KR100987709B1 - Liquid crystal display apparatus - Google Patents
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Abstract
액정표시장치에서, 하부기판은 구동신호를 출력하는 구동부 및 다수의 화소로 이루어지고 구동신호에 응답하여 영상을 표시하는 표시부로 이루어진다. 상부기판은 공통전극을 구비하고 하부기판과 마주본다. 하부기판과 상부기판과의 사이에는 액정이 개재되고, 절연막은 구동부를 부분적으로 커버하고, 하부기판 상에 불균일한 높이로 형성된다. 따라서, 액정표시장치는 게이트 구동회로의 오동작을 방지할 수 있다.
In the LCD, the lower substrate includes a driver for outputting a driving signal and a display unit for displaying an image in response to the driving signal. The upper substrate has a common electrode and faces the lower substrate. The liquid crystal is interposed between the lower substrate and the upper substrate, and the insulating film partially covers the driving portion, and is formed on the lower substrate at an uneven height. Therefore, the liquid crystal display device can prevent the malfunction of the gate driving circuit.
Description
도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general liquid crystal display device.
도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동부의 출력 파형도이다.FIG. 2 is an output waveform diagram of the gate driver shown in FIG. 1.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이다.3 illustrates a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 액정표시장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display shown in FIG. 3.
도 5는 도 3에 도시된 게이트 구동회로를 구체적으로 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating the gate driving circuit shown in FIG. 3 in detail.
도 6은 도 5에 도시된 각 스테이지의 레이 아웃도이다.FIG. 6 is a layout view of each stage shown in FIG. 5.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 절연막의 배치 구조를 나타낸 레이 아웃도이다.7 is a layout view illustrating an arrangement structure of an organic insulating layer according to another exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 하부기판 121 : 도전막100: lower substrate 121: conductive film
140 : 유기 절연막 150 : 게이트 구동회로140: organic insulating film 150: gate driving circuit
200 : 상부기판 300 : 액정200: upper substrate 300: liquid crystal
400 : 액정표시장치 GDA : 게이트 구동영역400: liquid crystal display GDA: gate driving region
LA : 배선부 CA : 회로부LA: Wiring part CA: Circuit part
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 게이트 구동회로의 오동작을 방지할 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of preventing a malfunction of the gate driving circuit.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동부의 출력 파형도이다. 단, 도 2에 도시된 그래프에서 x축은 시간을 나타내고, y축은 전압을 나타낸다.1 is a cross-sectional view illustrating a general liquid crystal display, and FIG. 2 is an output waveform diagram of the gate driver shown in FIG. 1. However, in the graph shown in FIG. 2, the x axis represents time and the y axis represents voltage.
도 1을 참조하면, 액정표시장치(40)는 어레이 기판(10), 컬러필터기판(20) 및 컬러필터기판(20)과 어레이 기판(10)과의 사이에 개재된 액정층(30)으로 이루어진다. 액정표시장치(40)는 외부로부터의 신호에 의하여 컬러필터기판(20)과 어레이 기판(10)과의 사이에 형성된 전계에 의해서 액정층(30)의 배열각을 변화시키면서 영상을 표시한다.Referring to FIG. 1, the liquid
어레이 기판(10)은 표시영역(DA)과 표시영역(DA)에 인접한 주변영역(PA)으로 이루어진다. 표시영역(DA)에는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 구비된다. 다수의 화소 각각은 게이트 라인, 데이터 라인, 게이트 라인과 데이터 라인에 연결된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, TFT)(11) 및 TFT(11)에 결합된 화소전극(12)으로 이루어진다.The
주변영역(PA)에는 게이트 라인에 구동전압을 인가하기 위한 게이트 구동회로(16)가 TFT 공정에 의해서 집적된다. 이와 같이, 게이트 구동회로(16)를 어레이 기판(10) 상에 집적시킴으로써, 액정표시장치(40)의 조립 공정 수, 부피 및 사이즈를 절감시킬 수 있다.
