도 높은 금속 산화물에서 이 경향은 높아진다), 한편으로는 증착재의 금속 산화물 농도를 높게 할수록 증착재 중에 금속 산화물을 균일하게 분 산시키는 것이 어렵게 된다는 문제가 있다. 금속 산화물이 균일하게 분산되어 있지 않은 증착재를 사용하여 전자 빔 증착을 실시하면, 얻어지는 산화마그네슘막의 2 차 전자 방출 효율에 부분적인 편차가 보이게 될 뿐만 아니라, 막 밀도 (굴절률) 의 저하, 즉 내이온 충격성의 저하를 초래하게 된다. In addition, the metal oxide concentration of the magnesium oxide film formed by vapor deposition tends to be lower than the metal oxide concentration of the vapor deposition material (particularly, in metal oxides having a higher boiling point than magnesium oxide, such as zirconium oxide, the tendency is increased). The higher the metal oxide concentration of the evaporation material, the more difficult it is to disperse the metal oxide uniformly in the evaporation material. When electron beam deposition is carried out using a deposition material in which metal oxides are not uniformly dispersed, not only partial deviations are observed in the secondary electron emission efficiency of the obtained magnesium oxide film, but also the film density (refractive index) decreases, that is, This will cause a decrease in ion bombardment.

한편, 특허 문헌 2 에 기재되어 있는 산화칼슘, 산화스트론튬 및 산화바륨은 산화마그네슘보다도 낮은 일함수를 나타내기 때문에, 이들 알칼리 토금속 산화물을 함유하는 산화마그네슘막은 AC 형 PDP 의 보호막으로서 유용하다. 그러나, 본 발명자의 검토에 의하면, 알칼리 토금속 산화물을 다량으로 함유하는 산화마그네슘 소결체는 흡습성이 높아진다는 문제가 있다. 수분을 함유한 산화마그네슘 소결체를 증착재로서 사용하면, 증착 장치의 챔버내 상태 (진공도) 가 불안정하게 되어 산화마그네슘막의 형성에 걸리는 시간이 길어지거나, 산화마그네슘막의 균질성이 저하되는 등의 문제를 야기하는 요인이 된다. On the other hand, since calcium oxide, strontium oxide and barium oxide described in Patent Document 2 exhibit lower work functions than magnesium oxide, magnesium oxide films containing these alkaline earth metal oxides are useful as protective films for AC-type PDPs. However, according to the investigation by the present inventor, the magnesium oxide sintered body containing a large amount of alkaline earth metal oxide has a problem of high hygroscopicity. When the magnesium oxide sintered body containing water is used as the evaporation material, the state (vacuum degree) in the chamber of the evaporation apparatus becomes unstable, which causes problems such as lengthy time for forming the magnesium oxide film or deterioration of homogeneity of the magnesium oxide film. It becomes a factor.

따라서, 본 발명의 목적은, 전자 빔 증착법에 의해, 2 차 전자 방출 효율이 높고, 또한 막 밀도가 높은 산화마그네슘막의 형성을 가능하게 하는 산화마그네슘을 주성분으로 하는 증착재를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 2 차 전자 방출 효율이 높고, 또한 막 밀도가 높은 산화마그네슘막을 제공하는 것이기도 하다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a vapor deposition material containing magnesium oxide as a main component which enables the formation of a magnesium oxide film having a high secondary electron emission efficiency and a high film density by an electron beam vapor deposition method. It is also an object of the present invention to provide a magnesium oxide film having a high secondary electron emission efficiency and a high film density.

본 발명자는, 금속 원소의 가수가 3∼5 가인 금속 산화물을 균일하게 분산시킬 수 있는 여러 가지 농도 범위로 함유하는, 산화마그네슘과 금속 산화물의 소결 체 펠릿을 제조하고, 그 소결체 펠릿을 사용하여 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 그 결과, 소결체 펠릿의 금속 산화물의 함유량이 0.01∼6몰% 의 범위에 있으면, 2 차 전자 방출 효율이 충분히 높고, 또한 막 밀도가 높은 산화마그네슘막이 얻어지는 것을 발견하여, 본 발명에 도달하였다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor manufactures the sintered compact pellet of magnesium oxide and a metal oxide containing in the various concentration range which can disperse | distribute the metal oxide whose valence of a metal element is 3-5, and uses the sintered compact pellet A magnesium oxide film was formed by the beam vapor deposition method. As a result, when the content of the metal oxide in the sintered pellets was in the range of 0.01 to 6 mol%, it was found that a magnesium oxide film having a sufficiently high secondary electron emission efficiency and a high film density was obtained, thereby reaching the present invention.

따라서, 본 발명은, 산화마그네슘과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 소결하여 얻은 펠릿으로서, 그 금속 산화물의 함유량이 0.01∼6몰% 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 증착재에 있다. Accordingly, the present invention is a pellet obtained by sintering a metal oxide having a valence of magnesium oxide and a metal element of any one of trivalent, tetravalent, or pentavalent, wherein the content of the metal oxide is in the range of 0.01 to 6 mol%. It is in the vapor deposition material characterized by the above-mentioned.

상기 본 발명의 증착재의 바람직한 태양을 하기에 나타낸다. The preferable aspect of the vapor deposition material of the said invention is shown below.

(1) 금속 산화물이, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 세륨, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄 및 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 금속 원소의 산화물로 이루어진다.(1) The metal oxide is selected from the group consisting of aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, cerium, neodymium, samarium, europium, gadolinium and dysprosium It consists of oxide of 1 type, or 2 or more types of metal elements.

(2) 금속 산화물이, 산화지르코늄이다.(2) The metal oxide is zirconium oxide.

(3) 산화마그네슘이, 순도 99.9질량% 이상이다.(3) Magnesium oxide is 99.9 mass% or more in purity.

(4) 산화마그네슘이, 정육면체 형상의 1 차 입자로 구성되어 있다.(4) Magnesium oxide is comprised from the cube-shaped primary particle.

(5) 상대 밀도가 95% 이상이다.(5) The relative density is 95% or more.

(6) 산화마그네슘과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을, 몰 비로 99.99:0.01∼94:6 의 범위로 바인더를 함유하는 수성 분산 매체에 분산시켜 형성되는 슬러리를 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시킴으로써 산화마그네슘과 상기 금속 산화물의 혼합 조립물(造粒物)을 얻고, 얻어진 조립물을 펠릿 모양으로 성형한 후, 펠릿 모양 성형물을 소결시킴으로써 제조된 것이다.(6) A metal oxide having any valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of magnesium oxide and a metal element is formed by dispersing in an aqueous dispersion medium containing a binder in a molar ratio of 99.99: 0.01 to 94: 6. The resulting slurry is spray-dried by a spray dryer to obtain a mixed granulated product of magnesium oxide and the metal oxide, and the obtained granulated product is molded into pellets, followed by sintering pellet shaped moldings.

본 발명은 또한, 상기 본 발명의 증착재를 사용하여, 전자 빔 증착법에 의해 형성한 산화마그네슘막이기도 하다. This invention is also a magnesium oxide film formed by the electron beam vapor deposition method using the vapor deposition material of the said invention.

상기 본 발명의 산화마그네슘막의 바람직한 태양을 하기에 나타낸다. The preferable aspect of the said magnesium oxide film of this invention is shown below.

(1) 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량이 0.0001∼0.06몰% 의 범위에 있다.(1) Content of the metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent is in the range of 0.0001-0.06 mol%.

(2) 굴절률이 1.70∼1.74 의 범위에 있다.(2) The refractive index is in the range of 1.70 to 1.74.

본 발명자는 또한, 산화마그네슘 소결체에, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 소량씩 첨가하는 것에 의해 산화마그네슘 소결체의 흡습성을 낮출수 있고, 또 이 산화마그네슘 소결체를 증착재에 사용하면 2 차 전자의 방출 효율이 높은 산화마그네슘막을 안정적으로 형성할 수 있는 것을 확인하여, 본 발명에 도달하였다. The present inventors further provide hygroscopic properties of the magnesium oxide sintered body by adding a small amount of alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide and metal oxides having any valence of trivalent, tetravalent, or pentavalent to the magnesium oxide sintered body. When the magnesium oxide sintered compact was used for the evaporation material, it was confirmed that the magnesium oxide film with high emission efficiency of secondary electrons can be stably formed, and the present invention was reached.

따라서, 본 발명은, 산화마그네슘과, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물로 이루어지는 소결체로서, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물의 함유량 및 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량이 각각 금속 원소량으로 환산하여 0.005몰% 이상이고, 또한 그 합계량이 금속 원소량으로 환산하여 6몰% 이하인 증착재이기도 하다.Therefore, this invention is a sintered compact which consists of magnesium oxide, alkali earth metal oxides other than magnesium oxide, and metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent, and it is alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide. The content of and the metal oxide having any valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of the metal element are each 0.005 mol% or more in terms of the amount of metal elements, and the total amount thereof is 6 mol in terms of the amount of metal elements. It is also a deposition material that is less than or equal to%.

상기 본 발명의 증착재의 바람직한 태양은, 다음과 같다. The preferable aspect of the vapor deposition material of the said invention is as follows.                     

(1) 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량이, 금속 원소량으로 환산한 몰 비로 2:1∼1:2 의 범위에 있다.(1) Content of the metal oxide whose alkaline valence oxide other than magnesium oxide and the valence of a metal element are either trivalent, tetravalent, or pentavalent is 2: 1-1: 2 in the molar ratio converted into metal element amount. Is in range.

(2) 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물의 함유량이, 금속 원소량으로 환산하여 0.005∼3.5몰% 의 범위에 있다.(2) Content of alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide is in the range of 0.005-3.5 mol% in conversion of the amount of metal elements.

(3) 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물이, 칼슘, 스트론튬 및 바륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 알칼리 토금속 원소의 산화물이다.(3) Alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide are oxides of one or two or more alkaline earth metal elements selected from the group consisting of calcium, strontium and barium.

(4) 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물이, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 세륨, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄 및 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 금속 원소의 산화물이다.(4) The metal oxide having a valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of a metal element is aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, An oxide of one or two or more metal elements selected from the group consisting of cerium, neodymium, samarium, europium, gadolinium and dysprosium.

(5) 산화마그네슘 또는 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물과, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물 또는 가열에 의해 그 알칼리 토금속 산화물을 생성하는 알칼리 토금속 화합물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물 또는 가열에 의해 그 금속 산화물을 생성하는 금속 화합물로 이루어지는 혼합물을 가열하여 소결시켜서 얻은 것이다.(5) Magnesium oxide or magnesium compound which produces magnesium oxide by heating, alkaline-earth metal oxides other than magnesium oxide, or alkaline earth metal compound which produces | generates the alkaline earth metal oxide by heating, and valence of a metal element is trivalent, 4 It is obtained by heating and sintering the mixture which consists of a metal oxide which is the value of either hexavalent or pentavalent, or the metal compound which produces this metal oxide by heating.

(6) 산화마그네슘 또는 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물과, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 복합 산화물 또는 가열에 의해 그 복합 산화물을 생성하는 화합물로 이루어지는 혼합물을 가열하여 소결시켜서 얻은 것이다.(6) Magnesium oxide or a composite oxide or heating of a magnesium compound which forms magnesium oxide by heating, and a metal oxide having an valence of an alkaline earth metal oxide other than magnesium oxide and a metal element of any one of trivalent, tetravalent, or pentavalent. Obtained by heating and sintering a mixture made of a compound that produces the complex oxide.

