KR100988300B1 - 다층 고분자 광회로의 제작 방법 - Google Patents

다층 고분자 광회로의 제작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다층 고분자 광회로의 제작 방법에 관한 것으로서, 핫 엠보싱 공정을 이용하여 하부 클래드를 제작하는 제1단계와, 상기 핫 엠보싱 공정에 의해 중간 클래드를 제작하는 제2단계와, 소프트 리소그래피 공정을 이용하여 상기 중간 클래드의 후면에 코어를 형성시키는 제3단계와, 상기 제3단계에 의해 코어가 형성된 중간 클래드의 후면과 상기 하부 클래드의 전면을 정합시키는 제4단계와, 상기 하부 클래드와 정합된 상기 중간 클래드의 후면에 상부 클래드를 정합하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되고 작용하는 본 발명의 다층 고분자 광회로의 제작 방법은 저렴한 비용으로 단시간 내에 제작할 수 있으므로, 지속적으로 증가하는 광신호의 처리를 위하여 요구되는 광회로를 고집적화로 극복할 수 있는 장점이 있다.
또한, 광분배 결합기(Optical Splitter), 광 커플러(Optical Coupler), 광 스위치(Optical Switch) 등과 같이 광회로에 사용되는 광소자를 구조적인 제약 및 광회로의 크기에 제약받지 않는 다층 고분자 광회로를 제작할 수 있는 장점이 있다.
광회로, 핫 엠보싱, 소프트 리소그래피, 코어, 클래드, 열가소성 고분자

Description

다층 고분자 광회로의 제작 방법{MANUFACTURING METHOD OF MULTILAYERED POLYMER PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT}
본 발명은 다층 고분자 광회로의 제작 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 단일모드와 다중모드를 포함하는 광회로를 핫 엠보싱 공정과 소프트 리소그래피 공정을 이용하여 제작할 수 있는 다층 고분자 광회로의 제작 방법에 관한 것이다.
지식 정보화 사회의 고도화에 따라 정보 전송량의 수요를 충족시키기 위하여 고집적화 및 광대역폭의 소자 수요가 늘어나고 있으며, 그 범위와 중요성 또한 매우 증가하고 있다.
이러한 수요를 충족시키기 위하여 최근에 광직접회로(Photonic Integrated Circuit;PIC)에 대한 연구가 활발히 진행 중이며, 최근에 광집적회로의 연구 및 제작은 주로 평면 광회로 중심으로 이루어지고 있다.
기본적으로 광집적회로는 저굴절율의 클래드와 클래드 내부에 고굴절율의 코어로 구성되며, 광집적회로를 제작하는 방법으로는 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정과 소프트 리소그래피(Soft Lithography) 및 핫 엠보싱(Hot Embossing) 공정 등이 있다.
상기 포토 리소그래피 공정은 평면 기판상에 감광성 고분자 수지(Photo Resist)를 스핀 코팅하여 하부 클래드를 제작하고, 제작된 하부 클래드 위에 하부 클래드보다 고굴절율의 감광성 고분자 수지를 스핀 코팅하고, 자외선을 선택적으로 투과시킬 수 있는 포토 마스크(Photo Mask)와 접촉 후, 노광/현상 공정에 의하여 코어를 제작하고, 다시 하부 클래드와 동일한 감광성 수지를 스핀 코팅하여 상부 클래드를 제작하는 기법으로 평면 광회로를 제작한다.
상기 소프트 리소그래피 공정은 실리콘(Silicon), 석영(Quartz) 등의 재료에 의해 제작된 원형 마스터를 탄성체 금형으로 복제하여 기판과 정합 접촉 후, 탄성체 금형과 기판 사이에 형성된 캐비티(cavity) 내에 코어 수지를 주입하여 상기 캐비티의 모세관력에 의해 완전히 충진되게 하고, 상기 코어를 자외선으로 경화하여 패턴을 제작하는 공정이다.
상기 핫 엠보싱 공정은 실리콘(Silicon), 니켈(Nickel), 석영(Quartz) 등의 재료에 의해 제작된 금형을 사용하여 열가소성 고분자에 일정 온도에서 일정 압력을 가압하여 하부 클래드를 제작하고, 상기 하부 클래드보다 고굴절율의 코어 수지를 주입한 후, 상기 하부 클래드에 동일한 굴절율을 가지는 상부 클래드를 덮고 자외선으로 코어를 경화시켜 광회로를 제작한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 종래의 광회로 제작 방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 종래의 일반적인 핫 엠보싱 공정에 의한 광회로의 제작 방법을 도시하는 개념도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 핫 엠보싱 공정에 의한 광회로의 제작 방법은, 일정 형상의 양각 금형(12)을 열가소성 고분자(14)에 가압하는 (1)단계와, 상기 열가소성 고분자(14)에 가압시킨 상기 양각 금형(12)을 분리하여 하부 클래드(14a)를 제작하는 (2)단계와, 상기 하부 클래드(14a)에 코어(13) 수지를 충진하는 (3)단계와, 상기 하부 클래드(14a)에 상부 클래드(16)를 덮고 충진된 코어(13)를 노광하는 (4)단계를 포함하여 이루어진다.
