KR100984481B1 - 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치 - Google Patents

무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치에 관한 것으로서, 온도를 측정하여 제어부로 제공하는 온도 센서와, 기 저장된 온도별 게이트 바이어스 테이블을 이용하여 외부로부터의 전압을 상기 측정된 온도에 해당하는 게이트 바이어스 전압으로 조절하는 상기 제어부와, 상기 조절된 게이트 바이어스 전압을 이용하여 RF(Radio Frequency) 신호를 증폭시키는 증폭기를 포함하여, 고출력 증폭기에서 온도 변화에 따라 드라이브 엠프(Drive Amp) 및 메인 엠프(Main Amp)로 입력되는 게이트 바이어스를 조절하여 공급함으로써, 트랜지스터의 온도에 의해 성능이 열화되는 것을 감쇄시킬 수 있다.
고출력 증폭기, 바이어스(bias), 게이트 바이어스(gate bias), 온도변화

Description

무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치{APPARATUS FOR HIGH POWER AMP IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM}
도 1은 종래 기술에 따른 고출력 증폭기의 구성을 도시하는 도면,
도 2는 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기의 구성을 도시하는 도면,
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 무선통신 시스템에서 써미스터를 이용하여 게이트 바이어스를 조절하는 고출력 증폭기의 구성을 도시하는 도면,
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 고출력 증폭기에서 써미스터를 이용하여 게이트 바이어스를 조절하는 게이트 바이어스 조절부의 구성 예를 도시하는 도면,
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 무선통신 시스템에서 온도 측정을 통해 게이트 바이어스를 조절하는 고출력 증폭기의 구성을 도시하는 도면,
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 고출력 증폭기에서 온도 측정을 통해 게이트 바이어스를 조절하는 게이트 바이어스 조절부의 구성 예를 도시하는 도면,
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 고출력 증폭기에서 온도 변화에 따라 게이트 바이어스를 조절하여 획득한 ACLR 성능실험 결과를 도시하는 도면, 및
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 고출력 증폭기에서 온도 변화에 따라 게이 트 바이어스를 조절하여 획득한 성상 에러 실험 결과를 도시하는 도면.
본 발명은 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치에 관한 것으로서, 특히 온도 변화에 따라 드라이브 엠프(Drive Amp) 및 메인 엠프(Main Amp)로 입력되는 게이트 바이어스(gate bias)를 조절하여 최적의 성능을 낼 수 있도록 하기 위한 고출력 증폭기 장치에 관한 것이다.
무선통신 시스템에서 고출력 증폭기는 도 1에 도시된 바와 같이, 드라이브 엠프(111)와 메인 엠프(113)로 구성되어 각각 고정된 게이트 바이어스(gate bias)(101, 103)와 드레인 바이어스(drain bias)(105, 107)를 인가받아 입력 신호의 전압 혹은 전력을 증폭시켜 출력하는 역할을 수행한다. 일반적으로, 상기 고정된 게이트 바이어스 값은 상기 고출력 증폭기의 개발 시 상온에서(15°C ~ 25°C) 에이징을 수행하여 획득된 값을 사용한다. 다시 말해, 상기 고출력 증폭기의 개발 시 상기 상온의 환경에서 에이징(aging)을 수행하여 이득 변화가 없는 영역에 도달했을 때, 최적의 성능을 갖는 상기 게이트 바이어스 값을 획득할 수 있다.
현재, 상기 고출력 증폭기가 주위 환경에 따라 0°C 이하의 환경 혹은 고온의 환경에서 동작해야할 경우가 있음에 따라 규격에서는 옥외향을 포함하여 상기 고출력 증폭기가 -40°C ~ 52°C에서도 정상동작이 가능하도록 정하고 있다.