(7) 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체 보호막 형성용이다. (7) The dielectric protective film is formed for an AC plasma display panel.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태Best Mode for Carrying Out the Invention

본 발명의 증착재는, 직경이 3.0∼20㎜, 보다 바람직하게는 직경이 5.0∼10㎜ 이고, 두께가 1.0∼5.0㎜, 보다 바람직하게는 두께가 1.0∼2.5㎜, 특히 바람직하게는 두께가 1.0∼1.8㎜ 인 원판형 펠릿인 것이 바람직하다. 두께가 얇은 쪽이 전자 빔 증착법에 의해 얻어지는 산화마그네슘막의 품질 (2 차 전자 방출 계수) 을 유지하면서 증착 속도가 향상된다. 애스펙트비 (두께/직경) 는 1.0 이하인 것이 바람직하다. 직경과 두께가 상기 범위를 초과하여 큰 증착재를 자동 공급 장치를 사용하여 증착 장치의 하스 (증착재를 장전하는 부분) 에 공급하면 증착재의 측면이 위를 향하도록 장전되는 경우가 있는 등, 증착 장치에 증착재의 방향을 맞추어 연속적으로 공급하는 것이 어려워지는 경향이 있다. 한편, 직경과 두께가 상기 범위에 못 미치는 작은 증착재에서는, 증착시에 스플래시가 일어나기 쉬워지는 경향이 있다.The vapor deposition material of the present invention has a diameter of 3.0 to 20 mm, more preferably a diameter of 5.0 to 10 mm, a thickness of 1.0 to 5.0 mm, more preferably a thickness of 1.0 to 2.5 mm, and particularly preferably a thickness of 1.0. It is preferable that it is a disc shaped pellet of -1.8 mm. The thinner one improves the deposition rate while maintaining the quality (secondary electron emission coefficient) of the magnesium oxide film obtained by the electron beam evaporation method. It is preferable that an aspect ratio (thickness / diameter) is 1.0 or less. If a large vapor deposition material whose diameter and thickness exceeds the above range is supplied to the hearth of the vapor deposition apparatus by using an automatic supply device, the side of the vapor deposition material may be loaded to face upward. It tends to be difficult to continuously supply the apparatus with the direction of the vapor deposition material. On the other hand, in the small vapor deposition material whose diameter and thickness are less than the said range, there exists a tendency for a splash to occur easily at the time of vapor deposition.

증착재의 상대 밀도는 95% 이상인 것이 바람직하다. 상대 밀도가 95% 미만이면, 스플래시가 일어나기 쉬워진다.It is preferable that the relative density of a vapor deposition material is 95% or more. If the relative density is less than 95%, splashing tends to occur.

[금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 함유하는 증착재] [Evaporation Material Containing Metal Oxide of Any of Trivalent, Tetravalent, or Pentavalent]                     

산화마그네슘과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 소결하여 얻은 펠릿으로 이루어지는 본 발명의 증착재에 있어서, 금속 산화물의 함유량은 0.01∼6몰% 의 범위, 바람직하게는 0.1∼0.5몰% 의 범위에 있다. 금속 산화물의 함유량이 0.01몰% 미만이면 첨가 효과가 충분히 인정되지 않고, 6몰% 보다 많으면 금속 산화물을 균일하게 분산시키는 것이 어려워진다.In the vapor deposition material of this invention which consists of a pellet obtained by sintering the metal oxide whose magnesium oxide and the valence of a metal element are any of trivalent, tetravalent, or pentavalent, the content of metal oxide is 0.01-6 mol%, Preferably it is in the range of 0.1 to 0.5 mol%. If the content of the metal oxide is less than 0.01 mol%, the effect of addition is not sufficiently recognized. If the content of the metal oxide is more than 6 mol%, it is difficult to uniformly disperse the metal oxide.

산화마그네슘은, 순도가 99.9질량% 이상인 것이 바람직하고, 99.95질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 99.98질량% 보다도 높은 것이 특히 바람직하다. 또한, 산화마그네슘의 1 차 입자의 형상이 정육면체인 것이 바람직하다. 산화마그네슘의 1 차 입자의 평균 입자직경은, 0.05∼0.2㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하다.It is preferable that purity is 99.9 mass% or more, as for magnesium oxide, it is more preferable that it is 99.95 mass% or more, and it is especially preferable that it is higher than 99.98 mass%. Moreover, it is preferable that the shape of the primary particle of magnesium oxide is a cube. It is preferable that the average particle diameter of the primary particle of magnesium oxide exists in the range of 0.05-0.2 micrometer.

순도가 99.98질량% 보다도 높고, 또 1 차 입자의 형상이 정육면체인 산화마그네슘으로는, 고순도의 금속마그네슘과 산소를 기상 산화 반응시켜 얻은 산화마그네슘을 바람직하게 사용할 수 있다. As magnesium oxide whose purity is higher than 99.98 mass% and the shape of a primary particle is a cube, the magnesium oxide obtained by gas-phase oxidation reaction of high purity metal magnesium and oxygen can be used preferably.

금속 원소의 가수가 3∼5 가인 금속 산화물은, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 세륨, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄 및 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원소의 산화물인 것이 바람직하다. Metal oxides having a valence of 3 to 5 valences of metal elements include aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, cerium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, and dysprosium It is preferable that it is an oxide of the metal element chosen from the group which consists of these.

이들 금속 산화물 중에서 바람직한 것은 비등점이 산화마그네슘의 비등점 (3600℃) 보다도 높은 금속 산화물로, 구체적으로는 지르코늄의 산화물 (산화지르코늄) 이다. 비등점이 산화마그네슘의 비등점보다도 높은 금속 산화물은, 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성할 때에 전자 빔의 조사에 의해 가열된 증착재 중의 산화마그네슘의 결정 성장을 억제하는 효과가 있다. Preferred among these metal oxides are metal oxides whose boiling point is higher than the boiling point of magnesium oxide (3600 ° C), specifically, an oxide of zirconium (zirconium oxide). The metal oxide whose boiling point is higher than the boiling point of magnesium oxide has the effect of suppressing crystal growth of magnesium oxide in the vapor deposition material heated by the irradiation of the electron beam when forming the magnesium oxide film by the electron beam vapor deposition method.

상기 금속 산화물은, 순도가 99.9질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 1 차 입자의 평균 입자직경은, 0.01∼3㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the said metal oxide is 99.9 mass% or more in purity. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of a primary particle exists in the range of 0.01-3 micrometers.

상기 증착재는, 예를 들어, 산화마그네슘과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을, 몰 비로 99.99:0.01∼94:6 의 범위에서 바인더를 함유하는 수성 분산 매체에 분산시켜 형성되는 슬러리를 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시켜서 산화마그네슘과 금속 산화물의 혼합 조립물을 얻고, 이어서 얻어진 조립물을 펠릿 모양으로 성형한 후, 펠릿 모양 성형물을 소결시킴으로써 제조할 수 있다. The vapor deposition material includes, for example, an aqueous dispersion containing a metal oxide having a valence of magnesium oxide and a valence of a metal element in any one of trivalent, tetravalent or pentavalent in a range of 99.99: 0.01 to 94: 6 in molar ratio. The slurry formed by dispersing in a medium can be spray-dried with a spray dryer to obtain a mixed granulated product of magnesium oxide and a metal oxide, and then the obtained granulated product is molded into pellets and then pellet-shaped molded products can be produced by sintering.

슬러리 중의 산화마그네슘의 농도는, 30∼75질량% 의 범위로 하는 것이 바람직하다.It is preferable to make the density | concentration of magnesium oxide in a slurry into the range of 30-75 mass%.

수성 분산 매체로는, 물과 물에 상용성을 갖는 유기 용매의 혼합물, 또는 물을 사용할 수 있다. 특히, 물을 사용하는 것이 바람직하다. 유기 용매의 예로는, 에탄올 등의 알코올, 아세톤 등의 케톤을 들 수 있다. 물과 유기 용매의 혼합물에서는, 유기 용매의 함유량이 50질량% 미만인 것이 바람직하다. As an aqueous dispersion medium, the mixture of water and the organic solvent which is compatible with water, or water can be used. In particular, it is preferable to use water. As an example of an organic solvent, ketones, such as alcohol, such as ethanol, and acetone, are mentioned. In the mixture of water and an organic solvent, it is preferable that content of an organic solvent is less than 50 mass%.

바인더로는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄 또는 수용성 아크릴계 공중합물 등의 수용성 폴리머를 사용할 수 있다. 수성 분산 매체 중의 바인더 농도는 0.1∼10질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 또한, 수성 분산 매체에는 분산제를 첨가할 수도 있다. 분산제로는, 폴리카르복시산의 암모늄염을 바람직하게 사용할 수 있다. 수성 분산 매체 중의 분산제 농도는 0.1∼6질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하다. As a binder, water-soluble polymers, such as polyethyleneglycol, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, or water-soluble acrylic copolymer, can be used. It is preferable that the binder concentration in an aqueous dispersion medium exists in the range of 0.1-10 mass%. In addition, a dispersant may be added to the aqueous dispersion medium. As a dispersing agent, the ammonium salt of polycarboxylic acid can be used preferably. It is preferable that the dispersing agent concentration in an aqueous dispersion medium exists in the range of 0.1-6 mass%.

혼합 분말의 슬러리를 조제한 다음 그 슬러리를 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시키기까지의 사이에, 산화마그네슘 표면의 일부가 수화(水和)되어 수산화마그네슘이 생성되는 경우가 있다. 이 때문에, 슬러리로부터 얻어지는 혼합 조립물 중의 산화마그네슘의 수화율 (조립물 중의 수산화마그네슘량) 은, 50질량% 이하 (특히 30질량%, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하) 가 되도록 하는 것이 바람직하다. 수화율이 50질량% 이하인 조립물을 얻기 위해서는, 슬러리를 조제한 다음 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시키기까지의 시간을 짧게 하는 것이 간편하면서 또한 유효한 방법이다. 구체적으로는, 슬러리를 조제하고 난 후 2 시간이내에 그 슬러리를 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시키는 것이 바람직하다. 또한, 산화마그네슘을 조제한 다음 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시키기까지의 사이는 슬러리의 온도를 30℃ 이하 (특히, 10∼30℃) 로 유지하는 것이 바람직하다.A portion of the surface of the magnesium oxide may be hydrated until a slurry of the mixed powder is prepared and then the slurry is spray-dried by a spray dryer, thereby producing magnesium hydroxide. For this reason, it is preferable to make the hydration rate (magnesium hydroxide amount in a granulated material) of magnesium oxide in the mixed granule obtained from a slurry to be 50 mass% or less (especially 30 mass%, More preferably, 5 mass% or less). . In order to obtain a granulated product having a hydration rate of 50% by mass or less, it is a simple and effective method to shorten the time from preparing the slurry to spray drying with a spray dryer. Specifically, it is preferable to spray-dry the slurry with a spray dryer within 2 hours after preparing the slurry. In addition, it is preferable to maintain the temperature of a slurry at 30 degrees C or less (especially 10-30 degreeC) between preparation of magnesium oxide and spray drying with a spray dryer.

슬러리를 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시킬 때의 가열 온도는, 200∼280℃ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the heating temperature at the time of spray-drying a slurry with a spray dryer exists in the range of 200-280 degreeC.

혼합 조립물의 성형에는 통상적인 프레스 성형법을 사용할 수 있다. 성형압은 0.3∼3톤/㎠ 의 범위에 있다. Conventional press molding methods can be used for molding the mixed granules. Molding pressure is in the range of 0.3 to 3 tons / cm 2.

펠릿 모양 성형물의 소성은, 1400∼2300℃ 의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다. 소성 시간은 형성물의 사이즈 (특히, 두께) 나 소성 온도 등의 요건에 따라 변하기 때문에 일률적으로 정할 수는 없지만, 일반적으로 1∼5 시간이다. It is preferable to perform baking of a pellet shaped molding at the temperature of 1400-2300 degreeC. The firing time cannot be determined uniformly because it varies depending on the requirements of the size (particularly, thickness) of the formed product, the firing temperature and the like, but is generally 1 to 5 hours.