In the peripheral area PA, a
한편, 컬러필터기판(20)에는 액정층(30)을 사이에 두고 화소전극(20)과 마주보는 공통전극(24)이 구비된다. 표시영역(DA)에 대응하여 공통전극(24) 상에는 액정표시장치(40)의 셀갭을 유지시키기 위한 셀갭유지부재(25)가 구비된다.On the other hand, the
공통전극(24)은 게이트 구동회로(16)와도 액정층(30)을 사이에 두고 마주보기 때문에, 게이트 구동회로(16)와 공통전극(24)과의 사이에서는 기생 커패시턴스(C)가 생성된다.Since the
도 2에서, 실선은 정상 파형(G1)을 나타낸 것이고 점선은 기생 커패시턴스(C)에 의해서 왜곡된 파형(G2)을 나타낸 것이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 왜곡된 파형(G2)에서의 최고 전압은 정상 파형(G1)에서의 최고 전압보다 약 5V 이상 낮게 나타났다.In FIG. 2, the solid line represents the normal waveform G1 and the dotted line represents the waveform G2 distorted by the parasitic capacitance C. In FIG. As shown in FIG. 2, the highest voltage in the distorted waveform G2 was about 5 V or lower than the highest voltage in the normal waveform G1.
결국, 기생 커패시턴스(C)는 게이트 구동회로(16)로부터 출력되는 신호를 왜곡 또는 지연시키고, 그로 인해서 액정표시장치(40)의 표시특성을 저하시킨다.As a result, the parasitic capacitance C distorts or delays the signal output from the
또한, 액정표시장치(40)의 주변영역(PA)에 외력이 가해지면, 공통전극(24)과 게이트 구동회로(16)가 쇼트(short)되면서 게이트 구동회로(16)의 오동작을 유발한다.In addition, when an external force is applied to the peripheral area PA of the
따라서, 본 발명은 게이트 구동회로의 오동작을 방지하기 위한 액정표시장치를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a liquid crystal display device for preventing the malfunction of the gate driving circuit.
본 발명의 일 특징에 따른 액정표시장치는 하부기판, 상부기판, 액정 및 절 연막을 포함한다.A liquid crystal display according to an aspect of the present invention includes a lower substrate, an upper substrate, a liquid crystal, and an insulating film.
상기 하부기판은 구동신호를 출력하는 구동부 및 다수의 화소로 이루어지고 상기 구동신호에 응답하여 영상을 표시하는 표시부로 이루어진다. 상기 상부기판은 공통전극을 구비하고 상기 하부기판과 마주본다.The lower substrate includes a driver for outputting a driving signal and a display unit for displaying an image in response to the driving signal. The upper substrate has a common electrode and faces the lower substrate.
상기 하부기판과 상기 상부기판과의 사이에는 상기 액정이 개재되고, 상기 절연막은 상기 구동부를 부분적으로 커버하고, 상기 하부기판 상에 불균일한 높이로 형성된다.The liquid crystal is interposed between the lower substrate and the upper substrate, and the insulating film partially covers the driving unit, and is formed on the lower substrate at an uneven height.
