KR100983162B1 - Equipments for light exposure for large substrate - Google Patents
Equipments for light exposure for large substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR100983162B1 KR100983162B1 KR1020040005838A KR20040005838A KR100983162B1 KR 100983162 B1 KR100983162 B1 KR 100983162B1 KR 1020040005838 A KR1020040005838 A KR 1020040005838A KR 20040005838 A KR20040005838 A KR 20040005838A KR 100983162 B1 KR100983162 B1 KR 100983162B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- mounting jaw
- pattern
- jaw
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2045—Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
광원, 광원의 빛을 가공하는 광학계, 패턴 마스크, 기판이 놓이는 작업 테이블이 구비되어 이루어지는 노광 장치에 있어서, 패턴 마스크는 상기 기판을 완전히 커버할 수 있도록 더 넓게 형성되고, 작업 테이블은, 노광 작업시 전체적으로 테이블면이 수직을 이루도록 설치되며, 기판의 주연부를 흡착할 수 있도록 기판 주연부가 놓이는 위치를 따라 폐곡선으로 형성되는 기판 거치 턱, 기판 거치 턱 내측의 테이블면에 설치되는 기판측 진공 흡입구, 기판 거치 턱 외측으로 패턴 마스크의 주연부가 놓이는 위치를 따라 폐곡선을 이루도록 형성되는 마스크 거치 턱, 기판 거치 턱과 마스크 거치 턱 사이에 설치되는 마스크측 진공 흡입구를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광 장치가 개시된다.An exposure apparatus including a light source, an optical system for processing light of a light source, a pattern mask, and a work table on which a substrate is placed, wherein the pattern mask is formed to be wider to completely cover the substrate, and the work table is used during the exposure operation. The table surface is installed vertically as a whole, and the substrate mounting jaw is formed in a closed curve along the position where the substrate edge is placed so as to adsorb the periphery of the substrate. Disclosed is an exposure apparatus comprising a mask mounting jaw formed to form a closed curve along a position at which the periphery of the pattern mask is placed outside the jaw, and a mask side vacuum suction port provided between the substrate mounting jaw and the mask mounting jaw.
Description
도1은 패턴 마스크와 기판 사이의 갭과 빛의 발산각에 의한 패턴 크기의 편차가 발생하는 것을 나타내는 설명도,1 is an explanatory diagram showing that a deviation in pattern size occurs due to a gap between the pattern mask and the substrate and the divergence angle of light;
도2는 종래의 평면 거치 방식에서 대면적 패턴 마스크의 쳐짐 현상을 나타내는 설명도,2 is an explanatory diagram showing a deflection phenomenon of a large area pattern mask in a conventional planar mounting method;
도3은 기판과 패턴 마스크를 수직 거치하는 노광 방법을 설명하기 위한 개략적 구성도,3 is a schematic diagram illustrating an exposure method of vertically mounting a substrate and a pattern mask;
도4는 도3과 같은 노광 방법에서 수직 테이블의 문제점을 확대하여 표현하는 설명도,4 is an explanatory diagram in which the problem of the vertical table is enlarged and expressed in the exposure method as shown in FIG. 3;
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 장치의 작업 테이블 구성과 기판, 패턴 마스크의 거치 위치를 개략적으로 표현한 평면도,5 is a plan view schematically illustrating a work table configuration, a mounting position of a substrate, and a pattern mask of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention;
도6 및 도7은 수직 설치된 본 발명 노광 장치의 일 실시예에서 진공의 작용으로 기판 및 패턴 마스크가 작업 테이블에 고정되는 상태를 설명하기 위한 부분 단면도이다. 6 and 7 are partial cross-sectional views for explaining a state in which a substrate and a pattern mask are fixed to a work table by the action of a vacuum in one embodiment of the exposure apparatus of the present invention installed vertically.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10: 패턴 마스크 20: 기판10: pattern mask 20: substrate
30,300: 작업 테이블 32,38,39: 진공통로 30,300: Work table 32,38,39: Vacuum passage
33: 마스크 거치 턱 34: 마스크측 진공 흡입구33: mask mounting jaw 34: mask side vacuum suction port
35: 기판측 진공 흡입구 36: 기판 거치 턱35: substrate side vacuum suction port 36: substrate mounting jaw
37: 개공 41: 제1 공간37: Opening 41: First space
43: 제2 공간43: second space
본 발명은 노광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 PDP와 같은 대화면 표시장치의 대면적 기판(판넬)에 정밀한 패턴을 형성하기 위한 노광장치 테이블에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly, to an exposure apparatus table for forming a precise pattern on a large area substrate (panel) of a large-screen display such as a PDP.
