KR100984885B1 - Test pattern of GSG and test method thereby for RF devices - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 패턴 및 테스트 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 RF성능지수를 보다 최적의 조건으로 측정할 수 있는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴 및 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pattern and a test method of a semiconductor device, and more particularly, to a GSG test pattern and a test method for an RF device capable of measuring the RF performance index under more optimal conditions.

본 발명의 RF 소자용 GSG 테스트 패턴은 CMOS 공정기술로 제조한 RF 소자; 상기 RF 소자의 좌측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제1 신호 패드; 상기 RF 소자의 우측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제2 신호 패드; 상기 제1 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1a; 상기 제1 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1b; 상기 제2 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2a; 그리고 상기 제2 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2b;로 이루어진 RF 소자의 성능 측정을 위한 테스트 패턴에 있어서, 상기 접지 패드1a와 상기 접지 패드2a 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b와 접지 패드2b 사이의 간격은 130 ~ 170㎛인 것을 특징으로 한다.The GSG test pattern for an RF device of the present invention is an RF device manufactured by a CMOS process technology; First signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the left side of the RF device; Second signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the right side of the RF device; A ground pad 1a spaced apart from the first signal pad at a predetermined distance; A ground pad 1b spaced apart from the first signal pad by a predetermined distance; A ground pad 2a spaced apart from each other by a predetermined distance above the second signal pad; And a ground pad 2b spaced apart from the second signal pad by a predetermined distance. The test pattern for measuring the performance of an RF device includes: an interval between the ground pad 1a and the ground pad 2a and the ground pad 1b; And a distance between the ground pad 2b is 130 to 170㎛.

본 발명에 따른 RF 소자용 GSG 테스트 패턴 및 테스트 방법에 의하면 프로브 패드의 가로 방향에 대한 최적의 피치를 갖는 RF 측정용 GSG 테스트 패턴을 확보함으로써 RF성능지수를 보다 최적의 조건으로 측정할 수 있는 효과가 있다. According to the GSG test pattern and test method for an RF device according to the present invention, the RF performance index can be measured under more optimal conditions by securing a GSG test pattern for an RF measurement having an optimal pitch in the horizontal direction of the probe pad. There is.

RF 소자, GSG(Ground Signal Ground), 테스트 패턴, 최대공진주파수 RF element, ground signal ground (GSG), test pattern, maximum resonant frequency

Description

ＲＦ 소자용 ＧＳＧ 테스트 패턴 및 테스트 방법{Test pattern of GSG and test method thereby for RF devices}Test pattern of GSG and test method thereby for RF devices}

본 발명은 반도체 소자의 패턴 및 테스트 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 RF성능지수를 보다 최적의 조건으로 측정할 수 있는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴 및 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pattern and a test method of a semiconductor device, and more particularly, to a GSG test pattern and a test method for an RF device capable of measuring the RF performance index under more optimal conditions.

최근 이동통신이나 무선통신용으로 개발되고 있는 RF 반도체 소자의 동작주파수가 수백 ㎒에서 수 ㎓ 이상으로 점차 높아짐에 따라 양산을 위한 고속 자동화 테스트에서도 패키지 레벨(package level) 및 웨이퍼 레벨(wafer level)에 있는 RF 반도체 소자의 고주파 측정이 절실히 요구되고 있다. As the operating frequency of RF semiconductor devices, which are recently developed for mobile communication or wireless communication, gradually increases from hundreds of MHz to more than several kilohertz, the high-speed automated test for mass production is in the package level and wafer level. High frequency measurement of RF semiconductor devices is urgently required.

현재 대부분의 반도체 제조업체에서 이루어지는 고속 자동화 테스트에서는 패키지 레벨의 RF 반도체 소자의 경우 고주파 신호의 전송특성에 적합한 마이크로 스트립(Microstrip Line) 라인 즉, 피시비(PCB)패턴과 고주파 소자의 측정에 적합한 소켓으로 구성된 테스트 보드(test board)를 사용하여 고주파에 대한 측정이 이루어지고 있다.High-speed automated testing at most semiconductor manufacturers now includes package-level RF semiconductor devices with microstrip line lines suitable for the transmission characteristics of high-frequency signals, that is, PCB patterns and sockets for measuring high-frequency devices. High frequency measurements are being made using test boards.

