JPS6057623A - Non-contact sealing device - Google Patents

Non-contact sealing device

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Publication number
JPS6057623A
JPS6057623A JP59005562A JP556284A JPS6057623A JP S6057623 A JPS6057623 A JP S6057623A JP 59005562 A JP59005562 A JP 59005562A JP 556284 A JP556284 A JP 556284A JP S6057623 A JPS6057623 A JP S6057623A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
gas
wafer
chuck
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59005562A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Maejima
前島 央
Susumu Komoriya
進 小森谷
Hiroshi Nishizuka
西塚 弘
Mitsuhiro Morita
光洋 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59005562A priority Critical patent/JPS6057623A/en
Publication of JPS6057623A publication Critical patent/JPS6057623A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Abstract

PURPOSE:To increase the degree of adhesion between a wafer and a mask by forming a gas blow-off hole to a section opposite to a mask holder for a wafer chuck and forming a gas current between the opposite section. CONSTITUTION:A mask 3 is positioned, and fixed to a backup plate 2 by vacuum suction by vacuum holes 7. Nitrogen gas N2'' is forwarded from ring-shaped forwarding holes 14a, 14b formed around a wafer chuck 5, and a gas curtain is formed between the chuck 5 and the mask 3. In the gas N2'', a gas forwarded toward the central section of the chuck 5 is discharged by the vacuum suction of a back pressure forming groove 15, and a gas forwarded toward the outside is discharged as a total discharge gas TN2. Consequently, the intrusion of the outside air can be prevented effectively. The mask 3 is not bent on exposure work even when push-up pressure by a piston 6 is high because there is the plate 2. Accordingly, since the degree of adhesion between a wafer and the mask is increased, resolution is improved, and accuray on an alignment is enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は写真処理用のマスクアライナ、特に被処理体た
るウェハとマスクの密Ii度及びアライメント精度の向
上を図るためのマスクアライナ等に応用して有効な非接
触シール機才りに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a non-contact seal that is effective when applied to mask aligners for photographic processing, particularly mask aligners for improving the density Ii and alignment accuracy between a wafer as a processing object and a mask. It's about resourcefulness.

半導体装置の製造に用いられるマスクアライナ(マスク
アライメント装置)は、微小パターンを取扱うため解像
度及びアライメント精度が問題となる。この解像度の良
否はウェハとマスクの密着度に関係し、アライメント精
度はピッチズレによって大きく影響される。
2. Description of the Related Art Mask aligners (mask alignment devices) used in the manufacture of semiconductor devices have problems with resolution and alignment accuracy because they handle minute patterns. The quality of this resolution is related to the degree of adhesion between the wafer and the mask, and the alignment accuracy is greatly affected by pitch deviation.

ところで、従来から知られているこの釉のマスクアライ
ナには、押上げ密着方式を用いたものと真空密着方式を
用いたものの2λ円みAがある。これらにはそれぞれ−
長一帰が在任する。以下上記2種類の密着方式を図面を
用いて順次説明する。
By the way, conventionally known glazed mask aligners include those using a push-up contact method and those using a vacuum contact method, each having a 2λ circularity A. Each of these has −
Cho Ilgi remains in office. The above two types of close contact methods will be sequentially explained below with reference to the drawings.

第1図は押上げ密着方式を用いたマスクアライナの構造
を示す縦断面図である。同図において1は周縁でマスク
3を保持するマスクホルダであり、2はマスクホルダ1
の内縁に接しかつマスクの背面に接するように設しナら
れたマスク保持を補強1゜るガラス製のバンクアッププ
レー1・であり、5はホトレジストを塗布したウェハ4
をマスク3に対面させるためのウェハチャックであり、
6はウェハチャックを押上げるピストンである。なお、
」3はマスクの位置決め用ピンである。この装置Fft
は次のようにして使用される。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the structure of a mask aligner using the push-up contact method. In the figure, 1 is a mask holder that holds a mask 3 at its periphery, and 2 is a mask holder 1.
A bank-up plate 1 made of glass with 1 degree reinforcement for holding the mask is installed so as to be in contact with the inner edge of the mask and the back side of the mask, and 5 is a wafer 4 coated with photoresist.
A wafer chuck for facing the mask 3,
6 is a piston that pushes up the wafer chuck. In addition,
3 is a pin for positioning the mask. This device Fft
is used as follows.