본 발명의 증착재를 사용하여 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하면, 금속 산화물이 막 중에 균질하게 고용된 산화마그네슘막을 형성할 수 있다. 이 산화마그네슘막 중의 금속 산화물의 함유량은 0.0001∼0.06몰% 의 범위에 있는 것이 바람직하다. When the magnesium oxide film is formed by the electron beam evaporation method using the vapor deposition material of the present invention, a magnesium oxide film in which a metal oxide is homogeneously dissolved in the film can be formed. It is preferable that content of the metal oxide in this magnesium oxide film exists in the range of 0.0001-0.06 mol%.

상기 산화마그네슘막은, 치밀성을 나타내는 지표의 하나인 굴절률이 1.70∼1.74 의 범위에 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the said magnesium oxide film exists in the range of the refractive index 1.70-1.74 which is one of the indexes which show density.

[산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 함유하는 증착재][Deposition Material Containing Alkaline Earth Metal Oxides Other Than Magnesium Oxide and Metal Oxides with Any of Trivalent, Tetra, or Pentavalent of Metal Elements]

산화마그네슘과, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과, 금속 원소의·가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물로 이루어지는 소결체로 이루어지는 본 발명의 증착재에 있어서, 알칼리 토금속 산화물의 함유량 및 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량이 각각 금속 원소량으로 환산하여 0.005몰% 이상이고, 또한 그 합계량이 금속 원소량으로 환산하여 6몰% 이하이다. 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물이 복합 산화물을 형성하고 있을 수도 있다. 알칼리 토금속 산화물의 함유량과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량은, 금속 원소량으로 환산한 몰 비로 2:1∼1:2 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 1.5:1∼1:1.5 의 범위에 있는 것이 바람직하다. In the vapor deposition material of this invention which consists of a magnesium oxide, alkaline-earth metal oxides other than magnesium oxide, and the metal oxide whose metal number and the number of valences are either trivalent, tetravalent, or pentavalent, the vapor deposition material of this invention WHEREIN: Content and the content of the metal oxide whose valence of a metal element is either trivalent, tetravalent, or pentavalent are 0.005 mol% or more in conversion of the amount of metal elements, respectively, and the total amount is 6 mol% in conversion of the amount of metal elements, respectively. It is as follows. Alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide and the metal oxide whose valence of a metal element is either trivalent, tetravalent, or pentavalent may form the complex oxide. The content of the alkaline earth metal oxide and the metal oxide whose valence of the metal element is any one of trivalent, tetravalent, or pentavalent is preferably in the range of 2: 1 to 1: 2 in molar ratio in terms of the amount of metal elements. It is preferable to exist in the range of 1.5: 1-1: 1.5.                     

알칼리 토금속 산화물은, 산화칼슘, 산화스트론튬 및 산화바륨인 것이 바람직하다. 이들은 2 종 이상을 병용할 수도 있다. 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물의 함유량은, 금속 원소량으로 환산하여 0.005∼3.5몰% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.01∼3.0몰% 의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. The alkaline earth metal oxide is preferably calcium oxide, strontium oxide and barium oxide. These can also use 2 or more types together. The content of alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide is preferably in the range of 0.005 to 3.5 mol%, more preferably in the range of 0.01 to 3.0 mol%, in terms of the amount of metal elements.

금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물은, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 세륨, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄 및 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원소의 산화물인 것이 바람직하다. 이들은 2 종 이상을 병용할 수도 있다. Metal oxides having a valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of a metal element include aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, cerium and neodymium. , An oxide of a metal element selected from the group consisting of samarium, europium, gadolinium and dysprosium. These can also use 2 or more types together.

상기 금속 산화물 중에서 바람직한 것은, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트 및 니켈의 산화물이다. 특히, 바람직한 것은 비등점이 산화마그네슘의 비등점 (3600℃) 과 동등 또는 그보다도 높은 금속 산화물로, 구체적으로는 산화알루미늄 및 산화지르코늄이다. 고비등점의 금속 산화물은, 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성할 때에, 전자 빔의 조사에 의해 가열된 증착재 중의 산화마그네슘의 결정 성장을 억제하는 효과가 있다. Preferred among the metal oxides are oxides of aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt and nickel. Particularly preferred are metal oxides whose boiling point is equal to or higher than that of magnesium oxide (3600 ° C.), specifically aluminum oxide and zirconium oxide. When the metal oxide of high boiling point forms a magnesium oxide film by the electron beam vapor deposition method, there exists an effect which suppresses the crystal growth of magnesium oxide in the vapor deposition material heated by the electron beam irradiation.

상기 증착재에 있어서, 그 주성분이 되는 산화마그네슘의 원료에는, 산화마그네슘 또는 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물을 사용할 수 있다. 산화마그네슘 및 마그네슘 화합물은, 순도가 99.9질량% 이상인 것이 바람직하고, 99.95질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 99.98질량% 보다도 높은 것이 특히 바람직하다. 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물의 예로는, 수산화마그네슘, 탄산마그네슘을 들 수 있다. 마그네슘 화합물보다도 산화마그네슘을 사용하는 쪽이 바람직하다. In the vapor deposition material, magnesium oxide or a magnesium compound that generates magnesium oxide by heating can be used as a raw material of magnesium oxide as the main component. The magnesium oxide and magnesium compounds preferably have a purity of 99.9% by mass or more, more preferably 99.95% by mass or more, and particularly preferably higher than 99.98% by mass. Examples of the magnesium compound which produces magnesium oxide by heating include magnesium hydroxide and magnesium carbonate. It is more preferable to use magnesium oxide than a magnesium compound.

산화마그네슘은, 1 차 입자의 형상이 정육면체인 것이 바람직하다. 또한, 그 1 차 입자의 평균 입자직경은 0.05∼0.2㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 고순도이고 1 차 입자의 형상이 정육면체인 산화마그네슘으로는, 고순도의 금속마그네슘과 산소를 기상 산화 반응시켜 얻은 산화마그네슘을 바람직하게 사용할 수 있다. As for magnesium oxide, it is preferable that the shape of a primary particle is a cube. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of the primary particle exists in the range of 0.05-0.2 micrometer. As magnesium oxide whose high purity and primary particle shape is a cube, the magnesium oxide obtained by gas-phase oxidation of high-purity metal magnesium and oxygen can be used preferably.

알칼리 토금속 산화물의 원료에는, 알칼리 토금속 산화물 또는 가열에 의해 알칼리 토금속 산화물을 생성하는 알칼리 토금속 화합물을 사용할 수 있다. 알칼리 토금속 산화물의 예로는, 알칼리 토금속 원소의 탄산염, 수산화물 및 옥살산염을 들 수 있다. 알칼리 토금속 산화물보다도 알칼리 토금속 화합물을 사용하는 쪽이 바람직하고, 특히 알칼리 토금속 원소의 탄산염을 사용하는 것이 바람직하다. As a raw material of alkaline earth metal oxide, alkaline earth metal oxide or alkaline earth metal compound which produces | generates alkaline earth metal oxide by heating can be used. Examples of alkaline earth metal oxides include carbonates, hydroxides and oxalates of alkaline earth metal elements. It is preferable to use an alkaline earth metal compound rather than an alkaline earth metal oxide, and it is particularly preferable to use a carbonate of an alkaline earth metal element.

금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 원료에는, 그 금속 산화물 또는 가열에 의해 그 금속 산화물을 생성하는 금속 화합물을 사용할 수 있다. 금속 화합물의 예로는, 금속 원소의 탄산염, 수산화물 및 옥살산염을 들 수 있다. 금속 화합물보다도 금속 산화물을 사용하는 쪽이 바람직하다. As a raw material of the metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent, the metal oxide or the metal compound which produces this metal oxide by heating can be used. Examples of the metal compound include carbonates, hydroxides and oxalates of metal elements. It is more preferable to use a metal oxide than a metal compound.

알칼리 토금속 산화물 및 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 원료로서, 알칼리 토금속 산화물과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 복합 산화물 또는 가열에 의해 그 복합 산화물을 생성하는 화합물을 사용할 수도 있다. 가열에 의해 금속 산화물을 생성하는 화합물은, 탄산염, 수산화물 및 옥살산염 중 어느 하나일 수도 있다. 금속 화합물보다도 금속 산화물을 사용하는 쪽이 바람직하다. Alkali earth metal oxide and the metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent, The metal oxide whose valence of an alkaline earth metal oxide and a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent. Complex oxide or a compound which produces the complex oxide by heating. The compound which produces | generates a metal oxide by heating may be any of carbonate, hydroxide, and oxalate. It is more preferable to use a metal oxide than a metal compound.

상기 알칼리 토금속 산화물 및 가열에 의해 알칼리 토금속 산화물을 생성하는 알칼리 토금속 화합물, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물 및 가열에 의해 그 금속 산화물을 생성하는 금속 화합물, 및 알칼리 토금속 산화물과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 복합 산화물 및 가열에 의해 그 복합 산화물을 생성하는 화합물은, 모두 순도가 99질량% 이상인 것이 바람직하고, 99.9질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 그 1 차 입자의 평균 입자직경은, 0.01∼3㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.1∼2㎛ 의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. An alkaline earth metal compound for producing an alkaline earth metal oxide by heating the alkaline earth metal oxide and heating, a metal oxide having any valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of a metal element, and a metal compound for producing the metal oxide by heating, And the complex oxide of the metal oxide having any one of trivalent, tetravalent, or pentavalent valences of the alkaline earth metal oxide and the metal element, and the compound producing the composite oxide by heating, are all preferably 99% by mass or more. It is more preferable that it is 99.9 mass% or more. Moreover, it is preferable to exist in the range of 0.01-3 micrometers, and, as for the average particle diameter of the primary particle, it is more preferable to exist in the range which is 0.1-2 micrometers.

상기 증착재는, 예를 들어, 산화마그네슘 또는 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물과, 알칼리 토금속 산화물 또는 가열에 의해 그 알칼리 토금속 산화물을 생성하는 알칼리 토금속 화합물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물 또는 가열에 의해 그 금속 산화물을 생성하는 금속 화합물과의 혼합물, 또는 산화마그네슘 또는 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물과 알칼리 토금속 산화물과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 복합 산화물 또는 가열에 의해 그 복합 산화물을 생성하는 화합물과의 혼합물을 펠릿 모양으로 성형한 후, 그 성형물을 가열하여 소결시킴으로써 제조할 수 있다. The vapor deposition material may be, for example, magnesium oxide or magnesium compound that generates magnesium oxide by heating, alkaline earth metal oxide or alkaline earth metal compound that generates alkaline earth metal oxide by heating, and valence of metal element is trivalent, Metal oxides, either tetravalent or pentavalent, or mixtures with metal compounds that produce the metal oxides by heating, or magnesium oxides or magnesium earth, magnesium earth compounds that form magnesium oxide by heating, and valences of metal elements The complex oxide of a metal oxide of any one of trivalent, tetravalent, or pentavalent or a mixture with a compound that forms the complex oxide by heating can be molded into pellets, and then the molded product can be produced by heating and sintering. have.

상기 혼합물의 조제에는, 통상의 습식 혼합 방법을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 원료를 각각 바인더를 함유하는 수성 분산 매체 중에서 분산 혼합하여 혼합물 슬러리를 조제하고, 이 혼합물 슬러리를 스프레이 드라이어를 사용하여 분무 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. For the preparation of the mixture, a normal wet mixing method can be used. Specifically, a method of dispersing and mixing the raw materials in an aqueous dispersion medium containing a binder, respectively, to prepare a mixture slurry, and a method of spray drying the mixture slurry using a spray dryer can be used.