그러나 웨이퍼 레벨의 RF 반도체 소자의 경우 여러 가지 기술적인 어려움으 로 인하여 DC나 저주파 특성만을 측정하고 있다. 따라서 웨이퍼 레벨의 RF 반도체 소자에 대한 고주파 측정 환경을 개선시킬 필요가 있다.However, wafer-level RF semiconductor devices measure only DC or low frequency characteristics due to various technical difficulties. Therefore, there is a need to improve the high frequency measurement environment for wafer-level RF semiconductor devices.

RF 반도체 소자에 대한 웨이퍼 레벨의 테스트에 사용되는 전형적인 RF 측정용 테스트 패턴(test pattern) 중의 하나가 GSG(Ground Signal Ground) 테스트 패턴이다. 도 1은 GSG 테스트 패턴의 구조를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도1의 'a'부분을 확대한 DUT를 보여주는 레이아웃도이다. One typical test pattern for RF measurement used in wafer-level testing of RF semiconductor devices is the Ground Signal Ground (GSG) test pattern. FIG. 1 is a plan view illustrating the structure of a GSG test pattern, and FIG. 2 is a layout diagram illustrating a DUT in which a portion 'a' of FIG. 1 is enlarged.

첨부된 도 1에 도시한 바와 같이, GSG 테스트 패턴(100)은 각각 2개의 패드가 3개의 행으로 배열된 매트릭스로 구성되어 모두 6개의 패드와 하나의 DUT(device under test; 이하 'DUT'라 한다)(110)로 이루어진 것이다. 여기서 제1 신호 패드(120)는 2개의 접지 패드(140, 150) 사이에 위치되고, 제2 신호 패드(130)는 2개의 또 다른 접지 패드(160, 170) 사이에 위치된다. 그리고 DUT(110)는 상기 제1 신호 패드(120)와 제2 신호 패드(130) 사이에 위치된다.As shown in FIG. 1, the GSG test pattern 100 is formed of a matrix in which two pads are arranged in three rows, respectively, and includes six pads and one DUT (device under test). 110). Here, the first signal pad 120 is located between two ground pads 140 and 150, and the second signal pad 130 is located between two further ground pads 160 and 170. The DUT 110 is located between the first signal pad 120 and the second signal pad 130.

첨부된 도 2에 도시한 바와 같이 DUT(110), 즉 측정되는 RF 반도체 소자의 소오스(source) 및 기판(body) 영역은 상기 4개의 접지 패드에 대칭적인 구조로 연결되고, 드레인(drain) 영역은 상기 제1 신호 패드에 연결되고, 게이트 전극(gate electrode)은 상기 제2 신호 패드에 연결된다. As shown in FIG. 2, the source and body regions of the DUT 110, that is, the RF semiconductor device to be measured are connected to the four ground pads in a symmetrical structure and have a drain region. Is connected to the first signal pad, and a gate electrode is connected to the second signal pad.

일반적으로 RF 소자(radio frequency device)의 테스트에서 중요한 성능지수(FOM; Figure of Merit)인 fmax(Maximum Oscillation Frequency; 최대공진주파수)와 fT(Cut-Off Frequency; 차단주파수)는 소자의 동작주파수를 말할 때 사용되고, 또한 RF 소자의 중요한 성능(Performance)을 표현할 때 사용된다.In general, the figure of Merit (FOM), f max (Maximum Oscillation Frequency) and f T (Cut-Off Frequency), are important for the testing of radio frequency devices. It is used to refer to frequency, and it is also used to express the important performance of an RF device.

RF 소자에서 fmax와 fT를 보다 최적의 상태에서 측정하기 위하여 첨부된 도 2에 도시한 바와 같이, 핑거 모양(Finger Type)으로 형성된 게이트 전극을 중심으로 대칭적인 GSG(Ground Signal Ground) 구조의 프로브 패드로 형성되어 있다. In order to measure f max and f T in an RF device in a more optimal state, as shown in FIG. 2, a symmetrical ground signal ground (GSG) structure is formed around a gate electrode formed in a finger type. It is formed of a probe pad.