하지만, 상기 고출력 증폭기의 게이트 바이어스 값은 상기 상온의 환경에서 에이징을 통해 획득된 값이기 때문에 상기 상온에서는 최적의 성능을 낼 수 있으나, 그 외의 저온 혹은 고온에서는 최적의 성능을 낼 수 없게 되는 문제점을 가진다. 즉, 상기 고출력 증폭기가 상기 저온 혹은 고온에서 동작할 경우, 상기 고정된 게이트 바이어스로 인해 최적의 성능을 내지 못하게 됨으로써, 인접 채널 누설비(Adjacent Channel Leakage Ratio;이하 'ACLR'라 칭함)와 성상 에러(constellation error) 값이 열화되어 시스템 전체의 성능 열화가 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 무선통신 시스템의 고출력 증폭기에서 온도 변화에 따라 드라이브 엠프(Drive Amp) 및 메인 엠프(Main Amp)로 입력되는 게이트 바이어스를 조절하기 위한 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 무선통신 시스템의 고출력 증폭기에서 써미스터(thermistor)를 이용하여 온도 변화에 따라 게이트 바이어스를 조절하기 위한 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 무선통신 시스템의 고출력 증폭기에서 온도 측정을 통해 온도 변화에 따라 게이트 바이어스를 조절하기 위한 장치를 제공함에 있다.
상술한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 1견지에 따르면, 선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치는, 온도를 측정하여 제어부로 제공하는 온도 센서와, 기 저장된 온도별 게이트 바이어스 테이블을 이용하여 외부로부터의 전압을 상기 측정된 온도에 해당하는 게이트 바이어스 전압으로 조절하는 상기 제어부와, 상기 조절된 게이트 바이어스 전압을 이용하여 RF(Radio Frequency) 신호를 증폭시키는 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 2견지에 따르면, 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치는, 외부로부터 전압을 공급하는 전원 공급부와, 써미스터(thermistor)를 이용하여 온도 변화에 따라 상기 외부로부터 공급되는 전압을 조절하는 온도보상 회로와, 상기 조절된 전압을 게이트 바이어스 전압으로 이용하여 RF(Radio Frequency) 신호를 증폭시키는 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 3견지에 따르면, 고출력 증폭기 장치는, 외부로부터 전압을 공급하는 전원 공급부와, 측정되는 온도에 따라 가변적인 출력을 제공하는 센서와, 상기 측정되는 온도에 대응되는 바이어스 전압을 제공하는 제어회로와, 상기 바이어스 전압을 이용하여 신호를 증폭시키는 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면의 참조와 함께 상세히 설명한다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하 본 발명에서는 무선통신 시스템의 고출력 증폭기에서 온도 변화에 따라 드라이브 엠프(Drive Amp) 및 메인 엠프(Main Amp)로 입력되는 게이트 바이어스를 조절하기 위한 장치에 관해 설명할 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기의 구성을 도시하고 있다. 여기서, 상기 고출력 증폭기는 드라이브 엠프(201), 메인 엠프(203), 제 1 게이트 바이어스 조절부(205), 제 2 게이트 바이어스 조절부(207)를 포함하여 구성된다.
상기 도 2를 참조하면, 상기 드라이브 엠프(201)는 드레인 바이어스(209)와 상기 제 1 게이트 바이어스 조절부(205)로부터 입력되는 게이트 바이어스를 이용하여 상기 입력되는 RF 신호의 전압 혹은 전력을 증폭시켜 상기 메인 엠프(203)로 출력한다. 상기 메인 엠프(203)는 드레인 바이어스(211)와 상기 제 2 게이트 바이어스 조절부(207)로부터 입력되는 게이트 바이어스를 이용하여 상기 드라이브 엠프(201)로부터 입력되는 증폭된 RF 신호의 전압 혹은 전력을 다시 증폭시켜 출력한다. 여기서, 상기 드라이브 엠프(201)는 상기 메인 엠프(203)의 부족한 이득(gain)을 보충하기 위해 사용되는 엠프를 의미한다.
