KR100990684B1 - Apparatus and method for improved rfid tag - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그는 전도성 제1물질로 이루어지는 전도층이 상부 영역에 합지된 기판; 제2물질의 브릿지층이 하부에 형성된 RFID 안테나; 및 상기 제1물질과 제2물질 사이의 전위차를 감소시키는 제3물질로 형성된 버퍼층을 포함하며, 상기 기판과 RFID 안테나는 상기 버퍼층의 개재에 의하여 결합되어 구성된다.The RFID tag of the improved structure according to the present invention comprises: a substrate having a conductive layer made of a conductive first material laminated on an upper region; An RFID antenna having a bridge layer of a second material formed thereon; And a buffer layer formed of a third material for reducing a potential difference between the first material and the second material, wherein the substrate and the RFID antenna are coupled to each other by an intervening of the buffer layer.

상기 본 발명에 의하면, 버퍼층을 통해 상기 기판과 상기 RFID 안테나를 결합함으로써, 상기 기판과 RFID 안테나 접합면에서 발생할 수 있는 부식을 방지할 수 있으며, 상기 기판과 RFID 안테나 사이의 전도성이 향상되어 전도성이 중요한 RFID태그 제조 시 성능 열하를 용이하게 방지할 수 있다.According to the present invention, by combining the substrate and the RFID antenna through a buffer layer, it is possible to prevent corrosion that may occur at the junction surface between the substrate and the RFID antenna, and the conductivity between the substrate and the RFID antenna is improved to improve the conductivity. Degradation of performance can be easily prevented in the manufacture of critical RFID tags.

Description

개선된 구조의 ＲＦＩＤ태그 및 ＲＦＩＤ태그 제조방법{APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED RFID TAG}RDF tag and RDF tag manufacturing method with improved structure {APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED RFID TAG}

본 발명은 개선된 구조의 RFID태그 및 RFID태그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판과 RFID 안테나 사이의 금속-금속 결합면에 상기 금속 사이의 전위차를 감소시키는 버퍼층이 삽입된 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그 및 RFID태그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an RFID tag and an RFID tag manufacturing method of an improved structure, and more particularly, a buffer layer for reducing the potential difference between the metal is inserted into the metal-metal coupling surface between the substrate and the RFID antenna. An improved RFID tag and a method of manufacturing the RFID tag are provided.

물리적으로 이격된 대상을 무선 신호 등을 이용하여 인식하는 방법 중 무선 인식(Radio Frequency Identification, 이하 'RFID'라 지칭함) 시스템은 무선 신호를 통해 비접촉식으로 사물에 부착된 얇은 평면 형태의 태그를 식별하여 정보를 처리하는 시스템을 지칭한다.Among the methods of recognizing physically spaced objects by using a radio signal, a radio frequency identification (RFID) system identifies a thin planar tag attached to an object in a non-contact manner through a radio signal. Refers to a system that processes information.

이러한 RFID 시스템은 안테나, 태그(Tag), 그리고 리더기로 이루어진다. 여기서, 리더기는 태그를 활성화시키기 위한 신호를 전달하기 위해 무선주파수 전파를 사용하는데, 태그는 활성화되면 가지고 있던 데이터를 안테나를 통해 리더기로 전송한다. 즉, 태그는 물품의 내용이나 주변의 상황 등의 정보를 내부 메모리에 기억하고 있다가 그 정보를 외부의 판독/기록(R/W) 단말기에 의해 읽고 쓰는 동작을 수행한다. 이때, 이러한 정보의 내용을 확인하는 수단으로서의 라디오 주파수(RF: Radio Frequency)인 전자파를 이용하는 태그를 RFID태그라고 한다. Such an RFID system consists of an antenna, a tag, and a reader. In this case, the reader uses radio frequency waves to transmit a signal for activating the tag. When the tag is activated, the tag transmits data to the reader through the antenna. That is, the tag stores information such as the contents of the article or the surrounding situation in the internal memory, and then reads and writes the information by an external read / write (R / W) terminal. At this time, a tag using an electromagnetic wave of a radio frequency (RF) as a means for confirming the content of such information is called an RFID tag.

이 때, 상기 RFID태그는 단일 안테나 또는 적어도 하나의 단일 폐 루프를 형성되어 있는 RFID 안테나와, 상기 RFID 안테나와 전기적으로 연결되도록 접합된 RFID 칩을 포함하여 구성된다.In this case, the RFID tag includes an RFID antenna having a single antenna or at least one single closed loop, and an RFID chip bonded to be electrically connected to the RFID antenna.