이러한 액정표시장치에 따르면, 상기 절연막은 상기 구동부의 회로영역을 커버하고 콘택영역을 노출시킨다. 이때, 상기 절연막은 상기 콘택영역에 인접한 부분에서는 제1 높이로 형성되고, 상기 콘택영역으로부터 멀어질수록 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는다. 따라서, 상기 절연막은 상기 구동부와 상기 공통전극을 전기적으로 절연시킴으로써, 게이트 구동회로의 오동작을 방지할 수 있다.According to the liquid crystal display device, the insulating film covers the circuit area of the driving part and exposes the contact area. In this case, the insulating layer is formed to have a first height in a portion adjacent to the contact region, and has a second height that is higher than the first height as it moves away from the contact region. Accordingly, the insulating layer may electrically insulate the driving unit from the common electrode, thereby preventing malfunction of the gate driving circuit.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 액정표시장치의 단면도이다.3 is a view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치(400)는 하부기판(100), 상기 하부기판(100)과 마주하는 상부기판(200) 및 상기 하부기판(100)과 상부기판(200)과의 사이에 개재된 액정층(300)으로 이루어진다.3 and 4, the liquid
상기 하부기판(100)은 영상을 표시하는 표시영역(DA), 상기 표시영역(DA)에 구동신호를 제공하여 상기 표시영역(DA)을 구동하기 위한 게이트 및 데이터 구동영역(GDA, DDA)을 포함한다.The
상기 표시영역(DA)에 대응하여 제1 기판(101) 상에는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 구비된다. 상기 다수의 화소 각각은 데이터 라인(D1 ~ Dm), 상기 데이터 라인(D1 ~ Dm)과 직교하는 게이트 라인(G1 ~ Gn)에 연결된 화소 TFT(110) 및 상기 화소 TFT(110)에 결합되고 투명성 도전 물질로 이루어진 화소 전극(120)을 포함한다.A plurality of pixels is provided in a matrix form on the first substrate 101 corresponding to the display area DA. Each of the plurality of pixels is coupled to the
구체적으로, 상기 화소 TFT(110)는 게이트 전극(111)이 대응하는 상기 게이트 라인(G1 ~ Gn)에 연결되고, 소오스 전극(112)이 상기 데이터 라인(D1 ~ Dm)에 연결되며, 드레인 전극(113)이 상기 화소 전극(120)에 연결된 구성을 갖는다. 상기 화소 전극(120)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)로 이루어진다.In detail, the
상기 화소 TFT(110)와 상기 화소 전극(120)과의 사이에는 보호막(130) 및 유기 절연막(140)이 개재된다. 상기 보호막(130)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)과 같은 무기 절연막으로 이루어지고 상기 화소 TFT(110) 상에 형성되어 상기 화소 TFT(110)를 보호한다. 이후, 상기 보호막(130) 상에는 감광성 아크릴계 수지로 이루어진 상기 유기 절연막(140)이 형성된다.A
상기 화소 전극(120)을 상기 화소 TFT(110)의 드레인 전극(113)하고만 연결시키기 위하여, 상기 보호막(130) 및 유기 절연막(140)에는 상기 드레인 전극(113)을 노출시키는 화소 콘택홀(141)이 형성된다. 따라서, 상기 화소 전극(120)은 상기 화소 콘택홀(141)을 통해 상기 드레인 전극(113)과 전기적으로 연결된다.In order to connect the
