KR100994073B1 - 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록 - Google Patents

반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록 Download PDF

Info

Publication number
KR100994073B1
KR100994073B1 KR1020030056329A KR20030056329A KR100994073B1 KR 100994073 B1 KR100994073 B1 KR 100994073B1 KR 1020030056329 A KR1020030056329 A KR 1020030056329A KR 20030056329 A KR20030056329 A KR 20030056329A KR 100994073 B1 KR100994073 B1 KR 100994073B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater block
block body
cover
heater
wafer
Prior art date
Application number
KR1020030056329A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050018467A (ko
Inventor
이현호
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020030056329A priority Critical patent/KR100994073B1/ko
Publication of KR20050018467A publication Critical patent/KR20050018467A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100994073B1 publication Critical patent/KR100994073B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 히터블록에 관한 것으로서, 서포터에 의해 지지되며, 히터를 내장하는 몸체로 이루어지는 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록에 관한 것으로서, 상기 히터블록의 몸체하부는 착탈 가능한 커버에 의해 감싸지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록을 제공한다.
본 발명에 의하면 히터블록몸체의 세정을 보다 간편하면서도 짧은 시간으로 수행할 수 있도록 하여 웨이퍼의 양산성을 제고할 수 있다.
히터블록, 커버

Description

커버가 장착된 히터 블록{Heater block having back side cover}
도 1은 종래 히터블록 장치 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 히터블록 장치 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 커버의 일실시예.
도 4는 본 발명에 따른 커버의 다른 실시예.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10, 100 : 히터블록몸체 12, 120 : 히터
14, 140 : 가이드핀 20, 200 : 서포터
30, 300 : 체결수단 40, 400 : 벨로스
160 : 커버 166 : 커버수직단
본 발명은 히터블록에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 히터블록 세정을 더 욱 간편하게 할 수 있는 커버가 장착된 히터블록에 관한 것이다.
일반적으로 히터블록(heater block)은 웨이퍼가 안치되는 공정챔버(process chamber, 이하에서는 챔버라 칭한다) 내부에 설치되어 웨이퍼의 안착기능과 함께 웨이퍼 가열에 필요한 온도조절을 동시에 수행할 수 있도록 설계된 장치이다.
통상 챔버 내부에서의 웨이퍼의 안착기능은 척에 의해서 이루어지나 척은 안착된 웨이퍼 가열에 필요한 온도조절 기능이 없어 별도의 히터장치가 필요로 하였는데, 이렇게 척과 별도 히터장치의 부가는 복잡한 웨이퍼 제조공정에 대응하기 어려워 웨이퍼 안착기능과 웨이퍼 온도조절 기능을 동시에 수행 가능한 히터블록이 개발되어 널리 사용되어 지고 있다.
도 1은 이러한 종래 히터블록의 기본적인 장치 구성을 보여주고 있는데 종래 히터블록은 기본적으로 히터(12)를 내장하고 있는 히터블록몸체(10)와, 상기 히터블록몸체(10)를 받치는 서포터(20)로 이루어진다.
상기 히터블록몸체(10)에는 이송된 웨이퍼(미도시)를 받아 상기 히터블록몸체(10) 상면에 안치시키기 위해 수직으로 승, 하강이 가능한 복수 개의 가이드핀(14)과 상기 가이드핀(14) 구동수단(미도시)을 포함하며, 상기 서포터(20)는 챔버 내부의 반응물질을 차단시키며 상기 히터블록몸체(10)를 별도의 구동수단(미도시)에 의해 수직으로 승, 하강시키는 주름진 벨로스(bellows, 40)로 감싸지며, 상기 히터블록몸체(10)와 상기 서포터(20)는 볼트 등과 같은 별도의 체결수단(30)에 의해 결합되어 진다.
상기와 같은 구성의 히터블록은 가이드핀(14)의 승, 하강에 의해 웨이퍼가 히터블록몸체(10) 상면에 놓여지면, 히터블록몸체 내부의 히터(12) 온도를 적절하게 조절함으로써 챔버 내부에 유입되는 반응가스들이 웨이퍼 상면에 증착될 수 있게 된다.
한편, 챔버 내부로 유입되는 반응가스들은 웨이퍼 상면 뿐 아니라 웨이퍼가 놓여지는 히터블록몸체에도 도포되어 누적막을 형성하게 되는데 이러한 누적막은 반복되는 공정에 있어 웨이퍼 박막의 균일성 및 박막 재현성에 악영향을 미쳐 히터블록몸체를 정기적으로 세정하는 별도 공정이 필요하게 된다.