상기와 같은 RFID태그는 상기 RFID 칩의 기판과 RFID 안테나를 본딩하는 공정을 거쳐 제조된다. 이 때, RFID 칩의 기판 상에 알루미늄(Al)으로 이루어진 박층을 먼저 적층한 다음 상기 알루미늄 박층과 상기 RFID 안테나의 하부에 형성된 은(Ag)재질의 브릿지층이 맞닿도록 하여 본딩한다.The RFID tag is manufactured through a process of bonding a substrate of the RFID chip and an RFID antenna. At this time, a thin layer made of aluminum (Al) is first stacked on the substrate of the RFID chip, and the aluminum thin layer and the silver (Ag) bridge layer formed under the RFID antenna are bonded to each other.

여기에서 상기와 같이 이종의 금속끼리 결합을 이루게 되면, 상기 금속 사이의 이온화 경향 차이에 의해 이들 금속 간에 전위차가 발생하게 되고, 전위가 낮은 쪽의 금속에서 전위가 높은 쪽의 금속으로 전자의 이동이 일어나서 부식이 진행된다.Here, when heterogeneous metals are bonded as described above, a potential difference is generated between the metals due to the difference in ionization tendency between the metals, and the movement of electrons from the metal of the lower potential to the metal of the higher potential is caused. Rise and corrosion progresses.

이러한 현상을 갈바닉 부식(Galvanic Corrosion)이라 하며, 특히 기존 RFID태그의 접합부를 이루는 알루미늄-은 사이와 같이 이온화 경향차가 큰 금속끼리 접촉하게 되는 경우 더욱 부식이 촉진되게 된다.This phenomenon is called galvanic corrosion, and especially when metals having a large difference in ionization tendency such as aluminum-silver forming a junction of an existing RFID tag are brought into contact with each other.

상기와 같은 현상으로 인해 발생한 기판과 RFID 안테나 사이의 국부적인 부식은 접촉면의 접촉 특성이 열하시켜 결합부위를 약하게 한다. 또한, 상기 부식은 상기 기판과 RFID 안테나 사이의 전기전도도에도 악영향을 미치게 되므로 RFID태그의 성능이 열하되는 문제점이 발생한다.Local corrosion between the substrate and the RFID antenna caused by the above phenomenon degrades the contact area due to deterioration of the contact characteristics of the contact surface. In addition, since the corrosion also adversely affects the electrical conductivity between the substrate and the RFID antenna, there is a problem that the performance of the RFID tag is degraded.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판 및 RFID 안테나의 결합면에 상기 기판과 RFID 안테나 사이의 부식을 방지할 수 있는 버퍼층을 삽입함으로써 전기적 접속의 신뢰성 및 향상된 성능을 기대 가능한 RFID태그를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems described above, by inserting a buffer layer to prevent corrosion between the substrate and the RFID antenna on the mating surface of the substrate and the RFID antenna RFID that can expect the reliability and improved performance of the electrical connection The purpose is to provide a tag.

본 발명에 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타난 구성과 구성의 조합에 의해 실현될 수 있다.Other objects and advantages of the present invention will be described below and will be appreciated by the embodiments of the present invention. In addition, the objects and advantages of the present invention can be realized by the configuration and combination of configurations shown in the claims.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 개선된 구조의 RFID태그는 전도성 제1물질로 이루어지는 전도층이 상부 영역에 합지된 기판; 제2물질의 브릿지층이 하부에 형성된 RFID 안테나; 및 상기 제1물질과 제2물질 사이의 전위차를 감소시키는 제3물질로 형성된 버퍼층을 포함하며, 상기 기판과 RFID 안테나는 상기 버퍼층의 개재에 의하여 결합되어 구성된다.The RFID tag of the improved structure of the present invention for achieving the above object is a substrate having a conductive layer made of a conductive first material laminated on the upper region; An RFID antenna having a bridge layer of a second material formed thereon; And a buffer layer formed of a third material for reducing a potential difference between the first material and the second material, wherein the substrate and the RFID antenna are coupled to each other by an intervening of the buffer layer.

여기서 상기 버퍼층의 제3물질은, 상기 제1물질의 이온화 경향과 상기 제2물질의 이온화 경향 사이의 이온화 경향을 가지는 물질인 것이 바람직하다.Here, the third material of the buffer layer is preferably a material having an ionization tendency between the ionization tendency of the first material and the ionization tendency of the second material.