그러나 RF 측정용 GSG 테스트 패턴에서 프로브 패드의 세로 방향의 피치(Pitch)는 대부분 150㎛로 고정적이며, 가로 방향의 피치는 사용자에 따라 달라지게 되어 있어 최적의 피치에 대한 테스트 결과가 없어 사용자에 따라 측정결과가 달라지는 문제점이 있다.However, in the GSG test pattern for RF measurement, the vertical pitch of the probe pad is mostly fixed at 150 μm, and the horizontal pitch is different for the user, so there is no test result for the optimal pitch. There is a problem that the measurement results are different.

따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, RF 측정용 GSG 테스트 패턴에서 프로브 패드의 가로 방향에 대한 최적의 피치를 갖는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴 및 테스트 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a GSG test pattern and a test method for an RF device having an optimal pitch in the horizontal direction of the probe pad in the GSG test pattern for RF measurement. .

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 RF 소자용 GSG 테스트 패턴은 CMOS 공정기술로 제조한 RF 소자; 상기 RF 소자의 좌측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제1 신호 패드; 상기 RF 소자의 우측에 일정한 거리로 이격하여 위 치하는 제2 신호 패드; 상기 제1 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1a; 상기 제1 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1b; 상기 제2 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2a; 그리고 상기 제2 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2b;로 이루어진 RF 소자의 성능 측정을 위한 테스트 패턴에 있어서, 상기 접지 패드1a와 상기 접지 패드2a 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b와 접지 패드2b 사이의 간격은 130 ~ 170㎛인 것을 특징으로 한다.GSG test pattern for an RF device of the present invention for achieving the above object is an RF device manufactured by CMOS process technology; First signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the left side of the RF device; A second signal pad spaced at a predetermined distance from the right side of the RF device; A ground pad 1a spaced apart from the first signal pad at a predetermined distance; A ground pad 1b spaced apart from the first signal pad by a predetermined distance; A ground pad 2a spaced apart from each other by a predetermined distance above the second signal pad; And a ground pad 2b spaced apart from the second signal pad by a predetermined distance. The test pattern for measuring the performance of an RF device includes: an interval between the ground pad 1a and the ground pad 2a and the ground pad 1b; And a distance between the ground pad 2b is 130 to 170㎛.

또한, 상기 RF 소자는 핑거 모양으로 이루어진 게이트 전극을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the RF device is characterized in that it comprises a gate electrode made of a finger shape.

또한, 상기 RF 소자의 게이트 전극은 상기 제2 신호 패드에 연결되고, 드레인 영역은 상기 제1 신호 패드에 연결되고, 소오스 및 기판 영역은 상기 접지 패드1a, 상기 접지 패드1b, 상기 접지 패드2a 및 상기 접지 패드2b에 연결되는 것을 특징으로 한다.In addition, the gate electrode of the RF device is connected to the second signal pad, the drain region is connected to the first signal pad, and the source and substrate regions are the ground pad 1a, the ground pad 1b, the ground pad 2a, and It is characterized in that connected to the ground pad 2b.

본 발명의 RF 소자용 GSG 테스트 방법은 CMOS 공정기술로 제조한 RF 소자; 상기 RF 소자의 좌측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제1 신호 패드; 상기 RF 소자의 우측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제2 신호 패드; 상기 제1 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1a; 상기 제1 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1b; 상기 제2 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2a; 그리고 상기 제2 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2b;로 이루어짐과 아울러 상기 접지 패 드1a와 상기 접지 패드2a 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b와 상기 접지 패드2b 사이의 간격은 130 ~ 170㎛으로 이루어진 RF 소자용 GSG 테스트 패턴을 제조하는 GSG 테스트 패턴 제작단계; 및 상기 RF 소자용 GSG 테스트 패턴을 사용하여 차단주파수 및 최대공진주파수를 측정하는 GSG 테스트 패턴 측정단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The GSG test method for an RF device of the present invention is an RF device manufactured by a CMOS process technology; First signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the left side of the RF device; Second signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the right side of the RF device; A ground pad 1a spaced apart from the first signal pad at a predetermined distance; A ground pad 1b spaced apart from the first signal pad by a predetermined distance; A ground pad 2a spaced apart from each other by a predetermined distance above the second signal pad; And a ground pad 2b spaced apart from the second signal pad at a predetermined distance, and the gap between the ground pad 1a and the ground pad 2a and the gap between the ground pad 1b and the ground pad 2b GSG test pattern manufacturing step of manufacturing a GSG test pattern for the RF device consisting of 130 ~ 170㎛; And a GSG test pattern measuring step of measuring a cutoff frequency and a maximum resonance frequency using the GSG test pattern for the RF device.

