KR100990643B1 - p형 질화물 반도체 제조방법 및 질화물 반도체 소자 - Google Patents

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알렉세이 사하로프
예브게니 자바린
안드레이 짜실리코프
안드레이 니콜라예프
이성숙
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100398516B1 (ko) 1997-01-09 2003-09-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100398516B1 (ko) 1997-01-09 2003-09-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
KR100589622B1 (ko) 1998-03-12 2006-09-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
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