상기 게이트 구동영역(GDA)에는 다수의 구동 TFT(151)로 이루어진 게이트 구동회로(150)가 상기 표시영역(DA)에 구비되는 상기 화소 TFT(110)와 동일한 공정 조건 및 시간 상에서 형성된다. 따라서, 상기 게이트 구동회로(150)는 상기 게이트 라인(G1 ~ Gn)의 일단에 연결되어 상기 게이트 라인(G1 ~ Gn)으로 게이트 구동신호를 출력한다. 상기 다수의 구동 TFT(151)는 도전막(121)에 의해서 서로 전기적으로 결합된다. 상기 도전막(121)은 상기 표시영역(DA)에 구비되는 상기 화소 전극(120)과 동일한 공정 조건 및 시간 상에서 형성된다.In the gate driving area GDA, a
상기 게이트 구동영역(GDA)에 형성되는 상기 게이트 구동회로(150)에 대해서는 이후에 도 4 및 도 5를 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.The
한편, 상기 데이터 구동영역(DDA)에는 칩 형태로 구비되는 상기 데이터 구동회로(160)가 본딩 공정에 의해서 부착된다. 따라서, 상기 게이트 라인(G1 ~ Gn)으로 게이트 구동신호가 순차적으로 출력되면 상기 데이터 구동회로(160)는 상기 데이터 라인(D1 ~ Dm)에 영상신호를 출력한다.Meanwhile, the
상기 보호막(130)은 상기 표시영역(DA)으로부터 상기 게이트 구동영역(GDA)까지 연장되어 상기 구동 TFT(151)를 보호한다. 또한, 상기 유기 절연막(140)은 상기 표시영역(DA) 뿐만 아니라 상기 게이트 구동영역(GDA) 형성된다.The
여기서 상기 게이트 구동영역(GDA)은 상기 구동 TFT(151)가 형성된 제1 영역(A1) 및 도전막(121)이 형성된 제2 영역(A2)으로 이루어진다. 상기 유기 절연막(140)은 상기 제2 영역(A2)을 노출시키면서 상기 제1 영역(A1)에만 형성되어 상 기 구동 TFT(151)를 커버한다. 상기 제2 영역(A2)에 인접하는 상기 유기 절연막(140)의 측벽은 계단 형상을 가진다. 즉, 상기 유기 절연막(140)은 상기 제2 영역(A2)에 인접해서 상기 제1 기판(101)으로부터 제1 높이(h1)로 적층되고, 상기 제2 영역(A2)으로부터 멀어진 지점부터는 상기 제1 높이(h1)보다 높은 제2 높이(h2)로 적층된다.The gate driving region GDA may include a first region A1 in which the driving
이와 같이, 상기 유기 절연막(140)의 적층 높이를 상기 제2 영역(A2)과의 거리에 따라서 조절함으로써, 상기 제2 영역(A2)과 인접하는 상기 유기 절연막(140)의 측벽에 상기 도전막(121)이 고이는 현상을 방지한다. 그로 인해서, 상기 도전막(121)과 인접한 도전막이 서로 전기적으로 접속되는 것을 방지할 수 있다.As such, the stacking height of the organic insulating
한편, 상기 상부기판(200)은 제2 기판(201) 상에 컬러필터(220), 차광막(210), 평탄화막(230) 및 공통 전극(240)이 구비된 기판이다. 상기 표시영역(DA)에서 상기 공통 전극(24)은 상기 액정층(300)을 사이에 두고 상기 화소 전극(120)과 마주본다. 또한, 상기 게이트 구동영역(GDA)에서 상기 공통 전극(240)은 상기 게이트 구동회로(150)와 마주본다.The
상기 게이트 구동영역(GDA)의 제1 영역과 상기 공통 전극(240)과의 사이에 상기 유기 절연막(140)이 개재된다. 여기서, 상기 유기 절연막(140)은 상기 액정층(300)보다 낮은 유전율을 갖는다. 일반적으로, 커패시턴스는 유전율에 비례하기 때문에, 상기 게이트 구동회로(150)와 상기 공통 전극(240)과의 사이에서 생성되는 기생 커패시턴스를 감소시킬 수 있다.The organic insulating
도 5는 도 3에 도시된 게이트 구동회로를 구체적으로 나타낸 도면이고, 도 6 은 도 5에 도시된 각 스테이지의 레이 아웃도이다. 단, 도 6에서 점선에 의해서 구획된 영역은 유기 절연막이 형성되는 제1 영역(A1)이다.FIG. 5 is a view illustrating in detail the gate driving circuit illustrated in FIG. 3, and FIG. 6 is a layout view of each stage illustrated in FIG. 5. In FIG. 6, the region divided by the dotted line is the first region A1 in which the organic insulating layer is formed.