본 발명에 따른 RF 소자용 GSG 테스트 패턴 및 테스트 방법에 의하면 프로브 패드의 가로 방향에 대한 최적의 피치를 갖는 RF 측정용 GSG 테스트 패턴을 확보함으로써 RF성능지수를 보다 최적의 조건으로 측정할 수 있는 효과가 있다. According to the GSG test pattern and test method for an RF device according to the present invention, the RF performance index can be measured under more optimal conditions by securing a GSG test pattern for an RF measurement having an optimal pitch in the horizontal direction of the probe pad. There is.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 RF 소자용 GSG 테스트 패턴의 구조를 보여주는 평면도이고, 도 4a 내지 도 4b는 본 발명과 다른 접지 패드 사이의 간격을 갖는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴의 구조를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view showing a structure of a GSG test pattern for an RF device according to an embodiment of the present invention, Figures 4a to 4b is a structure of a GSG test pattern for an RF device having a gap between the present invention and another ground pad It is a top view showing.

첨부된 도 3에 도시한 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 RF 소자용 GSG 테스트 패턴(200)은 RF 소자(110), 제1 신호 패드(120), 제2 신호 패드(130), 접지 패드1a(140), 접지 패드1b(150), 접지 패드2a(160) 그리고 접지 패드2b(170)를 포함하여 이루어져 있다. 여기서 상기 접지 패드1a와 상기 접지 패드2a 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b와 접지 패드2b 사이의 간격은 130 ~ 170㎛인 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 3, the GSG test pattern 200 for an RF device according to an embodiment of the present invention may include an RF device 110, a first signal pad 120, a second signal pad 130, and a ground. The pad 1a 140, the ground pad 1b 150, the ground pad 2a 160, and the ground pad 2b 170 are formed. Here, the space between the ground pad 1a and the ground pad 2a and the space between the ground pad 1b and the ground pad 2b may be 130 to 170 μm.

상기 RF 소자(110)는 CMOS 공정기술로 제조한 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor) 소자로서, 게이트 전극, 소오스, 드레인, 기판으로 이루어진 것이다. 여기서 상기 RF 소자(110)는 첨부된 도 2에 도시한 바와 같이 핑거 모양으로 이루어진 게이트 전극을 포함하여 형성되는 것이 바람직하다. The RF device 110 is a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) device manufactured by a CMOS process technology, and includes a gate electrode, a source, a drain, and a substrate. Here, the RF element 110 is preferably formed to include a gate electrode made of a finger shape as shown in FIG.

상기 제1 신호 패드(120)는 상기 RF 소자(110)의 좌측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 프로브 패드이고, 상기 제2 신호 패드(130)는 상기 RF 소자(110)의 우측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 프로브 패드이다.The first signal pad 120 is a probe pad spaced apart from the left side of the RF element 110 by a predetermined distance, and the second signal pad 130 is a constant distance on the right side of the RF element 110. Probe pads spaced apart.

상기 접지 패드1a(140)는 상기 제1 신호 패드(120) 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 프로브 패드이고, 상기 접지 패드1b(150)는 상기 제1 신호 패드(120) 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 프로브 패드이다. The ground pad 1a 140 is a probe pad spaced apart from the upper side of the first signal pad 120 by a predetermined distance, and the ground pad 1b 150 is disposed at a constant distance below the first signal pad 120. Probe pads spaced apart.

여기서 상기 접지 패드1a(140), 상기 제1 신호 패드(120) 및 상기 접지 패드1b(150) 사이의 프로브 피치는 사용자에 따라 임의의 길이로 형성될 수 있고, 통상적으로 150㎛의 피치 사이즈를 사용하는 것이 일반적이다.Herein, the probe pitch between the ground pad 1a 140, the first signal pad 120, and the ground pad 1b 150 may be formed to have an arbitrary length according to a user, and typically has a pitch size of 150 μm. It is common to use.