표시장치의 대화면화 경향에 따라 PDP와 같은 표시장치에서도 40 인치를 넘어서는 대면적화가 가속되고 있다. 동시에 화면의 고정세화도 요구된다. 넓은 면적의 기판 혹은 기판 필터에 균일하고 정밀도가 높게 화소 기타 패턴을 형성하기 위해서 화소를 형성하는 노광 공정도 전체 면적에 걸쳐 높은 정밀도로 이루어질 것이 요구된다. 특히, 공정 비용을 줄이고 생산성을 높이기 위한 다면취 공정을 추구하면서 이런 요구는 더욱 커지고 있다.With the trend toward the larger screens of display devices, large area sizes exceeding 40 inches are accelerating in display devices such as PDPs. At the same time, high definition of the screen is required. In order to form a pixel or other pattern uniformly and with high precision on a large area substrate or substrate filter, an exposure process for forming pixels is also required to be made with high precision over the entire area. In particular, these demands are growing in pursuit of multifaceted processes to reduce process costs and increase productivity.
일반적으로 노광 공정은 노광물질을 대상 표면에 도포하고, 도포막 위에 패턴 마스크를 통해 빛을 비추어 도포막을 노광시킴으로써 이루어진다. 이런 노광 공정을 위해서는 일반적으로 광원과 광원의 빛을 처리하여 원하는 상태로 만드는 광학계와 노광 마스크 및 기판이 놓이는 작업 테이블을 구비하여 이루어지는 노광 장 치가 요구된다. Generally, an exposure process is performed by apply | coating an exposure substance to a target surface, and exposing a coating film by shining light through a pattern mask on a coating film. Such an exposure process generally requires an exposure apparatus including an optical system for processing a light source and the light of the light source to a desired state, and a work table on which an exposure mask and a substrate are placed.
반도체와 같은 작은 면적에 노광하는 것과 달리 PDP 판넬과 같은 대면적에 노광을 할 때에는 광원이 평행광이 되도록 하기 어렵다. 또한, 광이 평행광에 가깝도록 콜리메이터(collimator)를 거치게 할 수 있지만 콜리메이션 처리된 경우에도 발산각이 존재하게 된다. Unlike exposure to a small area such as a semiconductor, when exposing to a large area such as a PDP panel, it is difficult for the light source to be parallel light. In addition, although the light may be subjected to a collimator so that the light is close to parallel light, the divergence angle is present even when collimated.