도 5를 참조하면, 게이트 구동영역(GDA)은 회로부(CA) 및 배선부(LA)로 이루어진다. 상기 회로부(CA)에는 다수의 게이트 라인에 대응하는 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)로 이루어진 하나의 쉬프트 레지스터로 이루어진 게이트 구동회로(150)가 구비된다. 상기 각 스테이지의 출력단자는 대응하는 게이트 라인에 연결될 뿐만 아니라, 이전 스테이지와 다음 스테이지에 각각 연결됨으로써, 상기 다수의 스테이지가 종속적으로 연결된다.Referring to FIG. 5, the gate driving area GDA includes a circuit part CA and a wiring part LA. The circuit part CA includes a
한편 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 각 스테이지는 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 오믹 콘택층, 소오스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진 다수의 구동 TFT를 포함한다. 이후, 상기 구동 TFT들은 표시영역에 형성된 보호막에 의해서 전체적으로 커버된다. 상기 구동 TFT들은 서로 유기적으로 결합되는데, 결합될 때 서로 다른 층에 있는 게이트 전극과 소오스 전극이 결합되거나 게이트 전극과 드레인 전극이 결합되기도 한다.Meanwhile, as shown in FIG. 6, each stage includes a plurality of driving TFTs including a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, an ohmic contact layer, a source electrode, and a drain electrode. Thereafter, the driving TFTs are entirely covered by a protective film formed in the display area. The driving TFTs are organically coupled to each other, and when combined, gate electrodes and source electrodes in different layers may be coupled, or gate and drain electrodes may be coupled.
이러한 경우, 상기 보호막에는 상기 게이트 전극과 소오스 전극 또는 게이트 전극과 드레인 전극을 노출시키는 콘택영역이 형성된다. 이후, 상기 보호막 상에는 상기 콘택영역에 대응하여 도전막이 형성된다. 따라서, 상기 게이트 전극과 소오스 전극 또는 게이트 전극과 드레인 전극은 상기 도전막에 의해서 전기적으로 연결된다.In this case, a contact region for exposing the gate electrode and the source electrode or the gate electrode and the drain electrode is formed in the passivation layer. Thereafter, a conductive film is formed on the passivation layer corresponding to the contact region. Therefore, the gate electrode and the source electrode or the gate electrode and the drain electrode are electrically connected by the conductive film.
다시 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 게이트 구동회로(150)는 다수의 신호배 선으로 이루어진 배선부(LA)와 전기적으로 연결된다. 상기 신호배선들은 외부로부터 각종 신호들을 수신하여 상기 게이트 구동회로로 제공한다. 여기서, 상기 신호배선들은 개시신호배선(ST), 제1 클럭배선(CK), 제2 클럭배선(CKB), 접지전압배선(VSS) 및 구동전압배선(VDD)으로 이루어진다.5 and 6, the
상기 신호배선들은 데이터 라인과 나란한 방향으로 상기 게이트 구동회로(150)의 첫 번째 스테이지(SRC1)로부터 마지막 스테이지(SRCn+1)까지 연장된다. 상기 배선부(LA)는 상기 신호배선들을 상기 각 스테이지에 전기적으로 연결시키기 위해서 다수의 연결배선(CL1, CL2, CL3)을 더 구비한다. 상기 연결배선들(CL1 ~ CL2)은 대응하는 상기 신호배선들과 각 스테이지를 전기적으로 연결시킴으로써 각 스테이지에 각종 신호들을 인가한다.The signal lines extend from the first stage SRC1 to the last stage SRCn + 1 of the
여기서, 상기 신호배선들을 대응하는 연결배선하고만 연결시키기 위하여 상기 신호배선들과 상기 연결배선들은 서로 다른 층에 형성된다. 상기 신호배선들이 상기 게이트 전극과 동일층에 형성되면, 상기 신호배선들 상에는 게이트 절연막이 형성되고, 상기 연결배선들은 상기 게이트 절연막 상에서 소오스 및 드레인 전극과 동일층에 형성된다. 이후, 상기 연결배선들 상에는 무기 절연막으로 이루어진 상기 보호막이 형성된다.The signal wires and the connection wires are formed on different layers so as to connect the signal wires only with corresponding connection wires. When the signal wirings are formed on the same layer as the gate electrode, a gate insulating film is formed on the signal wirings, and the connection wirings are formed on the same layer as the source and drain electrodes on the gate insulating film. Thereafter, the passivation layer made of an inorganic insulating layer is formed on the connection wires.