상기 접지 패드2a(160)는 상기 제2 신호 패드(130) 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 프로브 패드이고, 상기 접지 패드2b(170)는 상기 제2 신호 패드 (130) 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 프로브 패드이다.The ground pad 2a 160 is a probe pad spaced apart from the second signal pad 130 at a predetermined distance, and the ground pad 2b 170 is disposed at a predetermined distance below the second signal pad 130. Probe pads spaced apart.

마찬가지로 상기 접지 패드2a(160), 상기 제2 신호 패드(130) 및 상기 접지 패드2b(170) 사이의 프로브 피치는 사용자에 따라 임의의 길이로 형성될 수 있으 나, 본 발명에서는 상기 접지 패드1a(140)와 상기 접지 패드2a(160) 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b(150)와 접지 패드2b(170) 사이의 간격은 130 ~ 170㎛으로 형성된 것이다.Similarly, the probe pitch between the ground pad 2a 160, the second signal pad 130, and the ground pad 2b 170 may be formed to have an arbitrary length according to a user, but in the present invention, the ground pad 1a An interval between 140 and the ground pad 2a 160 and an interval between the ground pad 1b 150 and the ground pad 2b 170 may be 130 to 170 μm.

또한, 상기 RF 소자(110)의 게이트 전극은 상기 제2 신호 패드(130)에 연결되고, 드레인 영역은 상기 제1 신호 패드(120)에 연결되고, 소오스 및 기판 영역은 상기 접지 패드1a(140), 상기 접지 패드1b(150), 상기 접지 패드2a(160) 및 상기 접지 패드2b(170)에 연결되는 것이 바람직하다.In addition, a gate electrode of the RF device 110 is connected to the second signal pad 130, a drain region is connected to the first signal pad 120, and a source and a substrate area are connected to the ground pad 1a (140). ), The ground pad 1b 150, the ground pad 2a 160, and the ground pad 2b 170.

본 발명의 일실시예에 따른 RF 소자용 GSG 테스트 방법은 GSG 테스트 패턴 제작단계 및 GSG 테스트 패턴 측정단계를 포함하여 이루어진 것이다.The GSG test method for an RF device according to an embodiment of the present invention includes a GSG test pattern manufacturing step and a GSG test pattern measuring step.

상기 GSG 테스트 패턴 제작단계는 전술한 바와 같은 RF 소자용 GSG 테스트 패턴을 CMOS 공정기술로 제조하는 단계이고, 상기 GSG 테스트 패턴 측정단계는 상기 RF 소자용 GSG 테스트 패턴을 사용하여 차단주파수 및 최대공진주파수를 측정하는 단계이다. The GSG test pattern manufacturing step is a step of manufacturing a GSG test pattern for the RF device as described above using a CMOS process technology, the GSG test pattern measuring step is a cutoff frequency and the maximum resonant frequency using the GSG test pattern for the RF device It is a step of measuring.

도 5는 도 3 및 도 4의 구조를 갖는 GSG 테스트 패턴에서 차단주파수를 측정한 결과를 보여주는 그래프이고, 도 6은 도 3 및 도 4의 구조를 갖는 GSG 테스트 패턴에서 최대공진주파수를 측정한 결과를 보여주는 그래프이다. 5 is a graph illustrating a result of measuring a cutoff frequency in a GSG test pattern having the structures of FIGS. 3 and 4, and FIG. 6 is a result of measuring a maximum resonance frequency in a GSG test pattern having the structures of FIGS. 3 and 4. Is a graph showing

본 발명에서는 소자의 필드 사이즈(Field Size; 상기 접지 패드1a와 상기 접지 패드2a 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b와 접지 패드2b 사이의 간격, 이하 '필드 사이즈'라 한다)를 통상적으로 사용하는 길이인 200㎛(도 4a 참조)에서 여러 가 지 다른 길이(도 3 또는 도 4b 참조)를 사용하여 테스트한 결과 최적의 RF 성능지수를 측정하는 필드 사이즈를 제공할 뿐만 아니라 테스트 패턴 또는 칩의 면적을 줄일 수 있는 구조를 형성할 수 있는 것이다.In the present invention, a field size (field size) of the device is commonly used as the distance between the ground pad 1a and the ground pad 2a and the distance between the ground pad 1b and the ground pad 2b, hereinafter referred to as 'field size'. Tested using different lengths (see FIG. 3 or 4B) at 200 μm (see FIG. 4A), as well as providing a field size for measuring the optimal RF figure of merit, as well as the area of the test pattern or chip. It can form a structure that can be reduced.