상기 제 1 게이트 바이어스 조절부(205)와 상기 제 2 게이트 바이어스 조절부(207)는 상기 고출력 증폭기가 동작하는 환경의 온도에 따라 상기 게이트 바이어스(혹은 DC 전압) 값을 조절하여 상기 드라이브 엠프(201)와 상기 메인 엠프(203) 각각으로 출력한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 게이트 바이어스 조절부(205, 207)는 상기 게이트 바이어스 값을 상기 온도에 따라 상기 드라이브 엠프(201)와 상기 메인 엠프(203)가 최적의 성능을 낼 수 있는 값으로 조절한다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 게이트 바이어스 조절부(205, 207)는 주위 온도나 특정 부분 혹은 장소의 온도에 따라 출력 값을 조절할 수 있다. 이때, 상기 각각의 엠프(201, 203)가 최적의 성능을 내는 온도별 게이트 바이어스 값은 실험을 통해 획득할 수 있다. 여기서, 상기 각 엠프(201, 203)가 최적의 성능을 낼 수 있도록 하는 게이트 바이어스 값은 상기 각 엠프(201, 203)의 트랜지스터 특성에 따라 다를 수 있다.
또한, 여기서 상기 온도에 따라 게이트 바이어스 값을 조절하는 방법은 써미스터(thermistor)를 이용하여 조절하는 방법과 현재 온도 측정을 통해 조절하는 방법이 있다 여기서, 상기 써미스터는 온도 변화에 따라 저항이 변화하는 센서를 의미한다. 그러면 이하에서 상기 써미스터와 온도 측정을 통해 상기 게이트 바이어스 값을 조절하는 두 가지 방법에 대해 살펴보기로 한다.
먼저, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 무선통신 시스템에서 써미스터를 이용하여 게이트 바이어스를 조절하는 고출력 증폭기의 구성을 도시하고 있다. 여기서, 제 1 게이트 바이어스 조절부(305)와 제 2 게이트 바이어스 조절부(307)는 각각 하나의 DC전원 공급부(311, 331)와 온도보상 회로(313, 333) 및 게이트 바이어스 회로(315, 335)를 포함하여 구성된다.
상기 도 3을 참조하면, 상기 DC전원 공급부(311, 331)는 외부로부터 공급되는 DC 전원을 안정화시켜 상기 온도보상 회로(313, 333)로 출력한다.
상기 온도보상 회로(313, 333)는 고정된 저항인 R1(321,341)과 R2(323, 343), 그리고 저항값을 조정할 수 있는 가변 저항 Rv(325, 345) 및 써미스터 Rth(327, 347)를 포함함으로써, 온도 변화에 따라 상기 게이트 바이어스 회로(315, 335)로 출력되는 상기 DC 전압 값을 조절한다.
다시 말해, 상기 DC전원 공급부(311, 331)로부터 입력되는 DC 전원의 전압은 전압 분배에 의해 직렬 연결된 Rv(325, 345)와 병렬 연결된 R2(323, 343) 및 써미스터 Rth(327, 347)의 크기에 따라 그 출력 크기가 결정되는데, 이때 상기 출력 크기는 온도 변화에 따라 다른 저항값을 갖는 써미스터 Rth(327, 347)에 의해 현재 온도에 적정한 DC 전압 값으로 조절된다. 여기서, 상기 드라이브 엠프(301)와 메인 엠프(303)의 트렌지스터 특성이 다름에 따라 상기 두 개의 온도보상회로(313, 333) 각각에 포함된 R1(321,341), R2(323, 343) 및 Rv(325, 345)는 각각 다른 값을 가질 수 있다. 즉, 상기 동일한 온도보상회로에 포함된 저항 R1(321)과 R2(323)는 서로 다른 값을 가질 수 있으며, 서로 다른 온도보상회로에 포함된 대응되는 저항 두 R1 (321, 341) 역시 서로 다른 값을 가질 수 있다.
하기 수학식 1은 상기 전압 분배에 따른 게이트 바이어스 출력 값을 나타낸다.
Figure 112007009948179-pat00001
여기서, 상기 gate biasoutput은 상기 게이트 바이어스 회로(315, 335)를 통해 상기 드라이브 엠프(301)와 상기 메인 엠프(303)로 출력되는 DC 전압 값을 의미하고, 상기 gate biasinput은 상기 DC전원 공급부(311, 331)에서 상기 온도보상 회로(313, 333)로 제공되는 DC 전압 값을 의미한다. 여기서, 상기 드라이브 엠프(301)로 공급되는 gate biasoutput과 상기 메인 엠프(303)로 공급되는 gate biasoutput은 서로 동일하지 않을 수 있으며, 이와 유사하게 상기 두 개의 온도보상회로(313, 33)로 공급되는 각 gate biasinput 역시 서로 동일하지 않을 수 있다.