히터블록몸체의 세정은 크게 히터블록몸체상면과 히터블록몸체후면으로 나누어 진행되는데, 통상 히터블록몸체상면에 형성되는 누적막은 SF6 등과 같은 불소형 에칭 가스로부터 여기된 플라즈마를 이용하여 제거를 하게 됨에 반해, 히터블록몸체 후면은 챔버에서 제거한 뒤 습식으로만 제거가 가능하다.
이는 히터블록몸체후면을 세정시 웨이퍼의 공정작업을 일단 중단하여야 하는 것을 의미하며, 세정에 필요한 시간 자체도 짧지가 않아 결국 히터블록몸체후면의 세정작업은 웨이퍼를 제조함에 있어 양산성을 크게 떨어뜨리는 요인이 되어 왔다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 고안된 것으로서, 히터블록몸체의 세정을 보다 간편하면서도 짧은 시간으로 수행할 수 있도록 하여 웨이퍼의 양산성을 제고할 수 있는 히터블록을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 서포터에 의해 지지되며, 히터를 내장하는 몸체로 이루어지는 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록에 관한 것으로서, 상기 히터블록의 몸체하부는 착탈 가능한 커버에 의해 감싸지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록을 제공한다.
상기 커버는 상기 히터블록 몸체의 측면 및 하부를 감싸는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 커버는 알루미늄 나이트라이드 또는 그래파이트 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 커버는 상기 히터블록 몸체에 별도의 체결수단으로 결합되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같은데 동일한 부분에 대해서는 도면부호만 달리할 뿐 동일한 명칭을 사용하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 바람직한 히터블록의 장치구성도로서, 본 발명에 따른 히터블록은 내부에 히터(120)를 장착하고 있는 히터블록몸체(100)와, 수직 승, 하강 가능한 벨로스(400)에 의해 감싸져 있으며 상기 히터블록몸체(100)를 지지할 수 있는 서포터(200)와, 상기 히터블록몸체(100)와 상기 서포터(200)를 결합시키는 복수 개의 체결수단(300)을 포함하여 이루어진다.
한편, 상기 히터블록몸체(100)는 상면을 제외하고는 상기 히터블록몸체(100) 에 착탈 가능한 별도의 커버(160)에 의해 감싸지는데, 커버의 실시예들이 도 3 및 도 4에 각각 도시되어 있다.
도 3에 도시된 본 발명에 따른 커버(160)는 히터블록몸체(100)의 하면과 결합될 수 있도록 서포터(200)가 관통할 수 있는 중앙에 형성되는 커버홀(162)과, 상기 커버홀(162)을 중심으로 방사상으로 체결수단(300)이 관통할 수 있는 체결수단홀(164)과, 모서리를 따라 수직으로 돌출되어 히터블록몸체(100)의 측면을 감쌀 수 있는 수직단(166)을 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 다른 실시예로서의 커버는 수직단이 없이 히터블록몸체(100)의 후면만을 감싸도록 상기 히터블록몸체(100)의 후면부와 동일한 형상으로 이루어짐을 도 4에서 확인할 수 있다.
커버(160)의 형상은 상기 커버(160)가 결합되는 히터블록몸체(100)의 형상에 따라 다양하게 변경될 수 있으므로 도시된 형상에 한정되지 않음은 물론이다.
그리고, 상기 커버(160)에 형성되는 체결수단홀(164)은 히터블록몸체(100)와 서포터(200)를 결합시키는 체결수단(300)의 형상 및 개수에 따라 다양하게 변경될 수 있는 바 본 발명에 따른 체결수단홀(164)은 도면에 도시된 형상 및 개수에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 커버(160)의 재질은 히터(120)가 웨이퍼를 가열시킴에 따라 변형되지 않고 세정시 체결수단의 해체에 따라 히터블록몸체(100)로부터 제거될 수 만 있다면 재질에 관계없이 여러 가지 다양한 재질이 가능하나 내열성 등을 감안한다면 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 그래파이트(graphite) 중에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
만일 상기와 같은 구성으로 히터블록이 이루어진다면, 웨이퍼의 제조 공정이 반복적으로 수행되고 난 이후 히터블록몸체에 누적막이 형성되어 세정을 하고자 하는 경우, 히터(120)의 온도를 하강시킨 뒤 누적막이 형성된 채로 상기 히터블록몸체(100)를 감싸고 있는 커버(160)를 제거하고 새로 갈아 끼우기만 하면 히터블록몸체의 세정작업을 간편하게 끝낼 수 있게 되는 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 한정하여 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않음은 당업자에 자명하다 할 것이다.
본 발명에 의하면 히터블록몸체의 세정에 있어 상기 히터블록몸체를 감싸는 커버의 간단한 교체에 의해 마무리될 수 있으므로 세정작업에 따른 공정중단시간을 단축시켜 웨이퍼 생산성을 증진시킬 수 있는 이점을 가진다.
또한, 본 발명에 있어서의 커버는 히터블록몸체의 후면 및 측면까지 동시에 감쌀 수도 있어 히터블록몸체의 세정을 보다 간편하게 할 수 있게 해준다.