이는 단순히 필드 사이즈만을 줄이는 것이 아니라 최적의 길이가 있다는 것이 중요하다. 즉 첨부된 도 5에 도시한 바와 같이, 전술한 3가지의 필드 사이즈를 갖는 GSG 테스트 패턴에서 차단주파수를 측정한 결과 필드사이즈 200㎛, 150㎛, 100㎛에서 각각 23㎓, 23㎓, 24㎓의 차단주파수가 측정되어 유의차를 보여주지 아니한다.It is important not only to reduce the field size, but also to have an optimal length. That is, as shown in FIG. 5, the cutoff frequency was measured in the GSG test pattern having the three field sizes described above. The cutoff frequency of is not measured and shows no significant difference.

그러나 첨부된 도 6에 도시한 바와 같이, 최대공진주파수를 측정한 경우에는 200㎛, 150㎛, 100㎛의 필드 사이즈를 갖는 GSG 테스트 패턴에서 각각 33.5㎓, 37.3㎓, 33.5㎓의 최대공진주파수가 측정되어 유의차를 보여주고 있다.However, as shown in FIG. 6, when the maximum resonant frequency is measured, the maximum resonant frequencies of 33.5 Hz, 37.3 Hz, and 33.5 Hz are respectively measured in the GSG test patterns having the field sizes of 200 μm, 150 μm, and 100 μm. It is measured and shows a significant difference.

즉 필드 사이즈가 150㎛인 경우 종래의 GSG 테스트 패턴인 200㎛의 필드 사이즈를 갖는 GSG 테스트 패턴과 비교하여 약 11％ 정도 향상된 성능지수(FOM)를 측정할 수 있는 것이다.That is, when the field size is 150 μm, the FOM may be improved by about 11% compared to the GSG test pattern having the field size of 200 μm, which is a conventional GSG test pattern.

본 발명은 전술한 실시 예에 한정되지 아니하고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명한 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be practiced in various ways within the scope not departing from the technical gist of the present invention. It is.

도 1은 GSG 테스트 패턴의 구조를 설명하기 위한 평면도,1 is a plan view for explaining the structure of a GSG test pattern,

도 2는 도1의 'a'부분을 확대한 DUT를 보여주는 레이아웃도,FIG. 2 is a layout diagram illustrating a DUT in which a portion 'a' of FIG. 1 is enlarged.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 RF 소자용 GSG 테스트 패턴의 구조를 보여주는 평면도,3 is a plan view showing the structure of a GSG test pattern for an RF device according to an embodiment of the present invention;

도 4a 내지 도 4b는 본 발명과 다른 접지 패드 사이의 간격을 갖는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴의 구조를 보여주는 평면도,4A to 4B are plan views showing the structure of a GSG test pattern for an RF device having a spacing between the present invention and another ground pad;

도 5는 도 3 및 도 4의 구조를 갖는 GSG 테스트 패턴에서 차단주파수를 측정한 결과를 보여주는 그래프,5 is a graph showing a result of measuring a cutoff frequency in a GSG test pattern having the structures of FIGS. 3 and 4;

도 6은 도 3 및 도 4의 구조를 갖는 GSG 테스트 패턴에서 최대공진주파수를 측정한 결과를 보여주는 그래프.Figure 6 is a graph showing the results of measuring the maximum resonant frequency in the GSG test pattern having the structure of Figures 3 and 4.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100, 200 : GSG 테스트 패턴 110 : DUT, RF 소자100, 200: GSG test pattern 110: DUT, RF device

120 : 제1 신호 패드 130 : 제2 신호 패드120: first signal pad 130: second signal pad

140 : 접지 패드, 접지 패드1a 150 : 접지 패드, 접지 패드1b140: ground pad, ground pad 1a 150: ground pad, ground pad 1b