따라서, 도포막이 형성된 기판면과 노광을 위한 패턴 마스크 사이의 거리가 길어지면 마스크의 투명부를 통과한 빛이 발산되면서 크기가 1:1로 전사되는 노광에서도 마스크 상의 패턴보다 큰 패턴이 기판 상의 도포막에 형성된다. 도1은 이런 현상을 설명하기 위한 설명도이다. 여기서, 기판(20) 도포막의 패턴이 마스크 패턴에 비해 늘어난 길이 dX는 근사적으로 패턴 마스크(10)와 기판(20) 도포막 사이의 거리 Z와 발산각 θ(radian)의 곱에 비례함을 알 수 있다. 이는 일반적인 발산각이 직각에 비해 충분히 작은 수 도(degree) 정도의 수준이기 때문에 큰 문제없이 성립한다. Therefore, when the distance between the substrate surface on which the coating film is formed and the pattern mask for exposure is increased, the pattern larger than the pattern on the mask is larger than the pattern on the mask even under exposure in which the light is passed through the transparent portion of the mask and the size is transferred 1: 1. Is formed. 1 is an explanatory diagram for explaining this phenomenon. Here, the length dX in which the pattern of the coating film of the
한편, 현재의 PDP EMI 필터에는 10±2um 정도의 정밀한 패턴 폭이 형성될 것이 요구되고, 현재의 공정은 이정도의 패턴 폭에서 편차 dX는 1um 이하가 되는 정밀도를 요구하고 있다. 이런 편차 범위 내에 들기 위해서는 패턴 마스크와 기판 도포막 사이의 갭이 10um일 경우, 발산각은 5.73도, 갭이 20um일 경우, 발산각은 2.87도를 넘어서는 안된다. 원하는 편차 범위 내에 들기 위해서 발산각을 줄이거나 패턴 마스크와 기판 도포막 사이의 거리 Z를 줄이는 방법이 있다. 그러나, 광학 특성치인 발산각을 줄이는 것은 광학 시스템을 구성하는 렌즈와 미러 등의 크기때문 에 한계가 있어 실현이 어렵다. 이런 현실은 패턴 마스크와 기판 도포막 사이에 실질적으로 갭이 없어야 할 것을 요구한다. On the other hand, the current PDP EMI filter is required to form a precise pattern width of about 10 ± 2um, the current process requires a precision that the deviation dX is less than 1um in this pattern width. In order to fall within such a deviation range, the divergence angle should not exceed 5.87 degrees when the gap between the pattern mask and the substrate coating film is 10 μm, and when the gap is 20 μm. In order to fall within the desired deviation range, there is a method of reducing the divergence angle or reducing the distance Z between the pattern mask and the substrate coating film. However, reducing the divergence angle, which is an optical characteristic value, is difficult due to limitations due to the size of the lens, mirror, etc. constituting the optical system. This reality requires that there be substantially no gap between the pattern mask and the substrate coating film.
그런데, 종래의 표시장치 판넬 형성을 위한 자외선 광에 의한 대면적 일괄 노광법에서 노광될 패턴의 면적은 큰 반면 사용될 패턴 마스크의 두께는 수[mm]에 지나지 않았다. 따라서, 노광 장치에서 도2와 같이 노광을 위해 패턴 마스크(10)를 기판(20) 위에 위치시키면 기판(20)은 작업 테이블(30)에 놓이는 반면 패턴 마스크(10)는 주연부만 지지되므로 중앙부가 쳐져서 패턴 마스크(10)와 기판(20) 도포막 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 없었다. However, in the conventional large area batch exposure method using ultraviolet light for forming the display panel, the area of the pattern to be exposed is large while the thickness of the pattern mask to be used is only a few [mm]. Therefore, in the exposure apparatus, when the
이런 중력에 의한 패턴 마스크 쳐짐의 문제점을 해결하고자 패턴 마스크(10)를 수직으로 걸어 설치하고, 기판(20)도 수직 작업 테이블(30)에 고정시키는 방법이 도입되었다. 도3은 이런 노광 방법을 설명하기 위한 개략적 구성을 나타내는 도면이다.In order to solve the problem of the pattern mask sagging caused by gravity, a method of mounting the
도3에서 나타난 방법을 사용하기 위해서는 기판(20)을 수직 작업 테이블(30)에 고정시켜야 하고, 통상 그 고정 방법으로 진공 흡착을 사용하게 된다. 기판(20)이 작업 테이블(30)에 진공 흡착된다면 기판면은 테이블면에 밀착된다. 그런데, 테이블의 가공 기술에 있어서 한변이 2m 정도의 사각 테이블을 연삭가공과 표면처리를 통해 얻을 수 있는 평면정밀도는 50um 정도이다. 즉, 최대로 두드러진 부분과 움푹한 부분의 차이는 100um 정도의 차이를 가질 수 있다. In order to use the method shown in FIG. 3, the
도4는 대면적 노광에서 상술한 수직 작업 테이블(30)의 문제점을 다소 과장하여 표현하는 설명도이며, 도번 32는 진공통로를 나타낸다. 이런 상태에서 비록 패턴 마스크(10) 면이 지면에 수직을 유지하는 경우에도 기판(20) 면은 굴곡을 가지므로 패턴 마스크(10) 면과 기판(20) 면 사이의 갭을 일정하지 않게 된다. 따라서, 평행광을 사용하는 경우에도 기판(20) 전면에 걸쳐 균일하고 정밀한 패턴을 노광 공정으로 형성하기 어렵고, 정밀 패턴은 스탭 노광 방식을 이용하게 되므로 비용이 증가하는 요인이 된다. Fig. 4 is an explanatory diagram in which the problems of the vertical work table 30 described above are exaggerated in large-area exposure, and Fig. 32 shows a vacuum passage. In this state, even if the surface of the
본 발명은 상술한 대면적 기판의 수직 전면 노광에 있어서의 기판면의 정밀도에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로, 패턴 마스크와 기판면을 실질적으로 밀착시킴으로서 패턴 마스크와 기판 사이의 갭을 일정 이하로 유지시켜 고정세의 패턴 노광을 가능하게 하는 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the problems caused by the precision of the substrate surface in the vertical front exposure of the large area substrate described above, and keeps the gap between the pattern mask and the substrate below a certain level by bringing the pattern mask and the substrate surface into close contact with each other. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus that enables high-definition pattern exposure.