Claims (3)

  1. 서포터에 의해 지지되며, 히터를 내장하는 몸체로 이루어지는 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록에 관한 것으로서,
    상기 히터블록의 측면 및 후면을 밀착하여 감싸고, 상기 반도체 웨이퍼의 제조과정에서 증착된 누적막을 세정하기 위해 상기 히터블록으로부터 착탈 가능한 커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 커버는 알루미늄 나이트라이드 및 그래파이트 중에서 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록.
KR1020030056329A 2003-08-14 2003-08-14 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록 KR100994073B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030056329A KR100994073B1 (ko) 2003-08-14 2003-08-14 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030056329A KR100994073B1 (ko) 2003-08-14 2003-08-14 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050018467A KR20050018467A (ko) 2005-02-23
KR100994073B1 true KR100994073B1 (ko) 2010-11-12

Family

ID=37228014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030056329A KR100994073B1 (ko) 2003-08-14 2003-08-14 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100994073B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999049501A2 (en) * 1998-03-26 1999-09-30 Applied Materials, Inc. A high temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999049501A2 (en) * 1998-03-26 1999-09-30 Applied Materials, Inc. A high temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050018467A (ko) 2005-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4209057B2 (ja) セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
KR100410982B1 (ko) 반도체 제조장치용 보트
EP2235748B1 (en) High temperature vacuum chuck assembly
JP2009091660A (ja) 被加熱型基板支持構造体
KR20020095324A (ko) 고주파 파워를 이용하는 반도체장치 제조설비
CN111146139A (zh) 用于制造晶片的装置和方法
KR100994073B1 (ko) 반도체 웨이퍼 제조장비의 히터블록
JP4181764B2 (ja) 半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体
US7153368B2 (en) Susceptor with epitaxial growth control devices and epitaxial reactor using the same
KR100534209B1 (ko) 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비
CN111799144B (zh) 基板处理装置
JP3357311B2 (ja) 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
US3432282A (en) Method for adjusting contacts in reed switches
WO2001031700A1 (fr) Porte-plaquette et dispositif de croissance epitaxiale
CN107771226B (zh) 晶片上进行外延生长的反应器重启动的准备方法
CN112097519A (zh) 含有保护遮罩的加热单元、炉管装置与其清洗方法
JP3116905B2 (ja) 縦型拡散炉
KR100714265B1 (ko) 반도체장치 식각설비의 척 조립체
KR100546154B1 (ko) 스퍼터링 챔버의 웨이퍼 로딩 장치 및 그를 이용한 스퍼터링 장치
CN112301417B (zh) 锭生长装置用坩埚
JP2804003B2 (ja) 半導体ウエハーの熱処理装置
JP7238943B1 (ja) 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法
JP3761646B2 (ja) 縦型ウエハ処理治具
KR100876134B1 (ko) 박막증착장치
JP2003188242A (ja) ウェーハ支持具

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131001

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141006

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151005

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160927

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181001

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 10