マスク3は、マスクホルダ1とバノクアノププレート2
とに亘って設けられた吸引孔7での真空(■a。)吸引
によって、バックアッププレート2に固定される。ウエ
ノ・4は、ウエノ・チャック5からの送出チン素ガスN
、′でマスク表面に押当てられる。露光作業開始直前に
は、ウエノ・チャック5の周縁部に設けられた送出孔8
からチン素ガスN2が送出され、ウエノ・周囲にガスカ
ーテンが形成される。その後バックアッププレート2の
背面から光を当てて1落光作業を行うのであるが、この
時ウェハ上のホトレジスト膜は、紫外線の照ゴト1によ
り架橋反応を起し、その反応によってチン素ガスN2″
′がホトレジスト膜から発生する。発生チン素ガスN2
はマスク・ウエノ・間を抜けて総排出チン素ガスTN、
に混って外部に押し出されることになる。
Mask 3 consists of mask holder 1 and banokanop plate 2.
It is fixed to the backup plate 2 by vacuum (■a.) suction through the suction hole 7 provided over the area. Ueno 4 is the nitrogen gas N delivered from Ueno chuck 5.
, ′ are pressed against the mask surface. Immediately before the start of exposure work, the delivery hole 8 provided at the peripheral edge of the Ueno chuck 5 is opened.
Chin gas N2 is sent out from the tank, and a gas curtain is formed around Ueno. After that, light is applied from the back of the backup plate 2 to perform a light drop operation. At this time, the photoresist film on the wafer undergoes a crosslinking reaction due to the ultraviolet light irradiation 1, and this reaction causes the nitrogen gas N2''
' is generated from the photoresist film. Generated chlorine gas N2
The mask, Ueno, and the total emission of Chin gas TN,
It will be mixed in and pushed out.

ところで、上記発生チン素ガスN2は、マスクとウエノ
・チャックの狭隙部を通過しなければならないが、そこ
にはウエノ・密着用のチン素ガスN2とガスカーテン用
のチン素ガスN2′が存するため、微量、微圧の発生チ
ン素ガスN2は容易に外部に抜けることが出来ず、ウェ
ハ・マスク間にこもったまま知なってしまう。このため
、ウェハとマスク間が遊離「して密着状ymを絹持でき
なくなり、解像度が悪くなるという欠点が生ずる。
By the way, the generated nitrogen gas N2 has to pass through the narrow gap between the mask and the Ueno chuck, where the Chin gas N2 for Ueno and adhesion and the Chin gas N2' for the gas curtain are present. Therefore, the tiny amount and pressure of the generated nitrogen gas N2 cannot easily escape to the outside, and remains trapped between the wafer and the mask. As a result, the gap between the wafer and the mask becomes loose, making it impossible to maintain a close contact with the mask, resulting in a disadvantage that the resolution deteriorates.

第2図は真空密着方式を用いたマスクアライナの構造を
示す縦断面図である。同図にお℃・て1はマスクホルダ
であり、内周Fや上部にマスク3が載置されるとともに
、このマスクを固定するための真空(■ao1)吸引孔
】0及び、ガスカーテン用のチン素ガスN2を送出する
ための送出孔J1を有する。5はウェハ4を保持してマ
スクに対面させるウェハチャックである。このウェハチ
ャック5の径はウェハ4の径よりも小さくされる。この
ウェハ4とウェハチャック5はピストン6とこのピスト
ン周縁に設けられたシールリングによってシールされて
いる。このシールされた室内Rはマスクホルダ2に設け
られた真空吸引Jl 12での真空(V、o2)引きに
よって負圧状態にされる。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the structure of a mask aligner using a vacuum contact method. In the same figure, ℃ 1 is a mask holder, and a mask 3 is placed on the inner periphery F and the upper part, and a vacuum (■ao 1) suction hole 0 for fixing this mask and a gas curtain holder. It has a delivery hole J1 for delivering the tin gas N2. 5 is a wafer chuck that holds the wafer 4 and makes it face the mask. The diameter of this wafer chuck 5 is made smaller than the diameter of the wafer 4. The wafer 4 and the wafer chuck 5 are sealed by a piston 6 and a seal ring provided around the periphery of the piston. This sealed room R is brought into a negative pressure state by drawing a vacuum (V, o2) with a vacuum suction Jl 12 provided in the mask holder 2.

上記装置では、シール室内Rが、送出孔11から送出さ
れるチン素ガスN2によるガスカーテンによりチン素ガ
ス雰囲気となるとともに、吸引孔12での真空引きによ
って負圧状態となるため、ウェハとマスクは大気圧F1
 とピストンの押上げ圧F2との相対的圧力によって十
分て密着されるものとなる。また、露光時にホトレジス
ト膜から発生するチン素ガスN、はシール室内Rが負圧
であり、かつウェハ径よりもウエノ\チャック径の方が
小さいため、吸着用チン素ガスN2′及びガスカーテン
N2′に妨げられることなく容易に排出される。このた
め露光時においてもウエノ・とマスク間は、初期の密着
状態を保つものと1よる。
In the above apparatus, the sealing chamber R becomes a nitrogen gas atmosphere due to the gas curtain of nitrogen gas N2 sent out from the delivery hole 11, and becomes a negative pressure state by evacuation at the suction hole 12, so that the wafer and the mask is atmospheric pressure F1
The relative pressure between the pressure F2 and the push-up pressure F2 of the piston is sufficient to ensure close contact. In addition, since the sealing chamber R is under negative pressure and the diameter of the chuck is smaller than the diameter of the wafer, the nitrogen gas N generated from the photoresist film during exposure is absorbed by the adsorption nitrogen gas N2' and the gas curtain N2. ' is easily discharged without being hindered by Therefore, it is assumed that the initial state of close contact between the wafer and the mask is maintained even during exposure.

しかし、上記真空密着方式では大気圧F、とピストン圧
F2とのバランスでマスクの水平状態を保っているが、
大気圧F1が等分荷重であるのに対し、ピストン圧は集
中荷重であること、及び通常ピストン圧F2の方が大気
圧11、より大きいことによりマスクが凸状にベンドし
てしまう。このとき、同時にウエノ・もペンドすること
になり前ホトレジスト工程で焼付けられたパターンとの
ピッチ寸法が狂うためピッチズレが生じてしまう。この
ためアライメント精度が悪くなるという欠点が生ずる。
However, in the vacuum contact method described above, the horizontal state of the mask is maintained by the balance between the atmospheric pressure F and the piston pressure F2.
While the atmospheric pressure F1 is an equally divided load, the piston pressure is a concentrated load, and the normal piston pressure F2 is larger than the atmospheric pressure 11, causing the mask to bend into a convex shape. At this time, the Ueno film is also pend at the same time, and the pitch dimension with the pattern printed in the previous photoresist process is out of order, resulting in a pitch misalignment. This results in a disadvantage that alignment accuracy deteriorates.

本発明の一つの目的は、内部を減圧状態に保持しつつ、
アライメントが可能なアライナ等を実現できるシール方
式を提供することにある。
One object of the present invention is to maintain the interior in a reduced pressure state while
An object of the present invention is to provide a sealing method that can realize an aligner etc. that allows alignment.

上記目的を達成するために本発明の一実施例は、マスク
を同層で保持するマスクホルダと、このマスクホルダの
内縁に接するととも知マスクの背面に接するようにされ
たバンクアンププレート及び、上記マスク表面に接する
ようにウェハな背面から押えるとともにウェハに対向す
る面の外周部にリング状の溝が設けられたウェハチャッ
クとを有し、上記溝部分を負圧状態に保持するようにし
たことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, an embodiment of the present invention includes a mask holder that holds a mask in the same layer, a bank amplifier plate that is in contact with the inner edge of the mask holder, and a bank amplifier plate that is in contact with the back surface of the mask. It has a wafer chuck that presses the wafer from the back side so as to be in contact with the mask surface, and has a ring-shaped groove on the outer periphery of the surface facing the wafer, and holds the groove part in a negative pressure state. It is characterized by this.

以下実施例により本発明を具体的に説明する。The present invention will be specifically explained below using Examples.

第3図は本発明を適用したマスクアライナの構造の一例
を示す縦断面図である。同図において上記第1図及び第
2図に示したものと同一のものは同一の符号にて表示す
る。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an example of the structure of a mask aligner to which the present invention is applied. In this figure, the same parts as those shown in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals.

このマスクアライナは、マスクホルダ】とこれに接して
設けられたバックアッププレート2とに巨って存する吸
引用孔7を有する。この孔7は、マスク3をバックアッ
ププレー ト2に固定するための真空(VaC+)引き
用として使用される。また、マスクホルダ1の底部には
マスク位置決め用ピン13.13が設けられ、一方のピ
ン13はマスク固定用バネ19を介してマスクに接触し
ている。
This mask aligner has a suction hole 7 which is located in a mask holder and a backup plate 2 provided in contact with the mask holder. This hole 7 is used for drawing a vacuum (VaC+) for fixing the mask 3 to the backup plate 2. Furthermore, mask positioning pins 13.13 are provided at the bottom of the mask holder 1, and one of the pins 13 is in contact with the mask via a mask fixing spring 19.

ウェハチャック5は、ウエノ・に対向する面の内部から
はウェハなマスクに密着せしめるためのチン素ガスN2
′が送出されるようになっており、また、ウェハに対向
する面の外側にはリング状の溝15゜15が設けられて
おり、さらに、このウエノ・チャックの外周部にはガス
カーテン用のチン素ガスN2’を送出する2つのリング
状送出孔14a、14bが設り゛られている。そして、
上記リング状の溝15゜15は真空(■3C2)引きさ
れるようになっている。
The wafer chuck 5 is injected with nitrogen gas N2 from inside the surface facing the wafer to bring it into close contact with the wafer mask.
' is fed out, and a ring-shaped groove 15°15 is provided on the outside of the surface facing the wafer, and a gas curtain is provided on the outer periphery of the wafer chuck. Two ring-shaped delivery holes 14a and 14b are provided for delivering the nitrogen gas N2'. and,
The ring-shaped groove 15.degree. 15 is designed to be evacuated (3C2).

この真空引きによって上記溝15部分は負圧状態となっ
ている。
Due to this evacuation, the groove 15 portion is in a negative pressure state.

上記装置は次のようにして使用される。The above device is used as follows.

マスク3は先ず位置決め用ピン13とバネ19とによっ
て位置決めされた後吸引札7での真空(■ao1)引き
によってバンクアッププレー1・2に固定される。ウェ
ハ4はチン素ガスN 2’でマスクに押当てられる。こ
のとき、ウェハチャック5の有効径がウェハ径と同一と
なるように負圧形成用の溝15が設けられていることよ
りウェハ部分の圧力分布は中央部が最も高くなるように
なるからウェハ全面が均等にマスクに押当てられる。し
たがってウェハとマスクの密着度が増す。なお、ウェハ
押圧て用のチン素ガスN2はウェハ4から外気た処で負
圧形成用の翁15内に吸引されるから海15部分の圧力
が上昇することはない。
The mask 3 is first positioned by the positioning pins 13 and springs 19, and then fixed to the bank up plays 1 and 2 by applying a vacuum (◯ao1) with the suction plate 7. The wafer 4 is pressed against a mask with nitrogen gas N2'. At this time, since the groove 15 for forming negative pressure is provided so that the effective diameter of the wafer chuck 5 is the same as the wafer diameter, the pressure distribution in the wafer part is highest at the center, so the entire surface of the wafer is are evenly pressed against the mask. Therefore, the degree of adhesion between the wafer and the mask increases. It should be noted that since the nitrogen gas N2 for pressing the wafer is sucked from the wafer 4 into the negative pressure forming hole 15 in the outside air, the pressure in the sea 15 does not increase.

ガスカーテン用のチン素ガスN2はウエノ・チャック周
i′袷に設けられた2個のリング状の送出イI−14a
 、 ]、 4 bより送出され、ウェハチャックとマ
スク間にガスカーテンな形成する。このチン素ガスN2
′はウニ・・チャック中央部に向うものは背圧形成溝1
5の真空い’aC2)吸引で排出され、外虻向うものは
総排出ガスTN2となって放出される。このようにN2
送出孔を多重リング4()G造とすることにより外気の
酸素の進入をより有効に防止できる。
Chin gas N2 for the gas curtain is supplied through two ring-shaped delivery holes I-14a installed on the lining of the Ueno chuck.
, ], 4b to form a gas curtain between the wafer chuck and the mask. This Chin gas N2
' is a sea urchin...The one facing the center of the chuck is the back pressure forming groove 1
5's vacuum 'aC2) is exhausted by suction, and what goes outward is released as total exhaust gas TN2. Like this N2
By forming the delivery hole with a multi-ring 4()G structure, entry of oxygen from the outside air can be more effectively prevented.

次に、露光時にホトレジスト膜からチン素ガスN2″′
が発生するが、この発生ガスN2は、リング状溝15部
が、このガスN2よりも太幅に低圧となるので完全に排
出される。したがって、溝15部の真空(■3o2)引
きは、上記チン素ガスN2′。
Next, during exposure, nitrogen gas N2''' is removed from the photoresist film.
However, this generated gas N2 is completely discharged because the pressure in the ring-shaped groove 15 is wider and lower than that of the gas N2. Therefore, the groove 15 is evacuated (3o2) using the nitrogen gas N2'.

N2′の一部、N−2titの各ガスを排出できるよう
な容量とする必要がある。
It is necessary to have a capacity that can exhaust a part of N2' and N-2tit gases.

なお、バックアッププレート2が存することより、ピス
トン6による押上げ圧が高くても露光作業時にマスクが
ベンドしてしまうことはない。したがって、マスクとウ
エノ・間にピッチズレが生ずるようなことは1.cい。
The presence of the backup plate 2 prevents the mask from bending during the exposure operation even if the push-up pressure by the piston 6 is high. Therefore, 1. Pitch misalignment between the mask and the cloth should be avoided. It's ugly.

以上説明したような装置によれば、作業開始時及び露光
作業中におけるウエノ・・マスク間の密着度が増大する
から解像度が向上し、かつピッチズレが生じないからア
ライメン)・精度が向上する。
According to the apparatus as described above, the degree of adhesion between the wafer and the mask at the start of the work and during the exposure work is increased, so the resolution is improved, and since no pitch deviation occurs, the alignment accuracy is improved.

したがって、前述した押上げ密着方式及び真空密着方式
の両者の利点を兼ね備えたマスクアライナとなる。
Therefore, the mask aligner has the advantages of both the push-up contact method and the vacuum contact method described above.

本発明は上記実施例に限定されず、種々の変形を用いる
ことができる。例えば、ガスカーテン用チッ素ガスN2
′は、上記実施例のようにウニ・・チャンク5から送出
するのではなく、第4図に示した部分断面図のように、
専用リング16を設けて、ここから送出するよ5にして
もよい。すなわち、この専用リング16を、吸引孔17
で1ξ空(■8o3)吸引することによりマスクホルダ
1側で固定し、リング内径はウェハチャック5の外径よ
りも僅かに太きくし、両者のスキマに、送出イ118を
介してチン素ガスN2を送出しガスカーテンを形成する
。このようにすれば、ウエノ・チードック5が小さくて
済むとともに構造が簡単になるという利点をも偏見たも
のとなる。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made. For example, nitrogen gas N2 for gas curtains
' is not sent from the sea urchin chunk 5 as in the above embodiment, but as shown in the partial sectional view shown in FIG.
It is also possible to provide a dedicated ring 16 and send the signal 5 from there. That is, this dedicated ring 16 is connected to the suction hole 17.
The inner diameter of the ring is slightly larger than the outer diameter of the wafer chuck 5, and the gap between the two is filled with nitrogen gas N2 through the delivery hole 118. is sent out to form a gas curtain. If this is done, the advantages of making the Ueno-Chidock 5 smaller and having a simpler structure will also be compromised.

本発明は非接触シールとして広く利用できる。The present invention can be widely used as a non-contact seal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は従来のマスクアライナ構造を示す縦
断面図、第3図は本発明を適用したマスクアライナの一
例を示す縦断面図、第4は本発明の他側を示す部分断面
図である。 1・・・マスクボルダ1、・・・バソクアノフプレート
、3・・・マスク、4・・・ウェハ、5川ウエハチヤツ
ク、6・・・ピストン、7・・・吸引孔、J3・・・位
置決めビン、14 a 、 ]、 4 b・・・リング
状ガス送出孔、15・・・リング状溝、19・・・固定
用バネ。 手続補正書(方式) 事件の表示 昭和59年特許願第 5562 号 補正をする者 1げ1との19JIf 特許出願人 V−HJi ’510141式会ン1l−1 <t: 
12 (乍 所代 理 人 4図は」と補正する。
1 and 2 are vertical cross-sectional views showing a conventional mask aligner structure, FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing an example of a mask aligner to which the present invention is applied, and FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the other side of the present invention. It is a diagram. 1...Mask boulder 1,...Bassokuanov plate, 3...Mask, 4...Wafer, 5 River wafer chuck, 6...Piston, 7...Suction hole, J3...Positioning bin , 14 a , ], 4 b... Ring-shaped gas delivery hole, 15... Ring-shaped groove, 19... Fixing spring. Procedural amendment (method) Indication of case Patent Application No. 5562 of 1982 19JIf with amendee 1 ge 1 Patent applicant V-HJi '510141 ceremony meeting 1l-1 <t:
12 (However, the fourth figure is corrected.)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 近接して対向した部分を有する第1および第2の部
材により、その内部に被処理体板状物を処理すべき空間
部が形成されてなり、前記空間部は上記対向した部分を
介して外部と連通され前記第2の部材の前記対向した部
分に対応する部分にはガス吹出孔が形成され、上記対向
した部分間の間隙部にガス流を形成することにより、上
記空間部を外部より遮断するようにした非接触シール装
置。
1. A space in which a plate-shaped object to be processed is to be processed is formed by the first and second members having closely opposing parts, and the space is formed through the opposing parts. A gas blowing hole is formed in a portion communicating with the outside and corresponding to the opposing portion of the second member, and by forming a gas flow in the gap between the opposing portions, the space can be accessed from the outside. Non-contact sealing device designed to shut off.
JP59005562A 1984-01-18 1984-01-18 Non-contact sealing device Pending JPS6057623A (en)

Priority Applications (1)

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JP59005562A JPS6057623A (en) 1984-01-18 1984-01-18 Non-contact sealing device

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JP12452477A Division JPS5458365A (en) 1977-10-19 1977-10-19 Mask aligner

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100983162B1 (en) 2004-01-29 2010-09-20 삼성에스디아이 주식회사 Equipments for light exposure for large substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS511392U (en) * 1974-06-18 1976-01-07

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