본 발명은 패턴 마스크와 기판 사이의 갭을 실질적으로 없애 노광에 사용되는 빛의 발산각이 큰 경우에도 원하는 형태와 크기의 마스크 패턴이 기판에 전사될 수 있는 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of transferring a mask pattern having a desired shape and size to a substrate even when a divergence angle of light used for exposure is large by substantially eliminating the gap between the pattern mask and the substrate.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, The present invention for achieving the above object,
광원, 광원의 빛을 가공하는 광학계, 패턴 마스크, 기판이 놓이는 작업 테이블이 구비되어 이루어지는 노광 장치에 있어서,In the exposure apparatus provided with the light source, the optical system which processes the light of a light source, a pattern mask, and the work table on which a board | substrate is placed,
상기 패턴 마스크는 상기 기판을 완전히 커버할 수 있도록 더 넓게 형성되고, The pattern mask is formed wider to completely cover the substrate,
상기 작업테이블은, 노광 작업시 전체적으로 테이블면이 수직을 이루도록 설 치되며, 상기 기판의 주연부를 흡착할 수 있도록 상기 기판 주연부가 놓이는 위치를 따라 폐곡선으로 형성되는 적어도 하나의 기판 거치 턱, 상기 기판 거치 턱 가운데 최외측 기판 거치 턱 내측의 상기 테이블면에 적어도 하나 설치되는 기판측 진공 흡입구, 상기 최외측 기판 거치 턱 외측으로 상기 패턴 마스크의 주연부가 놓이는 위치를 따라 폐곡선을 이루도록 형성되는 적어도 하나의 마스크 거치 턱, 상기 최외측 기판 거치 턱과 상기 마스크 거치 턱 가운데 최외측 마스크 거치 턱 사이의 상기 테이블면에 적어도 하나 설치되는 마스크측 진공 흡입구를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The work table is installed so that the table surface is perpendicular to the entire surface during the exposure operation, at least one substrate mounting jaw formed in a closed curve along the position where the substrate peripheral portion is placed so as to absorb the peripheral portion of the substrate, the substrate mounting At least one mask mounting hole formed on the table surface inside the outermost substrate mounting jaw of the jaw, at least one mask mounting formed to form a closed curve along the position where the periphery of the pattern mask is placed outside the outermost substrate mounting jaw. And at least one mask side vacuum suction port provided on the table surface between the jaw, the outermost substrate mounting jaw and the outermost mask mounting jaw among the mask mounting jaws.
본 발명에서 기판 거치 턱이 두 개 이상 복수개로 이루어지고, 기판측 진공 흡입구는 이들 기판 거치 턱 사이사이에 형성될 경우, 기판을 보다 효율적으로 잡아줄 수 있고, 기판의 편형을 줄일 수 있으므로 바람직하다. 이 경우, 최내측 기판 거치 턱의 내측 작업 테이블의 중앙부에는 외기가 기판의 내측면에 작용할 수 있는 홀이 형성될 수 있다. In the present invention, when the substrate mounting jaw is made up of two or more, and the substrate side vacuum suction port is formed between these substrate mounting jaws, it is preferable because the substrate holding jaw can be more efficiently grasped and the deflection of the substrate can be reduced. . In this case, a hole may be formed in the central portion of the inner working table of the innermost substrate mounting jaw to allow the outside air to act on the inner surface of the substrate.