이때, 상기 보호막 및 상기 게이트 절연막에는 상기 연결배선들 또는 상기 신호배선들을 노출시키기 위한 콘택홀이 형성된다. 이후, 상기 보호막 상에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 도전막이 형성된다. 상기 도전막은 상기 콘택홀을 통해 연결배선 및 대응하는 신호배선과 접속됨으로써, 상기 연결배선 및 대응하는 신호배선 을 전기적으로 연결시킨다.In this case, a contact hole for exposing the connection lines or the signal lines is formed in the passivation layer and the gate insulating layer. Thereafter, a conductive film made of ITO or IZO is formed on the protective film. The conductive layer is connected to the connection line and the corresponding signal line through the contact hole, thereby electrically connecting the connection line and the corresponding signal line.
따라서, 상기 신호배선들로 제공된 각종 신호들은 상기 연결배선들을 통해 상기 각 스테이지로 제공될 수 있다.Therefore, various signals provided to the signal wires may be provided to each stage through the connection wires.
도 6에 도시된 바와 같이, 유기 절연막(140, 도 4에 도시됨)은 상기 다수의 구동 TFT가 형성된 제1 영역(A1) 상에 형성되고, 콘택홀이 형성되는 제2 영역(A2, 도 4에 도시됨)은 노출시킨다. 따라서, 이후에 상기 제2 영역(A2)에 대응하여 상기 도전막이 형성되더라도 상기 도전막과 하부 메탈이 상기 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 6, the organic insulating layer 140 (shown in FIG. 4) is formed on the first area A1 in which the plurality of driving TFTs are formed, and the second area A2 in which contact holes are formed. (Shown in 4) is exposed. Therefore, even after the conductive film is formed corresponding to the second region A2, the conductive film and the lower metal may be electrically connected through the contact hole.
상기 유기 절연막(140)의 적층 높이는 상기 제2 영역(A2)에 가까워질수록 낮아진다. 특히 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 영역(A2)에 인접하는 상기 유기 절연막(140)의 측벽은 계단 형상을 가진다. 따라서, 상기 유기 절연막(140)의 측벽에 인접하여 상기 제2 영역(A2)에 형성되는 도전막들이 전기적으로 연결되는 현상을 방지할 수 있다.The stacking height of the organic insulating
한편, 상기 유기 절연막(140)은 게이트 구동영역(GDA)에서 게이트 구동회로(150)가 형성되는 회로부(CA)만을 커버하고 신호배선들이 구비된 배선부(LA)를 노출시킨다. 상기 신호배선들은 상기 게이트 구동회로(150)의 각 스테이지와 연결되기 위하여 연결배선들과 연결된다.Meanwhile, the organic insulating
이처럼 상기 신호배선들의 대부분이 상기 연결배선들과 연결되는 콘택영역들을 갖고, 또한 상기 콘택영역들의 거리가 좁기 때문에, 상기 유기 절연막(140)은 상기 배선부(LA)에 대응하는 부분에서 완전하게 제거된다. 따라서, 상기 배선부(LA)에 형성된 상기 콘택영역들에 구비된 도전막들이 전기적으로 연결되는 현상을 방지할 수 있다.As described above, since most of the signal wires have contact areas connected to the connection wires and the distance between the contact areas is narrow, the organic insulating
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 절연막의 배치 구조를 나타낸 레이 아웃도이다.7 is a layout view illustrating an arrangement structure of an organic insulating layer according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 각 스테이지는 다수의 구동 TFT로 이루어진다. 특히, 상기 각 스테이지는 상기 다수의 구동 TFT 중 나머지 구동 TFT보다 상대적으로 큰 제1 및 제2 구동 TFT(T1, T2)를 포함한다.Referring to Fig. 7, each stage consists of a plurality of driving TFTs. In particular, each stage includes first and second driving TFTs T1 and T2 that are relatively larger than the remaining driving TFTs of the plurality of driving TFTs.