수성 분산 매체에는, 전술한 물과 물에 상용성을 갖는 유기 용매의 혼합물, 또는 물을 사용할 수 있다. 또한, 수성 분산 매체에는 분산제를 첨가할 수도 있다. 분산제에는, 전술한 폴리카르복시산의 암모늄염을 바람직하게 사용할 수 있다. 수성 분산 매체 중의 분산제 농도는, 0.1∼6질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하다. As an aqueous dispersion medium, the mixture of the above-mentioned water and the organic solvent which is compatible with water, or water can be used. In addition, a dispersant may be added to the aqueous dispersion medium. As a dispersing agent, the ammonium salt of polycarboxylic acid mentioned above can be used preferably. It is preferable that the dispersing agent concentration in an aqueous dispersion medium exists in the range of 0.1-6 mass%.

바인더로는, 전술한 수용성 폴리머를 사용할 수 있다. 수성 분산 매체 중의 바인더 농도는 0.1∼10질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하다. As a binder, the water-soluble polymer mentioned above can be used. It is preferable that the binder concentration in an aqueous dispersion medium exists in the range of 0.1-10 mass%.

혼합물의 성형에는, 통상적인 프레스 성형법을 사용할 수 있다. 성형압은, 0.3∼3톤/㎠ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. The conventional press molding method can be used for molding the mixture. It is preferable that molding pressure exists in the range of 0.3-3 ton / cm <2>.

펠릿 모양 성형물의 소성은, 1400∼2300℃ 의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다. 소성 시간은, 형성물의 사이즈 (특히, 두께) 나 소성 온도 등의 요건에 따라 변하기 때문에 일률적으로 정할 수는 없지만, 일반적으로 1∼5 시간이다. It is preferable to perform baking of a pellet shaped molding at the temperature of 1400-2300 degreeC. The firing time cannot be determined uniformly because it varies depending on the requirements of the size (particularly, thickness) of the formed product, the firing temperature and the like, but is generally 1 to 5 hours.

본 발명의 증착재를 사용하여 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하면, 알칼리 토금속 산화물 및 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물이 균질하게 고용된 산화마그네슘막을 형성할 수 있다. 이 산화마그네슘막 중의 알칼리 토금속 산화물의 함유량은, 금속 원소 함유량으로 환산하여 0.005∼3.5몰% 의 범위에 있고, 특히 0.01∼3.0몰% 의 범위에 있다. 또한, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량은, 금속 원소 함유량으로 환산하여 0.0005∼0.1몰% 의 범위에 있다. When the magnesium oxide film is formed by the electron beam evaporation method using the vapor deposition material of the present invention, a magnesium oxide film in which a metal oxide having an alkali earth metal oxide and a metal oxide of any one of trivalent, tetravalent, or pentavalent is homogeneously dissolved is formed. Can be formed. The content of the alkaline earth metal oxide in the magnesium oxide film is in the range of 0.005 to 3.5 mol%, particularly in the range of 0.01 to 3.0 mol%, in terms of the metal element content. In addition, content of the metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent is in the range of 0.0005 to 0.1 mol% in conversion with metal element content.

실시예Example

(1) 산화마그네슘과 산화지르코늄으로 이루어지는 소결체(1) Sintered body composed of magnesium oxide and zirconium oxide

[실시예 1-1]Example 1-1

기상 산화 반응법에 의해 제조된 산화마그네슘 (MgO) 분말 (순도: 99.985질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.2㎛, 1 차 입자의 형상: 정육면체) 과 산화지르코늄 (ZrO2) 분말 (순도: 99.9질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.2㎛) 의 혼합 분말 [MgO/ZrO2=99.967/0.033 (몰 비)] 50 질량부를, 폴리에틸렌글리콜 농도 6질량% 및 폴리카르복시산암모늄염 농도 1질량% 의 수용액 50 질량부에 혼합 분산하여, 슬러리 (온도: 25℃) 를 조제하였다. 조제 후, 슬러리 온도를 25℃ 로 유지하면서, 빠르게 (슬러리 조제 후 약 15 분 이내) 스프레이 드라이어를 사용하여 슬러리를 분무 건조 (가열 온도: 230℃) 시켜서 조립물을 얻었다. 얻어진 조립물을 성형압 2톤/㎠ 으로, 펠릿 모양 (직경: 6.0㎜, 높이: 2.5㎜, 성형체 밀도: 2.50g/㎤) 으로 성형하였다. 이어서, 그 성형물을, 전기 노를 사용하여 1650℃ 의 온도에서 4 시간 소성하여 소결시켰다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 98.3% 였다. Magnesium oxide (MgO) powder (purity: 99.985 mass%, average particle diameter of primary particles: 0.2 µm, shape of primary particles: cube) and zirconium oxide (ZrO 2 ) powder (purity) prepared by a gas phase oxidation reaction method. : 99.9% by mass, average particle diameter of primary particles: 0.2㎛) mixed powder [MgO / ZrO 2 = 99.967 / 0.033 ( molar ratio)] 50 parts by weight, polyethylene glycol concentration 6% by weight and a polycarboxylic acid ammonium salt concentration of 1 mass It mixed and dispersed in 50 mass parts of aqueous solution of%, and prepared the slurry (temperature: 25 degreeC). After preparation, the slurry was spray dried (heating temperature: 230 ° C.) using a spray dryer rapidly (within about 15 minutes after slurry preparation) while maintaining the slurry temperature at 25 ° C. to obtain a granulated product. The obtained granulated product was molded at a molding pressure of 2 ton / cm 2, into a pellet (diameter: 6.0 mm, height: 2.5 mm, molded body density: 2.50 g / cm 3). Subsequently, the molded product was baked and sintered at a temperature of 1650 ° C. for 4 hours using an electric furnace. The relative density of the obtained sintered compact pellets was 98.3%.

상기 소결체 펠릿을 증착재로 사용하고, 전자 빔 증착법에 의해 규소 웨이퍼 기판과 스테인리스 기판 위에 산화마그네슘막을 각각 형성하여, 산화마그네슘막의 산화지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 측정하였다. 증착의 조건은, 전압: 8KV, 전류: 40mA, 증착 챔버의 산소 분압: 2×10-2Pa, 기판 온도: 200℃ 로 하였다. 산화지르코늄 함유량은, 규소 웨이퍼 기판 위에 형성한 두께 100O㎚ 의 산화마그네슘막을 사용하고, 2 차 전자 방출 계수는, 스테인리스 기판 위에 형성한 두께 100㎚ 의 산화마그네슘막을 사용하고, 굴절률은, 규소 웨이퍼 기판 위에 형성한 두께 100㎚ 의 산화마그네슘막을 사용하여, 각각 하기 방법에 의해 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다. Using the sintered compact pellets as a deposition material, a magnesium oxide film was formed on the silicon wafer substrate and the stainless steel substrate by the electron beam evaporation method, respectively, and the zirconium oxide content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the magnesium oxide film were measured. Conditions of vapor deposition were voltage: 8 KV, current: 40 mA, oxygen partial pressure of the deposition chamber: 2x10 -2 Pa, and substrate temperature: 200 deg. The zirconium oxide content uses a magnesium oxide film having a thickness of 100 nm formed on a silicon wafer substrate, the secondary electron emission coefficient uses a magnesium oxide film having a thickness of 100 nm formed on a stainless steel substrate, and the refractive index is on the silicon wafer substrate. It measured by the following method, respectively using the formed magnesium oxide film of thickness 100nm. The results are shown in Table 1.

[산화지르코늄 함유량의 측정 방법][Measurement Method of Zirconium Oxide Content]

형광 X 선법에 의해 지르코늄 함유량을 측정하고, 그 값을 산화지르코늄 함유량으로 환산하였다. Zirconium content was measured by the fluorescent X-ray method, and the value was converted into zirconium oxide content.

[2 차 전자 방출 계수의 측정 방법] [Measurement Method of Secondary Electron Emission Coefficient]

Ne 이온의 조사에 의해 발생한 2 차 전자량을 측정하였다. Ne 이온의 조사 조건은, 진공도: 3×10-5Pa, Ne 이온의 가속 전압: 300eV, 기판 온도: 300℃ 로 하였다.The amount of secondary electrons generated by irradiation of Ne ions was measured. Irradiation conditions of Ne ion were made into the degree of vacuum of 3x10 <-5> Pa, the acceleration voltage of Ne ion: 300 eV, and the substrate temperature: 300 degreeC.

[굴절률의 측정 방법][Measurement Method of Refractive Index]

엘립소미터를 사용하여, 파장 633㎚ 의 빛의 굴절률을 측정하였다. The refractive index of the light of wavelength 633nm was measured using the ellipsometer.                     

[실시예 1-2] [Example 1-2]

혼합 분말의 조성비를, MgO/ZrO2=99.84/0.16 (몰 비) 로 한 것 외에는 실시예 1-1 과 동일한 조건으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 99.0% 였다. Sintered compact pellets were manufactured on the same conditions as in Example 1-1 except that the composition ratio of the mixed powder was MgO / ZrO 2 = 99.84 / 0.16 (molar ratio). The relative density of the obtained sintered compact pellets was 99.0%.

이 소결체 펠릿을 증착재로 사용하여, 실시예 1-1 과 동일하게 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 얻어진 산화마그네슘막의 지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 표 1 에 나타낸다. Using this sintered compact pellet as a vapor deposition material, a magnesium oxide film was formed by an electron beam vapor deposition method in the same manner as in Example 1-1. Table 1 shows the zirconium content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the obtained magnesium oxide film.

[실시예 1-3] [Example 1-3]

혼합 분말의 조성비를, MgO/ZrO2=99.67/0.33 (몰 비) 로 한 것 외에는 실시예 1-1 과 동일한 조건으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 99.0% 였다. Sintered compact pellets were manufactured on the same conditions as in Example 1-1 except that the composition ratio of the mixed powder was MgO / ZrO 2 = 99.67 / 0.33 (molar ratio). The relative density of the obtained sintered compact pellets was 99.0%.

이 소결체 펠릿을 증착재로 사용하여, 실시예 1-1 과 동일하게 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 얻어진 산화마그네슘막의 지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 표 1 에 나타낸다.Using this sintered compact pellet as a vapor deposition material, a magnesium oxide film was formed by an electron beam vapor deposition method in the same manner as in Example 1-1. Table 1 shows the zirconium content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the obtained magnesium oxide film.

[실시예 1-4] Example 1-4

혼합 분말의 조성비를, MgO/ZrO2=99.00/1.00 (몰 비) 로 한 것 외에는 실시예 1-1 과 동일한 조건으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 98.9% 였다. Sintered compact pellets were manufactured on the same conditions as in Example 1-1 except that the composition ratio of the mixed powder was MgO / ZrO 2 = 99.00 / 1.00 (molar ratio). The relative density of the obtained sintered compact pellets was 98.9%.

이 소결체 펠릿을 증착재로 사용하여, 실시예 1-1 과 동일하게 전자 빔 증착 법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 얻어진 산화마그네슘막의 지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 표 1 에 나타낸다.Using this sintered compact pellet as a vapor deposition material, a magnesium oxide film was formed by an electron beam vapor deposition method in the same manner as in Example 1-1. Table 1 shows the zirconium content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the obtained magnesium oxide film.

[실시예 1-5] [Example 1-5]

혼합 분말의 조성비를, MgO/ZrO2=98.31/1.69 (몰 비) 로 한 것 외에는 실시예 1-1 과 동일한 조건으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 98.8% 였다. Sintered compact pellets were manufactured on the same conditions as in Example 1-1 except that the composition ratio of the mixed powder was MgO / ZrO 2 = 98.31 / 1.69 (molar ratio). The relative density of the obtained sintered compact pellets was 98.8%.