또한 바람직한 실시형태를 구현하기 위하여, 상기 제1물질은 알루미늄이며, 상기 제2물질은 은으로 설정될 수 있으며, 상기 버퍼층의 제3물질은 구리로 선택될 수 있다.Further, in order to implement a preferred embodiment, the first material is aluminum, the second material may be set to silver, the third material of the buffer layer may be selected from copper.

더욱 바람직한 실시형태를 구현하기 위하여, 상기 버퍼층은, 상기 전도층 상에 형성되되, 상기 안테나 칩이 결합되는 부위에만 형성되어 구성될 수 있다.In order to implement a more preferred embodiment, the buffer layer is formed on the conductive layer, it may be formed to be formed only in the portion where the antenna chip is coupled.

본 발명의 다른 측면에 의한 본 발명은, 기판 상부 영역에 전도성 제1물질을 합지하여 전도층을 형성하는 전도층형성단계; 상기 전도층의 상부에 제3물질로 이루어진 버퍼층을 코팅하는 버퍼층형성단계; 및 제2물질의 브릿지층이 하부에 형성된 RFID 안테나를 상기 버퍼층 상부에 접합하는 접합단계를 포함하고, 상기 버퍼층의 상기 제3물질은 상기 제1물질과 제2물질 사이의 전위차를 감소시키는 물질로 구성될 수 있다.In accordance with another aspect of the present invention, a conductive layer forming step of forming a conductive layer by laminating a conductive first material in the upper region of the substrate; A buffer layer forming step of coating a buffer layer made of a third material on the conductive layer; And a bonding step of bonding an RFID antenna having a bridge layer of a second material formed on the buffer layer to an upper portion of the buffer layer, wherein the third material of the buffer layer is a material that reduces the potential difference between the first material and the second material. Can be configured.

본 발명에 의하면, 기판상의 전도층 및 RFID 안테나의 브릿지층 사이에, 상기 전도층과 브릿지층을 구성하는 물질 사이의 전위차를 감소시키는 물질로 이루어진 버퍼층을 구비함으로써, 이종 금속 접촉에 의한 부식을 용이하게 방지할 수 있다. According to the present invention, by providing a buffer layer made of a material for reducing the potential difference between the conductive layer and the material constituting the bridge layer between the conductive layer on the substrate and the bridge layer of the RFID antenna, corrosion by dissimilar metal contact is facilitated. Can be prevented.

또한, 상기와 같은 버퍼층을 구비하는 것으로 금속-금속 접합에 기인한 저항을 감소시킬 수 있어서, 전도성 향상 확보로 RFID태그 특성을 향상시킬 수 있다.In addition, by having the buffer layer as described above can reduce the resistance caused by the metal-metal junction, it is possible to improve the RFID tag characteristics by ensuring the conductivity.

이와 더불어 간단한 제조 공정으로 RFID태그의 성능열하를 방지할 수 있기 때문에 제조 단가를 최소화하여 경제성을 추구할 수 있는 효과가 발생한다.In addition, since the degradation of the performance of the RFID tag can be prevented by a simple manufacturing process, there is an effect of minimizing the manufacturing cost and pursuing economic feasibility.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Prior to this, terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to the common or dictionary meanings, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 1은 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing an RFID tag of an improved structure according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그는 기판(100), RFID 안테나(200) 및 버퍼층(300)을 포함하며, 상기 기판(100)과 RFID 안테나(200)의 접합 계면에 상기 버퍼층(300)이 삽입되어 형성된다.As shown in FIG. 1, an RFID tag having an improved structure according to the present invention includes a substrate 100, an RFID antenna 200, and a buffer layer 300, and includes a substrate 100 and an RFID antenna 200. The buffer layer 300 is inserted into and formed at a bonding interface.

상기 기판(100)는 RFID 태그를 형성하는데 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 기판(100)은 PET(Poly Ethylene Terephatalate)의 재료로 이루어지는 시트형의 베이스나 PCB, FPCB 등을 포함하는 수지기판, 유리기판 또는 반도체 기판을 포함하며, 전도체의 배선이 형성가능한 기판이 모두 가능하다.The substrate 100 may be made of any material suitable for forming an RFID tag. In one embodiment, the substrate 100 includes a sheet-like base made of a material of poly ethylene terephatalate (PET), a resin substrate, a glass substrate, or a semiconductor substrate including a PCB, an FPCB, and the like, and the wiring of the conductor can be formed. All substrates are possible.