본 발명에서 기판 거치 턱 및 마스크 거치 턱은 기판과 닿아 밀착되면서 진공 흡입구에 진공이 인가될 때 기밀이 새지 않을 정도의 연성 기밀성 재료로 이루어진다. 한편, 거치 턱들은 일정한 기계적 강도와 탄성을 가지는 재료로 이루어져 진공 흡입구에 진공이 인가되면 기판이나 마스크를 작업 테이블쪽으로 당겨질 때 그 힘에 의해 높이가 줄어드는 것이 바람직하다. 이런 재료로 신축성이 우수한 발포 고무를 사용할 수 있다. In the present invention, the substrate mounting jaw and the mask mounting jaw are made of a soft hermetic material that does not leak when the vacuum is applied to the vacuum suction port while being in close contact with the substrate. On the other hand, the mounting jaw is made of a material having a certain mechanical strength and elasticity, when the vacuum is applied to the vacuum inlet it is preferable that the height is reduced by the force when the substrate or mask is pulled toward the work table. With such a material, it is possible to use foam rubber having excellent elasticity.
본 발명에서 상기 기판 거치 턱은 상기 마스크 거치 턱보다 낮게 형성되는 것이 바람직하다. In the present invention, the substrate mounting jaw is preferably formed lower than the mask mounting jaw.
본 발명에서 진공 흡입구들은 하나 혹은 복수개의 개공으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 거치 턱과 평행하게 작업 테이블에서 폐곡선을 이루도록 설치된다. In the present invention, the vacuum inlets may be formed of one or a plurality of openings, and are preferably installed to form a closed curve on the work table in parallel with the mounting jaw.
이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도5는 본 발명 노광 장치의 일 실시예에서의 작업 테이블에 대한 평면도이며, 도6은 본 발명 노광 장치의 일 실시예에서 작업 테이블이 수직으로 위치하면서 기판이 작업 테이블에 진공 흡착으로 고정된 상태를, 도7은 본 발명 노광 장치의 일 실싱예에서 작업 테이블이 수직으로 위치하면서 패턴 마스크가 작업 테이블에 진공 흡착으로 고정되고 기판과 밀착된 상태를 나타내는 단면도이다. Figure 5 is a plan view of a work table in one embodiment of the exposure apparatus of the present invention, Figure 6 is a state in which the substrate is fixed to the work table by vacuum suction while the work table is vertically positioned in one embodiment of the exposure apparatus of the present invention. 7 is a cross-sectional view showing a state in which the work mask is vertically positioned and the pattern mask is fixed to the work table by vacuum suction and closely adhered to the substrate in one example of the exposure apparatus of the present invention.