상기 (1)단계에서는 일정 온도와 일정 압력을 가하여야 하며, 온도는 일반적으로 열가소성 고분자(14)의 유리전이 온도보다 10 ~ 50℃ 정도 높은 온도에서 이루어진다.
상기 (2)단계에서는 열가소성 고분자(14)의 소성변형이 발생하는 온도 이하로 냉각 후 양각 금형(12)과 열가소성 고분자(14)를 분리하며, 냉각 온도는 일반적으로 열가소성 고분자(14)의 유리전이 온도보다 10 ~ 30℃ 정도 낮은 온도에서 이루어진다.
상기 (3)단계에서는 상기 하부 클래드(14a)보다 고굴절율의 코어(13) 수지를 충진해야한다.
상기 (4)단계에서는 하부 클래드(14a)와 동일한 굴절율을 가지는 상부 클래드(16)를 덮어야 하며, 충진된 코어(13)를 자외선으로 경화시켜 최종적으로 광회로를 제작할 수 있다.
도 2는 종래의 일반적인 소프트 리소그래피 공정에 의한 광회로의 제작 방법을 도시하는 개념도이다.
원형 마스터에 의해 복제된 탄성체 금형(22)과 하부 클래드(24)를 정합 접촉시키는 (1)단계와, 상기 탄성체 금형(22)과 하부 클래드(24) 사이에 형성된 캐비티(cavity) 내에 코어(23) 수지를 주입하여 상기 캐비티의 모세관력에 의해 코어(23) 수지가 완전히 충진되게 하는 (2)단계와, 정합 접촉된 상기 탄성체 금형(22)과 하부 클래드(24) 사이에 존재하는 코어(23) 수지를 탄성체 금형(22)의 윗면을 통하여 자외선에 노출시켜 경화시키는 (3)단계와, 코어(23)가 경화되면 상기 탄성체 금형(22)과 하부 클래드(24)를 분리하는 (4)단계와, 상기 코어(23) 패턴상에 상기 하부 클래드(24)와 동일한 굴절율을 가지는 상부 클래드를 도포하는 (5)단계를 포함하여 이루어진다.
상기와 같은 핫 엠보싱 공정과 소프트 리소그래피 공정 등을 이용하여 다층 광회로 제작에 대한 연구가 이루어지고는 있으나, 아직 초기 단계로 활발한 연구가 이루어지지 않고 있다.
그리고, 최근 대용량의 광신호 전송 및 처리에 대한 요구가 급격히 증가하고 있는 상황이므로, 저렴한 비용으로 단시간 내에 제작하여 고집적화가 가능한 다층 고분자 광회로의 제작이 절실히 요구되고 있는 실정이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 목적은 지식 정보화 사회의 고도화에 따라 정보 전송량의 수요를 충족시킬 수 있도록 광회로의 크기에 상관없이 단일모드와 다중모드를 포함하는 고집적화가 가능한 다층 고분자 광회로의 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 저렴한 비용으로 단시간 내에 제작하여 고집적화가 가능한 다층 고분자 광회로의 제작 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 다층 고분자 광회로의 제작 방법은 핫 엠보싱 공정을 이용하여 하부 클래드를 제작하는 제1단계와, 상기 핫 엠보싱 공정에 의해 중간 클래드를 제작하는 제2단계와, 소프트 리소그래피 공정을 이용하여 상기 중간 클래드의 후면에 코어를 형성시키는 제3단계와, 상기 제3단계에 의해 코어가 형성된 중간 클래드의 후면과 상기 하부 클래드의 전면을 정합시키는 제4단계와, 상기 하부 클래드와 정합된 상기 중간 클래드의 후면에 상부 클래드를 정합하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 코어가 형성된 중간 클래드를 다수개 제작할 수 있도록 상기 제2단계 및 제3단계를 소정의 횟수만큼 반복하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제4단계에 의해 제작된 광회로의 전면에는 상기 제3단계에 의해 제작된 다수개의 중간 클래드를 소정의 횟수만큼 추가로 정합하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1단계 및 제2단계는 소정의 패턴이 형성된 양각 금형을 열가소성 고분자의 전면에 가압하는 (가)단계와, 상기 열가소성 고분자에 가압시킨 상기 양각 금형을 분리하는 (나)단계를 포함하여 이루어지며, 상기 각 단계에 의해 제작된 하부 클래드 및 중간 클래드의 전면에는 상기 양각 금형에 형성된 패턴에 의해 소정 간격의 얼라인 키가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제3단계는 원형 금형을 소프트 리소그래피의 복제 공정에 의하여 탄성체 금형으로 복제하는 (가)단계와, 상기 제2단계에 의해 제작된 중간 클래드의 후면과 상기 탄성체 금형의 전면을 정합 접촉시키는 (나)단계와, 상기 중간 클래드와 탄성체 금형 사이에 형성된 캐비티 내에 코어 수지를 충진하는 (다)단계와, 상기 코어 수지가 충진된 탄성체 금형의 후면을 노광한 후 상기 탄성체 금형을 분리하는 (라)단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되고 작용하는 본 발명의 다층 고분자 광회로의 제작 방법은 저렴한 비용으로 단시간 내에 제작할 수 있으므로, 지속적으로 증가하는 광신호의 처리를 위하여 요구되는 광회로를 고집적화로 극복할 수 있는 장점이 있다.