상기 기판(100)의 그 상부 영역에 전도성 제1물질로 이루어지는 전도층(110)을 포함한다. 이 때, 상기 제1물질은 RFID 안테나(200)와 기판(100) 사이의 전기적 통전을 고려하여 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것이 바람직하다. 또한, 전도층(110)은 기판(100)의 상부 영역 전체에 합지될 수도 있고, 마스크 패턴을 이용한 형성방법을 적용하여 선택적인 영역에 합지될 수도 있다. A conductive layer 110 made of a conductive first material is included in an upper region of the substrate 100. In this case, the first material is preferably aluminum or an aluminum alloy in consideration of electrical conduction between the RFID antenna 200 and the substrate 100. In addition, the conductive layer 110 may be laminated on the entire upper region of the substrate 100 or may be laminated on the selective region by applying a forming method using a mask pattern.

상기 RFID 안테나(200)는 RFID 태그가 외부 기기와 무선 통신을 행하여 정보를 교환할 수 있도록 하며, 상기 안테나의 형상은 한정되지 않고 여러 가지 형상의 안테나를 채용할 수 있다.The RFID antenna 200 enables the RFID tag to exchange information by performing wireless communication with an external device, and the antenna is not limited in shape, and may employ various antennas.

이 때, 상기 RFID 안테나(200)의 하부는, 도 1에 도시된 바와 같이 그 표면이 고르지 않을 수 있다. 상기와 같은 표면은 상기 기판(100)과 RFID 안테나(200)의 본딩 시 밀착성에 악영향을 끼칠 수 있다. At this time, the lower surface of the RFID antenna 200, as shown in Figure 1 may be uneven surface. Such a surface may adversely affect the adhesion during bonding of the substrate 100 and the RFID antenna 200.

이를 방지하기 위해 상기 RFID 하부에 제2물질의 브릿지층(210)이 형성되어 접촉을 위한 평탄한 표면을 제공하도록 작용한다. 이 때, 상기 제2물질은 보다 강고한 접합을 위해 은(Ag)인 것이 바람직하다. In order to prevent this, a bridge layer 210 of a second material is formed below the RFID to serve to provide a flat surface for contact. At this time, the second material is preferably silver (Ag) for stronger bonding.

상기 버퍼층(300)은 상기 기판(100)과 RFID 안테나(200) 사이에 형성되며, 상기 기판(100)의 전도층(110) 및 상기 RFID 안테나(200)의 브릿지층(210)이 서로 맞닿는 부분에 개재된다. The buffer layer 300 is formed between the substrate 100 and the RFID antenna 200, and the conductive layer 110 of the substrate 100 and the bridge layer 210 of the RFID antenna 200 contact each other. Intervened in

이 때, 상기 버퍼층(300)은 상기 제1물질과 제2물질 사이의 전위차를 감소시키는 제3물질로 형성되며, 상기 제3물질은 구리인 것이 바람직하다.In this case, the buffer layer 300 is formed of a third material for reducing the potential difference between the first material and the second material, the third material is preferably copper.

또한, 상기 버퍼층(300)의 제3물질은, 상기 제1물질의 이온화 경향과 상기 제2물질의 이온화 경향 사이의 이온화 경향을 가지는 물질인 것이 바람직하다. In addition, the third material of the buffer layer 300 is preferably a material having an ionization tendency between the ionization tendency of the first material and the ionization tendency of the second material.

상기와 같은 제3물질은 부식을 야기시키는 전자의 이동을 완화시켜 이종 금속의 접촉 부식에 대하여 우수한 내식성을 얻을 수 있어, 접합 강도와 내식성의 향상이 가능하다.The third material as described above can reduce the movement of electrons causing corrosion to obtain excellent corrosion resistance against contact corrosion of dissimilar metals, thereby improving bonding strength and corrosion resistance.

또한, 상기와 같이 알루미늄으로 형성된 전도층(110) 및 은으로 형성된 브릿 지층(210) 사이에 구리로 버퍼층(300)을 형성하게 되면, 이종 금속 접촉면 사이의 전위차 감소가 가능하여 갈바닉 부식현상을 감소시킬 수 있다. 또한, 접촉면에서의 면저항 감소가 가능하여 전도도를 향상시킬 수 있다.In addition, when the buffer layer 300 is formed of copper between the conductive layer 110 formed of aluminum and the bridge layer 210 formed of silver as described above, a potential difference between dissimilar metal contact surfaces can be reduced, thereby reducing galvanic corrosion. You can. In addition, it is possible to reduce the sheet resistance at the contact surface to improve the conductivity.

상기 실시예에서는, 알루미늄-구리-은의 접합을 설명했지만, 이종 금속의 조합으로 상기 조합 이외에도 전기 부식이 문제되는 모든 이종 금속 접합에 적용할 수 있다．In the above embodiment, the bonding of aluminum-copper-silver has been described, but the combination of dissimilar metals can be applied to all dissimilar metal joints in which electrocorrosion is a problem other than the combination.

한편, 상기 버퍼층(300)은 상기 안테나 칩이 결합되는 부위에만 형성된다. 즉, 상기 버퍼층(300)은 상기 전도층(110)의 표면에 형성되어 상기 RFID 안테나(200)와 대응되도록 정렬되되, 전기적 도전성을 열하시키지 않는 범위 내에서 선택적 영역에 형성될 수 있다. Meanwhile, the buffer layer 300 is formed only at the portion where the antenna chip is coupled. That is, the buffer layer 300 may be formed on the surface of the conductive layer 110 and aligned to correspond to the RFID antenna 200, but may be formed in an optional region within a range that does not degrade the electrical conductivity.

이에 대한 RFID태그의 버퍼층(300)의 실시예는 도 2에 도시되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이 버퍼층(300)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 상기와 같이 RFID 안테나(200)와 기판(100) 사이의 접합면 전체가 아닌 필요한 영역에만 버퍼층(300)이 형성되는 경우, 버퍼층(300) 형성 재료의 사용량을 최소화할 수 있다. 또한, 제조 과정 중 잉여 재료로 인한 공정 과정의 비효율성을 방지할 수 있다.An embodiment of the buffer layer 300 of the RFID tag is shown in FIG. 2. As shown in FIG. 2, the buffer layer 300 may be formed in various shapes. As described above, the buffer layer 300 may be formed only in a required area, rather than the entire bonding surface between the RFID antenna 200 and the substrate 100. In this case, the amount of the material for forming the buffer layer 300 may be minimized. In addition, it is possible to prevent inefficiency of the process due to the surplus material during the manufacturing process.

도 3은 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그의 제조 방법에 대한 순서도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 개선된 구조의 RFID태그의 제조 방법은 전도층형성단계(S300), 브릿지층 형성단계(S310), 버퍼층형성단계(S320) 및 접합단계(S330)를 포함한다.3 is a flowchart of a method of manufacturing an RFID tag having an improved structure according to the present invention. Referring to FIG. 3, the method of manufacturing an RFID tag having an improved structure according to a preferred embodiment of the present invention includes a conductive layer forming step (S300), a bridge layer forming step (S310), a buffer layer forming step (S320), and a bonding step ( S330).

상기 전도층형성단계(S300)는 기판 상부 영역에 전도성 제1물질을 합지하여 전도층을 형성하는 단계로서, 전도층 형성 시 전도층의 두께가 너무 얇은 경우 제조 수율이 떨어지고 접합강도가 약해지며, 그 두께가 너무 두꺼운 경우 RFID 태그의 소형화에 역행하게 되므로 접합 신뢰도 등을 고려하여 안정적인 접합을 이루는 두께로 조절한다.The conductive layer forming step (S300) is a step of forming a conductive layer by laminating a conductive first material in the upper region of the substrate. When the conductive layer is formed, when the thickness of the conductive layer is too thin, the manufacturing yield drops and the bonding strength becomes weak. If the thickness is too thick, it will counteract the miniaturization of the RFID tag. Therefore, the thickness is adjusted to a stable bonding in consideration of the bonding reliability.

다음으로, 브릿지층 형성단계(S310)는 RFID 안테나 하부에 브릿지층을 형성하는 단계이다. 상기 브릿지층 형성단계(S310)는 상기 접합과정(S330)보다 먼저 실행되는 과정으로 브릿지층을 형성하는 이유는 상술한 바와 같다.Next, the bridge layer forming step (S310) is a step of forming a bridge layer under the RFID antenna. The bridge layer forming step (S310) is performed before the bonding process (S330), and thus the reason for forming the bridge layer is as described above.

다음으로, 상기 버퍼층형성단계(S320)는 상기 전도층 상부에 제3물질로 이루어진 버퍼층을 코팅하는 단계이다. 이 때, 상기 버퍼층의 상기 제3물질은 상기 제1물질과 제2물질 사이의 전위차를 감소시키는 물질이며 구리와 같이 상대적으로 저가의 물질이 바람직하다. 또한, 상기 버퍼층은 상기 전도층 상부를 선택적으로 코팅하여 원하는 패턴으로 형성한다. 이 때, 상기 버퍼층은 이종 금속 결합의 조합물들이 필요한 전도 특성들이 산출되도록 소정의 두께로 형성된다.Next, the buffer layer forming step (S320) is a step of coating a buffer layer made of a third material on the conductive layer. In this case, the third material of the buffer layer is a material that reduces the potential difference between the first material and the second material, and a relatively inexpensive material such as copper is preferable. In addition, the buffer layer is selectively coated on the conductive layer to form a desired pattern. At this time, the buffer layer is formed to a predetermined thickness so that combinations of dissimilar metal bonds are calculated.

마지막으로, 상기 접합단계(S330)는 RFID 안테나를 상기 형성된 버퍼층 상부에 접합하는 단계로, 상기 버퍼층이 코팅된 영역 상에 상기 RFID 안테나를 탑재하여 가열 및 가압함으로써, 상기 RFID 안테나를 상기 버퍼층의 상부에 접속하는 동시에 상기 RFID 안테나를 기판상에 고정한다. 상기와 같이 RFID 안테나가 기판에 접속됨으로써 접촉면에 대한 부식이나 전기 전도도의 열하없이 상기 RFID 안테나를 통해 무선 통신을 행할 수 있다.Finally, the bonding step (S330) is a step of bonding the RFID antenna on the formed buffer layer, by mounting and heating the RFID antenna on the buffer layer-coated area, by heating and pressing the RFID antenna on the buffer layer And the RFID antenna is fixed on the substrate. By connecting the RFID antenna to the substrate as described above, wireless communication can be performed through the RFID antenna without deterioration of the contact surface or deterioration of the electrical conductivity.

상기와 같은 공정을 통해,상기 버퍼층을 기판 및 RFID 안테나 사이에 삽입하 는 방법은 단순한 공정으로 용이하게 이종 금속간에 발생가능한 부식을 방지할 수 있고 복잡한 공정없이 버퍼층의 형성이 가능하므로 경제적 이득의 창출이 가능하다.Through the above process, the method of inserting the buffer layer between the substrate and the RFID antenna is a simple process, which can easily prevent corrosion between dissimilar metals and can form a buffer layer without a complicated process, thereby creating economic benefits. This is possible.

도 4는 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그의 제조 실시예에 따른 특성 비교표이다. 4 is a characteristic comparison table according to an embodiment of manufacturing an RFID tag having an improved structure according to the present invention.

상기 제조 실시예에서는 13.56Mhz RFID 태그를 대상으로 버퍼층의 두께를 변화시키며 면저항 감소율을 측정하였다. 상기 표를 참조하면 버퍼층의 두께 증가에 따라 면저항이 감소되어 이종 금속간의 접촉에 의한 내식성이 향상되는 것을 볼 수 있다.In the manufacturing example, the sheet resistance reduction rate was measured while varying the thickness of the buffer layer for the 13.56Mhz RFID tag. Referring to the table, it can be seen that as the thickness of the buffer layer increases, the sheet resistance decreases, thereby improving corrosion resistance due to contact between different metals.

하지만 상기 버퍼층의 두께는 사용되는 시스템의 무선주파수, 금속의 표면상태(거칠기 및 표면산화피막정도 등), 접촉 형상 등의 변수에 따라 달라지게 되므로 필요한 전도 특성에 따라 알맞은 전도도가 산출되도록 조절하는 것이 바람직하다.However, the thickness of the buffer layer is dependent on variables such as radio frequency of the system used, the surface state of the metal (roughness and surface oxide film thickness, etc.), contact shape, etc. desirable.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is described below by the person skilled in the art and the technical spirit of the present invention. Various modifications and variations are possible without departing from the scope of the appended claims.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.The following drawings, which are attached to this specification, illustrate exemplary embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the present invention serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention includes matters described in such drawings. It should not be construed as limited to.