여기서, 상기 R1과 R2는 상기 수학식 1에 나타낸 바와 같은 전압 분배 공식을 통해 예측하여 획득할 수 있다. 즉, 각 온도에 따라 미리 정해진 써미스터 Rth의 값을 상기 수학식 1에 적용함으로써, 상기 입력 게이트 바이어스 값으로 각 온도에서 최적의 성능을 낼 수 있도록 하는 출력 게이트 바이어스 값을 산출하는 경우의 R1과 R2값을 예측할 수 있다. 여기서, 상기 고출력 증폭기에 상기 계산을 통해 예측된 R1과 R2 값을 이용하더라도 상기 써미스터 Rth의 값으로 실제 값이 아닌 일반적인 대표 값을 적용한 것과 저항의 오차 등과 같은 이유로 인해 상기 드라이브 엠프(301)와 메인 엠프(303)의 특성이 완전히 보상되지 않을 수 있다. 따라서 상기 R1과 R2는 여러 번의 온도 시험을 통해 획득하는 것이 바람직할 것이다.
여기서, 상기 써미스터는 온도가 높아짐에 따라 저항이 감소하는 NTC(Negative Temperature Coefficient thermistor) 타입과 상기 온도가 높아짐에 따라 저항이 증가하는 PTC(Positive Temperature Coefficient thermistor) 타입이 있으며, 상기 써미스터는 트랜지스터, 즉, 엠프의 특성에 따라 그 타입이 결정될 수 있다. 상기 본 발명에서는 NTC 타입의 써미스터를 가정하여 설명하였으나, 상기 트랜지스터의 특성에 따라 상기 PTC 타입도 사용 가능할 것이다.
상기 게이트 바이어스 회로(315, 335)는 상기 온도보상 회로(313, 333) 각각에서 온도에 따라 조절된 DC 전압을 제공받아 상기 DC 전압의 잡음을 제거한 후, 상기 드라이브 엠프(301)와 상기 메인 엠프(303)로 각각 출력한다.
상술한 제 1 및 제 2 게이트 바이어스 조절부(305, 307)는 도 4에 도시된 바와 같이, 구현될 수 있을 것이다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 게이트 바이어스 조절부(305, 307) 각각은 DC전원 공급부(401), 온도보상 회로(403) 및 게이트 바이어스 회로(405)를 포함하며, 상기 DC전원 공급부(401)는 외부 전원부(413)와 레귤레이터(411)를 포함하여 구성될 수 있고, 상기 게이트 바이어스 회로(405)는 전원 잡음 제거 캐패시터(421)와 바이패스 캐패시터(bypass Capacitor)(423) 그리고 λ/4 전송선로(425)를 포함하여 구성될 수 있을 것이다. 여기서, 상기 바이패스 캐패시터(423)와 λ/4 전송선로(425)는 DC 전원만을 통과시키고 상기 드라이브 엠프(301) 및 메인 엠프(303)로부터 RF 신호가 유입되는 것을 방지하기 위한 회로이다.
다음으로, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 무선통신 시스템에서 온도 측정을 통해 게이트 바이어스를 조절하는 고출력 증폭기의 구성을 도시하고 있다. 여기서, 제 1 게이트 바이어스 조절부(505)와 제 2 게이트 바이어스 조절부(507)는 각각 하나의 HPA 제어부(511, 521)와 온도센서(513, 523), 게이트 바이어스 회로(515, 525)를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 온도센서(513, 523)의 위치는 희망 입력에 따라 변경될 수 있다.
상기 도 5를 참조하면, 상기 온도 센서(513, 523)는 두 엠프(501, 503)의 트렌지스터에 최대한 가깝게 장착되며, 상기 트렌지스터의 온도를 측정하여 상기 HPA 제어부(511, 521)로 제공한다.
상기 HPA 제어부(511, 521)는 상기 온도 센서(513, 523)로부터 제공되는 각 트렌지스터의 온도에 적합한 게이트 바이어스 값을 검사하고, 상기 검사된 게이트 바이어스 값에 따라 외부로부터 제공되는 DC 전원을 조절하여 상기 각각의 게이트 바이어스 회로(515, 525)로 출력한다. 여기서, 상기 HPA 제어부(511, 521)는 각 온도별로 상기 두 엠프(513, 523) 각각이 최적의 성능을 낼 수 있는 게이트 바이어스 값을 테이블화하여 미리 저장한다.
상기 게이트 바이어스 회로(515, 525)는 상기 HPA 제어부(511, 521) 각각에서 온도에 따라 출력되는 DC 전압을 제공받아 상기 DC 전압의 잡음을 제거한 후, 상기 드라이브 엠프(501)와 상기 메인 엠프(503)로 각각 출력한다.
상술한 각 게이트 바이어스 조절부(505, 507)는 도 6에 도시된 바와 같이, 구현될 수 있을 것이다. 즉, 상기 각 게이트 바이어스 조절부(505, 507)는 HPA 제어부(601), 온도 센서(603), 게이트 바이어스 회로(605) 이외에 상기 온도 센서(603)로 외부 전원을 인가하는 외부 전원(611)과 상기 HPA 제어부(601)로부터 출력되는 게이트 바이어스인 DC 전압 값을 상세하게 조절하기 위한 고정된 저항 R1(613)과 가변 저항 Rv(615)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 바이어스 회로(605)는 전원 잡음 제거 캐패시터(621)와 바이패스 캐패시터(bypass Capacitor)(623) 그리고 λ/4 전송선로(625)를 포함하여 구성될 수 있을 것이다. 여기서, 상기 바이패스 캐패시터(623)와 λ/4 전송선로(625)는 DC 전원만을 통과시키고 상기 두 개의 엠프(501, 503)로부터 RF 신호가 유입되는 것을 방지하기 위한 회로이다.
도 7과 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 고출력 증폭기에서 온도 변화에 따라 게이트 바이어스를 조절하여 획득한 실험 결과를 도시하고 있다.
상기 도 7은 고출력 증폭기가 50°C의 고온의 환경에서 동작할 경우의 인접채널 누설비(ACLR) 측정 결과를 나타내고 있으며, 상기 도 8은 상기 고출력 증폭기가 상기 50°C의 고온의 환경에서 동작할 경우의 성상 에러 측정 결과를 나타내고 있다. 이하 설명에서 상기 도 7에 도시된 그래프의 가로축은 주파수를 나타내고 세로축은 ACLR의 크기를 나타내며, 상기 도 8에 도시된 그래프의 가로축은 주파수를 나타내고 세로축은 성상 에러 크기를 나타낸다.
상기 도 7을 참조하면, 일반적으로 상온에서 고출력 증폭기의 ACLR 특성은 4.77MHz 주파수 오프셋에서 대략 -41dBc 정도를 갖게 되지만, 종래 기술에 따라 고정된 게이트 바이어스를 이용하는 상기 고출력 증폭기는 상기 고온의 환경에서 상기 ACLR이 상기 4.77MHz 주파수 오프셋에서 -37.37dBc가 되어 상기 상온에서보다 약 4dB이상 열화된 특성을 갖게 된다. 반면, 본 발명의 온도 변화에 따라 변화되는 게이트 바이어스 값을 이용하는 고출력 증폭기는 상기 고온의 환경에서 상기 ACLR이 상기 4.77MHz 주파수 오프셋에서 상기 상온에서의 특성과 비슷한 -41.63dBc를 갖는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 도 8을 참조하면, 일반적으로 상온에서 고출력 증폭기의 성상 에러는 -35dB 이상이어야 하지만, 상기 종래 기술에 따라 고정된 게이트 바이어스를 이용하는 고출력 증폭기의 성상 에러는 -28dB 정도가 되어 규격을 만족하지 못하는 것을 알 수 있다. 반면, 상기 본 발명의 온도 변화에 따라 변화되는 게이트 바이어스 값을 이용하는 고출력 증폭기의 성상 에러는 -37dB 이상의 값을 갖게 되어 종래 기술보다 약 9dB 이상 개선되었고, 상기 -35dB 이상의 규격을 만족하는 것을 알 수 있다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이 다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 무선통신 시스템의 고출력 증폭기에서 온도 변화에 따라 드라이브 엠프(Drive Amp) 및 메인 엠프(Main Amp)로 입력되는 게이트 바이어스를 조절하여 공급함으로써, 트랜지스터의 온도에 의해 성능이 열화되는 것을 감쇄시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 미리 저장된 테이블을 이용하여 현재 온도에 따라 게이트 바이어스 값을 조절하는 방법을 사용함으로써, 특정 온도에서 성능 열화가 발생될 경우 손쉽게 상기 게이트 바이어스 값을 조절하여 최적의 성능이 열화되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (19)

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  6. 무선통신 시스템에서 고출력 증폭기 장치에 있어서,
    외부로부터 전압을 공급하는 전원 공급부와,
    온도 변화에 따라 상기 외부로부터 공급되는 전압을 조절하는 온도보상 회로와,
    상기 조절된 전압을 게이트 바이어스 전압으로 이용하여 RF(Radio Frequency) 신호를 증폭시키는 증폭기를 포함하며,
    상기 온도 보상 회로는, 두 개의 고정 저항과 가변 저항 및 써미스터를 포함하고, 상기 외부로부터 공급되는 전압을 하기 수학식 2를 이용하여 조절하는 것을 특징으로 하는 장치.
    Figure 712010003419547-pat00015
    여기서, 상기 gate biasoutput은 상기 온도보상 회로에서 조절되는 전압 값, 상기 gate biasinput은 상기 외부로부터 공급되는 전압 값, 상기 R1과 R2는 고정 저항, Rv는 가변 저항, Rth는 상기 써미스터 저항값을 나타냄.
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  10. 제 6항에 있어서,
    상기 온도보상 회로와 상기 증폭기 사이에 존재하여 상기 온도보상 회로에서 조절되는 전압의 잡음을 제거하고 상기 증폭기의 RF 신호가 상기 온도보상 회로로 입력되는 것을 방지하는 게이트 바이어스 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 10에 있어서,
    상기 게이트 바이어스 회로는,
    상기 온도보상 회로로부터 출력되는 전압의 잡음을 제거하는 캐패시터와,
    상기 전압을 상기 증폭기로 전달하고, 상기 RF 신호를 차단하는 바이패스 캐패시터와 전송라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 고출력 증폭기 장치에 있어서,
    외부로부터 전압을 공급하는 전원 공급부와,
    측정되는 온도에 따라 가변적인 출력을 제공하는 센서와,
    상기 측정되는 온도에 대응되는 바이어스 전압을 제공하는 제어회로와,
    상기 바이어스 전압을 이용하여 신호를 증폭시키는 증폭기를 포함하며,
    상기 센서는, 써미스터(thermistor)를 포함하며, 온도의 변화에 따라 상기 써미스터의 저항에 대응되는 가변적인 출력을 제공하고,
    상기 제어회로는, 두 개의 고정 저항과 가변 저항을 포함하고, 하기 수학식 3을 이용하여 상기 바이어스 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 장치.
    Figure 712010003419547-pat00016
    여기서, 상기 gate biasoutput은 상기 제어회로에서 조절되는 전압 값, 상기 gate biasinput은 상기 외부로부터 공급되는 전압 값, 상기 R1과 R2는 고정 저항, Rv는 가변 저항, Rth는 상기 써미스터 저항값을 나타냄.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제어회로는, 상기 전원 공급부로부터 전원을 공급받고, 공급받은 전원을 측정되는 온도에 대응되도록 조절하여 상기 바이어스 전압으로 제공하는 것을 특징으로 하는 장치.
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  18. 제 12항에 있어서,
    상기 제어회로와 상기 증폭기 사이에 존재하여 상기 제어회로에 의해 제공되는 바이어스 전압의 잡음을 제거하고 상기 증폭기의 신호가 상기 제어회로로 입력되는 것을 방지하는 바이어스 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 18에 있어서,
    상기 바이어스 회로는,
    상기 제어회로로부터 제공되는 바이어스 전압의 잡음을 제거하는 캐패시터와,
    상기 전압을 상기 증폭기로 전달하고, 상기 증폭기의 신호를 차단하는 바이패스 캐패시터와 전송라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
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