JPH06196380A - Aligner - Google Patents
AlignerInfo
- Publication number
- JPH06196380A JPH06196380A JP4357841A JP35784192A JPH06196380A JP H06196380 A JPH06196380 A JP H06196380A JP 4357841 A JP4357841 A JP 4357841A JP 35784192 A JP35784192 A JP 35784192A JP H06196380 A JPH06196380 A JP H06196380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- supported
- substrate
- transferred
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は被転写物体用支持手段
に支持された被転写物体にマスク用支持手段に支持され
たマスクのパターンを転写する露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for transferring a pattern of a mask supported by a mask supporting means onto a transferred object supported by a transferred object supporting means.
【０００２】[0002]
【従来の技術】フォトリソグラフィーにおいては、半導
体基板に塗布したレジストに対してマスクを対向させ、
このマスクに光を当ててマスクのパターンをレジストに
転写する。2. Description of the Related Art In photolithography, a mask is made to face a resist applied to a semiconductor substrate,
Light is applied to this mask to transfer the mask pattern to the resist.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】高精細パターニング用
のレジストとしては、一般にネガ型レジストが用いられ
ている。ネガ型レジストは、紫外線に反応し、重合や架
橋などの化学反応を起こして硬化する。しかし、その
際、レジストの周囲にＯ2 を含む大気があると、レジス
トがＯ2 と先に反応して酸化膜（−ＮＯ，−ＮＯ2 ）を
生成して、重合や架橋反応が妨害される。このため、結
果的に露光時間を長くしなければならない。A negative resist is generally used as a resist for high-definition patterning. The negative resist is cured by reacting to ultraviolet rays and causing a chemical reaction such as polymerization or crosslinking. However, at this time, if there is an atmosphere containing O 2 around the resist, the resist reacts with O 2 first to form an oxide film (-NO, -NO 2 ) and interferes with the polymerization or crosslinking reaction. It Therefore, as a result, the exposure time must be lengthened.
【０００４】これを防止するために、従来は、露光工程
の前段階でレジスト上に酸化防止膜を塗布することによ
りレジストの酸化防止を行っていた。In order to prevent this, conventionally, the oxidation of the resist is prevented by applying an antioxidant film on the resist before the exposure step.
【０００５】この発明は、露光工程において、露光時間
の短縮をはかることを可能にし、しかも酸化防止膜の塗
布工程をなくすことができる露光装置を提供することを
目的とする。It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus which makes it possible to shorten the exposure time in the exposure step and eliminates the step of applying an antioxidant film.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は、被転写物体
用支持手段に支持された被転写物体に、マスク用支持手
段に支持されたマスクのパターンを転写する露光装置で
あって、少なくともマスク用支持手段とそこに支持され
たマスクによって画成された空間に非酸化性ガス又は不
活性ガスを入れて、非酸化性ガス又は不活性ガスの雰囲
気中に被転写物体用支持手段に支持された被転写物体を
配置して露光を行う構成にしたことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an exposure apparatus for transferring a pattern of a mask supported by a mask supporting means onto a transferred object supported by a transferred object supporting means, and at least a mask. A non-oxidizing gas or an inert gas is introduced into the space defined by the supporting means and the mask supported thereon, and is supported by the supporting means for the transferred object in the atmosphere of the non-oxidizing gas or the inert gas. It is characterized in that a transferred object is arranged and exposure is performed.
【０００７】[0007]
【実施例】第１実施例 図１〜４を参照する。EXAMPLE 1 First Example Referring to FIGS.