도 1은 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing an RFID tag of an improved structure according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그의 버퍼층에 대한 실시예,2 is an embodiment of a buffer layer of an RFID tag of an improved structure according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그의 제조 방법에 대한 순서도,3 is a flowchart of a method of manufacturing an RFID tag having an improved structure according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 개선된 구조의 RFID태그의 제조 실시예에 따른 특성 비교표이다.4 is a characteristic comparison table according to an embodiment of manufacturing an RFID tag having an improved structure according to the present invention.

Claims (10)

전도성 제1물질로 이루어지는 전도층이 상부 영역에 합지된 기판;A substrate in which a conductive layer made of a conductive first material is laminated to an upper region; 제2물질의 브릿지층이 하부에 형성된 RFID 안테나; 및An RFID antenna having a bridge layer of a second material formed thereon; And 상기 제1물질과 제2물질 사이의 전위차를 감소시키는 제3물질로 형성된 버퍼층을 포함하며,A buffer layer formed of a third material to reduce the potential difference between the first material and the second material, 상기 기판과 RFID 안테나는 상기 버퍼층의 개재에 의하여 결합되는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그.And the substrate and the RFID antenna are coupled by intervening the buffer layer. 제1항에 있어서, 상기 버퍼층의 제3물질은,The method of claim 1, wherein the third material of the buffer layer, 상기 제1물질의 이온화 경향과 상기 제2물질의 이온화 경향 사이의 이온화 경향을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그.RFID tag having an improved structure, characterized in that the material has an ionization tendency between the ionization tendency of the first material and the ionization tendency of the second material. 제 2항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 제1물질은 알루미늄이며, 상기 제2물질은 은인 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그.And wherein the first material is aluminum and the second material is silver. 제 3항에 있어서, 상기 버퍼층의 제3물질은,The method of claim 3, wherein the third material of the buffer layer, 구리인 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그.RFID tag of the improved structure, characterized in that the copper. 제 4항에 있어서, 상기 버퍼층은,The method of claim 4, wherein the buffer layer, 상기 전도층 상에 형성되되, 상기 안테나 칩이 결합되는 부위에만 형성된 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그.The RFID tag of the improved structure is formed on the conductive layer, characterized in that formed only in the portion where the antenna chip is coupled. 기판 상부 영역에 전도성 제1물질을 합지하여 전도층을 형성하는 전도층형성단계;A conductive layer forming step of forming a conductive layer by laminating a conductive first material on an upper region of the substrate; 상기 전도층의 상부에 제3물질로 이루어진 버퍼층을 코팅하는 버퍼층형성단계; 및A buffer layer forming step of coating a buffer layer made of a third material on the conductive layer; And 제2물질의 브릿지층이 하부에 형성된 RFID 안테나를 상기 버퍼층 상부에 접합하는 접합단계를 포함하고,And a bonding step of bonding an RFID antenna having a bridge layer of a second material formed thereon to an upper portion of the buffer layer, 상기 버퍼층의 상기 제3물질은 상기 제1물질과 제2물질 사이의 전위차를 감소시키는 물질인 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그 제조방법.And wherein said third material of said buffer layer is a material that reduces the potential difference between said first material and said second material. 제6항에 있어서, 상기 버퍼층형성단계의 제3물질은,The method of claim 6, wherein the third material of the buffer layer forming step, 상기 제1물질의 이온화 경향과 상기 제2물질의 이온화 경향 사이의 이온화 경향을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그 제조방법.And an ionization tendency between the ionization tendency of the first material and the ionization tendency of the second material. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제1물질은 알루미늄이며, 상기 제2물질은 은인 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그 제조방법.And wherein the first material is aluminum and the second material is silver. 제 8항에 있어서, 상기 버퍼층의 제3물질은,The method of claim 8, wherein the third material of the buffer layer, 구리인 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그 제조방법.An RFID tag manufacturing method of an improved structure, characterized in that the copper. 제 9항에 있어서, 상기 버퍼층은,The method of claim 9, wherein the buffer layer, 상기 전도층 상에 형성되되, 상기 안테나 칩이 결합되는 부위에만 형성된 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 RFID태그 제조방법.Is formed on the conductive layer, RFID tag manufacturing method of the improved structure, characterized in that formed only in the portion where the antenna chip is coupled.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000284261A (en) 1999-03-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic apparatus
US7342490B2 (en) 2004-11-23 2008-03-11 Alien Technology Corporation Radio frequency identification static discharge protection

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