또한, 광분배 결합기(Optical Splitter), 광 커플러(Optical Coupler), 광 스위치(Optical Switch) 등과 같이 광회로에 사용되는 광소자를 구조적 제약 및 광회로의 크기에 제약받지 않는 다층 고분자 광회로를 제작할 수 있는 장점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부된 도면에 의거한 다음의 바람직한 실시 예에 대한 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
또한, 하기 설명에서 구체적인 회로의 구성소자 등과 같은 특정 사항들 없이도, 본 발명이 실시될 수 있음은 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다 할 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 다층 고분자 광회로의 제작 방법 중 제1단계 및 제2단계를 도시하는 개념도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 다층 고분자 광회로의 제작 방법 중 제3단계를 도시하는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 다층 고분자 광회로의 제작 방법 중 제4단계 및 제5단계를 도시하는 개념도이다.
첨부된 도면을 참조하면, 본 발명의 다층 고분자 광회로의 제작 방법은 핫 엠보싱 공정을 이용하여 하부 클래드(4a)를 제작하는 제1단계와, 상기 핫 엠보싱 공정에 의해 중간 클래드(4b)를 제작하는 제2단계와, 소프트 리소그래피 공정을 이용하여 상기 중간 클래드(4b)의 후면에 코어(1)를 형성시키는 제3단계와, 상기 제3단계에 의해 코어(1)가 형성된 중간 클래드(4b)의 후면과 상기 하부 클래드(4a)의 전면을 정합시키는 제4단계와, 상기 하부 클래드(4a)와 정합된 상기 중간 클래드(4b)의 후면에 상부 클래드(4c)를 정합하는 제5단계를 포함하여 이루어진다.
도 3을 참조하면, 상기 제1단계 및 제2단계는, 소정의 패턴이 형성된 양각 금형(2)을 열가소성 고분자(4)의 전면에 가압하는 (가)단계 및 상기 열가소성 고분자(4)에 가압시킨 상기 양각 금형(2)을 분리하는 (나)단계를 포함하여 이루어지며, 상기 각 단계에 의해 제작된 하부 클래드(4a) 및 중간 클래드(4b)의 전면에는 상기 양각 금형(2)에 형성된 패턴에 의해 소정 간격의 얼라인 키(5)가 형성되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 (가)단계에서는 상기 열가소성 고분자(4)의 유리전이 온도보다 약 10℃ ~ 50℃ 정도의 높은 온도를 유지하면서 15bar ~ 50bar 사이의 압력으로 양각 금형(2)을 열가소성 고분자(4)의 전면에 가압하는 것이 바람직하며, 주변 상황에 따라 당업자가 적절한 온도 및 압력으로 조절할 수 있을 것이다.
그리고, 상기 (나)단계에서는 상기 열가소성 고분자(4)의 유리전이 온도보다 약 0℃ ~ 30℃ 정도 낮은 온도에서 상기 양각 금형(2)과 열가소성 고분자(4)를 분리하는 것이 바람직하며, 상기 열가소성 고분자(4)는 아크릴 수지인 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate;PMMA) 수지를 사용한다.