상기 제1 및 제2 구동 TFT(T1, T2)는 비정질-실리콘 박막 트랜지스터로 구현되므로 매우 작은 전자 이동도를 갖는다. 액정표시장치가 대형화되면, 이를 구동하기 위해서 고전압 진폭을 게이트 라인에 인가해야한다. 따라서, 상기 제1 및 제2 구동 TFT(T1, T2)의 사이즈가 증가될 수밖에 없다.Since the first and second driving TFTs T1 and T2 are implemented as amorphous-silicon thin film transistors, they have very small electron mobility. When the liquid crystal display becomes large, a high voltage amplitude must be applied to the gate line to drive it. Therefore, the size of the first and second driving TFTs T1 and T2 is inevitably increased.
이때, 유기 절연막(140)은 상기 게이트 구동영역(GDA)에 형성되어 상기 배선부(LA) 및 회로부(CA)를 커버한다. 특히, 상기 회로부(CA)에서 상기 유기 절연막(140)은 상기 제1 및 제2 구동 TFT(T1, T2)가 형성된 제3 영역(A3)에서는 제1 두께로 적층되고, 상기 제3 영역(A3) 및 콘택영역인 제2 영역(A2)을 제외한 나머지 제4 영역에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께로 적층된다.In this case, the organic insulating
상기 제3 영역(A3)의 전체 면적은 상기 제4 영역(A4)의 전체 면적보다 클 뿐만 아니라, 상기 제3 영역(A3) 내에는 상기 제2 영역(A2)이 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제3 영역(A3)에 형성되는 상기 유기 절연막(140)의 두께를 충분히 크게할 수 있다. 이로써, 상기 게이트 구동회로(150)와 상기 상부기판(200, 도 4에 도시 됨)에 구비되는 공통 전극(240)과의 사이에서 생성되는 기생 커패시턴스를 감소시킬 수 있다.The total area of the third area A3 is not only larger than the total area of the fourth area A4, but the second area A2 does not exist in the third area A3. Therefore, the thickness of the organic insulating
이와 같은 액정표시장치에 따르면, 상기 절연막은 하부기판 상에 형성되어 상기 구동부를 커버하고, 상기 구동부내에서 영역별로 상이한 두께를 가짐으로써, 상기 구동부와 상기 공통전극을 전기적으로 절연시킨다.According to such a liquid crystal display device, the insulating layer is formed on the lower substrate to cover the driving unit, and has a different thickness for each region in the driving unit to electrically insulate the driving unit and the common electrode.
따라서, 상기 구동부와 공통전극과의 사이에서 생성되는 기생 커패시턴스를 감소시킴으로써 게이트 구동회로의 오동작을 방지할 수 있다.Accordingly, malfunction of the gate driving circuit can be prevented by reducing the parasitic capacitance generated between the driver and the common electrode.
또한, 상기 절연막은 도전막이 형성되는 콘택영역에 인접해서 제1 두께를 갖고, 상기 콘택영역으로부터 멀어질수록 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가짐으로써 도전막들이 서로 쇼트되는 현상을 방지할 수 있다. 이로써, 게이트 구동회로의 오동작을 방지할 수 있다.In addition, the insulating layer may have a first thickness adjacent to the contact region where the conductive layer is formed, and have a second thickness that is larger than the first thickness as the contact layer is farther away from the contact region, thereby preventing short-circuiting of the conductive layers. have. As a result, malfunction of the gate driving circuit can be prevented.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.
Claims (6)
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JPH06258661A (en) * | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
KR20000028901A (en) * | 1998-10-07 | 2000-05-25 | 이데이 노부유끼 | Electro-optic device, drive substrate for electro-optic device and method of manufacturing the same |
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