【０００８】この発明の露光装置の実施例１は、光源部
１と、基板２と、支持手段と、マスク３と、気体の収容
手段４と、気体の案内手段５を備えている。光源部１
は、マスク３に対して光Ｌを照射する。支持手段は、二
つの支持手段、すなわちマスク用支持手段たとえばマス
ク用ステージ６と、被転写物体用支持手段たとえば基板
用ステージ７からなる。マスク用ステージ６はマスク３
の周辺部分を例えば真空吸着によって支持している。こ
の目的のためにマスク用ステージ６の内周部分には環状
の溝（図示せず）が形成されている。基板ステージ７は
基板２を真空吸着によって支持している。基板ステージ
７には溝１１が形成されている。The first embodiment of the exposure apparatus of the present invention comprises a light source section 1, a substrate 2, a supporting means, a mask 3, a gas containing means 4, and a gas guiding means 5. Light source 1
Irradiates the mask 3 with light L. The supporting means comprises two supporting means, that is, a mask supporting means such as a mask stage 6 and a transferred object supporting means such as a substrate stage 7. The mask stage 6 is the mask 3
Is supported by, for example, vacuum suction. For this purpose, an annular groove (not shown) is formed in the inner peripheral portion of the mask stage 6. The substrate stage 7 supports the substrate 2 by vacuum suction. A groove 11 is formed in the substrate stage 7.
【０００９】また、基板ステージ７は昇降手段（図示せ
ず）により垂直方向に昇降自在になっている。さらに、
図示しないアームによって基板２を基板用ステージ７に
設定する構成になっている。The substrate stage 7 can be vertically moved up and down by an elevating means (not shown). further,
The substrate 2 is set on the substrate stage 7 by an arm (not shown).
【００１０】マスク用ステージ６にはノズル孔９，１０
が形成されている。基板８の上面にはフォトレジスト２
が塗布されている。Nozzle holes 9 and 10 are provided in the mask stage 6.
Are formed. The photoresist 2 is provided on the upper surface of the substrate 8.
Has been applied.
【００１１】マスク３と、マスク用ステージ６の内周囲
１２により下向きに開放した空間１５が形成されてい
る。この空間１５は上部が密閉されている。ノズル孔
９，１０はその空間１５に接続されている。A space 15 opened downward is formed by the mask 3 and the inner periphery 12 of the mask stage 6. The upper part of this space 15 is sealed. The nozzle holes 9 and 10 are connected to the space 15.
【００１２】気体の収容手段４は、たとえばボンベであ
る。この収容手段４は空気よりも軽い不活性ガスたとえ
ばヘリウムガスを収容している。収容手段４はバルブ１
６を介して気体の案内パイプ１７、１８に接続されてい
る。案内パイプ１７、１８はコネクタ１９，２０により
ノズル孔９、１０に接続されている。The gas containing means 4 is, for example, a cylinder. The containing means 4 contains an inert gas lighter than air, for example, helium gas. The container 4 is a valve 1
It is connected via 6 to the gas guide pipes 17, 18. The guide pipes 17 and 18 are connected to the nozzle holes 9 and 10 by connectors 19 and 20, respectively.
【００１３】前述の露光装置の作用を説明する。The operation of the above-mentioned exposure apparatus will be described.
【００１４】まず収容手段４のバルブ１６を開ける。す
るとと、ヘリウムガスが案内パイプ１７、１８およびノ
ズル孔９，１０を通過して空間１５に吹出される。これ
により、空間１５内にヘリウムガスが充満し、その結
果、空間１５内の酸素が除去され、Ｏ2 濃度を低下する
か、もしくは消失する。First, the valve 16 of the housing means 4 is opened. Then, the helium gas is blown into the space 15 through the guide pipes 17 and 18 and the nozzle holes 9 and 10. As a result, the space 15 is filled with the helium gas, and as a result, oxygen in the space 15 is removed, and the O 2 concentration is reduced or disappears.
【００１５】このようにしてＯ2 濃度を下げたあと、図
１に示すように、基板２を基板ステージ７に矢印方向か
らアームによって導入して設定する。その後、基板２を
基板ステージ７に支持した状態で、図２に示すように基
板２を空間１５内に上昇させて、図３に示す所定位置に
設定する。そして、光源部１から光Ｌをマスク３に照射
する。これにより、マスク３の高精細パターンを通った
光のパターンがレジスト８に照射される。その後、基板
２を図２に示す位置まで下降させて、さらに、図４に示
す矢印の方向に排出する。After the O 2 concentration is lowered in this way, the substrate 2 is set on the substrate stage 7 by an arm from the direction of the arrow as shown in FIG. Then, with the substrate 2 supported by the substrate stage 7, the substrate 2 is raised into the space 15 as shown in FIG. 2 and set at the predetermined position shown in FIG. Then, the light L is emitted from the light source unit 1 to the mask 3. As a result, the resist 8 is irradiated with the light pattern that has passed through the high-definition pattern of the mask 3. After that, the substrate 2 is lowered to the position shown in FIG. 2 and further discharged in the direction of the arrow shown in FIG.
【００１６】露光の時、Ｏ2 濃度が低いので、レジスト
８が酸化せず、露光時間を長くする必要がない。At the time of exposure, since the O 2 concentration is low, the resist 8 is not oxidized and it is not necessary to extend the exposure time.
【００１７】第２実施例 図５に示す本発明の露光装置の実施例２は、光源部１と
マスク３と基板２の上下位置を逆にした点を除けば実施
例１と実質的に同じであるので、同じ箇所には同じ符号
を記す。 Second Embodiment A second embodiment of the exposure apparatus of the present invention shown in FIG. 5 is substantially the same as the first embodiment except that the light source unit 1, the mask 3 and the substrate 2 are vertically reversed. Therefore, the same parts are denoted by the same reference numerals.
【００１８】この発明の露光装置の実施例２も、光源部
１と、基板２と、支持手段と、マスク３と、気体の収容
手段４と、気体の案内手段５を備えている。光源部１
は、マスク３に対して光Ｌを照射する。支持手段は、二
つの支持手段、すなわちマスク用支持手段たとえばマス
ク用ステージ６と、被転写物体用支持手段たとえば基板
用ステージ７からなる。マスク用ステージ６はマスク３
の周辺部分を真空吸着によって支持している。この目的
のためにマスク用ステージ６の内周部分には環状の溝
（図示せず）が形成されている。基板ステージ７は基板
２を真空吸着によって支持している。この目的のために
基板ステージ７には複数の溝１０が平行に形成されてい
る。The second embodiment of the exposure apparatus according to the present invention also comprises a light source section 1, a substrate 2, a supporting means, a mask 3, a gas accommodating means 4, and a gas guiding means 5. Light source 1
Irradiates the mask 3 with light L. The supporting means comprises two supporting means, that is, a mask supporting means such as a mask stage 6 and a transferred object supporting means such as a substrate stage 7. The mask stage 6 is the mask 3
Is supported by vacuum suction. For this purpose, an annular groove (not shown) is formed in the inner peripheral portion of the mask stage 6. The substrate stage 7 supports the substrate 2 by vacuum suction. For this purpose, a plurality of grooves 10 are formed in parallel on the substrate stage 7.
【００１９】また、基板ステージ７は昇降手段（図示せ
ず）により垂直方向に昇降自在になっている。さらに、
図示しないアームによって基板２を基板用ステージ７に
設定する構成になっている。The substrate stage 7 can be vertically moved up and down by an elevating means (not shown). further,
The substrate 2 is set on the substrate stage 7 by an arm (not shown).
【００２０】マスク用ステージ６にはノズル孔９，１０
が水平方向に形成されている。基板８の上面にはフォト
レジスト２が塗布されている。Nozzle holes 9 and 10 are provided in the mask stage 6.
Are formed horizontally. The photoresist 2 is applied to the upper surface of the substrate 8.
【００２１】マスク３と、マスク用ステージ６の内周囲
１２により上向きに開放した空間１５が形成されてい
る。この空間１５は下部が密閉されている。ノズル孔
９，１０はその空間１５に接続されている。A space 15 opened upward is formed by the mask 3 and the inner periphery 12 of the mask stage 6. The lower portion of this space 15 is sealed. The nozzle holes 9 and 10 are connected to the space 15.
【００２２】収容手段４は空気よりも重い不活性ガスた
とえばＡｒガスを収容している。収容手段４はバルブ１
６を介して気体の案内パイプ１７、１８に接続されてい
る。案内パイプ１７、１８はコネクタ１９，２０により
ノズル孔９、１０に接続されている。The containing means 4 contains an inert gas heavier than air, such as Ar gas. The container 4 is a valve 1
It is connected via 6 to the gas guide pipes 17, 18. The guide pipes 17 and 18 are connected to the nozzle holes 9 and 10 by connectors 19 and 20, respectively.
【００２３】前述の露光装置の作用を説明する。The operation of the above-mentioned exposure apparatus will be described.
【００２４】まず収容手段４のバルブ１６を開ける。す
ると、Ａｒガスが案内パイプ１７、１８およびノズル孔
９，１０を通過して空間１５に吹出される。これによ
り、空間１５内にＡｒガスが充満し、その結果、空間１
５内の酸素が除去され、Ｏ2 濃度を低下するか、もしく
は消失する。First, the valve 16 of the housing means 4 is opened. Then, Ar gas is blown into the space 15 through the guide pipes 17 and 18 and the nozzle holes 9 and 10. As a result, the space 15 is filled with Ar gas, and as a result, the space 1
Oxygen in 5 is removed, and the O 2 concentration is reduced or disappears.
【００２５】このようにしてＯ2 濃度を下げたあと、基
板２を基板ステージ７にアームによって水平方向から導
入して設定する。その後、基板２を基板ステージ７に支
持した状態で、基板２を空間１５内に下降させて、所定
位置に設定する。そして、光源部１から光Ｌをマスク３
に照射する。これにより、マスク３の高精細パターンを
通った光のパターンがレジスト８に照射される。その
後、基板２を図５に示す位置まで上昇させて、さらに、
水平方向に排出する。After the O 2 concentration is lowered in this manner, the substrate 2 is set on the substrate stage 7 by being horizontally introduced by the arm. Then, with the substrate 2 supported by the substrate stage 7, the substrate 2 is lowered into the space 15 and set at a predetermined position. Then, the light L from the light source unit 1 is masked by the mask 3
To irradiate. As a result, the resist 8 is irradiated with the light pattern that has passed through the high-definition pattern of the mask 3. Then, the substrate 2 is raised to the position shown in FIG.
Discharge horizontally.
【００２６】露光の時、Ｏ2 濃度が低いので、レジスト
８が酸化せず、露光時間を長くする必要がない。At the time of exposure, since the O 2 concentration is low, the resist 8 is not oxidized and it is not necessary to extend the exposure time.
【００２７】なお、不活性ガスの代りに非酸化性ガスた
とえばＮ2 ガスを使用したとしても同様の効果を得るこ
とができる。Even when a non-oxidizing gas such as N 2 gas is used instead of the inert gas, the same effect can be obtained.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
この発明によれば、基板のレジスト付近の酸素を除いて
レジストが酸化膜を生成するのを防ぐことにより、露光
時間が長くなるのを防ぐことができる。しかもレジスト
が酸化するのを防ぐためにあらかじめ酸化防止膜をレジ
ストに塗布する必要もない。しかも、酸素を除く空間を
密閉しなくてもよいので、構造を複雑にする必要がな
く、大量にガスを吹き続ける必要もなくなる。As is apparent from the above description,
According to the present invention, it is possible to prevent the exposure time from becoming long by preventing the resist from forming an oxide film except for oxygen near the resist of the substrate. Moreover, it is not necessary to apply an antioxidant film to the resist in advance in order to prevent the resist from being oxidized. Moreover, since it is not necessary to hermetically seal the space excluding oxygen, there is no need to complicate the structure, and it is not necessary to continue blowing a large amount of gas.
【図１】この発明の露光装置の実施例１の基板の導入状
態を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a state of introducing a substrate according to a first embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
【図２】この発明の露光装置の実施例１の基板の導入後
の状態を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a state after the introduction of the substrate according to the first embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
【図３】この発明の露光装置の実施例１の基板の露光可
能状態を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a state in which a substrate according to the first embodiment of the exposure apparatus of the present invention can be exposed.
【図４】この発明の露光装置の実施例１の基板の排出状
態を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a substrate discharge state according to the first embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
【図５】この発明の露光装置の実施例２を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
１ 光源部 ２ 支持手段 ３ マスク ４ 収容手段 ５ 案内パイプ ６ マスク用ステージ ７ 基板ステージ ８ 基板 ９ ノズル孔 １０ ノズル孔 ◆ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 light source part 2 supporting means 3 mask 4 accommodating means 5 guide pipe 6 mask stage 7 substrate stage 8 substrate 9 nozzle hole 10 nozzle hole ◆
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年１月６日[Submission date] January 6, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２７[Name of item to be corrected] 0027
【補正方法】削除[Correction method] Delete
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２８[Correction target item name] 0028
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
この発明によれば、基板のレジスト付近の酸素を除いて
レジストが酸化膜を生成するのを防ぐことにより、露光
時間が長くなるのを防ぐことができる。またレジストが
酸化するのを防ぐためにあらかじめ酸化防止膜をレジス
トに塗布する必要もない。しかも、酸素を除く空間を密
閉しなくてもよいので、構造を複雑にする必要がなく、
大量にガスを吹き続ける必要もなくなる。As is apparent from the above description,
According to the present invention, it is possible to prevent the exposure time from becoming long by preventing the resist from forming an oxide film except for oxygen near the resist of the substrate. Further, it is not necessary to apply an antioxidant film to the resist in advance in order to prevent the resist from being oxidized. Moreover, since it is not necessary to seal the space excluding oxygen, there is no need to complicate the structure,
There is no need to keep blowing a large amount of gas.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石葉 幸生 東京都板橋区蓮沼町75番１号 株式会社ト プコン内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yukio Ishiba 75-1 Hasunuma-cho, Itabashi-ku, Tokyo Topcon Co., Ltd.
Claims (1)
写物体に、マスク用支持手段に支持されたマスクのパタ
ーンを転写する露光装置において、 少なくともマスク用支持手段とそこに支持されたマスク
によって画成された空間に非酸化性ガス又は不活性ガス
を入れて、非酸化性ガス又は不活性ガスの雰囲気中に被
転写物体用支持手段に支持された被転写物体を配置して
露光を行う構成にしたことを特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus for transferring a pattern of a mask supported by a mask supporting means onto an object to be transferred supported by a transferring object supporting means, comprising at least a mask supporting means and a mask supported thereon. A non-oxidizing gas or an inert gas is introduced into the space defined by the above, and the transferred object supported by the transferred object supporting means is placed in an atmosphere of the non-oxidizing gas or the inert gas for exposure. An exposure apparatus characterized by being configured to perform.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357841A JPH06196380A (en) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | Aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357841A JPH06196380A (en) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | Aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196380A true JPH06196380A (en) | 1994-07-15 |
Family
ID=18456204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4357841A Pending JPH06196380A (en) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | Aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196380A (en) |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4357841A patent/JPH06196380A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10047441B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR101610966B1 (en) | Resist applying and developing method | |
| US6020107A (en) | Pattern forming method through combined electron beam and light exposure utilizing multiple heat steps | |
| CN110729172B (en) | Cleaning method and apparatus | |
| JP2008192844A (en) | Substrate processing method, and application and development processor | |
| JPS61180440A (en) | Gas control for x ray lithography | |
| JPH06196380A (en) | Aligner | |
| US4806456A (en) | Dry development method for a resist film and an apparatus therefor | |
| JP2004055766A (en) | Method and device for treatment | |
| JPH0719058B2 (en) | Pattern forming method and exposure apparatus | |
| JP4083306B2 (en) | Rinsing method after plasma treatment | |
| JPH0992595A (en) | Thermal treatment device and method | |
| JPH0590148A (en) | Aligner | |
| JP2004240221A (en) | Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate | |
| JPH05304084A (en) | Ultraviolet ray irradiation device | |
| JP4319287B2 (en) | Processing equipment | |
| JP2624168B2 (en) | Pattern forming method and electron beam drawing apparatus | |
| EP0197286A2 (en) | A dry development method for a resist film | |
| JPS63271933A (en) | Ashing method | |
| JPS63188942A (en) | System for photosetting resist | |
| JPS63179525A (en) | Ashing apparatus | |
| JPH02103919A (en) | Aligner | |
| JPH01283926A (en) | Exposing method | |
| JPH09160255A (en) | Tight adhesion intensifying device | |
| JP2001210584A (en) | Sylilation apparatus and sylilaton method |