도면을 참조하면서 설명하면, 본 실시예에서는 통상의 광원과 광학계를 가지고 있다고 전제하며, 통상의 노광 장치에서 패턴 마스크(10)의 거치대와 기판(20) 거치대인 작업 테이블이 별도로 설치됨에 비해 패턴 마스크(10)도 작업 테이블(300)에 함께 장착되게 된다. 패턴 마스크(10)는 기판(20)보다 넓게 형성되며, 작업 테이블(300)도 패턴 마스크(10)를 놓을 수 있을 정도로 넓게 형성된다. 이러한 작업 테이블(300)은 노광 작업시 전체적으로 테이블면이 지면에 수직을 이루도록 설치된다. Referring to the drawings, in the present embodiment, it is assumed that it has a conventional light source and an optical system, and in the conventional exposure apparatus, the
작업 테이블에(300)는 기판(20)의 주연부를 흡착할 수 있도록 상기 기판(20) 주연부가 놓이는 위치를 따라, 즉, 기판(20)의 테둘이를 따라 두 개의 기판 거치 턱(36)이 설치되어 있다. 각각의 기판 거치 턱(36)은 폐곡선을 이루게 되며, 턱 높이는 같은 크기로 이루어진다. 두 기판 거치 턱(36) 사이의 작업 테이블(300) 면에는 턱과 나란히 역시 폐곡선을 이루도록 기판측 진공 흡입구(35)가 설치된다. 따라서, 기판측 진공 흡입구(35)에 진공이 인가되면 두 턱(36)과 기판(20) 면 및 작업 테이블(300)로 둘러싸인 공간이 진공이 되면서 외부의 대기압에 의해 기판(20)이 작업 테이블(300)쪽으로 힘을 받고 기판 거치 턱(36)에 밀착된다. On the work table 300, two
기판 거치 턱(36)은 고무 등의 연질 재료로 이루어져 있으므로 기판(20)이 밀착될수록 기밀이 유지되기 쉽다. 기판(20)의 중앙부에는 진공이 작용하지 않으므로 대기압에 의해 기판(20)이 작업 테이블(300)쪽으로 변형되지는 않는다. 기판 거치 턱(36)은 탄성체이므로 대기압의 작용으로 높이가 줄어들게 된다. 줄어드는 높이는 진공도에 따라 조절될 수 있다. Since the
작업 테이블(300) 면에서 기판 거치 턱(36) 외측에는 패턴 마스크(10)의 주연부가 놓이는 위치를 따라 폐곡선을 이루도록 형성되는 마스크 거치 턱(33)이 형성된다. 기판 거치 턱(36)들 가운데 외측의 것과 마스크 거치 턱(33) 사이의 작업 테이블면에는 마스크측 진공 흡입구(34)가 설치된다. 마스크 거치 턱(33)도 복수로 설치되고, 마스크측 진공 흡입구(34)가 마스크 거치 턱(33)들 사이에 설치될 수 있으나 패턴 마스크(10)와 기판(20) 사이의 밀착은 도시된 실시예보다 어렵게 될 수 있다. A
도시된 실시예에서 노광을 위해 작업 테이블(300)에 기판(20)과 패턴 마스크(10)가 설치되는 과정을 살펴보면, 먼저 수직으로 설치된 작업 테이블(300) 의 기판 거치 턱(36)에 기판(20)의 주연부가 닿도록 기판(20)이 작업 테이블(300)에 접근된다. 기판측 진공 흡입구(35)에 의해 두 기판 거치 턱(36) 사이, 기판(20) 및 작업 테이블(300) 사이인 제1 공간(41)에 인가되는 진공도가 커지면서 기판(20)이 기판 거치 턱(36)에 밀착되고, 기판 거치 턱(36)의 높이가 줄어들면서 기판(20)은 작업 테이블(300)에 고정된다. Looking at the process in which the
이어서, 패턴 마스크(10)의 주연부가 작업 테이블(300)의 마스크 거치 턱(33)에 놓이도록 패턴 마스크(10)를 작업 테이블(300)에 접근시킨다. 마스크측 진공 흡입구(34)에 진공이 인가되면서 패턴 마스크가 마스크 거치 턱(33)에 밀착되고, 작업 테이블(300)에 고정된다. 마스크측 진공 흡입구(34)에 의해 기판(20)과 패턴 마스크(10) 사이의 공간 및 기판 거치 턱(36)과 마스크 거치 턱(33) 사이의 제2 공간(43)에 인가되는 진공도가 높아짐에 따라 기판 외측에서 작업 테이블(300)쪽으로 기판(20)을 미는 기압은 작아진다. 제1 공간(41)은 약간 확장되고 줄어든 기판 거치 턱(36)의 높이는 점차 회복되면서 기판(20)은 패턴 마스크(10)쪽으로 일부 이동하게 된다. Subsequently, the
한편, 내측의 제2 공간(43)의 진공도가 높아지면서 외측에서 대기압이 패턴 마스크(10)를 기판(20)쪽으로 미는 힘은 점차 커진다. 패턴 마스크(10)는 주연부에서만 지지되므로 중앙부는 대기압을 받아 기판쪽으로 볼록하게 변형된다. 한편, 주연부에서 마스크 거치 턱(33)은 높이가 줄어든다. 기판(20)과 패턴 마스크(10)의 간격은 점차 줄어들어 제2 공간(43)의 진공도가 일정 수준이 되면 기판(20)과 패턴 마스크(10) 사이의 갭은 실질적으로 없게 된다.