상기 제1단계 및 제2단계에서 제작된 하부 클래드(4a) 및 중간 클래드(4b)의 전면에는 소정 간격의 얼라인 키(5)가 형성되는 것이 바람직한데, 이는 상기 제4단계와 제5단계에서 실시되는 각 클래드 간의 정합시에 제작되어지는 광회로의 정렬을 정확하게 하기 위해서이다. 상기 얼라인 키(5)는 상기 양각 금형(2)에 형성된 소정의 패턴에 따라서 상기 하부 클래드(4a) 및 중간 클래드(4b)에 형성되며, 상기 양각 금형(2)에 형성되는 패턴의 형상은 당업자에 의해 적절히 선택될 수 있음은 물론이다.
도 4를 참조하면, 상기 제3단계는 원형 금형(6)을 소프트 리소그래피의 복제 공정에 의하여 탄성체 금형(8)으로 복제하는 (가)단계와, 상기 제2단계에 의해 제작된 중간 클래드(4b)의 후면과 상기 탄성체 금형(8)의 전면을 정합 접촉시키는 (나)단계와, 상기 중간 클래드(4b)와 탄성체 금형(8) 사이에 형성된 캐비티 내에 코어(1) 수지를 충진하는 (다)단계와, 상기 코어(1) 수지가 충진된 탄성체 금형(8)의 후면을 노광한 후 상기 탄성체 금형(8)을 분리하는 (라)단계를 포함하여 이루어진다.
상기 (가)단계에서는 실리콘(Silicon), 석영(Quartz) 등의 재료에 의해 제작된 원형 금형(6)에 복제를 위한 용액을 도포하는데, 상기 원형 금형(6)상에 고분자(PDMS;polydimethylsiloxane, 뼈대가 탄소가 아닌 실리콘으로 이루어진 고분자)를 가압한 후, 열경화 방식에 의하여 탄성체 금형(8)을 제작할 수 있다.
상기 (다)단계에서는 상기 중간 클래드(4b)와 탄성체 금형(8) 사이에 형성된 캐비티 내에는 충진되는 코어(1)는 상기 캐비티 내의 모세관력에 의해 충진되는데, 표면 마찰력에 의해 완전한 충진이 어려울 경우에는 캐비티의 한쪽 끝 부분에 튜 브(tube)를 삽입한 후 진공 펌프(pump)를 이용하여 압력차에 의한 완전한 충진을 유도할 수 있다.
상기 (라)단계에서는 코어(1) 수지가 충진된 탄성체 금형(8)의 후면에 자외선을 노출시켜 상기 코어(1)를 경화시키며, 상기 코어(1)가 경화된 후에는 탄성적인 성질을 가지는 탄성체 금형(8)을 중간 클래드(4b)에서 껍질을 벗기듯 쉽게 분리할 수 있다
상기에서 상술한 제2단계 및 제3단계는 소정의 횟수만큼 반복하는 단계와, 상기 제4단계에 의해 제작된 광회로의 전면에는 상기 제3단계에 의해 제작된 다수개의 중간 클래드(4b)를 소정의 횟수만큼 추가로 정합하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 이는 코어(1)가 형성된 중간 클래드(4b)를 다수개 제작하고, 제작된 개수 만큼의 중간 클래드(4b)를 추가로 정합하여 제작하고자 하는 층수만큼의 다층 고분자 광회로를 제작할 수 있기 때문이다.
상기 제5단계에서는 일정 온도에서 일정 압력으로 상기 중간 클래드(4b)의 후면에 상부 클래드(4c)를 정합하는 것이 바람직하며, 얼라인 키(5)에 의해 정렬된 다층의 고분자 광회로는 각 클래드의 유리전이 온도보다 약 10℃ ~ 100℃ 정도 높은 온도에서 약 5bar ~ 30bar 정도의 압력을 가하여 코어(1)를 하부 클래드(4a) 및 중간 클래드(4b) 내로 삽입할 수 있다. 그리고 각 클래드의 유리전이 온도보다 약 0℃ ~ 30℃ 정도 낮은 온도에서 대기에 노출시키게 되면 다층 고분자 광회로가 제작된다.
상기 5단계에서 언급한 상부 클래드(4c)는 그 제작 방법을 첨부된 도면에서 상세히 도시하고 있지는 않으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 첨부된 도면과 지금까지 상술한 내용들을 참고하여 충분한 이해가 가능하므로 상기 상부 클래드(4c)의 제작 방법을 하기에서 간단히 설명하도록 한다.
상기 상부 클래드(4c)는 상기 하부 클래드(4a) 및 중간 클래드(4b)의 제작과정에서 실시된 핫 엠보싱 공정을 생략한 상태의 열가소성 고분자(4)를 상기 제3단계의 과정만 적용시켜 상기 중간 클래드(4b)의 후면에 형성된 코어(1)만 동일하게 형성시킨 것이며, 설명한 바와 같이 열가소성 고분자(4)에 상기 제3단계의 과정만 적용시켜 간단히 상부 클래드(4c)를 제작할 수 있게 되는 것이다.