160 : 접지 패드, 접지 패드2a 170 : 접지 패드, 접지 패드2b160: ground pad, ground pad 2a 170: ground pad, ground pad 2b

Claims (4)

CMOS 공정기술로 제조한 RF 소자; 상기 RF 소자의 좌측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제1 신호 패드; 상기 RF 소자의 우측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제2 신호 패드; 상기 제1 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1a; 상기 제1 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1b; 상기 제2 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2a; 그리고 상기 제2 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2b;로 이루어진 RF 소자의 성능 측정을 위한 테스트 패턴에 있어서, 상기 접지 패드1a와 상기 접지 패드2a 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b와 접지 패드2b 사이의 간격은 130 ~ 170㎛인 것을 특징으로 하는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴.RF devices manufactured by CMOS process technology; First signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the left side of the RF device; Second signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the right side of the RF device; A ground pad 1a spaced apart from the first signal pad at a predetermined distance; A ground pad 1b spaced apart from the first signal pad by a predetermined distance; A ground pad 2a spaced apart from each other by a predetermined distance above the second signal pad; And a ground pad 2b spaced apart from the second signal pad by a predetermined distance. The test pattern for measuring the performance of an RF device includes: an interval between the ground pad 1a and the ground pad 2a and the ground pad 1b; GSG test pattern for the RF device, characterized in that the spacing between the ground pad 2b and 130 ~ 170㎛. 제1항에 있어서, 상기 RF 소자는 핑거 모양으로 이루어진 게이트 전극을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴.The GSG test pattern of claim 1, wherein the RF device includes a gate electrode having a finger shape. 제1항에 있어서, 상기 RF 소자의 게이트 전극은 상기 제2 신호 패드에 연결되고, 드레인 영역은 상기 제1 신호 패드에 연결되고, 소오스 및 기판 영역은 상기 접지 패드1a, 상기 접지 패드1b, 상기 접지 패드2a 및 상기 접지 패드2b에 연결되 는 것을 특징으로 하는 RF 소자용 GSG 테스트 패턴.The gate electrode of claim 1, wherein a gate electrode of the RF device is connected to the second signal pad, a drain region is connected to the first signal pad, and a source and a substrate area are the ground pad 1a, the ground pad 1b, GSG test pattern for the RF device, characterized in that connected to the ground pad 2a and the ground pad 2b. CMOS 공정기술로 제조한 RF 소자; 상기 RF 소자의 좌측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제1 신호 패드; 상기 RF 소자의 우측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 제2 신호 패드; 상기 제1 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1a; 상기 제1 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드1b; 상기 제2 신호 패드 상측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2a; 그리고 상기 제2 신호 패드 하측에 일정한 거리로 이격하여 위치하는 접지 패드2b;로 이루어짐과 아울러 상기 접지 패드1a와 상기 접지 패드2a 사이의 간격 및 상기 접지 패드1b와 상기 접지 패드2b 사이의 간격은 130 ~ 170㎛으로 이루어진 RF 소자용 GSG 테스트 패턴을 제조하는 GSG 테스트 패턴 제작단계; 및 상기 RF 소자용 GSG 테스트 패턴을 사용하여 차단주파수 및 최대공진주파수를 측정하는 GSG 테스트 패턴 측정단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 RF 소자용 GSG 테스트 방법.RF devices manufactured by CMOS process technology; First signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the left side of the RF device; Second signal pads spaced apart from each other by a predetermined distance on the right side of the RF device; A ground pad 1a spaced apart from the first signal pad at a predetermined distance; A ground pad 1b spaced apart from the first signal pad by a predetermined distance; A ground pad 2a spaced apart from each other by a predetermined distance above the second signal pad; And a ground pad 2b spaced apart from the second signal pad at a predetermined distance, and a distance between the ground pad 1a and the ground pad 2a and a distance between the ground pad 1b and the ground pad 2b are 130; GSG test pattern manufacturing step of manufacturing a GSG test pattern for the RF device consisting of ~ 170㎛; And a GSG test pattern measuring step of measuring a cutoff frequency and a maximum resonant frequency using the GSG test pattern for the RF device.
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