이 소결체 펠릿을 증착재로 사용하여, 실시예 1-1 과 동일하게 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 얻어진 산화마그네슘막의 지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 표 1 에 나타낸다.Using this sintered compact pellet as a vapor deposition material, a magnesium oxide film was formed by an electron beam vapor deposition method in the same manner as in Example 1-1. Table 1 shows the zirconium content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the obtained magnesium oxide film.

[실시예 1-6]Example 1-6

혼합 분말의 조성비를, MgO/ZrO2=96.49/3.51 (몰 비) 로 한 것 외에는 실시예 1-1 과 동일한 조건으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 98.8% 였다. Sintered compact pellets were manufactured on the same conditions as in Example 1-1 except that the composition ratio of the mixed powder was MgO / ZrO 2 = 96.49 / 3.51 (molar ratio). The relative density of the obtained sintered compact pellets was 98.8%.

이 소결체 펠릿을 증착재로 사용하여, 실시예 1-1 과 동일하게 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 얻어진 산화마그네슘막의 지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 표 1 에 나타낸다.Using this sintered compact pellet as a vapor deposition material, a magnesium oxide film was formed by an electron beam vapor deposition method in the same manner as in Example 1-1. Table 1 shows the zirconium content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the obtained magnesium oxide film.

[실시예 1-7] Example 1-7

혼합 분말의 조성비를, MgO/ZrO2=94.54/5.46 (몰 비) 로 한 것 외에는 실시예 1-1 과 동일한 조건으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 98.7% 였다. Sintered compact pellets were manufactured on the same conditions as in Example 1-1 except that the composition ratio of the mixed powder was MgO / ZrO 2 = 94.54 / 5.46 (molar ratio). The relative density of the obtained sintered compact pellets was 98.7%.

이 소결체 펠릿을 증착재로 사용하여, 실시예 1-1 과 동일하게 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 얻어진 산화마그네슘막의 지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 표 1 에 나타낸다.Using this sintered compact pellet as a vapor deposition material, a magnesium oxide film was formed by an electron beam vapor deposition method in the same manner as in Example 1-1. Table 1 shows the zirconium content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the obtained magnesium oxide film.

[비교예 1-1][Comparative Example 1-1]

산화지르코늄 분말을 첨가하지 않은 것 외에는 실시예 1-1 과 동일한 조건으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도는 97.0% 였다. Sintered compact pellets were prepared under the same conditions as in Example 1-1 except that no zirconium oxide powder was added. The relative density of the obtained sintered compact pellets was 97.0%.

이 소결체 펠릿을 증착재로 사용하여, 실시예 1-1 과 동일하게 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하였다. 얻어진 산화마그네슘막의 지르코늄 함유량, 2 차 전자 방출 계수 및 굴절률을 표 1 에 나타낸다. Using this sintered compact pellet as a vapor deposition material, a magnesium oxide film was formed by an electron beam vapor deposition method in the same manner as in Example 1-1. Table 1 shows the zirconium content, secondary electron emission coefficient and refractive index of the obtained magnesium oxide film.

소결체 펠릿Sintered pellet 산화마그네슘막Magnesium oxide film ZrO2 함유량
(몰%)
ZrO 2 content
(mole%)
ZrO2 함유량
(몰%)
ZrO 2 content
(mole%)
2 차 전자 방출 계수(*)
(-)
Secondary electron emission coefficient (*)
(-)
굴절률
(-)
Refractive index
(-)
실시예 1-1Example 1-1 0.0330.033 0.000160.00016 1.101.10 1.7021.702 실시예 1-2Example 1-2 0.160.16 0.000330.00033 1.301.30 1.7051.705 실시예 1-3Example 1-3 0.330.33 0.00490.0049 1.351.35 1.7081.708 실시예 1-4Example 1-4 1.001.00 0.0130.013 1.321.32 1.7231.723 실시예 1-5Examples 1-5 1.691.69 0.0160.016 1.291.29 1.7351.735 실시예 1-6Example 1-6 3.513.51 0.0330.033 1.201.20 1.7291.729 실시예 1-7Example 1-7 5.465.46 0.0490.049 1.151.15 1.7221.722 비교예 1-1Comparative Example 1-1 ZrO2 첨가하지 않음ZrO 2 not added 검출되지 않음Not detected 1.001.00 1.6931.693 (*) 실시예 1-1∼1-7 의 2 차 전자 방출 계수는, 비교예 1-1 의 2 차 전자 방출 계수를 1.00 으로 한 경우의 상대비이다.(*) The secondary electron emission coefficients of Examples 1-1 to 1-7 are relative ratios when the secondary electron emission coefficient of Comparative Example 1-1 is set to 1.00.

표 1 의 결과로부터, 산화지르코늄의 함유량이 0.01∼6몰% 의 범위에 있는 소결체 펠릿으로 형성된 산화마그네슘막 (실시예 1-1∼1-7) 은 모두, 산화지르코늄 을 함유하지 않은 소결체 펠릿으로 형성된 산화마그네슘막 (비교예 1-1) 과 비교하여 2 차 전자 방출 효율 및 굴절률이 향상됨을 알 수 있다. From the results in Table 1, all of the magnesium oxide films (Examples 1-1 to 1-7) formed from sintered pellets having a content of zirconium oxide in the range of 0.01 to 6 mol% were sintered pellets containing no zirconium oxide. It can be seen that the secondary electron emission efficiency and the refractive index are improved as compared with the formed magnesium oxide film (Comparative Example 1-1).

(2) 산화마그네슘과, 산화칼슘, 산화스트론튬 또는 산화바륨과, 산화지르코늄으로 이루어지는 소결체(2) A sintered body composed of magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide or barium oxide, and zirconium oxide

[실시예 2-1] Example 2-1

기상 산화 반응법에 의해 제조된 산화마그네슘 (MgO) 분말 (순도: 99.985질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.2㎛, 1 차 입자형상: 정육면체) 과, 탄산칼슘 (CaCO3) 분말 (순도: 99.9질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.2㎛) 과, 산화지르코늄 (ZrO2) 분말 (순도: 99.9질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.2㎛) 을, 각각 MgO:CaCO3:ZrO2=99.892:0.054:0.054 (몰 비) 의 비율로 혼합하였다. 이 혼합 분말 50 질량부를, 폴리에틸렌글리콜 농도 6질량%, 및 폴리카르복시산암모늄염 농도 1질량% 의 물 50 질량부에 분산시켜 슬러리 (액온: 25℃) 를 조제하였다. Magnesium oxide (MgO) powder (purity: 99.985 mass%, average particle diameter of primary particles: 0.2 µm, primary particle shape: cube) prepared by vapor phase oxidation reaction, and calcium carbonate (CaCO 3 ) powder (purity) : 99.9 mass%, average primary particle diameter of the particles: 0.2㎛) and zirconium (ZrO 2) powder (purity oxide: 99.9 mass%, average particle diameter of primary particles: 0.2㎛) the respective MgO: CaCO 3 : ZrO 2 = 99.892: 0.054: were mixed in a ratio of 0.054 (mol ratio). 50 mass parts of this mixed powder was dispersed in 50 mass parts of water of 6 mass% of polyethyleneglycol concentration, and 1 mass% of ammonium polycarboxylate salt concentration, and the slurry (liquid temperature: 25 degreeC) was prepared.

조제한 슬러리를, 그 액온을 25℃ 로 유지하면서 빠르게 (약 15 분 이내) 스프레이 드라이어를 사용하여 분무 건조시켜 조립물을 얻었다. The prepared slurry was spray-dried quickly using a spray dryer (within about 15 minutes), maintaining the liquid temperature at 25 degreeC, and the granulated material was obtained.

얻어진 조립물을 금형에 충전하고, 성형압 2톤/㎠ 으로 펠릿 모양 (직경: 6.0㎜, 두께: 2.5㎜, 성형체 밀도: 2.50g/㎤) 으로 성형하였다. The granulated material thus obtained was filled into a mold and molded into pellets (diameter: 6.0 mm, thickness: 2.5 mm, molded body density: 2.50 g / cm 3) at a molding pressure of 2 ton / cm 2.

그리고 마지막으로, 펠릿 모양 성형체를 전기 노를 사용하여 1650℃ 의 온도에서 4 시간 소성하여 소결시켰다. And finally, the pellet-shaped molded object was baked and sintered at the temperature of 1650 degreeC for 4 hours using an electric furnace.

상기 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량, 지르코늄 함유량), 상 대 밀도 및 흡습률을 각각 하기 방법에 의해 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2 에 나타낸다. Metal element content (calcium content, zirconium content), relative density, and moisture absorption rate of the said sintered compact pellet were measured by the following method, respectively. The results are shown in Table 2 below.

[금속 원소 함유량의 측정 방법] [Measurement Method of Metal Element Content]

ICP 발광 분광계에 의해 금속 원소 함유량을 측정하였다.The metal element content was measured by the ICP emission spectrometer.

[상대 밀도의 측정 방법][Measurement method of relative density]

아르키메데스법에 의해 측정하였다.It measured by the Archimedes method.

[흡습률의 측정 방법] [Measuring method of moisture absorption rate]

소결체 펠릿 30g 을 정확히 칭량하고, 이것을 온도 60℃, 상대 습도 85%RH 의 환경하에서 300 시간 정치하였다. 정치 후의 소결체 펠릿의 중량을 측정하고, 하기 식에 의해 구한 중량 증가율을 흡습률로 하였다. 흡습률은, 0.1% 이하인 것이 바람직하다. 30 g of sintered compact pellets were weighed correctly, and it was left still for 300 hours in the environment of the temperature of 60 degreeC, and 85% RH of relative humidity. The weight of the sintered compact pellet after standing was measured, and the weight increase rate calculated | required by the following formula was made into the moisture absorption rate. It is preferable that a moisture absorption is 0.1% or less.

흡습률%={정치 후의 소결체 펠릿의 중량-정치 전의 소결체 펠릿의 중량(30g)}/정치 전의 소결체 펠릿의 중량(30g)×100Moisture absorption% = {weight of sintered compact pellet after politics-weight of sintered compact pellet before politics} / weight (30g) of sintered compact pellet before politics

[실시예 2-2] Example 2-2

산화마그네슘 분말과 탄산칼슘 분말과 산화지르코늄 분말의 혼합 비율을, 각각 MgO:CaCO3:ZrO2=99.642:0.179:0.179 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. A sintered pellet was prepared in the same manner as in Example 2-1 except that the mixing ratio of magnesium oxide powder, calcium carbonate powder and zirconium oxide powder was MgO: CaCO 3 : ZrO 2 = 99.642: 0.179: 0.179 (molar ratio), respectively. Prepared. The metal element content (calcium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-3] Example 2-3

산화마그네슘 분말과 탄산칼슘 분말과 산화지르코늄 분말의 혼합 비율을, 각각 MgO:CaCO3:ZrO2=98.214:0.893:0.893 (몰 비) 으로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.A sintered pellet was prepared in the same manner as in Example 2-1 except that the mixing ratio of magnesium oxide powder, calcium carbonate powder and zirconium oxide powder was MgO: CaCO 3 : ZrO 2 = 98.214: 0.893: 0.893 (molar ratio), respectively. Prepared. The metal element content (calcium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-4] Example 2-4

산화마그네슘 분말과 탄산칼슘 분말과 산화지르코늄 분말의 혼합 비율을, 각각 MgO:CaCO3:ZrO2=94.642:2.679:2.679 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.A sintered pellet was prepared in the same manner as in Example 2-1 except that the mixing ratio of magnesium oxide powder, calcium carbonate powder and zirconium oxide powder was MgO: CaCO 3 : ZrO 2 = 94.642: 2.679: 2.679 (molar ratio), respectively. Prepared. The metal element content (calcium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-5]Example 2-5