전술한 내용은 후술할 발명의 특허청구범위를 더욱 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 상술하였다. 상술한 본 발명의 개념과 특정 실시 예는 본 발명과 유사 목적을 수행하기 위한 다른 구조의 설계나 수정의 기본으로서 즉시 사용될 수 있음이 해당 기술분야의 숙련된 사람들에 의해 인식되어야 한다.
또한, 상기에서 기술된 실시 예는 본 발명에 따른 하나의 실시 예일 뿐이며, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상의 범위에서 다양한 수정 및 변경이 가능할 것이다. 이러한 다양한 수정 및 변경 또한 본 발명의 기술적 사상의 범위 내라면 하기에서 기술되는 본 발명의 청구범위에 속한다 할 것이다.
도 1은 종래의 일반적인 핫 엠보싱 공정에 의한 광회로의 제작 방법을 도시하는 개념도.
도 2는 종래의 일반적인 소프트 리소그래피 공정에 의한 광회로의 제작 방법을 도시하는 개념도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 다층 고분자 광회로의 제작 방법 중 제1단계 및 제2단계를 도시하는 개념도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 다층 고분자 광회로의 제작 방법 중 제3단계를 도시하는 개념도.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 다층 고분자 광회로의 제작 방법 중 제4단계 및 제5단계를 도시하는 개념도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 코어 2: 양각 금형
4: 열가소성 고분자 4a: 하부 클래드
4b: 중간 클래드 4c: 상부 클래드
5: 얼라인 키 6: 원형 금형
8: 탄성체 금형 12: 양각 금형
13: 코어 14: 열가소성 고분자
14a: 하부 클래드 16: 상부 클래드
22: 탄성체 금형 23: 코어 24: 하부 클래드

Claims (5)

  1. 단일모드와 다중모드를 포함하는 광회로를 핫 엠보싱 공정과 소프트 리소그래피 공정을 이용하여 제작할 수 있는 다층 고분자 광회로의 제작 방법에 있어서,
    핫 엠보싱 공정을 이용하여 하부 클래드(4a)를 제작하는 제1단계;
    상기 핫 엠보싱 공정에 의해 중간 클래드(4b)를 제작하는 제2단계;
    소프트 리소그래피 공정을 이용하여 상기 중간 클래드(4b)의 후면에 코어(1)를 형성시키는 제3단계;
    상기 제3단계에 의해 코어(1)가 형성된 중간 클래드(4b)의 후면과 상기 하부 클래드(4a)의 전면을 정합시키는 제4단계; 및
    상기 하부 클래드(4a)와 정합된 상기 중간 클래드(4b)의 후면에 상부 클래드(4c)를 정합하는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 고분자 광회로의 제작 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    코어(1)가 형성된 중간 클래드(4b)를 다수개 제작할 수 있도록 상기 제2단계 및 제3단계를 소정의 횟수만큼 반복하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 고분자 광회로의 제작 방법.
  3. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제4단계에 의해 제작된 광회로의 전면에는 상기 제3단계에 의해 제작된 다수개의 중간 클래드(4b)를 소정의 횟수만큼 추가로 정합하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 고분자 광회로의 제작 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1단계 및 제2단계는
    소정의 패턴이 형성된 양각 금형(2)을 열가소성 고분자(4)의 전면에 가압하는 (가)단계 및
    상기 열가소성 고분자(4)에 가압시킨 상기 양각 금형(2)을 분리하는 (나)단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 각 단계에 의해 제작된 하부 클래드(4a) 및 중간 클래드(4b)의 전면에는 상기 양각 금형(2)에 형성된 패턴에 의해 소정 간격의 얼라인 키(5)가 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 고분자 광회로의 제작 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제3단계는
    원형 금형(6)을 소프트 리소그래피의 복제 공정에 의하여 탄성체 금형(8)으로 복제하는 (가)단계와,
    상기 제2단계에 의해 제작된 중간 클래드(4b)의 후면과 상기 탄성체 금형(8)의 전면을 정합 접촉시키는 (나)단계와,
    상기 중간 클래드(4b)와 탄성체 금형(8) 사이에 형성된 캐비티 내에 코어(1) 수지를 충진하는 (다)단계와,
    상기 코어(1) 수지가 충진된 탄성체 금형(8)의 후면을 노광한 후 상기 탄성체 금형(8)을 분리하는 (라)단계를 포함하여 이루어지 것을 특징으로 하는 다층 고분자 광회로의 제작 방법.
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