On the other hand, as the vacuum degree of the inner
단, 기판측 진공 흡입구(35)의 진공도가 너무 낮고 마스크측 진공 흡입구(34)의 진공도가 높으면 마스크측 진공 흡입구(34)에 진공이 인가될 때 기판(20)이 기판 거치 턱(36)에서 분리 탈락될 위험이 있으므로 진공도가 조절되어야 한다. 또한, 기판 거치 턱(36)이나 마스크 거치 턱(33)의 높이 및 탄성도 패턴 마스크(10)의 변형 및 기판(20)과 패턴 마스크(10)의 밀착에 영향을 주므로 진공도의 조절과 함께 조절되어야 한다. 통상 기판 거치 턱은 마스크 거치 턱보다 조금 낮거나 같은 높이가 될 수 있다.However, if the vacuum degree of the substrate side
한편, 기판(20) 중앙부와 작업 테이블(300) 사이의 공간은 테이블의 구성에 따라 혹은 기판 거치 턱(36)들의 상대적 높이에 따라 제1 공간(41)과 같은 진공도의 진공이 형성될 수도, 대기압이나 대기압보다 높은 압력이 될 수도 있다. 이 공간과 외부 대기를 연결시키는 개공(37)을 작업 테이블(300) 면에 형성할 경우, 도7과 같은 기판(20)과 패턴 마스크(10)의 밀착시 기판(20)의 작업 테이블(300)측 면과 패턴 마스크(10)의 외측 면에 모두 대기압이 작용하므로 기판면이 수직이된다는 점에서 노광이 보다 정밀하게 이루어질 수 있을 것이다. On the other hand, the space between the central portion of the
기판과 패턴 마스크가 실질적으로 닿는 경우, 이들 사이의 미세 갭이 얼마가 될지는 접촉된 기판과 패턴 마스크 사이에 생기는 간섭무늬로 판단할 수 있다. 미세 갭이 존재하는 경우에도 이정도의 갭은 통상의 발산각을 가지는 광선에서 편차 1um 정도의 정밀도로 패턴 크기 10±2um 수준의 패턴을 형성하는 데에는 문제가 없으므로 굳이 측정할 필요는 없다. When the substrate and the pattern mask are substantially in contact with each other, the amount of fine gap between them may be determined as an interference fringe generated between the contacted substrate and the pattern mask. Even in the presence of a fine gap, this gap does not need to be measured since there is no problem in forming a pattern having a pattern size of 10 ± 2 μm with a precision of about 1 μm of deviation from a light having a normal divergence angle.
만약 마스크 거치 턱이 복수개로 설치되고, 마스크측 진공 흡입구가 마스크 거치 턱들 사이에 설치되는 경우, 패턴 마스크와 기판 사이의 밀착은 마스크 거치 턱 사이의 공간에 진공도를 높게하여 마스크 거치 척의 높이를 줄이는 것만에 의해 이루어지게 된다. 따라서 진공도를 매우 높게 하거나 마스크 거치 턱을 보다 신축성이 뛰어난 재료를 사용해야 한다는 제약이 있게 될 것이다. If a plurality of mask mounting jaws are provided and a mask side vacuum suction port is installed between the mask mounting jaws, the close contact between the pattern mask and the substrate is only to reduce the height of the mask mounting chuck by increasing the degree of vacuum in the space between the mask mounting jaws. Will be done by Therefore, there will be a constraint that the vacuum degree is very high or the masking jaw should be used with a more elastic material.
한편, 본 발명에서 패턴 마스크는 기판면과 직접 닿게 되므로 패턴 마스크의 패턴을 이루는 막의 재질을 크롬 등 강한 것을 사용하여야 하며, 오염에 대비하여 관리상의 주의가 필요하다. On the other hand, in the present invention, since the pattern mask is in direct contact with the substrate surface, a strong material such as chromium should be used as the material of the film forming the pattern mask, and care must be taken in preparation for contamination.