탄산칼슘 분말과 산화지르코늄 분말 대신에 지르코늄산칼슘 (CaZrO3) 분말 (순도: 99.5질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.4㎛) 을 사용하여, 산화마그네슘 분말과 지르코늄산칼슘 분말의 혼합 비율을 Mg0:CaZrO3=99.821:0.179 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. Mixing ratio of magnesium oxide powder and calcium zirconate powder, using calcium zirconate (CaZrO 3 ) powder (purity: 99.5% by mass, average particle diameter of primary particles: 0.4 μm) instead of calcium carbonate powder and zirconium oxide powder A sintered compact pellet was produced in the same manner as in Example 2-1, except that Mg0: CaZrO 3 = 99.821: 0.179 (molar ratio). The metal element content (calcium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-6] Example 2-6

산화마그네슘 분말과 지르코늄산칼슘 분말의 혼합 비율을, MgO:CaZrO3=99.107:0.893 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-5 와 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. A sintered compact pellet was produced in the same manner as in Example 2-5, except that the mixing ratio of the magnesium oxide powder and the calcium zirconate powder was MgO: CaZrO 3 = 99.107: 0.893 (molar ratio). The metal element content (calcium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-7] Example 2-7

산화마그네슘 분말과 지르코늄산칼슘 분말의 혼합 비율을, Mg0:CaZrO3=97.321:2.679 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-5 와 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. A sintered compact pellet was produced in the same manner as in Example 2-5 except that the mixing ratio of magnesium oxide powder and calcium zirconate powder was Mg0: CaZrO 3 = 97.321: 2.679 (molar ratio). The metal element content (calcium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-8] Example 2-8

탄산칼슘 분말 대신에 탄산스트론튬 (SrCO3) 분말 (순도: 99.9질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.3㎛) 을 사용하여, 산화마그네슘 분말과 탄산스트론튬 분말과 산화지르코늄 분말의 혼합 비율을, 각각 MgO:SrCO3:ZrO2=99.034:0.483:0.483 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (스트론튬 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. Instead of calcium carbonate powder, the mixture ratio of magnesium oxide powder, strontium carbonate powder and zirconium oxide powder was determined using strontium carbonate (SrCO 3 ) powder (purity: 99.9 mass%, average particle diameter of primary particles: 0.3 µm), Sintered compact pellets were prepared in the same manner as in Example 2-1, except that MgO: SrCO 3 : ZrO 2 = 99.034: 0.483: 0.483 (molar ratio), respectively. The metal element content (strontium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-9] Example 2-9

탄산스트론튬 분말과 산화지르코늄 분말 대신에 지르코늄산스트론튬 (SrZrO3) 분말 (순도: 99.2질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.8㎛) 을 사용하여, 산화마그네슘 분말과 지르코늄산스트론튬 분말의 혼합 비율을, MgO:SrZrO3=99.517:0.483 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-8 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (스트론튬 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. Mixing ratio of magnesium oxide powder and strontium zirconate powder using strontium zirconate (SrZrO 3 ) powder (purity: 99.2% by mass, average particle diameter of primary particles: 0.8 μm) instead of strontium carbonate powder and zirconium oxide powder Sintered compact pellets were manufactured in the same manner as in Example 2-8 except that MgO: SrZrO 3 = 99.517: 0.483 (molar ratio). The metal element content (strontium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-10]Example 2-10

탄산칼슘 분말 대신에 탄산바륨 (BaCO3) 분말 (순도: 99.9질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 0.5㎛) 을 사용하여, 산화마그네슘 분말과 탄산바륨 분말과 산화지르코늄 분말의 혼합 비율을, 각각 MgO:BaCO3:ZrO2=99.348:0.326:0.326 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (바륨 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. Instead of calcium carbonate powder, using a barium carbonate (BaCO 3 ) powder (purity: 99.9% by mass, average particle diameter of the primary particles: 0.5 μm), the mixing ratio of magnesium oxide powder, barium carbonate powder, and zirconium oxide powder was determined. Sintered compact pellets were prepared in the same manner as in Example 2-1, except that MgO: BaCO 3 : ZrO 2 = 99.348: 0.326: 0.326 (molar ratio), respectively. The metal element content (barium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[실시예 2-11] Example 2-11

탄산바륨 분말과 산화지르코늄 분말 대신에 지르코늄산바륨 (BaZrO3) 분말 ( 순도: 99.2질량%, 1 차 입자의 평균 입자직경: 1.0㎛) 을 사용하여, 산화마그네슘 분말과 지르코늄산바륨 분말의 혼합 비율을, MgO:BaZrO3=99.674:0.326 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-10 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (바륨 함유량, 지르코늄 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. Mixing ratio of magnesium oxide powder and barium zirconate powder using barium zirconate (BaZrO 3 ) powder (purity: 99.2% by mass, average particle diameter of primary particles: 1.0 μm) instead of barium carbonate powder and zirconium oxide powder Sintered compact pellets were prepared in the same manner as in Example 2-10 except that MgO: BaZrO 3 = 99.674: 0.326 (molar ratio). The metal element content (barium content, zirconium content), the relative density, and the moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[비교예 2-1] Comparative Example 2-1

산화지르코늄 분말을 사용하지 않고, 산화마그네슘 분말과 탄산칼슘 분말의 혼합 비율을 MgO:CaCO3=99.821:0.179 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. A sintered compact pellet was produced in the same manner as in Example 2-1, except that the mixing ratio of the magnesium oxide powder and the calcium carbonate powder was MgO: CaCO 3 = 99.821: 0.179 (molar ratio) without using a zirconium oxide powder. The metal element content (calcium content), relative density, and moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[비교예 2-2] Comparative Example 2-2

산화지르코늄 분말을 사용하지 않고, 산화마그네슘 분말과 탄산칼슘 분말의 혼합 비율을 MgO:CaCO3=99.107:0.893 (몰 비) 으로 하는 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (칼슘 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. A sintered pellet was produced in the same manner as in Example 2-1, except that the mixture ratio of magnesium oxide powder and calcium carbonate powder was MgO: CaCO 3 = 99.107: 0.893 (molar ratio) without using a zirconium oxide powder. The metal element content (calcium content), relative density, and moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[비교예 2-3] Comparative Example 2-3

산화지르코늄 분말을 사용하지 않고, 산화마그네슘 분말과 탄산스트론튬 분 말의 혼합 비율을 MgO:SrCO3=99.517:0.483 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-8 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (스트론튬 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. A sintered pellet was prepared in the same manner as in Example 2-8, except that the mixing ratio of the magnesium oxide powder and the strontium carbonate powder was MgO: SrCO 3 = 99.517: 0.483 (molar ratio) without using a zirconium oxide powder. . The metal element content (strontium content), relative density, and moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

[비교예 2-4] Comparative Example 2-4

산화지르코늄 분말을 사용하지 않고, 산화마그네슘 분말과 탄산바튬 분말의 혼합 비율을 MgO:BaCO3=99.674:0.326 (몰 비) 로 하는 것 외에는 실시예 2-10 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 제조하였다. 이 소결체 펠릿의 금속 원소 함유량 (바륨 함유량), 상대 밀도 및 흡습률을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.A sintered compact pellet was produced in the same manner as in Example 2-10, except that the mixing ratio of the magnesium oxide powder and the lithium carbonate powder was MgO: BaCO 3 = 99.674: 0.326 (molar ratio) without using a zirconium oxide powder. The metal element content (barium content), relative density, and moisture absorption rate of this sintered compact pellet were measured by the above-mentioned method, respectively. The results are shown in Table 2.

Ca
(몰%)
Ca
(mole%)
Sr
(몰%)
Sr
(mole%)
Ba
(몰%)
Ba
(mole%)
Zr
(몰%)
Zr
(mole%)
상대 밀도
(%)
Relative density
(%)
흡습률
(%)
Moisture absorption rate
(%)
실시예 2-1Example 2-1 0.0540.054 -- -- 0.0540.054 97.997.9 0.050.05 실시예 2-2Example 2-2 0.1790.179 -- -- 0.1790.179 98.998.9 0.01 이하0.01 or less 실시예 2-3Example 2-3 0.8930.893 -- -- 0.8930.893 98.798.7 0.01 이하0.01 or less 실시예 2-4Examples 2-4 2.6792.679 -- -- 2.6792.679 98.298.2 0.01 이하0.01 or less 실시예 2-5Example 2-5 0.1790.179 -- -- 0.1790.179 99.099.0 0.030.03 실시예 2-6Example 2-6 0.8930.893 -- -- 0.8930.893 98.798.7 0.01 이하0.01 or less 실시예 2-7Example 2-7 2.6792.679 -- -- 2.6792.679 98.498.4 0.01 이하0.01 or less 실시예 2-8Example 2-8 -- 0.4830.483 -- 0.4830.483 97.597.5 0.030.03 실시예 2-9Example 2-9 -- 0.4830.483 -- 0.4830.483 97.897.8 0.020.02 실시예 2-10Example 2-10 -- -- 0.3260.326 0.3260.326 97.097.0 0.030.03 실시예 2-11Example 2-11 -- -- 0.3260.326 0.3260.326 97.497.4 0.020.02 비교예 2-1Comparative Example 2-1 0.1790.179 -- -- -- 91.791.7 4.74.7 비교예 2-2Comparative Example 2-2 0.8930.893 -- -- -- 90.290.2 6.96.9 비교예 2-3Comparative Example 2-3 -- 0.4830.483 -- -- 94.594.5 2.62.6 비교예 2-4Comparative Example 2-4 -- -- 0.3260.326 -- 93.293.2 3.43.4

표 2 에 나타내는 바와 같이, 알칼리 토금속 산화물 (산화마그네슘을 제외) 과 산화지르코늄을 함유하는 소결체 펠릿 (실시예 2-1∼2-11) 은, 알칼리 토금속 산화물 (산화마그네슘을 제외) 만을 함유하는 소결체 펠릿 (비교예 2-1∼2-4) 과 비교하여, 상대 밀도가 높고, 또한 흡습률이 저하되어 있음을 알 수 있다. As shown in Table 2, sintered compacts (Examples 2-1 to 2-11) containing alkaline earth metal oxides (except magnesium oxide) and zirconium oxide are sintered bodies containing only alkaline earth metal oxides (except magnesium oxide). Compared with pellets (Comparative Examples 2-1 to 2-4), it turns out that the relative density is high and the moisture absorption rate is falling.

[산화마그네슘막 형성용 증착재로서의 평가][Evaluation as evaporation material for magnesium oxide film formation]

실시예 2-1∼2-11 및 비교예 2-1∼2-4 에서 제조한 소결체 펠릿을 사용하여, 전자 빔 증착법으로 산화마그네슘막을 형성하였다. 그 때의 증착 속도, 형성된 산화마그네슘막의 2 차 전자 방출 계수 및 금속 산화물 함유량을 각각 하기 방법에 의해 측정하였다. 그 결과를 하기 표 3 에 나타낸다. 또, 표 3 중의 증착 속도 및 2 차 전자 방출 계수는, 비교예 2-1 의 소결체 펠릿의 값을 1 로 한 경우의 상대값이다. A magnesium oxide film was formed by the electron beam evaporation method using the sintered compact pellets manufactured in Examples 2-1 to 2-11 and Comparative Examples 2-1 to 2-4. The deposition rate at that time, the secondary electron emission coefficient and the metal oxide content of the formed magnesium oxide film were measured by the following method, respectively. The results are shown in Table 3 below. In addition, the vapor deposition rate and secondary electron emission coefficient of Table 3 are relative values at the time of making the value of the sintered compact pellet of the comparative example 2-1 into 1.

[증착 속도의 측정 방법] [Measurement method of deposition rate]

스테인리스 기판 위에 하기의 제막 조건으로 형성한 산화마그네슘막의 막 두께를 제막 개시로부터 시간의 경과시마다 기록하여, 단위 시간 (분) 당 제막 속도를 산출하였다. 이 제막 속도를 증착 속도로 하였다. The film thickness of the magnesium oxide film formed on the stainless steel substrate on the following film forming conditions was recorded for every time passed from the start of film forming, and the film forming speed per unit time (minute) was calculated. This film forming speed was made into the deposition rate.

(제막 조건) (Film forming condition)

전압: 8kV Voltage: 8kV

전류: 40mACurrent: 40 mA

증착 챔버의 산소 분압: 2×10-5Pa Oxygen partial pressure in the deposition chamber: 2 × 10 -5 Pa

기판 온도: 200℃ Substrate Temperature: 200 ℃                     

[2 차 전자 방출 계수의 측정 방법] [Measurement Method of Secondary Electron Emission Coefficient]

스테인리스 기판 위에 상기 증착 속도의 측정 방법과 동일한 제막 조건으로, 100㎚ 의 산화마그네슘막을 형성하였다. 이 산화마그네슘막에, 하기 조건으로 Ne 이온을 조사했을 때의 2 차 전자 발생량을 측정하였다. A 100 nm magnesium oxide film was formed on the stainless substrate by the same film forming conditions as those of the above-described deposition rate measurement method. The amount of secondary electrons generated when the magnesium oxide film was irradiated with Ne ions under the following conditions was measured.

(Ne 이온의 조사 조건) (Irradiation conditions of Ne ions)

진공도: 3×10-5Pa Vacuum degree: 3 × 10 -5 Pa

Ne 이온의 가속 전압: 300eV Acceleration voltage of Ne ion: 300eV

기판 온도: 300℃Substrate temperature: 300 ℃

[금속 원소 함유량의 측정 방법] [Measurement Method of Metal Element Content]

규소 웨이퍼 기판 위에 상기 증착 속도의 측정 방법과 동일한 제막 조건으로, 두께 1000㎚ 의 산화마그네슘막을 형성하였다. 이 산화마그네슘막의 금속 원소 함유량을 형광 X 선법에 의해 측정하였다. A magnesium oxide film having a thickness of 1000 nm was formed on the silicon wafer substrate under the same film forming conditions as those for measuring the deposition rate. The metal element content of this magnesium oxide film was measured by the fluorescent X-ray method.

증착 속도
(-)
Deposition rate
(-)
2 차 전자 방출 계수
(-)
Secondary electron emission coefficient
(-)
CaO
(몰%)
CaO
(mole%)
SrO
(몰%)
SrO
(mole%)
BaO
(몰%)
BaO
(mole%)
ZrO2
(몰%)
ZrO 2
(mole%)
실시예 2-1Example 2-1 1.21.2 1.301.30 0.04640.0464 -- -- 0.00160.0016 실시예 2-2Example 2-2 1.31.3 1.321.32 0.14640.1464 -- -- 0.00410.0041 실시예 2-3Example 2-3 1.21.2 1.251.25 0.60710.6071 -- -- 0.00970.0097 실시예 2-4Examples 2-4 1.11.1 1.121.12 1.51791.5179 -- -- 0.02350.0235 실시예 2-5Example 2-5 1.31.3 1.351.35 0.10710.1071 -- -- 0.00320.0032 실시예 2-6Example 2-6 1.21.2 1.201.20 0.50000.5000 -- -- 0.00890.0089 실시예 2-7Example 2-7 1.11.1 1.101.10 1.46431.4643 -- -- 0.02440.0244 실시예 2-8Example 2-8 1.21.2 1.211.21 -- 0.34750.3475 -- 0.00570.0057 실시예 2-9Example 2-9 1.21.2 1.251.25 -- 0.328190.32819 -- 0.00490.0049 실시예 2-10Example 2-10 1.21.2 1.181.18 -- -- 0.26090.2609 0.00410.0041 실시예 2-11Example 2-11 1.21.2 1.221.22 -- -- 0.24790.2479 0.00320.0032 비교예 2-1Comparative Example 2-1 1.01.0 1.001.00 0.16430.1643 -- -- -- 비교예 2-2Comparative Example 2-2 0.80.8 0.900.90 0.71610.7161 -- -- -- 비교예 2-3Comparative Example 2-3 0.90.9 0.950.95 -- 0.30890.3089 -- -- 비교예 2-4Comparative Example 2-4 0.90.9 0.920.92 -- -- 0.24610.2461 --

표 3 에 나타내는 바와 같이, 알칼리 토금속 산화물 (산화마그네슘을 제외) 과 산화지르코늄을 함유하는 산화마그네슘 소결체 펠릿 (실시예 2-1∼2-11) 은, 알칼리 토금속 산화물 (산화마그네슘을 제외) 만을 함유하는 산화마그네슘 소결체 펠릿 (비교예 2-1∼2-4) 과 비교하여, 증착 속도 및 2 차 전자 방출 계수가 높음을 알 수 있다.As shown in Table 3, magnesium oxide sintered pellets (Examples 2-1 to 2-11) containing alkaline earth metal oxides (except magnesium oxide) and zirconium oxide only contain alkaline earth metal oxides (except magnesium oxide). As compared with the magnesium oxide sintered pellet (Comparative Examples 2-1 to 2-4), it can be seen that the deposition rate and the secondary electron emission coefficient are high.

[실시예 2-12] Example 2-12

상기 실시예 2-1 에 있어서, 얻어진 조립물을 성형압 2톤/㎠ 으로 펠릿 모양 (직경: 6㎜, 높이 1.5㎜, 성형체 밀도 2.50g/㎤) 으로 형성한 것 외에는 실시예 2-1 과 동일한 방법으로 소결체 펠릿을 작성하였다. In Example 2-1, the obtained granulated product was formed in a pellet form (diameter: 6 mm, height 1.5 mm, molded body density 2.50 g / cm 3) at a molding pressure of 2 ton / cm 2, and was obtained in Example 2-1. In the same manner, sintered pellets were prepared.

얻어진 소결체 펠릿의 상대 밀도 및 흡습률을 상기한 방법으로 측정한 결과, 상대 밀도는 98.8% 이고, 흡습률은 0.01% 이하였다. 그리고, 이 소결체 펠릿을 사용하여 전자 빔 증착법에 의해 산화마그네슘막을 형성하여, 증착 속도, 형성된 산화마그네슘막의 2 차 전자 방출 계수 및 금속 원소 함유량을 각각 상기한 방법으로 측정하였다. 그 결과, 증착 속도는 1.9, 2 차 전자 방출 계수는 1.32 (각각, 상기 비교예 2-1 의 소결체 펠릿의 값을 1.0 으로 했을 때의 상대값), 산화칼슘의 함유량은 0.1490몰%, 산화지르코늄의 함유량은 0.0048몰% 이고, 증착 속도는, 상기 실시예 2-1 에서 제조한 소결체 펠릿과 비교하여 빨라졌다.As a result of measuring the relative density and the moisture absorption rate of the obtained sintered compact pellets by the above-mentioned method, the relative density was 98.8% and the moisture absorption rate was 0.01% or less. And using this sintered compact pellet, the magnesium oxide film was formed by the electron beam vapor deposition method, and the deposition rate, the secondary electron emission coefficient, and metal element content of the formed magnesium oxide film were measured by the above-mentioned method, respectively. As a result, the deposition rate was 1.9, the secondary electron emission coefficient was 1.32 (relative value when the sintered pellet of Comparative Example 2-1 was set to 1.0, respectively), the content of calcium oxide was 0.1490 mol%, and zirconium oxide. The content of was 0.0048 mol%, and the deposition rate was faster than that of the sintered compact pellets prepared in Example 2-1.

본 발명의 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 함유하는 증착재는, 금속 원소의 가수가 3∼5 가인 금속 산화물의 함유량이 쉽게 금속 산화물을 균일하게 분산시킬 수 있는 0.01∼6몰% 의 범위에 있기 때문에, 이 증착재를 사용함으로써 금속 산화물이 균일하게 분산된 산화마그네슘막을 전자 빔 증착법에 의해 형성할 수 있게 된다. 또한, 상기 본 발명의 증착재를 사용하여 전자 빔 증착법에 의해 형성된 산화마그네슘막은, 막 중에 분산된 금속 산화물이 산화마그네슘의 에너지 갭 사이에 도너 준위를 형성하기 때문에 2 차 전자 방출 효율이 높아진다. 또한, 산화마그네슘막 중의 금속 산화물이 균일하게 분산되어 있기 때문에, 막 밀도도 높아진다. 따라서, 상기 본 발명의 산화마그네슘막은, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체의 보호막으로서 유리하게 사용할 수 있다. The vapor deposition material containing a metal oxide having a valence of trivalent, tetravalent, or pentavalent of the metal element of the present invention can easily disperse the metal oxide uniformly in the content of the metal oxide having a valence of the metal element of 3-5. Since it is in the range of 0.01-6 mol%, the magnesium oxide film in which the metal oxide was uniformly dispersed can be formed by the electron beam vapor deposition method by using this vapor deposition material. Further, in the magnesium oxide film formed by the electron beam evaporation method using the vapor deposition material of the present invention, the secondary electron emission efficiency is increased because the metal oxide dispersed in the film forms a donor level between the energy gaps of magnesium oxide. In addition, since the metal oxide in the magnesium oxide film is uniformly dispersed, the film density also increases. Therefore, the magnesium oxide film of the present invention can be advantageously used as a protective film for the dielectric of the AC plasma display panel.

다음으로, 본 발명의 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 함유하는 증착재는, 흡습성이 낮기 때문에 장기간 보존하여도 균질한 산화마그네슘막을 안정적으로 형성할 수 있다. 또한, 이 증착재를 사용하여 얻어지는 산화마그네슘막은, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물 (산화칼슘, 산화스트론튬 또는 산화바륨) 을 함유하기 때문에 2 차 전자의 방출 효율이 높다. 따라서, 상기 본 발명의 증착재는, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 보호막으로서 유용한 산화마그네슘막을 형성하는 데에 있어서 유리하게 이용할 수 있다. Next, the evaporation material containing alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide of the present invention and metal oxides having any valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of metal elements is low in hygroscopicity and therefore homogeneous even after long-term storage. Magnesium oxide film can be formed stably. In addition, the magnesium oxide film obtained by using this vapor deposition material contains alkaline earth metal oxides (calcium oxide, strontium oxide or barium oxide) other than magnesium oxide, so that secondary electrons have high emission efficiency. Therefore, the vapor deposition material of the present invention can be advantageously used in forming a magnesium oxide film useful as a protective film of a dielectric layer of an alternating-current plasma display panel.

Claims (18)

산화마그네슘과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을 소결하여 얻은 펠릿으로서, 그 금속 산화물의 함유량이 0.01∼6몰% 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 증착재.A pellet obtained by sintering a metal oxide having a valence of magnesium oxide and a metal element of any one of trivalent, tetravalent or pentavalent, wherein the content of the metal oxide is in the range of 0.01 to 6 mol%. . 제 1 항에 있어서, 금속 산화물이, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 세륨, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄 및 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 금속 원소의 산화물인 증착재The group according to claim 1, wherein the metal oxide is composed of aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, cerium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, and dysprosium. Evaporation material that is an oxide of one or two or more metal elements selected from 제 1 항에 있어서, 금속 산화물이, 산화지르코늄인 증착재.The vapor deposition material of Claim 1 whose metal oxide is zirconium oxide. 제 1 항에 있어서, 산화마그네슘이, 순도 99.9질량% 이상인 증착재.The vapor deposition material of Claim 1 whose magnesium oxide is purity 99.9 mass% or more. 제 1 항에 있어서, 산화마그네슘이, 정육면체 형상의 1 차 입자로 구성되어 있는 증착재.The vapor deposition material of Claim 1 in which magnesium oxide is comprised from the cube-shaped primary particle. 제 1 항에 있어서, 상대 밀도가 95% 이상인 증착재.The vapor deposition material of claim 1 wherein the relative density is at least 95%. 산화마그네슘과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물을, 몰 비로 99.99:0.01∼94:6 의 범위로 바인더를 함유하는 수성 분산 매체에 분산시켜 형성되는 슬러리를 스프레이 드라이어에 의해 분무 건조시킴으로써 산화마그네슘과 상기 금속 산화물의 혼합 조립물을 얻고, 얻어진 조립물을 펠릿 모양으로 성형한 후, 펠릿 모양 성형물을 소결시키는, 제 1 항에 기재된 증착재의 제조 방법.A slurry formed by dispersing a metal oxide having a valence of trivalent, tetravalent or pentavalent of magnesium oxide and a metal element in an aqueous dispersion medium containing a binder in a molar ratio of 99.99: 0.01 to 94: 6 in a molar ratio. The manufacturing method of the vapor deposition material of Claim 1 which spray-drys with a spray dryer, obtains the mixed granulated material of magnesium oxide and the said metal oxide, shape | molds the obtained granulated material to pellet shape, and then sinters the pellet shaped molding. 제 1 항에 기재된 증착재를 사용하여 전자 빔 증착법에 의해 형성한 산화마그네슘막.Magnesium oxide film formed by the electron beam vapor deposition method using the vapor deposition material of Claim 1. 제 8 항에 있어서, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량이 0.0001∼0.06몰% 의 범위에 있는 산화마그네슘막.The magnesium oxide film according to claim 8, wherein the valence of the metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent. The magnesium oxide film has a content of 0.0001 to 0.06 mol%. 제 8 항에 있어서, 굴절률이 1.70∼1.74 의 범위에 있는 산화마그네슘막.The magnesium oxide film according to claim 8, wherein the magnesium oxide film has a refractive index in the range of 1.70 to 1.74. 산화마그네슘과, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물로 이루어지는 소결체로서, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물의 함유량 및 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량이 각각 금속 원소량으로 환산하여 0.005몰% 이상이고, 또한 그 합계량이 금속 원소량으로 환산하여 6몰% 이 하인 증착재.A sintered body composed of magnesium oxide, alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide, and metal oxides having any valence of trivalent, tetravalent, or pentavalent of a metal element, wherein the content of alkali earth metal oxides other than magnesium oxide and The vapor deposition material whose content of the metal oxide of valence trivalent, tetravalent, or pentavalent is 0.005 mol% or more in conversion of the amount of metal elements, respectively, and its total amount is 6 mol% or less in conversion of the amount of metal elements. 제 11 항에 있어서, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물의 함유량과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 함유량이, 금속 원소량으로 환산한 몰 비로 2:1∼1:2 의 범위에 있는 증착재.The content of alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide and the metal oxide whose valence of a metal element is any of trivalent, tetravalent, or pentavalent are 2: 1 in molar ratio converted into the amount of metal elements. The vapor deposition material in the range of -1: 2. 제 11 항에 있어서, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물의 함유량이, 금속 원소량으로 환산하여 0.005∼3.5몰% 의 범위에 있는 증착재.The vapor deposition material of Claim 11 whose content of alkaline-earth metal oxides other than magnesium oxide is 0.005-3.5 mol% in conversion of the amount of metal elements. 제 11 항에 있어서, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물이, 칼슘, 스트론튬 및 바륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 알칼리 토금속 원소의 산화물인 증착재.The vapor deposition material of Claim 11 whose alkaline earth metal oxides other than magnesium oxide are oxide of 1 type, or 2 or more types of alkaline earth metal elements chosen from the group which consists of calcium, strontium, and barium. 제 11 항에 있어서, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물이, 알루미늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 세륨, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄 및 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 금속 원소의 산화물인 증착재.The metal oxide of claim 11, wherein the valence of the metal element is any one of trivalent, tetravalent, or pentavalent, aluminum, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, and cobalt. A vapor deposition material which is an oxide of one or two or more metal elements selected from the group consisting of nickel, cerium, neodymium, samarium, europium, gadolinium and dysprosium. 제 11 항에 있어서, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체 보호막 형성 용인 증착재.The vapor deposition material of Claim 11 for formation of the dielectric protective film of an AC plasma display panel. 산화마그네슘 또는 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물과, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물 또는 가열에 의해 그 알칼리 토금속 산화물을 생성하는 알칼리 토금속 화합물과, 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물 또는 가열에 의해 그 금속 산화물을 생성하는 금속 화합물로 이루어지는 혼합물을 가열하여 소결시키는, 제 11 항에 기재된 증착재의 제조 방법.Magnesium oxide or magnesium compound which produces magnesium oxide by heating, alkaline earth metal oxide other than magnesium oxide, or alkaline earth metal compound which produces | generates the alkaline earth metal oxide by heating, and valence of a metal element is trivalent, tetravalent, or 5 The manufacturing method of the vapor deposition material of Claim 11 which heats and sinters the mixture which consists of a metal oxide which is any of the addition, or the metal compound which produces this metal oxide by heating. 산화마그네슘 또는 가열에 의해 산화마그네슘을 생성하는 마그네슘 화합물과, 산화마그네슘 이외의 알칼리 토금속 산화물과 금속 원소의 가수가 3 가, 4 가 또는 5 가 중 어느 하나인 금속 산화물의 복합 산화물 또는 가열에 의해 그 복합 산화물을 생성하는 화합물로 이루어지는 혼합물을 가열하여 소결시키는, 제 11 항에 기재된 증착재의 제조 방법.Magnesium oxide or a magnesium compound that produces magnesium oxide by heating, an alkaline earth metal oxide other than magnesium oxide, and a metal oxide having a valence of trivalent, tetravalent, or pentavalent of a metal element, or by heating The manufacturing method of the vapor deposition material of Claim 11 which heats and sinters the mixture which consists of a compound which produces a complex oxide.
KR1020040083049A 2003-10-21 2004-10-18 Magnesium oxide for vapor deposition KR100997068B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003360567 2003-10-21
JPJP-P-2003-00360567 2003-10-21
JP2004126987 2004-04-22
JPJP-P-2004-00126987 2004-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050038555A KR20050038555A (en) 2005-04-27
KR100997068B1 true KR100997068B1 (en) 2010-11-30

Family

ID=34797128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040083049A KR100997068B1 (en) 2003-10-21 2004-10-18 Magnesium oxide for vapor deposition

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5873624B2 (en)
KR (1) KR100997068B1 (en)
CN (1) CN100582288C (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4850107B2 (en) * 2007-03-28 2012-01-11 宇部マテリアルズ株式会社 Baked magnesium oxide powder containing aluminum oxide
CN101636518B (en) * 2007-03-30 2011-06-08 富士钛工业株式会社 Vapor deposition material and optical thin film obtained from the same
KR100919392B1 (en) * 2007-08-24 2009-09-29 대주전자재료 주식회사 Manufacturing Method of Strontium Calcium Oxide Powder and Deposition Material thereof
CN101685751B (en) * 2008-09-28 2012-12-05 四川世纪双虹显示器件有限公司 Plasma display panel
CN102191463B (en) * 2010-03-15 2015-12-16 三菱综合材料株式会社 Film formation vapour deposition material, the thin-film sheet possessing this film and laminate
CN102191456A (en) * 2010-03-15 2011-09-21 三菱综合材料株式会社 Gas-phase deposition material for formation of film, film sheet material provided with the same and laminated sheet material
JP2011241123A (en) * 2010-05-20 2011-12-01 Tateho Chemical Industries Co Ltd Magnesium oxide sintered compact and method for producing the same
JP5736246B2 (en) * 2010-07-08 2015-06-17 宇部マテリアルズ株式会社 Film-forming materials used in physical vapor deposition
CN102433531A (en) * 2010-09-29 2012-05-02 三菱综合材料株式会社 Vapor deposition material for forming film, film sheet and laminated sheet provided with film
JP2013127091A (en) * 2011-12-19 2013-06-27 Mitsubishi Materials Corp Granular vapor deposition material, method for depositing vapor deposition film, and vapor deposition film deposited using the vapor deposition material
CN105821684A (en) * 2015-01-09 2016-08-03 香港理工大学 Textile anhydrous coloring method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3223155B2 (en) * 1998-02-05 2001-10-29 科学技術振興事業団 Thin film spin probe
JP3470633B2 (en) * 1998-03-16 2003-11-25 三菱マテリアル株式会社 Deposition material containing MgO as a main component and method for producing the same
JPH11339665A (en) * 1998-05-27 1999-12-10 Mitsubishi Electric Corp Ac plasma display panel, substrate for it and protective film material for it
JP3314728B2 (en) * 1998-08-11 2002-08-12 三菱マテリアル株式会社 Polycrystalline MgO deposited material
JP3893793B2 (en) * 1999-04-05 2007-03-14 三菱マテリアル株式会社 MgO vapor deposition material and method for producing the same
JP2003027221A (en) * 2001-07-19 2003-01-29 Nec Corp Material for vapor deposition for protective film of plasma display panel and method for manufacturing the same
JP3832310B2 (en) * 2001-10-23 2006-10-11 松下電器産業株式会社 Plasma display panel

Also Published As

Publication number Publication date
CN1609262A (en) 2005-04-27
JP5873624B2 (en) 2016-03-01
CN100582288C (en) 2010-01-20
KR20050038555A (en) 2005-04-27
JP2010236096A (en) 2010-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5873624B2 (en) Magnesium oxide vapor deposition material
JP5657558B2 (en) Dielectric ceramic forming composition and dielectric ceramic material
JP4611138B2 (en) Method for producing magnesium oxide vapor deposition material
CN103172367A (en) Preparation method of microwave dielectric ceramic material
JP3893793B2 (en) MgO vapor deposition material and method for producing the same
KR20150021519A (en) Method for producing conductive mayenite compound having high electron density, and target
CN103172364B (en) Preparation method of microwave dielectric ceramic material
JP4627652B2 (en) Magnesium oxide vapor deposition material
CN102875143A (en) Method for preparing microwave dielectric ceramic material
US8333833B2 (en) Low thermal expansion filler, method for preparing the same and glass composition
Gong et al. Effect of a BaO-CuO-Bi2O3-B2O3 glass flux, and its processing on the dielectric properties of BaTiO3
JP5839129B2 (en) Filler and glass composition, and method for producing hexagonal phosphate
CN103172365B (en) Preparation method of microwave dielectric ceramic material
JP4438495B2 (en) Barium titanate powder
JP4255256B2 (en) Magnesium oxide powder for raw material of magnesium oxide vapor deposition material
JP4255255B2 (en) Magnesium oxide vapor deposition material
JP4579488B2 (en) Method for producing magnesium oxide vapor deposition material
JP5129772B2 (en) Sr-Ca-O sintered body
JP4572439B2 (en) Method for producing magnesium titanate powder
KR20110052628A (en) Vapor deposition material for the production of strontium/calcium composite oxide films
KR101714065B1 (en) Deposition material for physical vapor deposition method
WO2023163057A1 (en) Negative thermal expansion material and composite material
CN103172366B (en) A kind of preparation method of microwave dielectric ceramic materials
JP2023124757A (en) Negative thermal expansion material and composite material
Deng et al. Microstructure and dielectric properties of (Ba, Sr) TiO3 ceramics with alkali-free glasses

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131115

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141118

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151113

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161019

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181119

Year of fee payment: 9