본 발명에 따르면 대면적 마스크와 기판를 사용하여 노광을 하는 대면적 노광에서 패턴 마스크와 기판면을 실질적으로 밀착시킴으로서 패턴 마스크와 기판 사이의 갭을 일정이하로 유지시켜 고정세의 패턴 노광을 가능하게 하며, 대면적 노광의 특성상 빛의 발산각이 큰 경우에도 원하는 형태와 크기의 마스크 패턴이 기판에 전사될 수 있도록 한다.
According to the present invention, in a large-area exposure using a large-area mask and a substrate, the pattern mask and the substrate surface are substantially adhered to each other, thereby maintaining a gap between the pattern mask and the substrate at a predetermined level, thereby enabling high-definition pattern exposure. However, even when the divergence angle of light is large due to the characteristics of large area exposure, a mask pattern having a desired shape and size can be transferred to the substrate.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040005838A KR100983162B1 (en) | 2004-01-29 | 2004-01-29 | Equipments for light exposure for large substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040005838A KR100983162B1 (en) | 2004-01-29 | 2004-01-29 | Equipments for light exposure for large substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050078409A KR20050078409A (en) | 2005-08-05 |
KR100983162B1 true KR100983162B1 (en) | 2010-09-20 |
Family
ID=37265559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040005838A KR100983162B1 (en) | 2004-01-29 | 2004-01-29 | Equipments for light exposure for large substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100983162B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102502727B1 (en) * | 2015-11-09 | 2023-02-23 | 삼성전자주식회사 | reticle and exposure apparatus including the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057623A (en) | 1984-01-18 | 1985-04-03 | Hitachi Ltd | Non-contact sealing device |
JPH02304449A (en) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Substrate chuck mechanism |
KR20020071841A (en) * | 1999-09-01 | 2002-09-13 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | Substrate supporting table of exposure system |
-
2004
- 2004-01-29 KR KR1020040005838A patent/KR100983162B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057623A (en) | 1984-01-18 | 1985-04-03 | Hitachi Ltd | Non-contact sealing device |
JPH02304449A (en) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Substrate chuck mechanism |
KR20020071841A (en) * | 1999-09-01 | 2002-09-13 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | Substrate supporting table of exposure system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050078409A (en) | 2005-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5748726B2 (en) | Optical inspection device | |
KR100356772B1 (en) | Bonding method and bonding device of substrates and manufacturing method of a liquid crystal display device | |
JPH0312948A (en) | Substrate holder | |
US6036568A (en) | Method and apparatus for assembling liquid crystal display | |
US6232023B1 (en) | Contact exposure process and device | |
JP4799172B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate | |
JP5219599B2 (en) | Proximity exposure apparatus, substrate adsorption method for proximity exposure apparatus, and display panel substrate manufacturing method | |
JP2015038982A (en) | Holding device and contact exposure device and proximity exposure device of substrate | |
JP2004061577A (en) | Method for fixing mask plate and device for supporting mask plate for exposing device | |
TW202239532A (en) | Minimal contact retention of thin optical devices | |
KR102070074B1 (en) | Pellicle frame | |
WO2018074013A1 (en) | Apparatus for vacuum bonding of bonded device | |
KR100983162B1 (en) | Equipments for light exposure for large substrate | |
JP4128171B2 (en) | Mask fixing device and exposure apparatus using the same | |
CN111508866A (en) | Reversing unit and substrate processing apparatus including the same | |
JP2021090020A (en) | Template for imprinting and imprinting method using the same | |
US20040109124A1 (en) | Substrate bonding apparatus and liquid crystal display panel | |
JP6255546B1 (en) | Vacuum bonding equipment for bonding devices | |
CN104570590A (en) | Dustproof film component | |
JP2010039227A (en) | Exposure apparatus, exposure method and substrate-mounting method | |
WO2022054431A1 (en) | Focused energy beam device | |
KR102112273B1 (en) | Apparatus for supporting substrate | |
US20080062520A1 (en) | Method and apparatus for fabricating protection member for display apparatus, method for fabricating display apparatus including the same and display apparatus including the same | |
KR102600430B1 (en) | Substrate Holding Apparatus | |
JP2003023060A (en) | Suspended type substrate holding apparatus and apparatus for manufacturing liquid crystal panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |